光电子器件的制作方法
专利名称：光电子器件的制作方法
光电子器件提出了一种光电子器件。出版物DE 1020050019 Al描述了一种光电子器件。一个要解决的任务在于提出一种光电子器件，其受到特别良好的保护而免受如外来光照射和/或雨水的环境影响。另一要解决的任务在于提出一种光电子器件，其可以特别简单地安装。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括至少一个冷光二极管芯片。该冷光二极管芯片优选是激光二极管芯片或者发光二极管芯片。在该光电子器件工作中，冷光二极管芯片适于产生电磁辐射。电磁辐射在此可以在UV(紫外)辐射至红外光的波长范围中。例如，冷光二极管芯片适于产生在可见光谱范围中的电磁辐射。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括针对外来辐射的至少一个屏蔽部。外来辐射是从外部、即从光电子器件的外部射到该器件上的辐射。例如，其为太阳光或发光装置譬如大灯的光。外来辐射在其未被遮蔽时可以射到冷光二极管芯片或者光电子器件的其他部件(譬如透镜)上并且在那里被反射。由此，由光电子器件在工作中发射的电磁辐射被歪曲。在此将不希望的电磁辐射也称作幻影辐射。屏蔽部现在适于使得外来辐射不到达冷光二极管芯片和/或光电子器件的其他部件。优选地，屏蔽部仅仅局部侧向地包围冷光二极管芯片。也就是说，屏蔽部横向地相邻， 优选与冷光二极管芯片横向间隔地设置，其中屏蔽部并未完全侧向包围冷光二极管芯片， 而是屏蔽部仅仅在所选的部位(例如沿着单个的侧面)包围冷光二极管芯片。屏蔽部在此设置为使得其可以将外部的辐射源的外来辐射与冷光二极管芯片和/ 或光电子器件的其他光学部件相屏蔽。如果该屏蔽部例如设计为防太阳光的屏蔽部，则屏蔽部优选在冷光二极管芯片的朝着太阳光的侧上围绕冷光二极管芯片。屏蔽部投出阴影， 要屏蔽的部件至少部分或完全处于该阴影中。根据光电子器件的至少一个实施形式，屏蔽部与光电子器件的至少一个部件一件式地构建。也就是说，屏蔽部与光电子器件的另一部件构建为一件。屏蔽部形成该部件的一部分或一个区域。“一件式”在此也可以表示，没有边界面设置在屏蔽部和部件之间。屏蔽部和部件例如可以一起制造。也尤其可能的是，屏蔽部与光电子器件的多个部件一件式地构建。光电子器件在此情况下包括多个屏蔽部，其中每个屏蔽部与光电子器件的部件一件式地构建。也就是说， 光电子器件可以包括一个、两个或更多个的屏蔽部，其中每个屏蔽部都与光电子器件的其他部件一件式地构建。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括至少一个冷光二极管芯片，其在光电子器件工作中发射电磁辐射。此外，光电子器件包括针对外来辐射的至少一个屏蔽部，该屏蔽部仅仅局部侧向地包围发光二极管芯片。在此，屏蔽部的每个都与光电子器件的部件一件式地构建。这些部件例如可以是连接支承体、印刷电路板、光学元件如透镜、壳基本体和/或反射壁。在此所描述的光电子器件在此尤其基于如下认识与该器件的部件一件式构建的屏蔽部降低了光电子器件的安装开销。这样，不再需要彼此分离地调整屏蔽部和光电子器件。此外，屏蔽部与光电子器件的部件的一件式构建还提高了光电子器件的机械稳定性，因为例如由于外界气候影响，单独固定在光电子器件上或光电子器件附近的屏蔽部会比与器件的部件一件式构建的屏蔽部更容易与光电子器件分离。根据光电子器件的至少一个实施形式，光电子器件包括连接支承体。连接支承体例如是印刷电路板，其具有电连接部位用于电连接所述至少一个冷光二极管芯片。此外，印刷电路板具有印制导线，借助印制导线可以电接触所述至少一个冷光二极管芯片。印刷电路板例如在此可以包括电绝缘基本体，电连接部位和印制导线在基本体中或在基本体上被结构化。此外可能的是，连接支承体是支承框架(引线框架)。这种支承框架也用于固定和电接触所述至少一个冷光二极管芯片。所述至少一个冷光二极管至少间接地固定在连接支承体上。至少间接地在此表示冷光二极管芯片可以直接施加到连接支承体上。此外，可能的是，在冷光二极管芯片和连接支承体之间存在另外的部件。所述至少一个冷光二极管芯片在此通过连接支承体电接触。也就是说，借助连接支承体可以在光电子器件的工作中为所述至少一个冷光二极管芯片供电。根据光电子器件的至少一个实施形式，所述至少一个屏蔽部至少局部地通过连接支承体的屏蔽区域构成。屏蔽部于是与连接支承体一件式地构建，并且由此与光电子器件的部件一件式地构建。这意味着，连接支承体具有至少两个部分区域屏蔽区域，其形成光电子器件的对外来辐射的至少一个屏蔽部。屏蔽区域在此设置为使得其仅仅局部侧向地包围冷光二极管芯片。连接支承体的屏蔽区域在此例如没有冷光二极管芯片。此外，连接支承体包括其余的区域，在该区域上例如设置有所述至少一个冷光二极管芯片。根据光电子器件的至少一个实施形式，器件包括连接支承体，在该连接支承体上至少间接地固定有所述至少一个冷光二极管芯片，并且通过该连接支承体电接触所述至少一个冷光二极管芯片。在此，光电子器件的至少一个屏蔽部通过连接支承体的屏蔽区域形成。根据光电子器件的至少一个实施形式，连接支承体具有弯曲部。该弯曲部将连接支承体的屏蔽区域与其余的连接支承体连接，在该其余的连接支承体上例如至少间接地固定有所述至少一个冷光二极管芯片。连接支承体在此优选由可弯曲的材料构成。此外，可能的是，在连接支承体中设置有活节或者铰链。在任何情况下，连接支承体都具有弯曲部，使得屏蔽区域相对于连接支承体以确定的角度设置。优选地，屏蔽区域和其余的连接支承体以相对于彼此小于等于110°的角度设置。也就是说，屏蔽区域和其余的连接支承体彼此间形成小于等于110°的角度。优选地，连接支承体在此可弯曲地构建，使得光电子器件的使用者自己可以例如在安装该光电子器件之后在一定范围中调节屏蔽区域和其余的连接支承体之间的角度。以此方式可能的是，屏蔽部最佳地与光电子器件的使用位置匹配。根据光电子器件的安装位置，可以通过调节角度来实现例如对太阳光的最佳屏蔽。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括反射壁，其侧向完全包围所述至少一个冷光二极管芯片。反射壁适于反射由冷光二极管芯片在工作中产生的电磁辐射。 优选地，反射壁对于由冷光二极管芯片在工作中产生的电磁辐射具有至少90%、优选为至少95%的反射率。反射壁对此可以由白色陶瓷材料形成或通过金属形成。反射壁侧向完全包围所述至少一个冷光二极管芯片，也就是说，其框架状地围绕冷光二极管芯片设置。然而在此，术语“框架状”并不涉及反射壁的几何结构，而是应当仅仅表示冷光二极管芯片侧向完整地被反射壁围绕。根据光电子器件的至少一个实施形式，反射壁具有不均勻的高度。也就是说，反射壁具有如下区域在这些区域中的高度比其他区域中更高。在围绕所述至少一个发光二极管芯片的环绕中，反射壁的高度在此例如首先升高，达到最大的高度，下降，直至其达到最小的高度。根据光电子器件的至少一个实施形式，器件的针对外来辐射的至少一个屏蔽部至少局部通过反射壁的屏蔽区域形成。屏蔽部在此借助屏蔽区域与反射壁、即与光电子器件的部件一件式地构建。