显示装置及其制造方法
专利名称：显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及显示装置及其制造方法，尤其涉及具有可以修正的像素结构的显示装置及其制造方法。
背景技术：
作为使用了电流驱动型的发光元件的图像显示装置，已知使用了有机电致发光元件(以下，记为有机EL元件)的有机EL显示器。该有机EL显示器因为具有视角特性优良、功耗低的优点，所以作为下一代的FPD(Flat Panel Display，平板显示器)候选而受到关注。通常，构成像素的有机EL元件配置为矩阵状。例如，在有源矩阵型的有机 EL显示器中，在多条扫描线与多条数据线的交点处设置薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)，在该TFT上连接保持电容元件(电容器)及驱动晶体管的栅。而且，通过所选择的扫描线使该TFT导通，将来自数据线的数据信号输入至驱动晶体管及保持电容元件， 并通过该驱动晶体管及保持电容元件对有机EL元件的发光定时进行控制。通过该像素驱动电路的结构，在有源矩阵型的有机EL显示器中，因为可以使有机EL元件发光至下次扫描 (选择)，所以即使占空比提高也不会引起显示器的辉度降低。但是，在如以有源矩阵型的有机EL显示器为代表地，发光像素的驱动电路结构变得越复杂、此外发光像素数越增加， 越需要精细加工的制造工序中，会产生电路元件和/或布线的短路和/或开路的电不良状况。尤其是，在有机EL面板中，构成像素驱动电路的保持电容元件的元件面积相对宽阔。因而，该保持电容元件，容易受存在于电极间的微粒等的影响，由于发生短路不良而成为使像素不良率升高的主要原因。另一方面，有人提出在像素驱动电路元件和/或布线的形成之后，对发生了不良状况的发光像素进行修正的方法。在专利文献1中，为了对由于电路元件的短路等始终成为发光状态而辉点化的不良发光像素进行修正，在全部发光像素区域，设置与其他导电部及布线分离而连接的非重叠部。关于不良发光像素，通过对该非重叠部照射激光，而切断该非重叠部。由此，不良像素被切断电信号的传输，而且，不会受到由激光照射引起的损伤而灭点化。此外，在专利文献2中，形成于各发光像素的发光区域的像素电极采取多个单元连接起来的结构，通过将其连接位置的一部分用激光切断，仅将不良的发光单元电绝缘而灭点化。专利文献1 特开2008-203636号公报专利文献2 特开2007-66904号公报
发明内容
要达到由发光像素数的增加引起的像素电路的高密度化以应对显示面板的高精细化，尤其需要在对面积比例高的保持电容元件的布局设计下功夫。对此，使保持电容元件共用作为原本功能的电容保持功能和对各电路元件进行连接的电路布线功能成为有效的方法。但是，对于作为像素不良率的主要原因的保持电容元件的短路，在使保持电容元件共有电容保持功能和电路布线功能并且通过专利文献2所记载的结构对电流泄漏位置用激光等进行修正的情况下，根据短路发生位置而切断电路布线，消除电路布线功能。其结果，虽然可以将不良发光像素灭点化，但是无法恢复作为正常发光像素的功能。此外，在专利文献1所记载的结构及方法中，虽然可以使保持电容元件与其他电路元件电绝缘化而无功能化，但是在为了达到由发光像素数的增加引起的像素电路的高密度化而设计保持电容元件的布局时，在将保持电容元件的全部设为与导电部及布线分离而连接的非重叠部方面存在局限。不论在上述的哪一以往技术中，都为即使可以使不良发光像素灭点化或者使发光元件以与其他正常发光像素不同的发光定时发光，也无法通过使不良发光像素以正常发光定时发光而使发光面板的显示质量提高。本发明是鉴于上述的问题而提出的，其目的在于提供一种即使像素电路高密度化也可以使具有短路不良的保持电容元件的不良发光像素以正常发光定时发光的显示装置及其制造方法。为了解决上述的问题，本发明的显示装置二维状地排列有多个显示像素，该多个显示像素层叠有显示元件层和对该显示元件层进行驱动的驱动电路层，所述驱动电路层具备平行平板型的电容元件，该平行平板型的电容元件具有配置成在层叠方向对向的上侧电极层及下侧电极层；所述上侧电极层具备将第一电路元件与第二电路元件相连接的第一上侧电容电极部；以及经由第一可以切断部与该第一上侧电容电极部相连接的第二上侧电容电极部；所述下侧电极层具备将第三电路元件与第四电路元件相连接的第一下侧电容电极部；以及经由第二可以切断部与该第一下侧电容电极部相连接的第二下侧电容电极部；所述电容元件在所述第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间及所述第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。根据本发明的显示装置及其制造方法，对于共用电路布线和电容元件的2个相对电极层，分别通过以预定的配置设置可以切断的电极部，即使对短路不良位置进行修复切断也可以维持作为电路布线的导通功能，且确保电容保持功能。因而，即使像素电路高密度化，也可以使具有短路不良的保持电容元件的不良发光像素以正常发光定时发光，可以使发光面板的显示质量提高。
图1是表示本发明的实施方式的显示装置的结构的框图。图2是本发明的实施方式的发光像素的主要电路结构图的一例。图3A是表示本发明的实施方式1的显示装置所具有的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。图3B是表示本发明的实施方式1的显示装置所具有的保持电容元件的电极构成的立体图。
图4A是本发明的实施方式1的保持电容元件的等价电路图。图4B是表示对本发明的实施方式1的保持电容元件照射激光而切断预定的电极块层的状况的图。图5A是表示本发明的实施方式1的第1变形例的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。图5B是表示本发明的实施方式1的第1变形例的保持电容元件的电极结构的立体图。图6A是表示本发明的实施方式1的第2变形例的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。图6B是表示本发明的实施方式1的第2变形例的保持电容元件的电极结构的立体图。图7A是表示本发明的实施方式1的第3变形例的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。图7B是表示本发明的实施方式1的第3变形例的保持电容元件的电极结构的立体图。图8是表示本发明的实施方式2的显示装置的制造方法的工作流程图。图9A是以往的显示装置所具有的发光像素的第1布局图。图9B是以往的显示装置所具有的发光像素的第2布局图。图9C是本发明的显示装置所具有的发光像素的第1布局图。图IOA是以往的显示装置所具有的发光像素的第3布局图。图IOB是本发明的显示装置所具有的发光像素的第2布局图。图IlA是本发明的显示装置所具有的发光像素的第3布局图。图IlB是本发明的显示装置所具有的发光像素的第4布局图。图IlC是本发明的显示装置所具有的发光像素的第5布局图。图12是内置有本发明的图像显示装置的薄型平板TV的外观图。符号说明1显示装置
10显示面板
11发光像素
IlA驱动电路层
IlB显示元件层
12信号线
13扫描线
14扫描线驱动电路
15信号线驱动电路
16电源线
20控制电路
21开关晶体管
22驱动晶体管
23、23A、23B、23C、23D 保持电容元件24 有机EL元件31、32、33、34、35、36、37、38、39、40、300、303、306 电路布线51、52、53、54 短路231、233、235、237 上侧电极层231a、231b、233a、233b、235a、235b、235c、235d、237a、237b 上侧电容电极部231s、232s、233s、234sl、234s2、235sl、235s2、235s3、235s4、236s、237s、238sl、 238s2、301sl、301s2、302s、304s、305s 可以切断部232、234、236、238 下侧电极层232a、232b、234a、234b、234c、236a、236b、238a、238b、238c 下侧电容电极部
具体实施例方式本发明的一种方式的显示装置，二维状地排列有多个显示像素，该多个显示像素层叠有显示元件层和对该显示元件层进行驱动的驱动电路层，所述驱动电路层具备平行平板型的电容元件，该平行平板型的电容元件具有配置成在层叠方向对向的上侧电极层及下侧电极层；所述上侧电极层具备将第一电路元件与第二电路元件相连接的第一上侧电容电极部；以及经由第一可以切断部与该第一上侧电容电极部相连接的第二上侧电容电极部；所述下侧电极层具备将第三电路元件与第四电路元件相连接的第一下侧电容电极部；以及经由第二可以切断部与该第一下侧电容电极部相连接的第二下侧电容电极部；所述电容元件在所述第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间及所述第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。为了实现像素电路的高密度化，以往，将像素电路内的电容元件的单侧电极作为电路布线的一部分而共用。但是，由于为了确保像素功能而必须维持作为电路布线的导通特性，所以在以往的结构中，在电容元件的修复时，即使在共用电路布线的电极存在短路缺陷等，也没法将该不良电极从电路切断。也就是说，对可以进行电容元件的不良部分的切离的部分存在限制。在本发明中，即使是电路布线共用一部分电容元件的结构，也因为采取对在修复时可以进行电容元件的不良部分的切离的部分没有限制的结构，所以在修复后也可始终维持电路布线的特性。例如，当存在在第一上侧电容电极部与第二下侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第二可以切断部。由此，维持第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。此外，当存在在第一下侧电容电极部与第二上侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第一可以切断部。由此，维持第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、 将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，也可以进一步地，所述上侧电极层具备经由第三可以切断部与所述第一上侧电容电极部相连接的第三上侧电容电极部；和/或所述下侧电极层具备经由第四可以切断部与所述第一下侧电容电极部相连接的第三下侧电容电极部；所述电容元件在所述第三上侧电容电极部与所述第一下侧电容电极部之间和/ 或所述第三下侧电容电极部与所述第一上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。根据本方式，当在电容元件发生了短路不良的情况下，与电容元件的单侧电极被分割为2个电极部的情况相比较，通过切离所分割的3个电极部之中的仅1个电极部，在修复后也可维持电路布线的特性。因而，可以减小修复后的电容元件所具有的静电电容相对于正常像素的电容元件的静电电容的减少量。例如，当存在在第一上侧电容电极部与第三下侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第四可以切断部。由此，维持第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与所述第三上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。此外，当存在在第一下侧电容电极部与第三上侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第三可以切断部。由此，维持第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与所述第三下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，也可以进一步地，所述上侧电极层具备分别经由第五可以切断部及第六可以切断部与所述第二上侧电容电极部及所述第三上侧电容电极部相连接的第四上侧电容电极部，和/或所述下侧电极层具备分别经由第七可以切断部及第八可以切断部与所述第二下侧电容电极部及所述第三下侧电容电极部相连接的第四下侧电容电极部；所述电容元件在所述第四上侧电容电极部与所述第一下侧电容电极部之间和/或所述第四下侧电容电极部与所述第一上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。根据本方式，当在电容元件发生了短路不良的情况下，与电容元件的单侧电极被分割为3个电极部的情况相比较，通过切离所分割的4个电极部之中的仅1个电极部，在修复后也可维持电路布线的特性。因而，可以减小修复后的电容元件所具有的静电电容相对于不需要修复的电容元件所具有的静电电容的减少量。例如，当存在在第一上侧电容电极部与第四下侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第七及第八可以切断部。由此，维持第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与所述第三上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与所述第四上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与第三下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。此外，当存在在第一下侧电容电极部与第四上侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第五及第六可以切断部。由此，维持第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与所述第三下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与所述第四下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与第三上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，也可以进一步地，所述上侧电极层具备经由第三可以切断部与所述第二上侧电容电极部相连接的第三上侧电容电极部，和/或所述下侧电极层具备经由第四可以切断部与所述第二下侧电容电极部相连接的第三下侧电容电极部；所述电容元件在所述第三上侧电容电极部与所述第一下侧电容电极部之间和/ 或所述第三下侧电容电极部与所述第一上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。根据本方式，当在电容元件发生了短路不良的情况下，与电容元件的单侧电极被分割为2个电极部的情况相比较，通过切离所分割的3个电极部之中的仅1个电极部，在修复后也可维持电路布线的特性。因而，可以减小修复后的电容元件所具有的静电电容相对于不需要修复的电容元件所具有的静电电容的减少量。例如，当存在在第一上侧电容电极部与第三下侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第四可以切断部。由此，维持第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与所述第三上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。此外，当存在在第一下侧电容电极部与第三上侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第三可以切断部。由此，维持第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与所述第三下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。此外，在本发明的一方式的显示装置中，优选所述可以切断部具有通过激光照射能够切断的形状。由此，可以通过对适合的可以切断部进行激光照射而切断该可以切断部，将发生电极间短路的电极部从电容元件切除。因而，电容元件可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使发光元件发光。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，优选所述上侧电极层所具有的可以切断部，形成于除了所述下侧电极层所具有的电极部及可以切断部在层叠方向所投影的区域之外的区域；所述下侧电极层所具有的可以切断部，形成于除了所述上侧电极层所具有的
9电极部及可以切断部在层叠方向所投影的区域之外的区域。根据本方式，在将被进行激光照射的可以切断部所存在的区域投影于层叠方向而得到的区域、也就是说在2片电极层的另一层的平面内与被进行激光照射的可以切断部对向的区域，不形成其他的可以切断部及电极部。因而，可以避免由于向可以切断部的激光照射而使构成电容元件的区域损伤的情况。因而，所述电容元件虽然静电电容减少所切除的电极部的面积比的量，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使发光元件发光。因而，显示装置的显示质量得到提高。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，所述多个显示像素也可以具备所述第一电路元件、所述第二电路元件、所述第三电路元件及所述第四电路元件；所述第一电路元件、所述第二电路元件、所述第三电路元件及所述第四电路元件也可以分别是驱动元件、开关元件、电容元件、发光元件、扫描线、控制线及电源线中的任意一种。根据本方式，电容元件作为构成所述电路元件的导通路径的电路布线而起作用。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，所述电容元件也可以是保持电容元件， 其将与按每一所述显示像素提供的信号电压相应的电压作为保持电压而进行保持；所述驱动电路层也可以具备驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅与所述电容元件的一个端子相连接，所述驱动晶体管通过所述保持电压施加于栅而将所述保持电压变换为作为源漏间电流的信号电流；所述显示元件层也可以具备通过所述信号电流的流动而发光的发光元件。根据本方式，能够应用于可以对施加信号电压的定时与发光定时独立地进行控制的有源矩阵型的显示装置。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，所述发光元件也可以是有机EL元件。根据本方式，可以应用于发光元件具有电流驱动型的有机EL元件的有机EL显示
