液晶显示器及其方法
专利名称：液晶显示器及其方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器(LCD)及其方法，且更具体地说， 涉及一种具有改进的显示质量的LCD，以及一种才是高LCD的显示 质量的方法。
背景技术：
液晶显示器(LCD)现已广泛用作一种平板显示器。LCD包括 两个显示面板，在这两个显示面板上形成有诸如像素电才及和共用电 才及的场产生电4及(field generating electrode ),其中液晶层介于这两 个显示面^反之间。在LCD中，对场产生电4及施加电压以1更在液晶 层中产生电场，并且液晶层的液晶分子的排列由该电场决定。因此， 入射光的偏振得到控制，由此执行图像显示。在LCD中，垂直排列(VA)模式的LCD由于其具有高对比度 和宽一见角而得到关注，其中，在不施加电场的情况下，液晶分子的 主指向矢(director)垂直于上下显示面板。但是，VA模式LCD的 问题在于侧面可见度比正面可见度低。为了解决这个问题，已经提 议这样一种方法将一个像素分为一对子像素，在独立的子像素中 形成切换元件，以及对子像素施加不同的电压。然而，在这种才艮据相关技术的LCD中，由于位于lt据线上方 的液晶的运动因像素电极之间的电场而不能得到精确控制，从而会 发生漏光，这会导致LCD显示性能的降低。
另外，在具有上述结构的LCD中，当被施以较高数据电压的 子^象素电极与设置在子^f象素两侧上的 一对凄t据线之间的耦合电容 ;波此不一致时，显示特性降^f氐。发明内容本发明涉及一种能够提高显示质量的液晶显示器(LCD)。显 示质量可通过减少子像素与邻近子像素的数据线之间的耦合电容 而提高。本发明还提供了一种提高该LCD的显示质量的方法。根据本发明的示例性实施例，LCD包括第一绝缘基板；栅极 配线，形成于第一绝缘基^反上并沿第一方向延伸；数据配线，与棚-极配线绝缘并与之交叉，并且该数据配线沿第二方向延伸；以及像 素电极，每个像素电极包括第一、第二子像素电极，不同数据电压 从数据配线施加于该第 一和第二子像素电极，其中每个第二子像素 电极的至少 一部分与数据配线交叠。依据本发明的其它示例性实施例，LCD包括棚4及配线和凄t据 配线，彼此绝缘并彼此交叉于绝缘基板上； 一对第一和第二薄膜晶 体管(TFT)，连4妄于所述4册极配线和所述数据配线；第一子像素电 极，连接至第一TFT;第二子像素电极，围绕第一子像素电极，与 第一子像素电极分开一段间隙，并连接至第二TFT;第一存储线， 与第一子像素电极交叠并接收第一存储电压；以及第二存储线，与 第二子像素电极交叠并接收不同于第一存储电压的第二存储电压。才艮据本发明的另一些示例性实施例，LCD包括才册极线；成对 数据线，与栅极线绝缘并与之交叉；以及像素电极，电连接至棚-极 线和成对数据线。此处，每个像素电极包括第一子像素电极和第二 子像素电极，第二子像素电极具有比第一子像素电极小的面积，且 第 一子像素电极与成对数据线交叠。
根据本发明的再一些示例性实施例， 一种提高具有像素区域矩阵的LCD的显示质量的方法包括在绝缘基板上形成栅极配线， 该栅极配线基本沿第 一 方向延伸；形成与栅极配线绝缘的数据配 线，该数据配线基本沿第二方向延伸，该第二方向基本垂直于第一 方向；在每个像素区域内形成第一、第二子像素电极，从而使得在 每个像素区域中，第二子像素电极与邻近的数据配线交叠，该第二 子像素电极至少部分地围绕第一子像素电极并具有大于第一子像 素电极的面积；以及向第一子像素电极施加数据电压，该数据电压 大于施加于第二子像素电极的数据电压。
通过以下结合附图对本发明示例性实施例的详细描述，本发明 的上述和其它特征及优点将变得更明显，附图中
图l是示出了根据本发明第一示例性实施例的示例性液晶显示 器(LCD)的示例性像素阵列的示意图2是图1的示例性LCD中的一个示例性像素的等效电路图3A是根据本发明第一示例性实施例的包括图1示例性A型 〃像素的示例性下部显示面^1的布置图3B是沿图3A的线IIIB-IIIB'截取的示例性下部显示面板的
图3C是沿图3A的线inc-mc'截取的示例性下部显示面板的横截面图4是连4妄至图3A的示例性下部显示面才反的示例性上部显示 面^^的布置图；图5是包含有图3A的示例')"生下部显示面^反和图4的示例'I"生上 部显示面^1的示例性LCD的布置图；图6是根据本发明第一示例性实施例的包括图1示例性B型像 素的示例性下部显示面才反的布置图；图7A是根据本发明第二示例性实施例的包括图1示例性A型 4象素的示例性下部显示面^1的布置图；图7B是沿图7A的线VIIB-VIIB'截取的示例性下部显示面板的 横截面图；图8是才艮据本发明第二示例性实施例的包括图1示例性B型像 素的示例性下部显示面4反的布置图；图9A是示出了当灰度级水平变化时图1的示例性A型4象素的 第 一子像素电极Pa与示例性B型像素的第 一子像素电极Pa之间的 亮度差的曲线图；图9B是示出了当灰度级水平变化时图1的示例性A型像素的 第二子像素电极Pb与示例性B型像素的第二子像素电极Pb之间的 亮度差的曲线图；图IO是才艮据本发明第三示例性实施例的示例性LCD中的一个 示例性<象素的等效电路图；图11A是4艮据本发明第三示例性实施例的示例性LCD的示例 性下部显示面^反的布置图IIB是沿图11A的线XIB-XIB'截取的示例性下部显示面板 的横截面图；图IIC是沿图11A的线XIC-XIC'截取的示例性下部显示面板 的横截面图；图12A是才艮据本发明第四示例性实施例的示例性LCD的示例 性下部显示面才反的布置图；图12B是沿图12A的线XIIB-XIIB'截取的示例性下部显示面4反 的横截面图；图13是示出了根据本发明第五示例性实施例的示例性LCD的 示例性下部显示面^反的一部分的^L图；图14是详细示出了图13中所示的一个示例性^象素电4及PX的 结构的布置图；图15是示出了图13中所示的示例性下部显示面^1应用于其中 的示例性LCD的冲匡图；以及图16是施加于每个示例性像素电极上用以实现包括白色图案 与灰色图案的图像图案的数据电压的波形图。
具体实施方式
参照下面对优选实施例的详细描述及附图，本发明的优点和特 征及其实现方法将更加容易理解。但是，本发明可以以许多不同的 形式实现，而不能被解释为局限于文中提出的实施例。相反，之所 以提供这些实施例，是为了4吏本7>开更加充分并完整，并向本领i或 技术人员充分传达本发明的概念，且本发明 <又由所附权利要求限
定。为了清楚描述的目的，附图中的各层或各区域的尺寸可能有所 放大。应当理解，当元件或层被指出"位于"另一个元件或层上时， 该元件或层可直4妄位于另 一个元件上或者还可能存在插入元件。相 反，当元件被指出"直接位于"另一元件上时，不存在插入元件。 通篇说明书中相同的标号表示相同的元件。当用在文中时，术语"和 /或"包4舌一个或多个相关所列术{吾的4壬4可一个以及所有《且合。应当理解，尽管在此可能使用术语第一、第二、第三等来描述 不同的元件、部件、区域、层和/或部分，《旦是这些元件、部件、区 域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语4又用于将一个元件、 部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分相区分。 因此，在不背离本发明宗旨的情况下，下文所述的第一元件、部件、 区域、层或部分可以称为第二元件、部件、区域、层或部分。在此^f吏用的术语〗又用于描述特定的实施例而并不旨在限定本 发明。当用在文中时，除非文中有其他明确指示，否则单数形式的"一个(a、 an)"、"这个(the)"还旨在包括复数形式。应当进一 步理解，当在本说明书中使用术语"包括(comprise, include)"和 /或"包含(comprising、 including)"时，是指存在所述的特征、区 域、整体、步骤、操作、元件、和/或部件，但是并不排除还存在或 附加一个或多个其他的特征、区域、整体、步骤、才喿作、元件、部 件、和/或其组合。可以4吏用^"如"在…下方"、"下面的"、"上面的"等术"^吾以容 易地描述如图中所示的一个元件、部件、其它元件、或部件之间的 位置关系。应当理解，这些术语不仅包括图中所示的方位而且还包 括4吏用或才喿作过程中的元件的其它方位。
下面参照作为本发明示例性附图的平面图和片黄截面图描述本 发明的优选实施例。示例性附图可通过制造技术和/或公差而修改。 因此，本发明的优选实施例并不限于附图中所示的具体结构，而是 包括基于制造工艺的#~改。因此，附图中所示的区域具有示意性的 特点。另外，附图中所示区域的形状只是例示了元件中区域的特定 形状，而并不限制本发明。下文中，将参照附图详细描述4艮据本发明示例性实施例的液晶显示器(LCD)。图1是示出了才艮据本发明第一示例性实施例的示例性LCD的 示例性像素阵列的示意图。图2是示出了图1的示例性LCD中的 一个示例性^象素的等效电路图。图1和图2的LCD包括液晶面才反组件(assembly);棚-才及驱 动器和数据驱动器，它们连接于液晶面板组件；灰度电压发生器， 连接至数据驱动器；以及用于控制它们的信号控制器。液晶面板组件包括多条显示信号线以及连接于显示信号线并 基本以矩阵形状设置的多个^象素PX。这里，液晶面板组件包括4皮面^反之间的'液晶层。参照图1和图2，显示信号线设置在下部显示面板上，并包括 传输栅极信号的多条栅极线G和传输数据信号的数据线Da、 Db。 栅极线G基本沿行方向(第一方向)彼此平行地延伸。数据线Da 与Db基本沿列方向(第二方向)彼此平行地延伸。其中第一方向 与第二方向基本垂直。
每一个〗象素PX均包4舌一只于子〗象素PXa与PXb。子像素PXa 与PXb分别包括切换元件Qa、 Qb,连接于相应的凄t据线Da、 Db及一条栅极线G;液晶电容器Clca、 Clcb，分别连接于切换元 件Qa、 Qb;以及一对存储电容器Csta、 Cstb，分别连接于液晶电 容器Clca、 Clcb。即，两条数据线Da、 Db以及一条栅极线G被分 配给一对子像素PXa、 PXb。在可替换的实施例中，如果需要的话， 可以不包括存储电容器Csta、 Cstb。相应子〗象素PXa和PXb的切换元件Qa和Qb具有i殳置于下部 显示面板上的薄膜晶体管(TFT)。每个切换元件Qa和Qb均为三 端子元件，包括控制端子(下文中称为"栅极电极")，连接于施 加有栅极信号的栅极线G;输入端子(下文中称为"源电极")，连 接于相应数据线Da和Db的每一条；以及输出端子(下文中称为"漏 电极，，)，连接至相应液晶电容器Clca和Clcb的每一个以及相应存 储电容器Csta和Cstb的每一个。每个液晶电容器Clca与Clcb均具有两个端子，包括下部显示 面板的子像素电才及Pa和Pb以及上部显示面板的共用电极，并且介 于子像素电极Pa、 Pb与共用电极之间的液晶层用作电介质。子像 素电极Pa和Pb分别连接于切换元件Qa和Qb。共用电极形成在上 部显示面纟反的整个表面上或者基本整个表面上，并纟皮施加以共用电 压Vcom。可*#换地，共用电才及可i殳置在下部显示面才反上。在这种 情况下，^象素电极和共用电极中的至少一个可以以线形或杆形形状 形成。子像素电极和设置在下部显示面板上的存储配线可彼此交叠， 其中它们之间插入有绝缘材料，因此形成辅助液晶电容器Clca、 Clcb 的存储电容器Csta、 Cstb。诸如共用电压Vcom的预定电压施加于 存储配线。这里，可替换地或附加地，子^f象素电极Pa、 Pb与先前的栅极线可彼此交叠，其中它们之间插入有绝桑彖材料，从而形成存储电容器Csta、 Cstb。同时，为了实现彩色显示，每个〗象素PX唯一地显示一组原色 (空间分区)中的一种颜色，亦或每个4象素PX临时地且交*#地显 示该组原色(时间分区)。这样，在空间与时间上合成原色，从而 得到所期望的颜色。原色的实例包括红、绿、和蓝三种颜色。作为 空间分区的实例，每个像素PX可具有一个滤色片，该滤色片在上 部显示面板的区域内显示颜色中的一种。另外，滤色片可形成在下 部显示面板的子像素电极Pa、 Pb的上方或下方。如下面将参照图15进一步描述的，栅极驱动器连接至栅极线 G，并将栅极信号施加于栅极线G，该栅极信号是通过将从来自于 外部的接通电压Von与关闭电压Voff相结合而获得的。灰度电压发生器可产生与像素的透射率相关的两组灰度电压 (或一组参考灰度电压)，并将产生的灰度电压组提供给数据驱动 器。即，这两组灰度电压可独立地才是供给形成4象素PX的一对子傳_ 素Pxa、 PXb。然而，本发明不局限于此。例如，取代两组灰度电 压，也可只产生一组灰度电压。数据驱动器连接至成对的lt据线Da、 Db。 ft据驱动器通过数 据线Da向形成像素的成对子像素中之一传输数据电压，以及通过 数据线Db向形成像素的成对子像素中的另一个子像素传输不同的 凄t据电压。栅极驱动器或数据驱动器可以以多个驱动集成电路(IC)芯片 的形式直接安装在液晶显示面板组件上或者可以附于液晶显示面 板组件上，同时通过带载封装(TCP)安装于柔性印刷电路膜(未 示出)上。可替换地，栅极驱动器或数据驱动器可连同显示信号线
G、 Da和Db、 TFT切换元件Qa和Qb等一起集成在液晶显示面4反 组件中。
信号控制器控制栅极驱动器、数据驱动器等的运行。
回到图1， 一个像素包括两个切换元件Qa、 Qb,以及分别连 接至切换元件Qa、 Qb的两个子像素电极Pa、 Pb。这里，假设相对 较高的数据电压施加于第一子像素电极Pa，而相对较低的数据电压 施加于第二子像素电极Pb。下文中，低数据电压和高数据电压表示 共用电压与数据电压之间的较低差值或较高差值。另外，具有通过 第 一数据线Da被施以数据电压的第 一子像素Pa的像素称为A型像 素；具有通过第二数据线Db被施以数据电压的第一子像素Pa的像 素称为B型像素。
如图1所示，A型像素与B型像素沿水平方向和竖直方向(即， 沿第一和第二方向)交^^排列，因此可以防止在LCD中^L察到竖 直条紋或水平条紋。
如果通过第一数据线Da将数据电压施加给所有像素的第一子 像素电极Pa，即，如果像素阵列仅包含A型像素，并且如果LCD 以列反转(column inversion )才莫式^皮驱动的话，那么就会观察到相 对于4企^r图案(其通过每帧的一个^f象素沿水平方向移动)沿水平方 向移动的竖直条紋。
进一步说，如果通过第一数据线Da将数据电压施加给一个像 素行的第一子〗象素电极Pa，而通过第二ft据线Db将ft据电压施加 *会下一<象素4亍的第一子<象素电才及Pa，即，当A型4象素4亍与B型^f象 素4亍交替排列时，那么，就可能防止出现上面提到的沿水平方向移 动的竖直条紋。然而，在每个第一子像素电极Pa与设置于每个第 一子像素电极Pa两侧的第 一和第二数据线Da、 Db之间发生耦合。
因为每个第 一子像素电极Pa与第 一和第二数据线Da、 Db之间的耦 合电容根据A型像素和B型像素而变化，所以，会观察到水平条紋。因此，如同图1所示的#4居本发明第一示例性实施例的LCD 那样，由于A型像素与B型像素沿水平方向和竖直方向交替排列， 因而就有可能防止上述沿水平方向移动的竖直条紋或水平条紋。然 而，当具有这种结构的LCD在低灰度级水平下运行时，液晶基本 通过被施以相对较高电压的第一子像素电极Pa而运行。因此，第 一子像素电极Pa与第 一数据线Da之间的耦合电容以及第 一子像素 电极Pa与第二数据线Db之间的耦合电容的差值减少，从而防止由 于色度亮度干扰而导致的显示质量降低。另外，如同本发明第一示例性实施例那样，由于第一、第二数 据线Da、 Db设置为使得第二子像素电极Pb与第一、第二数据线 Da、 Db交叠，并且第二子像素电极Pb围绕第一子像素电极Pa, 因此即使当A型4象素与B型像素并非沿水平方向和竖直方向交替设 置时，也有可能防止竖直条紋或水平条紋的出现。也就是i兌，通过 减少第一、第二数据线Da、 Db与第一子像素电极Pa之间的耦合电 容的差值，可以防止显示质量的降低。关于这一点，下面将作进一 步描述。以下，参照图3A至图5，将对根据本发明第一示例性实施例 的示例性LCD作进一步的描述。才艮据该示例性实施例的LCD包括 其上形成有TFT阵列的下部显示面才反、面乂十下部显示面才反的上部显 示面纟反、以及介于两个显示面才反之间的液晶层。首先，参照图3A至图3C,对才艮据第一示例性实施例的LCD 的下部显示面板进行描述。这里，图3A是根据本发明第一示例性 实施例的包括图1示例性A型^f象素的示例性下部显示面才反的布置 图。图3B是沿图3A的线11IB-niB'截取的示例性下部显示面^l的
横截面图。图3C是沿图3A的线IIIC-IIIC'截取的示例性下部显示面板的横截面图。基本沿水平或第一方向延伸并传输4册才及信号的栅—及线22形成 在绝缘基板10上，该绝缘基板可由透明玻璃等形成。每条栅极线 22被分配给一行像素。此外，在用于每个像素的栅极线22上形成 一对第一、第二突出栅极电极26a、 26b。 4册极线22与第一、第二 才册才及电才及26a 、 26b #皮称为棚4及配线。此外，存储线28形成于绝缘基板10上。存储线28与像素区 域交叉，并基本沿水平方向延伸，且因此至少基本与栅极线22平 行。存储电极27连接于存储线28并具有大于存储线28宽度的宽 度。存储电极27与像素电极82彼此交叠从而形成提高像素的电荷 容量(charge capacity )的存储电容器。存储电极27与存储线28被 称为存储配线。在该实施例中，存^f渚配线27、 28与〗象素区域的中 心交叠，^旦本发明并不局限于此。在可替换的实施例中，存储配线 27、 28的形状和排列可以以不同形式改变。此夕卜，当通过4吏<象素电 才及82与4册极线22交叠而产生足够的存4诸电容时，可不需包括存储 酉己纟戋27、 28。才册才及酉己线22、 26a、和26b及存4诸國己纟戋27、 28可由i者^口4吕(Al) 或铝合金的铝基金属、诸如银(Ag)或银合金的银基金属、诸如铜 (Cu)或铜合金的铜基金属、i者如钼(Mo)或钼合金的钼基金属、 铬(Cr)、钛(Ti)，或钽(Ta)形成。另外，栅极配线22、 26a、 26b中的每一条以及存々者配线27、 28中的每一条均可具有多层结 构，该多层结构包括具有不同物理属性的两层导电膜(未示出)。 在这种多层结构中，两层导电膜中的一层导电膜可由具有低电阻系 数的金属(例如铝基金属、银基金属、或铜基金属)制成，以减少 才册才及商己纟戋22、 26a、 26b中的每一条及存l诸酉己纟戋27、 28中的每一条 中的信号延迟或电压降。多层结构中的另 一层导电膜具体地由相对
