显示装置的制作方法
专利名称：显示装置的制作方法
显示装置发明背景 1、发明领域本发明涉及有源矩阵型显示装置，其具有针对按矩阵形状布置的每一个像素设置的电流驱动发光元件，用于通过利用通过在栅极处接收数据电压而工作的驱动TFT控制发光元件的电流来执行显示。2、相关技术描述
图1示出了针对基本有源有机EL显示装置的一个像素部分的电路(像素电路)的结构。通过将在水平方向上延伸的选通线(Gate)设置为高电平以使选择TFT 1导通，并且在这种状态下将具有与显示亮度相对应的电压的图像数据信号(也称为数据电压)供应至在垂直方向上延伸的数据线(Data)，来将图像数据信号存储在跨越(across)驱动TFT 2的栅极和源极而布置的存储电容器C中。通过这种方式，其源极连接至PVdd的驱动TFT(在该示例中是P型TFT) 2将与数据信号相对应的驱动电流供应至连接至该TFT的漏极的有机 EL元件3。结果，有机EL元件3根据数据信号发光。图2示出了显示面板的结构的一个示例和输入信号。在图2中，图像数据信号、水平同步信号(HD)、像素时钟和其它驱动信号供应至源驱动器。像素数据信号与像素时钟同步地发送至源驱动器，一旦获取了针对像素的单个水平行的图像数据信号就保持在内部锁存电路中，并且同时经受D/A转换以供应至对应列的数据线(Data)。而且，水平同步信号 (HD)、其它驱动信号和垂直同步信号(VD)供应至选通驱动器5。选通驱动器5执行控制以顺序打开沿各行水平布置的选通线(fete)，使得图像数据信号供应至对应行的像素。图1 的像素电路设置在按矩阵形状布置的像素6的每个中。由于这种结构类型，图像数据信号(数据电压)顺序写入水平行单元中的各个像素，并且根据写入的图像数据信号在各个像素处实现显示，以作为面板执行图像显示。此处，有机EL元件3的发光量和电流量基本上成比例关系。通常，跨越驱动TFT2 的栅极和PVdd提供电压(Vth)，使得接近针对像素的黑电平的漏极电流开始流动。而且，图像信号的幅度是给出接近于白电平的规定亮度的幅度。图3示出了在有机EL元件中流动的电流“CV电流”(对应于亮度)相对于驱动TFT 的输入信号电压(数据线Data的电压)的关系。通过确定数据信号使得作为黑电平电压供应Vb并且作为白电平电压供应Vw，可以对有机EL元件执行适当的逐级控制。现有技术参考专利公开专利文献1 日本待审专利第2006-251455号对于有源矩阵型有机EL显示装置，存在的问题在于由于驱动TFT的滞后特性，在显示面板的部分上出现残像。特别地，当白色窗口或类似物保持在灰色背景上并且变为完全灰色的图像时，这个问题特别明显。在这种情况下，之前显示白色窗口的部分比其它部分略暗，并且它们要花几秒至几十秒才能变为与其它部分相同的亮度。这可以被认为是由于
3这样的现象即使以相同的数据电压驱动特定像素的驱动TFT，由于在前几秒流动的电流， 在驱动电流中也存在差异，使得在驱动TFT中流动的载流子(正空穴)被困在栅绝缘层中， 并且驱动TFT的Vth变化。因此需要在不增加像素电路中的晶体管的数目的情况下减轻由驱动TFT的滞后特性所引起的残像现象。还已知通过跨越驱动TFT的栅极和源极施加反向偏压，即向栅极施加比连接至源极的PVdd更高的电压，栅极的栅绝缘层中的载流子(正空穴)被移除。而且，该效果随着反向偏压的增大和施加时间长度的增长而增加。发明概述本发明提供了一种有源矩阵型显示装置，其具有针对按矩阵形状布置的像素中的每个设置的电流驱动发光元件，用于通过利用TFT控制发光元件的电流来执行显示，所述 TFT通过在栅极处接收数据电压而工作，其中，提供要供应至各像素的至少两个电源电压， 一个电源电压设置为与数据电压相对应的电流在所述驱动TFT中流动所需的电压，另一个电源电压设置为向所述驱动TFT施加反向偏压的电压，所述另一个电源电压是超过所述数据电压的变化范围的电压，其中两个电源电压被切换以供应至各像素。本发明也提供了一种有源矩阵型显示装置，其具有针对按矩阵形状布置的像素中的每个设置的电流驱动发光元件，用于通过利用P沟道TFT控制所述发光元件的电流来执行显示，所述P沟道TFT通过在栅极处接收数据电压而工作，所述有源矩阵型显示装置具有水平电源线，所述水平电源线布置在水平方向上，用于连接至对应水平行的驱动TFT的源极，这些水平电源线被分为由一条或多条水平电源线构成的组；以及开关，所述开关用于将这些水平电源线的组交替地连接至至少两个电源电压，其中，一个电源电压是用于将与数据电压相对应的电流供应至驱动TFT的源极的电压，而另一个电源电压是低于数据电压的最小值的电压。本发明也提供了一种有源矩阵型显示装置，其具有针对按矩阵形状布置的像素中的每个设置的电流驱动发光元件，用于通过利用N沟道TFT控制所述发光元件的电流来执行显示，所述N沟道TFT通过在栅极处接收数据电压而工作，所述有源矩阵型显示装置具有水平电源线，所述水平电源线布置在水平方向上，用于连接至对应水平行的驱动TFT的源极，这些水平电源线被分为由一条或多条水平电源线构成的组；以及开关，所述开关用于将水平电源线的组交替地连接至至少两个电源电压，其中，一个电源电压是用于将与数据电压相对应的电流供应至驱动TFT的源极的电压，而另一个电源电压是高于数据电压的最大值的电压。而且，优选地，各像素包括存储电容器，所述存储电容器跨接在所述驱动TFT的栅极和源极之间；选择TFT，所述选择TFT用于向所述存储电容器供应数据电压，并且具有选通线，所述选通线布置在水平方向上，用于使水平方向上的各像素的选择TFT导通或者截止。而且，优选地，电源中的一个是使得驱动TFT在非饱和区工作的电源电压，并且通过在选择该电源电压时使选择TFT导通而写入图像数据。而且，优选地，在选择另一个电源电压时使选择TFT导通的时间是在将数据电压写入各像素的时间之前的固定时段。
