显示装置及电子机器的制作方法
专利名称：显示装置及电子机器的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有有机电致发光材料的显示装置及配置该显示装置的电子机器。
背景技术：
近年来，已开发出一种具有在像素电极(阳极)及阴极之间设有由有机荧光材料等的发光材料构成的发光层的结构的彩色显示装置，特别是已开发出一种使用有机电致发光(有机EL)材料作为发光材料的有机EL显示装置。
下面，首先参照附图对以往的显示装置(有机EL显示装置)进行说明。
图13表示以往显示装置的布线结构。在以往的显示装置的构成中，分别配置有多条扫描线901、在与扫描线901交叉的方向上延伸的多条信号线902、与信号线902并列延伸的多条发光用电源布线903，并且在扫描线901及信号线902的各个交点上设有像素区域A。
各个信号线902...与具有位移寄存器、电平移位器、视频线及模拟开关的数据侧驱动电路904相连接。而且各个扫描线901与具有位移寄存器及电平移位器的扫描侧驱动电路905、905相连接。
并且，在各个像素区域A上设有通过扫描线901向门电极供给扫描信号的开关型薄膜晶体管912、通过该开关型薄膜晶体管912来保持信号线上的共有像素信号的保持电容cap、把由该保持电容cap保持的像素信号供给到门电极的电流薄膜晶体管923、在通过该电流薄膜晶体管923与发光用电源布线903形成电连接时，从发光用电源布线903导入驱动电流的像素电极911及配置在该像素电极911与阴极913之间的发光元件910。阴极913与阴极用电源电路931相连接。
另外，在发光元件910内包含发红色光的发光元件910R、发绿色光的发光元件910G、发蓝色光的发光元件B的3种发光元件，并把各个发光元件910R、910G、910B直列配置。
而且，通过电流薄膜晶体管923分别与各个发光元件910R、910G、910B连接的发光用电源布线903R、903G、903B分别与发光用电源电路932连接。由于发光元件910的驱动电位相对于每种色而不同，所以发光用电源布线对每个色进行单独布线。
根据所述的构成，当驱动扫描线901使开关型薄膜晶体管912为导通时，此时的信号线902的电位被保持电容cap保持，电流薄膜晶体管923对应该保持电容cap的状态而决定其导通或截止的状态。而且，电流从发光用电源布线903R、903G、903B通过电流薄膜晶体管923的通道流向像素电极，并且驱动电流通过发光元件910流向阴极913。发光元件910对应流过电流的电流量而发光。
然而，为了使发光元件稳定地发光，要求是从发光用电源布线903施加在像素电极911上的驱动电流的电位变动尽可能地小。
但是，在以往的显示装置中，由于为了使发光元件910发光而要求具有较大的驱动电流，所以显示装置在不同的动作状态下，驱动电流的电位变动有时会增大，使发光元件910的发光动作不正常，有时会导致不能进行正常显示的情况。
发明内容
本发明就是为了解决上述的问题，通过使从发光用电源布线施加在像素电极上的驱动电流的电位稳定，使显示装置能够进行正常的显示。其目的在于提供这样的显示装置及具有该显示装置的电子机器。
为了达到上述的目的，本发明采用了以下的构造。
本发明之1的显示装置具有通过在基板上呈矩阵状地配置有与开关元件连接的第1电极而形成的第1电极区域和配置在所述第1电极区域周围的与所述第1电极连接的发光用电源布线，其特征在于在所述第1电极上形成功能层及第2电极，在所述发光用电源布线与所述第2电极之间设有第1静电电容。
根据该显示装置，由于在发光用电源布线与第2电极之间设有第1静电电容，所以，即使在流过发光用电源布线的驱动电流的电位发生变动，也可通过向发光用电源布线供给被蓄积在第1静电电容中的电荷，因此，通过蓄积的电荷拟补了驱动电流的电位不足的部分，抑制了电位的变动，从而能够保证显示装置的正常的图像显示。
另外，本发明之2的显示装置是基于所述本发明之1的显示装置，其特征在于在所述第1电极区域的外侧，通过把所述发光用电源布线与所述第2电极相互对置，而形成所述第1静电电容。
根据本发明之2的显示装置，由于发光用电源布线在第1电极区域的外侧与第2电极对置，所以可通过减小发光用电源布线与第2电极之间的间隔增大蓄积在第1静电电容中的蓄积电荷量，从而可减小驱动电流的电位变动，实现稳定的图像显示。
另外，本发明之3的显示装置是在本发明的显示装置中，在所述发光用电源布线与所述第2电极之间配置第1层间绝缘层。
另外，本发明之4的显示装置是基于本发明上述的显示装置，其特征在于具有由所述第1电极区域形成的实质显示区域和配置在该实质显示区域周围但对显示不起作用的虚设区域，所述第2电极的形成至少覆盖住所述实质显示区域和所述虚设区域，通过把所述发光用电源布线配置成在与所述第2电极的两者之间至少夹隔所述虚设区域的对置状态，而形成所述第1静电电容。
根据本发明之4的显示装置，由于设有包围实质显示区域的虚设区域，并且把发光用电源布线设置成与第2电极相对置，且把虚设区域夹在两者之间，使得发光用电源布线位于该虚设区域内，从而不需要在发光元件部的外侧另外设置用于设置发光用电源布线的空间，由此可相对地扩大实质显示区域的占用面积。
另外，本发明之5的显示装置是在本发明的显示装置中，所述虚设区域内的功能层的膜厚比所述虚设区域内的组合层的膜厚薄。
这样，由于构成了使在虚设区域的功能层上的第2电极比在虚设区域的隔栅层上的第2电极更接近发光用电源布线的结构，所以可增大蓄积在静电电容内的蓄积电荷量，可减小驱动电流的电位变动，实现稳定的图像显示。
另外，本发明之6的显示装置是在本发明的显示装置中，在所述发光用电源布线与所述虚设区域内的功能层之间配置所述第1层间绝缘层。
另外，本发明之7的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于所述发光用电源布线由把第2层间绝缘层夹在中间的相互对置的第1布线及第2布线构成，并且所述第1布线形成在与所述第2电极用的布线相同的阶层位置上，在所述第1布线与所述第2电极用布线之间形成第2静电电容。
根据本发明之7的显示装置，由于在第1布线与第2电极用布线之间设有第2静电电容，所以在流过发光用电源布线的驱动电流的电位发生变动的情况下，通过把蓄积在第2静电电容内的电荷供给到发光用电源布线，可抑制电位的变动，从而可进一步确保显示装置进行正常的图像显示。
另外，本发明之8的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于所述功能层由空穴注入/输送层和邻接该空穴注入/输送层而形成的由有机电致发光材料形成的发光层构成。
根据上述的显示装置，使功能层由空穴注入/输送层和发光层构成，通过对该功能层施加电位变动小的驱动电流，可进行高辉度且色彩正确的显示。
另外，本发明之9的显示装置，具有在基板上配置有与开关元件连接的第1电极的第1电极区域和配置在所述第1电极区域周围的与所述第1电极连接的发光用电源布线，其特征在于在各所述第1电极上形成功能层及第2电极，在所述发光用电源布线之上形成第1层间绝缘层。
另外，本发明之10的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于在由所述第1电极形成的显示像素部的外侧，通过把所述发光用电源布线与所述第2电极配置成在两者中间夹隔所述第1层间绝缘层的对置，而形成所述第1静电电容。
另外，本发明之11的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于具有由所述第1电极区域形成的实质显示区域和配置在该实质显示区域周围但对显示不起作用的虚设区域，所述第2电极的形成至少覆盖住所述实质显示区域和所述虚设区域，把所述发光用电源布线配置成在与所述第2电极之间至少夹隔所述虚设区域的对置状态，在所述虚设区域内形成所述第1层间绝缘层。
另外，本发明之12的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于所述虚设区域内的功能层的膜厚比所述虚设区域内的组合层的膜厚薄。
另外，本发明之13的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于所述发光用电源布线由把第2层间绝缘层夹在中间的相互对置的第1布线及第2布线构成，并且所述第1布线形成在与所述第2电极用的布线相同的阶层位置上，在所述第1布线与所述第2电极用布线之间形成第2静电电容。
另外，本发明之14的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于所述功能层由空穴注入/输送层和与该空穴注入/输送层邻接而形成的由有机电致发光材料形成的发光层构成。
另外，本发明的电子机器的特征是，具有上述本发明的任意一种显示装置。根据本发明的电子机器，可进行稳定的图像显示。
图1是表示本发明实施例1的显示装置的布线结构的平面示意图。
图2是表示本发明实施例1的显示装置的平面示意图。
图3是图2的沿A-A′线的剖面图。
图4是图2的沿B-B′线的剖面图。
图5是表示本发明实施例1的显示装置的主要部分的剖面图。
图6是说明本发明实施例1的显示装置的制造方法的工序流程图。
图7是说明本发明实施例1的显示装置的制造方法的工序流程图。
图8是说明本发明实施例1的显示装置的制造方法的工序流程图。
图9是说明本发明实施例1的显示装置的制造方法的工序流程图。
图10表示本发明实施例2的显示装置的平面示意图。
图11是图10的沿A-A′线的剖面图。
图12是表示作为本发明实施例3的电子机器的立体图。
图13是表示以往的显示装置的布线结构的平面示意图。
图中1-显示装置，2-基板，3-显示像素部，4、204-实质显示区域，5、205-虚设区域，11-电路部，11a-像素电极区域(第1电极区域)，12、222-阴极(第2电极)，12a、222a-阴极用布线(第2电极用布线)，103-发光用电源布线，103R1、103G1、103B1-第1布线，103R2、103G2、103B2-第2布线，110-功能层，110a-空穴注入/输送层，110b-发光层，111-像素电极(第1电极)，112-隔栅层，123-电流薄膜晶体管(开关元件)，210-虚设功能层(位于虚设区域内的功能层)，212-虚设隔栅层(在虚设区域中的隔栅层)，283-第2层间绝缘层(绝缘层)，284-第1层间绝缘层(绝缘层)，600-移动电话主机(电子机器)，700-信息处理装置(电子机器)，800-手表(电子机器)，C1-第1静电电容，C2-第2静电电容。
具体实施例方式
(实施例1)下面，结合附图，对本发明的实施例1进行说明。本实施例仅用于说明本发明的一例实施方式，本发明不限于此实施例，在本发明的技术构思的范围内可以进行任意的变更。另外，在下面所示的各个附图中，由于对各层和各个部件采取了便于在图中进行观察的大小尺寸，所以对于各层和各个部件的图示比例不尽相同。
图1是表示本实施例的显示装置的布线结构的平面示意图。
图1所示的显示装置1是使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor)作为开关元件的有源阵列方式的有机EL显示装置。
在图1所示的本实施例的显示装置1的构成中，分别配置有多条扫描线101...、在与扫描线101...交叉的方向上延伸的多条信号线102...、与信号线102...并列延伸的多条发光用电源布线103...，并且在扫描线101...及信号线102...的各个交点上设有像素区域A...。
各个信号线102...与具有位移寄存器、电平移位器、视频线及模拟开关的数据侧驱动电路104相连接。而且各个信号线102...与具有薄膜晶体管的检查电路106连接。并且各个扫描线101...与具有位移寄存器及电平移位器的扫描侧驱动电路105、105相连接。
并且，在各个像素区域A上设有通过扫描线101向门电极供给扫描信号的开关型薄膜晶体管112、通过该开关型薄膜晶体管112来保持从信号线102供给的图像信号的保持电容cap、把由该保持电容cap保持的图像信号供给到门电极的电流薄膜晶体管123(开关元件)、在通过该电流薄膜晶体管123与发光用电源布线103形成电连接时，从发光用电源布线103导入驱动电流的像素电极111及配置在该像素电极111与阴极(第2电极)12之间的发光元件110。并且，阴极112与阴极用电源电路131相连接。
另外，在功能层110内包含有空穴注入/输送层和与该空穴注入/输送层邻接形成的由有机电致发光材料构成的发光层，并且在发光层内包含发红色光的发光元件110R、发绿色光的发光元件110G、发蓝色光的发光元件110B的3种发光元件，并把各个发光元件110R、110G、110B直列配置。
而且，通过电流薄膜晶体管123分别与各个发光元件110R、110G、110B连接的发光用电源布线103R、103G、103B分别与发光用电源电路132连接。由于发光元件110R的驱动电位相对于每种色而不同，所以对每个色分别配置发光用电源布线103R...。