于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、或其它4象素电才及材并+具有良 好接触性能的材料形成，且该另 一层导电膜可以是例如钼基金属、 铬、钛、或钽。这种多层结构的实例包括具有下部铬膜和上部铝膜 的结构，以及具有下部铝膜和上部钼膜的结构。但是，本发明不局 P艮fjt匕，JU册才及酉己纟戋22、 26a、 26b中的^一H4々者酉己纟戋27、 28 中的每一条可由不同于上述材料的各种金属材料或导体形成。由氮化硅(SiNx )等形成的4册极绝缘层30形成于栅极配线22 和存J诸配线27、 28上，以及绝纟彖层10的净果露表面上。由氢化非晶硅(a-Si)或多晶娃形成的半导体层40a、 40b形成 于棚4及绝纟彖层30上。半导体层40a、 40b可以具有多种形状，诸如 岛状或条状。例如，如所示的，半导体层40a、 40b可形成为具有 岛状的。半导体层40a、 40b形成为与栅极电极26a、 26b交叠。欧姆接触层55a、 56a形成在半导体层40a、 40b上，且可由硅 化物或n+氬化a-Si形成，其中，n+氢化a-Si以高浓度掺入了 n型 杂质。 一对欧姆接触层55a、 56a定位在半导体层40a、 40b的每一 个上。一对第一、第二数据线62a、 62b，以及分别与该第一和第二数 据线62a、 62b相对应的一对第一、第二漏电极66a、 66b形成于欧 姆接触层55a、 56a以及纟色缘层30上。第一、第二数据线62a、 62b基本沿竖直方向延伸，穿过栅极 线22与存4诸线28，并传输ft据电压。分别朝向第一、第二漏电拟_ 66a、 66b延伸的第一、第二源电才及65a、 65b分别从第一、第二凄史 据线62a、 62b中突出。如图3A所示， 一个像素被分为一对子像素， 第 一数据线62a向一个子像素传输数据信号，而第二数据线62b向 另 一子像素传输不同的数据信号，下面将对此进行进一步的描述。 第一、第二翁:据线62a、 62b,第一、第二源电才及65a、 65b， 以及第一、第二漏电极66a、 66b^皮称为数据配线。^尤选i也，凄t才居酉己纟戋62a、 62b、 65a、 65b、 66a与66b 6勺每一条 可由难熔金属形成，诸如铬、钼基金属、钽、或钛。另外，数据配 纟戋62a、 62b、 65a、 65b、 66a与66b的每一条可具有多层纟吉才勾，在 该多层结构中，由低电阻材料构成的上层(未示出)形成于由难熔 金属等构成的下层上。多层结构的实例可包括具有下部钼层、中间 铝层、以及上部钼层的三层结构以及上面纟是到的具有下部4各层和上 部铝层或具有下部铝层和上部钼层的双层结构。然而，本发明不局 P艮于jt匕，凄史才居酉己纟戋62a、 62b、 65a、 65b、 66a与66b的每一条可以 由不同于上述材料的多种金属材料或导体形成。半导体层40a、 40b分别至少部分地被第一、第二源电极65a、 65b交叠。相对于才册电才及26a、 26b，第一、第二漏电才及66a、 66b 分别面对第一、第二源电才及65a、 65b。半导体层40a、 40b分别至 少部分地4皮第一、第二漏电才及66a、 66b交叠。这里，上述的欧姆 接触层55a、 56a可存在于半导体层40a、 40b与第一、第二源电^L 65a、 65b之间以及半导体层40a、 40b与第一、第二漏电才及66a、 66b之间，/人而减少它们之间4妄触电阻。4屯4匕层70开j成于凄t才居酉己纟戋62a、 62b、 65a、 65b、 66a和66b 与棵露的半导体层40a、和40b上，以及栅极绝缘层30的棵露部分 上。钝化层70由无机材料(诸如氮化硅或氧化硅)、有机材料(具 有良好的平面特性和光敏性)、或具有低介电常数的绝缘材料(诸 如通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)形成的a-Si:C:O或 a-Si:O:F)制成。此外，4屯4匕层70可具有包括下部无片几层和上部有 机层的双层结构，以提高有机膜的特性并保护棵露的半导体层40a 和40b。另外，红、乡录或蓝滤色片层可用作4屯4b层70。
形成于钝化层70上的像素电极82包括相互分离的第一、第二 子像素电极82a、 82b。此处，第一、第二子像素电极82a、 82b的 每一个可由透明电导体(诸如ITO或IZO )或反射电导体(诸如铝) 制成。第一、第二子像素电极82a、 82b分别通过第一、第二接触孔 76a、 76b电连4妄至第一、第二漏电才及66a、 66b,并^皮施加以来自 第一、第二漏电极66a、 66b的不同数据电压。被施以数据电压的第一、第二子像素电极82a、 82b连同上部 显示面才反上的共用电才及一起产生电场，/人而确定第一、第二子4象素 电极82a、 82b与共用电极之间的液晶层中的液晶分子的排列。此外，如上所述，参照图2和图3A,子l象素电才及82a和82b 分别与共用电极形成液晶电容器Clca和Clcb,这样即使关闭TFT Qa 和Qb，也能维持所施加的电压。为了增大电压维持能力，与液晶 电容器Clca和Clcb并联连接的存储电容器Csta、 Cstab可以以这样 的方式形成，即，使得第一、第二子像素电极82a、 82b或连接至 第一、第二子^f象素电才及82a、 82b的第一、第二漏电4及66a、 66b与 存储配线27和28交叠。回到图3A至图3C, —个^f象素电才及82包4舌通过间隙83彼此电 隔离的第一、第二子〗象素电才及82a、 82b。第一子^f象素电才及82a具有 近乎水平的V形形状(诸如旋转并平截的V形)。第二子像素电极 82b形成于像素的除第一子像素电极82a与间隙83之外的区域中。 具体地，第二子像素电极82b形成为围绕第一子像素电极82a的外 围。
间隙83包4舌倾4+部分与竖直部分，其中倾4牛部分相只于于棚-才及 线22大约倾斜45°或-45°，竖直部分连接在倾斜部分之间并沿第一、 第二凄t据线62a、 62b布置。尽管图中并未显示，但可以形成相对于栅极线22大约倾斜45。 或-45。的域分割装置(未示出)，例如剪切块或凸起。像素电极82 的显示区域沿一定方向净皮分为多个域，所述方向即，当施加电场时， 液晶层中所包含的液晶分子的主指向矢在施加电场的时候沿此方 向排列。间隙83与域分割装置用以将像素电才及82分为许多域。域 是指这样的区域，其中形成有液晶分子，同时像素电极82与共用 电极卯之间所形成的电场使得液晶分子沿预定方向共同地倾斜。如上所述，整个第一子像素电极82a呈V字型，而第二子像素 电极82b形成为围绕第一子像素电极82a。具体地，第二子像素电 极82b包括主区域和桥接区域。主区域邻近间隙83的倾斜部分， 它们相对于栅极线22大约倾斜45°或-45°,并控制液晶分子的运动。 桥接区域邻近间隙83的竖直部分，沿第一、第二数据线62a、 62b 布置，并将主区域4皮此连4妄。如图3A和图3C所示，第一、第二数据线62a、 62b形成为使 得第二子像素电极82b至少部分地与第一和第二数据线62a、 62b 交叠。优选地，第一、第二数据线62a、 62b形成为使得第二子像 素电极82b完全与第一和第二数据线62a、 62b交叠。具体地，第 二子像素电极82b的桥接区域与第一、第二数据线62a、 62b交叠。排列层(未示出)可覆盖于第一、第二子像素电极82a、 82b 与4屯化层70上。下面，参照图4和图5,将对示例性上部显示面4反及示例性LCD 进行描述。这里，图4为连接至图3A的示例性下部显示面玲反的示
例性上部显示面板的布置图。图5为包括图3A的示例性下部显示 面4反与图4的示例性上部显示面才反的示例性LCD的布置图。防止光线泄漏并限定〗象素区域的黑色矩阵94形成于由透明玻 璃等制成的绝乡彖基4反(未示出)上。黑色矩阵94可形成在与棚-才及 线22及第一、第二数据线62a、 62b对应的部分上，以及与TFT对 应的部分上。另外，黑色矩阵94可具有不同的形-l犬以阻挡第一、 第二子^f象素电才及82a、 82b与TFT周围的光线泄漏。黑色矩阵94 可由诸如铬或氧化铬的金属(金属氧化物)或有机黑色抗蚀剂制成。在黑色矩阵94中，红、绿、蓝滤色片(未示出)可顺序地布 置于Y象素区域内。在滤色片上可形成覆盖层(未示出)，以便去除滤色片之间的 梯级(step )。由诸如ITO或IZO的透明导电材料形成的共用电极90形成于 覆盖层上。共用电极90可包括面对第一、第二子像素电极82a、 82b 且相对于栅极电线22倾斜大约45°或-45°的域分割装置92,并可包 括剪切块或凸起。排列液晶分子的排列层(未示出)可形成于共用电极90上。接，液晶材料注入上下显示面板之间并垂直排列。这样，才艮据第一 示例性实施例的LCD的基础结构i"更形成了 。在没有对像素电极82与共用电极90施加电场的情况下，液晶 层中包含的液晶分子排列为使得其方向矢垂直于下部显示面板和 上部显示面板。另外，液晶分子具有负介电各向异性。
除了上述基本结构，LCD还可包括诸如偏振器和背光的部件。 这里，偏振器可分别设置在基本结构的两侧上，以使偏振器的一个 发射轴与栅极线22平行，而另 一发射轴与棚-极线22垂直。当在下部显示面才反和上部显示面才反之间施加电场时，几乎在所 有区域都会产生垂直于上下显示面才反的电场。然而，水平电场在4象 素电极82的间隙83以及共用电极90的域分割装置92的周围产生。 水平电场协助排列各个域中的液晶分子。由于该实施例的液晶分子具有负介电各向异性，因此当对液晶 分子施加电场时，各个域中的液晶分子就会倾斜，以与间隙83或 分割所述域的域分割装置92垂直。因此，液晶分子在间隙83的两 侧或域分割装置92上沿不同方向倾杀+,且间隙83的倾4+部分或域 分割装置92的倾斜部分关于每个像素中心对称。这样，液晶分子 沿四个方向相对于棚—及线22基本倾杀牛45。或-45。。由于光学特性因 沿四个方向倾在+的'液晶分子而纟寻以互补，所以 一见角增加。下面，参照图3A至图5，对根据本发明第一示例性实施例的 示例性LCD的运行进行描述。在A型像素中，向连接于第一凄t据线62a的第一子《象素电拟^ 82a施加相对较高的数据电压，向连接于第二数据线62b的第二子 像素电极82b施加相对较低的数据电压。因此，可能提高LCD的 侧部可见度。具体地，当LCD在4氐灰度级水平下运行时，液晶基本通过3皮 施以较高数据电压的第 一 子像素电极82 a运行，而没有对第二子像 素82b施力。电压。在这种情况下，由于第二子4象素电极82b基本4皮 施以与上部显示面板上的共用电极90相同的电压，因此设置在第 二子<象素电4及82b上方的液晶分子就会排列成4吏得其方向矢垂直于
下部显示面板。因此，从背光中所发射的光线不能穿过第二子像素电才及82b，而是^皮阻挡了。当LCD在高灰度级水平下运行时，由于LCD的整体亮度较高， 因此光泄漏无关紧要。由此看来，防止在LCD在低灰度级水平下 运4亍时的光泄漏更为重要。通常，光泄漏在第一、第二凄t据线62a、 62b周围发生。但是，如本发明的第一示例性实施例中那样，当第 二子像素电极82b与第一、第二数据线62a、 62b交叠，且LCD在 低灰度级水平下运行时，穿过第二子像素电极82b的光线被第二子 《象素电才及82b阻挡，并可防止第一、第二数据线62a、 62b周围的 光泄漏。进一步说，可以通过使用围绕第一子像素电极82a周围的 第二子〗象素电才及82b且没有增加黑色矩阵94的面积来防止光泄漏， 从而提高了孔径比。当被施以较高电压的第一子像素电极82a与第一、第二数据线 62a、 62b之间的耦合电容;f皮此不相一致时，LCD的显示性能会降 低。为此，第一子像素电极82a设置为使得第一子像素电极82a不 与第一、第二凄t据线62a、 62b交叠，以减小第一子^f象素电才及82a 与第一、第二数据线62a、 62b之间的耦合电容。这样就可以防止 耦合电容影响LCD的显示性能。下面，参照图6，将对根据本发明第一示例性实施例的示例性 LCD的示例性下部显示面板的另一部分进行描述。图6为根据本发 明第一示例性实施例的包括图1的示例性B型像素的示例性下部显 示面才反的布置图。为了方使/说明，用相同参考标记表示具有与图3A 至图5中的那些部件相同功能的部件，并因而省略对其的描述。下 文^f又针对不同之处进行描述。如图6所示，与A型像素不同的是，B型像素包括通过第一 接触孔76a连接至第二子像素电极82b的第一漏电才及66a，以及通 过第二接触孔76b连接至第一子像素电极82a的第二漏电极66b。 向连接至第二数据线62b的第 一子像素电极82a施加相对较高的电 压，而向连接至第一数据线62a的第二子像素电极82b施加相对较 低的电压。因此，可以提高LCD的侧部可见度。在具有上述结构的LCD的情况下，可以防止第一、第二数据 线62a、 62b周围的光泄漏并提高LCD的孔径比。此外，第一子像 素电极82a与第一、第二数据线62a、 62b之间的耦合电容减小， 从而防止LCD的显示性能的降低。下面，参照图7A和图7B，对4艮据本发明第二示例性实施例的 示例性LCD的示例性下部显示面板进行详细描述。图7A为根据本 发明第二示例性实施例的包括图1的A型像素的示例性下部显示面 板的布置图。图7B是示出了沿图7A的线VIIB-VIIB'截取的示例性 下部显示面^反的;f黄截面图。为方使j兌明，用相同参考标记表示具有 与上述实施例(图1至图6)中的那些部件相同功能的部件，并因 而省略对其的描述。下文4又4十对不同之处进4亍描述。如图7A和7B所示，为了进一步减小第一子4象素电才及82a与 第一、第二数据线62a、 62b之间的耦合电容，形成连接至存储线 28并基本沿垂直方向延伸且与第一、第二数据线62a、 62b相平行 的第一、第二辅助存储电极29a、 29b。这里，第一、第二辅助存储电极29a、 29b可形成为4吏得将第 一子像素电极82a与第二子^f象素电极82b 4皮此分开的间隙83部分 地与第一、第二辅助存储电极29a、 29b交叠。这里，间隙83包括 倾斜部分与竖直部分，其中倾斜部分相对于栅极线22倾斜大约45° 或-45° ，而垂直部分连接在倾斜部分之间且沿第 一 、第二数据线62a、 62b布置。因此，优选地，第一、第二辅助存储电极29a、 29b部分
地与邻近第一、第二数据线62a、 62b的间隙83的竖直部分交叠。 第一、第二辅助存储电极29a、 29b可从存储电极27的边缘突出。第一、第二辅助存储电极29a、 29b与第一子像素电极82a形 成存储电容器，从而可防止第一子像素电极82a与第一、第二数据 纟戋62a、 62b之间的津禺合。此外，如图7B所示，当第一子像素电极82a部分地与第一、第 二辅助存储电极29a、 29b交叠时，可进一步降低第一子像素电极 82a与第一、第二数据线62a、 62b之间的耦合电容。第一子像素电 极82a与每个第一、第二辅助存储电极29a、 29b之间的交叠宽度 为L，大小可以是例如大约1至大约3 pm。下面，参照图8，对才艮据本发明第二示例性实施例的示例性LCD 的示例性下部显示面4反的另一部分进行描述。图8是4艮据本发明第 二示例性实施例的包:l舌图1的示例性B型^f象素的示例性下部显示面 板的布置图。为方便描述，用相同参考标记表示具有与图7A和图 7B中的那些部件相同功能的部件，并因而省略对其的描述。下文 仅针对不同之处进行描述。如图8所示，在B型像素中，第一漏电才及66a通过第一4妄触孔 76a连接于第二子像素电极82b，而第二漏电极66b通过第二接触 孔76b连4妻于第一子Y象素电才及82a。向连4妻于第二凄t据线62b的第 一子像素电极82a施加相对较高的电压，而向连接于第 一数据线62a 的第二子像素电极82b施加相对较低的电压。因此，可提高LCD 的侧部可见度。如同上面对图7A和图7B中所示的A型^f象素的描述，图8中 所示的B型像素包括第一、第二辅助存储电极29a、 29b。