反射壁的屏蔽区域比其余的反射壁更高地构建。也就是说，在围绕所述至少一个冷光二极管芯片的环绕中，反射壁具有如下区域在该区域中高度升高，达到最大值，以及降低到高度的起始值。屏蔽区域于是通过反射壁的如下区域构成在该区域中高度升高，达到最大值以及降低到起始值。比反射壁的最小高度更高地构建的反射壁的区域于是形成屏蔽区域。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括反射壁，该反射壁侧向完全围绕所述至少一个冷光二极管芯片，其中反射壁具有不均勻的高度。在此，光电子器件的针对外来辐射的至少一个屏蔽部至少局部通过反射壁的屏蔽区域形成，该屏蔽区域比其余反射壁更高地构建。根据光电子器件的至少一个实施形式，反射壁设置在用于所述至少一个冷光二极管芯片的透镜内。该透镜可以按照拱形结构方式跨越反射壁和所述至少一个冷光二极管芯片。在透镜内，反射壁和冷光二极管芯片于是可以与气体邻接，例如与空气邻接。此外，可能的是，透镜构建为完全体，其根据浇注材料的类型施加到冷光二极管芯片和反射壁上。也就是说，反射壁和所述至少一个冷光二极管芯片嵌入到透镜的材料即浇注材料中。在此，也可能的是，浇注材料并非透镜状地成形，而是具有平坦的侧面和平坦的覆盖面。 在任何情况下，反射壁在该实施形式中都至少部分地直接与用于所述至少一个冷光二极管芯片的浇注材料邻接。一方面，反射壁和由此通过反射壁的屏蔽区域形成的屏蔽部通过浇注材料特别良好地受到保护免受外部影响。屏蔽区域由此受到保护防止外部的气候影响以及机械负载。另一方面，在该实施形式中会不利地得到的是，屏蔽部并不是用于整个浇注材料的对外来辐射的防护。在此情况下，浇注材料本身必须特别耐受外来辐射地被保护，例如耐受UV辐射地被保护，并且被保护免受外部影响譬如雨水影响。对此，光电子器件可以包括另一屏蔽部，其通过连接支承体的屏蔽区域形成。此外，特别是耐UV的材料譬如硅树脂可以用于浇注材料。根据在此所描述的光电子器件的至少一个实施形式，该器件具有吸收壁而不具有反射壁，该吸收壁吸收射到其上的电磁辐射。在其他方面，该吸收壁如所描述的反射壁地构建。吸收壁例如构建为黑色。该吸收壁可以(例如以一种颜色)黑色地涂覆，或者由黑色材料(如炭黑填充的塑料)形成。吸收壁例如抑制了散射辐射的形成。吸收壁为此针对射到其上的光具有优选小于 10%、特别优选小于5%的反射率。根据在此所描述的光电子器件的至少一个实施形式，反射壁或吸收壁与该器件的支承体一件式地构建。例如，反射壁或者吸收壁和支承体彼此通过共同的注塑方法或共同的压铸方法制造。也就是说，反射壁或者吸收壁和支承体被共同地注塑或压铸。在此涉及一种代表性的特征，该特征在完成的器件上可进行证明。根据在此所描述的光电子器件的至少一个实施形式，该光电子器件包括壳基本体。壳基本体例如由塑料材料制成。壳基本体可以具有空腔，在该空腔中设置有所述至少一个冷光二极管芯片。冷光二极管芯片于是在该空腔中侧向被壳基本体的壳壁围绕，该壳壁可以构建为反射壁。该反射壁具有均勻的高度。然而也可能的是，反射壁如上面描述的那样具有不均勻的高度，并且由此针对外来辐射形成光电子器件的屏蔽部之一。根据光电子器件的至少一个实施形式，器件的至少一个屏蔽部至少局部通过壳基本体的屏蔽区域形成。也就是说，与壳基本体一件式地、并且由此与光电子器件的部件一件式地形成壳基本体的屏蔽区域，在该屏蔽区域中例如按照突出部的方式构建壳基本体。该突出部侧向仅仅局部地围绕冷光二极管芯片。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括壳基本体，其具有空腔，在该空腔中设置有所述至少一个冷光二极管芯片。在此，光电子器件的针对外来辐射的至少一个屏蔽部至少局部地通过壳基本体的屏蔽区域形成。壳基本体的屏蔽区域可以设置在用于所述至少一个冷光二极管芯片的透镜内部或者外部和/或浇注材料内部或外部。在任何情况下，屏蔽区域与壳基本体一起可以特别简单地例如借助压铸或注塑来制造。也就是说，根据在此所描述的光电子器件的至少一个实施形式，屏蔽区域与其余的壳基本体一起被注塑或者压铸地实施。“注塑”或“压铸”在此是代表性的特征，这些特征在完成的产品上可进行证明。也就是说，在完成的产品上可证明屏蔽区域与壳基本体一件式地通过注塑或者压铸来实施。该壳基本体例如可以局部地围绕连接支承体浇注或喷射，在该连接支承体上至少间接地固定有所述至少一个冷光二极管芯片。根据在此所描述的光电子器件的至少一个实施形式，该光电子器件包括用于所述至少一个冷光二极管芯片的透镜。透镜是一种光学元件，其例如提高了电磁辐射从光电子器件中耦合输出的概率。此外，该透镜可以具有射束成形的特性。该透镜例如可以对于穿透的电磁辐射起会聚或者散射作用。根据光电子器件的至少一个实施形式，光电子器件对于外来辐射的至少一个屏蔽部至少局部通过透镜的屏蔽区域形成。也就是说，该透镜在确定的部位上包括屏蔽区域，其通过对透镜的结构化、涂层或部分着色来形成。例如，该透镜在屏蔽区域中可以偏振地、吸收性地和/或反射性地构建。这例如可以通过对透镜的背离所述至少一个冷光二极管芯片的外表面部分地以金属涂层来实现。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括用于所述至少一个冷光二极管芯片的透镜，其中光电子器件的至少一个屏蔽部通过透镜的屏蔽区域形成。根据光电子器件的至少一个实施形式，光电子器件的屏蔽部的至少一个具有至少一个反射区域，其朝着所述至少一个冷光二极管芯片，并且构建为对于由该冷光二极管芯片在光电子器件工作中产生的电磁辐射是反射性的。也就是说，由冷光二极管芯片产生的辐射在光电子器件工作中可以部分地射到屏蔽部的反射器区域上并且在那里被反射。反射率在此优选为至少90%、特别优选为至少 95%。屏蔽部的其余区域、尤其是外来辐射所射到的区域优选构建为吸收辐射的。也就是说，其吸收入射的外来辐射使得在屏蔽部上不形成散射光，该散射光会干扰光电子器件的光学印象。在任何情况下，屏蔽部都构建为对外来辐射是辐射不可透射的，使得没有外来辐射可以穿过屏蔽部射到光电子器件的要屏蔽的区域上。根据光电子器件的至少一个实施形式，屏蔽部至少在朝着所述至少一个冷光二极管芯片的吸收区域中构建为对于由冷光二极管芯片在光电子器件工作中产生的电磁辐射是吸收性的。也就是说，在这些吸收区域中对于冷光二极管芯片的射到的电磁辐射不进行反射或者几乎不反射，而是该辐射在吸收区域中被吸收。吸收率在此优选为至少90%，特别优选为至少95%。屏蔽部可以在朝向所述至少一个冷光二极管芯片的区域的整体上反射性或者吸收性地构建。此外，可能的是，屏蔽部在那里具有反射性地构建的反射区域和吸收性地构建的吸收区域。根据光电子器件的至少一个实施形式，屏蔽部的至少之一具有弯曲。“弯曲”在此表示，屏蔽部按照弧、球缺、球壳段、空心圆柱体段或类似的几何形状的方式局部侧向地围绕所述至少一个冷光二极管芯片引导。屏蔽部的这种构造可以证明是双重有利的。一方面，当这种屏蔽部在其朝着冷光二极管芯片的区域中吸收性和/或反射性地构建时，这种屏蔽部可以在光电子器件中承担光学任务。也就是说，具有弯曲的屏蔽部可以有助于调节光电子器件的所限定的辐射特性。