另外，在阴极12与发光用电源布线103R、103G、103B之间形成有第1静电电容。当驱动显示装置1时，在第1静电电容C1...内形成电荷的蓄积。在显示装置1的驱动过程中，当流过各个发光用电源布线103的驱动电流发生变动时，通过所蓄积的电荷向各个发光用电源布线103的放电，以抑制驱动电流的电位变动。从而可确保显示装置1进行正常的图像显示。
另外，在该显示装置1中，当驱动扫描线101使开关薄膜晶体管112形成导通时，此时的信号线102的电位由保持电容cap保持，对应于该保持电容cap的状态，而决定电流薄膜晶体管123(开关元件)的导通.截止状态。而且，通过电流薄膜晶体管123的通道，驱动电流从发光用电源布线103R、103G、103B流入像素电极111，电流进一步通过发光层110R、110G、110B流入阴极(第2电极)12。各个功能层110对应该电流的电流量进行发光。
下面，结合图2～图4对本实施例的显示装置1的具体构造进行说明。图2是表示本发明实施例1的显示装置的平面示意图，图3是图2的沿A-A′线的剖面图，图4是图2的沿B-B′线的剖面图。
如图2所示，在本实施例的显示装置1的构成中包括由玻璃等构成的透明基板2，在基板上把与未图示的电流薄膜晶体管(开关元件)连接的像素电极(第1电极)配置成矩阵状的未图示的像素电极区域(第1电极区域)、配置在像素电极区域的周围并与各个像素电极连接的发光用电源布线103(130R、103G、103B)和至少位于像素电极区域上的在俯视面上呈大致矩形的显示像素部3(图中的单点划线的框内)。另外，显示像素部3分为中央部分的实质显示区域4(图中的双点划线的框内)和位于实质显示区域4周围的虚设区域5(单点划线与双点划线之间的区域)。
另外，在实质显示区域4的图中的两侧，配置有所述的扫描线驱动电路105、105。该扫描线驱动电路105、105被设置在虚设区域5的下侧(基板2侧)。并且在虚设区域5的下侧进一步设置与扫描线驱动电路105、105连接的扫描线驱动电路用控制信号布线105a和扫描线驱动电路用电源布线105b。
并且在实质显示区域4的图中的上侧配置有所述的检查电路106。该检查电路106被配置在虚设区域5的下侧(基板2侧)，通过该检查电路可对制造过程中或输出成品时的显示装置进行质量及有无缺欠的检查。
如图2所示，发光用电源布线103R、103G、103B被配置在虚设像素区域5的周围。各个发光用电源布线103R、103G、103B从基板2的在图2中的下侧沿着扫描线驱动电路用控制信号布线105向图2中的上方延伸，在扫描线驱动电路用电源布线105b的尽端位置弯折沿着虚设像素区域5的外侧延伸，并与位于实质显示区域4内的未图示的像素电极连接。
另外，在基板2上，形成与阴极12连接的阴极布线12a。该阴极布线12a包围住发光用电源布线103R、103G、103B，在俯视面上呈コ字状。
另外，在基板2的一端，粘贴有聚酰亚胺胶带130，在该聚酰亚胺胶带130上安装控制用IC133。在该控制用IC133中内置有如图1所示的数据侧驱动电路104、阴极用电源电路131及发光用电源电路132。
之后，如图3及图4所示，在基板2上形成电路部11，在该电路部11上形成显示像素部3。另外，在基板2上配置环状地包围住显示像素部3的密封材料，并且在显示像素部3上具有密封基板14。密封基板14由玻璃、金属或树脂等构成，并通过密封材料13粘接在基板2上。另外，在密封基板14的里侧粘附有吸附剂15，用于吸收混入到显示像素部3与密封基板14之间的空间内的水或氧气。另外，也可以使用吸气剂取代吸附剂15。另外，密封材料13例如可以是由热固化树脂或紫外线固化树脂构成，尤其是由作为一种热固化树脂的环氧树脂构成最为理想。
在电路部11的中央部分设有像素电极区域11a。在该像素电极区域11a内设有电流薄膜晶体管123和与该电流薄膜晶体管123(开关元件)连接的像素电极111。电流薄膜晶体管123被埋设在基板2上的所叠层的基础保护层281、第2层间绝缘层283及第1层间绝缘层284内，另外，像素电极111形成在第1层间绝缘层284上。
另外，在电路部11内，还形成有所述保持电容cap及开关薄膜晶体管142，但在图3及图4中省略了图示。
在图3中，在像素电极区域11a的图中两侧设有所述扫描线驱动电路105。另外，在图4中，在像素电极区域11a的图中的左侧设有所述检查电路106。
在扫描线驱动电路105中，具有构成在位移寄存器中所包含的转换器的N沟道型或P沟道型薄膜晶体管105c，该薄膜晶体管105c除了不与像素电极111连接之外，与电流薄膜晶体管123的结构相同。
另外，在检查电路106中，也同样具有薄膜晶体管106a，该薄膜晶体管106a，除了不与像素电极111连接之外，也与电流薄膜晶体管123的结构相同。
另外，如图3所示，在扫描线驱动电路105、105的图中外侧的基础保护层281上形成有扫描线电路用控制信号布线105a。并且在扫描线电路用控制信号布线105a外侧的第2层间绝缘层283上形成扫描线电路用电源布线105b。
另外，如图4所示，在检查电路106的图中左侧的基础保护层281上形成检查电路用控制信号布线106b。并且检查电路用控制信号布线106b左侧的第2层间绝缘层283上形成检查电路用电源布线106c。
另外，如图3所示，在扫描线电路用电源布线105b的外侧，形成发光用电源布线103。该发光用电源布线103采用由2根布线构成的双重布线构造，并如上所述地配置在显示像素部3的外侧。通过采用双重布线结构可减少布线阻抗。
例如，在图3中左侧的红色用的发光用电源布线103R由形成在基础保护层281上的第1布线103R1和通过第2层间绝缘层283形成在第1布线103R1上的第2布线103R2构成。第1布线103R1及第2布线103R2，如图2所示的那样通过贯通第2层间绝缘层283的连接孔103R3形成连接。
这样，第1布线103R1与阴极用布线12a形成在同一阶层位置，在第1布线103R1与阴极用布线12a之间配置第2层间绝缘层283。通过构成这样的构造，在第1布线103R1与阴极用布线12a之间形成第2静电电容C2。
同样，对于图3右侧的蓝色及绿色用的发光用电源布线103G、103B也采用双重布线结构，分别由形成在基础保护层281上的第1布线103G1、103B1、形成在第2层间绝缘层283上的第2布线103G2、103B2构成，第1布线103G1、103B1及第2布线103G2、103B2，如图2及图3所示的那样，通过贯通第2层间绝缘层283的连接孔103G3、103B3形成连接。而且，在蓝色的第1布线103B1及阴极用布线12a之间形成静电电容C2。
第1布线103R1...及第2布线103R2...的间隔例如在0.6～1.0μm的范围内较理想。当间隔小于0.6μm时，由于在如数据线和扫描线那样的具有不同电位的源极金属与栅极金属之间增大了寄生电容，例如由于在像素内存在有大量的源极金属和栅极金属的交叉部，所以将会造成数据信号(图像信号)的线路延迟。其后果是由于不能在规定的期间内进行数据信号(图像信号)的写入，会造成对比度的下降。夹在第1布线103R1...及第2布线103R2...之间的第2层间绝缘层283的材质例如最好使用SiO2等，但形成厚度应小于1.0μm，当厚度超过1.0μm时，受SiO2的应力作用将会造成基板的破裂。
另外，在各个发光用电源布线103R...的上侧形成有从显示像素部3延伸出的阴极12。这样，使各个发光用电源布线103R...的第2布线103R2...与阴极112形成中间夹隔第1层间绝缘层284的对置，由此在第2布线103R2...与阴极112之间形成所述的第1静电电容C1。
第2布线103R2...与阴极12的间隔例如最好在0.6～1.0μm的范围内。当间隔小于0.6μm时，由于在如数据线和扫描线那样的具有不同电位的源极金属与栅极金属之间增大了寄生电容，所以将会造成使用源极金属的数据线的延迟。其后果是由于不能在规定的期间内进行数据信号(图像信号)的写入，会造成对比度的下降。夹在第1布线103R2...及阴极12之间的第1层间绝缘层284的材质，例如最好使用SiO2或丙烯树脂等，但形成厚度应小于1.0μm，当厚度超过1.0μm时，受SiO2的应力作用将会造成基板的破裂。另外，在使用丙烯树脂的情况下，虽然可形成2.0μm左右的厚度，但由于具有遇水膨胀的性质，有可能使形成在其上面的像素电极破裂。
另外，第1布线103R1...与阴极用布线12a的间隔，例如最好在4～200μm的范围内。当间隔小于4μm时，由于受目前暴光机精度的限制，有可能造成相邻布线之间的短路。夹在第1布线103R2...及阴极用布线12a之间的第2层间绝缘层283的材质，例如最好使用SiO2或丙烯树脂等这样，根据本实施例的显示装置1，由于在发光用电源布线103与阴极12之间形成了第1静电电容C1，在流过发光用电源布线103内的驱动电流的电位发生变动时，蓄积在第1静电电容C1内的电荷可被供给到发光用电源布线103上，可由该电荷补充驱动电流的电位不足，从而抑制了电位的变动，可确保显示装置1进行正常的图像显示。
特别是由于发光用电源布线103与阴极12在显示像素部3的外侧形成对置，减小了发光用电源布线103与阴极112之间的间隔，同时可增加蓄积在第1静电电容C1内的电荷量，从而可进一步抑制驱动电流的电位变动、进行更稳定的图像显示。
并且，根据本实施例的显示装置1，由于发光用电源布线103具有由第1布线及第2布线构成的双重构造，并且在第1布线与阴极用布线之间形成第2静电电容C2，蓄积在第2静电电容C2内的电荷也被供给到发光用电源布线103，所以，可抑制电位的变动、确保显示装置1进行正常的图像显示。
下面，对包含电流薄膜晶体管123的电路部11的结构进行详细地说明。图5是表示像素电极区域11a的主要部分的剖面图。
如图5所示，在基板2的表面上，叠层以SiO2为主体的基础保护层281，在该基础保护层281上形成岛状硅层241。另外，硅层241及基础保护层281被以SiO2和/或SiN为主体的栅极绝缘层282所覆盖。而且在硅层241上，通过栅极绝缘层282形成栅极电极242。另外，该栅极电极242为扫描线的一部分。
另外，栅极电极242及栅极绝缘层282被以SiO2为主体的第2层间绝缘层283所覆盖。另外，在本说明书中，所谓“主体”成分是指含有率最高的成分。
然后，在硅层241中，把通过栅极绝缘层282与栅极电极242对置的区域作为通道区域241a。另外，在硅层241中，在通道区域241a的图中左侧设置低浓度源极区域241b及高浓度源极区域241S，而在通道区域241a的图中右侧设置低浓度漏极区域241c及高浓度漏极区域241D，从而形成所谓的LDD(Light Doped Drain)构造。电流薄膜晶体管123，以该硅层241为主体构成。
高浓度源极区域241S通过贯通栅极绝缘层282和第2层间绝缘层283形成开孔的连接孔245，与形成在第2层间绝缘层283上的源极电极243连接。该源极电极243构成上述的数据线的一部分。另一方面，高浓度漏极区域D通过贯通栅极绝缘层282和第2层间绝缘层283形成开孔的连接孔246，连接到与源极电极243位于同一层的漏极电极244。
在形成有源极电极243及漏极电极244的第2层间绝缘层283上形成打击1层间绝缘层284。而且，在该第1层间绝缘层284上形成由ITO等构成的透明像素电极111，并且通过设置在第1层间绝缘层284上的连接孔111a，使其与漏极电极244连接。即，像素电极111通过漏极电极244与硅层241的高浓度漏极电极241D连接。
另外，如图3所示，像素电极111形成在对应实质显示区域4的位置上，而在实质显示区域4周围的虚设区域5上设有与像素电极111的状态相同的虚设像素电极111′。
该虚设像素电极111′除了不与高浓度漏极电极241D连接之外，与像素电极111为同一形态。
然后，在显示像素部3的实质像素区域4上形成功能层110及隔栅112。
功能层110如图3～图5所示，叠层在各个像素电极111...上。而隔栅112形成在各个像素电极111及各个功能层110之间，对各个功能层110区域划分。
隔栅112由位于基板2侧的无机物隔栅层112a和位于与基板2分离位置的有机物隔栅层112b的叠层构成。另外，也可以在无机物隔栅层112a与有机物隔栅层112b之间配置遮光层。
无机物、有机物隔栅层112a、112b形成在像素电极111上，并跨在像素电极111的周边部上，而且无机物隔栅层112a形成在比有机物隔栅层112b更接近像素电极111的中央侧。
另外，无机物隔栅层112a最好由例如SiO2、TiO2、SiN等的无机材料构成。另外，无机物隔栅层112a的膜厚最好在50～200nm的范围内，最好为150nm。在膜厚小于50nm时，形成的无机物隔栅层112a比后述的空穴注入/输送层还要薄，由于不能确保空穴注入/输送层的平坦性，所以不理想。另外，当膜厚大于200nm时，无机物隔栅层112a的阶差增大，不能确保叠层在空穴注入/输送层上的后述的发光层的平坦性，所以不理想。
