Amoled像素驱动电路的制作方法
专利名称：Amoled像素驱动电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及平面显示技术领域，具体的说是涉及平面显示技术领域中的 AMOLED像素驱动电路。
背景技术：
图1是传统的AMOLED(主动矩阵有机发光二极管)像素驱动电路结构图，该电路 由2个晶体管和1个电容以及一个0LED(有机发光二极管)组成。Tl管为开关管，由行扫 描线Vscan所控制，目的是为了控制数据电压Vdata的输入；T2管为驱动管，控制OLED发光 强弱；C1为存储电容，为T2的栅极提供偏置电压。数据电压通过T1供应到T2的栅极上， 控制其通断及电流大小。 这种像素驱动电路结构简单，所以有利于确保开口率，但由于电源线Vdd单独位 于像素驱动电路内部，导致开口率下降，开口率一般只有34% ， 这样就会给AMOLED的寿命造成直接影响。由于开口率小，为了满足面板亮度需 要，就不得不增大AMOLED中供应的电流密度，从而导致面板耗电增加，造成面板寿命和品 质的下降。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是针对传统的AMOLED像素驱动电路开口率小 导致面板寿命短的问题，提出一种大开口率的AMOLED像素驱动电路。 本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案是AMOLED像素驱动电路，包括 第一晶体管、第二晶体管、电容及有机发光二极管；所述第一晶体管的源极连接第二晶体管 的栅极；所述第二晶体管的源极通过有机发光二极管连接公共地端；电容连接第二晶体管 的栅极与公共地端；所述第一晶体管的栅极连接第二晶体管的漏极。 进一步，还包括第三晶体管及第四晶体管，所述第三晶体管的栅极与第四晶体管 的栅极连接至行扫描信号端，第三晶体管的漏极与第四晶体管的源极连接至第一晶体管的 栅极与第二晶体管的漏极形成的公共端。 所述第三晶体管为增强型PM0S管，第四晶体管为增强型NM0S管。 本实用新型的有益效果是提高了 AMOLED面板的开口率，进而延长其使用寿命，
提咼品质。
图1为传统AM0LED像素驱动电路结构图； 图2为本实用新型的AM0LED像素驱动电路结构图； 图3为本实用新型中的Vdd&scan生成电路结构图。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步的描述。 本实用新型的主要思想是将传统AMOLED像素驱动电路中的电源线Vdd与行 扫描线Vscan共用，形成混合线Vdd&scan，省掉原来电源线所占的面积，增大开口率；进 一步为了保证能够正常驱动整个面板，提供整个面板所需要的电流，本实用新型还增加了 Vdd&scan生成电路。 实施例 如图2所示，本实用新型中的AM0LED像素驱动电路，包括第一晶体管T1、第二晶体 管T2、电容CI及有机发光二极管OLED ;所述第一晶体管Tl的源极连接第二晶体管T2的栅 极；所述第二晶体管T2的源极通过有机发光二极管OLED连接公共地端Vss ;电容连接第二 晶体管T2的栅极与公共地端Vss ;所述第一晶体管Tl的栅极连接第二晶体管T2的漏极。 由于将Vdd线合并到Vscan线形成混合线Vdd&scan，消除了 Vdd导致的20%开口 率的损失，这样开口率可以高达50 % 。开口率的提升将降低AMOLED上供应的电流密度，减 小面板耗电，增加AMOLED寿命。当Vdd&scan为低电平Vgl时，第一晶体管T1导通，数据电 压Vdata输入到第二晶体管T2的栅极，在此期间第二晶体管T2截止，OLED中无电流流过 不发光，这和传统的AMOLED像素驱动电路完全不一样；当Vdd&scan为高电平Vdd时，第一 晶体管Tl截止，第二晶体管T2导通，有机发光二极管OLED中有电流流过从而发光。 为了保证能够正常驱动整个AMOLED面板，提供其工作所需要的电流，本实用新型 还增加了 Vdd&scan生成电路，如图3所示，实际上就是在Vscan线增加了两个MOS管，即第 三晶体管T3及第四晶体管T4，所述第三晶体管T3的栅极与第四晶体管T4的栅极连接至 行扫描信号端，第三晶体管T3的漏极与第四晶体管T4的源极连接至第一晶体管T1的栅极 与第二晶体管T2的漏极形成的公共端，(图中Vdd&scan端)，其中第三晶体管T3为增强型 PMOS管，第四晶体管T4为增强型NMOS管。当Vscan为低电平Vgl时，第三晶体管T3导通， 第四晶体管T4截止，输出Vdd&scan为低电平Vgl ;当Vscan为高电平Vdd时，第三晶体管 T3截止，第四晶体管T4导通，输出Vdd&scan为高电平Vdd。