另一方面，该弯曲可以适于将从外部碰到该光电子器件的湿气、尤其是雨水引导绕过光电子器件的辐射出射面。光电子器件的辐射出射面在此是器件的必要时所设想的面，在工作中所产生的电磁辐射向外穿过该面。辐射出射面例如可以通过透镜或者浇注材料的外表面的部分形成。 尤其是在屏蔽部构建在透镜外部或者构建在浇注材料外部或者与透镜或浇注材料一件式地构建时，屏蔽部的弯曲可以适于将雨水引导绕过辐射出射面。在此所描述的光电子器件可以具有恰好一个在此所描述的屏蔽部。此外可能的是，在此所描述的光电子器件具有两个或更多个在此所描述的屏蔽部的组合。这样，光电子器件例如可以具有通过连接支承体的屏蔽区域形成的屏蔽部。附加地，光电子器件可以具有通过反射壁的屏蔽区域形成的屏蔽部。此外，用于光电子器件的所述至少一个冷光二极管芯片的透镜可以具有屏蔽区域。通过两个或更多个屏蔽区域的组合可能的是，给出了一种特别良好地防护外来辐射的光电子器件。在此所描述的光电子器件例如特别良好地适于形成大型图像显示器，其中各个像素通过在此所描述的光电子器件来形成。也就是说，该显示器通过多个矩阵式布置的光电子器件形成。器件的每个在此都具有至少一个屏蔽部，其防护外来光照射(例如太阳光)。 此外，每个光电子器件的屏蔽部可以形成器件的辐射出射面对雨水的防护。以此方式，该显示器也可以在差的气候条件下工作。通过将雨水通过光电子器件的屏蔽部导出而不会出现水积聚在器件的辐射出射面上，使得抑制了由水滴形成的散射光，其中这些水滴如不希望的光学元件那样起作用。在下文中借助实施例和所附的附图进一步阐述了在此所描述的光电子器件。图IA至5B在示意性透视图中示出了在此所描述的光电子器件的不同的实施例。相同的、相似的或作用相同的元件在附图中设置有相同的附图标记。这些附图和在这些附图中所示的元件彼此间的大小关系不应视为合乎比例的。更确切地说，各个元件为了更清楚和/或更好的理解而可以夸大地示出。
图1A、1B和IC借助示意性透视图示出了在此所描述的光电子器件的第一实施例。 光电子器件10具有四个冷光二极管芯片1，它们构建为发光二极管芯片。这四个冷光二极管芯片1在此可以发射相同颜色的光或者不同颜色的光。例如，设置有用于产生蓝色光的冷光二极管芯片1、用于产生红色光的冷光二极管芯片1和用于产生绿色光的两个冷光二极管芯片1。冷光二极管芯片1固定在连接支承体20上，其在此实施为金属支承框架。冷光二极管芯片1被浇注材料21包围。浇注材料21的与冷光二极管芯片1背离的外表面形成光电子器件10的辐射出射面8。连接支承体20具有接片25，在这些接片中该连接支承体朝着浇注材料21向上弯曲。这增强了浇注材料21至光电子器件10的保留的部件(如连接支承体20或冷光二极管芯片1)的附着。替代浇注材料21，冷光二极管芯片1也可以被玻璃板覆盖。该玻璃板于是优选在其朝着冷光二极管芯片1的侧上在冷光二极管芯片1的区域中具有至少一个凹处，在该凹处中该玻璃板在其厚度方面减小。在该凹处中设置有冷光二极管芯片1。凹处例如可以通过刻蚀玻璃板来产生。此外，连接支承体20具有屏蔽区域23，连接支承体20与该屏蔽区域一件式地构建。屏蔽区域23原则上是增大的接片25，其沿着光电子器件10的侧面延伸。屏蔽区域23 伸出浇注材料21至少浇注材料21的高度。屏蔽区域23仅仅局部侧向地围绕冷光二极管芯片1。也就是说，屏蔽区域23横向地与冷光二极管芯片1的侧面相邻地设置。屏蔽区域 23并不完全侧向地围绕冷光二极管芯片1。在本实施例中，屏蔽区域23形成光电子器件的针对外来辐射4的唯一的屏蔽部3， 该外来辐射从外部入射到器件10上。屏蔽区域23借助弯曲部M与其余的连接支承体20 相连。在弯曲部M的区域中，连接支承体20弯曲为使得屏蔽区域23与其余的连接支承体 20形成大约90°的角度α。屏蔽区域23的朝着冷光二极管芯片1的内表面可以实施为反射区域6和/或实施为吸收区域7。也就是说，根据需要，该面构建为对于由冷光二极管芯片1在工作中产生的电磁辐射2是吸收性的或反射性的。优选地，在结合图1A、1B和IC所描述的实施例中，连接支承体20可弯曲地构建， 使得可以由光电子器件的使用者根据光电子器件的使用通过简单地机械弯曲在一定范围中调节角度α。由此，可以以简单的方式进行光电子器件与其使用位置的匹配。结合图2Α和2Β进一步阐述了在此所描述的光电子器件10的另一实施例。图2Α 和2Β在此示出了光电子器件10的示意性透视图。在该实施例中，器件10具有反射壁30。 反射壁30具有不均勻的高度。在高度最大的区域中(反射壁的屏蔽区域33)，反射壁30形成屏蔽部3。也就是说，在该区域中，反射壁将外来辐射4与光电子器件的光学部件屏蔽。反射壁30在屏蔽区域33中在其朝着冷光二极管芯片1的侧上构建为反射区域6， 其反射由冷光二极管芯片1在工作中产生的辐射2。反射壁30可以作为器件的独立的部件施加到支承体32上。此外，可能的是，反射壁30和支承体32彼此一件式地构建，并且例如通过彼此共同的注塑或者共同的压铸方法制造。支承体32可以例如是印刷电路板的电绝缘构建的基本体，冷光二极管芯片1通过该印刷电路板电接触。屏蔽区域33与反射壁30 —件式地构建并且其特征在于，屏蔽区域具有比反射壁 30的最小高度Hl更大的高度Η2 (对此也参见图3Α)。屏蔽部3，也就是反射壁的屏蔽区域 33具有弯曲5，其例如将可能从与外来光4相同的方向进入的雨水绕着光电子器件10的光学部件向外导出。然而代替反射壁30，光电子器件10也可以具有吸收壁30，其吸收射到其上的电磁辐射。吸收壁例如黑色地构建。吸收壁可以(例如借助一种颜色)被黑色地涂层，或者由黑色材料(如填充炭黑的塑料)形成。吸收壁例如抑制散射辐射的形成。吸收壁对此具有针对射到其上的光的优选小于10%、特别优选小于5%的反射率。结合图3Α和:3Β进一步阐述了在此所描述的光电子器件的另一实施例。在对光电子器件的补充方案中，如结合图2Α和2Β所阐述的那样，该光电子器件10在此具有透镜31， 其不仅围绕冷光二极管芯片1而且围绕带有屏蔽区域33的反射壁30。透镜31在此拱形结构状地或者穹顶状地跨越器件10的部件。透镜31可以构建为空心体，使得其按照干酪盖层(Kaeseglocke)的方式罩在反射壁30和冷光二极管芯片1上。此外，可能的是，透镜 31构建为完全体。透镜31可以作为浇注材料的方式施加在冷光二极管芯片1和反射壁30 上，使得反射壁30和由此屏蔽区域33嵌入透镜31的浇注材料中。结合图3A再次示出了反射壁30具有最小高度H1，在该高度中该反射壁未形成屏蔽区域33。仅仅在反射壁30具有大于Hl的高度的、最大高度为H2的区域中，反射壁形成屏蔽区域33。也就是说，通过屏蔽区域33形成的屏蔽部仅仅局部侧向地围绕冷光二极管芯片1。由于反射壁30具有带有降低的高度Hl的区域，所以屏蔽部30、也即屏蔽区域33并未完全围绕冷光二极管芯片1。反射壁30于是不对称地构建。结合图4A、4B和4C进一步阐述了在此所描述的光电子器件10的另一实施例。与结合图3A和;3B所描述的实施例不同，屏蔽层3在此设置在透镜31、50外部。在该实施例中，光电子器件10包括壳基本体40，其围绕连接支承体20。例如，壳基本体40喷涂到连接支承体上，该连接支承体可以构建为支承条。