直ο此外，本发明不仅可以作为具备这样的特征性手段的显示装置而实现，而且也可以作为以包含于显示装置的特征性手段为步骤的显示装置的制造方法而实现。以下，关于本发明的实施方式参照附图进行说明。另外，在以下的实施方式及各附图中，对相同的构成要素附加相同的标号并进行说明。此外，虽然在以下，以包括顶面发光方式的以阳极为底面、此外以阴极为顶面的有机EL元件的显示装置为例进行说明，但是并不限于此。(实施方式1)本实施方式的显示装置，二维状地排列有多个显示像素，该多个显示像素层叠有显示元件层和对该显示元件层进行驱动的驱动电路层。驱动电路层具备平行平板型的电容元件，该平行平板型的电容元件具有配置成在层叠方向对向的上侧电极层及下侧电极层。 所述上侧电极层具备具有将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能的第一上侧电容电极部；以及经由第一可以切断部与该第一上侧电容电极部相连接的第二上侧电容电极部。所述下侧电极层具备具有将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能的第一下侧电容电极部；以及经由第二可以切断部与该第一下侧电容电极部相连接的第二下侧电容电极部。所述电容元件在所述第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间及所述第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间，分别可以保持预定的静电电容。由此，无论在所述电容元件的哪一部位发生短路不良，都可以进行修复，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高
密度化。以下，关于本发明的实施方式1，参照附图进行说明。图1是表示本发明的实施方式的显示装置的结构的框图。该图中的显示装置1具备显示面板10和控制电路20。显示面板10具备多个发光像素11、按每发光像素列而配置的多条信号线12、按每发光像素行而配置的多条扫描线13、扫描线驱动电路14和信号线驱动电路15。发光像素11是在显示面板10上配置为矩阵状的显示像素。扫描线驱动电路14通过向各扫描线13输出扫描信号，对发光像素所具有的电路元件进行驱动。信号线驱动电路15通过向信号线12输出信号电压及基准电压，实现与辉度信号对应的发光像素的发光。控制电路20对从扫描线驱动电路14输出的扫描信号的输出定时进行控制。此外， 控制电路20对输出从信号线驱动电路15输出的信号电压的定时进行控制。图2是本发明的实施方式的发光像素的主要电路结构图的一例。该图所记载的发光像素11由驱动电路层IlA及显示元件层IlB构成。驱动电路层IlA例如具备开关晶体管21、驱动晶体管22和保持电容元件23。而且，开关晶体管21的漏电极连接于信号线12， 开关晶体管21的栅电极连接于扫描线13，进而，开关晶体管21的源电极连接于保持电容元件23及驱动晶体管22的栅电极。此外，驱动晶体管22的漏电极连接于电源线16，源电极连接于显示元件层IlB的阳极。在该结构中，若对扫描线13输入扫描信号、使开关晶体管21成为导通状态，则经由信号线12供给的信号电压写入于保持电容元件23。然后，写入于保持电容元件23的保持电压在整1帧期间得到保持，通过该保持电压，驱动晶体管22的电导模拟性地发生变化， 与发光灰度对应的驱动电流被供给于显示元件层IlB的阳极。进而，供给于显示元件层IlB 的阳极的驱动电流，向显示元件层IlB的有机EL元件24及阴极流动。由此，显示元件层 IlB的有机EL元件24进行发光并作为图像而显示。另外，驱动电路层IlA并非限定于所述的电路结构。也就是说，虽然开关晶体管 21、驱动晶体管22及保持电容元件23是使与信号电压的电压值相应的驱动电流流至显示元件层IlB所需的电路构成要素，但是并不限定于所述的方式。此外，对所述的电路构成要素附加其他电路构成要素的情况，也包含于本发明的驱动电路层IlA0驱动电路层IlA与显示元件层IlB例如层叠于玻璃基板上，多个显示像素排列为二维状。显示装置1是顶部发射结构的情况，也就是若对显示元件层IlB施加电压，则由有机EL元件24发光，光通过透明阴极及封装膜而向上方出射。此外，由有机EL元件24发出的光之中朝向下方的光由阳极反射，光通过透明阴极及封装膜而向上方出射。接下来，关于作为本发明的主要构成要件的保持电容元件23的结构及功能进行说明。驱动电路层IlA具备平行平板型的保持电容元件23，该平行平板型的保持电容元件 23具有配置成在层叠方向对向的上侧电极层及下侧电极层。图3A是表示本发明的实施方式1的显示装置所具有的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。此外，图3B是表示本发明的实施方式1的显示装置所具有的保持电容元件的电极结构的立体图。图3A及图:3B所记载的保持电容元件23A是图2所记载的保持电容元件23的一例，由上侧电极层231、下侧电极层232和形成于它们之间的绝缘层(未图示) 构成。上侧电极层231在同一面内具有上侧电容电极部231a及231b和可以切断部 231s。第一上侧电容电极部、即上侧电容电极部231a与第二上侧电容电极部、即上侧电容电极部231b经由第一可以切断部、即可以切断部231s相连接。此外，下侧电极层232在同一面内具有下侧电容电极部23 及232b和可以切断部23k。第一下侧电容电极部、即下侧电容电极部23 与第二下侧电容电极部、即下侧电容电极部232b经由第二可以切断部、 即可以切断部23 相连接。上侧电容电极部231b不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第一电路元件、即电路元件1与第二电路元件、即电路元件2相连接的电路布线而起作用。此外，下侧电容电极部23 不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第三电路元件、即电路元件 3与第四电路元件、即电路元件4相连接的电路布线而起作用。若将所述的电路元件1 电路元件4与图2所记载的电路图相对应，则电路元件3是开关晶体管21 (的源电极)，电路元件4是驱动晶体管22 (的栅电极)，电路元件1是电源线16，电路元件2是驱动晶体管 22(的漏电极)。作为上侧电极层231及下侧电极层232的材料，例如为钼(Mo)与钨(W)的合金、 或Mo与W的合金/铝(Al) /Mo与W的合金的层叠结构，膜厚例如为150nm。在此，所谓可以切断部，是具有通过切断该可以切断部而使由该可以切断部电连接的2个电容电极部成为非导通状态的功能的部分。从而，可以切断部231s及23 的平面形状例如为线宽4 μ m、长度4 μ m，具有通过激光照射可以切断的形状。在此，通过对可以切断部231s及23 的一部分照射激光可以切断的形状，与所使用的激光器的规格有密切的关系，在使用例如以YAG(Yttrium Aluminum Garnet，钇铝石榴石)激光器为光源的激光振荡器、使用例如以波长532nm、脉冲宽度10ns、功率0. 5mW为输出参数的激光器的情况下， 只要可以切断部231s及23 的形状是所述的形状，便不会损伤其他正常的电极块而切断可以切断部231s及23k。由此，可以通过对适合的可以切断部进行激光照射而切断该可以切断部，将发生电极间短路的电极部从保持电容元件切除。此外，上侧电极层231所具有的可以切断部231s形成于除了下侧电极层232所具有的下侧电容电极部23h、232b及可以切断部23 在层叠方向所投影的区域以外的区域。 同样地，下侧电极层232所具有的可以切断部23 形成于除了上侧电极层所具有的上侧电容电极部231a、231b及可以切断部231s在层叠方向所投影的区域以外的区域。由此，可以避免由于向可以切断部231s或23 的激光照射而使构成电容元件的上侧电容电极部、下侧电容电极部及未切断的一方的可以切断部损伤的情况。因而，保持电容元件23A虽然静电电容减少所切除的电极部的面积比的量，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使发光元件发光。作为形成于上侧电极层231与下侧电极层232之间的绝缘层，例如可举出氧化硅膜(SiOx)或氮化硅膜(SiN)等。此外，绝缘层的膜厚例如为150nm。另外，为了确保预期的静电电容，绝缘层也可以为电介质材料。通过所述结构，正常像素所具有的保持电容元件23A如图3A所示，在上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b之间及下侧电容电极部232a与上侧电容电极部231a之间，可以分别保持预定的静电电容Clb及Cla。进而，在图3A及图3B，示出发光像素11所具有的保持电容元件23A在上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b之间的绝缘层遍及上下电容电极部不均分布有导电性微粒、上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b发生短路51的例子。由此，通过施加于上侧电极层231与下侧电极层232之间的电压而应该蓄积于保持电容元件23A的电荷，由于所述短路51而未被保持。在该情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件 23A照射激光而切断可以切断部231s，来维持上侧电容电极部231a与下侧电容电极部232a 之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。图4A是本发明的实施方式1的保持电容元件的等价电路图。在保持电容元件23A 的上侧电容层231与下侧电极层232不短路的情况下，保持电容元件23A的静电电容为将各电极部的静电电容相加而得到的值(Cla+Clb)。在此，在本实施方式中，如该图所记载的， 在上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b之间短路的情况下，可以使包含短路位置的电极部的电容元件功能无功能化。具体地，对于可以切断部232s，从相对于膜面基本垂直的方向照射激光。图4B是表示对本发明的实施方式1的保持电容元件照射激光而切断可以切断部的状况的图。在该图中，L表示激光光线的轨迹，可以切断部232s通过激光而切断。由此，保持电容元件23A虽然在上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b之间不具有静电保持电容功能，但是维持将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能，并且在上侧电容电极部231a与下侧电容电极部232a之间具有静电保持电容功能，且维持将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，如前所述，下侧电极层232所具有的可以切断部232s形成于除了上侧电极层231所具有的上侧电容电极部231a、231b及可以切断部231s在层叠方向所投影的区域以外的区域。由此，可以避免由于向232s的激光照射而使构成电容元件的上侧电容电极部 231a、下侧电容电极部232a及可以切断部231s损伤的情况。通过以上，修复后的保持电容元件23A的静电电容虽然其静电电容值从原本应该具有的静电电容(Cla+Clb)减少所切除的电极部的面积比的量而成为静电电容Cla，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使显示元件层IlB发光。另外，在代替图3A及图3B所记载的短路51，上侧电容电极部231a与下侧电容电极部232a发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23A照射激光而切断可以切断部231s，来维持上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3 与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，激光的照射方向也可以不从显示面板10的顶面而从隔着下部基板的底面。 来自底面的激光照射方式与图4B所记载的来自顶面的激光照射方式相比较，在显示元件层IlB形成于驱动电路层IlA上后进行的保持电容元件23A的修正方面是有利的。因为， 来自底面的激光照射方式以激光不通过显示元件层IlB这一点，可以排除由于激光的通过而使显示元件层IlB损伤的可能性。通过以上的结构，在作为像素电路的高密度化的实现对策而使电路布线与电容元件共用的情况下，对于共有电路布线功能和电容保持功能的2个电极层的各自，可以通过以预定的配置设置可以切断的电极部，而获得对在修复时可以进行电容元件的不良部分的切离的部分不存在限制的结构。因而，可以即使对短路不良位置进行修复切断也会维持作为电路布线的导通功能，并且确保电容保持功能。因而，即使像素电路高密度化，也可以使具有短路不良的保持电容元件的不良发光像素以正常发光定时发光，可以使发光面板的显示质量提高。图5A是表示本发明的实施方式1的第1变形例的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。此外，图5B是表示本发明的实施方式1的第1变形例的保持电容元件的电极结构的立体图。图5A及图5B所记载的保持电容元件23B，与图3A及图3B所记载的保持电容元件23A相比较，不具有电路布线功能的一方的电容电极部及可以切断部的结构不同。以下，与保持电容元件23A相同点省略说明，以不同点为中心进行说明。图5A及图5B所记载的保持电容元件23B，是图2所记载的保持电容元件23的一例，由上侧电极层233、下侧电极层234和形成于它们之间的绝缘层(未图示)构成。上侧电极层233在同一面内具有上侧电容电极部233a及233b和可以切断部 233s。上侧电容电极部233a与上侧电容电极部233b经由第一可以切断部、即可以切断部 233s相连接。此外，下侧电极层234在同一面内具有下侧电容电极部234a、234b及234c和可以切断部234sl及234s2。第一下侧电容电极部、即下侧电容电极部234a与第二下侧电容电极部、即下侧电容电极部234b经由第二可以切断部、即可以切断部234sl相连接。此外第一下侧电容电极部、即下侧电容电极部234a与第三下侧电容电极部、即下侧电容电极部234c经由第四可以切断部、即可以切断部234s2相连接。上侧电容电极部233b不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第一电路元件、即电路元件1与第二电路元件、即电路元件2相连接的电路布线而起作用。此外，下侧电容电极部234a不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第三电路元件、即电路元件 3与第四电路元件、即电路元件4相连接的电路布线而起作用。此外，上侧电极层233所具有的可以切断部233s形成于除了下侧电极层234所具有的下侧电容电极部234a、234b、234c及可以切断部234sl、234s2在层叠方向所投影的区域以外的区域。同样地，下侧电极层234所具有的可以切断部234sl及234s2形成于除了上侧电极层所具有的上侧电容电极部233a、233b及可以切断部233s在层叠方向所投影的区域以外的区域。由此，可以避免由于向可以切断部233s、234sl或234s2的激光照射而使构成电容元件的上侧电容电极部、下侧电容电极部及未切断的可以切断部损伤的情况。因而， 保持电容元件23B虽然静电电容减少所切除的电极部的面积比的量，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使发光元件发光。通过所述结构，正常像素所具有的保持电容元件23B如图5A所记载的，在上侧电容电极部233a与下侧电容电极部234a之间、上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234b 之间及上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234c之间，可以分别保持预定的静电电容 C2a、C2b 及 C2c。进而，在图5A及图5B，记载了发光像素11所具有的保持电容元件23B在上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234b之间发生短路52的例子。由此，通过施加于上侧电极层233与下侧电极层234之间的电压而应该蓄积于保持电容元件23B的电荷，由于所述短路52而未被保持。在该情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23B照射激光而切断可以切断部234sl，来维持上侧电容电极部233a与下侧电容电极部234a之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234c之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。通过以上，修复后的保持电容元件23B的静电电容虽然其静电电容值从原本应该具有的静电电容(C2a+C2b+C2c)减少所切除的电极部的面积比的量而成为静电电容 (C2a+C2c)，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使显示元件层IlB发光。也就是说，与电容元件的单侧电极被分割为2个电极部的保持电容元件 23A相比较，保持电容元件23B通过切离所分割的3个电极部之中的仅1个电极部，在修复后也可维持电路布线的特性。因而，可以减小修复后的保持电容元件23B所具有的静电电容相对于无需修复的保持电容元件23B所具有的静电电容的减少量。另外，在代替图5A及图5B所记载的短路52，上侧电容电极部233a与下侧电容电极部234a发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23B照射激光而切断可以切断部233s，来维持上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234b之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234c之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，在上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234c发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23B照射激光而切断可以切断部234s2，来维持上侧电容电极部233a与下侧电容电极部234a之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234b之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，即使代替与上侧电容电极部233b相对的下侧电容电极部具备下侧电容电极部234b和234c的结构，而是与下侧电容电极部234a相对的上侧电容电极部具备2个上侧电容电极部的结构，也可得到与图5A及图5B所记载的保持电容元件23B同样的效果。此外，即使是具有与上侧电容电极部233b相对的下侧电容电极部具备下侧电容电极部234b和234c的结构及与下侧电容电极部234a相对的上侧电容电极部具备2个上侧电容电极部的结构双方的结构，也可得到与图5A及图5B所记载的保持电容元件23B同样的效果。也就是说，本发明的实施方式的保持电容元件为，与上侧电容电极部233b相对的下侧电容电极部具备下侧电容电极部234b、234c和/或与下侧电容电极部234a相对的上侧电容电极部具备2个上侧电容电极部的结构。图6A是表示本发明的实施方式1的第2变形例的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。