并且，有机物隔栅层112b由丙烯树脂、聚酰亚胺树脂等的通常的抗蚀膜形成。该有机物隔栅层112b的膜厚最好在0.1～3.5μm的范围内，最好为2μm。当膜厚小于0.1μm时，使形成的有机物隔栅层112b比后述的空穴注入/输送层及发光层的合计厚度要薄，可能导致发光层从上部开口部112d的溢出，因此是不理想的。另外，当厚度超过3.5μm时，上部开口部112d的阶差增大，不能确保在有机物隔栅层112b上的阴极112阶差覆盖层的形成，因此是不理想的。另外，如果使有机物隔栅层112b的厚度大于2μm，从提高阴极112与像素电极111的绝缘性方面讲是更理想的。
这样，使形成的功能层110比隔栅层112要薄。
另外，在隔栅层112的周边，形成呈亲液性的区域和呈防液性的区域。
呈亲液性的区域为无机物隔栅层112a及像素电极111，在该区域上，通过以氧气作为反应气体的等离子处理导入羟基等的亲液基。另外，呈防液性的区域为有机物隔栅层112b，通过以4氟化甲烷作为反应气体的等离子处理，导入氟等的防液基。
如图5所示，功能层110由叠层在像素电极111上的空穴注入/输送层110a和在空穴注入/输送层110a上邻接形成的发光层110b构成。
空穴注入/输送层110a具有把空穴注入发光层110b内的功能，并且具有在空穴注入/输送层110a内部输送空穴的功能。通过把这样的空穴注入/输送层110a设置在像素电极111与发光层110b之间，可提高发光层110b的发光效率、寿命等的元件特性。另外，在发光层110b中，通过使从空穴注入/输送层110a注入的空穴与阴极12的电子结合而发生荧光。
发光层110b具有发红色(R)光的红色发光层，发绿色(G)光的绿色发光层，及发蓝色(B)光的蓝色发光层这3种发光层，如图1及图2所示，各个发光层呈条纹状配置。
然后，在显示像素部3的虚设区域5内，形成虚设功能层210及虚设隔栅层212。
虚设隔栅层212由位于基板2侧的虚设无机物隔栅层212a和位于与基板2相分离位置上的虚设有机物隔栅层212b的叠层构成。虚设无机物隔栅层212a形成在虚设像素电极111′的全体面上。另外，虚设有机物隔栅层212b与有机物隔栅层112b相同地形成在像素电极111之间。
而且，虚设功能层210通过虚设无机物隔栅层212a而形成在虚设像素电极111′上。
虚设无机物隔栅层212a及虚设有机物隔栅层212b具有与上面说明过的无机物、有机物隔栅层112a、112b相同的材质和相同的膜厚。
另外，虚设功能层210由未图示的虚设空穴注入/输送层和未图示的虚设发光层的叠层构成，虚设空穴注入/输送层及虚设发光层的材质和膜厚与所述的空穴注入/输送层110a及发光层110b相同。
因此，与上述的功能层110同样，形成的虚设功能层210比虚设隔栅层212要薄。
通过把虚设区域5配置在实质显示区域4的周围，可使实质显示区域4的功能层110的厚度平均，从而可抑制显示不均。即，通过配置虚设区域5，能够使在利用喷墨法形成显示元件时的对于喷出的组合物的干燥条件在实质显示区域4内保持一定，从而可避免在实质显示区域4的周缘部上功能层110形成厚度的偏差。
然后，阴极12形成在实质显示区域4和虚设区域5的全体面上，并且延伸到虚设区域5外侧的基板2上，在虚设区域5的外侧，即显示像素部3的外侧，与发光用电源布线103相互对置。
另外，阴极112的端部与在电路部11中所形成的阴极用布线12a相连接。
阴极12作为像素电极111的对向电极，起着向功能层供给电流的作用。该阴极12例如为，通过把由氟化锂和钙的叠层体构成的第1阴极层12b与第2阴极层12c叠层而构成。在阴极12中，只有第2阴极层12c延伸到显示像素部3的外侧。
第2阴极层12c具有把从发光层110b发出的光反射到基板2侧的功能，最好由例如Al、Ag、Mg/Ag叠层体等构成。
并且，也可以在第2阴极层12b上设置由SiO2、SiN等构成的防氧化保护层。
下面，参照附图，对本实施例的显示装置的制造方法进行说明。
首先，参照图6至图8，对在基板2上形成电路部11的方法进行说明。另外，图6至图8所示的各个剖面与图2中的沿A-A′线的剖面相对应。另外，在以下的说明中，杂质浓度表示在活性化退火后的杂质。
首先，如图6(a)所示，在基板2上形成有硅氧化膜等构成的基础保护层281。然后使用ICVD法、等离子CVD法等形成非结晶质的硅层，然后，通过激光退火法或急速加热法使结晶粒成长而形成多晶硅层501。
然后，如图6(b)所示，通过光刻法对多晶硅层501进行图形光刻，形成岛状的硅层241、251及261，进一步形成由硅氧化膜构成的栅极绝缘层282。
硅层241用于构成形成在与实质显示区域4对应的位置上的并与像素电极111连接的电流薄膜晶体管123(以下，有时称作“像素用TFT”)，硅层251、261分别用于构成扫描线驱动电路105内的P沟道型及N沟道型的薄膜晶体管(以下，有时称作“驱动电路用TFT”)。
栅极绝缘层282是通过使用等离子CVD法、热氧化法等形成厚度约30nm～200nm的覆盖各个硅层241、251、261及基础保护层281的硅氧化膜而形成。其中在利用热氧化法形成栅极绝缘层282时，可以同时进行硅层241、251及261的结晶化，使这些硅层成为多晶硅层。在进行沟道掺杂时，例如在此时刻注入约1×1012cm-2剂量的硼离子。其结果是，使硅层241、251及261成为杂质浓度约为1×1017cm-3的低浓度P型硅层。
然后，如图6(c)所示，向硅层241、261的一部分上形成离子注入选择掩膜M1，在这个状态下注入约1×1015cm-2剂量的磷离子。结果是沿着离子注入选择掩膜M1而导入高浓度的杂质，由此在硅层241及261中形成高浓度的源极区域241S及261S和高浓度的漏极区域241D及261D。
下面，如图6(d)所示，在除去离子注入选择掩膜M1之后，在栅极绝缘层282上形成掺杂硅、硅氧化膜、或铝膜、铬膜、钽膜之类的厚度约为500nm的金属膜，然后通过进一步对金属膜实施图形化处理，而形成P沟道型的驱动电路用TFT的栅极电极252、像素用TFT的栅极电极242和N沟道型的驱动电路用TFT的栅极电极262。另外，通过上述的图形化处理，同时形成扫描线驱动电路用信号布线105a、发光用电源布线的第1布线103R1、103G1、103B1及阴极用布线12a的一部分。
并且，把栅极电极242、252及262作为掩膜，向硅层241、251及261注入4×1013cm-2剂量的磷离子。结果，向栅极电极242、252及262导入了低浓度的杂质，如图6(d)所示，在硅层241及261中形成低浓度的源极区域241b及261b和低浓度漏极区域241c及261c。另外，在硅层251中形成低浓度杂质区域251S及251D。
然后，如图7(a)所示，在栅极电极252的除了周边的全体面上形成离子注入选择掩膜M2。使用该离子注入选择掩膜M2向硅层251注入约1.5×1015cm-2剂量的硼离子。结果，栅极电极252也起到了作为掩膜的作用，使得在硅层252中自动校准地掺杂了高浓度的杂质。这样，251S及251D被反掺杂，形成P沟道型的驱动电路用TFT的源极区域及漏极区域。
然后，如图7(b)所示，在除去离子注入选择掩膜M2之后，在基板2的全体面上形成第2层间绝缘层283，然后进一步利用光刻法对第2层间绝缘层283进行图形化处理，在与各个TFT的源极电极及漏极电极及阴极用布线12a相对应的位置上形成连接孔形成用的孔H1。
然后，如图7(c)所示，通过形成覆盖住第2层间绝缘层283的由铝、铬钽等的金属构成的厚度约为200nm至800nm的导电层504，在已经形成的孔H1内填充这些金属而形成连接孔。然后进一步在导电层504上形成图形形成用的掩膜M3。
然后，如图8(a)所示，通过图形形成用掩膜M3在导电层504上进行图形化处理，进而形成各个TFT的源极电极243、253、263、漏极电极244及254、各个发光用电源布线的第2布线103R2、103G2、103B2、扫描线电路用电源布线105b及阴极用布线12a。
如上所述，通过把第1布线103R1及103B1形成在与阴极用布线12a同一的阶层、并相互分离，而形成第2静电电容C2。
然后，如图8(b)所示，使用例如丙烯类等的树脂材料形成覆盖打击2层间绝缘层283的第1层间绝缘层284。该第1层间绝缘层284的形成厚度最好为约1～2μm。
然后，如图8(c)所示，通过蚀刻，除去第1层间绝缘层284中的与像素用TFT的漏极电极244对应的部分，形成连接孔形成用的孔H2。此时，在阴极用布线12a上的第1层间绝缘层284也被同时除去。这样，在基板2上形成电路部11。
下面，参照图9，对通过在电路部11上形成显示像素部3而获得显示装置1的顺序进行说明。图9所示的剖面与图2中的沿A-A′线的剖面相对应。
首先，如图9(a)所示，形成覆盖基板2全体面的由ITO等的透明电极材料构成的薄膜，然后通过对该薄膜实施图形化处理而形成填埋在第1层间绝缘层284上的孔H2的连接孔111a，同时形成像素电极111及虚设像素电极111′。像素电极111只形成在电流薄膜晶体管123的形成部分上，并通过连接孔111a与电流薄膜晶体管123(开关元件)连接。另外，把虚设电极111′配置成岛状。
然后，如图9(b)所示，在第1层间绝缘层284、像素电极111及虚设像素电极111′上形成无机物隔栅层112a及虚设无机物隔栅层212a。无机物隔栅层112a形成在像素电极111的一部分上具有开口的状态，虚设无机物隔栅层212a则完全覆盖住虚设像素电极111。
无机物隔栅层112a及虚设无机物隔栅层212a例如是在通过CVD法、TEOS法、喷镀法、蒸镀法等在第1层间绝缘层284及像素电极111的全体面上形成SiO2、TiO2、SiN等的无机质膜后，通过对该无机质膜进行图形化处理而形成。
并且，如图9(b)所示，在无机物隔栅层112a及虚设无机物隔栅层212a上形成有机物隔栅层112b及虚设有机物隔栅层212b。有机物隔栅层112通过无机物隔栅层112a形成在像素电极111的一部分上具有开口的状态，虚设有机物隔栅层212b形成在虚设无机物隔栅层212a的一部分上具有开口的状态。这样，在第1层间绝缘层284上形成了隔栅层112。
然后，在隔栅层112的表面上形成呈亲水性的区域和呈防水性的区域。在本实施例中，是通过等离子处理工序来形成各个区域。具体是，该等离子处理工序包括使像素电极111、无机物隔栅层112a及虚设无机物隔栅层212a具有亲水性的亲水化工序和使有机物隔栅层112b和虚设有机物隔栅层212b具有防水性的防水化工序。
即，把隔栅层112加热到规定的温度(例如70～80℃左右)，然后，作为亲水化工序，在大气气氛中以氧气为反应气体进行等离子处理(O2等离子处理)。然后，作为防水化工序，在大气气氛中以4氟化甲烷为反应气体，进行等离子处理(CF4等离子处理)，通过把为了进行等离子处理而被接热的隔栅层112冷却至常温，使规定的部位呈亲水性及防水性。
并且，在像素电极111及虚设无机物隔栅层212a上通过喷墨法分别形成功能层110及虚设功能层210。功能层110及虚设功能层210是通过在喷出干燥包含空穴注入/输送层材料的组成物墨水之后，再喷出干燥包含发光层110的组成物墨水而形成。另外，在该功能层110及虚设功能层210的形成工序之后，为了防止空穴注入/输送层及发光层被氧化，最好在氮气气氛、氩气气氛等的惰性气体气氛中进行。
然后，如图9(c)所示，形成覆盖隔栅层112及功能层110以及虚设功能层210的阴极12。阴极12是通过在隔栅层112及功能层110以及虚设功能层210上形成第1阴极层12b之后，再形成覆盖第1阴极层12b的与基板2上的阴极用布线12a连接的第2阴极层12c而形成。
这样，通过把应与阴极用布线12a连接的第2阴极层12c从显示像素部3延伸到基板2上，使第2阴极层12c通过第1层间绝缘层284与发光用电源线103形成对向配置，由此在第2阴极层12c(阴极)与发光用电源线103之间形成第1静电电容C1。
最后，在基板2上涂敷环氧树脂等的密封材料13，通过该密封材料13在基板2上沾接密封基板14。由此获得图1～图4所示的显示装置1。
(实施例2)下面，参照附图对本发明实施例2进行说明。本实施例表示本发明的一种实施方式，但本发明并不限于此实施例，在本发明的技术构思的范围内可以进行任意的变更。另外，在以下的各图中，为了在图中能够清楚地表示出各个层和各个部件，采用的放大尺寸，因此，各个层和各个部件的放大比例互不相同。
图10及图11表示本实施例的显示装置101的具体结构。图10为表示本实施例的显示装置的平面模型图，图11是沿图10中A-A′线的剖面图。另外，在图10及图11所示的主要构成部分中，对于与所述图2及图3所示的构成部分相同的构成部分使用相同的符号，并省略对这些的说明或者只进行简单的说明。
如图10所示，在本实施例的显示装置101的构成中，具有基板2、通过在基板2上矩阵状地配置多个像素电极(第1电极)而形成的像素电极区域(第1电极区域)、配置在像素电极区域周围的发光用电源布线213(213R、213G、213B)及至少位于像素电极区域上的在俯视面上呈大致矩形的显示像素部203(图中的单点划线的框内)。另外，显示像素部203被划分为中央部分的实质显示区域204(图中的双点划线的框内)和配置在实质显示区域204周围的虚设区域205(单点划线与双点划线之间的区域)。