也就是说，连接支承体20用基本体40的材料包覆成型。基本体40具有空腔41， 在该空腔中设置有冷光二极管芯片1。围绕冷光二极管芯片1设置有反射壁30，该反射壁在此情况下具有均勻的高度，并且不包括屏蔽区域33。更确切地说，壳基本体40具有终端区域43，壳基本体与该终端区域一件式地构建。连接区域43按照突出部的方式构建并且例如与壳基本体一起被压铸或注塑。可替选地，可能的是，屏蔽区域43借助压配合固定在壳基本体40中。也就是说，屏蔽区域43在此情况下插入到壳基本体40中，粘合到壳基本体上或者以其他方式固定。在任何情况下，屏蔽区域43和由此屏蔽部3侧向仅仅局部围绕冷光二极管芯片1。屏蔽区域在此构建为高到使得其至少与透镜31、50的最高点一样高，或者突出于透镜31、50。屏蔽区域43具有弯曲5，其设计用于使雨水绕开透镜31、50并且由此绕开光电子器件的辐射出射面8。结合图5A借助示意性透视俯视图进一步阐述了在此所描述的光电子器件的另一实施例。在此实施例中，该器件具有两个不同的屏蔽部3。一方面，该器件具有通过基本体 40的屏蔽区域43形成的屏蔽部3，如例如结合图4A至4C中所描述的那样。此外，该器件 10具有通过透镜50的屏蔽区域53形成的屏蔽部3。在屏蔽区域53中，透镜在其外表面用材料涂覆并且由此吸收性地构建。也就是说，由冷光二极管芯片1在工作中产生的电磁辐射2被透镜的该区域吸收。同样，从外部射到透镜上的、并未被基本体40的屏蔽区域43挡住的辐射4也被吸收。此外，可能的是，透镜的屏蔽区域53偏振地或者反射性地构建。此外，结合图5A所描述的实施例是针对如下情况的一个示例性例子在此所描述的用于光电子器件的屏蔽部可以在同一光电子器件10中彼此组合。以此方式可以将各个屏蔽部的优点组合，由此形成了特别有利的光电子器件10。最后结合图5B阐述了在此所描述的光电子器件的另一实施例。与结合图5B所描述的器件不同，图5B示出了一种器件，其中屏蔽部3仅仅通过透镜50的屏蔽区域53形成。本发明并未通过借助实施例的描述而局限于此。更确切地说，本发明包括任意新的特征和特征的任意组合，尤其是包含在权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未明确地在权利要求或者实施例中说明。本专利申请要求德国专利申请102008048846. 1的优先权，其公开内容通过引用
结合于此。
权利要求
1.一种光电子器件(10)，具有-至少一个冷光二极管芯片(1)，其在光电子器件的工作中发射电磁辐射0)，-针对外来辐射(4)的至少一个屏蔽部(3)，所述屏蔽部(3)仅仅局部侧向地围绕所述冷光二极管芯片(1)，其中-每个屏蔽部⑶与所述光电子器件(10)的部件O0，30，40，50) —件式地构建。
2.根据上一权利要求所述的光电子器件，具有-连接支承体(20)，所述至少一个冷光二极管芯片(1)至少间接地固定在所述连接支承体上，并且通过所述连接支承体电接触所述至少一个冷光二极管芯片(1)，其中-所述至少一个屏蔽部(3)至少局部地通过所述连接支承体00)的屏蔽区域03)形成，-所述连接支承体OO)通过印刷电路板形成，所述印刷电路板包括电绝缘的基本体， 在所述基本体中或者在所述基本体上结构化至少一个电连接部位和/或至少一个印制导线，借助其电接触所述至少一个冷光二极管芯片(1)。
3.根据上一权利要求所述的光电子器件，其中连接支承体OO)具有弯曲部(M)，所述弯曲部将连接支承体OO)的屏蔽区域与其余的连接支承体OO)连接。
4.根据权利要求2或3所述的光电子器件，其中所述屏蔽区域03)和其余的连接支承体OO)彼此间形成小于等于110°的角度(α )。
5.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，具有-反射壁或者吸收壁(30)，其侧向完全包围所述至少一个冷光二极管芯片(1)，其中-所述反射壁或者吸收壁(30)具有不均勻的高度(H)，并且-所述至少一个屏蔽部(3)至少局部通过所述反射壁或者吸收壁(30)的如下屏蔽区域 (33)形成所述屏蔽区域(33)比其余的反射壁或吸收壁(30)更高地构建。
6.根据上一权利要求所述的光电子器件，其中所述反射壁或者吸收壁(30)设置在用于所述至少一个冷光二极管芯片(1)的透镜(31，50)内。
7.根据权利要求5或6所述的光电子器件，其中反射壁或吸收壁(30)嵌入在用于所述至少一个冷光二极管芯片(1)的浇注材料中。
8.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，具有-壳基本体(40)，其具有空腔(41)，在所述空腔中设置有所述至少一个冷光二极管芯片(1)，其中-所述至少一个屏蔽部(3)至少局部由所述壳基本体GO)的屏蔽区域03)形成。
9.根据上一权利要求所述的光电子器件，其中屏蔽区域G3)与其余的壳基本体GO) 一起被注塑或压铸。
10.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，具有-用于所述至少一个冷光二极管芯片(1)的透镜(31，50)，其中-所述至少一个屏蔽部(3)至少局部地通过所述透镜(31，50)的屏蔽区域(53)形成。
11.根据上一权利要求所述的光电子器件，其中所述透镜(31，50)在所述屏蔽区域 (53)中偏振地、吸收性地和/或反射性地构建。
12.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述屏蔽部(3)至少在朝着所述至少一个冷光二极管芯片(1)的反射区域(6)中构建为对于由所述冷光二极管芯片(1)在光电子器件的工作中产生的电磁辐射O)是反射性的。
13.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述至少一个屏蔽部(3)至少在朝着所述至少一个冷光二极管芯片(1)的吸收区域(7)中构建为对于由所述冷光二极管芯片在光电子器件的工作中产生的电磁辐射(2)是吸收性的。
14.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述至少一个屏蔽部(3)具有弯曲⑶。
15.根据上一权利要求所述的光电子器件，其中所述屏蔽部(3)设计用于将雨水引导绕过所述光电子器件的辐射出射面(8)。
全文摘要
提出了一种光电子器件(10)，具有至少一个冷光二极管芯片(1)，其在光电子器件的工作中发射电磁辐射(2)，针对外来辐射(4)的至少一个屏蔽部(3)，所述屏蔽部(3)仅仅局部侧向地围绕所述冷光二极管芯片(1)，其中每个屏蔽部(3)与光电子器件(10)的部件(20，30，40，50)一件式地构建。
文档编号G09F9/33GK102165502SQ200980137716
公开日2011年8月24日 申请日期2009年9月1日 优先权日2008年9月25日
发明者彼得·布里克, 斯文·韦伯-拉布西尔伯, 迈克尔·资特兹尔斯伯尔格尔 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