此外，图6B是表示本发明的实施方式1的第2变形例的保持电容元件的电极结构的立体图。图6A及图6B所记载的保持电容元件23C，与图5A及图5B所记载的保持电容元件2 相比较，不共用电路布线的一方的电容电极部及可以切断部的结构不同。以下，与保持电容元件2 相同点省略说明，以不同点为中心进行说明。图6A及图6B所记载的保持电容元件23C，是图2所记载的保持电容元件23的一例，由上侧电极层235、下侧电极层236和形成于它们之间的绝缘层(未图示)构成。上侧电极层235在同一面内具有上侧电容电极部23fe、235b、235c及235d和可以切断部235sl、235s2、235s3及23k4。第一上侧电容电极部、即上侧电容电极部23 与第二上侧电容电极部、即上侧电容电极部23 经由第一可以切断部、即可以切断部235s4相连接，上侧电容电极部23 与第三上侧电容电极部、即上侧电容电极部235d经由第三可以切断部、即可以切断部235s3相连接，上侧电容电极部23 与第四上侧电容电极部、即上侧电容电极部235c经由第五可以切断部、即可以切断部235sl相连接，上侧电容电极部235d 与上侧电容电极部235c经由第六可以切断部、即可以切断部235s2相连接。此外，下侧电极层236在同一面内具有下侧电容电极部236a及236b和可以切断部236s。第一下侧电容电极部、即下侧电容电极部236b与第二下侧电容电极部、即下侧电容电极部236a经由第二可以切断部、即可以切断部236s相连接。上侧电容电极部23 不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第一电路元件、即电路元件1与第二电路元件、即电路元件2相连接的电路布线而起作用。此外，下侧电容电极部236b不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第三电路元件、即电路元件 3与第四电路元件、即电路元件4相连接的电路布线而起作用。此外，上侧电极层235所具有的可以切断部 235s4形成于除了下侧电极层236所具有的下侧电容电极部236a、236b及可以切断部236s在层叠方向所投影的区域以外的区域。同样地，下侧电极层236所具有的可以切断部236s形成于除了上侧电极层所具有的上侧电容电极部23 235d及可以切断部235sl 235s4在层叠方向所投影的区域以外的区域。由此，可以避免由于向可以切断部235sl 235s4或236s的激光照射而使构成电容元件的上侧电容电极部、下侧电容电极部及未切断的可以切断部损伤的情况。因而，保持电容元件23C虽然静电电容减少所切除的电极部的面积比的量，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使发光元件发光。通过所述结构，正常像素所具有的保持电容元件23C如图6A所记载的，在上侧电容电极部23 与下侧电容电极部236a之间、上侧电容电极部23 与下侧电容电极部236b 之间、上侧电容电极部235c与下侧电容电极部236b之间及上侧电容电极部235d与下侧电容电极部236b之间，可以分别保持预定的静电电容C3d、C3c、C3a及C3b。进而，在图6A及图6B，记载了发光像素11所具有的保持电容元件23C在上侧电容电极部235c与下侧电容电极部236b之间发生短路53的例子。由此，通过施加于上侧电极层235与下侧电极层236之间的电压而应该蓄积于保持电容元件23C的电荷，由于所述短路53而得不到保持。在该情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23C照射激光而切断可以切断部235sl及23k2，来维持上侧电容电极部23 与下侧电容电极部 236a之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部23 与下侧电容电极部236b之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部235d与下侧电容电极部236b之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。通过以上，修复后的保持电容元件23C的静电电容虽然其静电电容值从原本应该具有的静电电容(C3a+C3b+C3c+C3d)减少所切除的电极部的面积比的量而成为 (C3b+C3c+C3d)，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使显示元件层IlB发光。也就是说，与电容元件的单侧电极被分割为3个电极部的保持电容元件23B相比较，保持电容元件23C通过切离所分割的4个电极部之中的仅1个电极部，在修复后也可维持电路布线的特性。因而，可以减小修复后的保持电容元件23C所具有的静电电容相对于无需修复的保持电容元件23C所具有的静电电容的减少量。另外，在代替图6A及图6B所记载的短路53，上侧电容电极部235b与下侧电容电极部236b之间发生短路不良的情况及上侧电容电极部235d与下侧电容电极部236b之间发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23C照射激光而在各个情况下切断可以切断部235s4、235sl以及可以切断部235s2、235s3，来维持上侧电极层235与下侧电极层236之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，在代替图6A及图6B所记载的短路53，上侧电容电极部235a与下侧电容电极部236a之间发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件 23C照射激光而切断可以切断部236s，来维持上侧电极层235与下侧电极层236之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，即使代替与下侧电容电极部236b对向的上侧电容电极部具备上侧电容电极部235b、235c及235d的结构，而是下侧电容电极部236b具备3个下侧电容电极部的结构，也可起到与图6A及图6B所记载的保持电容元件23C同样的效果。此外，即使是具有与下侧电容电极部236b对向的上侧电容电极部具备上侧电容电极部235b、235c及235d的结构及下侧电容电极部236b具备3个上侧电容电极部的结构双方的结构，也可得到与图6A及图6B所记载的保持电容元件23C同样的效果。也就是说，本发明的实施方式的保持电容元件为，与下侧电容电极部236b对向的上侧电容电极部具备上侧电容电极部235b、235c、235d和/或下侧电容电极部236b具备3 个下侧电容电极部的结构。图7A是表示本发明的实施方式1的第3变形例的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。此外，图7B是表示本发明的实施方式1的第3变形例的保持电容元件的电极结构的立体图。图7A及图7B所记载的保持电容元件23D与图5A及图5B所记载的保持电容元件23B相比较，可以切断部的结构不同。以下，与保持电容元件23B相同点省略说明，以不同点为中心进行说明。图7A及图7B所记载的保持电容元件23D，是图2所记载的保持电容元件23的一例，由上侧电极层237、下侧电极层238和形成于它们之间的绝缘层(未图示)构成。上侧电极层237在同一面内具有上侧电容电极部237a及237b和可以切断部 237s。上侧电容电极部237a与上侧电容电极部237b经由第一可以切断部、即可以切断部 237s相连接。此外，下侧电极层238在同一面内具有下侧电容电极部238a、238b及238c和可以切断部238sl及238s2。第一下侧电容电极部、即下侧电容电极部238a与第二下侧电容电极部、即下侧电容电极部238b经由第二可以切断部、即可以切断部238sl相连接。此外下侧电容电极部238b与第三下侧电容电极部、即下侧电容电极部238c经由第四可以切断部、即可以切断部238s2相连接。上侧电容电极部237b不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第一电路元件、即电路元件1与第二电路元件、即电路元件2相连接的电路布线而起作用。此外，下侧电容电极部238a不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第三电路元件、即电路元件 3与第四电路元件、即电路元件4相连接的电路布线而起作用。此外，上侧电极层237所具有的可以切断部237s形成于除了下侧电极层238所具有的下侧电容电极部238a、238b、238c及可以切断部238sl、234s2在层叠方向所投影的区域以外的区域。同样地，下侧电极层238所具有的可以切断部238sl及238s2形成于除了上侧电极层所具有的上侧电容电极部237a、237b及可以切断部237s在层叠方向所投影的区域以外的区域。尤其是，在上侧电容电极部237b，在与可以切断部238s2对向的区域形成有具有预定大小的开口部。由此，可以避免由于向可以切断部237s、238sl或238s2的激光照射而使构成电容元件的上侧电容电极部、下侧电容电极部及未切断的可以切断部损伤的情况。因而，保持电容元件23D虽然静电电容减少所切除的电极部的面积比的量，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使发光元件发光。通过所述结构，正常像素所具有的保持电容元件23D如图7A所记载的，在上侧电容电极部237a与下侧电容电极部237a之间、上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238b 之间及上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238c之间，可以分别保持预定的静电电容 C4a, C4b 及 C4c。进而，在图7A及图7B，记载了发光像素11所具有的保持电容元件23D在上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238c之间发生短路M的例子。由此，通过施加于上侧电极层237与下侧电极层238之间的电压而应该蓄积于保持电容元件23D的电荷，由于所述短路M而未被保持。在该情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23D照射激光而切断可以切断部238s2，来维持上侧电容电极部237a与下侧电容电极部238a之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238b之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。通过以上，修复后的保持电容元件23D的静电电容虽然其静电电容值从原本应该具有的静电电容(C4a+C4b+C4c)减少所切除的电极部的面积比的量而成为(Wa+C4b)，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使显示元件层IlB发光。也就是说，与电容元件的单侧电极被分割为2个电极部的保持电容元件23A相比较，保持电容元件23D通过切离所分割的3个电极部之中的仅1个电极部，在修复后也可维持电路布线的特性。因而，可以减小修复后的保持电容元件23D所具有的静电电容相对于无需修复的保持电容元件23D所具有的静电电容的减少量。另外，在代替图7A及图7B所记载的短路M，上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238b发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23D照射激光而切断可以切断部^3sl，来维持上侧电容电极部237a与下侧电容电极部238a之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件 3与电路元件4相连接的电路布线功能。另外，在代替图7A及图7B所记载的短路54，上侧电容电极部237a与下侧电容电极部238a发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23D照射激光而切断可以切断部237s，来维持上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238b之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238c之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，即使代替与上侧电容电极部237b对向的下侧电容电极部具备下侧电容电极部238b和238c的结构，而是与下侧电容电极部238a对向的上侧电容电极部具备2个上侧电容电极部的结构，也可起到与图7A及图7B所记载的保持电容元件23D同样的效果。此外，即使是具有与上侧电容电极部237b对向的下侧电容电极部具备下侧电容电极部238b和238c的结构及与下侧电容电极部238a对向的上侧电容电极部具备2个上侧电容电极部的结构双方的结构，也可得到与图7A及图7B所记载的保持电容元件23D同样的效果。也就是说，本实施方式的保持电容元件为，与上侧电容电极部237b对向的下侧电容电极部具备下侧电容电极部238b、234c和/或与下侧电容电极部238a对向的上侧电容电极部具备2个上侧电容电极部的结构。另外，在实施方式1中，上侧电极层231、233、235、237及下侧电极层232、234、236、 238所具有的各电容电极部不需要为同一形状，此外也不需要为相同面积。依显示像素的布局方面的制约而形状是任意的。为了达到由发光像素数量的增加引起的像素电路的高密度化以应对近年来所要求的显示面板的高精细化，尤其需要对面积比例高的保持电容元件的布局进行设计。对此， 如本实施方式所示，使保持电容元件共有作为原本功能的电容保持功能和对各电路元件进行连接的电路布线功能成为有效的方法。但是，由于为了确保像素功能而必须维持作为电路布线的导通特性，所以在以往的结构中，在电容元件的修复时，即使共用电路布线的电极存在短路缺陷等，也无法将该不良电极从电路切断。也就是说，对可以进行电容元件的不良部分的切离的部分存在限制。在本发明中，即使是电路布线共用一部分电容元件的结构，也因为采取对在修复时可以进行电容元件的不良部分的切离的部分没有限制的结构，所以在修复后也可始终维持电路布线的特性。(实施方式2)在本实施方式中，关于本发明的显示装置的制造方法进行说明。本发明的显示装置的制造方法包括驱动电路层的形成工序、显示元件层的形成工序、像素电路的检查工序及保持电容元件的修复工序。在此，以与以往的显示装置的制造方法不同的工序、即驱动电路层所具有的保持电容元件23A的形成工序及像素电路的检查工序及修复工序为中心进行说明。图8是表示本发明的实施方式2的显示装置的制造方法的流程图。首先，形成适宜配置有保持电容元件23A及作为其周边元件的开关晶体管21、驱动晶体管22及电路布线等的驱动电路层IlA(SOl)。具体地，作为图2所记载的驱动电路层IlA的一层，使用金属掩模制膜、剥离及蚀刻等方法，将例如包含Mo与W的合金的下侧电极层232形成为图3B所记载的形状。此时， 下侧电极层232形成为，将作为电路元件3的开关晶体管21 (的源电极)与作为电路元件 4的驱动晶体管22 (的栅电极)相连接。接下来，在下侧电极层232上，形成例如包含SiOx 或SiN等的绝缘层以便覆盖下侧电极层232。此时，优选，根据需要，将绝缘层的表面平坦化。接下来，在绝缘层上，使用金属掩模制膜、剥离及蚀刻等方法，将例如包含Mo与W的合金/Al/Mo与W的合金的层叠结构的上侧电极层231形成为图3B所记载的形状。此时，上侧电极层231形成为，将作为电路元件1的电源线16与作为电路元件2的驱动晶体管22(的漏电极)相连接。上述步骤SOl相当于驱动电路形成步骤。接下来，在驱动电路层IlA上，在经过了驱动电路层IlA的平坦化工序之后，形成具有有机EL元件24的显示元件层11B(S02)。具体地，显示元件层IlB例如具有阳极、空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、提栏层、电子注入层及透明阴极。上述步骤S02相当于显示元件形成步骤。接下来，关于全部发光像素11，检查保持电容元件23A的电特性，并确定具有处于短路状态的保持电容元件23A的发光像素11 (S03)。具体地，例如，对信号线12连接阵列测试器(Agilent公司HS100)，经由信号线 12依次向各发光像素11输出测试电压而对保持电容元件23A写入该电压。其后，阵列测试器以预定的定时经由信号线12读入写入到了保持电容元件23A的电压。由此，确定所读入的电压小于预定的电压的发光像素11。由此，完成具有异常的保持电容元件23A的发光像素的像素限定过程。接下来，观察所确定的发光像素11的保持电容元件23A，确定异常位置的区域 (S04)。具体地，例如，对形成有保持电容元件23A的区域的表面凹凸形状进行显微镜观察。不均分布有导电性微粒的区域大多情况为凸形状。由此，完成异常的保持电容元件23A 的区域限定过程，确定异常的电容电极部。另外，该区域限定过程既可以由检查人员执行， 此外也可以由具有图像识别功能的自动测定执行。上述步骤S03及S04相当于检查步骤。接下来，对连接着包含所确定的异常位置的电容电极部的预定的可以切断部的一部分照射激光，使该电容电极部与其他电容电极部电绝缘(S05)。另外，包含所确定的异常位置的电容电极部，被从显示像素切离，以使电路布线不被切断。具体地，在图3A及图3B 所记载的保持电容元件23A中，当在第一上侧电容电极部、即上侧电容电极部231b与第二下侧电容电极部、即下侧电容电极部232b之间发生短路不良的情况下，切断第二可以切断部、即可以切断部232s ；当在第一下侧电容电极部、即下侧电容电极部232a与第二上侧电容电极部、即上侧电容电极部231a之间发生短路不良的情况下，切断第一可以切断部、即可以切断部231s。在此，通过对预定的可以切断部的一部分照射激光而可以切断的形状，与所使用的激光器的规格有密切关系，在使用例如以YAG(Yttrium Aluminum Garnet，钇铝石榴石) 激光器为光源的激光振荡器、使用了例如以波长532nm、脉冲宽度10ns、功率0. 5mff为输出参数的激光器的情况下，只要可以切断部的宽度为4μπκ膜厚为150nm，便不会使其他正常的电极块损伤地切断可以切断部。此时，作为可以切断部的材料，例如可举出所述的Mo与 W的合金/铝(Al)/Mo与W的合金的层叠结构。上述步骤S05相当于切断步骤。最后，进行实施了所述激光照射的发光像素11的工作确认(S06)。通过以上的制造方法，在作为像素电路的高密度化的实现对策而使电路布线与电容元件共用的情况下，可以在对可以进行电容元件的不良部分的切离的部分没有限制的状态下进行修复。因而，即使对短路不良位置进行修复切断也可以维持作为电路布线的导通功能，并且确保电容保持功能。因而，即使像素电路高密度化，也可以使具有短路不良的保持电容元件的不良发光像素以正常发光定时发光，可以使发光面板的显示质量提高。另外，检查步骤S03及S04以及切断步骤S05也可以在显示元件形成步骤S02之前实施。也就是说，既可以在形成了上侧电极层231的阶段或进行了驱动电路层IlA的平坦化处理的阶段实施，此外也可以在进行了显示元件层IlB及其后的封装工序的阶段实施。