有源矩阵基板、液晶面板、电视接收机的制作方法
专利名称：有源矩阵基板、液晶面板、电视接收机的制作方法
技术领域：
本发明涉及像素分割方式的有源矩阵基板、液晶面板。
背景技术：
作为用于提高液晶显示装置的视野角特性的技术，已知在液晶面板的1个像素中设置2个像素电极(与亮副像素对应的亮像素电极和与暗副像素对应的暗像素电极)的像素分割方式。在像素分割方式中，存在以下电容耦合型1晶体管电容耦合型，其使亮像素电极经由与本级的扫描信号线相连的晶体管而与数据信号线连接，使暗像素电极经由耦合电容与亮像素电极连接；3晶体管电容耦合型(例如，参照专利文献1)，其使亮、暗像素电极各自经由与本级的扫描信号线相连的不同的晶体管而与数据信号线连接，并且使与亮像素电极形成耦合电容的电容电极经由与下级相连的晶体管而与暗像素电极连接。在1晶体管电容耦合型中，暗像素电极是电悬浮的，成为像素残影的原因，而在3晶体管电容耦合型中，明、暗像素电极各自不是电悬浮的，难以产生像素残影。现有技术文献专利文献专利文献1 日本公开专利公报“特开2008-33218号公报(
公开日2008年2月14 日)”
发明内容
发明要解决的问题但是，在现有的1晶体管或3晶体管电容耦合型液晶面板中，例如，如图22所示，使暗像素电极与和数据信号线形成在同一层的电容电极169a(源极金属)连接，使该电容电极169a与亮像素电极181隔着沟道保护膜(层间绝缘膜)17重叠，由此形成耦合电容。因此，为了确保耦合电容的值，需要使沟道保护膜按某程度变薄，存在无法采用增厚沟道保护膜(例如，使用有机绝缘膜)来使像素电极与数据信号线、扫描信号线重叠的高开口率结构的问题。另外，还存在以下问题无法增厚沟道保护膜，因此，无法减小像素电极和数据信号线或扫描信号线之间的寄生电容，像素电极和数据信号线易于发生短路，无法提高像素电极(例如，ΙΤ0)形成面的平坦度。在本发明中，提出了可以增厚沟道保护膜(层间绝缘膜)的电容耦合型有源矩阵基板。用于解决问题的方案本有源矩阵基板的特征在于，具备扫描信号线；数据信号线；第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；以及第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接，在1个像素区域(与1种颜色的像素对应的区域)中设有第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极，其与第2晶体管连接 ’第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。根据上述构成，可以通过中继电极和第1电容电极之间的电容与中继电极及第2电容电极之间的电容的合成电容(串联连接各电容的电容)来形成3晶体管电容耦合型的亮、暗像素电极的耦合电容。因此，可以增厚晶体管的沟道保护膜(层间绝缘膜)，可以采用使像素电极与数据信号线、扫描信号线重叠的高开口率结构。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，具备与上述第2电容电极形成电容的保持电容配线。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，在各晶体管的沟道上形成的层间绝缘膜中包含有机绝缘膜。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，连接有第1晶体管及第2晶体管的扫描信号线与连接有第3晶体管的扫描信号线沿着扫描方向按照该顺序相邻配置。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，上述第1像素电极及第2像素电极与数据信号线重叠。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，上述数据信号线以与第1像素电极及第2像素电极的边缘部重叠的方式蜿蜒。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时，在像素区域中，第1像素电极及第2像素电极纵向排列，从上述第1晶体管引出并与第1电容电极相连的引出电极、第1电容电极、从第3晶体管引出并与第2电容电极相连的引出电极以及第2电容电极以纵贯像素区域的方式配置。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时，具备第ι保持电容配线，其以横穿第1像素电极的方式配置；第2保持电容配线，其以横穿第2像素电极的方式配置；以及第3保持电容配线，其以与第1像素电极及第2像素电极的间隙重叠的方式配置。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，上述第2电容电极与第2保持电容配线形成电容。