光电子器件提出了一种光电子器件。出版物DE 1020050019 Al描述了一种光电子器件。一个要解决的任务在于提出一种光电子器件，其受到特别良好的保护而免受如外来光照射和/或雨水的环境影响。另一要解决的任务在于提出一种光电子器件，其可以特别简单地安装。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括至少一个冷光二极管芯片。该冷光二极管芯片优选是激光二极管芯片或者发光二极管芯片。在该光电子器件工作中，冷光二极管芯片适于产生电磁辐射。电磁辐射在此可以在UV(紫外)辐射至红外光的波长范围中。例如，冷光二极管芯片适于产生在可见光谱范围中的电磁辐射。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括针对外来辐射的至少一个屏蔽部。外来辐射是从外部、即从光电子器件的外部射到该器件上的辐射。例如，其为太阳光或发光装置譬如大灯的光。外来辐射在其未被遮蔽时可以射到冷光二极管芯片或者光电子器件的其他部件(譬如透镜)上并且在那里被反射。由此，由光电子器件在工作中发射的电磁辐射被歪曲。在此将不希望的电磁辐射也称作幻影辐射。屏蔽部现在适于使得外来辐射不到达冷光二极管芯片和/或光电子器件的其他部件。优选地，屏蔽部仅仅局部侧向地包围冷光二极管芯片。也就是说，屏蔽部横向地相邻， 优选与冷光二极管芯片横向间隔地设置，其中屏蔽部并未完全侧向包围冷光二极管芯片， 而是屏蔽部仅仅在所选的部位(例如沿着单个的侧面)包围冷光二极管芯片。屏蔽部在此设置为使得其可以将外部的辐射源的外来辐射与冷光二极管芯片和/ 或光电子器件的其他光学部件相屏蔽。如果该屏蔽部例如设计为防太阳光的屏蔽部，则屏蔽部优选在冷光二极管芯片的朝着太阳光的侧上围绕冷光二极管芯片。屏蔽部投出阴影， 要屏蔽的部件至少部分或完全处于该阴影中。根据光电子器件的至少一个实施形式，屏蔽部与光电子器件的至少一个部件一件式地构建。也就是说，屏蔽部与光电子器件的另一部件构建为一件。屏蔽部形成该部件的一部分或一个区域。“一件式”在此也可以表示，没有边界面设置在屏蔽部和部件之间。屏蔽部和部件例如可以一起制造。也尤其可能的是，屏蔽部与光电子器件的多个部件一件式地构建。光电子器件在此情况下包括多个屏蔽部，其中每个屏蔽部与光电子器件的部件一件式地构建。也就是说， 光电子器件可以包括一个、两个或更多个的屏蔽部，其中每个屏蔽部都与光电子器件的其他部件一件式地构建。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括至少一个冷光二极管芯片，其在光电子器件工作中发射电磁辐射。此外，光电子器件包括针对外来辐射的至少一个屏蔽部，该屏蔽部仅仅局部侧向地包围发光二极管芯片。在此，屏蔽部的每个都与光电子器件的部件一件式地构建。这些部件例如可以是连接支承体、印刷电路板、光学元件如透镜、壳基本体和/或反射壁。在此所描述的光电子器件在此尤其基于如下认识与该器件的部件一件式构建的屏蔽部降低了光电子器件的安装开销。这样，不再需要彼此分离地调整屏蔽部和光电子器件。此外，屏蔽部与光电子器件的部件的一件式构建还提高了光电子器件的机械稳定性，因为例如由于外界气候影响，单独固定在光电子器件上或光电子器件附近的屏蔽部会比与器件的部件一件式构建的屏蔽部更容易与光电子器件分离。根据光电子器件的至少一个实施形式，光电子器件包括连接支承体。连接支承体例如是印刷电路板，其具有电连接部位用于电连接所述至少一个冷光二极管芯片。此外，印刷电路板具有印制导线，借助印制导线可以电接触所述至少一个冷光二极管芯片。印刷电路板例如在此可以包括电绝缘基本体，电连接部位和印制导线在基本体中或在基本体上被结构化。此外可能的是，连接支承体是支承框架(引线框架)。这种支承框架也用于固定和电接触所述至少一个冷光二极管芯片。所述至少一个冷光二极管至少间接地固定在连接支承体上。至少间接地在此表示冷光二极管芯片可以直接施加到连接支承体上。此外，可能的是，在冷光二极管芯片和连接支承体之间存在另外的部件。所述至少一个冷光二极管芯片在此通过连接支承体电接触。也就是说，借助连接支承体可以在光电子器件的工作中为所述至少一个冷光二极管芯片供电。根据光电子器件的至少一个实施形式，所述至少一个屏蔽部至少局部地通过连接支承体的屏蔽区域构成。屏蔽部于是与连接支承体一件式地构建，并且由此与光电子器件的部件一件式地构建。这意味着，连接支承体具有至少两个部分区域屏蔽区域，其形成光电子器件的对外来辐射的至少一个屏蔽部。屏蔽区域在此设置为使得其仅仅局部侧向地包围冷光二极管芯片。连接支承体的屏蔽区域在此例如没有冷光二极管芯片。此外，连接支承体包括其余的区域，在该区域上例如设置有所述至少一个冷光二极管芯片。根据光电子器件的至少一个实施形式，器件包括连接支承体，在该连接支承体上至少间接地固定有所述至少一个冷光二极管芯片，并且通过该连接支承体电接触所述至少一个冷光二极管芯片。在此，光电子器件的至少一个屏蔽部通过连接支承体的屏蔽区域形成。根据光电子器件的至少一个实施形式，连接支承体具有弯曲部。该弯曲部将连接支承体的屏蔽区域与其余的连接支承体连接，在该其余的连接支承体上例如至少间接地固定有所述至少一个冷光二极管芯片。连接支承体在此优选由可弯曲的材料构成。此外，可能的是，在连接支承体中设置有活节或者铰链。在任何情况下，连接支承体都具有弯曲部，使得屏蔽区域相对于连接支承体以确定的角度设置。优选地，屏蔽区域和其余的连接支承体以相对于彼此小于等于110°的角度设置。也就是说，屏蔽区域和其余的连接支承体彼此间形成小于等于110°的角度。优选地，连接支承体在此可弯曲地构建，使得光电子器件的使用者自己可以例如在安装该光电子器件之后在一定范围中调节屏蔽区域和其余的连接支承体之间的角度。以此方式可能的是，屏蔽部最佳地与光电子器件的使用位置匹配。根据光电子器件的安装位置，可以通过调节角度来实现例如对太阳光的最佳屏蔽。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括反射壁，其侧向完全包围所述至少一个冷光二极管芯片。反射壁适于反射由冷光二极管芯片在工作中产生的电磁辐射。 优选地，反射壁对于由冷光二极管芯片在工作中产生的电磁辐射具有至少90%、优选为至少95%的反射率。反射壁对此可以由白色陶瓷材料形成或通过金属形成。反射壁侧向完全包围所述至少一个冷光二极管芯片，也就是说，其框架状地围绕冷光二极管芯片设置。然而在此，术语“框架状”并不涉及反射壁的几何结构，而是应当仅仅表示冷光二极管芯片侧向完整地被反射壁围绕。根据光电子器件的至少一个实施形式，反射壁具有不均勻的高度。也就是说，反射壁具有如下区域在这些区域中的高度比其他区域中更高。在围绕所述至少一个发光二极管芯片的环绕中，反射壁的高度在此例如首先升高，达到最大的高度，下降，直至其达到最小的高度。根据光电子器件的至少一个实施形式，器件的针对外来辐射的至少一个屏蔽部至少局部通过反射壁的屏蔽区域形成。屏蔽部在此借助屏蔽区域与反射壁、即与光电子器件的部件一件式地构建。反射壁的屏蔽区域比其余的反射壁更高地构建。