通过这种方式，根据本发明，提供了向驱动TFT施加反向偏压的时段。因此，可以减轻由于驱动TFT的滞后特性所导致的残像现象。附图简要描述图1是示出像素电路的结构的图。图2是示出显示面板的结构的一个示例和输入信号的图。图3是示出在有机EL元件中流动的CV电流相对于驱动TFT的输入信号电压之间的关系的图。图4是示出在每一条水平PVDD线的一侧设置开关的情况下的电源线(水平和垂直PVDD)的布局的一个示例的图。图5是示出在两侧设置开关的情况下的电源线的布局的示例的图。图6是示出在每一条水平PVDD线的一侧设置开关SW的情况下的面板的结构示例的图。图7是示出用于改变水平PVDD线和选通线的电压的时序的图。图8是示出在时段t3_t4中的屏幕的照亮状态的图。图9A是示出用于改变选通线和水平PVDD线的电压的时序的图。图9B是示出用于改变选通线和水平PVDD线的电压的时序的图。图10是示出在照亮整个面板的情况下的电压降低的表现的图。图11是示出在具有如图10所示布置的电源线的面板中当白色窗口显示在灰色背景上时的外观的图。图12是示出在每一条水平PVDD线的两侧设置开关SW的情况下的4行3列像素布置的图。图13是示出用于在图12的情况下改变水平PVDD线和各条选通线的电压的时序的图。图14是示出通过仅在期望的时段中使选通线fete的电压为低电平来使选择TFT 导通的示例的图。图15A是示出在(PVdd-CV)是12V的情况下的像素电路的工作点的图。图15B是示出如何在图15A的情况下施加电源和数据电压的示例的图。图16是示出当在CV中使用负电压(-7V)时如何施加电源和数据电压的示例的图。图17A是示出当(PVdd-CV)是5V时工作点的图。图17B是示出如何在图17A的情况下施加电源和数据电压的示例的图。图18是示出在针对每四条水平PVDD线设置开关SW的情况下的面板的结构示例的图。图19是示出用于在图18的情况下改变水平PVDD线和各条选通线的电压的时序的图。图20是示出在图19的时段tl-t2中连接至PVDDm_4至PVDDm+7的开关的状态的图。图21是示出用于针对m-4行至m+7行改变水平PVDD线和选通线的电压的时序的图。
图22是示出在图19的时段t3_t6中屏幕的照亮状态的图。图23是示出将水平PVDD线分组的结构示例的图。图M是示出针对图23的结构示例的驱动时序的图。图25是示出使用N沟道型作为驱动TFT的像素电路的结构示例的图。图沈是示出在采用图25的像素电路的情况下的显示面板的结构的一个示例和输入信号的图。图27是示出用于针对图沈的面板的m行至m+3行改变Vss电压和选通线电压的时序的图。优选实施方式描述下面将根据附图描述本发明的实施方式。图4示出在每一条水平PVDD线的一侧设置开关的情况下的电源线(水平和垂直 PVDD线)的布局的一个示例。在有机EL面板10中，像素按矩阵形状布置，如图2所示。针对每行像素布置一条水平PVDD线12。连接至电源PVDDa的垂直PVDD线1 和连接至电源 PVDDb的垂直PVDD线14b布置在有机EL面板10的一侧，并且各条水平PVDD线12可切换地连接至两条垂直PVDD线1 和14b中的任一条。图5示出了在两侧设置开关的情况下的电源线的布局的示例。垂直PVDD线14a 和14b分别设置在有机EL面板10的两侧，并且各条水平PVDD线12在两端通过开关SW可切换地连接至垂直PVDD线1 或14b中的任一条。设置在单条水平PVDD线12两侧的开关是受控的，以连接至同一垂直PVDD线1 或14b。此处，PVDDa是在像素发光时所连接的电源，并且PVDDb是在施加反向偏压时所连接的电源。相对大的电流在垂直PVDD线1 中流动，所以通过使线路宽度更粗等可以减轻由于电阻分量所导致的电压降低。另一方面，几乎没有电流在垂直PVDD线14b中流动，所以可以使线路宽度较窄。通过如图5所示在两侧设置开关，在垂直PVDD线1 和电源之间建立了连接，并且可以减小由于从PVDDa端子到像素的布线电阻所导致的电压降低。图6对应于图4，并且是在每一条水平PVDD线12的一侧设置开关的情况下的面板的结构示例，其示出了 4行3列的像素6 (m-1至m+2行以及η至η+2列)。这样，设置PVDD 线选择电路18，并且通过该PVDD线选择电路18来控制开关SW的切换。用于从水平PVDD 线选择电路18控制开关SW的线是线Ctlm-I至Ctlm+2。图7示出用于改变水平PVDD线12和选通线(kite的电压的时序。在发光和写入数据时，开关SW被打至a侧，使得将电源从垂直PVDD线Ha(PVDDa)供应至这些行的水平 PVDD线12。另一方面，以m行作为示例，在时段tl至t3中，类似地控制开关SW以从垂直 PVDD线Hb(PVDDb)供电。此时，选通线被设置为高电平以使选择TFT导通。这样，将用于写入特定水平像素的数据电压施加至驱动TFT，但是通过将PVDDb设置为最小写入电压，即， 低于源驱动器4的最小输出电压，反向偏压总是施加至驱动TFT，并且像素被关闭。当在从 t3至t3的时段中Gatem处于高电平并且PVDDm的电压是PVDDa时，执行数据电压的写入， 并且在t4之后的下一帧中继续发光直至Gatem再次变为高电平。图8示出在时段t3至t4中的屏幕的照亮状态。从t3至t4的时段越长，TFT特性返回至正常的效果越大，但由于像素被关闭的时段接着变长，平均亮度变低并且更容易注意到像素闪烁。因此，有必要根据TFT特性以及显示装置的使用和规格等来对施加反向
6偏压的时间进行优化。用于改变选通线(kite和水平PVDD线12的电压的时序可以如图9A或图9B所示。 如果以m行作为示例，由于在从tl至t2的时段中将比源侧端子更高的电压写入到存储电容器的栅极侧，所以反向偏压被施加至m行的像素以将它们关闭直至选通线再次成为高电平，即，在从tl至t3的时段中。在图9A中，水平PVDD线12的电压在从tl至t3的时段中保持在PVDDb，但是在图9B中，水平PVDD线12的电压仅针对时段tl至t2保持在PVDDb， 并且水平PVDD线12的电压从t2起返回PVDDa。其它示例1)在图1的像素电路中没有描绘伴随布线的电阻分量，但是由于多个像素连接至水平PVDD线12，如果存在电阻分量，则在用于根据其它像素的电流幅度驱动有机EL元件的驱动TFT的源极电压中将出现变化。即，由于连接至水平PVDD线12和垂直PVDD线14 的像素的电流增大，电压降低将增大。图10是示出在设置有在与像素平行的水平方向上设置的水平PVDD线的面板完全照亮的情况下的电压降低的表现的图。如果以这种方式从设置在有机EL面板10的两侧的两条垂直PVDD线1 的上端和下端供应电源电压PVDDa，并且针对各行的水平PVDD线12连接在两条垂直PVDD线1 之间，则在垂直方向和水平方向上的中心部分的电压降低将被减小。在该电压降低的描述中，存在两种垂直PVDD线的事实并不相关，所以图10仅示出一条垂直PVDD线，并且描述水平PVDD线12连接至该单条垂直 PVDD线。实际上通过垂直PVDD线1 向像素供应电流以发光，并且也可以被认为表示通过开关选择垂直PVDD线1 的状态。如果选择TFT 1导通并且在向存储电容器C写入Data电压期间源极电压降低，则 Vgs的绝对值将下降，这意味着像素电流减小并且发光亮度降低。