另外，在实质显示区域204的图中两侧的虚设区域205的下侧(基板2侧)，配置有扫描线驱动电路105、105。并且在虚设区域205的下侧设置有与扫描线驱动电路105、105连接的扫描线驱动电路用控制信号布线105a和扫描线驱动电路用电源布线105b。
并且，在实质显示区域204的在图中上侧的虚设区域205的下侧(基板2侧)配置有检查电路106。
另外，也把发光用电源布线213R、213G、213B配置在虚设像素区域205的下侧。各个发光用电源布线213R、213G、213B从基板2的图中下侧沿着扫描线驱动电路用电源布线105b想图中上方延伸，在扫描线驱动电路用电源布线105b的末端位置弯折，与位于实质显示区域204内的未图示的像素电极连接。
这样，在本实施例中，与实施例1不同，虚设区域205是延续形成到发光用电源布线213之上。
而且，如图11所示，在基板2上形成电路部11，在该电路部11上形成显示像素部203。另外在基板2上形成密封部件13，并且在显示像素部203上形成密封基板14。
在电路部11的中央部分上设有像素电极区域11a。在像素电极区域11a内具有电流薄膜晶体管123(开关元件)和与该电流薄膜晶体管123连接的像素电极111。
另外，在像素电极区域11a的周围形成有虚设像素电极111′。
然后，如图11所示，在像素电极区域11a的在图中的两侧设有所述扫描线驱动电路105。
扫描线驱动电路105具有构成包含在位移寄存器中的倒相器的N沟道型或P沟道型的薄膜晶体管105c。
另外，在扫描线驱动电路105、105的图中外侧的基础保护层281上形成扫描线电路信号布线105a，在第2层间绝缘层283上形成扫描线电路电源布线105b。
然后，在实质显示区域204和虚设区域205的全体面上形成阴极222(第2电极)，并且把其端部延伸到虚设电极区域205外侧的基板2上，该阴极222的端部与形成在电路部11中的阴极用布线222a(第2电极用布线)相连接。
阴极222作为像素电极111的对向电极起着向功能层110供给电流的作用。该阴极222例如由第1阴极层222b和第2阴极层222c的叠层构成。在阴极222中，只有第2阴极层222c被延伸到显示像素部3的外侧。
第1、第2阴极层222b、222c的构成材料及膜厚与上述的第1、第2阴极层12b、12c相同。
然后，在扫描线电路电源布线105b的外侧设置发光用电源布线213。该发光用电源布线213如上所述地被配置在虚设区域205的下侧。
在虚设区域205中具有通过虚设无机物隔栅层212a而形成在虚设像素电极111′上的虚设功能层210和形成在虚设功能层210...之间的虚设隔栅层212。并且所形成的虚设功能层210的厚度要比虚设隔栅层212的厚度薄。而且，各个发光用电源布线103被配置在中间夹隔虚设功能层210的与阴极222对向的位置上。即，各个发光用电源布线103被配置在虚设隔栅层212之间的对应位置上。
另外，在虚设隔栅层212之间，除了像素电极111及虚设功能层210，还配置有阴极222的一部分，这样使阴极222与各个发光用电源布线103通过在两者之间的第1层间绝缘层284、像素电极111虚设无机物隔栅层212a及虚设功能层210形成对向配置。
由于虚设功能层210比虚设隔栅层212薄，所以在虚设功能层210上的阴极222比在虚设隔栅层212上的阴极222更接近于发光用电源布线213侧。
这样，通过使阴极222与各个发光用电源布线103形成中间夹隔虚设功能层210的对向配置，而形成第1静电电容C1。
另外，当各个发光用电源布线103被配置在与虚设隔栅层212对向的位置上后，使得阴极222与各个发光用电源布线103形成中间夹隔虚设隔栅层的对向配置，并且增大了阴极222与各个发光用电源布线103之间的间隔，由于这样不能形成静电电容，因此不是所希望的状态。
另外，发光用电源布线213采用由2组布线构成的双重布线结构。
即，例如在图11左侧的红色用发光用电源布线213R是由形成在基础保护层281上的第1布线213R1和形成在第2层间绝缘层283上的第2布线213R2构成。第1布线213R1及第2布线213R2如图10所示的那样与贯通第2层间绝缘层283的连接孔213R3相连接。
这样，第1布线203R1与阴极用布线222a形成在同一阶层位置上，在第1布线203R1与阴极用布线222a之间配置有第2层间绝缘层283。通过构成这样的结构，而在第1布线203R1与阴极用布线222a之间形成第2静电电容C2。
同样，在图11右侧的蓝色及绿色用发光用电源布线213G、213B也是采用双重布线结构，分别由形成在基础保护层281上的第1布线213G1、213B1和形成在第2层间绝缘层283上的第2布线213G2、213B2构成，第1布线213G1、213B1及第2布线213G2、213B2如图2及图3所示的那样，与贯通第2层间绝缘层283的连接孔213G3、213B3相连接。
而且，在蓝色的第1布线203B1与阴极用布线222a之间形成第2静电电容C2。
第2布线203R2...与阴极222的间隔例如在0.6～1.0μm的范围内较理想。当间隔小于0.6μm时，由于在具有如像素电极与源极金属那样的不同电位的像素电极与源极金属之间增大了寄生电容，所以将会造成使用源极金属的数据信号(图像信号)的线路延迟。其后果是，由于不能在规定的期间内进行数据信号(图像信号)的写入，会造成对比度的下降。夹在第2布线203R2...与阴极222之间的第1层间绝缘层284的材质例如最好使用SiO2或丙烯树脂等，但形成厚度应小于1.0μm，当SiO2的厚度超过1.0μm时，受SiO2的应力作用将会造成基板的破裂。另外，在使用丙烯树脂的情况下，虽然可形成2.0μm左右的厚度，但由于具有遇水膨胀的性质，有可能使形成在其上面的像素电极破裂。
另外，第1布线103R1...与阴极用布线12A的间隔，最好在例如4～200μm的范围内。当小于4μm时，由于受目前的暴光机的精度所限，有可能造成相邻布线之间的短路。关于被夹在第1布线103R2...与阴极用布线12a之间的第2层间绝缘层283的材质，最好是例如SiO2或丙烯树脂等。
这样，根据本实施例的显示装置101，除了可得到与实施例1的显示装置1相同的效果，还棵获得以下的效果。
即，根据本实施例的显示装置101，由于设有包围实质显示区域204的虚设区域205，并且把发光用电源布线213配置成把虚设功能层210夹在中间的与阴极222相对向的状态，因此，使得发光用电源布线213位于该虚设区域205的下侧，不需要在发光元件部210的外侧另外设置发光用电源布线213的配置空间，从而可相对地扩大实质显示区域204的占用面积。(实施例3)下面，对具备所述实施例1或实施例2的显示装置的电子机器的具体例进行说明。
图12(a)是表示移动电话的一例的立体图。在图12(a)中，符号600表示移动电话主机，符号601表示使用了所述显示装置1、101的任意一种的显示部。
图12(B)是表示文字处理机、个人计算机等的移动型信息处理装置的一例的立体图。在图12(b)中，符号700表示信息处理装置，符号701表示键盘等的输入部，符号703表示信息处理装置主机，符号702表示使用了所述显示装置1、101的任意一种的显示部。
图12(c)是表示手表型电子机器的一例的立体图。在图12(c)中，符号800表示手表主体，符号801表示使用了所述显示装置1、101的任意一种的显示部。
在图12(a)～(c)中分别表示的电子机器都具有使用了所述实施例1或实施例2的显示装置1、101的任意一种的显示部，由于具有上述实施例1或实施例2的显示装置的特征，所以无论是使用上述任意一种显示装置的电子机器，都能够稳定地进行图像显示，并可确保优良的显示品质。
如上面详细说明的那样，根据本发明的显示装置，由于在发光用电源布线与第2电极之间设有第1静电电容，所以即使在流经发光用电源布线的驱动电流的电位发生变动时，蓄积在第1静电电容中的电荷被供给到发光用电源布线上，因此，可通过蓄积电荷补充驱动电流的电位不足，从而可抑制电位的变动，确保显示装置进行正常的图像显示。
并且，根据本发明的显示装置，由于所述发光用电源布线由第1布线及第2布线构成，并且在第1布线与第2电极用布线之间设置第2静电电容，所以即使在流经发光用电源布线的驱动电流的电位发生变动时，蓄积在第2静电电容中的电荷被供给到发光用电源布线上，从而可抑制电位的变动，确保显示装置进行正常的图像显示。
权利要求
1.一种显示装置，具有通过在基板上呈矩阵状地配置有与开关元件连接的第1电极而形成的第1电极区域和配置在所述第1电极区域周围的与所述第1电极连接的发光用电源布线，其特征在于在所述第1电极上形成功能层及第2电极，在所述发光用电源布线与所述第2电极之间设有第1静电电容。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于在所述第1电极区域的外侧，通过把所述发光用电源布线与所述第2电极相互对置，而形成所述第1静电电容。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于在所述发光用电源布线与所述第2电极之间配置第1层间绝缘层。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于具有由所述第1电极区域形成的实质显示区域和配置在该实质显示区域周围但对显示不起作用的虚设区域，所述第2电极的形成至少覆盖住所述实质显示区域和所述虚设区域，通过把所述发光用电源布线配置成在与所述第2电极的两者之间至少夹隔所述虚设区域的对置状态，而形成所述第1静电电容。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于所述虚设区域内的功能层的膜厚比所述虚设区域内的组合层的膜厚薄。
6.根据权利要求4或5所述的显示装置，其特征在于在所述发光用电源布线与所述虚设区域内的功能层之间配置所述第1层间绝缘层。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的显示装置，其特征在于所述发光用电源布线由把第2层间绝缘层夹在中间的相互对置的第1布线及第2布线构成，并且所述第1布线形成在与所述第2电极用的布线相同的阶层位置上，在所述第1布线与所述第2电极用布线之间形成第2静电电容。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的显示装置，其特征在于所述功能层由空穴注入/输送层和邻接该空穴注入/输送层而形成的由有机电致发光材料形成的发光层构成。
9.一种显示装置，具有在基板上配置有与开关元件连接的第1电极的第1电极区域和配置在所述第1电极区域周围的与所述第1电极连接的发光用电源布线，其特征在于在各所述第1电极上形成功能层及第2电极，在所述发光用电源布线之上形成第1层间绝缘层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于在由所述第1电极形成的显示像素部的外侧，通过把所述发光用电源布线与所述第2电极配置成在两者中间夹隔所述第1层间绝缘层的对置，而形成所述第1静电电容。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于具有由所述第1电极区域形成的实质显示区域和配置在该实质显示区域周围但对显示不起作用的虚设区域，所述第2电极的形成至少覆盖住所述实质显示区域和所述虚设区域，把所述发光用电源布线配置成在与所述第2电极之间至少夹隔所述虚设区域的对置状态，在所述虚设区域内形成所述第1层间绝缘层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于所述虚设区域内的功能层的膜厚比所述虚设区域内的组合层的膜厚薄。
13.根据权利要求9至12中的任意一项所述的显示装置，其特征在于所述发光用电源布线由把第2层间绝缘层夹在中间的相互对置的第1布线及第2布线构成，并且所述第1布线形成在与所述第2电极用的布线相同的阶层位置上，在所述第1布线与所述第2电极用布线之间形成第2静电电容。
14.根据权利要求9至13中的任意一项所述的显示装置，其特征在于所述功能层由空穴注入/输送层和与该空穴注入/输送层邻接而形成的由有机电致发光材料形成的发光层构成。
15.一种电子机器，其特征在于具有权利要求1至14中任意一项所述的显示装置。
全文摘要
本发明提供一种显示装置，具有通过在基板上呈矩阵状地配置与开关元件(123)连接的第1电极(111)而形成的第1电极区域，和配置在所述第1电极区域周围并与所述第1电极(111)连接的发光用电源布线(103)，其特征在于在所述第1电极(111)上形成功能层(110)及第2电极(12)，在所述发光用电源布线(103)与所述第2电极(12)之间设有第1静电电容(C1)。采用该显示装置的电子机器可进行稳定的图像显示，并可提高图象显示品质。
文档编号G09G3/00GK1427386SQ02156020
公开日2003年7月2日 申请日期2002年12月11日 优先权日2001年12月17日