在具有上述结构的LCD的情况下，如同第一示例性实施例那 样，可以防止第一、第二tt据线62a、 62b周围的光泄漏，并提高 LCD的孔径比。另外，通过第一、第二辅助存储电极29a、 29b, 第一子像素电极82a与第一、第二数据线62a、 62b之间的耦合电 容也进一步有效减小，从而防止LCD的显示性能降寸氐。下面，参照图1、图9A和图9B,对在根据本发明示例性实施例 的LCD中的子像素电极与数据线之间的耦合电容进行描述。优选 地，当在LCD中显示动态图像时，增加了输入图像信号的频率并 提高了液晶分子的响应速度，以防止残留图像与待产生图像的模 糊。例如，在120Hz或更高的频率下运行的LCD中，优选地，考 虑到液晶分子的响应速度，LCD以列反转模式被驱动，而非以点反 转模式被驱动。下文中，将根据通过列反转模式被驱动的LCD作 为实例对子像素电极与数据线之间的耦合电容进行详细描述。在以 列反转模式被驱动的LCD中，在第一帧期间，向第一数据线Da施 加正极性数据电压，向第二数据线Db施加负才及性数据电压(这里， 正负极性指的是数据电压相对于共用电压的极性，如下面参照图16 将要详细描述的)。在第二帧期间，向第一凄t据线Da施加负才及性it 据电压，向第二数据线Db施加正才及性数据电压。首先，参照图1和图9A，对被施以较高数据电压的第一子像 素电极Pa与数据线Da、 Db之间的耦合电容进行描述。图9A是出 了当灰度级水平发生变化时图1的示例性A型像素的示例性第一子 像素电极Pa与示例性B型像素的示例性第 一子像素电极Pa之间的 亮度差的—见图。这里，由于A型^f象素与B型^f象素的第一子〗象素电极 Pa同第 一数据线Da毗邻的面积大于同第二数据线Db毗邻的面积， 因此第 一 子像素电极Pa与第 一数据线Da之间的耦合电容主要影响 了 LCD的亮度变化。此外，在高灰度级水平下，第一子^f象素电相^ Pa总是具有高亮度，而在低灰度级水平下，却发生亮度变化。 在A型像素的情况中，在第一帧期间，通过第一数据线Da向 第一子像素电才及Pa施加正才及性数据电压。在第二帧期间，向第一 数据线Da施加负极性数据电压。因而，在第二帧期间在向第一子 像素电极Pa施加数据电压之前，在第 一子像素电极Pa与第 一数据 线Da之间发生耦合，并且减少了在第一帧期间中存储在第一子4象 素电极Pa中的数据电压。因此，第一子像素电极Pa的亮度也随之 减弱。在B型像素的情况中，在第一帧期间，通过第二数据线Db向 第一子像素电极Pa施加负极性数据电压。在第二帧期间，向第一 数据线Da施加负极性数据电压。因而，在第二帧期间在通过第二 数据线Db向第一子像素电极Pa施加数据电压之前，在第一子像素 电极Pa与第一数据线Da之间发生耦合，因此在第一帧期间存储在 第一子像素电极Pa中的数据电压进一步增加。因此，第一子像素 电极Pa的亮度也随之增强。在图9A中，亮度差数据指的是关于第一和第二帧的A型像 素的第一子像素电极Pa的亮度均方根(RMS)数值与关于第一和 第二帧的B型像素的第 一子像素电极Pa的亮度RMS数值之差。如 图9A所示，即使在低灰度级水平下A型像素和B型像素的第一子 像素电极Pa之间存在亮度差，但差值也仅约为1.5%或更低。这就 意味着，第一子像素电极Pa与第一、第二数据线Da、 Db之间的耦 合电容也大大减小。参照图1和图9B,对被施以较低数据电压的第二子像素电极 Pb与数据线Da、 Db之间的耦合电容进行描述。图9B是示出了当 灰度级水平发生变化时，图1的示例性A型像素的示例性第二子像 素电极Pb与图1的示例性B型像素的示例性第二子像素电极Pb 之间的亮度差。这里，因为A型、B型像素的第二子像素电极Pb 同第 一数据线Da之间的交叠面积比其同第二数据线Db之间的交叠
面积大，所以第二子像素Pb同第一数据线Da之间的耦合电容主要 影响LCD的亮度变化。另外，由于第二子像素Pb在低灰度级水平 下不运行而仅在高灰度级水平下运行，因此，亮度差的变化发生在 高灰度级水平下。在A型像素的情况中，在第一帧期间，通过第二数据线Db向 第二子像素电极Pb施加负极性数据电压。在第二帧期间，向第一 凄史据线Da施加负才及性^t据电压。因而，在第二帧期间，在通过第 二数据线Db向第二子像素电极Pb施加数据电压之前，在第二子像 素电极Pb与第一数据线Da之间发生耦合，并且在第一帧期间存储 在第二子像素电极Pb中的数据电压增加。因此，第二子像素电极 Pb的亮度也随之增强。在B型像素的情况中，在第一帧期间，通过第一数据线Da向 第二子像素电极Pb施加正极性数据电压。在第二帧期间，向第一 4改据线Da施加负^L性凄史据电压。因而，在第二帧期间，在通过第 一数据线Da向第二子像素电极Pb施加数据电压之前，第二子像素 电极Pb与第 一数据线Da之间发生耦合，并且在第 一帧期间存储在 第二子像素电极Pb中的数据电压减少。因此，第二子像素电极Pa 的亮度也随之减弱。在图9B中，亮度差数据指的是关于第一和第二帧的A型像 素的第二子像素电极Pb的亮度RMS数值与关于第 一和第二帧的B 型像素的第二子像素电极Pb的亮度RMS数值之差。如图9B所示， 即使在高灰度级水平下在A型和B型像素的第二子像素Pb之间存 在亮度差，亮度差也仅约为2.5%或更低。这就意味着，即使当第二 子像素电极Pb与第一、第二数据线Da、 Db交叠时，第二子像素 电极Pb与第一、第二数据线Da、 Db之间也仅存在较小耦合电容。
下面，参照图10至图IIC，将描述根据本发明第三示例性实施例的 示例性LCD。为方〗更描述，用相同参考标记表示具有与上述实施例 中的那些部件相同功能的部件，并因而省略对其的描述。下文仅针 对不同之处进行描述。首先，图10示出了示例性显示信号线与示例性像素的等效电 路图。图IO是根据本发明第三示例性实施例的示例性LCD中一个 示例性^像素的等效电^各图。如图IO所示，显示信号线包括栅极线GL、数据残Dl以及第 一、第二存^f诸线SLp SL2。第一、第二存4诸线SLp SL2基本以平 行于棚-极线GL等的方向延伸。另外，毎个像素PX均包括例如第一和第二子像素Ph、 Pl。这 里，第一和第二子^象素Ph、 Pl包括切换元件Q1、 Q2，它们分别 连接于栅极线Gl和数据残DL;液晶电容器Clca、 Clcb,它们分别 连接于切换元件Ql、 Q2;以及存储电容器Csta、 Cstb，它们分别 连接于切换元件Q1、 Q2和存储线SLp SL2。具体地，第一子^象素Ph包括第一切换元件Q1，其连4妄于棚-才及线Gt和凄t据线DL;第一液晶电容器Clca,其连4妄于第一切换元 件Q1;以及第一存储电容器Csta，其连接于第一切换元件Ql和第 一存储线S"。另外，第二子像素Pl包括第二切换元件Q2,其 连接于栅极线Gi^和数据线D^第二液晶电容器Clcb，其连接于第 二切换元件Q2;以及第二存储电容器Cstb，其连接于第二切换元 件Q2和第二存4诸线SL2。。相应第一、第二子像素Ph、 Pl的第一和第二切換元件Q1、 Q2 从同一条栅极线Gl分支而成，可以包括TFT等。这里，每个第一 和第二切换元件Ql和Q2均可为三端子元件，包括作为控制端
子的栅极电极，其连接于栅极线GL;作为输入端子的源电极，其连 接于数据线Dd以及作为输出端子的漏电极，其连接于每个液晶电 容器Clca、 Clcb及每个第一和第二存储电容器Csta、 Cstb。每个液晶电容器Clca与Clcb均具有下部显示面才反的第一、第 二子像素电极以及上部显示面板的共用电极的两个端子，并且介于 第一、第二子像素电极Pa、 Pb与共用电极之间的液晶层用作绝缘 体。第一、第二子^f象素电4及分别与切换元件Ql和Q2相连4妻。共 用电极形成在上部显示面板的整个表面上或几乎整个表面上，并被 施以共用电压Vcom。分别协助第一、第二液晶电容器Clca、 Clcb的第一、第二存4诸 电容器Csta、 Cstb具有第一、第二存储线SL、SL2以及彼此交叠 i殳在下部显示面^反上的第一、第二子《象素电才及，第一、第二子^f象素 电极之间插有绝纟彖材料。第一、第二存4诸电压可分别施加于第一、 第二存储线SLp SL2上。第一、第二存储电压可具有彼此不同的数 值，比如，4皮此呈反相的共用电压Vcom。这里，在第一子像素PH的第一子像素电极与第二子像素Pl的第二子像素电极中可形成不同的数据电压。具体地，通过第一、第二切换元件Q1、 Q2从数据线Dt中向 第一子像素电极和第二子像素电极施加相同的凄t据电压。这里，因 为第一子像素电极与第一存储线SL!相连，施加到第一子像素电极 的数据电压与施加到第一存储线SL,的第一存储电压相耦合，所以 数据电压的数值改变。以相同的方式，因为第二子像素电极与第二 存储线SL2相连，施加到第二子4象素电极的数据电压与施加到第二 存储线SL2的存储电压相耦合，所以数据电压的数值改变。如上所 述，当第一、第二存储电压具有彼此不同的电压时，作为结果，在 第 一和第二子像素电极中形成的数据电压也具有互不相同的电压。 比如，第一子像素电极中形成的数据电压可具有比第二子像素电极中形成的数据电压更大的数值。在这种情况下，第一子像素Ph 可以在低灰度级水平下开始运行，而第二子像素Pl可以在中灰度級 或更高灰度级水平下运行。下面，参照图IIA至图IIC，将详细描述根据本发明第三示例 性实施例的示例性LCD的示例性下部显示面^反。这里，图11A为 才艮才居本发明第三示例性实施例的示例性LCD的示例性下部显示面 氺反的布置图。图IIB为沿图11A的XIB-XIB'线截取的示例性下部 显示面板的布置图。图IIC为沿图11A的XIC-XIC'线截取的示例 性下部显示面^反的截面图。栅极线122与第一、第二存储线128a、 128b形成于绝缘基板 IO之上，绝缘基板例如由透明玻璃等制成。多条栅极线122沿第一方向(例如，水平方向)延伸，互相分 开、互相电隔离。栅极线122传送栅极信号。此外，在像素行中， 对应每个j象素在每条栅极线122上形成以突起形状形成的栅极电才及 126。栅4及线122与冲册才及电才及126共称为才册才及配线。第一和第二存^f诸线128a、 128b基本在与栅极线122相同的方 向上延伸，分别具有存储电极129a、 129b。存储电极具有比存储线 128a、 128b大的宽度。这里，像素电极182 (下面还将详细介绍) 与第一、第二存々者电才及129a、 129b互相交叠，乂人而形成存々者电容 器，该存储电容器提高了像素的电荷容量。第一和第二存储线128a、 128b与第一、第二存储电极129a、 129b共称为存储配线。在替换 实施例中，第一和第二存i者线128a、 128b与第一、第二存储电^L 129a、 129b的形状和排列可以不同方式进行改变。/人外部供应的第 一、第二存J诸电压，比4口互成反相的共用电压Vcom，可以施力口于 第一、第二存储线128a、 128b上。 冲册才及配线122、 126与存4渚配线128a、 128b、 129a、 129b可用与先前参照图3A描述的栅极配线22、 26a、 26b基本相同的材料制成。由氮化硅等制成的栅极绝缘层30形成在4册极配线122、 126和 存^f诸配线128a、 128b、 129a、 129b上，以及绝纟彖基玲反10的棵露表 面之上。由氢化非晶硅或多晶硅制成的半导体层140形成在栅极绝缘层 30上。半导体层140可具有多种形状，如岛状或条状。比如，如图 IIA所示的，半导体层140为岛状，并形成得与栅才及电极126所占 据的区域交叠。由硅化物或以高浓度掺入n型杂质的n+氢化a-Si制成的欧姆 <接触层155、 156形成在半导体层140上。凄t据线162、源电才及165、第一、第二漏电极166a、 166b形成 于欧姆接触层155、 156和栅极绝缘层30之上。数据线162沿第二方向(例如，竖直方向)延伸，与栅极线122、 存4诸线128a、 128b相互交叉，并传送凄t据电压。源电才及165乂人每 条片册4及线162延伸并朝向第一、第二漏电才及166a、 166b延伸。如 图11A所示，从数据线162向源电极165施加的数据电压通过每个 第一、第二漏电极166a、 166b被传送^个第一、第二子像素电 极182a、 182b。凄史据线162、源电才及165、以及第一、第二漏电才及166a、 166b 共称、为H才居配线。凄t才居配线162、 165、 166a、 166b可用与先前参 照图3A4苗述的凄t才居酉己线62a、 62b、 65a、 65b、 66a、 66b基本才目同的材料制成。
半导体层140部分地与源电极165交叠，源电极是以分支形状 从数据线162中分支。半导体层140至少部分地由相对于棚-极电极 126面向源电极165的第一、第二漏电极166a、 166b交叠。这里， 上面提到的欧姆接触层155、 156可能存在于半导体层140与源电 极165之间以及半导体层140与第一、第二漏电才及166a、 166b之 间以减少4妄触阻力。每个第一、第二漏电极166a、 166b均包括与毗邻源电极165 的半导体层140交叠的杆状图案、以及自杆状图案延伸并具有与存 〃賭电才及129a、 129b大交叠面积的漏电才及延伸部分。第一、第二摘「 触孑L 176a、 176b位于每个漏电极延伸部分上。漏电极延伸部分与 像素电极182或第一、第二存储电极129a、 129b相互交叠以形成 存储电容器。4屯4匕层70形成于凄史才居酉己纟戋162、 165、 166a、 166b和净果露的半 导体层140上，以及栅极绝缘层30的棵露部分之上。第一、第二 接触孔176a、 176b形成得穿过钝化层70以露出第一、第二漏电极 166a 、 166b的漏电才及延伸部分的大面积部分。形成于钝化层70上的像素电极182包括第一、第二子像素电 极182a、 182b，子像素电极通过间隙183彼此分开。这里，每个子 像素182a、 182b均可由透明电导体(诸如ITO或IZO )或反射性 电导体(如铝)制成。第一、第二子像素电极182a、 182b分别通过第一、第二接触 孑Ll76a、 176b与第一、第二漏电才及166a、 166b电连4妄，并4皮供以 来自于第一、第二漏电极166a、 166b的数据电压。 被施以数据电压的第一、第二子像素电才及182a、 182b与上部 显示面才反上的共用电才及共同产生电场，/人而决定了第一、第二子傳_ 素电极182a、 182b与共用电极之间的液晶分子的排列。jt匕夕卜，参照图10与图11A，子像素电极182a、 182b与共用电 极形成液晶电容器Clca、 Clcb,并且即使在关闭TFTQ1、 Q2之后， 仍能维持所施加的电压。为了增大电压维持能力，可以以下述方式 形成与液晶电容器Clca和Clcb并联连接的存储电容器Csta、 Cstb, 所述方式即，佳:得存4诸配线128a、 128b由第一、第二子^f象素电才及 182a、 182b或由与第一、第二子^象素电才及182a、 182b相连的第一、 第二漏电才及166a、 166b交叠。具有互不相同数值的第一、第二存储电压可分别施加于第一、 第二存储线128a、 128b。比如，第一、第二存储电压可为互成反相 的共用电压Vcom。由于第一、第二子j象素电才及182a、 182b分别与第一、第二存 储线128a、 128b相连接，施加于第一子i象素182a的数据电压和施 加于第二子^f象素182b的数据电压也分别与第一、第二存储电压相 耦合，因此其数值改变。例如，第一和第二存^f诸电压可为互成反相的电压。因此，第一、 第二子像素电极182a、 182b之间具有预定的电压值偏离。比如， 即使从相同数据线162中接收数据电压，第一子像素电极182a中 形成的数据电压也可能高于第二子^f象素电才及182b中形成的凝:据电 压。在示例性实施例中，第一子像素电极182a可在低灰度级水平 下运行，第二子像素电极182b可在中灰度级水平或更高灰度级水 平下运行。 回到图IIA至图IIC， 一个像素电极182包括第一、第二子像 素电极182a、 182b，它们之间隔开间隙183，且彼此电隔离。优选地，第一子l象素电才及182a形成在〗象素区域内以1更与数据 线162不相交叠。比如，第一子^f象素电才及182a可能具有如图所示 的矩形形状，^旦本发明并不局限于此。第二子j象素电才及182b形成于<象素中除去第一子<象素电4及182a 之外的区域。更明确地说，第二子像素电极182b围绕第一子像素 电极182a的外边缘或外围，即，围绕第一子像素电极182a的上/ 下/左/右。优选地，第二子像素电4及182b的至少一部分与凄t据线162 相交叠。第二子^f象素电才及182b可与凄t据线162交叠预定宽度d2, 交叠宽度d2可在大约2至3 pm的范围内。第二子像素电极182b 可与第二子像素电极182b从中接收数据电压的数据线162交叠， 第二子^f象素电极182b也可与毗邻数据线162交叠。这里，第二子 像素电极182b与数据线162交叠从而增加LCD的孔径比。将第一、第二子像素电极182a、 182b 4皮此分开的间隙183的 宽度可为dl， dl的大小例4o大约为5至6 )Lim。起初，通过数据线162将相同的数据电压施加给第一、第二子 ^f象素电4及182a、 182b。 ^f旦是，由于第一、第二存4诸线128a、 128b 与第一、第二子像素电极182a、 182b之间的连接，在第一子像素 电极182a中形成较高的数据电压，而在第二子像素电极182b中形成较低的数据电压。这样，LCD的侧面可见度得到提高。另夕卜，第一子像素电极182a与数据线162并不交叠，但是第 二子像素电极182b设在第 一子像素电极182a与数据线162之间以防止二者之间的耦合。这样，可以有效地防止竖直方向的色度亮度 干扰。