例如，对于具有如图10所示的电源线的面板，如图11所示，在白色窗口图案显示在灰色背景上的情况下，随着窗口的左右侧(b和c部分)接近窗口，它们变得比其它背景部分(d和e部分)暗，并且它们与其它部分的边界较明显。因此，设计实现为通过增加供应电源(PVdd)电压的线(垂直PVDD线和水平PVDD 线)的宽度、并且在不影响像素开口率的情况下将这些线按十字形网格形状等布局，来减小PVDD线的电阻。然而，对于该实施方式，在布置有像素的区域中，必须仅在水平扫描方向上布局水平PVDD线，并且由于所插入的开关SW的接通电阻，也会出现电压降低。对于PVDD 线长并且像素电流高的大尺寸面板，由这些长线的电阻所引起的电压降低所导致的亮度不一致是不能忽视的。为了解决该问题，优选地具有如以下实施方式的结构。通过这种方式， 除了该实施方式的效果以外，还可以改善由于PVDD线的电阻部分而出现的亮度不一致。图12是示出在每一条水平PVDD线12的两侧设置开关SW的情况下的4行3列像素布置的图。左侧开关SffL用于通过向迄今已描述的驱动TFT施加反向偏压来减轻残像。 右侧开关SWR用于减少由于PVDD线的电阻所导致的亮度不一致。图13示出了针对m-1行至m+2行改变PVDD电压和选通线电压的时序。如果考虑m行，则在图13中在tl之后和t4之前像素发光时，开关SWLm和SWRm 都打到a侧，以从PVDDa向水平PVDD线12供电。在时间11，由于反向偏压施加至针对该行的像素的驱动TFT，所以SWLm被打到b侧，并且SWRm断开。此时，m行的选通线变为高电平，并且选择TFT 1导通。在从t3至t4的时段中，数据将写入m行的像素的存储电容器，但是m行的水平PVDD线12m的电压仍处于PVDDb时不写入数据，因此与SWLm变为断开同时地将SWRm打到c侧，并且将PVDDc供应至水平PVDD线12m。此处，PVDDc是设置使得合适的像素电流针对从源驱动器4供应的数据电压流动的电压。具体地，在该示例中，PVDDc 被设置为与数据电压相比足够高的电压，使得数据电压和电源电压之间的电压差可以作为数据电压被写入存储电容器C。图12中的各个开关示出为处于t3至t4时段的状态。由于从顶部开始针对每行顺序写入图像数据，则当接通针对特定行的选通线fete 直至写入完成时，该行的SWL断开，并且SWRc打到c侧。因此，即使从垂直PVDD线Hc流出的、在水平PVDD线12m中流动的电流是最大的，这是针对一行的像素电流和，其非常小， 是针对单个屏幕的像素电流的(1/行数)倍，并且将垂直PVDD线设计为具有使得可以忽略从电源端子(PVDDc端子)到开关的电压降低的电阻分量是简单的事情。具体地，即使使用细的垂直PVDD线14c，水平PVDD线12m的电压降低也是可以忽略的。如果由于水平PVDD 线12m的电阻所导致的电压降低也可被忽视，则也可以向像素写入精确的数据电压。如果完成了向该第m条水平线的写入，则开关SWL和SWR改变，并且SWL和SWR都连接至PVDDa。在此之后选择TFT截止，因此即使像素的电源电压(PVdd电压)改变，存储电容器的端子电压(即，Vgs)也不改变，这意味着只要精确的Data电压已被写入存储电容器C，则即使PVdd电压存在某些程度的改变，也可以使相同的像素电流流动并且导致以相同的亮度发光。图14的时序图示出了通过仅在期望的时段中使选通线(iate的电压为低电平来使选择TFTl导通的示例。具体地，针对m行，选择TFTl仅在tl至2时段中导通，并且在从t2 至t3的时段中截止。在任何情况下，由于水平PVDD线12通常具有较高的阻抗，所以PVdd电压由于针对一个水平行的像素电流而降低。如果在像素数据写入时PVdd的电压降低，则比期望的电压低的电压将被写入跨越驱动TFT2的栅极和源极的存储电容器C的两个端子，并且在有机 EL元件3中流动的电流将减小。因此，优选地在数据电压写入时尽可能地减小针对该水平行的像素电流。通常，利用驱动TFT2和有机EL元件3的特性以及输入数据电压的最大幅度值 (Vp-p)来确定PVDD (PVDDa)和CV之间的电压(Pvdd-CV)。图15A示出了在(PVdd-CV)是 12V的情况下的像素电路的工作点。关于当特定VGS施加至驱动TFT时从漏极流至源极的电流相对于跨越漏极和源极的电压的特性(Vds-Ids特性)、并且关于有机EL元件的V-I特性的工作点的电流在驱动TFT和有机EL元件中流动。对于该示例，当Vgs = 4V时，与白电平相对应的最大电流流动。图15B是在这种情况下如何施加电源和Data电压的一个示例， 但是必须使源漏区域的输出电压为高电压。为了避免这样，如图16所示，CV通常使用负电源(-7V)。在这种情况下，因为可以施加IV至5V作为Data电压，所以可以用低电压驱动源驱动器IC。如果跨越PVDD和CV的电压较低，则像素驱动TFT离开饱和区，并且像素电流减小。图17A示出了当(PVdd-CV)是5V时的工作点。通过使写入时的PVDD(例如，PVDDc) 电压(即PVDDc的电压)充分低于正常时的电压PVDDa，通过这种方式，可以在写入时降低像素电流并且抑制PVdd电压的降低。如图17B所示，通过这样做，也可以不需在CV中使用负电源而使源驱动器IC为低电压。在数据写入时，该行的像素的亮度降低，但是当完成写入并且PVdd电压变为PVDDa时，得到固定的亮度。对于该示例，如果PVDDb是IV (其是数据电压的最小值)或更小，可以减轻残像，但是为了得到更佳的效果，可以设置得更低，例如-5V。类似于初始示例，选通线的时序可以如图14所示。2)图18是在以上1)中描述的示例的变型，其是在针对每四条水平PVDD线12设置开关SW的情况下的结构示例。通过以这种方式将多条水平PVDD线12分组并且对将要供应至它们的电源PVDDa和PVDDb进行切换，可以减少开关SW的数目，进而可以期望这能减少缺陷。对于该示例，将针对m至m+3行的四条水平PVDD线I^i至12m+3分为一组，并且通过两个开关SWL和SWR将其连接至PVDD线选择电路18L和18R。图19示出了用于改变各条水平PVDD线12m的电压和改变各条选通线Gatem的电压的时序。在该情况下，必须使针对除了在要进行写入的水平行所属的组中的水平行以外的水平行的选择TFT 1截止，这意味着可以使选通线fete为连续高电平直至写入时段，如同在针对每条水平PVDD线12设置开关的情况中一样。因此分组在一起的m至m+3行的选通线在不同的时间设置为高电平。图20示出了在时段tl-t2中的连接至PVDDm-4到PVDDm+7的开关的状态。