(实施方式3)在本实施方式中，关于配置有实施方式1的保持电容元件和构成驱动电路层IlA 的其他电路元件的发光像素的布局结构及其效果进行说明。图9A是以往的显示装置所具有的发光像素的第1布局图。该图所记载的布局，是一发光像素的布局，信号线12、扫描线13、开关晶体管21、驱动晶体管22、具有静电电容Cl 的保持电容元件和电路布线被描绘出。此外，开关晶体管21和驱动晶体管22为底栅型， 形成有栅电极的层为下侧电极层，形成有源电极及漏电极的层为上侧电极层。虽然发光像素中面积比例高、具有静电电容Cl的保持电容元件共用连接开关晶体管21与驱动晶体管 22的电路布线300，但是具有静电电容Cl的保持电容元件的各电极层由1个电容电极部构成。在该布局中，当在具有静电电容Cl的保持电容元件发生了短路不良的情况下，作为可以切断位置可举出可以切断部301sl、301s2及302s2。但是，不论是哪种情况，具有静电电容Cl的保持电容元件的电容保持功能都消失，无法使不良发光像素恢复为以正常发光定时发光。图9B是以往的显示装置所具有的发光像素的第2布局图。该图所记载的布局与图9A所记载的布局相比较，保持电容元件23的上侧电极层被分割这一点不同。在该布局中，当在具有静电电容Cl的电容电极部发生了短路不良的情况下，作为可以切断位置可举出可以切断部304s。此外，当在具有静电电容C2的电容电极部发生了短路不良的情况下， 作为可以切断位置可举出可以切断部305s。在任一情况下，虽然保持电容元件的静电电容都减半，但是可以维持电容保持功能，恢复为使不良发光像素以正常发光定时发光。但是， 因为保持电容元件的下侧电极层未被分割，所以作为保持电容元件需要连续的区域，发光像素的布局的自由度受到限制。相对于此，如果将本发明的保持电容元件的结构应用于发光像素的布局结构，则因为可维持修复后的发光像素的电容保持功能，恢复为使不良发光像素以正常发光定时发光，并且确保发光像素的布局的自由度，所以可以应对像素电路的高密度化。以下，对根据本发明，与图9B所记载的以往的布局相比较，可确保发光像素的布局的自由度的情况进行说明。图9C是本发明的显示装置所具有的发光像素的第1布局图。该图所记载的布局， 是一发光像素的布局，信号线12、扫描线13、开关晶体管21、驱动晶体管22、保持电容元件23A和电路布线被描绘出。此外，开关晶体管21和驱动晶体管22为底栅型，形成有栅电极的层为下侧电极层232，形成有源电极及漏电极的层成为上侧电极层231。保持电容元件 23A的上侧电极层231具备上侧电容电极部231a及231b和连接它们的可以切断部231s。 此外，上侧电容电极部231b共用连接驱动晶体管22(的漏电极)与电源线(未图示)的电路布线31。另一方面，保持电容元件23A的下侧电极层232具备下侧电容电极部23 及 232b和连接它们的可以切断部23k。下侧电容电极部23 共用连接开关晶体管21 (的源电极)与驱动晶体管22 (的栅电极)的电路布线32。在该布局中，当在上侧电容电极部 231a与下侧电容电极部23 之间发生了短路不良的情况下，作为可以切断部位可举出可以切断部231s。此外，当在上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b之间发生了短路不良的情况下，作为可以切断部位可举出可以切断部23 。在任一情况下，虽然保持电容元件的静电电容减半，但是可维持电容保持功能，可以恢复为使不良发光像素以正常发光定时发光。进而，因为保持电容元件的上侧电极层231及下侧电极层232双方分别保持电路布线功能并被2分割，所以作为保持电容元件不需要连续的区域。因此，可以确保发光像素的布局的自由度，可以相应于布局而分离配置构成保持电容元件的各电容电极部，如图9C 所记载的，可以缩小像素电路的所需面积。因而，可以应对像素电路的高密度化。图IOA是以往的显示装置所具有的发光像素的第3布局图。该图所记载的布局， 是一发光像素的布局，是显示装置高密度化且发光像素为细长形状的情况下的布局。虽然具有静电电容Cl保持电容元件的上侧电极层共用连接驱动晶体管22与电源线16的电路布线306，但是具有静电电容Cl的保持电容元件的各电极层由1个电容电极部构成。在该结构中，当在共用电路布线306的部分发生了短路不良的情况下，无法进行修复。进而，随着发光像素的形状变小且变得细长，共用电路布线306的比例变高，不能修复的概率变高。相对于此，如果将本发明的保持电容元件的结构应用于细长形状的发光像素的布局构成，则因为可维持修复后的发光像素的电容保持功能，恢复为使不良发光像素以正常发光定时发光，并且确保发光像素的布局的自由度，所以可以应对像素电路的高密度化。图IOB是本发明的显示装置所具有的发光像素的第2布局图。该图所记载的布局， 是一发光像素的布局，是显示装置高密度化且发光像素为细长形状的情况下的布局。开关晶体管21和驱动晶体管22为底栅型，形成有栅电极的层为下侧电极层232，形成有源电极及漏电极的层成为上侧电极层231。保持电容元件23A的上侧电极层231具备上侧电容电极部231a及231b和连接它们的可以切断部231s。此外，上侧电容电极部231b共用连接驱动晶体管22(的漏电极)与电源线(未图示)的电路布线33。另一方面，保持电容元件 23A的下侧电极层232具备下侧电容电极部23 及232b和连接它们的可以切断部23k。 下侧电容电极部23 共用连接开关晶体管21 (的源电极)与驱动晶体管22 (的栅电极) 的电路布线34。在该布局中，当在上侧电极层与下侧电极层之间发生了短路不良的情况下， 与图9C所记载的保持电容元件同样地选择可以切断部。由此，在显示装置高密度化且发光像素为细长形状的情况下，也可维持电容保持功能，恢复为使不良发光像素以正常发光定时发光。根据本发明，在像素电路的高密度化下，可以应对所有的发光像素形状。图1IA是本发明的显示装置所具有的发光像素的第3布局图。该图所记载的布局， 是一发光像素的布局，信号线12、扫描线13、开关晶体管21、驱动晶体管22、保持电容元件 23A和电路布线被描绘出。此外，开关晶体管21和驱动晶体管22为底栅型，形成有栅电极的层为下侧电极层232，形成有源电极及漏电极的层成为上侧电极层231。图IlA所记载的布局图与图IOB所记载的布局图相比较，在下侧电极层232中、在所分割的下侧电容电极部 232a与232b之间介有驱动晶体管22的构成电极这一点不同。保持电容元件23A的上侧电极层231具备上侧电容电极部231a及231b和连接它们的可以切断部231s。此外，上侧电容电极部231b共用连接驱动晶体管22(的漏电极)与电源线(未图示)的电路布线35。另一方面，保持电容元件23A的下侧电极层232具备下侧电容电极部232a及232b和连接它们的可以切断部232s。下侧电容电极部232a共用连接开关晶体管21 (的源电极)与驱动晶体管22 (的栅电极)的电路布线36。进而，在可以切断部232s与下侧电容电极部232a之间，介有作为驱动晶体管的构成电极的栅金属层。在该布局中，当在上侧电极层与下侧电极层之间发生了短路不良的情况下，与图9C所记载的保持电容元件同样地选择可以切断部。根据图1IA所记载的布局，不仅保持电容元件的上侧电极层231及下侧电极层232 双方分别保持电路布线功能并被2分割，而且在2分割而成的电容电极部的连接路径上进一步介有电路元件的构成电极。因此，与图9C及图IOB所记载的发光像素的布局相比较， 因为可进一步确保布局的自由度，所以可以缩小像素电路的所需面积。因而，可以应对像素电路的高密度化。图1IB是本发明的显示装置所具有的发光像素的第4布局图。该图所记载的布局， 是一发光像素的布局，信号线12、扫描线13、开关晶体管21、驱动晶体管22、保持电容元件 23A和电路布线被描绘出。此外，开关晶体管21和驱动晶体管22为底栅型，形成有栅电极的层为下侧电极层232，形成有源电极及漏电极的层成为上侧电极层231。图IlA所记载的布局图与图IOB所记载的布局图相比较，在上侧电极层231中、在所分割的上侧电容电极部 231a与231b之间介有驱动晶体管22的构成电极这一点不同。保持电容元件23A的上侧电极层231具备上侧电容电极部231a及231b和连接它们的可以切断部231s。此外，上侧电容电极部231b共用连接驱动晶体管22(的漏电极) 与电源线(未图示)的电路布线37。进而，在可以切断部231s与上侧电容电极部231b之间，介有作为驱动晶体管的构成电极的漏金属层。另一方面，保持电容元件23A的下侧电极层232具备下侧电容电极部232a及232b和连接它们的可以切断部232s。下侧电容电极部232a共用连接开关晶体管21 (的源电极)与驱动晶体管22 (的栅电极)的电路布线38。 在该布局中，当在上侧电极层与下侧电极层之间发生了短路不良的情况下，与图9C所记载的保持电容元件同样地选择可以切断部。根据图1IB所记载的布局，不仅保持电容元件的上侧电极层231及下侧电极层232 双方分别保持电路布线功能并被2分割，而且在2分割而成的电容电极部的连接路径上进一步介有电路元件的构成电极。因此，与图9C及图IOB所记载的发光像素的布局相比较， 因为可进一步确保布局的自由度，所以可以缩小像素电路的所需面积。因而，可以应对像素电路的高密度化。图IlC是本发明的显示装置所具有的发光像素的第5布局图。该图所记载的布局， 是一发光像素的布局，信号线12、扫描线13、开关晶体管21、驱动晶体管22、保持电容元件 23A和电路布线被描绘出。此外，开关晶体管21和驱动晶体管22为底栅型，形成有栅电极的层为下侧电极层232，形成有源电极及漏电极的层成为上侧电极层231。图IlC所记载的布局图与图IOB所记载的布局图相比较，在上侧电极层231中、在所分割的上侧电容电极部 231a与231b之间介有驱动晶体管22的构成电极，进而在下侧电极层232中、在所分割的下侧电容电极部23 与232b之间介有驱动晶体管22的构成电极这一点不同。保持电容元件23A的上侧电极层231具备上侧电容电极部231a及231b和连接它们的可以切断部231s。此外，上侧电容电极部231b共用连接驱动晶体管22(的漏电极) 与电源线(未图示)的电路布线37。进而，在可以切断部231s与上侧电容电极部231b之间，介有作为驱动晶体管的构成电极的漏金属层。另一方面，保持电容元件23A的下侧电极层232具备下侧电容电极部23 及232b和连接它们的可以切断部23k。下侧电容电极部23 共用连接开关晶体管21 (的源电极)与驱动晶体管22 (的栅电极)的电路布线38。 进而，在可以切断部23 与下侧电容电极部23 之间，介有作为驱动晶体管的构成电极的栅金属层。在该布局中，当在上侧电极层与下侧电极层之间发生了短路不良的情况下，与图 9C所记载的保持电容元件同样地选择可以切断部。根据图1IC所记载的布局，不仅保持电容元件的上侧电极层231及下侧电极层232 双方分别保持电路布线功能并被2分割，而且在2分割而成的电容电极部的连接路径上进一步介有电路元件的构成电极。因此，与图9C及图IOB所记载的发光像素的布局相比较， 因为可进一步确保布局的自由度，所以可以缩小像素电路的所需面积。因而，可以应对像素电路的高密度化。以上，虽然关于本发明的显示装置及其制造方法，基于实施方式进行了说明，但是本发明的显示装置及其制造方法并非限定于所述实施方式。使实施方式1 3中的任意构成要件相组合而实现的其他实施方式和/或对于实施方式1 3实施本领域技术人员在不脱离本发明的主旨的范围想到的各种变形而得到的变形例和/或内置有本发明的显示装置的各种设备也包含于本发明。例如，虽然在实施方式2中，对具有图3A及图:3B所记载的保持电容元件23A的显示装置的制造方法进行了说明，但是实施方式2的显示装置的制造方法，关于在实施方式1 的第1 第3变形例中示出的保持电容元件23B、23C及23D也可应用。此外，虽然在实施方式3中，对具有图3A及图:3B所记载的保持电容元件23A的发光像素的布局进行了说明，但是实施方式3的发光像素的布局，对于在实施方式1的第1 第3变形例中示出的保持电容元件23B、23C及23D也可应用。此外，虽然在实施方式1中，示出了将构成保持电容元件23的上侧电极层和/或下侧电极层最多分割为4个电容电极部的例子，但是电容电极部的分割数，根据发光像素 11的不良率和/或所需的静电电容，只要是2以上的任意分割数即可。此外，虽然在实施方式1 3中，作为保持电容元件的不良主要原因，举出了由不均分布于电极间的微粒等引起的电极间短路，但是本实施方式中的所谓短路并不限定于完全短路。例如，如微粒彼此的点接触那样具有微小的电阻值及电容值的情况也包含于短路中。此外，例如，本发明的图像显示装置可内置于图12所记载的薄型平板TV内。由此， 可修正未以正常发光定时发光的发光像素，实现显示面板的质量提高了的高精细的薄型平板TV。本发明的显示装置及其制造方法在期望大画面及高分辨率的薄型电视机、个人计算机的显示器等技术领域有用。
权利要求
1.一种显示装置，其二维状地排列有多个显示像素，所述多个显示像素层叠有显示元件层和对所述显示元件层进行驱动的驱动电路层，所述驱动电路层具备平行平板型的电容元件，所述平行平板型的电容元件具有配置成在层叠方向对向的上侧电极层及下侧电极层；所述上侧电极层具备将第一电路元件与第二电路元件相连接的第一上侧电容电极部；以及经由第一可以切断部与所述第一上侧电容电极部相连接的第二上侧电容电极部；所述下侧电极层具备将第三电路元件与第四电路元件相连接的第一下侧电容电极部；以及经由第二可以切断部与所述第一下侧电容电极部相连接的第二下侧电容电极部； 所述电容元件在所述第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间及所述第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。
2.按照权利要求1所述的显示装置，进一步地，所述上侧电极层具备经由第三可以切断部与所述第一上侧电容电极部相连接的第三上侧电容电极部；和/或所述下侧电极层具备经由第四可以切断部与所述第一下侧电容电极部相连接的第三下侧电容电极部；所述电容元件在所述第三上侧电容电极部与所述第一下侧电容电极部之间和/或所述第三下侧电容电极部与所述第一上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。
3.按照权利要求2所述的显示装置，进一步地，所述上侧电极层具备分别经由第五可以切断部及第六可以切断部与所述第二上侧电容电极部及所述第三上侧电容电极部相连接的第四上侧电容电极部，和/或所述下侧电极层具备分别经由第七可以切断部及第八可以切断部与所述第二下侧电容电极部及所述第三下侧电容电极部相连接的第四下侧电容电极部；所述电容元件在所述第四上侧电容电极部与所述第一下侧电容电极部之间和/或所述第四下侧电容电极部与所述第一上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。
4.按照权利要求1所述的显示装置，进一步地，所述上侧电极层具备经由第三可以切断部与所述第二上侧电容电极部相连接的第三上侧电容电极部，和/或所述下侧电极层具备经由第四可以切断部与所述第二下侧电容电极部相连接的第三下侧电容电极部；所述电容元件在所述第三上侧电容电极部与所述第一下侧电容电极部之间和/或所述第三下侧电容电极部与所述第一上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。
5.按照权利要求1 4中的任意一项所述的显示装置， 所述可以切断部具有通过激光照射能够切断的形状。
6.按照权利要求5所述的显示装置，所述上侧电极层所具有的可以切断部，形成于除了所述下侧电极层所具有的电极部及可以切断部在层叠方向所投影的区域之外的区域；所述下侧电极层所具有的可以切断部，形成于除了所述上侧电极层所具有的电极部及可以切断部在层叠方向所投影的区域之外的区域。
7.按照权利要求1所述的显示装置，所述多个显示像素具备所述第一电路元件、所述第二电路元件、所述第三电路元件及所述第四电路元件；所述第一电路元件、所述第二电路元件、所述第三电路元件及所述第四电路元件分别是驱动元件、开关元件、电容元件、发光元件、扫描线、控制线及电源线中的任意一种。
8.按照权利要求1所述的显示装置，所述电容元件是保持电容元件，其将与按每一所述显示像素提供的信号电压相应的电压作为保持电压而进行保持；所述驱动电路层具备驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅与所述电容元件的一个端子相连接，所述驱动晶体管通过所述保持电压施加于栅而将所述保持电压变换为作为源漏间电流的信号电流；所述显示元件层具备通过所述信号电流的流动而发光的发光元件。
9.按照权利要求8所述的显示装置，所述发光元件是有机EL元件。
10.一种显示装置的制造方法，所述显示装置二维状地排列有多个显示像素，所述多个显示像素层叠有显示元件层和对所述显示元件层进行驱动的驱动电路层，所述制造方法包括驱动电路形成步骤，形成具备平行平板型的电容元件的驱动电路层，所述平行平板型的电容元件使上侧电极层和下侧电极层配置成在层叠方向对向，所述上侧电极层具有将第一电路元件与第二电路元件相连接的第一上侧电容电极部和经由第一可以切断部与所述第一上侧电容电极部相连接的第二上侧电容电极部；所述下侧电极层具有将第三电路元件与第四电路元件相连接的第一下侧电容电极部和经由第二可以切断部与所述第一下侧电容电极部相连接的第二下侧电容电极部，在所述第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间及所述第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容；显示元件形成步骤，形成所述显示元件层；检查步骤，对由所述驱动电路形成步骤形成的所述电容元件进行检查；以及切断步骤，对于在所述检查步骤判断为对向的电极部发生了短路的所述电容元件，将短路的电极部从显示像素切离，以使所述第一电路元件与所述第二电路元件的连接及所述第三电路元件与所述第四电路元件的连接不被切断。
11.按照权利要求10所述的显示装置的制造方法，在所述切断步骤，当在所述第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间发生了短路不良的情况下，切断所述第二可以切断部；当在所述第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间发生了短路不良的情况下，切断所述第一可以切断部。
12.按照权利要求10所述的显示装置的制造方法，在所述切断步骤，通过对所述可以切断部进行激光照射，将短路的电极部从显示像素切离，以使所述第一电路元件与所述第二电路元件的连接及所述第三电路元件与所述第四电路元件的连接不被切断。
全文摘要
提供一种即使像素电路高密度化也可以使不良发光像素以正常发光定时发光的显示装置及其制造方法。显示装置层叠有显示元件层和驱动电路层，驱动电路层具备保持电容元件(23A)，该保持电容元件(23A)具有在层叠方向相对的上侧电极层(231)及下侧电极层(232)，上侧电极层(231)具备将2个电路元件相连接的上侧电容电极部(231b)和经由可以切断部(231s)与该电极部相连接的上侧电容电极部(232a)，下侧电极层(232)具备将2个电路元件相连接的下侧电容电极部(232a)和经由可以切断部(232s)与该电极部相连接的下侧电容电极部(232b)，保持电容元件(23A)在上侧电容电极部(231b)与下侧电容电极部(232b)之间及下侧电容电极部(232a)与上侧电容电极部(231a)之间分别保持静电电容。
文档编号G09F9/30GK102326193SQ20108000360