具体地，当LCD在低灰度级水平下运行时，由于液晶基本上 通过被施以较低电压的第一子像素电极182a运行，因此可以通过 防止第一子像素电极182a与数据线162之间的耦合而有效地防止 竖直方向的色度亮度干扰。用于排列液晶层的队列层(图中未示)可适用于第一、第二子 <象素电才及182a 、 182b及4屯化层70。下面，参照图12A、 12B，将描述才艮据本发明第四示例性实施例的 对示例性LCD的示例性下部显示面板。这里，图12A为根据本发 明第四示例性实施例的示例性LCD的示例性下部显示面才反的布置 图。图12B为沿图12A的线XIIB-XIIB'截取的示例性下部显示面板 的截面图。为方^f更描述，用相同参考标记表示具有与上述实施例中 的那些部件相同功能的部件，并因而省略对其的描述。下文^f又针对不同之处进行描述。与第一子像素电极182a相连的第一存储配线127、 128a、 129a 包括第一存储线128a,沿与栅极线122基本相同的方向延伸；第 一存储电极129a，从第一存储线128a突出，具有较大宽度，并通 过与第一漏电极166a交叠而形成存储电容器；以及辅助存储电极 127，其乂人第一存〗诸线128a中分支，并沿间隙183延伸。在所示的 实施例中，辅助存储电极127的第一部分沿间隙183的一部分延伸， 该一部分毗邻像素电极182从中接收数据电压的数据线162，辅助 存储电极127的第二部分沿间隙183的一部分延伸，该一部分邮匕邻 行方向中毗邻像素的数据线162。第一、第二子像素电极182a、 182b可4皮此隔开间隙183的宽 度，例如，隔开大约为5至6 )Lim的宽度。为防止通过间隙183发 生光泄漏，从第一存储线128a中分支的辅助存储电极127与间隙183相互交叠，这样，间隙183的周围使_被封阻，/人而可以防止光 泄漏。辅助存储电极127可以从第一存储线128a中分支，并基本与 数据线162平行延伸。下文中，参照图13至图16,将对4艮据本发明第五示例性实施 例的示例性LCD进4于描述。图13是示出了根据本发明第五示例性实施例的示例性LCD的 示例'性下部显示面^反的一部分。参照图13,下部显示面板210包括基底板212、多条4册极线 GL1至GLn (图中只示例性地标出GL3-GL6 )、以及多个凄t据线对 DL1/DL2、 DL3/DL4、 DL5/DL6至DLm-l/DLm (图中只示例'f生i也 标出DL3/DL4-DL7/DL8)、以及多个像素PX。根据本发明第五示 例性实施例的下部显示面板210还包括向每个像素提供两个不同极 性数据电压的第一切换元件Tl和第二切换元件T2 (如图14中更 详细描述的)。基底板212为透明绝缘基板并且包括多个以矩阵形式布置的像 素区域PA。多条栅极线GL1至GLn及多个数据线对DL1/DL2、 DL3/DL4、 DL5/DL6至DLm-l/DLm形成并l文i殳于基底4反212上。 多条栅极线GL1至GLn沿第二方向D2延伸。多个数据线对 DL1/DL2、 DL3/DL4、 DL5/DL6至DLm-l/DLm基本沿第一方向Dl 延伸，以4吏多个翁::悟线^寸与多条4册才及线GL1至GLn相互绝》彖并与 之交叉。这里，凄t据线对DL1/DL2、 DL3/DL4、 DL5/DL6至DLm-l/DLm是通过将每两个相邻的婆史才居线分为 一组而形成的，并且一个^象素区域PA与每个数据线对交叠。每个数据线对具有z字形形状，其中 数据线对的该形状在第二方向D2上重复从而在每个^f象素区域PA 内就具有"M"形状。在多个^f象素区i或PA上分别形成有多个像素电才及PX ，比如PX1 、 PX2，它们以矩阵形状布置。每个像素电极PX包括第一子像素电 极(比如像素电极PX1的PXa、像素电极PX2的PXc )，以及第二 子像素电极(比如像素电极PX1的PXb、像素电极PX2的PXd), 它们沿第二方向D2顺序:l也形成。另外，除^f象素电才及PX之外，第 一、第二薄膜晶体管T1、 T2也形成在像素区域PA上。图14是详细示出了图13中所示的一个示例性像素电极PX1 的结构。参照图14,像素电极PX1包括第一子像素电极PXa和第二子 像素电极PXb。像素电极PX1具有中心，该中心平行于栅极线GL3 沿向左方向弯曲，并且该4象素电才及PX1关于该弯曲中心刈-称、。因而， 像素电极PX1的两端沿向右方向弯曲，与像素电极PX1的中心弯 曲所沿的方向相反。与4象素电才及PX1相只于应的W居线DL4以及凄t:悟线^" DL3/DL4 中的另 一条数据线DL3 4皮此相邻并基本沿第一方向Dl形成。因而， 像素电极PX1与数据线对DL3/DL4交叠。数据线DL3和DL4可被 施加相互不同的数据电压，并且数据线DL4向像素电极PX1传送 数据电压。第一薄膜晶体管Tl由栅极线GL3和数据线DL4形成，并且第 一子像素电极PXa电连接于第一薄膜晶体管Tl。第一薄膜晶体管 Tl包括分支于4册极线GL3的第一栅极电极Gl;分支于翁:据线DL4的第一源电才及Sl;以及与第一源电才及Sl分开并通过第一4妄触 孔H1电连接于第一子像素电极PXa的第一漏电极Dl。第二薄膜晶体管T2由栅极线GL3和数据线DL5形成，并且第 二子像素电极PXb电连接于第二薄膜晶体管T2。这里，值得注意 的是，数据线DL5形成得与相邻的像素电极PX2相对应，即，与 相邻的^f象素电才及PX2交叠。第二薄膜晶体管T2包括分支于栅极线GL3的第二栅极电极 G2;分支于数据线DL5的第二源电极S2，其与相邻像素电极PX2 相对应地被敷设；以及与第二源电极S2分开，并通过第二接触孔 H2与第二子〗象素电4及PXb电连4妄的第二漏电才及D2。通过第一、第二薄膜晶体管T1、 T2向第一子像素电极PXa和 第二子像素电极PXb施加不同的数据电压。像素电极PX1的第一、第二子像素电极PXa、 PXb属于同一像 素区域PA。向第一、第二子像素电极PXa、 PXb施加与相同图像 信息相对应并互补的不同数据电压以便显示高质量的图像。例如， 施加于第一子像素电极PXa的数据电压的电压电平(基于共用电压 Vcom)的变动宽度可能比施加于第二子像素电极PXb的数据电压 的电压电平(基于共用电压Vcom)的变动宽度更大或更小。并且， 施加于第一子像素电极PXa的#:据电压和施加于第二子4象素电核_ PXb的数据电压可能具有彼此相反的相差。图14示出了其中第一 子4象素电才及PXa的面积祐 没计成大于第二子4象素电才及PXb的面积 的实例。当被施以较高数据电压的第二子像素电极PXb的面积比第一 子4象素电4及PXa的面积小时，可以^吏侧部伽马弯曲更接近于前部伽 马弯曲。更i羊细地/说，当第一子4象素电才及PXa与第二子<象素电招_
PXb之间的面积比约为2:1至3:1时，侧部伽马弯曲更4妄近于前部 伽马弯曲，因此提高了侧部可视度。因此，在形成有第一、第二子^f象素电才及PXa、 PXb的区i或内出 现不同的光学特性，而光见特性互补，乂人而可进一步才是高显示质量。同时，如图14所示，包括第一子像素电极PXa和第二子像素 电极PXb的像素电极PX1在像素区域PA内形成为具有M形状， 其在棚"f及线GL3的至从向方向上》十称。另外，相邻的翁:l居线DL3、 DL4具有与^f象素电才及PX1相应的形状，并且第一子像素电极PXa 与数据线DL3、 DL4交叠。优选地，第一子像素电极PXa与数据线 对DL3/DL4的相邻数据线DL3、 DL4完全交叠。通常，单元像素区域由栅极线与数据线限定。这时，数据线与 像素区域的边缘交叠，或形成于像素区域的边缘上。在这种情况下， 在形成图案的处理中，4艮难维持<象素区i或与翁:据线之间的预定间隔。因此，在根据本发明示例性实施例的下部显示面板中， <象素电 极完全与数据线交叠，因此能够消除由于数据线对与像素电极之间 的不规则间隔而产生的耦合误差。图15为示出了图13中所示的示例性下部显示面4反应用于其中 的示例性LCD的框图。为了简化，与每个像素电极PX相连接的数 据线对以直线示出。然而，如图13、 14所示，每个^t据线对都以Z 字形敷设，且每个像素电极PX与数据线对交叠。图15中示出的LCD 300包括液晶面^反310、时控才几构320、灰 度电压发生器330、数据驱动器340以及栅极驱动器350。虽然液 晶面才反310应用于图15中所示的LCD300中， <旦LCD 300的其它
元件也适合于与包含前述任一实施例的下部显示面板的液晶面板 结合使用。液晶面^反310可包括图13的下部显示面才反210及面对下部显 示面才反210的上部显示面才反(未示出)。时控机构320根据数据驱动器340与栅极驱动器350所需的时 间控制图像数据信号R、 G、 B,并输出所控制的图像数据信号R、 G、 B。另外，时控机构320输出用于控制数据驱动器340和栅极驱 动器350的第一、第二控制信号CNTL1和CNTL2。第一控制信号 CNTL1的实例可包括水平同步起始信号STH、数据输出信号TP， 等等。而第二控制信号CNTL2的实例可包括扫描起始信号STV、 栅极时钟信号CPV、允许输出信号OE,等等。灰度电压发生器330产生许多与像素电极PX的传送有关的灰 度电压，并将产生的灰度电压提供给下面所述的数据驱动340器。数据驱动器340响应于从时控4几构320提供的第一控制信号 CNTL1以及从灰度电压发生器330施加的灰度电压驱动液晶面板 310的凄t才居线对DL1/DL2、 DL3/DL4至DLm-l/DLm。数据驱动器340从时控机构320接收关于一个像素行的第一控 制信号CNTL1及图像信号DAT,并在由灰度电压发生器330产生 的灰度电压中选择与每个数字信号DAT相对应的灰度电压。之后， 在数据驱动器340将所选灰度电压转换为相应的数据电压后，数据 驱动器340将数据电压提供给相应的数据线对DL1/DL2、 DL3/DL4 至DLm-l/DLm。如上所述，具有彼此相反相差的数据电压与不同 水平的电压被施加于数据线对。
栅极驱动器350响应于从时控机构320输入的第二控制信号 CNTL2以及从驱动电压发生器(未示出)输出的接通电压VON和 关闭电压VOFF驱动液晶面^反310的4册才及线GL1至GLn。棚4及驱 动器350分别通过栅极线GL1至GLn将栅极电压提供给像素电极 PX，并"接通或关闭"与每个像素电极PX相连的第一、第二薄膜 晶体管(图14所示T1、 T2)。图16为施加于每个示例性像素电极以执行包括白色图案和灰 色图案的图 <象图案的翁j居电压的波形图。参照图16,数据线DL3的电压波形为从数据驱动器340施加 于第一子像素电极(图13中所示的PXa)的电压波形，而数据线 DL4的电压波形为从数据驱动器340施加于第二子像素电极(图13 中所示的PXb)的电压波形。如图13和图16所示，优选地，数据线DL3、 DL4的电压波形 具有彼此相反且变动的相，以使毗邻数据线对DL3/DL4弥补像素 电极PX1上的耦合效应。这样就能完全消除每个像素电极PX与数 据线对DL1/DL2、 DL3/DL4至DLm-l/DLm之间发生的耦合。因此，每个像素电极(尤其是，第一子像素电极)完全与各数 才居线只于DL1/DL2、 DL3/DL4至DLm-l/DLm交叠，乂人而消除凄t才居线 对与像素电极PX之间的耦合误差。另外，数据线对分别被施以数 据电压，该凄t据电压沿相互4氐消的方向波动。因此，凄t据线对与l象 素电极之间的耦合即被消除。如上所述，依据本发明示例性实施例的LCD,可以防止数据线 周围的光泄漏，并可增加孔径比。另外，子《象素电4及与第一、第二 数据线之间的耦合电容减少，从而防止LCD显示特性的退化。这 样可防止可能在低灰度级水平下发生的竖直色度亮度干扰。
此外，第 一和第二子像素电极之间的间隙可由存储电极阻挡从 而防止光泄漏。另外，可增加LCD的可见度并获得高孔径比。尽管已结合本发明的示例性实施例描述了本发明，但本领域的 才支术人员应该理解，在不背离本发明范围和精神的前提下，可对本 发明做出各种更改和变化。因此，应理解的是，上述示例性实施例 在所有方面都不是限制性的，而是解释性的。
权利要求
1.一种液晶显示器，包括第一绝缘基板；栅极配线，形成于所述第一绝缘基板上并沿第一方向延伸；数据配线，与所述栅极配线绝缘并与之交叉，且所述数据配线沿第二方向延伸；以及像素电极，每个所述像素电极均包括被施以来自所述数据配线的不同数据电压的第一和第二子像素电极，其中，每个第二子像素电极的至少一部分与所述数据配线交叠。
2. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极， 施加于所述第一子^f象素电极的数据电压高于施加于所述第二 子像素电极的数据电压。
3. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极， 所述第二子像素电才及沿所述#t据配线的宽度方向与相应的凄史据配线完全交叠。
4. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极， 所述第一子像素电极包括V形形状，且所述第二子像素电极 形成在像素的除所述第 一子像素电极之外的区域中。
5. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极， 所述第二子像素电极形成为围绕所述第 一子像素电极。
6. 根据权利要求5所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极所述第二子像素电极包括朝向所述数据配线基本倾斜大 约45°或大约-45°的主区域以及沿所述数据配线设置并与其交 叠的桥接区域，且所述桥4妄区域连接至所述主区域。
7. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极， 所述第 一子像素电极不与所述数据配线交叠。
8. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极， 所述数据配线包括多条第 一和第二数据线，所述第 一和第二数 据线分别向所述第一和第二子像素电极提供不同的数据电压。
9. 根据权利要求8所述的液晶显示器，其中，第一型像素和第二 型像素沿第 一和第二方向交替布置，每个所述第 一型像素具有 被供以来自第 一 数据线的数据电压的第 一 子像素电极，每个所 述第二型像素具有被供以来自第二数据线的数据电压的第一 子l象素电才及。
10. 4艮据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括存储线和存储电极，形成于所述第一绝缘基板之上，并基 本平^亍于所述一册纟及配线而延伸；辅助存储电极，连接至所述存储线，并基本平行于所述数 据配线而延伸。
11. 根据权利要求IO所述的液晶显示器，其中，在每个像素电极 中将所述第一和第二子像素电极彼此分开的间隙部分地与所 述辅助存储电极交叠。
12. 根据权利要求11所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电 极，所述第一子像素电极与所述辅助存储电极的至少一部分交 叠。
13. 根据权利要求12所述的液晶显示器，其中，所述辅助存储电 极与所述第一子像素电极彼此交叠的宽度在大约1 pm至大约 3 |um的范围内。
14. 根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括第二绝缘基板，面对所述第一绝缘基板；共用电极，形成于所述第二绝缘基板上；以及 液晶层，介于所述第一和第二绝缘基板之间，且所述液晶 层包含液晶分子。
15. 根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括由有机材料形 成的4屯化层，并且所述4屯化层介于所述数据配线与所述^f象素电 极之间。
16. —种液晶显示器，包:fe:栅极配线和数据配线，在绝缘基板上彼此绝缘并彼此交叉；一对第一和第二薄膜晶体管，连接至所述4册^i配线和所述 数据配线；第一子像素电极，连接至所述第一薄膜晶体管；第二子像素电极，围绕所述第一子像素电极，与所述第一 子像素电极彼此隔开 一 间隙，并连接至所述第二薄膜晶体管；第 一存储线，与所述第 一子像素电极交叠并接收第 一存储 电压；以及 第二存储线，与所述第二子像素电极交叠并接收与所述第 一存储电压不同的第二存储电压。
17. 根据权利要求16所述的液晶显示器，其中，所述第二存储电 压与所述第一存储电压反相。
18. 才艮据权利要求16所述的液晶显示器，其中，乂人所述凄t据线施 加给所述第一和第二子像素电极的相同数据电压由于所述相 同数据电压与所述第一和第二存储电压之间的耦合而变得彼 此不同。
19. 根据权利要求16所述的液晶显示器，其中，所述第一子像素 电极与所述数据配线不相交叠，并且所述第二子像素电极的至 少 一部分与所述凄t悟配线相交叠。
20. 根据权利要求19所述的液晶显示器，其中，所述第二子像素 电极与所述数据配线的交叠宽度在大约2|Lim至大约3 jam。
21. 根据权利要求16所述的液晶显示器，进一步包括存储电才及，/人所述第一存4诸线分支出来，并与所述间隙交叠。
22. 根据权利要求21所述的液晶显示器，其中，所述存储电极基 本平行于所述数据配线而延伸。
23. 根据权利要求16所述的液晶显示器，进一步包括由有机材料 形成的钝化层，并且所述钝化层介于所述数据配线与所述第一 和第二子^f象素电才及之间。
24. —种液晶显示器，包《1舌栅极线；数据线对，与所述棚4及线绝纟彖并与之交叉；以及 寸象素电才及，分别电连接至所述4册才及线和所述凄t据线对，其中，每个所述像素电极均包括第 一子像素电极和面积小 于所述第一子<象素电才及的第二子{象素电才及，并且所述第 一 子像素电极与所述数据线对交叠。
25. 才艮据4又利要求24所述的液晶显示器，其中每个所述像素电极均具有沿与所述栅极线平行的第 一方 向弯曲的弯曲中心，并且每个所述^f象素电才及关于所述弯曲中心 对称，并且每个^f象素电^l的两端均沿第二方向弯曲，所述第二方向与 基于所述弯曲中心的所述第一方向相反。
26. 根据权利要求25所述的液晶显示器，其中，每个所述数据线 对均具有与每个像素电极的形状相对应的形状，并且被每个傳_ 素电极的所述第 一子像素电极交叠。
27. 根据权利要求25所述的液晶显示器，其中，每个所述数据线 对均以Z字形形成，并且被每个像素电极的所述第一子像素 电才及交叠。
28. 根据权利要求24所述的液晶显示器，进一步包括第一和第二薄膜晶体管，分别向所述第一和第二子像素电 极才是供来自所述tt据线对的两种tt据电压。
29. 根据权利要求28所述的液晶显示器，其中，所述两种数据电 压具有4皮此相反的相。
30. 根据权利要求28所述的液晶显示器，其中，所述两种数据电 压具有不同的电压电平。
31. 根据权利要求24所述的液晶显示器，还包括由有机材料形成 的钝化层，并且所述钝化层介于所述数据线对与所述像素电极 之间。
32. —种用于提高液晶显示器的显示质量的方法，所述液晶显示器 具有像素区域矩阵，所述方法包括在绝纟彖基^反上形成4册才及配线，所述4册才及配线基本沿第 一方 向延伸；形成与所述栅极配线绝缘的数据配线，所述数据配线基本 沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向基本垂直；在每个像素区域内形成第 一和第二子像素电极，使得在每 个像素区域中所述第二子像素电极与相邻的数据配线交叠，所 述第二子像素电极至少部分地围绕所述第 一子像素电极并且 具有比所述第一子^f象素电4及大的面积；以及向所述第 一子像素电极施加数据电压，所述数据电压大于 施加于所述第二子像素电极的数据电压。
全文摘要
一种能够提高显示质量的液晶显示器(LCD)，包括第一绝缘基板；栅极配线，形成于第一绝缘基板之上并沿第一方向延伸；数据配线，与栅极配线绝缘并与之交叉且沿第二方向延伸；以及像素电极，每个像素电极包括被施以来自数据配线的不同数据电压的第一、第二子像素电极，其中第二子像素电极的至少一部分与数据配线相交叠。
文档编号G09G3/36GK101109880SQ200710130120
公开日2008年1月23日 申请日期2007年7月20日 优先权日2006年7月21日
发明者文盛载, 李成荣, 罗惠锡, 金东奎 申请人:三星电子株式会社