权利要求AMOLED像素驱动电路，包括第一晶体管、第二晶体管、电容及有机发光二极管；所述第一晶体管的源极连接第二晶体管的栅极；所述第二晶体管的源极通过有机发光二极管连接公共地端，其特征在于电容连接第二晶体管的栅极与公共地端；所述第一晶体管的栅极连接第二晶体管的漏极。
2. 如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于还包括第三晶体管及第四 晶体管，所述第三晶体管的栅极与第四晶体管的栅极连接至行扫描信号端，第三晶体管的 漏极与第四晶体管的源极连接至第一晶体管的栅极与第二晶体管的漏极形成的公共端。
3. 如权利要求2所述的AM0LED像素驱动电路，其特征在于所述第三晶体管为增强型 PM0S管，第四晶体管为增强型NM0S管。
专利摘要本实用新型涉及平面显示技术领域，具体的说是涉及平面显示技术领域中的AMOLED像素驱动电路。本实用新型针对传统的AMOLED像素驱动电路开口率小导致面板寿命短的问题，公开了一种大开口率的AMOLED像素驱动电路。其技术方案的要点是AMOLED像素驱动电路，包括第一晶体管、第二晶体管、电容及有机发光二极管；所述第一晶体管的源极连接第二晶体管的栅极；所述第二晶体管的源极通过有机发光二极管连接公共地端；电容连接第二晶体管的栅极与公共地端；所述第一晶体管的栅极连接第二晶体管的漏极。本实用新型的有益效果是提高了AMOLED面板的开口率，进而延长其使用寿命，提高品质，适用于AMOLED。
文档编号G09G3/32GK201518210SQ20092031337
公开日2010年6月30日 申请日期2009年10月27日 优先权日2009年10月27日
发明者周刚, 金正学 申请人:四川虹视显示技术有限公司
技术领域：
本实用新型涉及平面显示技术领域，具体的说是涉及平面显示技术领域中的 AMOLED像素驱动电路。
背景技术：
图1是传统的AMOLED(主动矩阵有机发光二极管)像素驱动电路结构图，该电路 由2个晶体管和1个电容以及一个0LED(有机发光二极管)组成。Tl管为开关管，由行扫 描线Vscan所控制，目的是为了控制数据电压Vdata的输入；T2管为驱动管，控制OLED发光 强弱；C1为存储电容，为T2的栅极提供偏置电压。数据电压通过T1供应到T2的栅极上， 控制其通断及电流大小。 这种像素驱动电路结构简单，所以有利于确保开口率，但由于电源线Vdd单独位 于像素驱动电路内部，导致开口率下降，开口率一般只有34% ， 这样就会给AMOLED的寿命造成直接影响。由于开口率小，为了满足面板亮度需 要，就不得不增大AMOLED中供应的电流密度，从而导致面板耗电增加，造成面板寿命和品 质的下降。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是针对传统的AMOLED像素驱动电路开口率小 导致面板寿命短的问题，提出一种大开口率的AMOLED像素驱动电路。 本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案是AMOLED像素驱动电路，包括 第一晶体管、第二晶体管、电容及有机发光二极管；所述第一晶体管的源极连接第二晶体管 的栅极；所述第二晶体管的源极通过有机发光二极管连接公共地端；电容连接第二晶体管 的栅极与公共地端；所述第一晶体管的栅极连接第二晶体管的漏极。 进一步，还包括第三晶体管及第四晶体管，所述第三晶体管的栅极与第四晶体管 的栅极连接至行扫描信号端，第三晶体管的漏极与第四晶体管的源极连接至第一晶体管的 栅极与第二晶体管的漏极形成的公共端。 所述第三晶体管为增强型PM0S管，第四晶体管为增强型NM0S管。 本实用新型的有益效果是提高了 AMOLED面板的开口率，进而延长其使用寿命，
提咼品质。