发明者中西早人 申请人:精工爱普生株式会社
技术领域：
本发明涉及具有有机电致发光材料的显示装置及配置该显示装置的电子机器。
背景技术：
近年来，已开发出一种具有在像素电极(阳极)及阴极之间设有由有机荧光材料等的发光材料构成的发光层的结构的彩色显示装置，特别是已开发出一种使用有机电致发光(有机EL)材料作为发光材料的有机EL显示装置。
下面，首先参照附图对以往的显示装置(有机EL显示装置)进行说明。
图13表示以往显示装置的布线结构。在以往的显示装置的构成中，分别配置有多条扫描线901、在与扫描线901交叉的方向上延伸的多条信号线902、与信号线902并列延伸的多条发光用电源布线903，并且在扫描线901及信号线902的各个交点上设有像素区域A。
各个信号线902...与具有位移寄存器、电平移位器、视频线及模拟开关的数据侧驱动电路904相连接。而且各个扫描线901与具有位移寄存器及电平移位器的扫描侧驱动电路905、905相连接。
并且，在各个像素区域A上设有通过扫描线901向门电极供给扫描信号的开关型薄膜晶体管912、通过该开关型薄膜晶体管912来保持信号线上的共有像素信号的保持电容cap、把由该保持电容cap保持的像素信号供给到门电极的电流薄膜晶体管923、在通过该电流薄膜晶体管923与发光用电源布线903形成电连接时，从发光用电源布线903导入驱动电流的像素电极911及配置在该像素电极911与阴极913之间的发光元件910。阴极913与阴极用电源电路931相连接。
另外，在发光元件910内包含发红色光的发光元件910R、发绿色光的发光元件910G、发蓝色光的发光元件B的3种发光元件，并把各个发光元件910R、910G、910B直列配置。
而且，通过电流薄膜晶体管923分别与各个发光元件910R、910G、910B连接的发光用电源布线903R、903G、903B分别与发光用电源电路932连接。由于发光元件910的驱动电位相对于每种色而不同，所以发光用电源布线对每个色进行单独布线。
根据所述的构成，当驱动扫描线901使开关型薄膜晶体管912为导通时，此时的信号线902的电位被保持电容cap保持，电流薄膜晶体管923对应该保持电容cap的状态而决定其导通或截止的状态。而且，电流从发光用电源布线903R、903G、903B通过电流薄膜晶体管923的通道流向像素电极，并且驱动电流通过发光元件910流向阴极913。发光元件910对应流过电流的电流量而发光。
然而，为了使发光元件稳定地发光，要求是从发光用电源布线903施加在像素电极911上的驱动电流的电位变动尽可能地小。
但是，在以往的显示装置中，由于为了使发光元件910发光而要求具有较大的驱动电流，所以显示装置在不同的动作状态下，驱动电流的电位变动有时会增大，使发光元件910的发光动作不正常，有时会导致不能进行正常显示的情况。
发明内容
本发明就是为了解决上述的问题，通过使从发光用电源布线施加在像素电极上的驱动电流的电位稳定，使显示装置能够进行正常的显示。其目的在于提供这样的显示装置及具有该显示装置的电子机器。
为了达到上述的目的，本发明采用了以下的构造。
本发明之1的显示装置具有通过在基板上呈矩阵状地配置有与开关元件连接的第1电极而形成的第1电极区域和配置在所述第1电极区域周围的与所述第1电极连接的发光用电源布线，其特征在于在所述第1电极上形成功能层及第2电极，在所述发光用电源布线与所述第2电极之间设有第1静电电容。
根据该显示装置，由于在发光用电源布线与第2电极之间设有第1静电电容，所以，即使在流过发光用电源布线的驱动电流的电位发生变动，也可通过向发光用电源布线供给被蓄积在第1静电电容中的电荷，因此，通过蓄积的电荷拟补了驱动电流的电位不足的部分，抑制了电位的变动，从而能够保证显示装置的正常的图像显示。
另外，本发明之2的显示装置是基于所述本发明之1的显示装置，其特征在于在所述第1电极区域的外侧，通过把所述发光用电源布线与所述第2电极相互对置，而形成所述第1静电电容。
根据本发明之2的显示装置，由于发光用电源布线在第1电极区域的外侧与第2电极对置，所以可通过减小发光用电源布线与第2电极之间的间隔增大蓄积在第1静电电容中的蓄积电荷量，从而可减小驱动电流的电位变动，实现稳定的图像显示。
另外，本发明之3的显示装置是在本发明的显示装置中，在所述发光用电源布线与所述第2电极之间配置第1层间绝缘层。
另外，本发明之4的显示装置是基于本发明上述的显示装置，其特征在于具有由所述第1电极区域形成的实质显示区域和配置在该实质显示区域周围但对显示不起作用的虚设区域，所述第2电极的形成至少覆盖住所述实质显示区域和所述虚设区域，通过把所述发光用电源布线配置成在与所述第2电极的两者之间至少夹隔所述虚设区域的对置状态，而形成所述第1静电电容。
根据本发明之4的显示装置，由于设有包围实质显示区域的虚设区域，并且把发光用电源布线设置成与第2电极相对置，且把虚设区域夹在两者之间，使得发光用电源布线位于该虚设区域内，从而不需要在发光元件部的外侧另外设置用于设置发光用电源布线的空间，由此可相对地扩大实质显示区域的占用面积。
另外，本发明之5的显示装置是在本发明的显示装置中，所述虚设区域内的功能层的膜厚比所述虚设区域内的组合层的膜厚薄。
这样，由于构成了使在虚设区域的功能层上的第2电极比在虚设区域的隔栅层上的第2电极更接近发光用电源布线的结构，所以可增大蓄积在静电电容内的蓄积电荷量，可减小驱动电流的电位变动，实现稳定的图像显示。
另外，本发明之6的显示装置是在本发明的显示装置中，在所述发光用电源布线与所述虚设区域内的功能层之间配置所述第1层间绝缘层。
另外，本发明之7的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于所述发光用电源布线由把第2层间绝缘层夹在中间的相互对置的第1布线及第2布线构成，并且所述第1布线形成在与所述第2电极用的布线相同的阶层位置上，在所述第1布线与所述第2电极用布线之间形成第2静电电容。
根据本发明之7的显示装置，由于在第1布线与第2电极用布线之间设有第2静电电容，所以在流过发光用电源布线的驱动电流的电位发生变动的情况下，通过把蓄积在第2静电电容内的电荷供给到发光用电源布线，可抑制电位的变动，从而可进一步确保显示装置进行正常的图像显示。
另外，本发明之8的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于所述功能层由空穴注入/输送层和邻接该空穴注入/输送层而形成的由有机电致发光材料形成的发光层构成。
根据上述的显示装置，使功能层由空穴注入/输送层和发光层构成，通过对该功能层施加电位变动小的驱动电流，可进行高辉度且色彩正确的显示。
另外，本发明之9的显示装置，具有在基板上配置有与开关元件连接的第1电极的第1电极区域和配置在所述第1电极区域周围的与所述第1电极连接的发光用电源布线，其特征在于在各所述第1电极上形成功能层及第2电极，在所述发光用电源布线之上形成第1层间绝缘层。
另外，本发明之10的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于在由所述第1电极形成的显示像素部的外侧，通过把所述发光用电源布线与所述第2电极配置成在两者中间夹隔所述第1层间绝缘层的对置，而形成所述第1静电电容。
另外，本发明之11的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于具有由所述第1电极区域形成的实质显示区域和配置在该实质显示区域周围但对显示不起作用的虚设区域，所述第2电极的形成至少覆盖住所述实质显示区域和所述虚设区域，把所述发光用电源布线配置成在与所述第2电极之间至少夹隔所述虚设区域的对置状态，在所述虚设区域内形成所述第1层间绝缘层。
另外，本发明之12的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于所述虚设区域内的功能层的膜厚比所述虚设区域内的组合层的膜厚薄。
另外，本发明之13的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于所述发光用电源布线由把第2层间绝缘层夹在中间的相互对置的第1布线及第2布线构成，并且所述第1布线形成在与所述第2电极用的布线相同的阶层位置上，在所述第1布线与所述第2电极用布线之间形成第2静电电容。
另外，本发明之14的显示装置是基于上述的显示装置，其特征在于所述功能层由空穴注入/输送层和与该空穴注入/输送层邻接而形成的由有机电致发光材料形成的发光层构成。
另外，本发明的电子机器的特征是，具有上述本发明的任意一种显示装置。根据本发明的电子机器，可进行稳定的图像显示。
图1是表示本发明实施例1的显示装置的布线结构的平面示意图。
图2是表示本发明实施例1的显示装置的平面示意图。
图3是图2的沿A-A′线的剖面图。
图4是图2的沿B-B′线的剖面图。
图5是表示本发明实施例1的显示装置的主要部分的剖面图。
图6是说明本发明实施例1的显示装置的制造方法的工序流程图。
图7是说明本发明实施例1的显示装置的制造方法的工序流程图。
图8是说明本发明实施例1的显示装置的制造方法的工序流程图。
图9是说明本发明实施例1的显示装置的制造方法的工序流程图。
图10表示本发明实施例2的显示装置的平面示意图。
图11是图10的沿A-A′线的剖面图。
图12是表示作为本发明实施例3的电子机器的立体图。
图13是表示以往的显示装置的布线结构的平面示意图。
图中1-显示装置，2-基板，3-显示像素部，4、204-实质显示区域，5、205-虚设区域，11-电路部，11a-像素电极区域(第1电极区域)，12、222-阴极(第2电极)，12a、222a-阴极用布线(第2电极用布线)，103-发光用电源布线，103R1、103G1、103B1-第1布线，103R2、103G2、103B2-第2布线，110-功能层，110a-空穴注入/输送层，110b-发光层，111-像素电极(第1电极)，112-隔栅层，123-电流薄膜晶体管(开关元件)，210-虚设功能层(位于虚设区域内的功能层)，212-虚设隔栅层(在虚设区域中的隔栅层)，283-第2层间绝缘层(绝缘层)，284-第1层间绝缘层(绝缘层)，600-移动电话主机(电子机器)，700-信息处理装置(电子机器)，800-手表(电子机器)，C1-第1静电电容，C2-第2静电电容。
具体实施例方式
(实施例1)下面，结合附图，对本发明的实施例1进行说明。本实施例仅用于说明本发明的一例实施方式，本发明不限于此实施例，在本发明的技术构思的范围内可以进行任意的变更。另外，在下面所示的各个附图中，由于对各层和各个部件采取了便于在图中进行观察的大小尺寸，所以对于各层和各个部件的图示比例不尽相同。
图1是表示本实施例的显示装置的布线结构的平面示意图。
图1所示的显示装置1是使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor)作为开关元件的有源阵列方式的有机EL显示装置。
在图1所示的本实施例的显示装置1的构成中，分别配置有多条扫描线101...、在与扫描线101...交叉的方向上延伸的多条信号线102...、与信号线102...并列延伸的多条发光用电源布线103...，并且在扫描线101...及信号线102...的各个交点上设有像素区域A...。
各个信号线102...与具有位移寄存器、电平移位器、视频线及模拟开关的数据侧驱动电路104相连接。而且各个信号线102...与具有薄膜晶体管的检查电路106连接。并且各个扫描线101...与具有位移寄存器及电平移位器的扫描侧驱动电路105、105相连接。
并且，在各个像素区域A上设有通过扫描线101向门电极供给扫描信号的开关型薄膜晶体管112、通过该开关型薄膜晶体管112来保持从信号线102供给的图像信号的保持电容cap、把由该保持电容cap保持的图像信号供给到门电极的电流薄膜晶体管123(开关元件)、在通过该电流薄膜晶体管123与发光用电源布线103形成电连接时，从发光用电源布线103导入驱动电流的像素电极111及配置在该像素电极111与阴极(第2电极)12之间的发光元件110。并且，阴极112与阴极用电源电路131相连接。
另外，在功能层110内包含有空穴注入/输送层和与该空穴注入/输送层邻接形成的由有机电致发光材料构成的发光层，并且在发光层内包含发红色光的发光元件110R、发绿色光的发光元件110G、发蓝色光的发光元件110B的3种发光元件，并把各个发光元件110R、110G、110B直列配置。
而且，通过电流薄膜晶体管123分别与各个发光元件110R、110G、110B连接的发光用电源布线103R、103G、103B分别与发光用电源电路132连接。由于发光元件110R的驱动电位相对于每种色而不同，所以对每个色分别配置发光用电源布线103R...。
另外，在阴极12与发光用电源布线103R、103G、103B之间形成有第1静电电容。当驱动显示装置1时，在第1静电电容C1...内形成电荷的蓄积。在显示装置1的驱动过程中，当流过各个发光用电源布线103的驱动电流发生变动时，通过所蓄积的电荷向各个发光用电源布线103的放电，以抑制驱动电流的电位变动。从而可确保显示装置1进行正常的图像显示。