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，第1保持电容配线或第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，在与某种颜色对应的像素区域中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在与其它颜色对应的像素区域中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，在横向相邻的2个像素区域中的一方中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在另一方中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，且在纵向相邻的2个像素区域中的一方中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在另一方中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，具备第4晶体管，其与上述第1晶体管及第2晶体管连接于同一扫描信号线；以及第3像素电极，其与该第4晶体管连接。
也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，第1像素电极及第2像素电极是鱼骨形状。本有源矩阵基板的特征在于，具备扫描信号线；数据信号线；以及第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接，在1个像素区域(与1种颜色的像素对应的区域)中设有第ι像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其与第2像素电极连接；以及中继电极，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。本有源矩阵基板的特征在于，具备扫描信号线；数据信号线；第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接；第4晶体管，其与上述第1晶体管及第2晶体管连接于同一扫描信号线；以及保持电容配线，在1个像素区域(与1种颜色的像素对应的区域)中设有第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极，其与第2晶体管连接；第3像素电极，其与第4晶体管连接；以及耦合电极，其分别与第1像素电极及保持电容配线形成电容，该耦合电极经由第3晶体管与第2像素电极连接。本液晶面板的特征在于，具备上述有源矩阵基板和液晶层。也可以采用以下构成在本液晶面板中，上述液晶层由紫外线规定取向。本电视接收机的特征在于，具备包含上述液晶面板的液晶显示装置和接收电视广播的调谐部。发明效果如上所示，根据本发明，可以实现能够增厚沟道保护膜(层间绝缘膜)的电容耦合型有源矩阵基板。
图1是示出实施方式1的液晶面板的构成的平面图。图2是示出实施方式1的液晶面板的构成的电路图。图3是示出图2的液晶面板的驱动方法的时序图。图4是图1的向视截面图。图5是在图1的液晶面板中使用了光取向液晶时的向错(取向混乱)区域的平面图。图6是示出实施方式2的液晶面板的其它构成的平面图。图7是示出实施方式2的液晶面板的另外其它构成的平面图。图8是示出实施方式2的液晶面板的构成的电路图。图9是示出图8的液晶面板的驱动方法的时序图。图10是示出实施方式2的液晶面板的构成的平面图。图11是在图10的液晶面板中使用了光取向液晶时的向错(取向混乱)区域的平面图。图12是示出实施方式2的液晶面板的其它构成的平面图。图13是示出实施方式2的液晶面板的另外其它构成的平面图。
图14是示出图12、13的液晶面板的构成的平面图。图15是示出实施方式2的液晶面板的另外其它构成的平面图。图16是示出图15的液晶面板的向错(取向混乱)区域的平面图。图17是示出实施方式3的液晶面板的构成的电路图。图18是示出图17的液晶面板的驱动方法的时序图。图19是示出实施方式3的液晶面板的构成的平面图。图20是图19的向视截面图。图21是示出在图19的液晶面板中使用了光取向液晶时的向错(取向混乱)区域的平面图。图22是示出现有的液晶面板的构成的示意图。
具体实施例方式如下所示，使用图1 21来说明本发明的实施方式的例子。此外，为了便于说明，下面将数据信号线的延伸方向设为纵(列)向，将扫描信号线的延伸方向设为横(行)向。但是，在本液晶显示装置(或其所用的液晶面板、有源矩阵基板)的利用(视听)状态下，当然其扫描信号线可以横向延伸也可以纵向延伸。另外，有源矩阵基板的1个像素区域与液晶面板、液晶显示装置的1个像素对应。[实施方式1]图2是示出本液晶面板fe的一部分的等价电路图。在液晶面板如中，具备本级的扫描信号线；数据信号线；第1晶体管及第2晶体管，其与本级的扫描信号线连接；以及第3晶体管，其与下级的扫描信号线连接，在1个像素中，设有第1像素电极，其与第1晶体管的漏极电极连接；第2像素电极，其与第2晶体管的漏极电极连接；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极，其是电悬浮的，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极分别与第1电容电极及第2电容电极形成电容，且上述第2电容电极与保持电容配线形成电容。