也就是说，在围绕所述至少一个冷光二极管芯片的环绕中，反射壁具有如下区域在该区域中高度升高，达到最大值，以及降低到高度的起始值。屏蔽区域于是通过反射壁的如下区域构成在该区域中高度升高，达到最大值以及降低到起始值。比反射壁的最小高度更高地构建的反射壁的区域于是形成屏蔽区域。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括反射壁，该反射壁侧向完全围绕所述至少一个冷光二极管芯片，其中反射壁具有不均勻的高度。在此，光电子器件的针对外来辐射的至少一个屏蔽部至少局部通过反射壁的屏蔽区域形成，该屏蔽区域比其余反射壁更高地构建。根据光电子器件的至少一个实施形式，反射壁设置在用于所述至少一个冷光二极管芯片的透镜内。该透镜可以按照拱形结构方式跨越反射壁和所述至少一个冷光二极管芯片。在透镜内，反射壁和冷光二极管芯片于是可以与气体邻接，例如与空气邻接。此外，可能的是，透镜构建为完全体，其根据浇注材料的类型施加到冷光二极管芯片和反射壁上。也就是说，反射壁和所述至少一个冷光二极管芯片嵌入到透镜的材料即浇注材料中。在此，也可能的是，浇注材料并非透镜状地成形，而是具有平坦的侧面和平坦的覆盖面。 在任何情况下，反射壁在该实施形式中都至少部分地直接与用于所述至少一个冷光二极管芯片的浇注材料邻接。一方面，反射壁和由此通过反射壁的屏蔽区域形成的屏蔽部通过浇注材料特别良好地受到保护免受外部影响。屏蔽区域由此受到保护防止外部的气候影响以及机械负载。另一方面，在该实施形式中会不利地得到的是，屏蔽部并不是用于整个浇注材料的对外来辐射的防护。在此情况下，浇注材料本身必须特别耐受外来辐射地被保护，例如耐受UV辐射地被保护，并且被保护免受外部影响譬如雨水影响。对此，光电子器件可以包括另一屏蔽部，其通过连接支承体的屏蔽区域形成。此外，特别是耐UV的材料譬如硅树脂可以用于浇注材料。根据在此所描述的光电子器件的至少一个实施形式，该器件具有吸收壁而不具有反射壁，该吸收壁吸收射到其上的电磁辐射。在其他方面，该吸收壁如所描述的反射壁地构建。吸收壁例如构建为黑色。该吸收壁可以(例如以一种颜色)黑色地涂覆，或者由黑色材料(如炭黑填充的塑料)形成。吸收壁例如抑制了散射辐射的形成。吸收壁为此针对射到其上的光具有优选小于 10%、特别优选小于5%的反射率。根据在此所描述的光电子器件的至少一个实施形式，反射壁或吸收壁与该器件的支承体一件式地构建。例如，反射壁或者吸收壁和支承体彼此通过共同的注塑方法或共同的压铸方法制造。也就是说，反射壁或者吸收壁和支承体被共同地注塑或压铸。在此涉及一种代表性的特征，该特征在完成的器件上可进行证明。根据在此所描述的光电子器件的至少一个实施形式，该光电子器件包括壳基本体。壳基本体例如由塑料材料制成。壳基本体可以具有空腔，在该空腔中设置有所述至少一个冷光二极管芯片。冷光二极管芯片于是在该空腔中侧向被壳基本体的壳壁围绕，该壳壁可以构建为反射壁。该反射壁具有均勻的高度。然而也可能的是，反射壁如上面描述的那样具有不均勻的高度，并且由此针对外来辐射形成光电子器件的屏蔽部之一。根据光电子器件的至少一个实施形式，器件的至少一个屏蔽部至少局部通过壳基本体的屏蔽区域形成。也就是说，与壳基本体一件式地、并且由此与光电子器件的部件一件式地形成壳基本体的屏蔽区域，在该屏蔽区域中例如按照突出部的方式构建壳基本体。该突出部侧向仅仅局部地围绕冷光二极管芯片。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括壳基本体，其具有空腔，在该空腔中设置有所述至少一个冷光二极管芯片。在此，光电子器件的针对外来辐射的至少一个屏蔽部至少局部地通过壳基本体的屏蔽区域形成。壳基本体的屏蔽区域可以设置在用于所述至少一个冷光二极管芯片的透镜内部或者外部和/或浇注材料内部或外部。在任何情况下，屏蔽区域与壳基本体一起可以特别简单地例如借助压铸或注塑来制造。也就是说，根据在此所描述的光电子器件的至少一个实施形式，屏蔽区域与其余的壳基本体一起被注塑或者压铸地实施。“注塑”或“压铸”在此是代表性的特征，这些特征在完成的产品上可进行证明。也就是说，在完成的产品上可证明屏蔽区域与壳基本体一件式地通过注塑或者压铸来实施。该壳基本体例如可以局部地围绕连接支承体浇注或喷射，在该连接支承体上至少间接地固定有所述至少一个冷光二极管芯片。根据在此所描述的光电子器件的至少一个实施形式，该光电子器件包括用于所述至少一个冷光二极管芯片的透镜。透镜是一种光学元件，其例如提高了电磁辐射从光电子器件中耦合输出的概率。此外，该透镜可以具有射束成形的特性。该透镜例如可以对于穿透的电磁辐射起会聚或者散射作用。根据光电子器件的至少一个实施形式，光电子器件对于外来辐射的至少一个屏蔽部至少局部通过透镜的屏蔽区域形成。也就是说，该透镜在确定的部位上包括屏蔽区域，其通过对透镜的结构化、涂层或部分着色来形成。例如，该透镜在屏蔽区域中可以偏振地、吸收性地和/或反射性地构建。这例如可以通过对透镜的背离所述至少一个冷光二极管芯片的外表面部分地以金属涂层来实现。根据光电子器件的至少一个实施形式，该器件包括用于所述至少一个冷光二极管芯片的透镜，其中光电子器件的至少一个屏蔽部通过透镜的屏蔽区域形成。根据光电子器件的至少一个实施形式，光电子器件的屏蔽部的至少一个具有至少一个反射区域，其朝着所述至少一个冷光二极管芯片，并且构建为对于由该冷光二极管芯片在光电子器件工作中产生的电磁辐射是反射性的。也就是说，由冷光二极管芯片产生的辐射在光电子器件工作中可以部分地射到屏蔽部的反射器区域上并且在那里被反射。反射率在此优选为至少90%、特别优选为至少 95%。屏蔽部的其余区域、尤其是外来辐射所射到的区域优选构建为吸收辐射的。也就是说，其吸收入射的外来辐射使得在屏蔽部上不形成散射光，该散射光会干扰光电子器件的光学印象。在任何情况下，屏蔽部都构建为对外来辐射是辐射不可透射的，使得没有外来辐射可以穿过屏蔽部射到光电子器件的要屏蔽的区域上。根据光电子器件的至少一个实施形式，屏蔽部至少在朝着所述至少一个冷光二极管芯片的吸收区域中构建为对于由冷光二极管芯片在光电子器件工作中产生的电磁辐射是吸收性的。也就是说，在这些吸收区域中对于冷光二极管芯片的射到的电磁辐射不进行反射或者几乎不反射，而是该辐射在吸收区域中被吸收。吸收率在此优选为至少90%，特别优选为至少95%。屏蔽部可以在朝向所述至少一个冷光二极管芯片的区域的整体上反射性或者吸收性地构建。此外，可能的是，屏蔽部在那里具有反射性地构建的反射区域和吸收性地构建的吸收区域。根据光电子器件的至少一个实施形式，屏蔽部的至少之一具有弯曲。“弯曲”在此表示，屏蔽部按照弧、球缺、球壳段、空心圆柱体段或类似的几何形状的方式局部侧向地围绕所述至少一个冷光二极管芯片引导。屏蔽部的这种构造可以证明是双重有利的。一方面，当这种屏蔽部在其朝着冷光二极管芯片的区域中吸收性和/或反射性地构建时，这种屏蔽部可以在光电子器件中承担光学任务。也就是说，具有弯曲的屏蔽部可以有助于调节光电子器件的所限定的辐射特性。另一方面，该弯曲可以适于将从外部碰到该光电子器件的湿气、尤其是雨水引导绕过光电子器件的辐射出射面。