而且， 图21示出了用于针对m-4行至m+7行改变水平PVDD线和选通线的电压的时序，并且图11 示出了屏幕在从t3至t6的时段中的工作点。通过这种方式，针对每一组0行)顺序改变水平PVDD线12的电压，但是选通线顺序设置为高电平而不是同时设置为高电平。此外，在该情况中，从电源PVDDc流出的电流是在四行像素中流动的总电流的最大值，因此是非常小的，为一个屏幕的像素电流的(4/水平行数)倍。如前所述，如果PVDDc 的电压足够低使得像素电流不能流动，则图19中的从t3至t6的时段是未照亮时段。具体地，针对tl至t6所有行都关闭。3)在图6的示例中，也可以将水平PVDD线形成组，并且在图23和图M中分别示出了这种情况的结构示例和驱动时序。此处，将考虑针对由从m行至m+3行组成的组的各行的关闭时间。在图M中，m行具有从tl至t2的关闭时段，m+1行具有从tl至t3的关闭时段，m+2行具有从tl至t4的关闭时段，并且m+3行具有从tl至t5的关闭时段，所以在组内，关闭时段针对各行时段滑动。显示器的平均亮度是被照亮的整个屏幕的亮度的(关闭时间/1帧时段)倍，所以在各行的平均亮度中出现差异。随着组中行数与面板的水平行的总数的比例变小，具有最高平均亮度的行和具有最低平均亮度的行之间的亮度差异变大。因此当该比例成为使得可以针对各行检测亮度差异的值时，需要对输入至面板的数据执行计算以取消在面板中出现的针对组内各行的亮度差异等的方法。4)关于以上示例，已经针对在驱动TFT中使用P沟道型的情况给出了描述。然而， 如图25所示，在像素电路使用N沟道型作为驱动TFT的情况下也可以用类似结构获得类似效果。有机EL元件3的阳极连接至电源VDD，而有机EL元件3的阴极连接至N沟道型驱动 TFT 2的漏极。驱动TFT的源极连接至电源Vss。此外，存储电容器C跨接在驱动TFT 2的栅极和源极之间，并且通过选择TFT 1将数据线Data连接至驱动TFT 2的栅极。此处，在图25中，Vdd对应于之前描述的CV，而Vss对应于PVdd。因此，在减轻由
9驱动TFT 2的滞后特性所导致的残像现象方面，优选地使源电压(水平VDD线20的电压) 高于TFT2的栅电压以跨越栅极和源极施加反向偏压。在图沈和图27中分别示出了在针对电源VSS的每条线设置开关的情况下的配置以及驱动时序的示例。如图沈所示，水平VSS线20布置在每行上，水平VSS线20通过开关 Sff连接至垂直VSS线2 和22b，并且通过这些垂直VSS线连接至电源VS&i和VSSb。VSSa 是正常电源电压，并且VSSb是用于施加反向电压的电压。此外，在图25至图27的示例中，对于利用如上所述的P沟道驱动TFT的情况也可以具有相同的变型。
权利要求
1.一种有源矩阵型显示装置，所述有源矩阵型显示装置具有针对按矩阵形状布置的像素中的每一个像素设置的电流驱动发光元件，用于通过利用驱动TFT控制所述发光元件的电流来执行显示，所述驱动TFT通过在栅极处接收数据电压而工作，其中，提供要供应至各像素的至少两个电源电压，一个电源电压设置为与数据电压相对应的电流在所述驱动TFT中流动所需的电压，另一个电源电压设置为向所述驱动TFT施加反向偏压的电压，所述另一个电源电压是超过所述数据电压的变化范围的电压，其中两个电源电压被切换以供应至各像素。
2.一种有源矩阵型显示装置，所述有源矩阵型显示装置具有针对按矩阵形状布置的像素中的每一个像素设置的电流驱动发光元件，用于通过利用P沟道型驱动TFT控制所述发光元件的电流来执行显示，所述P沟道型驱动TFT通过在栅极处接收数据电压而工作，所述有源矩阵型显示装置具有水平电源线，所述水平电源线布置在水平方向上，用于连接至对应水平行的驱动TFT 的源极；以及开关，所述开关用于将水平电源线的组交替地连接至至少两个电源电压，其中所述水平电源线被分为由一条或多条水平电源线构成的组，其中，一个电源电压是用于将与数据电压相对应的电流供应至驱动TFT的源极的电压，而另一个电源电压是低于数据电压的最小值的电压。
3.一种有源矩阵型显示装置，所述有源矩阵型显示装置具有针对按矩阵形状布置的像素中的每一个像素设置的电流驱动发光元件，用于通过利用N沟道型驱动TFT控制所述发光元件的电流来执行显示，所述N沟道型驱动TFT通过在栅极处接收数据电压而工作，所述有源矩阵型显示装置具有水平电源线，所述水平电源线布置在水平方向上，用于连接至对应水平行的驱动TFT 的源极；以及开关，所述开关用于将水平电源线的组交替地连接至至少两个电源电压，其中所述水平电源线被分为由一条或多条水平电源线构成的组，其中，一个电源电压是用于将与数据电压相对应的电流供应至驱动TFT的源极的电压，而另一个电源电压是高于数据电压的最大值的电压。
4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的显示装置，其中，各像素包括存储电容器，所述存储电容器跨接在所述驱动TFT的栅极和源极之间，以及选择TFT，所述选择TFT用于向所述存储电容器供应数据电压，所述显示装置还包括选通线，所述选通线布置在水平方向上，用于使针对水平方向上的各像素的选择TFT 导通或者截止，并且其中，提供一时段，在该时段中所述选择TFT导通而所述另一个电源电压未被选择。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中提供使得所述驱动TFT在非饱和区工作的电源电压(第三电源)，并且通过在选择该第三电源时使选择TFT导通来写入图像数据电压。
6.根据权利要求4或权利要求5所述的显示装置，其中在选择所述另一个电源电压时使选择TFT导通的时间是在将数据电压写入各像素的时间之前的固定时段。
全文摘要
为了减轻由驱动晶体管的滞后特性而导致的残像现象。针对按矩阵形状布置的各像素6设置电流驱动型发光元件3，并且利用驱动TFT 2来控制发光元件3的电流，驱动TFT 2通过在栅极上接收数据电压来工作。提供用于供应至各像素的至少两个电源电压(PVDDa、PVDDb)，一个电源电压被设置为使得与数据电压相对应的电流在驱动TFT 2中流动的电压，另一个电源电压被设置为超过数据电压的变化范围并且使驱动TFT 2反向偏置的电压，并且对两个电源电压进行切换并供应至各像素6。
文档编号G09G3/30GK102473378SQ201080030368
公开日2012年5月23日 申请日期2010年7月1日 优先权日2009年7月7日
发明者川边和佳, 森信之, 水越诚一, 河野诚 申请人:全球Oled科技有限责任公司