例如，与包括在列方向排列的像素101、102的像素列对应地设有1根数据信号线15x,与包括在列方向排列的像素103、104的像素列对应地设有1根数据信号线15X，与包括在行方向排列的像素101、103的像素行对应地设有1根扫描信号线和3根保持电容配线18np、18nq、18nr，与包括在行方向排列的像素102、104的像素行对应地设有1根扫描信号线Gm和3根保持电容配线18mp、18mq、18mr。此外，扫描信号线Gn、Gm、Gk沿着扫描方向按照该顺序排列。在此，在像素101中，2个像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线连接的晶体管lh、12b各自的源极电极与数据信号线1 连接，并且晶体管12a、12b各自的漏极电极与像素电极17a、17b连接，且与扫描信号线Gm连接的晶体管82ab的源极电极与像素电极17b连接，晶体管82ab的漏极电极分别与中继电极7ab和保持电容配线18nr形成电容Cb和电容Cn，像素电极17a与中继电极7ab形成电容Ca。此外，在像素电极17a和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cla，并且在像素电极17b和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clb，在像素电极17a和保持电容配线18np之间形成保持电容csa，并且在像素电极17b和保持电容配线18nr之间形成保持电容csb。另外，在与像素101在列方向相邻的像素102中，2个像素电极17c、17d沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gm连接的晶体管12c、12d各自的源极电极与数据信号线15x连接，并且晶体管12c、12d各自的漏极电极与像素电极17c、17d连接，且与扫描信号线( 连接的晶体管82cd的源极电极与像素电极17d连接，晶体管82cd的漏极电极分别与中继电极7cd和保持电容配线18mr形成电容Cd和电容Cm，像素电极17c与中继电极7cd形成电容Ce。此外，在像素电极17c和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clc，并且在像素电极17d和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cld，在像素电极17c和保持电容配线18mp之间形成保持电容csc，并且在像素电极17d和保持电容配线ISmr之间形成保持电容csd。另外，在与像素101在行方向相邻的像素103中，2个像素电极17A、17B沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线连接的晶体管12A、12B各自的源极电极与数据信号线15X连接，并且晶体管12A、12B各自的漏极电极与像素电极17A、17B连接，且与扫描信号线Gm连接的晶体管82AB的源极电极与像素电极17B连接，晶体管82AB的漏极电极分别与中继电极7AB和保持电容配线18nr形成电容CB和电容CN，像素电极17A与中继电极7AB形成电容CA。此外，在像素电极17A和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1A，并且在像素电极17B和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容ClB，在像素电极17A和保持电容配线18np之间形成保持电容csA，并且在像素电极17B和保持电容配线ISnr之间形成保持电容csB。另外，在与像素102在行方向相邻的像素104中，2个像素电极17C、17D沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gm连接的晶体管12C、12D各自的源极电极与数据信号线15X连接，并且晶体管12C、12D各自的漏极电极与像素电极17C、17D连接，且与扫描信号线Gk连接的晶体管82⑶的源极电极与像素电极17D连接，晶体管82⑶的漏极电极分别与中继电极7⑶和保持电容配线18mr形成电容⑶和电容CM，像素电极17C与中继电极7⑶形成电容CC。此外，在像素电极17C和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1C，并且在像素电极17D和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1D，在像素电极17C和保持电容配线18mp之间形成保持电容csC，并且在像素电极17D和保持电容配线ISmr之间形成保持电容csD。