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器(LCD)及其方法，且更具体地说， 涉及一种具有改进的显示质量的LCD，以及一种才是高LCD的显示 质量的方法。
背景技术：
液晶显示器(LCD)现已广泛用作一种平板显示器。LCD包括 两个显示面板，在这两个显示面板上形成有诸如像素电才及和共用电 才及的场产生电4及(field generating electrode ),其中液晶层介于这两 个显示面^反之间。在LCD中，对场产生电4及施加电压以1更在液晶 层中产生电场，并且液晶层的液晶分子的排列由该电场决定。因此， 入射光的偏振得到控制，由此执行图像显示。在LCD中，垂直排列(VA)模式的LCD由于其具有高对比度 和宽一见角而得到关注，其中，在不施加电场的情况下，液晶分子的 主指向矢(director)垂直于上下显示面板。但是，VA模式LCD的 问题在于侧面可见度比正面可见度低。为了解决这个问题，已经提 议这样一种方法将一个像素分为一对子像素，在独立的子像素中 形成切换元件，以及对子像素施加不同的电压。然而，在这种才艮据相关技术的LCD中，由于位于lt据线上方 的液晶的运动因像素电极之间的电场而不能得到精确控制，从而会 发生漏光，这会导致LCD显示性能的降低。
另外，在具有上述结构的LCD中，当被施以较高数据电压的 子^象素电极与设置在子^f象素两侧上的 一对凄t据线之间的耦合电容 ;波此不一致时，显示特性降^f氐。发明内容本发明涉及一种能够提高显示质量的液晶显示器(LCD)。显 示质量可通过减少子像素与邻近子像素的数据线之间的耦合电容 而提高。本发明还提供了一种提高该LCD的显示质量的方法。根据本发明的示例性实施例，LCD包括第一绝缘基板；栅极 配线，形成于第一绝缘基^反上并沿第一方向延伸；数据配线，与棚-极配线绝缘并与之交叉，并且该数据配线沿第二方向延伸；以及像 素电极，每个像素电极包括第一、第二子像素电极，不同数据电压 从数据配线施加于该第 一和第二子像素电极，其中每个第二子像素 电极的至少 一部分与数据配线交叠。依据本发明的其它示例性实施例，LCD包括棚4及配线和凄t据 配线，彼此绝缘并彼此交叉于绝缘基板上； 一对第一和第二薄膜晶 体管(TFT)，连4妄于所述4册极配线和所述数据配线；第一子像素电 极，连接至第一TFT;第二子像素电极，围绕第一子像素电极，与 第一子像素电极分开一段间隙，并连接至第二TFT;第一存储线， 与第一子像素电极交叠并接收第一存储电压；以及第二存储线，与 第二子像素电极交叠并接收不同于第一存储电压的第二存储电压。才艮据本发明的另一些示例性实施例，LCD包括才册极线；成对 数据线，与栅极线绝缘并与之交叉；以及像素电极，电连接至棚-极 线和成对数据线。此处，每个像素电极包括第一子像素电极和第二 子像素电极，第二子像素电极具有比第一子像素电极小的面积，且 第 一子像素电极与成对数据线交叠。
根据本发明的再一些示例性实施例， 一种提高具有像素区域矩阵的LCD的显示质量的方法包括在绝缘基板上形成栅极配线， 该栅极配线基本沿第 一 方向延伸；形成与栅极配线绝缘的数据配 线，该数据配线基本沿第二方向延伸，该第二方向基本垂直于第一 方向；在每个像素区域内形成第一、第二子像素电极，从而使得在 每个像素区域中，第二子像素电极与邻近的数据配线交叠，该第二 子像素电极至少部分地围绕第一子像素电极并具有大于第一子像 素电极的面积；以及向第一子像素电极施加数据电压，该数据电压 大于施加于第二子像素电极的数据电压。
通过以下结合附图对本发明示例性实施例的详细描述，本发明 的上述和其它特征及优点将变得更明显，附图中
图l是示出了根据本发明第一示例性实施例的示例性液晶显示 器(LCD)的示例性像素阵列的示意图2是图1的示例性LCD中的一个示例性像素的等效电路图3A是根据本发明第一示例性实施例的包括图1示例性A型 〃像素的示例性下部显示面^1的布置图3B是沿图3A的线IIIB-IIIB'截取的示例性下部显示面板的
图3C是沿图3A的线inc-mc'截取的示例性下部显示面板的横截面图4是连4妄至图3A的示例性下部显示面才反的示例性上部显示 面^^的布置图；图5是包含有图3A的示例')"生下部显示面^反和图4的示例'I"生上 部显示面^1的示例性LCD的布置图；图6是根据本发明第一示例性实施例的包括图1示例性B型像 素的示例性下部显示面才反的布置图；图7A是根据本发明第二示例性实施例的包括图1示例性A型 4象素的示例性下部显示面^1的布置图；图7B是沿图7A的线VIIB-VIIB'截取的示例性下部显示面板的 横截面图；图8是才艮据本发明第二示例性实施例的包括图1示例性B型像 素的示例性下部显示面4反的布置图；图9A是示出了当灰度级水平变化时图1的示例性A型4象素的 第 一子像素电极Pa与示例性B型像素的第 一子像素电极Pa之间的 亮度差的曲线图；图9B是示出了当灰度级水平变化时图1的示例性A型像素的 第二子像素电极Pb与示例性B型像素的第二子像素电极Pb之间的 亮度差的曲线图；图IO是才艮据本发明第三示例性实施例的示例性LCD中的一个 示例性<象素的等效电路图；图11A是4艮据本发明第三示例性实施例的示例性LCD的示例 性下部显示面^反的布置图IIB是沿图11A的线XIB-XIB'截取的示例性下部显示面板 的横截面图；图IIC是沿图11A的线XIC-XIC'截取的示例性下部显示面板 的横截面图；图12A是才艮据本发明第四示例性实施例的示例性LCD的示例 性下部显示面才反的布置图；图12B是沿图12A的线XIIB-XIIB'截取的示例性下部显示面4反 的横截面图；图13是示出了根据本发明第五示例性实施例的示例性LCD的 示例性下部显示面^反的一部分的^L图；图14是详细示出了图13中所示的一个示例性^象素电4及PX的 结构的布置图；图15是示出了图13中所示的示例性下部显示面^1应用于其中 的示例性LCD的冲匡图；以及图16是施加于每个示例性像素电极上用以实现包括白色图案 与灰色图案的图像图案的数据电压的波形图。
具体实施方式
参照下面对优选实施例的详细描述及附图，本发明的优点和特 征及其实现方法将更加容易理解。但是，本发明可以以许多不同的 形式实现，而不能被解释为局限于文中提出的实施例。相反，之所 以提供这些实施例，是为了4吏本7>开更加充分并完整，并向本领i或 技术人员充分传达本发明的概念，且本发明 <又由所附权利要求限
定。为了清楚描述的目的，附图中的各层或各区域的尺寸可能有所 放大。应当理解，当元件或层被指出"位于"另一个元件或层上时， 该元件或层可直4妄位于另 一个元件上或者还可能存在插入元件。相 反，当元件被指出"直接位于"另一元件上时，不存在插入元件。 通篇说明书中相同的标号表示相同的元件。当用在文中时，术语"和 /或"包4舌一个或多个相关所列术{吾的4壬4可一个以及所有《且合。应当理解，尽管在此可能使用术语第一、第二、第三等来描述 不同的元件、部件、区域、层和/或部分，《旦是这些元件、部件、区 域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语4又用于将一个元件、 部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分相区分。 因此，在不背离本发明宗旨的情况下，下文所述的第一元件、部件、 区域、层或部分可以称为第二元件、部件、区域、层或部分。在此^f吏用的术语〗又用于描述特定的实施例而并不旨在限定本 发明。当用在文中时，除非文中有其他明确指示，否则单数形式的"一个(a、 an)"、"这个(the)"还旨在包括复数形式。应当进一 步理解，当在本说明书中使用术语"包括(comprise, include)"和 /或"包含(comprising、 including)"时，是指存在所述的特征、区 域、整体、步骤、操作、元件、和/或部件，但是并不排除还存在或 附加一个或多个其他的特征、区域、整体、步骤、才喿作、元件、部 件、和/或其组合。可以4吏用^"如"在…下方"、"下面的"、"上面的"等术"^吾以容 易地描述如图中所示的一个元件、部件、其它元件、或部件之间的 位置关系。应当理解，这些术语不仅包括图中所示的方位而且还包 括4吏用或才喿作过程中的元件的其它方位。
下面参照作为本发明示例性附图的平面图和片黄截面图描述本 发明的优选实施例。示例性附图可通过制造技术和/或公差而修改。 因此，本发明的优选实施例并不限于附图中所示的具体结构，而是 包括基于制造工艺的#~改。因此，附图中所示的区域具有示意性的 特点。另外，附图中所示区域的形状只是例示了元件中区域的特定 形状，而并不限制本发明。下文中，将参照附图详细描述4艮据本发明示例性实施例的液晶显示器(LCD)。图1是示出了才艮据本发明第一示例性实施例的示例性LCD的 示例性像素阵列的示意图。图2是示出了图1的示例性LCD中的 一个示例性^象素的等效电路图。图1和图2的LCD包括液晶面才反组件(assembly);棚-才及驱 动器和数据驱动器，它们连接于液晶面板组件；灰度电压发生器， 连接至数据驱动器；以及用于控制它们的信号控制器。液晶面板组件包括多条显示信号线以及连接于显示信号线并 基本以矩阵形状设置的多个^象素PX。这里，液晶面板组件包括4皮面^反之间的'液晶层。参照图1和图2，显示信号线设置在下部显示面板上，并包括 传输栅极信号的多条栅极线G和传输数据信号的数据线Da、 Db。 栅极线G基本沿行方向(第一方向)彼此平行地延伸。数据线Da 与Db基本沿列方向(第二方向)彼此平行地延伸。其中第一方向 与第二方向基本垂直。
每一个〗象素PX均包4舌一只于子〗象素PXa与PXb。子像素PXa 与PXb分别包括切换元件Qa、 Qb,连接于相应的凄t据线Da、 Db及一条栅极线G;液晶电容器Clca、 Clcb，分别连接于切换元 件Qa、 Qb;以及一对存储电容器Csta、 Cstb，分别连接于液晶电 容器Clca、 Clcb。即，两条数据线Da、 Db以及一条栅极线G被分 配给一对子像素PXa、 PXb。在可替换的实施例中，如果需要的话， 可以不包括存储电容器Csta、 Cstb。相应子〗象素PXa和PXb的切换元件Qa和Qb具有i殳置于下部 显示面板上的薄膜晶体管(TFT)。每个切换元件Qa和Qb均为三 端子元件，包括控制端子(下文中称为"栅极电极")，连接于施 加有栅极信号的栅极线G;输入端子(下文中称为"源电极")，连 接于相应数据线Da和Db的每一条；以及输出端子(下文中称为"漏 电极，，)，连接至相应液晶电容器Clca和Clcb的每一个以及相应存 储电容器Csta和Cstb的每一个。每个液晶电容器Clca与Clcb均具有两个端子，包括下部显示 面板的子像素电才及Pa和Pb以及上部显示面板的共用电极，并且介 于子像素电极Pa、 Pb与共用电极之间的液晶层用作电介质。子像 素电极Pa和Pb分别连接于切换元件Qa和Qb。共用电极形成在上 部显示面纟反的整个表面上或者基本整个表面上，并纟皮施加以共用电 压Vcom。可*#换地，共用电才及可i殳置在下部显示面才反上。在这种 情况下，^象素电极和共用电极中的至少一个可以以线形或杆形形状 形成。子像素电极和设置在下部显示面板上的存储配线可彼此交叠， 其中它们之间插入有绝缘材料，因此形成辅助液晶电容器Clca、 Clcb 的存储电容器Csta、 Cstb。诸如共用电压Vcom的预定电压施加于 存储配线。这里，可替换地或附加地，子^f象素电极Pa、 Pb与先前的栅极线可彼此交叠，其中它们之间插入有绝桑彖材料，从而形成存储电容器Csta、 Cstb。同时，为了实现彩色显示，每个〗象素PX唯一地显示一组原色 (空间分区)中的一种颜色，亦或每个4象素PX临时地且交*#地显 示该组原色(时间分区)。这样，在空间与时间上合成原色，从而 得到所期望的颜色。原色的实例包括红、绿、和蓝三种颜色。作为 空间分区的实例，每个像素PX可具有一个滤色片，该滤色片在上 部显示面板的区域内显示颜色中的一种。另外，滤色片可形成在下 部显示面板的子像素电极Pa、 Pb的上方或下方。如下面将参照图15进一步描述的，栅极驱动器连接至栅极线 G，并将栅极信号施加于栅极线G，该栅极信号是通过将从来自于 外部的接通电压Von与关闭电压Voff相结合而获得的。灰度电压发生器可产生与像素的透射率相关的两组灰度电压 (或一组参考灰度电压)，并将产生的灰度电压组提供给数据驱动 器。即，这两组灰度电压可独立地才是供给形成4象素PX的一对子傳_ 素Pxa、 PXb。然而，本发明不局限于此。例如，取代两组灰度电 压，也可只产生一组灰度电压。数据驱动器连接至成对的lt据线Da、 Db。 ft据驱动器通过数 据线Da向形成像素的成对子像素中之一传输数据电压，以及通过 数据线Db向形成像素的成对子像素中的另一个子像素传输不同的 凄t据电压。栅极驱动器或数据驱动器可以以多个驱动集成电路(IC)芯片 的形式直接安装在液晶显示面板组件上或者可以附于液晶显示面 板组件上，同时通过带载封装(TCP)安装于柔性印刷电路膜(未 示出)上。可替换地，栅极驱动器或数据驱动器可连同显示信号线
G、 Da和Db、 TFT切换元件Qa和Qb等一起集成在液晶显示面4反 组件中。
信号控制器控制栅极驱动器、数据驱动器等的运行。
回到图1， 一个像素包括两个切换元件Qa、 Qb,以及分别连 接至切换元件Qa、 Qb的两个子像素电极Pa、 Pb。这里，假设相对 较高的数据电压施加于第一子像素电极Pa，而相对较低的数据电压 施加于第二子像素电极Pb。下文中，低数据电压和高数据电压表示 共用电压与数据电压之间的较低差值或较高差值。另外，具有通过 第 一数据线Da被施以数据电压的第 一子像素Pa的像素称为A型像 素；具有通过第二数据线Db被施以数据电压的第一子像素Pa的像 素称为B型像素。
如图1所示，A型像素与B型像素沿水平方向和竖直方向(即， 沿第一和第二方向)交^^排列，因此可以防止在LCD中^L察到竖 直条紋或水平条紋。
如果通过第一数据线Da将数据电压施加给所有像素的第一子 像素电极Pa，即，如果像素阵列仅包含A型像素，并且如果LCD 以列反转(column inversion )才莫式^皮驱动的话，那么就会观察到相 对于4企^r图案(其通过每帧的一个^f象素沿水平方向移动)沿水平方 向移动的竖直条紋。
进一步说，如果通过第一数据线Da将数据电压施加给一个像 素行的第一子〗象素电极Pa，而通过第二ft据线Db将ft据电压施加 *会下一<象素4亍的第一子<象素电才及Pa，即，当A型4象素4亍与B型^f象 素4亍交替排列时，那么，就可能防止出现上面提到的沿水平方向移 动的竖直条紋。然而，在每个第一子像素电极Pa与设置于每个第 一子像素电极Pa两侧的第 一和第二数据线Da、 Db之间发生耦合。
因为每个第 一子像素电极Pa与第 一和第二数据线Da、 Db之间的耦 合电容根据A型像素和B型像素而变化，所以，会观察到水平条紋。因此，如同图1所示的#4居本发明第一示例性实施例的LCD 那样，由于A型像素与B型像素沿水平方向和竖直方向交替排列， 因而就有可能防止上述沿水平方向移动的竖直条紋或水平条紋。然 而，当具有这种结构的LCD在低灰度级水平下运行时，液晶基本 通过被施以相对较高电压的第一子像素电极Pa而运行。因此，第 一子像素电极Pa与第 一数据线Da之间的耦合电容以及第 一子像素 电极Pa与第二数据线Db之间的耦合电容的差值减少，从而防止由 于色度亮度干扰而导致的显示质量降低。另外，如同本发明第一示例性实施例那样，由于第一、第二数 据线Da、 Db设置为使得第二子像素电极Pb与第一、第二数据线 Da、 Db交叠，并且第二子像素电极Pb围绕第一子像素电极Pa, 因此即使当A型4象素与B型像素并非沿水平方向和竖直方向交替设 置时，也有可能防止竖直条紋或水平条紋的出现。也就是i兌，通过 减少第一、第二数据线Da、 Db与第一子像素电极Pa之间的耦合电 容的差值，可以防止显示质量的降低。关于这一点，下面将作进一 步描述。以下，参照图3A至图5，将对根据本发明第一示例性实施例 的示例性LCD作进一步的描述。才艮据该示例性实施例的LCD包括 其上形成有TFT阵列的下部显示面才反、面乂十下部显示面才反的上部显 示面纟反、以及介于两个显示面才反之间的液晶层。首先，参照图3A至图3C,对才艮据第一示例性实施例的LCD 的下部显示面板进行描述。这里，图3A是根据本发明第一示例性 实施例的包括图1示例性A型^f象素的示例性下部显示面才反的布置 图。图3B是沿图3A的线11IB-niB'截取的示例性下部显示面^l的
横截面图。图3C是沿图3A的线IIIC-IIIC'截取的示例性下部显示面板的横截面图。基本沿水平或第一方向延伸并传输4册才及信号的栅—及线22形成 在绝缘基板10上，该绝缘基板可由透明玻璃等形成。每条栅极线 22被分配给一行像素。此外，在用于每个像素的栅极线22上形成 一对第一、第二突出栅极电极26a、 26b。 4册极线22与第一、第二 才册才及电才及26a 、 26b #皮称为棚4及配线。此外，存储线28形成于绝缘基板10上。存储线28与像素区 域交叉，并基本沿水平方向延伸，且因此至少基本与栅极线22平 行。存储电极27连接于存储线28并具有大于存储线28宽度的宽 度。存储电极27与像素电极82彼此交叠从而形成提高像素的电荷 容量(charge capacity )的存储电容器。存储电极27与存储线28被 称为存储配线。在该实施例中，存^f渚配线27、 28与〗象素区域的中 心交叠，^旦本发明并不局限于此。在可替换的实施例中，存储配线 27、 28的形状和排列可以以不同形式改变。此夕卜，当通过4吏<象素电 才及82与4册极线22交叠而产生足够的存4诸电容时，可不需包括存储 酉己纟戋27、 28。才册才及酉己线22、 26a、和26b及存4诸國己纟戋27、 28可由i者^口4吕(Al) 或铝合金的铝基金属、诸如银(Ag)或银合金的银基金属、诸如铜 (Cu)或铜合金的铜基金属、i者如钼(Mo)或钼合金的钼基金属、 铬(Cr)、钛(Ti)，或钽(Ta)形成。另外，栅极配线22、 26a、 26b中的每一条以及存々者配线27、 28中的每一条均可具有多层结 构，该多层结构包括具有不同物理属性的两层导电膜(未示出)。 在这种多层结构中，两层导电膜中的一层导电膜可由具有低电阻系 数的金属(例如铝基金属、银基金属、或铜基金属)制成，以减少 才册才及商己纟戋22、 26a、 26b中的每一条及存l诸酉己纟戋27、 28中的每一条 中的信号延迟或电压降。多层结构中的另 一层导电膜具体地由相对