显示装置发明背景 1、发明领域本发明涉及有源矩阵型显示装置，其具有针对按矩阵形状布置的每一个像素设置的电流驱动发光元件，用于通过利用通过在栅极处接收数据电压而工作的驱动TFT控制发光元件的电流来执行显示。2、相关技术描述
图1示出了针对基本有源有机EL显示装置的一个像素部分的电路(像素电路)的结构。通过将在水平方向上延伸的选通线(Gate)设置为高电平以使选择TFT 1导通，并且在这种状态下将具有与显示亮度相对应的电压的图像数据信号(也称为数据电压)供应至在垂直方向上延伸的数据线(Data)，来将图像数据信号存储在跨越(across)驱动TFT 2的栅极和源极而布置的存储电容器C中。通过这种方式，其源极连接至PVdd的驱动TFT(在该示例中是P型TFT) 2将与数据信号相对应的驱动电流供应至连接至该TFT的漏极的有机 EL元件3。结果，有机EL元件3根据数据信号发光。图2示出了显示面板的结构的一个示例和输入信号。在图2中，图像数据信号、水平同步信号(HD)、像素时钟和其它驱动信号供应至源驱动器。像素数据信号与像素时钟同步地发送至源驱动器，一旦获取了针对像素的单个水平行的图像数据信号就保持在内部锁存电路中，并且同时经受D/A转换以供应至对应列的数据线(Data)。而且，水平同步信号 (HD)、其它驱动信号和垂直同步信号(VD)供应至选通驱动器5。选通驱动器5执行控制以顺序打开沿各行水平布置的选通线(fete)，使得图像数据信号供应至对应行的像素。图1 的像素电路设置在按矩阵形状布置的像素6的每个中。由于这种结构类型，图像数据信号(数据电压)顺序写入水平行单元中的各个像素，并且根据写入的图像数据信号在各个像素处实现显示，以作为面板执行图像显示。此处，有机EL元件3的发光量和电流量基本上成比例关系。通常，跨越驱动TFT2 的栅极和PVdd提供电压(Vth)，使得接近针对像素的黑电平的漏极电流开始流动。而且，图像信号的幅度是给出接近于白电平的规定亮度的幅度。图3示出了在有机EL元件中流动的电流“CV电流”(对应于亮度)相对于驱动TFT 的输入信号电压(数据线Data的电压)的关系。通过确定数据信号使得作为黑电平电压供应Vb并且作为白电平电压供应Vw，可以对有机EL元件执行适当的逐级控制。现有技术参考专利公开专利文献1 日本待审专利第2006-251455号对于有源矩阵型有机EL显示装置，存在的问题在于由于驱动TFT的滞后特性，在显示面板的部分上出现残像。特别地，当白色窗口或类似物保持在灰色背景上并且变为完全灰色的图像时，这个问题特别明显。在这种情况下，之前显示白色窗口的部分比其它部分略暗，并且它们要花几秒至几十秒才能变为与其它部分相同的亮度。这可以被认为是由于
3这样的现象即使以相同的数据电压驱动特定像素的驱动TFT，由于在前几秒流动的电流， 在驱动电流中也存在差异，使得在驱动TFT中流动的载流子(正空穴)被困在栅绝缘层中， 并且驱动TFT的Vth变化。因此需要在不增加像素电路中的晶体管的数目的情况下减轻由驱动TFT的滞后特性所引起的残像现象。还已知通过跨越驱动TFT的栅极和源极施加反向偏压，即向栅极施加比连接至源极的PVdd更高的电压，栅极的栅绝缘层中的载流子(正空穴)被移除。而且，该效果随着反向偏压的增大和施加时间长度的增长而增加。发明概述本发明提供了一种有源矩阵型显示装置，其具有针对按矩阵形状布置的像素中的每个设置的电流驱动发光元件，用于通过利用TFT控制发光元件的电流来执行显示，所述 TFT通过在栅极处接收数据电压而工作，其中，提供要供应至各像素的至少两个电源电压， 一个电源电压设置为与数据电压相对应的电流在所述驱动TFT中流动所需的电压，另一个电源电压设置为向所述驱动TFT施加反向偏压的电压，所述另一个电源电压是超过所述数据电压的变化范围的电压，其中两个电源电压被切换以供应至各像素。本发明也提供了一种有源矩阵型显示装置，其具有针对按矩阵形状布置的像素中的每个设置的电流驱动发光元件，用于通过利用P沟道TFT控制所述发光元件的电流来执行显示，所述P沟道TFT通过在栅极处接收数据电压而工作，所述有源矩阵型显示装置具有水平电源线，所述水平电源线布置在水平方向上，用于连接至对应水平行的驱动TFT的源极，这些水平电源线被分为由一条或多条水平电源线构成的组；以及开关，所述开关用于将这些水平电源线的组交替地连接至至少两个电源电压，其中，一个电源电压是用于将与数据电压相对应的电流供应至驱动TFT的源极的电压，而另一个电源电压是低于数据电压的最小值的电压。本发明也提供了一种有源矩阵型显示装置，其具有针对按矩阵形状布置的像素中的每个设置的电流驱动发光元件，用于通过利用N沟道TFT控制所述发光元件的电流来执行显示，所述N沟道TFT通过在栅极处接收数据电压而工作，所述有源矩阵型显示装置具有水平电源线，所述水平电源线布置在水平方向上，用于连接至对应水平行的驱动TFT的源极，这些水平电源线被分为由一条或多条水平电源线构成的组；以及开关，所述开关用于将水平电源线的组交替地连接至至少两个电源电压，其中，一个电源电压是用于将与数据电压相对应的电流供应至驱动TFT的源极的电压，而另一个电源电压是高于数据电压的最大值的电压。而且，优选地，各像素包括存储电容器，所述存储电容器跨接在所述驱动TFT的栅极和源极之间；选择TFT，所述选择TFT用于向所述存储电容器供应数据电压，并且具有选通线，所述选通线布置在水平方向上，用于使水平方向上的各像素的选择TFT导通或者截止。而且，优选地，电源中的一个是使得驱动TFT在非饱和区工作的电源电压，并且通过在选择该电源电压时使选择TFT导通而写入图像数据。而且，优选地，在选择另一个电源电压时使选择TFT导通的时间是在将数据电压写入各像素的时间之前的固定时段。