图3是示出在液晶面板如的一部分(包括图2的像素101、102)中进行中间灰度级全面显示时的驱动方法的时序图O帧的量)，图3的15x、15X示出向图2的数据信号线15x、15X提供的数据信号，图3的&1、Gm、Gk示出向图2的扫描信号线Gm、Gk提供的扫描信号(激活高电平)，图3的17a 17d示出图1的像素电极17a 17d的电位。在图3所示的驱动方法中，每次1根地顺序选择扫描信号线，向相邻的2根数据信号线(例如15x、15X)提供极性相反的数据信号。此外，向各数据信号线提供的数据信号的极性按每一水平扫描期间(IH)反转。例如，在连续的3个水平扫描期间Hl H3的Hl中，选择扫描信号线&ι(将其激活)。由此，如图3所示，向像素电极17a、17b写入相同的正的数据信号。接着，在H2中，选择扫描信号线Gm(将其激活)。由此，如图3所示，向像素电极17c、17d写入相同的负的数据信号，而且，晶体管82ab(参照图2)导通，因此，像素电极17b经由串联连接的电容Ca、Cb (合成电容=CaXCb/Ca+Cb)与像素电极17a连接，并且经由电容Cn与保持电容配线18nr连接。由此，电荷从像素电极17b逃逸，像素电极17b的电位向接近中心电位的方向变动，另一方面，像素电极17a的电位向远离中心电位的方向变动。其结果是，与像素电极17a对应的副像素成为亮副像素(+)，与像素电极17b对应的副像素成为暗副像素(+)。接着，在H3中，选择扫描信号线Gk(将其激活)。由此，晶体管82cd(参照图2)导通，因此，像素电极17d经由串联连接的电容Ce、Cd(合成电容=CcXCd/Cc+Cd)与像素电极17c连接，并且经由电容Cm与保持电容配线18mr连接。由此，电荷从像素电极17d逃逸，像素电极17d的电位向接近中心电位的方向变动，另一方面，像素电极17c的电位向远离中心电位的方向变动。其结果是，与像素电极17c对应的副像素成为亮副像素(_)，与像素电极17d对应的副像素成为暗副像素(_)。图1是示出图2所示液晶面板fe的1个像素的构成例的平面图。如图1所示，在液晶面板如中，在由扫描信号线和数据信号线1 划分的区域内，大致矩形的像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，另外，以横穿像素电极17a的中央的方式设有保持电容配线18即，以横穿像素电极17b的中央的方式设有保持电容配线18nr，以与像素电极17a、17b的间隙重叠的方式设有保持电容配线18nq。在扫描信号线与数据信号线15x的交叉部附近设有晶体管12a、12b。晶体管12a的源极电极与数据信号线1 连接，晶体管12a的漏极电极与引出电极27a连接。引出电极27a形成在像素电极17a的纵中央线下，与配置在像素电极17a下的电容电极37a相连(以同一层连接)。引出电极27a在像素电极17a的中央部下具有鼓出部67a，该鼓出部67a与像素电极17a经由2个接触孔Ila连接。另外，保持电容配线18np也在像素电极17a下具有大宽度部18npw，上述鼓出部67a与大宽度部ISnpw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csa(参照图2)。另外，晶体管12b的源极电极与数据信号线1 连接，晶体管12b的漏极电极与引出电极27b连接。引出电极27b在像素电极17b下具有鼓出部67b，该鼓出部67b与像素电极17b经由2个接触孔lib连接。另外，保持电容配线18nr在像素电极17b下具有大宽度部ISnrw，上述鼓出部67b与大宽度部ISnrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csb (参照图2)。另外，与扫描信号线的扫描方向下游侧相邻的扫描信号线Gm以与像素电极17b的扫描方向下游侧的边缘重叠的方式配置。扫描信号线Gm作为晶体管82ab的栅极电极发挥功能，晶体管82ab的源极电极与引出电极27b的顶端部连接，晶体管82ab的漏极电极与引出电极27η连接。引出电极27η在像素电极17b的纵中央线下形成，与配置在像素电极17a下的电容电极37b相连(以同一层连接)。引出电极27η在像素电极17b的中央部下具有鼓出部87η，该鼓出部87η与上述大宽度部ISnrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容Cn(参照图2)。在此，在像素电极17a的纵中央线下，与各扫描信号线、各保持电容配线在同一层形成浮岛状中继电极7ab。中继电极7ab隔着栅极绝缘膜分别与电容电极37a、37b重叠，在各个重叠部分形成电容Ca、Cb、(参照图2)。此外，数据信号线1 蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15xk和15xu分别与像素电