公开日2012年1月18日 申请日期2010年5月13日 优先权日2010年5月13日
发明者田鹿健一, 白水博 申请人:松下电器产业株式会社
技术领域：
本发明涉及显示装置及其制造方法，尤其涉及具有可以修正的像素结构的显示装置及其制造方法。
背景技术：
作为使用了电流驱动型的发光元件的图像显示装置，已知使用了有机电致发光元件(以下，记为有机EL元件)的有机EL显示器。该有机EL显示器因为具有视角特性优良、功耗低的优点，所以作为下一代的FPD(Flat Panel Display，平板显示器)候选而受到关注。通常，构成像素的有机EL元件配置为矩阵状。例如，在有源矩阵型的有机 EL显示器中，在多条扫描线与多条数据线的交点处设置薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)，在该TFT上连接保持电容元件(电容器)及驱动晶体管的栅。而且，通过所选择的扫描线使该TFT导通，将来自数据线的数据信号输入至驱动晶体管及保持电容元件， 并通过该驱动晶体管及保持电容元件对有机EL元件的发光定时进行控制。通过该像素驱动电路的结构，在有源矩阵型的有机EL显示器中，因为可以使有机EL元件发光至下次扫描 (选择)，所以即使占空比提高也不会引起显示器的辉度降低。但是，在如以有源矩阵型的有机EL显示器为代表地，发光像素的驱动电路结构变得越复杂、此外发光像素数越增加， 越需要精细加工的制造工序中，会产生电路元件和/或布线的短路和/或开路的电不良状况。尤其是，在有机EL面板中，构成像素驱动电路的保持电容元件的元件面积相对宽阔。因而，该保持电容元件，容易受存在于电极间的微粒等的影响，由于发生短路不良而成为使像素不良率升高的主要原因。另一方面，有人提出在像素驱动电路元件和/或布线的形成之后，对发生了不良状况的发光像素进行修正的方法。在专利文献1中，为了对由于电路元件的短路等始终成为发光状态而辉点化的不良发光像素进行修正，在全部发光像素区域，设置与其他导电部及布线分离而连接的非重叠部。关于不良发光像素，通过对该非重叠部照射激光，而切断该非重叠部。由此，不良像素被切断电信号的传输，而且，不会受到由激光照射引起的损伤而灭点化。此外，在专利文献2中，形成于各发光像素的发光区域的像素电极采取多个单元连接起来的结构，通过将其连接位置的一部分用激光切断，仅将不良的发光单元电绝缘而灭点化。专利文献1 特开2008-203636号公报专利文献2 特开2007-66904号公报
发明内容
要达到由发光像素数的增加引起的像素电路的高密度化以应对显示面板的高精细化，尤其需要在对面积比例高的保持电容元件的布局设计下功夫。对此，使保持电容元件共用作为原本功能的电容保持功能和对各电路元件进行连接的电路布线功能成为有效的方法。但是，对于作为像素不良率的主要原因的保持电容元件的短路，在使保持电容元件共有电容保持功能和电路布线功能并且通过专利文献2所记载的结构对电流泄漏位置用激光等进行修正的情况下，根据短路发生位置而切断电路布线，消除电路布线功能。其结果，虽然可以将不良发光像素灭点化，但是无法恢复作为正常发光像素的功能。此外，在专利文献1所记载的结构及方法中，虽然可以使保持电容元件与其他电路元件电绝缘化而无功能化，但是在为了达到由发光像素数的增加引起的像素电路的高密度化而设计保持电容元件的布局时，在将保持电容元件的全部设为与导电部及布线分离而连接的非重叠部方面存在局限。不论在上述的哪一以往技术中，都为即使可以使不良发光像素灭点化或者使发光元件以与其他正常发光像素不同的发光定时发光，也无法通过使不良发光像素以正常发光定时发光而使发光面板的显示质量提高。本发明是鉴于上述的问题而提出的，其目的在于提供一种即使像素电路高密度化也可以使具有短路不良的保持电容元件的不良发光像素以正常发光定时发光的显示装置及其制造方法。为了解决上述的问题，本发明的显示装置二维状地排列有多个显示像素，该多个显示像素层叠有显示元件层和对该显示元件层进行驱动的驱动电路层，所述驱动电路层具备平行平板型的电容元件，该平行平板型的电容元件具有配置成在层叠方向对向的上侧电极层及下侧电极层；所述上侧电极层具备将第一电路元件与第二电路元件相连接的第一上侧电容电极部；以及经由第一可以切断部与该第一上侧电容电极部相连接的第二上侧电容电极部；所述下侧电极层具备将第三电路元件与第四电路元件相连接的第一下侧电容电极部；以及经由第二可以切断部与该第一下侧电容电极部相连接的第二下侧电容电极部；所述电容元件在所述第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间及所述第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。根据本发明的显示装置及其制造方法，对于共用电路布线和电容元件的2个相对电极层，分别通过以预定的配置设置可以切断的电极部，即使对短路不良位置进行修复切断也可以维持作为电路布线的导通功能，且确保电容保持功能。因而，即使像素电路高密度化，也可以使具有短路不良的保持电容元件的不良发光像素以正常发光定时发光，可以使发光面板的显示质量提高。
图1是表示本发明的实施方式的显示装置的结构的框图。图2是本发明的实施方式的发光像素的主要电路结构图的一例。图3A是表示本发明的实施方式1的显示装置所具有的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。图3B是表示本发明的实施方式1的显示装置所具有的保持电容元件的电极构成的立体图。
图4A是本发明的实施方式1的保持电容元件的等价电路图。图4B是表示对本发明的实施方式1的保持电容元件照射激光而切断预定的电极块层的状况的图。图5A是表示本发明的实施方式1的第1变形例的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。图5B是表示本发明的实施方式1的第1变形例的保持电容元件的电极结构的立体图。图6A是表示本发明的实施方式1的第2变形例的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。图6B是表示本发明的实施方式1的第2变形例的保持电容元件的电极结构的立体图。图7A是表示本发明的实施方式1的第3变形例的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。图7B是表示本发明的实施方式1的第3变形例的保持电容元件的电极结构的立体图。图8是表示本发明的实施方式2的显示装置的制造方法的工作流程图。图9A是以往的显示装置所具有的发光像素的第1布局图。图9B是以往的显示装置所具有的发光像素的第2布局图。图9C是本发明的显示装置所具有的发光像素的第1布局图。图IOA是以往的显示装置所具有的发光像素的第3布局图。图IOB是本发明的显示装置所具有的发光像素的第2布局图。图IlA是本发明的显示装置所具有的发光像素的第3布局图。图IlB是本发明的显示装置所具有的发光像素的第4布局图。图IlC是本发明的显示装置所具有的发光像素的第5布局图。图12是内置有本发明的图像显示装置的薄型平板TV的外观图。符号说明1显示装置
10显示面板
11发光像素
IlA驱动电路层
IlB显示元件层
12信号线
13扫描线
14扫描线驱动电路
15信号线驱动电路
16电源线
20控制电路
21开关晶体管
22驱动晶体管
23、23A、23B、23C、23D 保持电容元件24 有机EL元件31、32、33、34、35、36、37、38、39、40、300、303、306 电路布线51、52、53、54 短路231、233、235、237 上侧电极层231a、231b、233a、233b、235a、235b、235c、235d、237a、237b 上侧电容电极部231s、232s、233s、234sl、234s2、235sl、235s2、235s3、235s4、236s、237s、238sl、 238s2、301sl、301s2、302s、304s、305s 可以切断部232、234、236、238 下侧电极层232a、232b、234a、234b、234c、236a、236b、238a、238b、238c 下侧电容电极部
具体实施例方式本发明的一种方式的显示装置，二维状地排列有多个显示像素，该多个显示像素层叠有显示元件层和对该显示元件层进行驱动的驱动电路层，所述驱动电路层具备平行平板型的电容元件，该平行平板型的电容元件具有配置成在层叠方向对向的上侧电极层及下侧电极层；所述上侧电极层具备将第一电路元件与第二电路元件相连接的第一上侧电容电极部；以及经由第一可以切断部与该第一上侧电容电极部相连接的第二上侧电容电极部；所述下侧电极层具备将第三电路元件与第四电路元件相连接的第一下侧电容电极部；以及经由第二可以切断部与该第一下侧电容电极部相连接的第二下侧电容电极部；所述电容元件在所述第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间及所述第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。为了实现像素电路的高密度化，以往，将像素电路内的电容元件的单侧电极作为电路布线的一部分而共用。但是，由于为了确保像素功能而必须维持作为电路布线的导通特性，所以在以往的结构中，在电容元件的修复时，即使在共用电路布线的电极存在短路缺陷等，也没法将该不良电极从电路切断。也就是说，对可以进行电容元件的不良部分的切离的部分存在限制。在本发明中，即使是电路布线共用一部分电容元件的结构，也因为采取对在修复时可以进行电容元件的不良部分的切离的部分没有限制的结构，所以在修复后也可始终维持电路布线的特性。例如，当存在在第一上侧电容电极部与第二下侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第二可以切断部。由此，维持第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。此外，当存在在第一下侧电容电极部与第二上侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第一可以切断部。由此，维持第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、 将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，也可以进一步地，所述上侧电极层具备经由第三可以切断部与所述第一上侧电容电极部相连接的第三上侧电容电极部；和/或所述下侧电极层具备经由第四可以切断部与所述第一下侧电容电极部相连接的第三下侧电容电极部；所述电容元件在所述第三上侧电容电极部与所述第一下侧电容电极部之间和/ 或所述第三下侧电容电极部与所述第一上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。根据本方式，当在电容元件发生了短路不良的情况下，与电容元件的单侧电极被分割为2个电极部的情况相比较，通过切离所分割的3个电极部之中的仅1个电极部，在修复后也可维持电路布线的特性。因而，可以减小修复后的电容元件所具有的静电电容相对于正常像素的电容元件的静电电容的减少量。例如，当存在在第一上侧电容电极部与第三下侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第四可以切断部。由此，维持第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与所述第三上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。此外，当存在在第一下侧电容电极部与第三上侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第三可以切断部。由此，维持第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与所述第三下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，也可以进一步地，所述上侧电极层具备分别经由第五可以切断部及第六可以切断部与所述第二上侧电容电极部及所述第三上侧电容电极部相连接的第四上侧电容电极部，和/或所述下侧电极层具备分别经由第七可以切断部及第八可以切断部与所述第二下侧电容电极部及所述第三下侧电容电极部相连接的第四下侧电容电极部；所述电容元件在所述第四上侧电容电极部与所述第一下侧电容电极部之间和/或所述第四下侧电容电极部与所述第一上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。根据本方式，当在电容元件发生了短路不良的情况下，与电容元件的单侧电极被分割为3个电极部的情况相比较，通过切离所分割的4个电极部之中的仅1个电极部，在修复后也可维持电路布线的特性。因而，可以减小修复后的电容元件所具有的静电电容相对于不需要修复的电容元件所具有的静电电容的减少量。例如，当存在在第一上侧电容电极部与第四下侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第七及第八可以切断部。由此，维持第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与所述第三上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与所述第四上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与第三下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。此外，当存在在第一下侧电容电极部与第四上侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第五及第六可以切断部。由此，维持第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与所述第三下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与所述第四下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与第三上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，也可以进一步地，所述上侧电极层具备经由第三可以切断部与所述第二上侧电容电极部相连接的第三上侧电容电极部，和/或所述下侧电极层具备经由第四可以切断部与所述第二下侧电容电极部相连接的第三下侧电容电极部；所述电容元件在所述第三上侧电容电极部与所述第一下侧电容电极部之间和/ 或所述第三下侧电容电极部与所述第一上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。根据本方式，当在电容元件发生了短路不良的情况下，与电容元件的单侧电极被分割为2个电极部的情况相比较，通过切离所分割的3个电极部之中的仅1个电极部，在修复后也可维持电路布线的特性。因而，可以减小修复后的电容元件所具有的静电电容相对于不需要修复的电容元件所具有的静电电容的减少量。例如，当存在在第一上侧电容电极部与第三下侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第四可以切断部。由此，维持第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与所述第三上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。此外，当存在在第一下侧电容电极部与第三上侧电容电极部之间发生了短路不良的像素的情况下，切断第三可以切断部。由此，维持第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一上侧电容电极部与所述第三下侧电容电极部之间的静电电容保持功能、第一下侧电容电极部与第二上侧电容电极部之间的静电电容保持功能、将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能及将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。此外，在本发明的一方式的显示装置中，优选所述可以切断部具有通过激光照射能够切断的形状。由此，可以通过对适合的可以切断部进行激光照射而切断该可以切断部，将发生电极间短路的电极部从电容元件切除。因而，电容元件可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使发光元件发光。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，优选所述上侧电极层所具有的可以切断部，形成于除了所述下侧电极层所具有的电极部及可以切断部在层叠方向所投影的区域之外的区域；所述下侧电极层所具有的可以切断部，形成于除了所述上侧电极层所具有的
9电极部及可以切断部在层叠方向所投影的区域之外的区域。根据本方式，在将被进行激光照射的可以切断部所存在的区域投影于层叠方向而得到的区域、也就是说在2片电极层的另一层的平面内与被进行激光照射的可以切断部对向的区域，不形成其他的可以切断部及电极部。因而，可以避免由于向可以切断部的激光照射而使构成电容元件的区域损伤的情况。因而，所述电容元件虽然静电电容减少所切除的电极部的面积比的量，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使发光元件发光。因而，显示装置的显示质量得到提高。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，所述多个显示像素也可以具备所述第一电路元件、所述第二电路元件、所述第三电路元件及所述第四电路元件；所述第一电路元件、所述第二电路元件、所述第三电路元件及所述第四电路元件也可以分别是驱动元件、开关元件、电容元件、发光元件、扫描线、控制线及电源线中的任意一种。根据本方式，电容元件作为构成所述电路元件的导通路径的电路布线而起作用。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，所述电容元件也可以是保持电容元件， 其将与按每一所述显示像素提供的信号电压相应的电压作为保持电压而进行保持；所述驱动电路层也可以具备驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅与所述电容元件的一个端子相连接，所述驱动晶体管通过所述保持电压施加于栅而将所述保持电压变换为作为源漏间电流的信号电流；所述显示元件层也可以具备通过所述信号电流的流动而发光的发光元件。根据本方式，能够应用于可以对施加信号电压的定时与发光定时独立地进行控制的有源矩阵型的显示装置。此外，在本发明的一种方式的显示装置中，所述发光元件也可以是有机EL元件。根据本方式，可以应用于发光元件具有电流驱动型的有机EL元件的有机EL显示
