一种法拉第装置的制作方法

专利名称：一种法拉第装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体器件制造控制装置，特别涉及一种法拉第装置。
背景技术：
近年来，随着半导体集成电路技术和芯片技术的发展，半导体集成电路制造技术中，集成度越来越高，电路规模越来越大，电路中单元器件尺寸越来越小，对各种半导体工艺设备提出了更高的要求。
离子注入机作为半导体离子掺杂工艺线的关键设备之一，也对它提出了很高的要求，要求离子注入机具有整机可靠性好、生产效率高、多种电荷态离子宽能量范围注入、精确控制束注入能量精度、精确控制束纯度、低尘粒污染、整机全自动控制、注片均匀性和平行度好等多种功能和特征。
法拉第装置在离子注入机设备中多次用到，它的作用涉及到束流大小、束流平行度、束流均匀性的测量对监测束流质量，提高束流品质有着至关重要的意义。

发明内容
为了实现束流大小、束流平行度、束流均匀性的精确测量，本实用新型提出一种新型法拉第装置，该装置取样精确、结构紧凑、体积小。
本实用新型通过以下技术方案实现一种法拉第装置，包括石墨盖板、外腔体、插线瓷座、内腔体、绝缘瓷块、抑制电极、法拉第进束窗、石墨挡板。其中石墨盖板位于外腔体一侧，起防尘保护的作用；插线瓷座安装在外腔体上；内腔体是金属腔体，在外腔体内部，通过绝缘瓷块与外腔体相连；抑制电极通过绝缘瓷块固定在内腔体的前方；法拉第进束窗在外腔体上，用于接收离子束；石墨挡板位于外腔体和法拉第进束窗外侧。
本实用新型具有如下显著优点1、进束口做成细长缝结构，能够对适合8英寸晶片的离子注入机的束流进行准确的取样。
2、结构紧凑、体积小。


图1是本实用新型的半剖面图。
图2是本实用新型的右视半剖面图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步介绍，但不作为对本实用新型的限定。
参考图1、图2，一种法拉第装置，其包括石墨盖板1、外腔体2、插线瓷座3、内腔体4、绝缘瓷块5、抑制电极6、法拉第进束窗7、石墨挡板8。其中石墨盖板1起到了防尘保护的作用，它的表面喷涂石墨可以耐高温。内腔体4是积累电荷的金属腔体，它通过绝缘瓷块5与外腔体相连。抑制电极6通过绝缘瓷块5固定在内腔体4的前方。抑制电极6上面加上了一个负的电位，它的作用是可以防止离子束在和内腔体4的金属壁碰撞之后产生的自由电子跑出内腔体4，从而保证测量到的内腔体4上面的离子数量不会失真。
本实用新型的特定实施例已对本实用新型的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本实用新型精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本实用新型专利的侵犯，将承担相应的法律责任。
权利要求1.一种法拉第装置，其特征在于包括石墨盖板、外腔体、插线瓷座、内腔体、绝缘瓷块、抑制电极、法拉第进束窗、石墨挡板，其中石墨盖板位于外腔体一侧，起防尘保护的作用；插线瓷座安装在外腔体上；内腔体是金属腔体，在外腔体内部，通过绝缘瓷块与外腔体相连；抑制电极通过绝缘瓷块固定在内腔体的前方；法拉第进束窗在外腔体上，用于接收离子束；石墨挡板位于外腔体和法拉第进束窗外侧。
专利摘要本实用新型公开了一种法拉第装置，包括石墨盖板、外腔体、插线瓷座、内腔体、绝缘瓷块、抑制电极、法拉第进束窗、石墨挡板。其中石墨盖板位于外腔体一侧，起防尘保护的作用；插线瓷座安装在外腔体上；内腔体是金属腔体，在外腔体内部，通过绝缘瓷块与外腔体相连；抑制电极通过绝缘瓷块固定在内腔体的前方；法拉第进束窗在外腔体上，用于接收离子束；石墨挡板位于外腔体和法拉第进束窗外侧。本实用新型取样精确、结构紧凑、体积小。
文档编号C23C14/48GK2906916SQ20062001298
公开日2007年5月30日 申请日期2006年4月7日 优先权日2006年4月7日
发明者易文杰, 许波涛, 龙会跃, 姚琛 申请人:北京中科信电子装备有限公司