另外，在该显示装置1中，当驱动扫描线101使开关薄膜晶体管112形成导通时，此时的信号线102的电位由保持电容cap保持，对应于该保持电容cap的状态，而决定电流薄膜晶体管123(开关元件)的导通.截止状态。而且，通过电流薄膜晶体管123的通道，驱动电流从发光用电源布线103R、103G、103B流入像素电极111，电流进一步通过发光层110R、110G、110B流入阴极(第2电极)12。各个功能层110对应该电流的电流量进行发光。
下面，结合图2～图4对本实施例的显示装置1的具体构造进行说明。图2是表示本发明实施例1的显示装置的平面示意图，图3是图2的沿A-A′线的剖面图，图4是图2的沿B-B′线的剖面图。
如图2所示，在本实施例的显示装置1的构成中包括由玻璃等构成的透明基板2，在基板上把与未图示的电流薄膜晶体管(开关元件)连接的像素电极(第1电极)配置成矩阵状的未图示的像素电极区域(第1电极区域)、配置在像素电极区域的周围并与各个像素电极连接的发光用电源布线103(130R、103G、103B)和至少位于像素电极区域上的在俯视面上呈大致矩形的显示像素部3(图中的单点划线的框内)。另外，显示像素部3分为中央部分的实质显示区域4(图中的双点划线的框内)和位于实质显示区域4周围的虚设区域5(单点划线与双点划线之间的区域)。
另外，在实质显示区域4的图中的两侧，配置有所述的扫描线驱动电路105、105。该扫描线驱动电路105、105被设置在虚设区域5的下侧(基板2侧)。并且在虚设区域5的下侧进一步设置与扫描线驱动电路105、105连接的扫描线驱动电路用控制信号布线105a和扫描线驱动电路用电源布线105b。
并且在实质显示区域4的图中的上侧配置有所述的检查电路106。该检查电路106被配置在虚设区域5的下侧(基板2侧)，通过该检查电路可对制造过程中或输出成品时的显示装置进行质量及有无缺欠的检查。
如图2所示，发光用电源布线103R、103G、103B被配置在虚设像素区域5的周围。各个发光用电源布线103R、103G、103B从基板2的在图2中的下侧沿着扫描线驱动电路用控制信号布线105向图2中的上方延伸，在扫描线驱动电路用电源布线105b的尽端位置弯折沿着虚设像素区域5的外侧延伸，并与位于实质显示区域4内的未图示的像素电极连接。
另外，在基板2上，形成与阴极12连接的阴极布线12a。该阴极布线12a包围住发光用电源布线103R、103G、103B，在俯视面上呈コ字状。
另外，在基板2的一端，粘贴有聚酰亚胺胶带130，在该聚酰亚胺胶带130上安装控制用IC133。在该控制用IC133中内置有如图1所示的数据侧驱动电路104、阴极用电源电路131及发光用电源电路132。
之后，如图3及图4所示，在基板2上形成电路部11，在该电路部11上形成显示像素部3。另外，在基板2上配置环状地包围住显示像素部3的密封材料，并且在显示像素部3上具有密封基板14。密封基板14由玻璃、金属或树脂等构成，并通过密封材料13粘接在基板2上。另外，在密封基板14的里侧粘附有吸附剂15，用于吸收混入到显示像素部3与密封基板14之间的空间内的水或氧气。另外，也可以使用吸气剂取代吸附剂15。另外，密封材料13例如可以是由热固化树脂或紫外线固化树脂构成，尤其是由作为一种热固化树脂的环氧树脂构成最为理想。
在电路部11的中央部分设有像素电极区域11a。在该像素电极区域11a内设有电流薄膜晶体管123和与该电流薄膜晶体管123(开关元件)连接的像素电极111。电流薄膜晶体管123被埋设在基板2上的所叠层的基础保护层281、第2层间绝缘层283及第1层间绝缘层284内，另外，像素电极111形成在第1层间绝缘层284上。
另外，在电路部11内，还形成有所述保持电容cap及开关薄膜晶体管142，但在图3及图4中省略了图示。
在图3中，在像素电极区域11a的图中两侧设有所述扫描线驱动电路105。另外，在图4中，在像素电极区域11a的图中的左侧设有所述检查电路106。
在扫描线驱动电路105中，具有构成在位移寄存器中所包含的转换器的N沟道型或P沟道型薄膜晶体管105c，该薄膜晶体管105c除了不与像素电极111连接之外，与电流薄膜晶体管123的结构相同。
另外，在检查电路106中，也同样具有薄膜晶体管106a，该薄膜晶体管106a，除了不与像素电极111连接之外，也与电流薄膜晶体管123的结构相同。
另外，如图3所示，在扫描线驱动电路105、105的图中外侧的基础保护层281上形成有扫描线电路用控制信号布线105a。并且在扫描线电路用控制信号布线105a外侧的第2层间绝缘层283上形成扫描线电路用电源布线105b。
另外，如图4所示，在检查电路106的图中左侧的基础保护层281上形成检查电路用控制信号布线106b。并且检查电路用控制信号布线106b左侧的第2层间绝缘层283上形成检查电路用电源布线106c。
另外，如图3所示，在扫描线电路用电源布线105b的外侧，形成发光用电源布线103。该发光用电源布线103采用由2根布线构成的双重布线构造，并如上所述地配置在显示像素部3的外侧。通过采用双重布线结构可减少布线阻抗。
例如，在图3中左侧的红色用的发光用电源布线103R由形成在基础保护层281上的第1布线103R1和通过第2层间绝缘层283形成在第1布线103R1上的第2布线103R2构成。第1布线103R1及第2布线103R2，如图2所示的那样通过贯通第2层间绝缘层283的连接孔103R3形成连接。
这样，第1布线103R1与阴极用布线12a形成在同一阶层位置，在第1布线103R1与阴极用布线12a之间配置第2层间绝缘层283。通过构成这样的构造，在第1布线103R1与阴极用布线12a之间形成第2静电电容C2。
同样，对于图3右侧的蓝色及绿色用的发光用电源布线103G、103B也采用双重布线结构，分别由形成在基础保护层281上的第1布线103G1、103B1、形成在第2层间绝缘层283上的第2布线103G2、103B2构成，第1布线103G1、103B1及第2布线103G2、103B2，如图2及图3所示的那样，通过贯通第2层间绝缘层283的连接孔103G3、103B3形成连接。而且，在蓝色的第1布线103B1及阴极用布线12a之间形成静电电容C2。
第1布线103R1...及第2布线103R2...的间隔例如在0.6～1.0μm的范围内较理想。当间隔小于0.6μm时，由于在如数据线和扫描线那样的具有不同电位的源极金属与栅极金属之间增大了寄生电容，例如由于在像素内存在有大量的源极金属和栅极金属的交叉部，所以将会造成数据信号(图像信号)的线路延迟。其后果是由于不能在规定的期间内进行数据信号(图像信号)的写入，会造成对比度的下降。夹在第1布线103R1...及第2布线103R2...之间的第2层间绝缘层283的材质例如最好使用SiO2等，但形成厚度应小于1.0μm，当厚度超过1.0μm时，受SiO2的应力作用将会造成基板的破裂。
另外，在各个发光用电源布线103R...的上侧形成有从显示像素部3延伸出的阴极12。这样，使各个发光用电源布线103R...的第2布线103R2...与阴极112形成中间夹隔第1层间绝缘层284的对置，由此在第2布线103R2...与阴极112之间形成所述的第1静电电容C1。
第2布线103R2...与阴极12的间隔例如最好在0.6～1.0μm的范围内。当间隔小于0.6μm时，由于在如数据线和扫描线那样的具有不同电位的源极金属与栅极金属之间增大了寄生电容，所以将会造成使用源极金属的数据线的延迟。其后果是由于不能在规定的期间内进行数据信号(图像信号)的写入，会造成对比度的下降。夹在第1布线103R2...及阴极12之间的第1层间绝缘层284的材质，例如最好使用SiO2或丙烯树脂等，但形成厚度应小于1.0μm，当厚度超过1.0μm时，受SiO2的应力作用将会造成基板的破裂。另外，在使用丙烯树脂的情况下，虽然可形成2.0μm左右的厚度，但由于具有遇水膨胀的性质，有可能使形成在其上面的像素电极破裂。
另外，第1布线103R1...与阴极用布线12a的间隔，例如最好在4～200μm的范围内。当间隔小于4μm时，由于受目前暴光机精度的限制，有可能造成相邻布线之间的短路。夹在第1布线103R2...及阴极用布线12a之间的第2层间绝缘层283的材质，例如最好使用SiO2或丙烯树脂等这样，根据本实施例的显示装置1，由于在发光用电源布线103与阴极12之间形成了第1静电电容C1，在流过发光用电源布线103内的驱动电流的电位发生变动时，蓄积在第1静电电容C1内的电荷可被供给到发光用电源布线103上，可由该电荷补充驱动电流的电位不足，从而抑制了电位的变动，可确保显示装置1进行正常的图像显示。
特别是由于发光用电源布线103与阴极12在显示像素部3的外侧形成对置，减小了发光用电源布线103与阴极112之间的间隔，同时可增加蓄积在第1静电电容C1内的电荷量，从而可进一步抑制驱动电流的电位变动、进行更稳定的图像显示。
并且，根据本实施例的显示装置1，由于发光用电源布线103具有由第1布线及第2布线构成的双重构造，并且在第1布线与阴极用布线之间形成第2静电电容C2，蓄积在第2静电电容C2内的电荷也被供给到发光用电源布线103，所以，可抑制电位的变动、确保显示装置1进行正常的图像显示。
下面，对包含电流薄膜晶体管123的电路部11的结构进行详细地说明。图5是表示像素电极区域11a的主要部分的剖面图。
如图5所示，在基板2的表面上，叠层以SiO2为主体的基础保护层281，在该基础保护层281上形成岛状硅层241。另外，硅层241及基础保护层281被以SiO2和/或SiN为主体的栅极绝缘层282所覆盖。而且在硅层241上，通过栅极绝缘层282形成栅极电极242。另外，该栅极电极242为扫描线的一部分。
另外，栅极电极242及栅极绝缘层282被以SiO2为主体的第2层间绝缘层283所覆盖。另外，在本说明书中，所谓“主体”成分是指含有率最高的成分。
然后，在硅层241中，把通过栅极绝缘层282与栅极电极242对置的区域作为通道区域241a。另外，在硅层241中，在通道区域241a的图中左侧设置低浓度源极区域241b及高浓度源极区域241S，而在通道区域241a的图中右侧设置低浓度漏极区域241c及高浓度漏极区域241D，从而形成所谓的LDD(Light Doped Drain)构造。电流薄膜晶体管123，以该硅层241为主体构成。
高浓度源极区域241S通过贯通栅极绝缘层282和第2层间绝缘层283形成开孔的连接孔245，与形成在第2层间绝缘层283上的源极电极243连接。该源极电极243构成上述的数据线的一部分。另一方面，高浓度漏极区域D通过贯通栅极绝缘层282和第2层间绝缘层283形成开孔的连接孔246，连接到与源极电极243位于同一层的漏极电极244。
在形成有源极电极243及漏极电极244的第2层间绝缘层283上形成打击1层间绝缘层284。而且，在该第1层间绝缘层284上形成由ITO等构成的透明像素电极111，并且通过设置在第1层间绝缘层284上的连接孔111a，使其与漏极电极244连接。即，像素电极111通过漏极电极244与硅层241的高浓度漏极电极241D连接。
另外，如图3所示，像素电极111形成在对应实质显示区域4的位置上，而在实质显示区域4周围的虚设区域5上设有与像素电极111的状态相同的虚设像素电极111′。
该虚设像素电极111′除了不与高浓度漏极电极241D连接之外，与像素电极111为同一形态。
然后，在显示像素部3的实质像素区域4上形成功能层110及隔栅112。
功能层110如图3～图5所示，叠层在各个像素电极111...上。而隔栅112形成在各个像素电极111及各个功能层110之间，对各个功能层110区域划分。
隔栅112由位于基板2侧的无机物隔栅层112a和位于与基板2分离位置的有机物隔栅层112b的叠层构成。另外，也可以在无机物隔栅层112a与有机物隔栅层112b之间配置遮光层。
无机物、有机物隔栅层112a、112b形成在像素电极111上，并跨在像素电极111的周边部上，而且无机物隔栅层112a形成在比有机物隔栅层112b更接近像素电极111的中央侧。
另外，无机物隔栅层112a最好由例如SiO2、TiO2、SiN等的无机材料构成。另外，无机物隔栅层112a的膜厚最好在50～200nm的范围内，最好为150nm。在膜厚小于50nm时，形成的无机物隔栅层112a比后述的空穴注入/输送层还要薄，由于不能确保空穴注入/输送层的平坦性，所以不理想。另外，当膜厚大于200nm时，无机物隔栅层112a的阶差增大，不能确保叠层在空穴注入/输送层上的后述的发光层的平坦性，所以不理想。
并且，有机物隔栅层112b由丙烯树脂、聚酰亚胺树脂等的通常的抗蚀膜形成。该有机物隔栅层112b的膜厚最好在0.1～3.5μm的范围内，最好为2μm。当膜厚小于0.1μm时，使形成的有机物隔栅层112b比后述的空穴注入/输送层及发光层的合计厚度要薄，可能导致发光层从上部开口部112d的溢出，因此是不理想的。另外，当厚度超过3.5μm时，上部开口部112d的阶差增大，不能确保在有机物隔栅层112b上的阴极112阶差覆盖层的形成，因此是不理想的。另外，如果使有机物隔栅层112b的厚度大于2μm，从提高阴极112与像素电极111的绝缘性方面讲是更理想的。