于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、或其它4象素电才及材并+具有良 好接触性能的材料形成，且该另 一层导电膜可以是例如钼基金属、 铬、钛、或钽。这种多层结构的实例包括具有下部铬膜和上部铝膜 的结构，以及具有下部铝膜和上部钼膜的结构。但是，本发明不局 P艮fjt匕，JU册才及酉己纟戋22、 26a、 26b中的^一H4々者酉己纟戋27、 28 中的每一条可由不同于上述材料的各种金属材料或导体形成。由氮化硅(SiNx )等形成的4册极绝缘层30形成于栅极配线22 和存J诸配线27、 28上，以及绝纟彖层10的净果露表面上。由氢化非晶硅(a-Si)或多晶娃形成的半导体层40a、 40b形成 于棚4及绝纟彖层30上。半导体层40a、 40b可以具有多种形状，诸如 岛状或条状。例如，如所示的，半导体层40a、 40b可形成为具有 岛状的。半导体层40a、 40b形成为与栅极电极26a、 26b交叠。欧姆接触层55a、 56a形成在半导体层40a、 40b上，且可由硅 化物或n+氬化a-Si形成，其中，n+氢化a-Si以高浓度掺入了 n型 杂质。 一对欧姆接触层55a、 56a定位在半导体层40a、 40b的每一 个上。一对第一、第二数据线62a、 62b，以及分别与该第一和第二数 据线62a、 62b相对应的一对第一、第二漏电极66a、 66b形成于欧 姆接触层55a、 56a以及纟色缘层30上。第一、第二数据线62a、 62b基本沿竖直方向延伸，穿过栅极 线22与存4诸线28，并传输ft据电压。分别朝向第一、第二漏电拟_ 66a、 66b延伸的第一、第二源电才及65a、 65b分别从第一、第二凄史 据线62a、 62b中突出。如图3A所示， 一个像素被分为一对子像素， 第 一数据线62a向一个子像素传输数据信号，而第二数据线62b向 另 一子像素传输不同的数据信号，下面将对此进行进一步的描述。 第一、第二翁:据线62a、 62b,第一、第二源电才及65a、 65b， 以及第一、第二漏电极66a、 66b^皮称为数据配线。^尤选i也，凄t才居酉己纟戋62a、 62b、 65a、 65b、 66a与66b 6勺每一条 可由难熔金属形成，诸如铬、钼基金属、钽、或钛。另外，数据配 纟戋62a、 62b、 65a、 65b、 66a与66b的每一条可具有多层纟吉才勾，在 该多层结构中，由低电阻材料构成的上层(未示出)形成于由难熔 金属等构成的下层上。多层结构的实例可包括具有下部钼层、中间 铝层、以及上部钼层的三层结构以及上面纟是到的具有下部4各层和上 部铝层或具有下部铝层和上部钼层的双层结构。然而，本发明不局 P艮于jt匕，凄史才居酉己纟戋62a、 62b、 65a、 65b、 66a与66b的每一条可以 由不同于上述材料的多种金属材料或导体形成。半导体层40a、 40b分别至少部分地被第一、第二源电极65a、 65b交叠。相对于才册电才及26a、 26b，第一、第二漏电才及66a、 66b 分别面对第一、第二源电才及65a、 65b。半导体层40a、 40b分别至 少部分地4皮第一、第二漏电才及66a、 66b交叠。这里，上述的欧姆 接触层55a、 56a可存在于半导体层40a、 40b与第一、第二源电^L 65a、 65b之间以及半导体层40a、 40b与第一、第二漏电才及66a、 66b之间，/人而减少它们之间4妄触电阻。4屯4匕层70开j成于凄t才居酉己纟戋62a、 62b、 65a、 65b、 66a和66b 与棵露的半导体层40a、和40b上，以及栅极绝缘层30的棵露部分 上。钝化层70由无机材料(诸如氮化硅或氧化硅)、有机材料(具 有良好的平面特性和光敏性)、或具有低介电常数的绝缘材料(诸 如通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)形成的a-Si:C:O或 a-Si:O:F)制成。此外，4屯4匕层70可具有包括下部无片几层和上部有 机层的双层结构，以提高有机膜的特性并保护棵露的半导体层40a 和40b。另外，红、乡录或蓝滤色片层可用作4屯4b层70。
形成于钝化层70上的像素电极82包括相互分离的第一、第二 子像素电极82a、 82b。此处，第一、第二子像素电极82a、 82b的 每一个可由透明电导体(诸如ITO或IZO )或反射电导体(诸如铝) 制成。第一、第二子像素电极82a、 82b分别通过第一、第二接触孔 76a、 76b电连4妄至第一、第二漏电才及66a、 66b,并^皮施加以来自 第一、第二漏电极66a、 66b的不同数据电压。被施以数据电压的第一、第二子像素电极82a、 82b连同上部 显示面才反上的共用电才及一起产生电场，/人而确定第一、第二子4象素 电极82a、 82b与共用电极之间的液晶层中的液晶分子的排列。此外，如上所述，参照图2和图3A,子l象素电才及82a和82b 分别与共用电极形成液晶电容器Clca和Clcb,这样即使关闭TFT Qa 和Qb，也能维持所施加的电压。为了增大电压维持能力，与液晶 电容器Clca和Clcb并联连接的存储电容器Csta、 Cstab可以以这样 的方式形成，即，使得第一、第二子像素电极82a、 82b或连接至 第一、第二子^f象素电才及82a、 82b的第一、第二漏电4及66a、 66b与 存储配线27和28交叠。回到图3A至图3C, —个^f象素电才及82包4舌通过间隙83彼此电 隔离的第一、第二子〗象素电才及82a、 82b。第一子^f象素电才及82a具有 近乎水平的V形形状(诸如旋转并平截的V形)。第二子像素电极 82b形成于像素的除第一子像素电极82a与间隙83之外的区域中。 具体地，第二子像素电极82b形成为围绕第一子像素电极82a的外 围。
间隙83包4舌倾4+部分与竖直部分，其中倾4牛部分相只于于棚-才及 线22大约倾斜45°或-45°，竖直部分连接在倾斜部分之间并沿第一、 第二凄t据线62a、 62b布置。尽管图中并未显示，但可以形成相对于栅极线22大约倾斜45。 或-45。的域分割装置(未示出)，例如剪切块或凸起。像素电极82 的显示区域沿一定方向净皮分为多个域，所述方向即，当施加电场时， 液晶层中所包含的液晶分子的主指向矢在施加电场的时候沿此方 向排列。间隙83与域分割装置用以将像素电才及82分为许多域。域 是指这样的区域，其中形成有液晶分子，同时像素电极82与共用 电极卯之间所形成的电场使得液晶分子沿预定方向共同地倾斜。如上所述，整个第一子像素电极82a呈V字型，而第二子像素 电极82b形成为围绕第一子像素电极82a。具体地，第二子像素电 极82b包括主区域和桥接区域。主区域邻近间隙83的倾斜部分， 它们相对于栅极线22大约倾斜45°或-45°,并控制液晶分子的运动。 桥接区域邻近间隙83的竖直部分，沿第一、第二数据线62a、 62b 布置，并将主区域4皮此连4妄。如图3A和图3C所示，第一、第二数据线62a、 62b形成为使 得第二子像素电极82b至少部分地与第一和第二数据线62a、 62b 交叠。优选地，第一、第二数据线62a、 62b形成为使得第二子像 素电极82b完全与第一和第二数据线62a、 62b交叠。具体地，第 二子像素电极82b的桥接区域与第一、第二数据线62a、 62b交叠。排列层(未示出)可覆盖于第一、第二子像素电极82a、 82b 与4屯化层70上。下面，参照图4和图5,将对示例性上部显示面4反及示例性LCD 进行描述。这里，图4为连接至图3A的示例性下部显示面玲反的示
例性上部显示面板的布置图。图5为包括图3A的示例性下部显示 面4反与图4的示例性上部显示面才反的示例性LCD的布置图。防止光线泄漏并限定〗象素区域的黑色矩阵94形成于由透明玻 璃等制成的绝乡彖基4反(未示出)上。黑色矩阵94可形成在与棚-才及 线22及第一、第二数据线62a、 62b对应的部分上，以及与TFT对 应的部分上。另外，黑色矩阵94可具有不同的形-l犬以阻挡第一、 第二子^f象素电才及82a、 82b与TFT周围的光线泄漏。黑色矩阵94 可由诸如铬或氧化铬的金属(金属氧化物)或有机黑色抗蚀剂制成。在黑色矩阵94中，红、绿、蓝滤色片(未示出)可顺序地布 置于Y象素区域内。在滤色片上可形成覆盖层(未示出)，以便去除滤色片之间的 梯级(step )。由诸如ITO或IZO的透明导电材料形成的共用电极90形成于 覆盖层上。共用电极90可包括面对第一、第二子像素电极82a、 82b 且相对于栅极电线22倾斜大约45°或-45°的域分割装置92,并可包 括剪切块或凸起。排列液晶分子的排列层(未示出)可形成于共用电极90上。接，液晶材料注入上下显示面板之间并垂直排列。这样，才艮据第一 示例性实施例的LCD的基础结构i"更形成了 。在没有对像素电极82与共用电极90施加电场的情况下，液晶 层中包含的液晶分子排列为使得其方向矢垂直于下部显示面板和 上部显示面板。另外，液晶分子具有负介电各向异性。
除了上述基本结构，LCD还可包括诸如偏振器和背光的部件。 这里，偏振器可分别设置在基本结构的两侧上，以使偏振器的一个 发射轴与栅极线22平行，而另 一发射轴与棚-极线22垂直。当在下部显示面才反和上部显示面才反之间施加电场时，几乎在所 有区域都会产生垂直于上下显示面才反的电场。然而，水平电场在4象 素电极82的间隙83以及共用电极90的域分割装置92的周围产生。 水平电场协助排列各个域中的液晶分子。由于该实施例的液晶分子具有负介电各向异性，因此当对液晶 分子施加电场时，各个域中的液晶分子就会倾斜，以与间隙83或 分割所述域的域分割装置92垂直。因此，液晶分子在间隙83的两 侧或域分割装置92上沿不同方向倾杀+,且间隙83的倾4+部分或域 分割装置92的倾斜部分关于每个像素中心对称。这样，液晶分子 沿四个方向相对于棚—及线22基本倾杀牛45。或-45。。由于光学特性因 沿四个方向倾在+的'液晶分子而纟寻以互补，所以 一见角增加。下面，参照图3A至图5，对根据本发明第一示例性实施例的 示例性LCD的运行进行描述。在A型像素中，向连接于第一凄t据线62a的第一子《象素电拟^ 82a施加相对较高的数据电压，向连接于第二数据线62b的第二子 像素电极82b施加相对较低的数据电压。因此，可能提高LCD的 侧部可见度。具体地，当LCD在4氐灰度级水平下运行时，液晶基本通过3皮 施以较高数据电压的第 一 子像素电极82 a运行，而没有对第二子像 素82b施力。电压。在这种情况下，由于第二子4象素电极82b基本4皮 施以与上部显示面板上的共用电极90相同的电压，因此设置在第 二子<象素电4及82b上方的液晶分子就会排列成4吏得其方向矢垂直于
下部显示面板。因此，从背光中所发射的光线不能穿过第二子像素电才及82b，而是^皮阻挡了。当LCD在高灰度级水平下运行时，由于LCD的整体亮度较高， 因此光泄漏无关紧要。由此看来，防止在LCD在低灰度级水平下 运4亍时的光泄漏更为重要。通常，光泄漏在第一、第二凄t据线62a、 62b周围发生。但是，如本发明的第一示例性实施例中那样，当第 二子像素电极82b与第一、第二数据线62a、 62b交叠，且LCD在 低灰度级水平下运行时，穿过第二子像素电极82b的光线被第二子 《象素电才及82b阻挡，并可防止第一、第二数据线62a、 62b周围的 光泄漏。进一步说，可以通过使用围绕第一子像素电极82a周围的 第二子〗象素电才及82b且没有增加黑色矩阵94的面积来防止光泄漏， 从而提高了孔径比。当被施以较高电压的第一子像素电极82a与第一、第二数据线 62a、 62b之间的耦合电容;f皮此不相一致时，LCD的显示性能会降 低。为此，第一子像素电极82a设置为使得第一子像素电极82a不 与第一、第二凄t据线62a、 62b交叠，以减小第一子^f象素电才及82a 与第一、第二数据线62a、 62b之间的耦合电容。这样就可以防止 耦合电容影响LCD的显示性能。下面，参照图6，将对根据本发明第一示例性实施例的示例性 LCD的示例性下部显示面板的另一部分进行描述。图6为根据本发 明第一示例性实施例的包括图1的示例性B型像素的示例性下部显 示面才反的布置图。为了方使/说明，用相同参考标记表示具有与图3A 至图5中的那些部件相同功能的部件，并因而省略对其的描述。下 文^f又针对不同之处进行描述。如图6所示，与A型像素不同的是，B型像素包括通过第一 接触孔76a连接至第二子像素电极82b的第一漏电才及66a，以及通 过第二接触孔76b连接至第一子像素电极82a的第二漏电极66b。 向连接至第二数据线62b的第 一子像素电极82a施加相对较高的电 压，而向连接至第一数据线62a的第二子像素电极82b施加相对较 低的电压。因此，可以提高LCD的侧部可见度。在具有上述结构的LCD的情况下，可以防止第一、第二数据 线62a、 62b周围的光泄漏并提高LCD的孔径比。此外，第一子像 素电极82a与第一、第二数据线62a、 62b之间的耦合电容减小， 从而防止LCD的显示性能的降低。下面，参照图7A和图7B，对4艮据本发明第二示例性实施例的 示例性LCD的示例性下部显示面板进行详细描述。图7A为根据本 发明第二示例性实施例的包括图1的A型像素的示例性下部显示面 板的布置图。图7B是示出了沿图7A的线VIIB-VIIB'截取的示例性 下部显示面^反的;f黄截面图。为方使j兌明，用相同参考标记表示具有 与上述实施例(图1至图6)中的那些部件相同功能的部件，并因 而省略对其的描述。下文4又4十对不同之处进4亍描述。如图7A和7B所示，为了进一步减小第一子4象素电才及82a与 第一、第二数据线62a、 62b之间的耦合电容，形成连接至存储线 28并基本沿垂直方向延伸且与第一、第二数据线62a、 62b相平行 的第一、第二辅助存储电极29a、 29b。这里，第一、第二辅助存储电极29a、 29b可形成为4吏得将第 一子像素电极82a与第二子^f象素电极82b 4皮此分开的间隙83部分 地与第一、第二辅助存储电极29a、 29b交叠。这里，间隙83包括 倾斜部分与竖直部分，其中倾斜部分相对于栅极线22倾斜大约45° 或-45° ，而垂直部分连接在倾斜部分之间且沿第 一 、第二数据线62a、 62b布置。因此，优选地，第一、第二辅助存储电极29a、 29b部分
地与邻近第一、第二数据线62a、 62b的间隙83的竖直部分交叠。 第一、第二辅助存储电极29a、 29b可从存储电极27的边缘突出。第一、第二辅助存储电极29a、 29b与第一子像素电极82a形 成存储电容器，从而可防止第一子像素电极82a与第一、第二数据 纟戋62a、 62b之间的津禺合。此外，如图7B所示，当第一子像素电极82a部分地与第一、第 二辅助存储电极29a、 29b交叠时，可进一步降低第一子像素电极 82a与第一、第二数据线62a、 62b之间的耦合电容。第一子像素电 极82a与每个第一、第二辅助存储电极29a、 29b之间的交叠宽度 为L，大小可以是例如大约1至大约3 pm。下面，参照图8，对才艮据本发明第二示例性实施例的示例性LCD 的示例性下部显示面4反的另一部分进行描述。图8是4艮据本发明第 二示例性实施例的包:l舌图1的示例性B型^f象素的示例性下部显示面 板的布置图。为方便描述，用相同参考标记表示具有与图7A和图 7B中的那些部件相同功能的部件，并因而省略对其的描述。下文 仅针对不同之处进行描述。如图8所示，在B型像素中，第一漏电才及66a通过第一4妄触孔 76a连接于第二子像素电极82b，而第二漏电极66b通过第二接触 孔76b连4妻于第一子Y象素电才及82a。向连4妻于第二凄t据线62b的第 一子像素电极82a施加相对较高的电压，而向连接于第 一数据线62a 的第二子像素电极82b施加相对较低的电压。因此，可提高LCD 的侧部可见度。如同上面对图7A和图7B中所示的A型^f象素的描述，图8中 所示的B型像素包括第一、第二辅助存储电极29a、 29b。