光电子器件的辐射出射面在此是器件的必要时所设想的面，在工作中所产生的电磁辐射向外穿过该面。辐射出射面例如可以通过透镜或者浇注材料的外表面的部分形成。 尤其是在屏蔽部构建在透镜外部或者构建在浇注材料外部或者与透镜或浇注材料一件式地构建时，屏蔽部的弯曲可以适于将雨水引导绕过辐射出射面。在此所描述的光电子器件可以具有恰好一个在此所描述的屏蔽部。此外可能的是，在此所描述的光电子器件具有两个或更多个在此所描述的屏蔽部的组合。这样，光电子器件例如可以具有通过连接支承体的屏蔽区域形成的屏蔽部。附加地，光电子器件可以具有通过反射壁的屏蔽区域形成的屏蔽部。此外，用于光电子器件的所述至少一个冷光二极管芯片的透镜可以具有屏蔽区域。通过两个或更多个屏蔽区域的组合可能的是，给出了一种特别良好地防护外来辐射的光电子器件。在此所描述的光电子器件例如特别良好地适于形成大型图像显示器，其中各个像素通过在此所描述的光电子器件来形成。也就是说，该显示器通过多个矩阵式布置的光电子器件形成。器件的每个在此都具有至少一个屏蔽部，其防护外来光照射(例如太阳光)。 此外，每个光电子器件的屏蔽部可以形成器件的辐射出射面对雨水的防护。以此方式，该显示器也可以在差的气候条件下工作。通过将雨水通过光电子器件的屏蔽部导出而不会出现水积聚在器件的辐射出射面上，使得抑制了由水滴形成的散射光，其中这些水滴如不希望的光学元件那样起作用。在下文中借助实施例和所附的附图进一步阐述了在此所描述的光电子器件。图IA至5B在示意性透视图中示出了在此所描述的光电子器件的不同的实施例。相同的、相似的或作用相同的元件在附图中设置有相同的附图标记。这些附图和在这些附图中所示的元件彼此间的大小关系不应视为合乎比例的。更确切地说，各个元件为了更清楚和/或更好的理解而可以夸大地示出。
图1A、1B和IC借助示意性透视图示出了在此所描述的光电子器件的第一实施例。 光电子器件10具有四个冷光二极管芯片1，它们构建为发光二极管芯片。这四个冷光二极管芯片1在此可以发射相同颜色的光或者不同颜色的光。例如，设置有用于产生蓝色光的冷光二极管芯片1、用于产生红色光的冷光二极管芯片1和用于产生绿色光的两个冷光二极管芯片1。冷光二极管芯片1固定在连接支承体20上，其在此实施为金属支承框架。冷光二极管芯片1被浇注材料21包围。浇注材料21的与冷光二极管芯片1背离的外表面形成光电子器件10的辐射出射面8。连接支承体20具有接片25，在这些接片中该连接支承体朝着浇注材料21向上弯曲。这增强了浇注材料21至光电子器件10的保留的部件(如连接支承体20或冷光二极管芯片1)的附着。替代浇注材料21，冷光二极管芯片1也可以被玻璃板覆盖。该玻璃板于是优选在其朝着冷光二极管芯片1的侧上在冷光二极管芯片1的区域中具有至少一个凹处，在该凹处中该玻璃板在其厚度方面减小。在该凹处中设置有冷光二极管芯片1。凹处例如可以通过刻蚀玻璃板来产生。此外，连接支承体20具有屏蔽区域23，连接支承体20与该屏蔽区域一件式地构建。屏蔽区域23原则上是增大的接片25，其沿着光电子器件10的侧面延伸。屏蔽区域23 伸出浇注材料21至少浇注材料21的高度。屏蔽区域23仅仅局部侧向地围绕冷光二极管芯片1。也就是说，屏蔽区域23横向地与冷光二极管芯片1的侧面相邻地设置。屏蔽区域 23并不完全侧向地围绕冷光二极管芯片1。在本实施例中，屏蔽区域23形成光电子器件的针对外来辐射4的唯一的屏蔽部3， 该外来辐射从外部入射到器件10上。屏蔽区域23借助弯曲部M与其余的连接支承体20 相连。在弯曲部M的区域中，连接支承体20弯曲为使得屏蔽区域23与其余的连接支承体 20形成大约90°的角度α。屏蔽区域23的朝着冷光二极管芯片1的内表面可以实施为反射区域6和/或实施为吸收区域7。也就是说，根据需要，该面构建为对于由冷光二极管芯片1在工作中产生的电磁辐射2是吸收性的或反射性的。优选地，在结合图1A、1B和IC所描述的实施例中，连接支承体20可弯曲地构建， 使得可以由光电子器件的使用者根据光电子器件的使用通过简单地机械弯曲在一定范围中调节角度α。由此，可以以简单的方式进行光电子器件与其使用位置的匹配。结合图2Α和2Β进一步阐述了在此所描述的光电子器件10的另一实施例。图2Α 和2Β在此示出了光电子器件10的示意性透视图。在该实施例中，器件10具有反射壁30。 反射壁30具有不均勻的高度。在高度最大的区域中(反射壁的屏蔽区域33)，反射壁30形成屏蔽部3。也就是说，在该区域中，反射壁将外来辐射4与光电子器件的光学部件屏蔽。反射壁30在屏蔽区域33中在其朝着冷光二极管芯片1的侧上构建为反射区域6， 其反射由冷光二极管芯片1在工作中产生的辐射2。反射壁30可以作为器件的独立的部件施加到支承体32上。此外，可能的是，反射壁30和支承体32彼此一件式地构建，并且例如通过彼此共同的注塑或者共同的压铸方法制造。支承体32可以例如是印刷电路板的电绝缘构建的基本体，冷光二极管芯片1通过该印刷电路板电接触。屏蔽区域33与反射壁30 —件式地构建并且其特征在于，屏蔽区域具有比反射壁 30的最小高度Hl更大的高度Η2 (对此也参见图3Α)。屏蔽部3，也就是反射壁的屏蔽区域 33具有弯曲5，其例如将可能从与外来光4相同的方向进入的雨水绕着光电子器件10的光学部件向外导出。然而代替反射壁30，光电子器件10也可以具有吸收壁30，其吸收射到其上的电磁辐射。吸收壁例如黑色地构建。吸收壁可以(例如借助一种颜色)被黑色地涂层，或者由黑色材料(如填充炭黑的塑料)形成。吸收壁例如抑制散射辐射的形成。吸收壁对此具有针对射到其上的光的优选小于10%、特别优选小于5%的反射率。结合图3Α和:3Β进一步阐述了在此所描述的光电子器件的另一实施例。在对光电子器件的补充方案中，如结合图2Α和2Β所阐述的那样，该光电子器件10在此具有透镜31， 其不仅围绕冷光二极管芯片1而且围绕带有屏蔽区域33的反射壁30。透镜31在此拱形结构状地或者穹顶状地跨越器件10的部件。透镜31可以构建为空心体，使得其按照干酪盖层(Kaeseglocke)的方式罩在反射壁30和冷光二极管芯片1上。此外，可能的是，透镜 31构建为完全体。透镜31可以作为浇注材料的方式施加在冷光二极管芯片1和反射壁30 上，使得反射壁30和由此屏蔽区域33嵌入透镜31的浇注材料中。结合图3A再次示出了反射壁30具有最小高度H1，在该高度中该反射壁未形成屏蔽区域33。仅仅在反射壁30具有大于Hl的高度的、最大高度为H2的区域中，反射壁形成屏蔽区域33。也就是说，通过屏蔽区域33形成的屏蔽部仅仅局部侧向地围绕冷光二极管芯片1。由于反射壁30具有带有降低的高度Hl的区域，所以屏蔽部30、也即屏蔽区域33并未完全围绕冷光二极管芯片1。反射壁30于是不对称地构建。结合图4A、4B和4C进一步阐述了在此所描述的光电子器件10的另一实施例。与结合图3A和;3B所描述的实施例不同，屏蔽层3在此设置在透镜31、50外部。在该实施例中，光电子器件10包括壳基本体40，其围绕连接支承体20。例如，壳基本体40喷涂到连接支承体上，该连接支承体可以构建为支承条。