这样，使形成的功能层110比隔栅层112要薄。
另外，在隔栅层112的周边，形成呈亲液性的区域和呈防液性的区域。
呈亲液性的区域为无机物隔栅层112a及像素电极111，在该区域上，通过以氧气作为反应气体的等离子处理导入羟基等的亲液基。另外，呈防液性的区域为有机物隔栅层112b，通过以4氟化甲烷作为反应气体的等离子处理，导入氟等的防液基。
如图5所示，功能层110由叠层在像素电极111上的空穴注入/输送层110a和在空穴注入/输送层110a上邻接形成的发光层110b构成。
空穴注入/输送层110a具有把空穴注入发光层110b内的功能，并且具有在空穴注入/输送层110a内部输送空穴的功能。通过把这样的空穴注入/输送层110a设置在像素电极111与发光层110b之间，可提高发光层110b的发光效率、寿命等的元件特性。另外，在发光层110b中，通过使从空穴注入/输送层110a注入的空穴与阴极12的电子结合而发生荧光。
发光层110b具有发红色(R)光的红色发光层，发绿色(G)光的绿色发光层，及发蓝色(B)光的蓝色发光层这3种发光层，如图1及图2所示，各个发光层呈条纹状配置。
然后，在显示像素部3的虚设区域5内，形成虚设功能层210及虚设隔栅层212。
虚设隔栅层212由位于基板2侧的虚设无机物隔栅层212a和位于与基板2相分离位置上的虚设有机物隔栅层212b的叠层构成。虚设无机物隔栅层212a形成在虚设像素电极111′的全体面上。另外，虚设有机物隔栅层212b与有机物隔栅层112b相同地形成在像素电极111之间。
而且，虚设功能层210通过虚设无机物隔栅层212a而形成在虚设像素电极111′上。
虚设无机物隔栅层212a及虚设有机物隔栅层212b具有与上面说明过的无机物、有机物隔栅层112a、112b相同的材质和相同的膜厚。
另外，虚设功能层210由未图示的虚设空穴注入/输送层和未图示的虚设发光层的叠层构成，虚设空穴注入/输送层及虚设发光层的材质和膜厚与所述的空穴注入/输送层110a及发光层110b相同。
因此，与上述的功能层110同样，形成的虚设功能层210比虚设隔栅层212要薄。
通过把虚设区域5配置在实质显示区域4的周围，可使实质显示区域4的功能层110的厚度平均，从而可抑制显示不均。即，通过配置虚设区域5，能够使在利用喷墨法形成显示元件时的对于喷出的组合物的干燥条件在实质显示区域4内保持一定，从而可避免在实质显示区域4的周缘部上功能层110形成厚度的偏差。
然后，阴极12形成在实质显示区域4和虚设区域5的全体面上，并且延伸到虚设区域5外侧的基板2上，在虚设区域5的外侧，即显示像素部3的外侧，与发光用电源布线103相互对置。
另外，阴极112的端部与在电路部11中所形成的阴极用布线12a相连接。
阴极12作为像素电极111的对向电极，起着向功能层供给电流的作用。该阴极12例如为，通过把由氟化锂和钙的叠层体构成的第1阴极层12b与第2阴极层12c叠层而构成。在阴极12中，只有第2阴极层12c延伸到显示像素部3的外侧。
第2阴极层12c具有把从发光层110b发出的光反射到基板2侧的功能，最好由例如Al、Ag、Mg/Ag叠层体等构成。
并且，也可以在第2阴极层12b上设置由SiO2、SiN等构成的防氧化保护层。
下面，参照附图，对本实施例的显示装置的制造方法进行说明。
首先，参照图6至图8，对在基板2上形成电路部11的方法进行说明。另外，图6至图8所示的各个剖面与图2中的沿A-A′线的剖面相对应。另外，在以下的说明中，杂质浓度表示在活性化退火后的杂质。
首先，如图6(a)所示，在基板2上形成有硅氧化膜等构成的基础保护层281。然后使用ICVD法、等离子CVD法等形成非结晶质的硅层，然后，通过激光退火法或急速加热法使结晶粒成长而形成多晶硅层501。
然后，如图6(b)所示，通过光刻法对多晶硅层501进行图形光刻，形成岛状的硅层241、251及261，进一步形成由硅氧化膜构成的栅极绝缘层282。
硅层241用于构成形成在与实质显示区域4对应的位置上的并与像素电极111连接的电流薄膜晶体管123(以下，有时称作“像素用TFT”)，硅层251、261分别用于构成扫描线驱动电路105内的P沟道型及N沟道型的薄膜晶体管(以下，有时称作“驱动电路用TFT”)。
栅极绝缘层282是通过使用等离子CVD法、热氧化法等形成厚度约30nm～200nm的覆盖各个硅层241、251、261及基础保护层281的硅氧化膜而形成。其中在利用热氧化法形成栅极绝缘层282时，可以同时进行硅层241、251及261的结晶化，使这些硅层成为多晶硅层。在进行沟道掺杂时，例如在此时刻注入约1×1012cm-2剂量的硼离子。其结果是，使硅层241、251及261成为杂质浓度约为1×1017cm-3的低浓度P型硅层。
然后，如图6(c)所示，向硅层241、261的一部分上形成离子注入选择掩膜M1，在这个状态下注入约1×1015cm-2剂量的磷离子。结果是沿着离子注入选择掩膜M1而导入高浓度的杂质，由此在硅层241及261中形成高浓度的源极区域241S及261S和高浓度的漏极区域241D及261D。
下面，如图6(d)所示，在除去离子注入选择掩膜M1之后，在栅极绝缘层282上形成掺杂硅、硅氧化膜、或铝膜、铬膜、钽膜之类的厚度约为500nm的金属膜，然后通过进一步对金属膜实施图形化处理，而形成P沟道型的驱动电路用TFT的栅极电极252、像素用TFT的栅极电极242和N沟道型的驱动电路用TFT的栅极电极262。另外，通过上述的图形化处理，同时形成扫描线驱动电路用信号布线105a、发光用电源布线的第1布线103R1、103G1、103B1及阴极用布线12a的一部分。
并且，把栅极电极242、252及262作为掩膜，向硅层241、251及261注入4×1013cm-2剂量的磷离子。结果，向栅极电极242、252及262导入了低浓度的杂质，如图6(d)所示，在硅层241及261中形成低浓度的源极区域241b及261b和低浓度漏极区域241c及261c。另外，在硅层251中形成低浓度杂质区域251S及251D。
然后，如图7(a)所示，在栅极电极252的除了周边的全体面上形成离子注入选择掩膜M2。使用该离子注入选择掩膜M2向硅层251注入约1.5×1015cm-2剂量的硼离子。结果，栅极电极252也起到了作为掩膜的作用，使得在硅层252中自动校准地掺杂了高浓度的杂质。这样，251S及251D被反掺杂，形成P沟道型的驱动电路用TFT的源极区域及漏极区域。
然后，如图7(b)所示，在除去离子注入选择掩膜M2之后，在基板2的全体面上形成第2层间绝缘层283，然后进一步利用光刻法对第2层间绝缘层283进行图形化处理，在与各个TFT的源极电极及漏极电极及阴极用布线12a相对应的位置上形成连接孔形成用的孔H1。
然后，如图7(c)所示，通过形成覆盖住第2层间绝缘层283的由铝、铬钽等的金属构成的厚度约为200nm至800nm的导电层504，在已经形成的孔H1内填充这些金属而形成连接孔。然后进一步在导电层504上形成图形形成用的掩膜M3。
然后，如图8(a)所示，通过图形形成用掩膜M3在导电层504上进行图形化处理，进而形成各个TFT的源极电极243、253、263、漏极电极244及254、各个发光用电源布线的第2布线103R2、103G2、103B2、扫描线电路用电源布线105b及阴极用布线12a。
如上所述，通过把第1布线103R1及103B1形成在与阴极用布线12a同一的阶层、并相互分离，而形成第2静电电容C2。
然后，如图8(b)所示，使用例如丙烯类等的树脂材料形成覆盖打击2层间绝缘层283的第1层间绝缘层284。该第1层间绝缘层284的形成厚度最好为约1～2μm。
然后，如图8(c)所示，通过蚀刻，除去第1层间绝缘层284中的与像素用TFT的漏极电极244对应的部分，形成连接孔形成用的孔H2。此时，在阴极用布线12a上的第1层间绝缘层284也被同时除去。这样，在基板2上形成电路部11。
下面，参照图9，对通过在电路部11上形成显示像素部3而获得显示装置1的顺序进行说明。图9所示的剖面与图2中的沿A-A′线的剖面相对应。
首先，如图9(a)所示，形成覆盖基板2全体面的由ITO等的透明电极材料构成的薄膜，然后通过对该薄膜实施图形化处理而形成填埋在第1层间绝缘层284上的孔H2的连接孔111a，同时形成像素电极111及虚设像素电极111′。像素电极111只形成在电流薄膜晶体管123的形成部分上，并通过连接孔111a与电流薄膜晶体管123(开关元件)连接。另外，把虚设电极111′配置成岛状。
然后，如图9(b)所示，在第1层间绝缘层284、像素电极111及虚设像素电极111′上形成无机物隔栅层112a及虚设无机物隔栅层212a。无机物隔栅层112a形成在像素电极111的一部分上具有开口的状态，虚设无机物隔栅层212a则完全覆盖住虚设像素电极111。
无机物隔栅层112a及虚设无机物隔栅层212a例如是在通过CVD法、TEOS法、喷镀法、蒸镀法等在第1层间绝缘层284及像素电极111的全体面上形成SiO2、TiO2、SiN等的无机质膜后，通过对该无机质膜进行图形化处理而形成。
并且，如图9(b)所示，在无机物隔栅层112a及虚设无机物隔栅层212a上形成有机物隔栅层112b及虚设有机物隔栅层212b。有机物隔栅层112通过无机物隔栅层112a形成在像素电极111的一部分上具有开口的状态，虚设有机物隔栅层212b形成在虚设无机物隔栅层212a的一部分上具有开口的状态。这样，在第1层间绝缘层284上形成了隔栅层112。
然后，在隔栅层112的表面上形成呈亲水性的区域和呈防水性的区域。在本实施例中，是通过等离子处理工序来形成各个区域。具体是，该等离子处理工序包括使像素电极111、无机物隔栅层112a及虚设无机物隔栅层212a具有亲水性的亲水化工序和使有机物隔栅层112b和虚设有机物隔栅层212b具有防水性的防水化工序。
即，把隔栅层112加热到规定的温度(例如70～80℃左右)，然后，作为亲水化工序，在大气气氛中以氧气为反应气体进行等离子处理(O2等离子处理)。然后，作为防水化工序，在大气气氛中以4氟化甲烷为反应气体，进行等离子处理(CF4等离子处理)，通过把为了进行等离子处理而被接热的隔栅层112冷却至常温，使规定的部位呈亲水性及防水性。
并且，在像素电极111及虚设无机物隔栅层212a上通过喷墨法分别形成功能层110及虚设功能层210。功能层110及虚设功能层210是通过在喷出干燥包含空穴注入/输送层材料的组成物墨水之后，再喷出干燥包含发光层110的组成物墨水而形成。另外，在该功能层110及虚设功能层210的形成工序之后，为了防止空穴注入/输送层及发光层被氧化，最好在氮气气氛、氩气气氛等的惰性气体气氛中进行。
然后，如图9(c)所示，形成覆盖隔栅层112及功能层110以及虚设功能层210的阴极12。阴极12是通过在隔栅层112及功能层110以及虚设功能层210上形成第1阴极层12b之后，再形成覆盖第1阴极层12b的与基板2上的阴极用布线12a连接的第2阴极层12c而形成。
这样，通过把应与阴极用布线12a连接的第2阴极层12c从显示像素部3延伸到基板2上，使第2阴极层12c通过第1层间绝缘层284与发光用电源线103形成对向配置，由此在第2阴极层12c(阴极)与发光用电源线103之间形成第1静电电容C1。
最后，在基板2上涂敷环氧树脂等的密封材料13，通过该密封材料13在基板2上沾接密封基板14。由此获得图1～图4所示的显示装置1。
(实施例2)下面，参照附图对本发明实施例2进行说明。本实施例表示本发明的一种实施方式，但本发明并不限于此实施例，在本发明的技术构思的范围内可以进行任意的变更。另外，在以下的各图中，为了在图中能够清楚地表示出各个层和各个部件，采用的放大尺寸，因此，各个层和各个部件的放大比例互不相同。
图10及图11表示本实施例的显示装置101的具体结构。图10为表示本实施例的显示装置的平面模型图，图11是沿图10中A-A′线的剖面图。另外，在图10及图11所示的主要构成部分中，对于与所述图2及图3所示的构成部分相同的构成部分使用相同的符号，并省略对这些的说明或者只进行简单的说明。
如图10所示，在本实施例的显示装置101的构成中，具有基板2、通过在基板2上矩阵状地配置多个像素电极(第1电极)而形成的像素电极区域(第1电极区域)、配置在像素电极区域周围的发光用电源布线213(213R、213G、213B)及至少位于像素电极区域上的在俯视面上呈大致矩形的显示像素部203(图中的单点划线的框内)。另外，显示像素部203被划分为中央部分的实质显示区域204(图中的双点划线的框内)和配置在实质显示区域204周围的虚设区域205(单点划线与双点划线之间的区域)。
另外，在实质显示区域204的图中两侧的虚设区域205的下侧(基板2侧)，配置有扫描线驱动电路105、105。并且在虚设区域205的下侧设置有与扫描线驱动电路105、105连接的扫描线驱动电路用控制信号布线105a和扫描线驱动电路用电源布线105b。