在具有上述结构的LCD的情况下，如同第一示例性实施例那 样，可以防止第一、第二tt据线62a、 62b周围的光泄漏，并提高 LCD的孔径比。另外，通过第一、第二辅助存储电极29a、 29b, 第一子像素电极82a与第一、第二数据线62a、 62b之间的耦合电 容也进一步有效减小，从而防止LCD的显示性能降寸氐。下面，参照图1、图9A和图9B,对在根据本发明示例性实施例 的LCD中的子像素电极与数据线之间的耦合电容进行描述。优选 地，当在LCD中显示动态图像时，增加了输入图像信号的频率并 提高了液晶分子的响应速度，以防止残留图像与待产生图像的模 糊。例如，在120Hz或更高的频率下运行的LCD中，优选地，考 虑到液晶分子的响应速度，LCD以列反转模式被驱动，而非以点反 转模式被驱动。下文中，将根据通过列反转模式被驱动的LCD作 为实例对子像素电极与数据线之间的耦合电容进行详细描述。在以 列反转模式被驱动的LCD中，在第一帧期间，向第一数据线Da施 加正极性数据电压，向第二数据线Db施加负才及性数据电压(这里， 正负极性指的是数据电压相对于共用电压的极性，如下面参照图16 将要详细描述的)。在第二帧期间，向第一凄t据线Da施加负才及性it 据电压，向第二数据线Db施加正才及性数据电压。首先，参照图1和图9A，对被施以较高数据电压的第一子像 素电极Pa与数据线Da、 Db之间的耦合电容进行描述。图9A是出 了当灰度级水平发生变化时图1的示例性A型像素的示例性第一子 像素电极Pa与示例性B型像素的示例性第 一子像素电极Pa之间的 亮度差的—见图。这里，由于A型^f象素与B型^f象素的第一子〗象素电极 Pa同第 一数据线Da毗邻的面积大于同第二数据线Db毗邻的面积， 因此第 一 子像素电极Pa与第 一数据线Da之间的耦合电容主要影响 了 LCD的亮度变化。此外，在高灰度级水平下，第一子^f象素电相^ Pa总是具有高亮度，而在低灰度级水平下，却发生亮度变化。 在A型像素的情况中，在第一帧期间，通过第一数据线Da向 第一子像素电才及Pa施加正才及性数据电压。在第二帧期间，向第一 数据线Da施加负极性数据电压。因而，在第二帧期间在向第一子 像素电极Pa施加数据电压之前，在第 一子像素电极Pa与第 一数据 线Da之间发生耦合，并且减少了在第一帧期间中存储在第一子4象 素电极Pa中的数据电压。因此，第一子像素电极Pa的亮度也随之 减弱。在B型像素的情况中，在第一帧期间，通过第二数据线Db向 第一子像素电极Pa施加负极性数据电压。在第二帧期间，向第一 数据线Da施加负极性数据电压。因而，在第二帧期间在通过第二 数据线Db向第一子像素电极Pa施加数据电压之前，在第一子像素 电极Pa与第一数据线Da之间发生耦合，因此在第一帧期间存储在 第一子像素电极Pa中的数据电压进一步增加。因此，第一子像素 电极Pa的亮度也随之增强。在图9A中，亮度差数据指的是关于第一和第二帧的A型像 素的第一子像素电极Pa的亮度均方根(RMS)数值与关于第一和 第二帧的B型像素的第 一子像素电极Pa的亮度RMS数值之差。如 图9A所示，即使在低灰度级水平下A型像素和B型像素的第一子 像素电极Pa之间存在亮度差，但差值也仅约为1.5%或更低。这就 意味着，第一子像素电极Pa与第一、第二数据线Da、 Db之间的耦 合电容也大大减小。参照图1和图9B,对被施以较低数据电压的第二子像素电极 Pb与数据线Da、 Db之间的耦合电容进行描述。图9B是示出了当 灰度级水平发生变化时，图1的示例性A型像素的示例性第二子像 素电极Pb与图1的示例性B型像素的示例性第二子像素电极Pb 之间的亮度差。这里，因为A型、B型像素的第二子像素电极Pb 同第 一数据线Da之间的交叠面积比其同第二数据线Db之间的交叠
面积大，所以第二子像素Pb同第一数据线Da之间的耦合电容主要 影响LCD的亮度变化。另外，由于第二子像素Pb在低灰度级水平 下不运行而仅在高灰度级水平下运行，因此，亮度差的变化发生在 高灰度级水平下。在A型像素的情况中，在第一帧期间，通过第二数据线Db向 第二子像素电极Pb施加负极性数据电压。在第二帧期间，向第一 凄史据线Da施加负才及性^t据电压。因而，在第二帧期间，在通过第 二数据线Db向第二子像素电极Pb施加数据电压之前，在第二子像 素电极Pb与第一数据线Da之间发生耦合，并且在第一帧期间存储 在第二子像素电极Pb中的数据电压增加。因此，第二子像素电极 Pb的亮度也随之增强。在B型像素的情况中，在第一帧期间，通过第一数据线Da向 第二子像素电极Pb施加正极性数据电压。在第二帧期间，向第一 4改据线Da施加负^L性凄史据电压。因而，在第二帧期间，在通过第 一数据线Da向第二子像素电极Pb施加数据电压之前，第二子像素 电极Pb与第 一数据线Da之间发生耦合，并且在第 一帧期间存储在 第二子像素电极Pb中的数据电压减少。因此，第二子像素电极Pa 的亮度也随之减弱。在图9B中，亮度差数据指的是关于第一和第二帧的A型像 素的第二子像素电极Pb的亮度RMS数值与关于第 一和第二帧的B 型像素的第二子像素电极Pb的亮度RMS数值之差。如图9B所示， 即使在高灰度级水平下在A型和B型像素的第二子像素Pb之间存 在亮度差，亮度差也仅约为2.5%或更低。这就意味着，即使当第二 子像素电极Pb与第一、第二数据线Da、 Db交叠时，第二子像素 电极Pb与第一、第二数据线Da、 Db之间也仅存在较小耦合电容。
下面，参照图10至图IIC，将描述根据本发明第三示例性实施例的 示例性LCD。为方〗更描述，用相同参考标记表示具有与上述实施例 中的那些部件相同功能的部件，并因而省略对其的描述。下文仅针 对不同之处进行描述。首先，图10示出了示例性显示信号线与示例性像素的等效电 路图。图IO是根据本发明第三示例性实施例的示例性LCD中一个 示例性^像素的等效电^各图。如图IO所示，显示信号线包括栅极线GL、数据残Dl以及第 一、第二存^f诸线SLp SL2。第一、第二存4诸线SLp SL2基本以平 行于棚-极线GL等的方向延伸。另外，毎个像素PX均包括例如第一和第二子像素Ph、 Pl。这 里，第一和第二子^象素Ph、 Pl包括切换元件Q1、 Q2，它们分别 连接于栅极线Gl和数据残DL;液晶电容器Clca、 Clcb,它们分别 连接于切换元件Ql、 Q2;以及存储电容器Csta、 Cstb，它们分别 连接于切换元件Q1、 Q2和存储线SLp SL2。具体地，第一子^象素Ph包括第一切换元件Q1，其连4妄于棚-才及线Gt和凄t据线DL;第一液晶电容器Clca,其连4妄于第一切换元 件Q1;以及第一存储电容器Csta，其连接于第一切换元件Ql和第 一存储线S"。另外，第二子像素Pl包括第二切换元件Q2,其 连接于栅极线Gi^和数据线D^第二液晶电容器Clcb，其连接于第 二切换元件Q2;以及第二存储电容器Cstb，其连接于第二切换元 件Q2和第二存4诸线SL2。。相应第一、第二子像素Ph、 Pl的第一和第二切換元件Q1、 Q2 从同一条栅极线Gl分支而成，可以包括TFT等。这里，每个第一 和第二切换元件Ql和Q2均可为三端子元件，包括作为控制端
子的栅极电极，其连接于栅极线GL;作为输入端子的源电极，其连 接于数据线Dd以及作为输出端子的漏电极，其连接于每个液晶电 容器Clca、 Clcb及每个第一和第二存储电容器Csta、 Cstb。每个液晶电容器Clca与Clcb均具有下部显示面才反的第一、第 二子像素电极以及上部显示面板的共用电极的两个端子，并且介于 第一、第二子像素电极Pa、 Pb与共用电极之间的液晶层用作绝缘 体。第一、第二子^f象素电4及分别与切换元件Ql和Q2相连4妻。共 用电极形成在上部显示面板的整个表面上或几乎整个表面上，并被 施以共用电压Vcom。分别协助第一、第二液晶电容器Clca、 Clcb的第一、第二存4诸 电容器Csta、 Cstb具有第一、第二存储线SL、SL2以及彼此交叠 i殳在下部显示面^反上的第一、第二子《象素电才及，第一、第二子^f象素 电极之间插有绝纟彖材料。第一、第二存4诸电压可分别施加于第一、 第二存储线SLp SL2上。第一、第二存储电压可具有彼此不同的数 值，比如，4皮此呈反相的共用电压Vcom。这里，在第一子像素PH的第一子像素电极与第二子像素Pl的第二子像素电极中可形成不同的数据电压。具体地，通过第一、第二切换元件Q1、 Q2从数据线Dt中向 第一子像素电极和第二子像素电极施加相同的凄t据电压。这里，因 为第一子像素电极与第一存储线SL!相连，施加到第一子像素电极 的数据电压与施加到第一存储线SL,的第一存储电压相耦合，所以 数据电压的数值改变。以相同的方式，因为第二子像素电极与第二 存储线SL2相连，施加到第二子4象素电极的数据电压与施加到第二 存储线SL2的存储电压相耦合，所以数据电压的数值改变。如上所 述，当第一、第二存储电压具有彼此不同的电压时，作为结果，在 第 一和第二子像素电极中形成的数据电压也具有互不相同的电压。 比如，第一子像素电极中形成的数据电压可具有比第二子像素电极中形成的数据电压更大的数值。在这种情况下，第一子像素Ph 可以在低灰度级水平下开始运行，而第二子像素Pl可以在中灰度級 或更高灰度级水平下运行。下面，参照图IIA至图IIC，将详细描述根据本发明第三示例 性实施例的示例性LCD的示例性下部显示面^反。这里，图11A为 才艮才居本发明第三示例性实施例的示例性LCD的示例性下部显示面 氺反的布置图。图IIB为沿图11A的XIB-XIB'线截取的示例性下部 显示面板的布置图。图IIC为沿图11A的XIC-XIC'线截取的示例 性下部显示面^反的截面图。栅极线122与第一、第二存储线128a、 128b形成于绝缘基板 IO之上，绝缘基板例如由透明玻璃等制成。多条栅极线122沿第一方向(例如，水平方向)延伸，互相分 开、互相电隔离。栅极线122传送栅极信号。此外，在像素行中， 对应每个j象素在每条栅极线122上形成以突起形状形成的栅极电才及 126。栅4及线122与冲册才及电才及126共称为才册才及配线。第一和第二存^f诸线128a、 128b基本在与栅极线122相同的方 向上延伸，分别具有存储电极129a、 129b。存储电极具有比存储线 128a、 128b大的宽度。这里，像素电极182 (下面还将详细介绍) 与第一、第二存々者电才及129a、 129b互相交叠，乂人而形成存々者电容 器，该存储电容器提高了像素的电荷容量。第一和第二存储线128a、 128b与第一、第二存储电极129a、 129b共称为存储配线。在替换 实施例中，第一和第二存i者线128a、 128b与第一、第二存储电^L 129a、 129b的形状和排列可以不同方式进行改变。/人外部供应的第 一、第二存J诸电压，比4口互成反相的共用电压Vcom，可以施力口于 第一、第二存储线128a、 128b上。 冲册才及配线122、 126与存4渚配线128a、 128b、 129a、 129b可用与先前参照图3A描述的栅极配线22、 26a、 26b基本相同的材料制成。由氮化硅等制成的栅极绝缘层30形成在4册极配线122、 126和 存^f诸配线128a、 128b、 129a、 129b上，以及绝纟彖基玲反10的棵露表 面之上。由氢化非晶硅或多晶硅制成的半导体层140形成在栅极绝缘层 30上。半导体层140可具有多种形状，如岛状或条状。比如，如图 IIA所示的，半导体层140为岛状，并形成得与栅才及电极126所占 据的区域交叠。由硅化物或以高浓度掺入n型杂质的n+氢化a-Si制成的欧姆 <接触层155、 156形成在半导体层140上。凄t据线162、源电才及165、第一、第二漏电极166a、 166b形成 于欧姆接触层155、 156和栅极绝缘层30之上。数据线162沿第二方向(例如，竖直方向)延伸，与栅极线122、 存4诸线128a、 128b相互交叉，并传送凄t据电压。源电才及165乂人每 条片册4及线162延伸并朝向第一、第二漏电才及166a、 166b延伸。如 图11A所示，从数据线162向源电极165施加的数据电压通过每个 第一、第二漏电极166a、 166b被传送^个第一、第二子像素电 极182a、 182b。凄史据线162、源电才及165、以及第一、第二漏电才及166a、 166b 共称、为H才居配线。凄t才居配线162、 165、 166a、 166b可用与先前参 照图3A4苗述的凄t才居酉己线62a、 62b、 65a、 65b、 66a、 66b基本才目同的材料制成。
半导体层140部分地与源电极165交叠，源电极是以分支形状 从数据线162中分支。半导体层140至少部分地由相对于棚-极电极 126面向源电极165的第一、第二漏电极166a、 166b交叠。这里， 上面提到的欧姆接触层155、 156可能存在于半导体层140与源电 极165之间以及半导体层140与第一、第二漏电才及166a、 166b之 间以减少4妄触阻力。每个第一、第二漏电极166a、 166b均包括与毗邻源电极165 的半导体层140交叠的杆状图案、以及自杆状图案延伸并具有与存 〃賭电才及129a、 129b大交叠面积的漏电才及延伸部分。第一、第二摘「 触孑L 176a、 176b位于每个漏电极延伸部分上。漏电极延伸部分与 像素电极182或第一、第二存储电极129a、 129b相互交叠以形成 存储电容器。4屯4匕层70形成于凄史才居酉己纟戋162、 165、 166a、 166b和净果露的半 导体层140上，以及栅极绝缘层30的棵露部分之上。第一、第二 接触孔176a、 176b形成得穿过钝化层70以露出第一、第二漏电极 166a 、 166b的漏电才及延伸部分的大面积部分。形成于钝化层70上的像素电极182包括第一、第二子像素电 极182a、 182b，子像素电极通过间隙183彼此分开。这里，每个子 像素182a、 182b均可由透明电导体(诸如ITO或IZO )或反射性 电导体(如铝)制成。第一、第二子像素电极182a、 182b分别通过第一、第二接触 孑Ll76a、 176b与第一、第二漏电才及166a、 166b电连4妄，并4皮供以 来自于第一、第二漏电极166a、 166b的数据电压。 被施以数据电压的第一、第二子像素电才及182a、 182b与上部 显示面才反上的共用电才及共同产生电场，/人而决定了第一、第二子傳_ 素电极182a、 182b与共用电极之间的液晶分子的排列。jt匕夕卜，参照图10与图11A，子像素电极182a、 182b与共用电 极形成液晶电容器Clca、 Clcb,并且即使在关闭TFTQ1、 Q2之后， 仍能维持所施加的电压。为了增大电压维持能力，可以以下述方式 形成与液晶电容器Clca和Clcb并联连接的存储电容器Csta、 Cstb, 所述方式即，佳:得存4诸配线128a、 128b由第一、第二子^f象素电才及 182a、 182b或由与第一、第二子^象素电才及182a、 182b相连的第一、 第二漏电才及166a、 166b交叠。具有互不相同数值的第一、第二存储电压可分别施加于第一、 第二存储线128a、 128b。比如，第一、第二存储电压可为互成反相 的共用电压Vcom。由于第一、第二子j象素电才及182a、 182b分别与第一、第二存 储线128a、 128b相连接，施加于第一子i象素182a的数据电压和施 加于第二子^f象素182b的数据电压也分别与第一、第二存储电压相 耦合，因此其数值改变。例如，第一和第二存^f诸电压可为互成反相的电压。因此，第一、 第二子像素电极182a、 182b之间具有预定的电压值偏离。比如， 即使从相同数据线162中接收数据电压，第一子像素电极182a中 形成的数据电压也可能高于第二子^f象素电才及182b中形成的凝:据电 压。在示例性实施例中，第一子像素电极182a可在低灰度级水平 下运行，第二子像素电极182b可在中灰度级水平或更高灰度级水 平下运行。 回到图IIA至图IIC， 一个像素电极182包括第一、第二子像 素电极182a、 182b，它们之间隔开间隙183，且彼此电隔离。优选地，第一子l象素电才及182a形成在〗象素区域内以1更与数据 线162不相交叠。比如，第一子^f象素电才及182a可能具有如图所示 的矩形形状，^旦本发明并不局限于此。第二子j象素电才及182b形成于<象素中除去第一子<象素电4及182a 之外的区域。更明确地说，第二子像素电极182b围绕第一子像素 电极182a的外边缘或外围，即，围绕第一子像素电极182a的上/ 下/左/右。优选地，第二子像素电4及182b的至少一部分与凄t据线162 相交叠。第二子^f象素电才及182b可与凄t据线162交叠预定宽度d2, 交叠宽度d2可在大约2至3 pm的范围内。第二子像素电极182b 可与第二子像素电极182b从中接收数据电压的数据线162交叠， 第二子^f象素电极182b也可与毗邻数据线162交叠。这里，第二子 像素电极182b与数据线162交叠从而增加LCD的孔径比。将第一、第二子像素电极182a、 182b 4皮此分开的间隙183的 宽度可为dl， dl的大小例4o大约为5至6 )Lim。起初，通过数据线162将相同的数据电压施加给第一、第二子 ^f象素电4及182a、 182b。 ^f旦是，由于第一、第二存4诸线128a、 128b 与第一、第二子像素电极182a、 182b之间的连接，在第一子像素 电极182a中形成较高的数据电压，而在第二子像素电极182b中形成较低的数据电压。这样，LCD的侧面可见度得到提高。另夕卜，第一子像素电极182a与数据线162并不交叠，但是第 二子像素电极182b设在第 一子像素电极182a与数据线162之间以防止二者之间的耦合。这样，可以有效地防止竖直方向的色度亮度 干扰。