通过这种方式，根据本发明，提供了向驱动TFT施加反向偏压的时段。因此，可以减轻由于驱动TFT的滞后特性所导致的残像现象。附图简要描述图1是示出像素电路的结构的图。图2是示出显示面板的结构的一个示例和输入信号的图。图3是示出在有机EL元件中流动的CV电流相对于驱动TFT的输入信号电压之间的关系的图。图4是示出在每一条水平PVDD线的一侧设置开关的情况下的电源线(水平和垂直PVDD)的布局的一个示例的图。图5是示出在两侧设置开关的情况下的电源线的布局的示例的图。图6是示出在每一条水平PVDD线的一侧设置开关SW的情况下的面板的结构示例的图。图7是示出用于改变水平PVDD线和选通线的电压的时序的图。图8是示出在时段t3_t4中的屏幕的照亮状态的图。图9A是示出用于改变选通线和水平PVDD线的电压的时序的图。图9B是示出用于改变选通线和水平PVDD线的电压的时序的图。图10是示出在照亮整个面板的情况下的电压降低的表现的图。图11是示出在具有如图10所示布置的电源线的面板中当白色窗口显示在灰色背景上时的外观的图。图12是示出在每一条水平PVDD线的两侧设置开关SW的情况下的4行3列像素布置的图。图13是示出用于在图12的情况下改变水平PVDD线和各条选通线的电压的时序的图。图14是示出通过仅在期望的时段中使选通线fete的电压为低电平来使选择TFT 导通的示例的图。图15A是示出在(PVdd-CV)是12V的情况下的像素电路的工作点的图。图15B是示出如何在图15A的情况下施加电源和数据电压的示例的图。图16是示出当在CV中使用负电压(-7V)时如何施加电源和数据电压的示例的图。图17A是示出当(PVdd-CV)是5V时工作点的图。图17B是示出如何在图17A的情况下施加电源和数据电压的示例的图。图18是示出在针对每四条水平PVDD线设置开关SW的情况下的面板的结构示例的图。图19是示出用于在图18的情况下改变水平PVDD线和各条选通线的电压的时序的图。图20是示出在图19的时段tl-t2中连接至PVDDm_4至PVDDm+7的开关的状态的图。图21是示出用于针对m-4行至m+7行改变水平PVDD线和选通线的电压的时序的图。
图22是示出在图19的时段t3_t6中屏幕的照亮状态的图。图23是示出将水平PVDD线分组的结构示例的图。图M是示出针对图23的结构示例的驱动时序的图。图25是示出使用N沟道型作为驱动TFT的像素电路的结构示例的图。图沈是示出在采用图25的像素电路的情况下的显示面板的结构的一个示例和输入信号的图。图27是示出用于针对图沈的面板的m行至m+3行改变Vss电压和选通线电压的时序的图。优选实施方式描述下面将根据附图描述本发明的实施方式。图4示出在每一条水平PVDD线的一侧设置开关的情况下的电源线(水平和垂直 PVDD线)的布局的一个示例。在有机EL面板10中，像素按矩阵形状布置，如图2所示。针对每行像素布置一条水平PVDD线12。连接至电源PVDDa的垂直PVDD线1 和连接至电源 PVDDb的垂直PVDD线14b布置在有机EL面板10的一侧，并且各条水平PVDD线12可切换地连接至两条垂直PVDD线1 和14b中的任一条。图5示出了在两侧设置开关的情况下的电源线的布局的示例。垂直PVDD线14a 和14b分别设置在有机EL面板10的两侧，并且各条水平PVDD线12在两端通过开关SW可切换地连接至垂直PVDD线1 或14b中的任一条。设置在单条水平PVDD线12两侧的开关是受控的，以连接至同一垂直PVDD线1 或14b。此处，PVDDa是在像素发光时所连接的电源，并且PVDDb是在施加反向偏压时所连接的电源。相对大的电流在垂直PVDD线1 中流动，所以通过使线路宽度更粗等可以减轻由于电阻分量所导致的电压降低。另一方面，几乎没有电流在垂直PVDD线14b中流动，所以可以使线路宽度较窄。通过如图5所示在两侧设置开关，在垂直PVDD线1 和电源之间建立了连接，并且可以减小由于从PVDDa端子到像素的布线电阻所导致的电压降低。图6对应于图4，并且是在每一条水平PVDD线12的一侧设置开关的情况下的面板的结构示例，其示出了 4行3列的像素6 (m-1至m+2行以及η至η+2列)。这样，设置PVDD 线选择电路18，并且通过该PVDD线选择电路18来控制开关SW的切换。用于从水平PVDD 线选择电路18控制开关SW的线是线Ctlm-I至Ctlm+2。图7示出用于改变水平PVDD线12和选通线(kite的电压的时序。在发光和写入数据时，开关SW被打至a侧，使得将电源从垂直PVDD线Ha(PVDDa)供应至这些行的水平 PVDD线12。另一方面，以m行作为示例，在时段tl至t3中，类似地控制开关SW以从垂直 PVDD线Hb(PVDDb)供电。此时，选通线被设置为高电平以使选择TFT导通。这样，将用于写入特定水平像素的数据电压施加至驱动TFT，但是通过将PVDDb设置为最小写入电压，即， 低于源驱动器4的最小输出电压，反向偏压总是施加至驱动TFT，并且像素被关闭。当在从 t3至t3的时段中Gatem处于高电平并且PVDDm的电压是PVDDa时，执行数据电压的写入， 并且在t4之后的下一帧中继续发光直至Gatem再次变为高电平。图8示出在时段t3至t4中的屏幕的照亮状态。从t3至t4的时段越长，TFT特性返回至正常的效果越大，但由于像素被关闭的时段接着变长，平均亮度变低并且更容易注意到像素闪烁。因此，有必要根据TFT特性以及显示装置的使用和规格等来对施加反向
6偏压的时间进行优化。用于改变选通线(kite和水平PVDD线12的电压的时序可以如图9A或图9B所示。 如果以m行作为示例，由于在从tl至t2的时段中将比源侧端子更高的电压写入到存储电容器的栅极侧，所以反向偏压被施加至m行的像素以将它们关闭直至选通线再次成为高电平，即，在从tl至t3的时段中。在图9A中，水平PVDD线12的电压在从tl至t3的时段中保持在PVDDb，但是在图9B中，水平PVDD线12的电压仅针对时段tl至t2保持在PVDDb， 并且水平PVDD线12的电压从t2起返回PVDDa。其它示例1)在图1的像素电路中没有描绘伴随布线的电阻分量，但是由于多个像素连接至水平PVDD线12，如果存在电阻分量，则在用于根据其它像素的电流幅度驱动有机EL元件的驱动TFT的源极电压中将出现变化。即，由于连接至水平PVDD线12和垂直PVDD线14 的像素的电流增大，电压降低将增大。图10是示出在设置有在与像素平行的水平方向上设置的水平PVDD线的面板完全照亮的情况下的电压降低的表现的图。如果以这种方式从设置在有机EL面板10的两侧的两条垂直PVDD线1 的上端和下端供应电源电压PVDDa，并且针对各行的水平PVDD线12连接在两条垂直PVDD线1 之间，则在垂直方向和水平方向上的中心部分的电压降低将被减小。在该电压降低的描述中，存在两种垂直PVDD线的事实并不相关，所以图10仅示出一条垂直PVDD线，并且描述水平PVDD线12连接至该单条垂直 PVDD线。实际上通过垂直PVDD线1 向像素供应电流以发光，并且也可以被认为表示通过开关选择垂直PVDD线1 的状态。如果选择TFT 1导通并且在向存储电容器C写入Data电压期间源极电压降低，则 Vgs的绝对值将下降，这意味着像素电流减小并且发光亮度降低。例如，对于具有如图10所示的电源线的面板，如图11所示，在白色窗口图案显示在灰色背景上的情况下，随着窗口的左右侧(b和c部分)接近窗口，它们变得比其它背景部分(d和e部分)暗，并且它们与其它部分的边界较明显。