直ο此外，本发明不仅可以作为具备这样的特征性手段的显示装置而实现，而且也可以作为以包含于显示装置的特征性手段为步骤的显示装置的制造方法而实现。以下，关于本发明的实施方式参照附图进行说明。另外，在以下的实施方式及各附图中，对相同的构成要素附加相同的标号并进行说明。此外，虽然在以下，以包括顶面发光方式的以阳极为底面、此外以阴极为顶面的有机EL元件的显示装置为例进行说明，但是并不限于此。(实施方式1)本实施方式的显示装置，二维状地排列有多个显示像素，该多个显示像素层叠有显示元件层和对该显示元件层进行驱动的驱动电路层。驱动电路层具备平行平板型的电容元件，该平行平板型的电容元件具有配置成在层叠方向对向的上侧电极层及下侧电极层。 所述上侧电极层具备具有将第一电路元件与第二电路元件相连接的电路布线功能的第一上侧电容电极部；以及经由第一可以切断部与该第一上侧电容电极部相连接的第二上侧电容电极部。所述下侧电极层具备具有将第三电路元件与第四电路元件相连接的电路布线功能的第一下侧电容电极部；以及经由第二可以切断部与该第一下侧电容电极部相连接的第二下侧电容电极部。所述电容元件在所述第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间及所述第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间，分别可以保持预定的静电电容。由此，无论在所述电容元件的哪一部位发生短路不良，都可以进行修复，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高
密度化。以下，关于本发明的实施方式1，参照附图进行说明。图1是表示本发明的实施方式的显示装置的结构的框图。该图中的显示装置1具备显示面板10和控制电路20。显示面板10具备多个发光像素11、按每发光像素列而配置的多条信号线12、按每发光像素行而配置的多条扫描线13、扫描线驱动电路14和信号线驱动电路15。发光像素11是在显示面板10上配置为矩阵状的显示像素。扫描线驱动电路14通过向各扫描线13输出扫描信号，对发光像素所具有的电路元件进行驱动。信号线驱动电路15通过向信号线12输出信号电压及基准电压，实现与辉度信号对应的发光像素的发光。控制电路20对从扫描线驱动电路14输出的扫描信号的输出定时进行控制。此外， 控制电路20对输出从信号线驱动电路15输出的信号电压的定时进行控制。图2是本发明的实施方式的发光像素的主要电路结构图的一例。该图所记载的发光像素11由驱动电路层IlA及显示元件层IlB构成。驱动电路层IlA例如具备开关晶体管21、驱动晶体管22和保持电容元件23。而且，开关晶体管21的漏电极连接于信号线12， 开关晶体管21的栅电极连接于扫描线13，进而，开关晶体管21的源电极连接于保持电容元件23及驱动晶体管22的栅电极。此外，驱动晶体管22的漏电极连接于电源线16，源电极连接于显示元件层IlB的阳极。在该结构中，若对扫描线13输入扫描信号、使开关晶体管21成为导通状态，则经由信号线12供给的信号电压写入于保持电容元件23。然后，写入于保持电容元件23的保持电压在整1帧期间得到保持，通过该保持电压，驱动晶体管22的电导模拟性地发生变化， 与发光灰度对应的驱动电流被供给于显示元件层IlB的阳极。进而，供给于显示元件层IlB 的阳极的驱动电流，向显示元件层IlB的有机EL元件24及阴极流动。由此，显示元件层 IlB的有机EL元件24进行发光并作为图像而显示。另外，驱动电路层IlA并非限定于所述的电路结构。也就是说，虽然开关晶体管 21、驱动晶体管22及保持电容元件23是使与信号电压的电压值相应的驱动电流流至显示元件层IlB所需的电路构成要素，但是并不限定于所述的方式。此外，对所述的电路构成要素附加其他电路构成要素的情况，也包含于本发明的驱动电路层IlA0驱动电路层IlA与显示元件层IlB例如层叠于玻璃基板上，多个显示像素排列为二维状。显示装置1是顶部发射结构的情况，也就是若对显示元件层IlB施加电压，则由有机EL元件24发光，光通过透明阴极及封装膜而向上方出射。此外，由有机EL元件24发出的光之中朝向下方的光由阳极反射，光通过透明阴极及封装膜而向上方出射。接下来，关于作为本发明的主要构成要件的保持电容元件23的结构及功能进行说明。驱动电路层IlA具备平行平板型的保持电容元件23，该平行平板型的保持电容元件 23具有配置成在层叠方向对向的上侧电极层及下侧电极层。图3A是表示本发明的实施方式1的显示装置所具有的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。此外，图3B是表示本发明的实施方式1的显示装置所具有的保持电容元件的电极结构的立体图。图3A及图:3B所记载的保持电容元件23A是图2所记载的保持电容元件23的一例，由上侧电极层231、下侧电极层232和形成于它们之间的绝缘层(未图示) 构成。上侧电极层231在同一面内具有上侧电容电极部231a及231b和可以切断部 231s。第一上侧电容电极部、即上侧电容电极部231a与第二上侧电容电极部、即上侧电容电极部231b经由第一可以切断部、即可以切断部231s相连接。此外，下侧电极层232在同一面内具有下侧电容电极部23 及232b和可以切断部23k。第一下侧电容电极部、即下侧电容电极部23 与第二下侧电容电极部、即下侧电容电极部232b经由第二可以切断部、 即可以切断部23 相连接。上侧电容电极部231b不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第一电路元件、即电路元件1与第二电路元件、即电路元件2相连接的电路布线而起作用。此外，下侧电容电极部23 不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第三电路元件、即电路元件 3与第四电路元件、即电路元件4相连接的电路布线而起作用。若将所述的电路元件1 电路元件4与图2所记载的电路图相对应，则电路元件3是开关晶体管21 (的源电极)，电路元件4是驱动晶体管22 (的栅电极)，电路元件1是电源线16，电路元件2是驱动晶体管 22(的漏电极)。作为上侧电极层231及下侧电极层232的材料，例如为钼(Mo)与钨(W)的合金、 或Mo与W的合金/铝(Al) /Mo与W的合金的层叠结构，膜厚例如为150nm。在此，所谓可以切断部，是具有通过切断该可以切断部而使由该可以切断部电连接的2个电容电极部成为非导通状态的功能的部分。从而，可以切断部231s及23 的平面形状例如为线宽4 μ m、长度4 μ m，具有通过激光照射可以切断的形状。在此，通过对可以切断部231s及23 的一部分照射激光可以切断的形状，与所使用的激光器的规格有密切的关系，在使用例如以YAG(Yttrium Aluminum Garnet，钇铝石榴石)激光器为光源的激光振荡器、使用例如以波长532nm、脉冲宽度10ns、功率0. 5mW为输出参数的激光器的情况下， 只要可以切断部231s及23 的形状是所述的形状，便不会损伤其他正常的电极块而切断可以切断部231s及23k。由此，可以通过对适合的可以切断部进行激光照射而切断该可以切断部，将发生电极间短路的电极部从保持电容元件切除。此外，上侧电极层231所具有的可以切断部231s形成于除了下侧电极层232所具有的下侧电容电极部23h、232b及可以切断部23 在层叠方向所投影的区域以外的区域。 同样地，下侧电极层232所具有的可以切断部23 形成于除了上侧电极层所具有的上侧电容电极部231a、231b及可以切断部231s在层叠方向所投影的区域以外的区域。由此，可以避免由于向可以切断部231s或23 的激光照射而使构成电容元件的上侧电容电极部、下侧电容电极部及未切断的一方的可以切断部损伤的情况。因而，保持电容元件23A虽然静电电容减少所切除的电极部的面积比的量，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使发光元件发光。作为形成于上侧电极层231与下侧电极层232之间的绝缘层，例如可举出氧化硅膜(SiOx)或氮化硅膜(SiN)等。此外，绝缘层的膜厚例如为150nm。另外，为了确保预期的静电电容，绝缘层也可以为电介质材料。通过所述结构，正常像素所具有的保持电容元件23A如图3A所示，在上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b之间及下侧电容电极部232a与上侧电容电极部231a之间，可以分别保持预定的静电电容Clb及Cla。进而，在图3A及图3B，示出发光像素11所具有的保持电容元件23A在上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b之间的绝缘层遍及上下电容电极部不均分布有导电性微粒、上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b发生短路51的例子。由此，通过施加于上侧电极层231与下侧电极层232之间的电压而应该蓄积于保持电容元件23A的电荷，由于所述短路51而未被保持。在该情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件 23A照射激光而切断可以切断部231s，来维持上侧电容电极部231a与下侧电容电极部232a 之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。图4A是本发明的实施方式1的保持电容元件的等价电路图。在保持电容元件23A 的上侧电容层231与下侧电极层232不短路的情况下，保持电容元件23A的静电电容为将各电极部的静电电容相加而得到的值(Cla+Clb)。在此，在本实施方式中，如该图所记载的， 在上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b之间短路的情况下，可以使包含短路位置的电极部的电容元件功能无功能化。具体地，对于可以切断部232s，从相对于膜面基本垂直的方向照射激光。图4B是表示对本发明的实施方式1的保持电容元件照射激光而切断可以切断部的状况的图。在该图中，L表示激光光线的轨迹，可以切断部232s通过激光而切断。由此，保持电容元件23A虽然在上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b之间不具有静电保持电容功能，但是维持将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能，并且在上侧电容电极部231a与下侧电容电极部232a之间具有静电保持电容功能，且维持将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，如前所述，下侧电极层232所具有的可以切断部232s形成于除了上侧电极层231所具有的上侧电容电极部231a、231b及可以切断部231s在层叠方向所投影的区域以外的区域。由此，可以避免由于向232s的激光照射而使构成电容元件的上侧电容电极部 231a、下侧电容电极部232a及可以切断部231s损伤的情况。通过以上，修复后的保持电容元件23A的静电电容虽然其静电电容值从原本应该具有的静电电容(Cla+Clb)减少所切除的电极部的面积比的量而成为静电电容Cla，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使显示元件层IlB发光。另外，在代替图3A及图3B所记载的短路51，上侧电容电极部231a与下侧电容电极部232a发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23A照射激光而切断可以切断部231s，来维持上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3 与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，激光的照射方向也可以不从显示面板10的顶面而从隔着下部基板的底面。 来自底面的激光照射方式与图4B所记载的来自顶面的激光照射方式相比较，在显示元件层IlB形成于驱动电路层IlA上后进行的保持电容元件23A的修正方面是有利的。因为， 来自底面的激光照射方式以激光不通过显示元件层IlB这一点，可以排除由于激光的通过而使显示元件层IlB损伤的可能性。通过以上的结构，在作为像素电路的高密度化的实现对策而使电路布线与电容元件共用的情况下，对于共有电路布线功能和电容保持功能的2个电极层的各自，可以通过以预定的配置设置可以切断的电极部，而获得对在修复时可以进行电容元件的不良部分的切离的部分不存在限制的结构。因而，可以即使对短路不良位置进行修复切断也会维持作为电路布线的导通功能，并且确保电容保持功能。因而，即使像素电路高密度化，也可以使具有短路不良的保持电容元件的不良发光像素以正常发光定时发光，可以使发光面板的显示质量提高。图5A是表示本发明的实施方式1的第1变形例的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。此外，图5B是表示本发明的实施方式1的第1变形例的保持电容元件的电极结构的立体图。图5A及图5B所记载的保持电容元件23B，与图3A及图3B所记载的保持电容元件23A相比较，不具有电路布线功能的一方的电容电极部及可以切断部的结构不同。以下，与保持电容元件23A相同点省略说明，以不同点为中心进行说明。图5A及图5B所记载的保持电容元件23B，是图2所记载的保持电容元件23的一例，由上侧电极层233、下侧电极层234和形成于它们之间的绝缘层(未图示)构成。上侧电极层233在同一面内具有上侧电容电极部233a及233b和可以切断部 233s。上侧电容电极部233a与上侧电容电极部233b经由第一可以切断部、即可以切断部 233s相连接。此外，下侧电极层234在同一面内具有下侧电容电极部234a、234b及234c和可以切断部234sl及234s2。第一下侧电容电极部、即下侧电容电极部234a与第二下侧电容电极部、即下侧电容电极部234b经由第二可以切断部、即可以切断部234sl相连接。此外第一下侧电容电极部、即下侧电容电极部234a与第三下侧电容电极部、即下侧电容电极部234c经由第四可以切断部、即可以切断部234s2相连接。上侧电容电极部233b不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第一电路元件、即电路元件1与第二电路元件、即电路元件2相连接的电路布线而起作用。此外，下侧电容电极部234a不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第三电路元件、即电路元件 3与第四电路元件、即电路元件4相连接的电路布线而起作用。此外，上侧电极层233所具有的可以切断部233s形成于除了下侧电极层234所具有的下侧电容电极部234a、234b、234c及可以切断部234sl、234s2在层叠方向所投影的区域以外的区域。同样地，下侧电极层234所具有的可以切断部234sl及234s2形成于除了上侧电极层所具有的上侧电容电极部233a、233b及可以切断部233s在层叠方向所投影的区域以外的区域。由此，可以避免由于向可以切断部233s、234sl或234s2的激光照射而使构成电容元件的上侧电容电极部、下侧电容电极部及未切断的可以切断部损伤的情况。因而， 保持电容元件23B虽然静电电容减少所切除的电极部的面积比的量，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使发光元件发光。通过所述结构，正常像素所具有的保持电容元件23B如图5A所记载的，在上侧电容电极部233a与下侧电容电极部234a之间、上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234b 之间及上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234c之间，可以分别保持预定的静电电容 C2a、C2b 及 C2c。进而，在图5A及图5B，记载了发光像素11所具有的保持电容元件23B在上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234b之间发生短路52的例子。由此，通过施加于上侧电极层233与下侧电极层234之间的电压而应该蓄积于保持电容元件23B的电荷，由于所述短路52而未被保持。在该情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23B照射激光而切断可以切断部234sl，来维持上侧电容电极部233a与下侧电容电极部234a之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234c之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。通过以上，修复后的保持电容元件23B的静电电容虽然其静电电容值从原本应该具有的静电电容(C2a+C2b+C2c)减少所切除的电极部的面积比的量而成为静电电容 (C2a+C2c)，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使显示元件层IlB发光。也就是说，与电容元件的单侧电极被分割为2个电极部的保持电容元件 23A相比较，保持电容元件23B通过切离所分割的3个电极部之中的仅1个电极部，在修复后也可维持电路布线的特性。因而，可以减小修复后的保持电容元件23B所具有的静电电容相对于无需修复的保持电容元件23B所具有的静电电容的减少量。另外，在代替图5A及图5B所记载的短路52，上侧电容电极部233a与下侧电容电极部234a发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23B照射激光而切断可以切断部233s，来维持上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234b之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234c之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，在上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234c发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23B照射激光而切断可以切断部234s2，来维持上侧电容电极部233a与下侧电容电极部234a之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部233b与下侧电容电极部234b之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，即使代替与上侧电容电极部233b相对的下侧电容电极部具备下侧电容电极部234b和234c的结构，而是与下侧电容电极部234a相对的上侧电容电极部具备2个上侧电容电极部的结构，也可得到与图5A及图5B所记载的保持电容元件23B同样的效果。此外，即使是具有与上侧电容电极部233b相对的下侧电容电极部具备下侧电容电极部234b和234c的结构及与下侧电容电极部234a相对的上侧电容电极部具备2个上侧电容电极部的结构双方的结构，也可得到与图5A及图5B所记载的保持电容元件23B同样的效果。也就是说，本发明的实施方式的保持电容元件为，与上侧电容电极部233b相对的下侧电容电极部具备下侧电容电极部234b、234c和/或与下侧电容电极部234a相对的上侧电容电极部具备2个上侧电容电极部的结构。