并且，在实质显示区域204的在图中上侧的虚设区域205的下侧(基板2侧)配置有检查电路106。
另外，也把发光用电源布线213R、213G、213B配置在虚设像素区域205的下侧。各个发光用电源布线213R、213G、213B从基板2的图中下侧沿着扫描线驱动电路用电源布线105b想图中上方延伸，在扫描线驱动电路用电源布线105b的末端位置弯折，与位于实质显示区域204内的未图示的像素电极连接。
这样，在本实施例中，与实施例1不同，虚设区域205是延续形成到发光用电源布线213之上。
而且，如图11所示，在基板2上形成电路部11，在该电路部11上形成显示像素部203。另外在基板2上形成密封部件13，并且在显示像素部203上形成密封基板14。
在电路部11的中央部分上设有像素电极区域11a。在像素电极区域11a内具有电流薄膜晶体管123(开关元件)和与该电流薄膜晶体管123连接的像素电极111。
另外，在像素电极区域11a的周围形成有虚设像素电极111′。
然后，如图11所示，在像素电极区域11a的在图中的两侧设有所述扫描线驱动电路105。
扫描线驱动电路105具有构成包含在位移寄存器中的倒相器的N沟道型或P沟道型的薄膜晶体管105c。
另外，在扫描线驱动电路105、105的图中外侧的基础保护层281上形成扫描线电路信号布线105a，在第2层间绝缘层283上形成扫描线电路电源布线105b。
然后，在实质显示区域204和虚设区域205的全体面上形成阴极222(第2电极)，并且把其端部延伸到虚设电极区域205外侧的基板2上，该阴极222的端部与形成在电路部11中的阴极用布线222a(第2电极用布线)相连接。
阴极222作为像素电极111的对向电极起着向功能层110供给电流的作用。该阴极222例如由第1阴极层222b和第2阴极层222c的叠层构成。在阴极222中，只有第2阴极层222c被延伸到显示像素部3的外侧。
第1、第2阴极层222b、222c的构成材料及膜厚与上述的第1、第2阴极层12b、12c相同。
然后，在扫描线电路电源布线105b的外侧设置发光用电源布线213。该发光用电源布线213如上所述地被配置在虚设区域205的下侧。
在虚设区域205中具有通过虚设无机物隔栅层212a而形成在虚设像素电极111′上的虚设功能层210和形成在虚设功能层210...之间的虚设隔栅层212。并且所形成的虚设功能层210的厚度要比虚设隔栅层212的厚度薄。而且，各个发光用电源布线103被配置在中间夹隔虚设功能层210的与阴极222对向的位置上。即，各个发光用电源布线103被配置在虚设隔栅层212之间的对应位置上。
另外，在虚设隔栅层212之间，除了像素电极111及虚设功能层210，还配置有阴极222的一部分，这样使阴极222与各个发光用电源布线103通过在两者之间的第1层间绝缘层284、像素电极111虚设无机物隔栅层212a及虚设功能层210形成对向配置。
由于虚设功能层210比虚设隔栅层212薄，所以在虚设功能层210上的阴极222比在虚设隔栅层212上的阴极222更接近于发光用电源布线213侧。
这样，通过使阴极222与各个发光用电源布线103形成中间夹隔虚设功能层210的对向配置，而形成第1静电电容C1。
另外，当各个发光用电源布线103被配置在与虚设隔栅层212对向的位置上后，使得阴极222与各个发光用电源布线103形成中间夹隔虚设隔栅层的对向配置，并且增大了阴极222与各个发光用电源布线103之间的间隔，由于这样不能形成静电电容，因此不是所希望的状态。
另外，发光用电源布线213采用由2组布线构成的双重布线结构。
即，例如在图11左侧的红色用发光用电源布线213R是由形成在基础保护层281上的第1布线213R1和形成在第2层间绝缘层283上的第2布线213R2构成。第1布线213R1及第2布线213R2如图10所示的那样与贯通第2层间绝缘层283的连接孔213R3相连接。
这样，第1布线203R1与阴极用布线222a形成在同一阶层位置上，在第1布线203R1与阴极用布线222a之间配置有第2层间绝缘层283。通过构成这样的结构，而在第1布线203R1与阴极用布线222a之间形成第2静电电容C2。
同样，在图11右侧的蓝色及绿色用发光用电源布线213G、213B也是采用双重布线结构，分别由形成在基础保护层281上的第1布线213G1、213B1和形成在第2层间绝缘层283上的第2布线213G2、213B2构成，第1布线213G1、213B1及第2布线213G2、213B2如图2及图3所示的那样，与贯通第2层间绝缘层283的连接孔213G3、213B3相连接。
而且，在蓝色的第1布线203B1与阴极用布线222a之间形成第2静电电容C2。
第2布线203R2...与阴极222的间隔例如在0.6～1.0μm的范围内较理想。当间隔小于0.6μm时，由于在具有如像素电极与源极金属那样的不同电位的像素电极与源极金属之间增大了寄生电容，所以将会造成使用源极金属的数据信号(图像信号)的线路延迟。其后果是，由于不能在规定的期间内进行数据信号(图像信号)的写入，会造成对比度的下降。夹在第2布线203R2...与阴极222之间的第1层间绝缘层284的材质例如最好使用SiO2或丙烯树脂等，但形成厚度应小于1.0μm，当SiO2的厚度超过1.0μm时，受SiO2的应力作用将会造成基板的破裂。另外，在使用丙烯树脂的情况下，虽然可形成2.0μm左右的厚度，但由于具有遇水膨胀的性质，有可能使形成在其上面的像素电极破裂。
另外，第1布线103R1...与阴极用布线12A的间隔，最好在例如4～200μm的范围内。当小于4μm时，由于受目前的暴光机的精度所限，有可能造成相邻布线之间的短路。关于被夹在第1布线103R2...与阴极用布线12a之间的第2层间绝缘层283的材质，最好是例如SiO2或丙烯树脂等。
这样，根据本实施例的显示装置101，除了可得到与实施例1的显示装置1相同的效果，还棵获得以下的效果。
即，根据本实施例的显示装置101，由于设有包围实质显示区域204的虚设区域205，并且把发光用电源布线213配置成把虚设功能层210夹在中间的与阴极222相对向的状态，因此，使得发光用电源布线213位于该虚设区域205的下侧，不需要在发光元件部210的外侧另外设置发光用电源布线213的配置空间，从而可相对地扩大实质显示区域204的占用面积。(实施例3)下面，对具备所述实施例1或实施例2的显示装置的电子机器的具体例进行说明。
图12(a)是表示移动电话的一例的立体图。在图12(a)中，符号600表示移动电话主机，符号601表示使用了所述显示装置1、101的任意一种的显示部。
图12(B)是表示文字处理机、个人计算机等的移动型信息处理装置的一例的立体图。在图12(b)中，符号700表示信息处理装置，符号701表示键盘等的输入部，符号703表示信息处理装置主机，符号702表示使用了所述显示装置1、101的任意一种的显示部。
图12(c)是表示手表型电子机器的一例的立体图。在图12(c)中，符号800表示手表主体，符号801表示使用了所述显示装置1、101的任意一种的显示部。
在图12(a)～(c)中分别表示的电子机器都具有使用了所述实施例1或实施例2的显示装置1、101的任意一种的显示部，由于具有上述实施例1或实施例2的显示装置的特征，所以无论是使用上述任意一种显示装置的电子机器，都能够稳定地进行图像显示，并可确保优良的显示品质。
如上面详细说明的那样，根据本发明的显示装置，由于在发光用电源布线与第2电极之间设有第1静电电容，所以即使在流经发光用电源布线的驱动电流的电位发生变动时，蓄积在第1静电电容中的电荷被供给到发光用电源布线上，因此，可通过蓄积电荷补充驱动电流的电位不足，从而可抑制电位的变动，确保显示装置进行正常的图像显示。
并且，根据本发明的显示装置，由于所述发光用电源布线由第1布线及第2布线构成，并且在第1布线与第2电极用布线之间设置第2静电电容，所以即使在流经发光用电源布线的驱动电流的电位发生变动时，蓄积在第2静电电容中的电荷被供给到发光用电源布线上，从而可抑制电位的变动，确保显示装置进行正常的图像显示。
权利要求
1.一种显示装置，具有通过在基板上呈矩阵状地配置有与开关元件连接的第1电极而形成的第1电极区域和配置在所述第1电极区域周围的与所述第1电极连接的发光用电源布线，其特征在于在所述第1电极上形成功能层及第2电极，在所述发光用电源布线与所述第2电极之间设有第1静电电容。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于在所述第1电极区域的外侧，通过把所述发光用电源布线与所述第2电极相互对置，而形成所述第1静电电容。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于在所述发光用电源布线与所述第2电极之间配置第1层间绝缘层。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于具有由所述第1电极区域形成的实质显示区域和配置在该实质显示区域周围但对显示不起作用的虚设区域，所述第2电极的形成至少覆盖住所述实质显示区域和所述虚设区域，通过把所述发光用电源布线配置成在与所述第2电极的两者之间至少夹隔所述虚设区域的对置状态，而形成所述第1静电电容。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于所述虚设区域内的功能层的膜厚比所述虚设区域内的组合层的膜厚薄。
6.根据权利要求4或5所述的显示装置，其特征在于在所述发光用电源布线与所述虚设区域内的功能层之间配置所述第1层间绝缘层。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的显示装置，其特征在于所述发光用电源布线由把第2层间绝缘层夹在中间的相互对置的第1布线及第2布线构成，并且所述第1布线形成在与所述第2电极用的布线相同的阶层位置上，在所述第1布线与所述第2电极用布线之间形成第2静电电容。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的显示装置，其特征在于所述功能层由空穴注入/输送层和邻接该空穴注入/输送层而形成的由有机电致发光材料形成的发光层构成。
9.一种显示装置，具有在基板上配置有与开关元件连接的第1电极的第1电极区域和配置在所述第1电极区域周围的与所述第1电极连接的发光用电源布线，其特征在于在各所述第1电极上形成功能层及第2电极，在所述发光用电源布线之上形成第1层间绝缘层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于在由所述第1电极形成的显示像素部的外侧，通过把所述发光用电源布线与所述第2电极配置成在两者中间夹隔所述第1层间绝缘层的对置，而形成所述第1静电电容。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于具有由所述第1电极区域形成的实质显示区域和配置在该实质显示区域周围但对显示不起作用的虚设区域，所述第2电极的形成至少覆盖住所述实质显示区域和所述虚设区域，把所述发光用电源布线配置成在与所述第2电极之间至少夹隔所述虚设区域的对置状态，在所述虚设区域内形成所述第1层间绝缘层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于所述虚设区域内的功能层的膜厚比所述虚设区域内的组合层的膜厚薄。
13.根据权利要求9至12中的任意一项所述的显示装置，其特征在于所述发光用电源布线由把第2层间绝缘层夹在中间的相互对置的第1布线及第2布线构成，并且所述第1布线形成在与所述第2电极用的布线相同的阶层位置上，在所述第1布线与所述第2电极用布线之间形成第2静电电容。
14.根据权利要求9至13中的任意一项所述的显示装置，其特征在于所述功能层由空穴注入/输送层和与该空穴注入/输送层邻接而形成的由有机电致发光材料形成的发光层构成。
15.一种电子机器，其特征在于具有权利要求1至14中任意一项所述的显示装置。
全文摘要
本发明提供一种显示装置，具有通过在基板上呈矩阵状地配置与开关元件(123)连接的第1电极(111)而形成的第1电极区域，和配置在所述第1电极区域周围并与所述第1电极(111)连接的发光用电源布线(103)，其特征在于在所述第1电极(111)上形成功能层(110)及第2电极(12)，在所述发光用电源布线(103)与所述第2电极(12)之间设有第1静电电容(C1)。采用该显示装置的电子机器可进行稳定的图像显示，并可提高图象显示品质。
文档编号G09G3/00GK1427386SQ02156020
公开日2003年7月2日 申请日期2002年12月11日 优先权日2001年12月17日
发明者中西早人 申请人:精工爱普生株式会社
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