专利名称:一种铝20锡半固态浆料的电磁机械复合制备方法
技术领域:
本发明涉及一种铝20锡半固态浆料的制备方法。
背景技术:
目前,锡液滴分布均匀的铝20锡半固态浆料,是采用公开号CN1740369A发明名称“一种铝20锡半固态浆料制备方法”公开的电磁机械复合制备方法制备的。铝20锡半固态浆料用于制备铝20锡自润滑材料,铝20锡自润滑材料的组织越均匀致密,其性能越好。对于用于制备铝20锡自润滑材料的铝20锡半固态浆料,其固相率越大,制备的铝20锡自润滑材料的缩孔与疏松等缺陷越少,性能越好。但是,对于铝20锡半固态浆料,在电磁机械复合制备过程中,半固态浆料的固相率越大,卷入其内部的气体就越难导出,当固相率增大到一定范围后,卷入其内部的气体将存留在半固态浆料的内部,在制备的铝20锡自润滑材料内部形成气孔,限制铝20锡自润滑材料性能的进一步提高甚至导致下降,因此,必须制备出既能保证内部不存留卷入气体又能使固相率达到较大值的铝20锡半固态浆料,才能保证高质量铝20锡自润滑材料的性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,获得内部不存留卷入气体的、固相率最大的铝20锡半固态浆料的电磁机械复合制备方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是利用电磁机械复合制备方法,在搅拌温度为580~578℃条件下,制备铝20锡半固态浆料。
本发明的有益效果是利用本发明,可制备出固相率高达42~43%的内部不存留卷入气体的铝20锡半固态浆料。
图1为固相率为44%的铝20锡半固态浆料的微观组织。
图2为固相率为55%的铝20锡半固态浆料的微观组织。
图3为本发明制备的固相率为42.6%的铝20锡半固态浆料的微观组织。
具体实施例方式
实施方式一本发明的电磁机械复合制备方法的具体步骤步骤1,制备铝20锡合金液,温度控制在700℃;步骤2,将上述铝20锡合金液倒入石墨坩埚中,石墨坩埚的预热温度为500℃,由其壁内的加热管实现预热,盖上上盖后,接通Ar气以防氧化;步骤3,启动电磁搅拌装置和机械搅拌器及其上下移动控制装置,对铝20锡熔体进行搅拌,同时,关闭加热管的电源并向石墨坩埚壁内的冷却管内接通冷却水进行冷却,将铝20锡熔体冷却至580℃后,关闭冷却水,打开并调节加热管的电源,使铝20锡熔体温度稳定在580℃,在580℃下,搅拌20min后,得到固相率为42%的铝20锡半固态浆料。
本发明的电磁机械复合制备方法采用的电磁搅拌装置、机械搅拌器及其上下移动控制装置为公开号CN1740369A所公开的电磁搅拌装置、机械搅拌器及其上下移动控制装置。
实施方式二与实施方式一的区别为在579℃温度下,对铝20锡熔体进行电磁机械复合搅拌,得到固相率为42.6%的铝20锡半固态浆料。
实施方式三与实施方式一的区别为在578℃温度下,对铝20锡熔体进行电磁机械复合搅拌,得到固相率为43%的铝20锡半固态浆料。
附图1为固相率为44%的铝20锡半固态浆料的微观组织,附图2为固相率为55%的铝20锡半固态浆料的微观组织,附图3为本发明制备的固相率为42.6%的铝20锡半固态浆料的微观组织。图中A、B、C、D、E等箭头所指小区域为气孔,可见,当半固态浆料固相率小于43%时,半固态浆料内部不存留卷入气体;当半固态浆料固相率大于43%时,半固态浆料内部就开始存留卷入气体,而且固相率越大,存留的卷入气体越多。可见,本发明能用于制备固相率高、内部不存留卷入气体的铝20锡半固态浆料。
权利要求
1.一种铝20锡半固态浆料的电磁机械复合制备方法,具体步骤为步骤1,制备铝20锡合金液,温度控制在700℃;步骤2,将上述铝20锡合金液倒入石墨坩埚中,石墨坩埚的预热温度为500℃,由其壁内的加热管实现预热,盖上上盖后,接通Ar气以防氧化;步骤3,启动电磁搅拌装置和机械搅拌器及其上下移动控制装置,对铝20锡熔体进行搅拌,同时,关闭加热管的电源并向石墨坩埚壁内的冷却管内接通冷却水进行冷却,将铝20锡熔体冷却至所需搅拌温度后,关闭冷却水,打开并调节加热管的电源,使铝20锡熔体温度稳定在所需搅拌温度,搅拌20min后,得到所需固相率的铝20锡半固态浆料;其特征在于,所需搅拌温度为580~578℃。
2.根据权利要求1所述的一种铝20锡半固态浆料的电磁机械复合制备方法,其特征在于,所需铝20锡半固态浆料的固相率为42~43%。
全文摘要
本发明公开了一种铝20锡半固态浆料的电磁机械复合制备方法,属于铝20锡半固态浆料的制备研究领域,本发明利用电磁机械复合制备方法,在580~578℃搅拌温度下,对铝20锡熔体进行电磁机械复合搅拌,可制备出固相率高达42~43%、内部不存留卷入气体的铝20锡半固态浆料。
文档编号C22F3/00GK1970821SQ20061016504
公开日2007年5月30日 申请日期2006年12月12日 优先权日2006年12月12日
发明者张鹏, 杜云慧, 刘汉武 申请人:北京交通大学