具体地，当LCD在低灰度级水平下运行时，由于液晶基本上 通过被施以较低电压的第一子像素电极182a运行，因此可以通过 防止第一子像素电极182a与数据线162之间的耦合而有效地防止 竖直方向的色度亮度干扰。用于排列液晶层的队列层(图中未示)可适用于第一、第二子 <象素电才及182a 、 182b及4屯化层70。下面，参照图12A、 12B，将描述才艮据本发明第四示例性实施例的 对示例性LCD的示例性下部显示面板。这里，图12A为根据本发 明第四示例性实施例的示例性LCD的示例性下部显示面才反的布置 图。图12B为沿图12A的线XIIB-XIIB'截取的示例性下部显示面板 的截面图。为方^f更描述，用相同参考标记表示具有与上述实施例中 的那些部件相同功能的部件，并因而省略对其的描述。下文^f又针对不同之处进行描述。与第一子像素电极182a相连的第一存储配线127、 128a、 129a 包括第一存储线128a,沿与栅极线122基本相同的方向延伸；第 一存储电极129a，从第一存储线128a突出，具有较大宽度，并通 过与第一漏电极166a交叠而形成存储电容器；以及辅助存储电极 127，其乂人第一存〗诸线128a中分支，并沿间隙183延伸。在所示的 实施例中，辅助存储电极127的第一部分沿间隙183的一部分延伸， 该一部分毗邻像素电极182从中接收数据电压的数据线162，辅助 存储电极127的第二部分沿间隙183的一部分延伸，该一部分邮匕邻 行方向中毗邻像素的数据线162。第一、第二子像素电极182a、 182b可4皮此隔开间隙183的宽 度，例如，隔开大约为5至6 )Lim的宽度。为防止通过间隙183发 生光泄漏，从第一存储线128a中分支的辅助存储电极127与间隙183相互交叠，这样，间隙183的周围使_被封阻，/人而可以防止光 泄漏。辅助存储电极127可以从第一存储线128a中分支，并基本与 数据线162平行延伸。下文中，参照图13至图16,将对4艮据本发明第五示例性实施 例的示例性LCD进4于描述。图13是示出了根据本发明第五示例性实施例的示例性LCD的 示例'性下部显示面^反的一部分。参照图13,下部显示面板210包括基底板212、多条4册极线 GL1至GLn (图中只示例性地标出GL3-GL6 )、以及多个凄t据线对 DL1/DL2、 DL3/DL4、 DL5/DL6至DLm-l/DLm (图中只示例'f生i也 标出DL3/DL4-DL7/DL8)、以及多个像素PX。根据本发明第五示 例性实施例的下部显示面板210还包括向每个像素提供两个不同极 性数据电压的第一切换元件Tl和第二切换元件T2 (如图14中更 详细描述的)。基底板212为透明绝缘基板并且包括多个以矩阵形式布置的像 素区域PA。多条栅极线GL1至GLn及多个数据线对DL1/DL2、 DL3/DL4、 DL5/DL6至DLm-l/DLm形成并l文i殳于基底4反212上。 多条栅极线GL1至GLn沿第二方向D2延伸。多个数据线对 DL1/DL2、 DL3/DL4、 DL5/DL6至DLm-l/DLm基本沿第一方向Dl 延伸，以4吏多个翁::悟线^寸与多条4册才及线GL1至GLn相互绝》彖并与 之交叉。这里，凄t据线对DL1/DL2、 DL3/DL4、 DL5/DL6至DLm-l/DLm是通过将每两个相邻的婆史才居线分为 一组而形成的，并且一个^象素区域PA与每个数据线对交叠。每个数据线对具有z字形形状，其中 数据线对的该形状在第二方向D2上重复从而在每个^f象素区域PA 内就具有"M"形状。在多个^f象素区i或PA上分别形成有多个像素电才及PX ，比如PX1 、 PX2，它们以矩阵形状布置。每个像素电极PX包括第一子像素电 极(比如像素电极PX1的PXa、像素电极PX2的PXc )，以及第二 子像素电极(比如像素电极PX1的PXb、像素电极PX2的PXd), 它们沿第二方向D2顺序:l也形成。另外，除^f象素电才及PX之外，第 一、第二薄膜晶体管T1、 T2也形成在像素区域PA上。图14是详细示出了图13中所示的一个示例性像素电极PX1 的结构。参照图14,像素电极PX1包括第一子像素电极PXa和第二子 像素电极PXb。像素电极PX1具有中心，该中心平行于栅极线GL3 沿向左方向弯曲，并且该4象素电才及PX1关于该弯曲中心刈-称、。因而， 像素电极PX1的两端沿向右方向弯曲，与像素电极PX1的中心弯 曲所沿的方向相反。与4象素电才及PX1相只于应的W居线DL4以及凄t:悟线^" DL3/DL4 中的另 一条数据线DL3 4皮此相邻并基本沿第一方向Dl形成。因而， 像素电极PX1与数据线对DL3/DL4交叠。数据线DL3和DL4可被 施加相互不同的数据电压，并且数据线DL4向像素电极PX1传送 数据电压。第一薄膜晶体管Tl由栅极线GL3和数据线DL4形成，并且第 一子像素电极PXa电连接于第一薄膜晶体管Tl。第一薄膜晶体管 Tl包括分支于4册极线GL3的第一栅极电极Gl;分支于翁:据线DL4的第一源电才及Sl;以及与第一源电才及Sl分开并通过第一4妄触 孔H1电连接于第一子像素电极PXa的第一漏电极Dl。第二薄膜晶体管T2由栅极线GL3和数据线DL5形成，并且第 二子像素电极PXb电连接于第二薄膜晶体管T2。这里，值得注意 的是，数据线DL5形成得与相邻的像素电极PX2相对应，即，与 相邻的^f象素电才及PX2交叠。第二薄膜晶体管T2包括分支于栅极线GL3的第二栅极电极 G2;分支于数据线DL5的第二源电极S2，其与相邻像素电极PX2 相对应地被敷设；以及与第二源电极S2分开，并通过第二接触孔 H2与第二子〗象素电4及PXb电连4妄的第二漏电才及D2。通过第一、第二薄膜晶体管T1、 T2向第一子像素电极PXa和 第二子像素电极PXb施加不同的数据电压。像素电极PX1的第一、第二子像素电极PXa、 PXb属于同一像 素区域PA。向第一、第二子像素电极PXa、 PXb施加与相同图像 信息相对应并互补的不同数据电压以便显示高质量的图像。例如， 施加于第一子像素电极PXa的数据电压的电压电平(基于共用电压 Vcom)的变动宽度可能比施加于第二子像素电极PXb的数据电压 的电压电平(基于共用电压Vcom)的变动宽度更大或更小。并且， 施加于第一子像素电极PXa的#:据电压和施加于第二子4象素电核_ PXb的数据电压可能具有彼此相反的相差。图14示出了其中第一 子4象素电才及PXa的面积祐 没计成大于第二子4象素电才及PXb的面积 的实例。当被施以较高数据电压的第二子像素电极PXb的面积比第一 子4象素电4及PXa的面积小时，可以^吏侧部伽马弯曲更接近于前部伽 马弯曲。更i羊细地/说，当第一子4象素电才及PXa与第二子<象素电招_
PXb之间的面积比约为2:1至3:1时，侧部伽马弯曲更4妄近于前部 伽马弯曲，因此提高了侧部可视度。因此，在形成有第一、第二子^f象素电才及PXa、 PXb的区i或内出 现不同的光学特性，而光见特性互补，乂人而可进一步才是高显示质量。同时，如图14所示，包括第一子像素电极PXa和第二子像素 电极PXb的像素电极PX1在像素区域PA内形成为具有M形状， 其在棚"f及线GL3的至从向方向上》十称。另外，相邻的翁:l居线DL3、 DL4具有与^f象素电才及PX1相应的形状，并且第一子像素电极PXa 与数据线DL3、 DL4交叠。优选地，第一子像素电极PXa与数据线 对DL3/DL4的相邻数据线DL3、 DL4完全交叠。通常，单元像素区域由栅极线与数据线限定。这时，数据线与 像素区域的边缘交叠，或形成于像素区域的边缘上。在这种情况下， 在形成图案的处理中，4艮难维持<象素区i或与翁:据线之间的预定间隔。因此，在根据本发明示例性实施例的下部显示面板中， <象素电 极完全与数据线交叠，因此能够消除由于数据线对与像素电极之间 的不规则间隔而产生的耦合误差。图15为示出了图13中所示的示例性下部显示面4反应用于其中 的示例性LCD的框图。为了简化，与每个像素电极PX相连接的数 据线对以直线示出。然而，如图13、 14所示，每个^t据线对都以Z 字形敷设，且每个像素电极PX与数据线对交叠。图15中示出的LCD 300包括液晶面^反310、时控才几构320、灰 度电压发生器330、数据驱动器340以及栅极驱动器350。虽然液 晶面才反310应用于图15中所示的LCD300中， <旦LCD 300的其它
元件也适合于与包含前述任一实施例的下部显示面板的液晶面板 结合使用。液晶面^反310可包括图13的下部显示面才反210及面对下部显 示面才反210的上部显示面才反(未示出)。时控机构320根据数据驱动器340与栅极驱动器350所需的时 间控制图像数据信号R、 G、 B,并输出所控制的图像数据信号R、 G、 B。另外，时控机构320输出用于控制数据驱动器340和栅极驱 动器350的第一、第二控制信号CNTL1和CNTL2。第一控制信号 CNTL1的实例可包括水平同步起始信号STH、数据输出信号TP， 等等。而第二控制信号CNTL2的实例可包括扫描起始信号STV、 栅极时钟信号CPV、允许输出信号OE,等等。灰度电压发生器330产生许多与像素电极PX的传送有关的灰 度电压，并将产生的灰度电压提供给下面所述的数据驱动340器。数据驱动器340响应于从时控4几构320提供的第一控制信号 CNTL1以及从灰度电压发生器330施加的灰度电压驱动液晶面板 310的凄t才居线对DL1/DL2、 DL3/DL4至DLm-l/DLm。数据驱动器340从时控机构320接收关于一个像素行的第一控 制信号CNTL1及图像信号DAT,并在由灰度电压发生器330产生 的灰度电压中选择与每个数字信号DAT相对应的灰度电压。之后， 在数据驱动器340将所选灰度电压转换为相应的数据电压后，数据 驱动器340将数据电压提供给相应的数据线对DL1/DL2、 DL3/DL4 至DLm-l/DLm。如上所述，具有彼此相反相差的数据电压与不同 水平的电压被施加于数据线对。
栅极驱动器350响应于从时控机构320输入的第二控制信号 CNTL2以及从驱动电压发生器(未示出)输出的接通电压VON和 关闭电压VOFF驱动液晶面^反310的4册才及线GL1至GLn。棚4及驱 动器350分别通过栅极线GL1至GLn将栅极电压提供给像素电极 PX，并"接通或关闭"与每个像素电极PX相连的第一、第二薄膜 晶体管(图14所示T1、 T2)。图16为施加于每个示例性像素电极以执行包括白色图案和灰 色图案的图 <象图案的翁j居电压的波形图。参照图16,数据线DL3的电压波形为从数据驱动器340施加 于第一子像素电极(图13中所示的PXa)的电压波形，而数据线 DL4的电压波形为从数据驱动器340施加于第二子像素电极(图13 中所示的PXb)的电压波形。如图13和图16所示，优选地，数据线DL3、 DL4的电压波形 具有彼此相反且变动的相，以使毗邻数据线对DL3/DL4弥补像素 电极PX1上的耦合效应。这样就能完全消除每个像素电极PX与数 据线对DL1/DL2、 DL3/DL4至DLm-l/DLm之间发生的耦合。因此，每个像素电极(尤其是，第一子像素电极)完全与各数 才居线只于DL1/DL2、 DL3/DL4至DLm-l/DLm交叠，乂人而消除凄t才居线 对与像素电极PX之间的耦合误差。另外，数据线对分别被施以数 据电压，该凄t据电压沿相互4氐消的方向波动。因此，凄t据线对与l象 素电极之间的耦合即被消除。如上所述，依据本发明示例性实施例的LCD,可以防止数据线 周围的光泄漏，并可增加孔径比。另外，子《象素电4及与第一、第二 数据线之间的耦合电容减少，从而防止LCD显示特性的退化。这 样可防止可能在低灰度级水平下发生的竖直色度亮度干扰。
此外，第 一和第二子像素电极之间的间隙可由存储电极阻挡从 而防止光泄漏。另外，可增加LCD的可见度并获得高孔径比。尽管已结合本发明的示例性实施例描述了本发明，但本领域的 才支术人员应该理解，在不背离本发明范围和精神的前提下，可对本 发明做出各种更改和变化。因此，应理解的是，上述示例性实施例 在所有方面都不是限制性的，而是解释性的。
权利要求
1.一种液晶显示器，包括第一绝缘基板；栅极配线，形成于所述第一绝缘基板上并沿第一方向延伸；数据配线，与所述栅极配线绝缘并与之交叉，且所述数据配线沿第二方向延伸；以及像素电极，每个所述像素电极均包括被施以来自所述数据配线的不同数据电压的第一和第二子像素电极，其中，每个第二子像素电极的至少一部分与所述数据配线交叠。
2. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极， 施加于所述第一子^f象素电极的数据电压高于施加于所述第二 子像素电极的数据电压。
3. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极， 所述第二子像素电才及沿所述#t据配线的宽度方向与相应的凄史据配线完全交叠。
4. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极， 所述第一子像素电极包括V形形状，且所述第二子像素电极 形成在像素的除所述第 一子像素电极之外的区域中。
5. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极， 所述第二子像素电极形成为围绕所述第 一子像素电极。
6. 根据权利要求5所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极所述第二子像素电极包括朝向所述数据配线基本倾斜大 约45°或大约-45°的主区域以及沿所述数据配线设置并与其交 叠的桥接区域，且所述桥4妄区域连接至所述主区域。
7. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极， 所述第 一子像素电极不与所述数据配线交叠。
8. 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电极， 所述数据配线包括多条第 一和第二数据线，所述第 一和第二数 据线分别向所述第一和第二子像素电极提供不同的数据电压。
9. 根据权利要求8所述的液晶显示器，其中，第一型像素和第二 型像素沿第 一和第二方向交替布置，每个所述第 一型像素具有 被供以来自第 一 数据线的数据电压的第 一 子像素电极，每个所 述第二型像素具有被供以来自第二数据线的数据电压的第一 子l象素电才及。
10. 4艮据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括存储线和存储电极，形成于所述第一绝缘基板之上，并基 本平^亍于所述一册纟及配线而延伸；辅助存储电极，连接至所述存储线，并基本平行于所述数 据配线而延伸。
11. 根据权利要求IO所述的液晶显示器，其中，在每个像素电极 中将所述第一和第二子像素电极彼此分开的间隙部分地与所 述辅助存储电极交叠。
12. 根据权利要求11所述的液晶显示器，其中，对于每个像素电 极，所述第一子像素电极与所述辅助存储电极的至少一部分交 叠。
13. 根据权利要求12所述的液晶显示器，其中，所述辅助存储电 极与所述第一子像素电极彼此交叠的宽度在大约1 pm至大约 3 |um的范围内。
14. 根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括第二绝缘基板，面对所述第一绝缘基板；共用电极，形成于所述第二绝缘基板上；以及 液晶层，介于所述第一和第二绝缘基板之间，且所述液晶 层包含液晶分子。
15. 根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括由有机材料形 成的4屯化层，并且所述4屯化层介于所述数据配线与所述^f象素电 极之间。
16. —种液晶显示器，包:fe:栅极配线和数据配线，在绝缘基板上彼此绝缘并彼此交叉；一对第一和第二薄膜晶体管，连接至所述4册^i配线和所述 数据配线；第一子像素电极，连接至所述第一薄膜晶体管；第二子像素电极，围绕所述第一子像素电极，与所述第一 子像素电极彼此隔开 一 间隙，并连接至所述第二薄膜晶体管；第 一存储线，与所述第 一子像素电极交叠并接收第 一存储 电压；以及 第二存储线，与所述第二子像素电极交叠并接收与所述第 一存储电压不同的第二存储电压。
17. 根据权利要求16所述的液晶显示器，其中，所述第二存储电 压与所述第一存储电压反相。
18. 才艮据权利要求16所述的液晶显示器，其中，乂人所述凄t据线施 加给所述第一和第二子像素电极的相同数据电压由于所述相 同数据电压与所述第一和第二存储电压之间的耦合而变得彼 此不同。
19. 根据权利要求16所述的液晶显示器，其中，所述第一子像素 电极与所述数据配线不相交叠，并且所述第二子像素电极的至 少 一部分与所述凄t悟配线相交叠。
20. 根据权利要求19所述的液晶显示器，其中，所述第二子像素 电极与所述数据配线的交叠宽度在大约2|Lim至大约3 jam。
21. 根据权利要求16所述的液晶显示器，进一步包括存储电才及，/人所述第一存4诸线分支出来，并与所述间隙交叠。
22. 根据权利要求21所述的液晶显示器，其中，所述存储电极基 本平行于所述数据配线而延伸。
23. 根据权利要求16所述的液晶显示器，进一步包括由有机材料 形成的钝化层，并且所述钝化层介于所述数据配线与所述第一 和第二子^f象素电才及之间。
24. —种液晶显示器，包《1舌栅极线；数据线对，与所述棚4及线绝纟彖并与之交叉；以及 寸象素电才及，分别电连接至所述4册才及线和所述凄t据线对，其中，每个所述像素电极均包括第 一子像素电极和面积小 于所述第一子<象素电才及的第二子{象素电才及，并且所述第 一 子像素电极与所述数据线对交叠。
25. 才艮据4又利要求24所述的液晶显示器，其中每个所述像素电极均具有沿与所述栅极线平行的第 一方 向弯曲的弯曲中心，并且每个所述^f象素电才及关于所述弯曲中心 对称，并且每个^f象素电^l的两端均沿第二方向弯曲，所述第二方向与 基于所述弯曲中心的所述第一方向相反。
26. 根据权利要求25所述的液晶显示器，其中，每个所述数据线 对均具有与每个像素电极的形状相对应的形状，并且被每个傳_ 素电极的所述第 一子像素电极交叠。
27. 根据权利要求25所述的液晶显示器，其中，每个所述数据线 对均以Z字形形成，并且被每个像素电极的所述第一子像素 电才及交叠。
28. 根据权利要求24所述的液晶显示器，进一步包括第一和第二薄膜晶体管，分别向所述第一和第二子像素电 极才是供来自所述tt据线对的两种tt据电压。
29. 根据权利要求28所述的液晶显示器，其中，所述两种数据电 压具有4皮此相反的相。
30. 根据权利要求28所述的液晶显示器，其中，所述两种数据电 压具有不同的电压电平。
31. 根据权利要求24所述的液晶显示器，还包括由有机材料形成 的钝化层，并且所述钝化层介于所述数据线对与所述像素电极 之间。
32. —种用于提高液晶显示器的显示质量的方法，所述液晶显示器 具有像素区域矩阵，所述方法包括在绝纟彖基^反上形成4册才及配线，所述4册才及配线基本沿第 一方 向延伸；形成与所述栅极配线绝缘的数据配线，所述数据配线基本 沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向基本垂直；在每个像素区域内形成第 一和第二子像素电极，使得在每 个像素区域中所述第二子像素电极与相邻的数据配线交叠，所 述第二子像素电极至少部分地围绕所述第 一子像素电极并且 具有比所述第一子^f象素电4及大的面积；以及向所述第 一子像素电极施加数据电压，所述数据电压大于 施加于所述第二子像素电极的数据电压。
全文摘要
一种能够提高显示质量的液晶显示器(LCD)，包括第一绝缘基板；栅极配线，形成于第一绝缘基板之上并沿第一方向延伸；数据配线，与栅极配线绝缘并与之交叉且沿第二方向延伸；以及像素电极，每个像素电极包括被施以来自数据配线的不同数据电压的第一、第二子像素电极，其中第二子像素电极的至少一部分与数据配线相交叠。
文档编号G09G3/36GK101109880SQ200710130120
公开日2008年1月23日 申请日期2007年7月20日 优先权日2006年7月21日
发明者文盛载, 李成荣, 罗惠锡, 金东奎 申请人:三星电子株式会社
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