因此，设计实现为通过增加供应电源(PVdd)电压的线(垂直PVDD线和水平PVDD 线)的宽度、并且在不影响像素开口率的情况下将这些线按十字形网格形状等布局，来减小PVDD线的电阻。然而，对于该实施方式，在布置有像素的区域中，必须仅在水平扫描方向上布局水平PVDD线，并且由于所插入的开关SW的接通电阻，也会出现电压降低。对于PVDD 线长并且像素电流高的大尺寸面板，由这些长线的电阻所引起的电压降低所导致的亮度不一致是不能忽视的。为了解决该问题，优选地具有如以下实施方式的结构。通过这种方式， 除了该实施方式的效果以外，还可以改善由于PVDD线的电阻部分而出现的亮度不一致。图12是示出在每一条水平PVDD线12的两侧设置开关SW的情况下的4行3列像素布置的图。左侧开关SffL用于通过向迄今已描述的驱动TFT施加反向偏压来减轻残像。 右侧开关SWR用于减少由于PVDD线的电阻所导致的亮度不一致。图13示出了针对m-1行至m+2行改变PVDD电压和选通线电压的时序。如果考虑m行，则在图13中在tl之后和t4之前像素发光时，开关SWLm和SWRm 都打到a侧，以从PVDDa向水平PVDD线12供电。在时间11，由于反向偏压施加至针对该行的像素的驱动TFT，所以SWLm被打到b侧，并且SWRm断开。此时，m行的选通线变为高电平，并且选择TFT 1导通。在从t3至t4的时段中，数据将写入m行的像素的存储电容器，但是m行的水平PVDD线12m的电压仍处于PVDDb时不写入数据，因此与SWLm变为断开同时地将SWRm打到c侧，并且将PVDDc供应至水平PVDD线12m。此处，PVDDc是设置使得合适的像素电流针对从源驱动器4供应的数据电压流动的电压。具体地，在该示例中，PVDDc 被设置为与数据电压相比足够高的电压，使得数据电压和电源电压之间的电压差可以作为数据电压被写入存储电容器C。图12中的各个开关示出为处于t3至t4时段的状态。由于从顶部开始针对每行顺序写入图像数据，则当接通针对特定行的选通线fete 直至写入完成时，该行的SWL断开，并且SWRc打到c侧。因此，即使从垂直PVDD线Hc流出的、在水平PVDD线12m中流动的电流是最大的，这是针对一行的像素电流和，其非常小， 是针对单个屏幕的像素电流的(1/行数)倍，并且将垂直PVDD线设计为具有使得可以忽略从电源端子(PVDDc端子)到开关的电压降低的电阻分量是简单的事情。具体地，即使使用细的垂直PVDD线14c，水平PVDD线12m的电压降低也是可以忽略的。如果由于水平PVDD 线12m的电阻所导致的电压降低也可被忽视，则也可以向像素写入精确的数据电压。如果完成了向该第m条水平线的写入，则开关SWL和SWR改变，并且SWL和SWR都连接至PVDDa。在此之后选择TFT截止，因此即使像素的电源电压(PVdd电压)改变，存储电容器的端子电压(即，Vgs)也不改变，这意味着只要精确的Data电压已被写入存储电容器C，则即使PVdd电压存在某些程度的改变，也可以使相同的像素电流流动并且导致以相同的亮度发光。图14的时序图示出了通过仅在期望的时段中使选通线(iate的电压为低电平来使选择TFTl导通的示例。具体地，针对m行，选择TFTl仅在tl至2时段中导通，并且在从t2 至t3的时段中截止。在任何情况下，由于水平PVDD线12通常具有较高的阻抗，所以PVdd电压由于针对一个水平行的像素电流而降低。如果在像素数据写入时PVdd的电压降低，则比期望的电压低的电压将被写入跨越驱动TFT2的栅极和源极的存储电容器C的两个端子，并且在有机 EL元件3中流动的电流将减小。因此，优选地在数据电压写入时尽可能地减小针对该水平行的像素电流。通常，利用驱动TFT2和有机EL元件3的特性以及输入数据电压的最大幅度值 (Vp-p)来确定PVDD (PVDDa)和CV之间的电压(Pvdd-CV)。图15A示出了在(PVdd-CV)是 12V的情况下的像素电路的工作点。关于当特定VGS施加至驱动TFT时从漏极流至源极的电流相对于跨越漏极和源极的电压的特性(Vds-Ids特性)、并且关于有机EL元件的V-I特性的工作点的电流在驱动TFT和有机EL元件中流动。对于该示例，当Vgs = 4V时，与白电平相对应的最大电流流动。图15B是在这种情况下如何施加电源和Data电压的一个示例， 但是必须使源漏区域的输出电压为高电压。为了避免这样，如图16所示，CV通常使用负电源(-7V)。在这种情况下，因为可以施加IV至5V作为Data电压，所以可以用低电压驱动源驱动器IC。如果跨越PVDD和CV的电压较低，则像素驱动TFT离开饱和区，并且像素电流减小。图17A示出了当(PVdd-CV)是5V时的工作点。通过使写入时的PVDD(例如，PVDDc) 电压(即PVDDc的电压)充分低于正常时的电压PVDDa，通过这种方式，可以在写入时降低像素电流并且抑制PVdd电压的降低。如图17B所示，通过这样做，也可以不需在CV中使用负电源而使源驱动器IC为低电压。在数据写入时，该行的像素的亮度降低，但是当完成写入并且PVdd电压变为PVDDa时，得到固定的亮度。对于该示例，如果PVDDb是IV (其是数据电压的最小值)或更小，可以减轻残像，但是为了得到更佳的效果，可以设置得更低，例如-5V。类似于初始示例，选通线的时序可以如图14所示。2)图18是在以上1)中描述的示例的变型，其是在针对每四条水平PVDD线12设置开关SW的情况下的结构示例。通过以这种方式将多条水平PVDD线12分组并且对将要供应至它们的电源PVDDa和PVDDb进行切换，可以减少开关SW的数目，进而可以期望这能减少缺陷。对于该示例，将针对m至m+3行的四条水平PVDD线I^i至12m+3分为一组，并且通过两个开关SWL和SWR将其连接至PVDD线选择电路18L和18R。图19示出了用于改变各条水平PVDD线12m的电压和改变各条选通线Gatem的电压的时序。在该情况下，必须使针对除了在要进行写入的水平行所属的组中的水平行以外的水平行的选择TFT 1截止，这意味着可以使选通线fete为连续高电平直至写入时段，如同在针对每条水平PVDD线12设置开关的情况中一样。因此分组在一起的m至m+3行的选通线在不同的时间设置为高电平。图20示出了在时段tl-t2中的连接至PVDDm-4到PVDDm+7的开关的状态。而且， 图21示出了用于针对m-4行至m+7行改变水平PVDD线和选通线的电压的时序，并且图11 示出了屏幕在从t3至t6的时段中的工作点。