图6A是表示本发明的实施方式1的第2变形例的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。此外，图6B是表示本发明的实施方式1的第2变形例的保持电容元件的电极结构的立体图。图6A及图6B所记载的保持电容元件23C，与图5A及图5B所记载的保持电容元件2 相比较，不共用电路布线的一方的电容电极部及可以切断部的结构不同。以下，与保持电容元件2 相同点省略说明，以不同点为中心进行说明。图6A及图6B所记载的保持电容元件23C，是图2所记载的保持电容元件23的一例，由上侧电极层235、下侧电极层236和形成于它们之间的绝缘层(未图示)构成。上侧电极层235在同一面内具有上侧电容电极部23fe、235b、235c及235d和可以切断部235sl、235s2、235s3及23k4。第一上侧电容电极部、即上侧电容电极部23 与第二上侧电容电极部、即上侧电容电极部23 经由第一可以切断部、即可以切断部235s4相连接，上侧电容电极部23 与第三上侧电容电极部、即上侧电容电极部235d经由第三可以切断部、即可以切断部235s3相连接，上侧电容电极部23 与第四上侧电容电极部、即上侧电容电极部235c经由第五可以切断部、即可以切断部235sl相连接，上侧电容电极部235d 与上侧电容电极部235c经由第六可以切断部、即可以切断部235s2相连接。此外，下侧电极层236在同一面内具有下侧电容电极部236a及236b和可以切断部236s。第一下侧电容电极部、即下侧电容电极部236b与第二下侧电容电极部、即下侧电容电极部236a经由第二可以切断部、即可以切断部236s相连接。上侧电容电极部23 不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第一电路元件、即电路元件1与第二电路元件、即电路元件2相连接的电路布线而起作用。此外，下侧电容电极部236b不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第三电路元件、即电路元件 3与第四电路元件、即电路元件4相连接的电路布线而起作用。此外，上侧电极层235所具有的可以切断部 235s4形成于除了下侧电极层236所具有的下侧电容电极部236a、236b及可以切断部236s在层叠方向所投影的区域以外的区域。同样地，下侧电极层236所具有的可以切断部236s形成于除了上侧电极层所具有的上侧电容电极部23 235d及可以切断部235sl 235s4在层叠方向所投影的区域以外的区域。由此，可以避免由于向可以切断部235sl 235s4或236s的激光照射而使构成电容元件的上侧电容电极部、下侧电容电极部及未切断的可以切断部损伤的情况。因而，保持电容元件23C虽然静电电容减少所切除的电极部的面积比的量，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使发光元件发光。通过所述结构，正常像素所具有的保持电容元件23C如图6A所记载的，在上侧电容电极部23 与下侧电容电极部236a之间、上侧电容电极部23 与下侧电容电极部236b 之间、上侧电容电极部235c与下侧电容电极部236b之间及上侧电容电极部235d与下侧电容电极部236b之间，可以分别保持预定的静电电容C3d、C3c、C3a及C3b。进而，在图6A及图6B，记载了发光像素11所具有的保持电容元件23C在上侧电容电极部235c与下侧电容电极部236b之间发生短路53的例子。由此，通过施加于上侧电极层235与下侧电极层236之间的电压而应该蓄积于保持电容元件23C的电荷，由于所述短路53而得不到保持。在该情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23C照射激光而切断可以切断部235sl及23k2，来维持上侧电容电极部23 与下侧电容电极部 236a之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部23 与下侧电容电极部236b之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部235d与下侧电容电极部236b之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。通过以上，修复后的保持电容元件23C的静电电容虽然其静电电容值从原本应该具有的静电电容(C3a+C3b+C3c+C3d)减少所切除的电极部的面积比的量而成为 (C3b+C3c+C3d)，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使显示元件层IlB发光。也就是说，与电容元件的单侧电极被分割为3个电极部的保持电容元件23B相比较，保持电容元件23C通过切离所分割的4个电极部之中的仅1个电极部，在修复后也可维持电路布线的特性。因而，可以减小修复后的保持电容元件23C所具有的静电电容相对于无需修复的保持电容元件23C所具有的静电电容的减少量。另外，在代替图6A及图6B所记载的短路53，上侧电容电极部235b与下侧电容电极部236b之间发生短路不良的情况及上侧电容电极部235d与下侧电容电极部236b之间发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23C照射激光而在各个情况下切断可以切断部235s4、235sl以及可以切断部235s2、235s3，来维持上侧电极层235与下侧电极层236之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，在代替图6A及图6B所记载的短路53，上侧电容电极部235a与下侧电容电极部236a之间发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件 23C照射激光而切断可以切断部236s，来维持上侧电极层235与下侧电极层236之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，即使代替与下侧电容电极部236b对向的上侧电容电极部具备上侧电容电极部235b、235c及235d的结构，而是下侧电容电极部236b具备3个下侧电容电极部的结构，也可起到与图6A及图6B所记载的保持电容元件23C同样的效果。此外，即使是具有与下侧电容电极部236b对向的上侧电容电极部具备上侧电容电极部235b、235c及235d的结构及下侧电容电极部236b具备3个上侧电容电极部的结构双方的结构，也可得到与图6A及图6B所记载的保持电容元件23C同样的效果。也就是说，本发明的实施方式的保持电容元件为，与下侧电容电极部236b对向的上侧电容电极部具备上侧电容电极部235b、235c、235d和/或下侧电容电极部236b具备3 个下侧电容电极部的结构。图7A是表示本发明的实施方式1的第3变形例的保持电容元件的电极结构的顶面透视图。此外，图7B是表示本发明的实施方式1的第3变形例的保持电容元件的电极结构的立体图。图7A及图7B所记载的保持电容元件23D与图5A及图5B所记载的保持电容元件23B相比较，可以切断部的结构不同。以下，与保持电容元件23B相同点省略说明，以不同点为中心进行说明。图7A及图7B所记载的保持电容元件23D，是图2所记载的保持电容元件23的一例，由上侧电极层237、下侧电极层238和形成于它们之间的绝缘层(未图示)构成。上侧电极层237在同一面内具有上侧电容电极部237a及237b和可以切断部 237s。上侧电容电极部237a与上侧电容电极部237b经由第一可以切断部、即可以切断部 237s相连接。此外，下侧电极层238在同一面内具有下侧电容电极部238a、238b及238c和可以切断部238sl及238s2。第一下侧电容电极部、即下侧电容电极部238a与第二下侧电容电极部、即下侧电容电极部238b经由第二可以切断部、即可以切断部238sl相连接。此外下侧电容电极部238b与第三下侧电容电极部、即下侧电容电极部238c经由第四可以切断部、即可以切断部238s2相连接。上侧电容电极部237b不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第一电路元件、即电路元件1与第二电路元件、即电路元件2相连接的电路布线而起作用。此外，下侧电容电极部238a不仅作为电容元件的单侧电极，而且还作为将第三电路元件、即电路元件 3与第四电路元件、即电路元件4相连接的电路布线而起作用。此外，上侧电极层237所具有的可以切断部237s形成于除了下侧电极层238所具有的下侧电容电极部238a、238b、238c及可以切断部238sl、234s2在层叠方向所投影的区域以外的区域。同样地，下侧电极层238所具有的可以切断部238sl及238s2形成于除了上侧电极层所具有的上侧电容电极部237a、237b及可以切断部237s在层叠方向所投影的区域以外的区域。尤其是，在上侧电容电极部237b，在与可以切断部238s2对向的区域形成有具有预定大小的开口部。由此，可以避免由于向可以切断部237s、238sl或238s2的激光照射而使构成电容元件的上侧电容电极部、下侧电容电极部及未切断的可以切断部损伤的情况。因而，保持电容元件23D虽然静电电容减少所切除的电极部的面积比的量，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使发光元件发光。通过所述结构，正常像素所具有的保持电容元件23D如图7A所记载的，在上侧电容电极部237a与下侧电容电极部237a之间、上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238b 之间及上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238c之间，可以分别保持预定的静电电容 C4a, C4b 及 C4c。进而，在图7A及图7B，记载了发光像素11所具有的保持电容元件23D在上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238c之间发生短路M的例子。由此，通过施加于上侧电极层237与下侧电极层238之间的电压而应该蓄积于保持电容元件23D的电荷，由于所述短路M而未被保持。在该情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23D照射激光而切断可以切断部238s2，来维持上侧电容电极部237a与下侧电容电极部238a之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238b之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。因而，可以将电容元件的两个电极作为电路布线的一部分而高效地利用，可以实现像素电路的进一步高密度化。通过以上，修复后的保持电容元件23D的静电电容虽然其静电电容值从原本应该具有的静电电容(C4a+C4b+C4c)减少所切除的电极部的面积比的量而成为(Wa+C4b)，但是可以保持与来自数据线的信号电压对应的电压，以正常的发光定时使显示元件层IlB发光。也就是说，与电容元件的单侧电极被分割为2个电极部的保持电容元件23A相比较，保持电容元件23D通过切离所分割的3个电极部之中的仅1个电极部，在修复后也可维持电路布线的特性。因而，可以减小修复后的保持电容元件23D所具有的静电电容相对于无需修复的保持电容元件23D所具有的静电电容的减少量。另外，在代替图7A及图7B所记载的短路M，上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238b发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23D照射激光而切断可以切断部^3sl，来维持上侧电容电极部237a与下侧电容电极部238a之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件 3与电路元件4相连接的电路布线功能。另外，在代替图7A及图7B所记载的短路54，上侧电容电极部237a与下侧电容电极部238a发生短路不良的情况下，对于这样的不良发光像素，通过对保持电容元件23D照射激光而切断可以切断部237s，来维持上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238b之间的静电电容保持功能、上侧电容电极部237b与下侧电容电极部238c之间的静电电容保持功能、将电路元件1与电路元件2相连接的电路布线功能及将电路元件3与电路元件4相连接的电路布线功能。此外，即使代替与上侧电容电极部237b对向的下侧电容电极部具备下侧电容电极部238b和238c的结构，而是与下侧电容电极部238a对向的上侧电容电极部具备2个上侧电容电极部的结构，也可起到与图7A及图7B所记载的保持电容元件23D同样的效果。此外，即使是具有与上侧电容电极部237b对向的下侧电容电极部具备下侧电容电极部238b和238c的结构及与下侧电容电极部238a对向的上侧电容电极部具备2个上侧电容电极部的结构双方的结构，也可得到与图7A及图7B所记载的保持电容元件23D同样的效果。也就是说，本实施方式的保持电容元件为，与上侧电容电极部237b对向的下侧电容电极部具备下侧电容电极部238b、234c和/或与下侧电容电极部238a对向的上侧电容电极部具备2个上侧电容电极部的结构。另外，在实施方式1中，上侧电极层231、233、235、237及下侧电极层232、234、236、 238所具有的各电容电极部不需要为同一形状，此外也不需要为相同面积。依显示像素的布局方面的制约而形状是任意的。为了达到由发光像素数量的增加引起的像素电路的高密度化以应对近年来所要求的显示面板的高精细化，尤其需要对面积比例高的保持电容元件的布局进行设计。对此， 如本实施方式所示，使保持电容元件共有作为原本功能的电容保持功能和对各电路元件进行连接的电路布线功能成为有效的方法。但是，由于为了确保像素功能而必须维持作为电路布线的导通特性，所以在以往的结构中，在电容元件的修复时，即使共用电路布线的电极存在短路缺陷等，也无法将该不良电极从电路切断。也就是说，对可以进行电容元件的不良部分的切离的部分存在限制。在本发明中，即使是电路布线共用一部分电容元件的结构，也因为采取对在修复时可以进行电容元件的不良部分的切离的部分没有限制的结构，所以在修复后也可始终维持电路布线的特性。(实施方式2)在本实施方式中，关于本发明的显示装置的制造方法进行说明。本发明的显示装置的制造方法包括驱动电路层的形成工序、显示元件层的形成工序、像素电路的检查工序及保持电容元件的修复工序。在此，以与以往的显示装置的制造方法不同的工序、即驱动电路层所具有的保持电容元件23A的形成工序及像素电路的检查工序及修复工序为中心进行说明。图8是表示本发明的实施方式2的显示装置的制造方法的流程图。首先，形成适宜配置有保持电容元件23A及作为其周边元件的开关晶体管21、驱动晶体管22及电路布线等的驱动电路层IlA(SOl)。具体地，作为图2所记载的驱动电路层IlA的一层，使用金属掩模制膜、剥离及蚀刻等方法，将例如包含Mo与W的合金的下侧电极层232形成为图3B所记载的形状。此时， 下侧电极层232形成为，将作为电路元件3的开关晶体管21 (的源电极)与作为电路元件 4的驱动晶体管22 (的栅电极)相连接。接下来，在下侧电极层232上，形成例如包含SiOx 或SiN等的绝缘层以便覆盖下侧电极层232。此时，优选，根据需要，将绝缘层的表面平坦化。接下来，在绝缘层上，使用金属掩模制膜、剥离及蚀刻等方法，将例如包含Mo与W的合金/Al/Mo与W的合金的层叠结构的上侧电极层231形成为图3B所记载的形状。此时，上侧电极层231形成为，将作为电路元件1的电源线16与作为电路元件2的驱动晶体管22(的漏电极)相连接。上述步骤SOl相当于驱动电路形成步骤。接下来，在驱动电路层IlA上，在经过了驱动电路层IlA的平坦化工序之后，形成具有有机EL元件24的显示元件层11B(S02)。具体地，显示元件层IlB例如具有阳极、空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、提栏层、电子注入层及透明阴极。上述步骤S02相当于显示元件形成步骤。接下来，关于全部发光像素11，检查保持电容元件23A的电特性，并确定具有处于短路状态的保持电容元件23A的发光像素11 (S03)。具体地，例如，对信号线12连接阵列测试器(Agilent公司HS100)，经由信号线 12依次向各发光像素11输出测试电压而对保持电容元件23A写入该电压。其后，阵列测试器以预定的定时经由信号线12读入写入到了保持电容元件23A的电压。由此，确定所读入的电压小于预定的电压的发光像素11。由此，完成具有异常的保持电容元件23A的发光像素的像素限定过程。接下来，观察所确定的发光像素11的保持电容元件23A，确定异常位置的区域 (S04)。具体地，例如，对形成有保持电容元件23A的区域的表面凹凸形状进行显微镜观察。不均分布有导电性微粒的区域大多情况为凸形状。由此，完成异常的保持电容元件23A 的区域限定过程，确定异常的电容电极部。另外，该区域限定过程既可以由检查人员执行， 此外也可以由具有图像识别功能的自动测定执行。上述步骤S03及S04相当于检查步骤。接下来，对连接着包含所确定的异常位置的电容电极部的预定的可以切断部的一部分照射激光，使该电容电极部与其他电容电极部电绝缘(S05)。另外，包含所确定的异常位置的电容电极部，被从显示像素切离，以使电路布线不被切断。具体地，在图3A及图3B 所记载的保持电容元件23A中，当在第一上侧电容电极部、即上侧电容电极部231b与第二下侧电容电极部、即下侧电容电极部232b之间发生短路不良的情况下，切断第二可以切断部、即可以切断部232s ；当在第一下侧电容电极部、即下侧电容电极部232a与第二上侧电容电极部、即上侧电容电极部231a之间发生短路不良的情况下，切断第一可以切断部、即可以切断部231s。在此，通过对预定的可以切断部的一部分照射激光而可以切断的形状，与所使用的激光器的规格有密切关系，在使用例如以YAG(Yttrium Aluminum Garnet，钇铝石榴石) 激光器为光源的激光振荡器、使用了例如以波长532nm、脉冲宽度10ns、功率0. 5mff为输出参数的激光器的情况下，只要可以切断部的宽度为4μπκ膜厚为150nm，便不会使其他正常的电极块损伤地切断可以切断部。此时，作为可以切断部的材料，例如可举出所述的Mo与 W的合金/铝(Al)/Mo与W的合金的层叠结构。上述步骤S05相当于切断步骤。最后，进行实施了所述激光照射的发光像素11的工作确认(S06)。通过以上的制造方法，在作为像素电路的高密度化的实现对策而使电路布线与电容元件共用的情况下，可以在对可以进行电容元件的不良部分的切离的部分没有限制的状态下进行修复。因而，即使对短路不良位置进行修复切断也可以维持作为电路布线的导通功能，并且确保电容保持功能。因而，即使像素电路高密度化，也可以使具有短路不良的保持电容元件的不良发光像素以正常发光定时发光，可以使发光面板的显示质量提高。另外，检查步骤S03及S04以及切断步骤S05也可以在显示元件形成步骤S02之前实施。也就是说，既可以在形成了上侧电极层231的阶段或进行了驱动电路层IlA的平坦化处理的阶段实施，此外也可以在进行了显示元件层IlB及其后的封装工序的阶段实施。(实施方式3)在本实施方式中，关于配置有实施方式1的保持电容元件和构成驱动电路层IlA 的其他电路元件的发光像素的布局结构及其效果进行说明。