图1为传统AM0LED像素驱动电路结构图； 图2为本实用新型的AM0LED像素驱动电路结构图； 图3为本实用新型中的Vdd&scan生成电路结构图。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步的描述。 本实用新型的主要思想是将传统AMOLED像素驱动电路中的电源线Vdd与行 扫描线Vscan共用，形成混合线Vdd&scan，省掉原来电源线所占的面积，增大开口率；进 一步为了保证能够正常驱动整个面板，提供整个面板所需要的电流，本实用新型还增加了 Vdd&scan生成电路。 实施例 如图2所示，本实用新型中的AM0LED像素驱动电路，包括第一晶体管T1、第二晶体 管T2、电容CI及有机发光二极管OLED ;所述第一晶体管Tl的源极连接第二晶体管T2的栅 极；所述第二晶体管T2的源极通过有机发光二极管OLED连接公共地端Vss ;电容连接第二 晶体管T2的栅极与公共地端Vss ;所述第一晶体管Tl的栅极连接第二晶体管T2的漏极。 由于将Vdd线合并到Vscan线形成混合线Vdd&scan，消除了 Vdd导致的20%开口 率的损失，这样开口率可以高达50 % 。开口率的提升将降低AMOLED上供应的电流密度，减 小面板耗电，增加AMOLED寿命。当Vdd&scan为低电平Vgl时，第一晶体管T1导通，数据电 压Vdata输入到第二晶体管T2的栅极，在此期间第二晶体管T2截止，OLED中无电流流过 不发光，这和传统的AMOLED像素驱动电路完全不一样；当Vdd&scan为高电平Vdd时，第一 晶体管Tl截止，第二晶体管T2导通，有机发光二极管OLED中有电流流过从而发光。 为了保证能够正常驱动整个AMOLED面板，提供其工作所需要的电流，本实用新型 还增加了 Vdd&scan生成电路，如图3所示，实际上就是在Vscan线增加了两个MOS管，即第 三晶体管T3及第四晶体管T4，所述第三晶体管T3的栅极与第四晶体管T4的栅极连接至 行扫描信号端，第三晶体管T3的漏极与第四晶体管T4的源极连接至第一晶体管T1的栅极 与第二晶体管T2的漏极形成的公共端，(图中Vdd&scan端)，其中第三晶体管T3为增强型 PMOS管，第四晶体管T4为增强型NMOS管。当Vscan为低电平Vgl时，第三晶体管T3导通， 第四晶体管T4截止，输出Vdd&scan为低电平Vgl ;当Vscan为高电平Vdd时，第三晶体管 T3截止，第四晶体管T4导通，输出Vdd&scan为高电平Vdd。
权利要求AMOLED像素驱动电路，包括第一晶体管、第二晶体管、电容及有机发光二极管；所述第一晶体管的源极连接第二晶体管的栅极；所述第二晶体管的源极通过有机发光二极管连接公共地端，其特征在于电容连接第二晶体管的栅极与公共地端；所述第一晶体管的栅极连接第二晶体管的漏极。
2. 如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于还包括第三晶体管及第四 晶体管，所述第三晶体管的栅极与第四晶体管的栅极连接至行扫描信号端，第三晶体管的 漏极与第四晶体管的源极连接至第一晶体管的栅极与第二晶体管的漏极形成的公共端。
3. 如权利要求2所述的AM0LED像素驱动电路，其特征在于所述第三晶体管为增强型 PM0S管，第四晶体管为增强型NM0S管。
专利摘要本实用新型涉及平面显示技术领域，具体的说是涉及平面显示技术领域中的AMOLED像素驱动电路。本实用新型针对传统的AMOLED像素驱动电路开口率小导致面板寿命短的问题，公开了一种大开口率的AMOLED像素驱动电路。其技术方案的要点是AMOLED像素驱动电路，包括第一晶体管、第二晶体管、电容及有机发光二极管；所述第一晶体管的源极连接第二晶体管的栅极；所述第二晶体管的源极通过有机发光二极管连接公共地端；电容连接第二晶体管的栅极与公共地端；所述第一晶体管的栅极连接第二晶体管的漏极。本实用新型的有益效果是提高了AMOLED面板的开口率，进而延长其使用寿命，提高品质，适用于AMOLED。
文档编号G09G3/32GK201518210SQ20092031337
公开日2010年6月30日 申请日期2009年10月27日 优先权日2009年10月27日
发明者周刚, 金正学 申请人:四川虹视显示技术有限公司
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