通过这种方式，针对每一组0行)顺序改变水平PVDD线12的电压，但是选通线顺序设置为高电平而不是同时设置为高电平。此外，在该情况中，从电源PVDDc流出的电流是在四行像素中流动的总电流的最大值，因此是非常小的，为一个屏幕的像素电流的(4/水平行数)倍。如前所述，如果PVDDc 的电压足够低使得像素电流不能流动，则图19中的从t3至t6的时段是未照亮时段。具体地，针对tl至t6所有行都关闭。3)在图6的示例中，也可以将水平PVDD线形成组，并且在图23和图M中分别示出了这种情况的结构示例和驱动时序。此处，将考虑针对由从m行至m+3行组成的组的各行的关闭时间。在图M中，m行具有从tl至t2的关闭时段，m+1行具有从tl至t3的关闭时段，m+2行具有从tl至t4的关闭时段，并且m+3行具有从tl至t5的关闭时段，所以在组内，关闭时段针对各行时段滑动。显示器的平均亮度是被照亮的整个屏幕的亮度的(关闭时间/1帧时段)倍，所以在各行的平均亮度中出现差异。随着组中行数与面板的水平行的总数的比例变小，具有最高平均亮度的行和具有最低平均亮度的行之间的亮度差异变大。因此当该比例成为使得可以针对各行检测亮度差异的值时，需要对输入至面板的数据执行计算以取消在面板中出现的针对组内各行的亮度差异等的方法。4)关于以上示例，已经针对在驱动TFT中使用P沟道型的情况给出了描述。然而， 如图25所示，在像素电路使用N沟道型作为驱动TFT的情况下也可以用类似结构获得类似效果。有机EL元件3的阳极连接至电源VDD，而有机EL元件3的阴极连接至N沟道型驱动 TFT 2的漏极。驱动TFT的源极连接至电源Vss。此外，存储电容器C跨接在驱动TFT 2的栅极和源极之间，并且通过选择TFT 1将数据线Data连接至驱动TFT 2的栅极。此处，在图25中，Vdd对应于之前描述的CV，而Vss对应于PVdd。因此，在减轻由
9驱动TFT 2的滞后特性所导致的残像现象方面，优选地使源电压(水平VDD线20的电压) 高于TFT2的栅电压以跨越栅极和源极施加反向偏压。在图沈和图27中分别示出了在针对电源VSS的每条线设置开关的情况下的配置以及驱动时序的示例。如图沈所示，水平VSS线20布置在每行上，水平VSS线20通过开关 Sff连接至垂直VSS线2 和22b，并且通过这些垂直VSS线连接至电源VS&i和VSSb。VSSa 是正常电源电压，并且VSSb是用于施加反向电压的电压。此外，在图25至图27的示例中，对于利用如上所述的P沟道驱动TFT的情况也可以具有相同的变型。
权利要求
1.一种有源矩阵型显示装置，所述有源矩阵型显示装置具有针对按矩阵形状布置的像素中的每一个像素设置的电流驱动发光元件，用于通过利用驱动TFT控制所述发光元件的电流来执行显示，所述驱动TFT通过在栅极处接收数据电压而工作，其中，提供要供应至各像素的至少两个电源电压，一个电源电压设置为与数据电压相对应的电流在所述驱动TFT中流动所需的电压，另一个电源电压设置为向所述驱动TFT施加反向偏压的电压，所述另一个电源电压是超过所述数据电压的变化范围的电压，其中两个电源电压被切换以供应至各像素。
2.一种有源矩阵型显示装置，所述有源矩阵型显示装置具有针对按矩阵形状布置的像素中的每一个像素设置的电流驱动发光元件，用于通过利用P沟道型驱动TFT控制所述发光元件的电流来执行显示，所述P沟道型驱动TFT通过在栅极处接收数据电压而工作，所述有源矩阵型显示装置具有水平电源线，所述水平电源线布置在水平方向上，用于连接至对应水平行的驱动TFT 的源极；以及开关，所述开关用于将水平电源线的组交替地连接至至少两个电源电压，其中所述水平电源线被分为由一条或多条水平电源线构成的组，其中，一个电源电压是用于将与数据电压相对应的电流供应至驱动TFT的源极的电压，而另一个电源电压是低于数据电压的最小值的电压。
3.一种有源矩阵型显示装置，所述有源矩阵型显示装置具有针对按矩阵形状布置的像素中的每一个像素设置的电流驱动发光元件，用于通过利用N沟道型驱动TFT控制所述发光元件的电流来执行显示，所述N沟道型驱动TFT通过在栅极处接收数据电压而工作，所述有源矩阵型显示装置具有水平电源线，所述水平电源线布置在水平方向上，用于连接至对应水平行的驱动TFT 的源极；以及开关，所述开关用于将水平电源线的组交替地连接至至少两个电源电压，其中所述水平电源线被分为由一条或多条水平电源线构成的组，其中，一个电源电压是用于将与数据电压相对应的电流供应至驱动TFT的源极的电压，而另一个电源电压是高于数据电压的最大值的电压。
4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的显示装置，其中，各像素包括存储电容器，所述存储电容器跨接在所述驱动TFT的栅极和源极之间，以及选择TFT，所述选择TFT用于向所述存储电容器供应数据电压，所述显示装置还包括选通线，所述选通线布置在水平方向上，用于使针对水平方向上的各像素的选择TFT 导通或者截止，并且其中，提供一时段，在该时段中所述选择TFT导通而所述另一个电源电压未被选择。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中提供使得所述驱动TFT在非饱和区工作的电源电压(第三电源)，并且通过在选择该第三电源时使选择TFT导通来写入图像数据电压。
6.根据权利要求4或权利要求5所述的显示装置，其中在选择所述另一个电源电压时使选择TFT导通的时间是在将数据电压写入各像素的时间之前的固定时段。
全文摘要
为了减轻由驱动晶体管的滞后特性而导致的残像现象。针对按矩阵形状布置的各像素6设置电流驱动型发光元件3，并且利用驱动TFT 2来控制发光元件3的电流，驱动TFT 2通过在栅极上接收数据电压来工作。提供用于供应至各像素的至少两个电源电压(PVDDa、PVDDb)，一个电源电压被设置为使得与数据电压相对应的电流在驱动TFT 2中流动的电压，另一个电源电压被设置为超过数据电压的变化范围并且使驱动TFT 2反向偏置的电压，并且对两个电源电压进行切换并供应至各像素6。
文档编号G09G3/30GK102473378SQ201080030368
公开日2012年5月23日 申请日期2010年7月1日 优先权日2009年7月7日
发明者川边和佳, 森信之, 水越诚一, 河野诚 申请人:全球Oled科技有限责任公司
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