图9A是以往的显示装置所具有的发光像素的第1布局图。该图所记载的布局，是一发光像素的布局，信号线12、扫描线13、开关晶体管21、驱动晶体管22、具有静电电容Cl 的保持电容元件和电路布线被描绘出。此外，开关晶体管21和驱动晶体管22为底栅型， 形成有栅电极的层为下侧电极层，形成有源电极及漏电极的层为上侧电极层。虽然发光像素中面积比例高、具有静电电容Cl的保持电容元件共用连接开关晶体管21与驱动晶体管 22的电路布线300，但是具有静电电容Cl的保持电容元件的各电极层由1个电容电极部构成。在该布局中，当在具有静电电容Cl的保持电容元件发生了短路不良的情况下，作为可以切断位置可举出可以切断部301sl、301s2及302s2。但是，不论是哪种情况，具有静电电容Cl的保持电容元件的电容保持功能都消失，无法使不良发光像素恢复为以正常发光定时发光。图9B是以往的显示装置所具有的发光像素的第2布局图。该图所记载的布局与图9A所记载的布局相比较，保持电容元件23的上侧电极层被分割这一点不同。在该布局中，当在具有静电电容Cl的电容电极部发生了短路不良的情况下，作为可以切断位置可举出可以切断部304s。此外，当在具有静电电容C2的电容电极部发生了短路不良的情况下， 作为可以切断位置可举出可以切断部305s。在任一情况下，虽然保持电容元件的静电电容都减半，但是可以维持电容保持功能，恢复为使不良发光像素以正常发光定时发光。但是， 因为保持电容元件的下侧电极层未被分割，所以作为保持电容元件需要连续的区域，发光像素的布局的自由度受到限制。相对于此，如果将本发明的保持电容元件的结构应用于发光像素的布局结构，则因为可维持修复后的发光像素的电容保持功能，恢复为使不良发光像素以正常发光定时发光，并且确保发光像素的布局的自由度，所以可以应对像素电路的高密度化。以下，对根据本发明，与图9B所记载的以往的布局相比较，可确保发光像素的布局的自由度的情况进行说明。图9C是本发明的显示装置所具有的发光像素的第1布局图。该图所记载的布局， 是一发光像素的布局，信号线12、扫描线13、开关晶体管21、驱动晶体管22、保持电容元件23A和电路布线被描绘出。此外，开关晶体管21和驱动晶体管22为底栅型，形成有栅电极的层为下侧电极层232，形成有源电极及漏电极的层成为上侧电极层231。保持电容元件 23A的上侧电极层231具备上侧电容电极部231a及231b和连接它们的可以切断部231s。 此外，上侧电容电极部231b共用连接驱动晶体管22(的漏电极)与电源线(未图示)的电路布线31。另一方面，保持电容元件23A的下侧电极层232具备下侧电容电极部23 及 232b和连接它们的可以切断部23k。下侧电容电极部23 共用连接开关晶体管21 (的源电极)与驱动晶体管22 (的栅电极)的电路布线32。在该布局中，当在上侧电容电极部 231a与下侧电容电极部23 之间发生了短路不良的情况下，作为可以切断部位可举出可以切断部231s。此外，当在上侧电容电极部231b与下侧电容电极部232b之间发生了短路不良的情况下，作为可以切断部位可举出可以切断部23 。在任一情况下，虽然保持电容元件的静电电容减半，但是可维持电容保持功能，可以恢复为使不良发光像素以正常发光定时发光。进而，因为保持电容元件的上侧电极层231及下侧电极层232双方分别保持电路布线功能并被2分割，所以作为保持电容元件不需要连续的区域。因此，可以确保发光像素的布局的自由度，可以相应于布局而分离配置构成保持电容元件的各电容电极部，如图9C 所记载的，可以缩小像素电路的所需面积。因而，可以应对像素电路的高密度化。图IOA是以往的显示装置所具有的发光像素的第3布局图。该图所记载的布局， 是一发光像素的布局，是显示装置高密度化且发光像素为细长形状的情况下的布局。虽然具有静电电容Cl保持电容元件的上侧电极层共用连接驱动晶体管22与电源线16的电路布线306，但是具有静电电容Cl的保持电容元件的各电极层由1个电容电极部构成。在该结构中，当在共用电路布线306的部分发生了短路不良的情况下，无法进行修复。进而，随着发光像素的形状变小且变得细长，共用电路布线306的比例变高，不能修复的概率变高。相对于此，如果将本发明的保持电容元件的结构应用于细长形状的发光像素的布局构成，则因为可维持修复后的发光像素的电容保持功能，恢复为使不良发光像素以正常发光定时发光，并且确保发光像素的布局的自由度，所以可以应对像素电路的高密度化。图IOB是本发明的显示装置所具有的发光像素的第2布局图。该图所记载的布局， 是一发光像素的布局，是显示装置高密度化且发光像素为细长形状的情况下的布局。开关晶体管21和驱动晶体管22为底栅型，形成有栅电极的层为下侧电极层232，形成有源电极及漏电极的层成为上侧电极层231。保持电容元件23A的上侧电极层231具备上侧电容电极部231a及231b和连接它们的可以切断部231s。此外，上侧电容电极部231b共用连接驱动晶体管22(的漏电极)与电源线(未图示)的电路布线33。另一方面，保持电容元件 23A的下侧电极层232具备下侧电容电极部23 及232b和连接它们的可以切断部23k。 下侧电容电极部23 共用连接开关晶体管21 (的源电极)与驱动晶体管22 (的栅电极) 的电路布线34。在该布局中，当在上侧电极层与下侧电极层之间发生了短路不良的情况下， 与图9C所记载的保持电容元件同样地选择可以切断部。由此，在显示装置高密度化且发光像素为细长形状的情况下，也可维持电容保持功能，恢复为使不良发光像素以正常发光定时发光。根据本发明，在像素电路的高密度化下，可以应对所有的发光像素形状。图1IA是本发明的显示装置所具有的发光像素的第3布局图。该图所记载的布局， 是一发光像素的布局，信号线12、扫描线13、开关晶体管21、驱动晶体管22、保持电容元件 23A和电路布线被描绘出。此外，开关晶体管21和驱动晶体管22为底栅型，形成有栅电极的层为下侧电极层232，形成有源电极及漏电极的层成为上侧电极层231。图IlA所记载的布局图与图IOB所记载的布局图相比较，在下侧电极层232中、在所分割的下侧电容电极部 232a与232b之间介有驱动晶体管22的构成电极这一点不同。保持电容元件23A的上侧电极层231具备上侧电容电极部231a及231b和连接它们的可以切断部231s。此外，上侧电容电极部231b共用连接驱动晶体管22(的漏电极)与电源线(未图示)的电路布线35。另一方面，保持电容元件23A的下侧电极层232具备下侧电容电极部232a及232b和连接它们的可以切断部232s。下侧电容电极部232a共用连接开关晶体管21 (的源电极)与驱动晶体管22 (的栅电极)的电路布线36。进而，在可以切断部232s与下侧电容电极部232a之间，介有作为驱动晶体管的构成电极的栅金属层。在该布局中，当在上侧电极层与下侧电极层之间发生了短路不良的情况下，与图9C所记载的保持电容元件同样地选择可以切断部。根据图1IA所记载的布局，不仅保持电容元件的上侧电极层231及下侧电极层232 双方分别保持电路布线功能并被2分割，而且在2分割而成的电容电极部的连接路径上进一步介有电路元件的构成电极。因此，与图9C及图IOB所记载的发光像素的布局相比较， 因为可进一步确保布局的自由度，所以可以缩小像素电路的所需面积。因而，可以应对像素电路的高密度化。图1IB是本发明的显示装置所具有的发光像素的第4布局图。该图所记载的布局， 是一发光像素的布局，信号线12、扫描线13、开关晶体管21、驱动晶体管22、保持电容元件 23A和电路布线被描绘出。此外，开关晶体管21和驱动晶体管22为底栅型，形成有栅电极的层为下侧电极层232，形成有源电极及漏电极的层成为上侧电极层231。图IlA所记载的布局图与图IOB所记载的布局图相比较，在上侧电极层231中、在所分割的上侧电容电极部 231a与231b之间介有驱动晶体管22的构成电极这一点不同。保持电容元件23A的上侧电极层231具备上侧电容电极部231a及231b和连接它们的可以切断部231s。此外，上侧电容电极部231b共用连接驱动晶体管22(的漏电极) 与电源线(未图示)的电路布线37。进而，在可以切断部231s与上侧电容电极部231b之间，介有作为驱动晶体管的构成电极的漏金属层。另一方面，保持电容元件23A的下侧电极层232具备下侧电容电极部232a及232b和连接它们的可以切断部232s。下侧电容电极部232a共用连接开关晶体管21 (的源电极)与驱动晶体管22 (的栅电极)的电路布线38。 在该布局中，当在上侧电极层与下侧电极层之间发生了短路不良的情况下，与图9C所记载的保持电容元件同样地选择可以切断部。根据图1IB所记载的布局，不仅保持电容元件的上侧电极层231及下侧电极层232 双方分别保持电路布线功能并被2分割，而且在2分割而成的电容电极部的连接路径上进一步介有电路元件的构成电极。因此，与图9C及图IOB所记载的发光像素的布局相比较， 因为可进一步确保布局的自由度，所以可以缩小像素电路的所需面积。因而，可以应对像素电路的高密度化。图IlC是本发明的显示装置所具有的发光像素的第5布局图。该图所记载的布局， 是一发光像素的布局，信号线12、扫描线13、开关晶体管21、驱动晶体管22、保持电容元件 23A和电路布线被描绘出。此外，开关晶体管21和驱动晶体管22为底栅型，形成有栅电极的层为下侧电极层232，形成有源电极及漏电极的层成为上侧电极层231。图IlC所记载的布局图与图IOB所记载的布局图相比较，在上侧电极层231中、在所分割的上侧电容电极部 231a与231b之间介有驱动晶体管22的构成电极，进而在下侧电极层232中、在所分割的下侧电容电极部23 与232b之间介有驱动晶体管22的构成电极这一点不同。保持电容元件23A的上侧电极层231具备上侧电容电极部231a及231b和连接它们的可以切断部231s。此外，上侧电容电极部231b共用连接驱动晶体管22(的漏电极) 与电源线(未图示)的电路布线37。进而，在可以切断部231s与上侧电容电极部231b之间，介有作为驱动晶体管的构成电极的漏金属层。另一方面，保持电容元件23A的下侧电极层232具备下侧电容电极部23 及232b和连接它们的可以切断部23k。下侧电容电极部23 共用连接开关晶体管21 (的源电极)与驱动晶体管22 (的栅电极)的电路布线38。 进而，在可以切断部23 与下侧电容电极部23 之间，介有作为驱动晶体管的构成电极的栅金属层。在该布局中，当在上侧电极层与下侧电极层之间发生了短路不良的情况下，与图 9C所记载的保持电容元件同样地选择可以切断部。根据图1IC所记载的布局，不仅保持电容元件的上侧电极层231及下侧电极层232 双方分别保持电路布线功能并被2分割，而且在2分割而成的电容电极部的连接路径上进一步介有电路元件的构成电极。因此，与图9C及图IOB所记载的发光像素的布局相比较， 因为可进一步确保布局的自由度，所以可以缩小像素电路的所需面积。因而，可以应对像素电路的高密度化。以上，虽然关于本发明的显示装置及其制造方法，基于实施方式进行了说明，但是本发明的显示装置及其制造方法并非限定于所述实施方式。使实施方式1 3中的任意构成要件相组合而实现的其他实施方式和/或对于实施方式1 3实施本领域技术人员在不脱离本发明的主旨的范围想到的各种变形而得到的变形例和/或内置有本发明的显示装置的各种设备也包含于本发明。例如，虽然在实施方式2中，对具有图3A及图:3B所记载的保持电容元件23A的显示装置的制造方法进行了说明，但是实施方式2的显示装置的制造方法，关于在实施方式1 的第1 第3变形例中示出的保持电容元件23B、23C及23D也可应用。此外，虽然在实施方式3中，对具有图3A及图:3B所记载的保持电容元件23A的发光像素的布局进行了说明，但是实施方式3的发光像素的布局，对于在实施方式1的第1 第3变形例中示出的保持电容元件23B、23C及23D也可应用。此外，虽然在实施方式1中，示出了将构成保持电容元件23的上侧电极层和/或下侧电极层最多分割为4个电容电极部的例子，但是电容电极部的分割数，根据发光像素 11的不良率和/或所需的静电电容，只要是2以上的任意分割数即可。此外，虽然在实施方式1 3中，作为保持电容元件的不良主要原因，举出了由不均分布于电极间的微粒等引起的电极间短路，但是本实施方式中的所谓短路并不限定于完全短路。例如，如微粒彼此的点接触那样具有微小的电阻值及电容值的情况也包含于短路中。此外，例如，本发明的图像显示装置可内置于图12所记载的薄型平板TV内。由此， 可修正未以正常发光定时发光的发光像素，实现显示面板的质量提高了的高精细的薄型平板TV。本发明的显示装置及其制造方法在期望大画面及高分辨率的薄型电视机、个人计算机的显示器等技术领域有用。
权利要求
1.一种显示装置，其二维状地排列有多个显示像素，所述多个显示像素层叠有显示元件层和对所述显示元件层进行驱动的驱动电路层，所述驱动电路层具备平行平板型的电容元件，所述平行平板型的电容元件具有配置成在层叠方向对向的上侧电极层及下侧电极层；所述上侧电极层具备将第一电路元件与第二电路元件相连接的第一上侧电容电极部；以及经由第一可以切断部与所述第一上侧电容电极部相连接的第二上侧电容电极部；所述下侧电极层具备将第三电路元件与第四电路元件相连接的第一下侧电容电极部；以及经由第二可以切断部与所述第一下侧电容电极部相连接的第二下侧电容电极部； 所述电容元件在所述第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间及所述第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。
2.按照权利要求1所述的显示装置，进一步地，所述上侧电极层具备经由第三可以切断部与所述第一上侧电容电极部相连接的第三上侧电容电极部；和/或所述下侧电极层具备经由第四可以切断部与所述第一下侧电容电极部相连接的第三下侧电容电极部；所述电容元件在所述第三上侧电容电极部与所述第一下侧电容电极部之间和/或所述第三下侧电容电极部与所述第一上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。
3.按照权利要求2所述的显示装置，进一步地，所述上侧电极层具备分别经由第五可以切断部及第六可以切断部与所述第二上侧电容电极部及所述第三上侧电容电极部相连接的第四上侧电容电极部，和/或所述下侧电极层具备分别经由第七可以切断部及第八可以切断部与所述第二下侧电容电极部及所述第三下侧电容电极部相连接的第四下侧电容电极部；所述电容元件在所述第四上侧电容电极部与所述第一下侧电容电极部之间和/或所述第四下侧电容电极部与所述第一上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。
4.按照权利要求1所述的显示装置，进一步地，所述上侧电极层具备经由第三可以切断部与所述第二上侧电容电极部相连接的第三上侧电容电极部，和/或所述下侧电极层具备经由第四可以切断部与所述第二下侧电容电极部相连接的第三下侧电容电极部；所述电容元件在所述第三上侧电容电极部与所述第一下侧电容电极部之间和/或所述第三下侧电容电极部与所述第一上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容。
5.按照权利要求1 4中的任意一项所述的显示装置， 所述可以切断部具有通过激光照射能够切断的形状。
6.按照权利要求5所述的显示装置，所述上侧电极层所具有的可以切断部，形成于除了所述下侧电极层所具有的电极部及可以切断部在层叠方向所投影的区域之外的区域；所述下侧电极层所具有的可以切断部，形成于除了所述上侧电极层所具有的电极部及可以切断部在层叠方向所投影的区域之外的区域。
7.按照权利要求1所述的显示装置，所述多个显示像素具备所述第一电路元件、所述第二电路元件、所述第三电路元件及所述第四电路元件；所述第一电路元件、所述第二电路元件、所述第三电路元件及所述第四电路元件分别是驱动元件、开关元件、电容元件、发光元件、扫描线、控制线及电源线中的任意一种。
8.按照权利要求1所述的显示装置，所述电容元件是保持电容元件，其将与按每一所述显示像素提供的信号电压相应的电压作为保持电压而进行保持；所述驱动电路层具备驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅与所述电容元件的一个端子相连接，所述驱动晶体管通过所述保持电压施加于栅而将所述保持电压变换为作为源漏间电流的信号电流；所述显示元件层具备通过所述信号电流的流动而发光的发光元件。
9.按照权利要求8所述的显示装置，所述发光元件是有机EL元件。
10.一种显示装置的制造方法，所述显示装置二维状地排列有多个显示像素，所述多个显示像素层叠有显示元件层和对所述显示元件层进行驱动的驱动电路层，所述制造方法包括驱动电路形成步骤，形成具备平行平板型的电容元件的驱动电路层，所述平行平板型的电容元件使上侧电极层和下侧电极层配置成在层叠方向对向，所述上侧电极层具有将第一电路元件与第二电路元件相连接的第一上侧电容电极部和经由第一可以切断部与所述第一上侧电容电极部相连接的第二上侧电容电极部；所述下侧电极层具有将第三电路元件与第四电路元件相连接的第一下侧电容电极部和经由第二可以切断部与所述第一下侧电容电极部相连接的第二下侧电容电极部，在所述第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间及所述第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间，分别能够保持预定的静电电容；显示元件形成步骤，形成所述显示元件层；检查步骤，对由所述驱动电路形成步骤形成的所述电容元件进行检查；以及切断步骤，对于在所述检查步骤判断为对向的电极部发生了短路的所述电容元件，将短路的电极部从显示像素切离，以使所述第一电路元件与所述第二电路元件的连接及所述第三电路元件与所述第四电路元件的连接不被切断。
11.按照权利要求10所述的显示装置的制造方法，在所述切断步骤，当在所述第一上侧电容电极部与所述第二下侧电容电极部之间发生了短路不良的情况下，切断所述第二可以切断部；当在所述第一下侧电容电极部与所述第二上侧电容电极部之间发生了短路不良的情况下，切断所述第一可以切断部。
12.按照权利要求10所述的显示装置的制造方法，在所述切断步骤，通过对所述可以切断部进行激光照射，将短路的电极部从显示像素切离，以使所述第一电路元件与所述第二电路元件的连接及所述第三电路元件与所述第四电路元件的连接不被切断。
全文摘要
提供一种即使像素电路高密度化也可以使不良发光像素以正常发光定时发光的显示装置及其制造方法。显示装置层叠有显示元件层和驱动电路层，驱动电路层具备保持电容元件(23A)，该保持电容元件(23A)具有在层叠方向相对的上侧电极层(231)及下侧电极层(232)，上侧电极层(231)具备将2个电路元件相连接的上侧电容电极部(231b)和经由可以切断部(231s)与该电极部相连接的上侧电容电极部(232a)，下侧电极层(232)具备将2个电路元件相连接的下侧电容电极部(232a)和经由可以切断部(232s)与该电极部相连接的下侧电容电极部(232b)，保持电容元件(23A)在上侧电容电极部(231b)与下侧电容电极部(232b)之间及下侧电容电极部(232a)与上侧电容电极部(231a)之间分别保持静电电容。
文档编号G09F9/30GK102326193SQ20108000360
公开日2012年1月18日 申请日期2010年5月13日 优先权日2010年5月13日
发明者田鹿健一, 白水博 申请人:松下电器产业株式会社
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