也就是说，连接支承体20用基本体40的材料包覆成型。基本体40具有空腔41， 在该空腔中设置有冷光二极管芯片1。围绕冷光二极管芯片1设置有反射壁30，该反射壁在此情况下具有均勻的高度，并且不包括屏蔽区域33。更确切地说，壳基本体40具有终端区域43，壳基本体与该终端区域一件式地构建。连接区域43按照突出部的方式构建并且例如与壳基本体一起被压铸或注塑。可替选地，可能的是，屏蔽区域43借助压配合固定在壳基本体40中。也就是说，屏蔽区域43在此情况下插入到壳基本体40中，粘合到壳基本体上或者以其他方式固定。在任何情况下，屏蔽区域43和由此屏蔽部3侧向仅仅局部围绕冷光二极管芯片1。屏蔽区域在此构建为高到使得其至少与透镜31、50的最高点一样高，或者突出于透镜31、50。屏蔽区域43具有弯曲5，其设计用于使雨水绕开透镜31、50并且由此绕开光电子器件的辐射出射面8。结合图5A借助示意性透视俯视图进一步阐述了在此所描述的光电子器件的另一实施例。在此实施例中，该器件具有两个不同的屏蔽部3。一方面，该器件具有通过基本体 40的屏蔽区域43形成的屏蔽部3，如例如结合图4A至4C中所描述的那样。此外，该器件 10具有通过透镜50的屏蔽区域53形成的屏蔽部3。在屏蔽区域53中，透镜在其外表面用材料涂覆并且由此吸收性地构建。也就是说，由冷光二极管芯片1在工作中产生的电磁辐射2被透镜的该区域吸收。同样，从外部射到透镜上的、并未被基本体40的屏蔽区域43挡住的辐射4也被吸收。此外，可能的是，透镜的屏蔽区域53偏振地或者反射性地构建。此外，结合图5A所描述的实施例是针对如下情况的一个示例性例子在此所描述的用于光电子器件的屏蔽部可以在同一光电子器件10中彼此组合。以此方式可以将各个屏蔽部的优点组合，由此形成了特别有利的光电子器件10。最后结合图5B阐述了在此所描述的光电子器件的另一实施例。与结合图5B所描述的器件不同，图5B示出了一种器件，其中屏蔽部3仅仅通过透镜50的屏蔽区域53形成。本发明并未通过借助实施例的描述而局限于此。更确切地说，本发明包括任意新的特征和特征的任意组合，尤其是包含在权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未明确地在权利要求或者实施例中说明。本专利申请要求德国专利申请102008048846. 1的优先权，其公开内容通过引用
结合于此。
权利要求
1.一种光电子器件(10)，具有-至少一个冷光二极管芯片(1)，其在光电子器件的工作中发射电磁辐射0)，-针对外来辐射(4)的至少一个屏蔽部(3)，所述屏蔽部(3)仅仅局部侧向地围绕所述冷光二极管芯片(1)，其中-每个屏蔽部⑶与所述光电子器件(10)的部件O0，30，40，50) —件式地构建。
2.根据上一权利要求所述的光电子器件，具有-连接支承体(20)，所述至少一个冷光二极管芯片(1)至少间接地固定在所述连接支承体上，并且通过所述连接支承体电接触所述至少一个冷光二极管芯片(1)，其中-所述至少一个屏蔽部(3)至少局部地通过所述连接支承体00)的屏蔽区域03)形成，-所述连接支承体OO)通过印刷电路板形成，所述印刷电路板包括电绝缘的基本体， 在所述基本体中或者在所述基本体上结构化至少一个电连接部位和/或至少一个印制导线，借助其电接触所述至少一个冷光二极管芯片(1)。
3.根据上一权利要求所述的光电子器件，其中连接支承体OO)具有弯曲部(M)，所述弯曲部将连接支承体OO)的屏蔽区域与其余的连接支承体OO)连接。
4.根据权利要求2或3所述的光电子器件，其中所述屏蔽区域03)和其余的连接支承体OO)彼此间形成小于等于110°的角度(α )。
5.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，具有-反射壁或者吸收壁(30)，其侧向完全包围所述至少一个冷光二极管芯片(1)，其中-所述反射壁或者吸收壁(30)具有不均勻的高度(H)，并且-所述至少一个屏蔽部(3)至少局部通过所述反射壁或者吸收壁(30)的如下屏蔽区域 (33)形成所述屏蔽区域(33)比其余的反射壁或吸收壁(30)更高地构建。
6.根据上一权利要求所述的光电子器件，其中所述反射壁或者吸收壁(30)设置在用于所述至少一个冷光二极管芯片(1)的透镜(31，50)内。
7.根据权利要求5或6所述的光电子器件，其中反射壁或吸收壁(30)嵌入在用于所述至少一个冷光二极管芯片(1)的浇注材料中。
8.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，具有-壳基本体(40)，其具有空腔(41)，在所述空腔中设置有所述至少一个冷光二极管芯片(1)，其中-所述至少一个屏蔽部(3)至少局部由所述壳基本体GO)的屏蔽区域03)形成。
9.根据上一权利要求所述的光电子器件，其中屏蔽区域G3)与其余的壳基本体GO) 一起被注塑或压铸。
10.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，具有-用于所述至少一个冷光二极管芯片(1)的透镜(31，50)，其中-所述至少一个屏蔽部(3)至少局部地通过所述透镜(31，50)的屏蔽区域(53)形成。
11.根据上一权利要求所述的光电子器件，其中所述透镜(31，50)在所述屏蔽区域 (53)中偏振地、吸收性地和/或反射性地构建。
12.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述屏蔽部(3)至少在朝着所述至少一个冷光二极管芯片(1)的反射区域(6)中构建为对于由所述冷光二极管芯片(1)在光电子器件的工作中产生的电磁辐射O)是反射性的。
13.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述至少一个屏蔽部(3)至少在朝着所述至少一个冷光二极管芯片(1)的吸收区域(7)中构建为对于由所述冷光二极管芯片在光电子器件的工作中产生的电磁辐射(2)是吸收性的。
14.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述至少一个屏蔽部(3)具有弯曲⑶。
15.根据上一权利要求所述的光电子器件，其中所述屏蔽部(3)设计用于将雨水引导绕过所述光电子器件的辐射出射面(8)。
全文摘要
提出了一种光电子器件(10)，具有至少一个冷光二极管芯片(1)，其在光电子器件的工作中发射电磁辐射(2)，针对外来辐射(4)的至少一个屏蔽部(3)，所述屏蔽部(3)仅仅局部侧向地围绕所述冷光二极管芯片(1)，其中每个屏蔽部(3)与光电子器件(10)的部件(20，30，40，50)一件式地构建。
文档编号G09F9/33GK102165502SQ200980137716
公开日2011年8月24日 申请日期2009年9月1日 优先权日2008年9月25日
发明者彼得·布里克, 斯文·韦伯-拉布西尔伯, 迈克尔·资特兹尔斯伯尔格尔 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
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