9极17a的图中左下边缘部和像素电极17b的图中左下边缘部重叠。另外，数据信号线15X也蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15 和15Xu分别与像素电极17a的图中右上边缘部和像素电极17b的图中右上边缘部重叠。图4是图1的向视截面图。如该图所示，液晶面板如具备有源矩阵基板3 ；与其相对的彩色滤光片基板30 ；以及配置在两基板(3、30)之间的液晶层40。在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成黑矩阵13和着色层14，在其上层形成共用电极(comU8。此外，液晶层30使用例如由紫外线决定取向的光取向模式0分割)的液晶。另一方面，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成扫描信号线&1、中继电极7ab以及保持电容配线18np(18npW)、18nq、18nr(18nrW)，以覆盖它们的方式形成例如200nm厚的包括SiNx的栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22上，例如由钛和铝形成半导体层(i层和η+层)、与η+层相接的源极电极、及漏极电极(未包括在截面中，因此未图示)以及引出电极27a (鼓出部67a)、电容电极37a、37b、及引出电极27n (鼓出部87η)，以覆盖它们的方式形成例如包括SiNx的无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上，形成比其厚O微米左右)的有机层间绝缘膜沈，在有机层间绝缘膜沈上形成像素电极17a、17b。此外，在接触孔Ila处挖穿无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，由此，像素电极17a与(引出电极27a的)鼓出部67a连接。并且，在鼓出部67a与(保持电容配线18np的)大宽度部ISnpw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容csa(参照图2)。在此，在与扫描信号线形成在同一层的中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37a重叠的部分形成电容Ca (参照图2、，在该中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37b重叠的部分形成电容Cb(参照图2)。另外，在(引出电极27η的)鼓出部87η与(保持电容配线18nr的)大宽度部ISnrw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容Cn(参照图2)。这样，在本液晶面板中，可以一边设置厚的有机层间绝缘膜沈，一边可靠地确保电容Ca、电容Cb以及电容Cn的各电容值。因此，可以采用使像素电极17a、17b的边缘与数据信号线15x、15X、扫描信号线&i、Gm重叠的高开口率的结构。另外，在各像素电极下，保持电容配线与引出电极和电容电极十字交叉，另外，数据信号线以与各像素电极的边缘重叠的方式蜿蜒，因此，可以隐藏使用光取向模式的液晶时所见的有钩的十字形状的向错(取向混乱)区域(参照图5)。另外，液晶面板fe是3晶体管电容耦合型的像素分割方式，因此，视野角特性良好，并且与1晶体管电容耦合型相比，具有不存在成为电悬浮的像素电极，可靠性高的优
点ο此外，也可以使图2的液晶面板fe如图6所示进行变形。即，在绿像素和红像素中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在蓝像素中，保持电容配线ISnp与保持电容配线18nq相互连接。另外，也可以如图7所示进行变形。即，在行方向相邻的2个像素中的一方中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在另一方中，保持电容配线18np与保持电容配线18nq相互连接，且在列方向相邻的2个像素中的一方中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在另一方中，保持电容配线ISnp与保持电容配线18nq相互连接。根据图6、图7的构成，可以缩小各保持电容配线所受的电位变动的幅度，可以抑制显示不均。[实施方式2]图8是示出本液晶面板恥的一部分的等价电路图。在液晶面板恥中，具备本级的扫描信号线；数据信号线；第1晶体管及第2晶体管，其与本级的扫描信号线连接；第3晶体管，其与下级的扫描信号线连接；以及第4晶体管，其与本级的扫描信号线连接，在1个像素中，设有第1像素电极，其与第1晶体管的漏极电极连接；第2像素电极，其与第2晶体管的漏极电极连接；第3像素电极，其与第4晶体管的漏极电极连接；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极，其是电悬浮的，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极分别与第1电容电极及第2电容电极形成电容，且上述第2电容电极与保持电容配线形成电容。例如，与包括在列方向排列的像素101、102的像素列对应地设有1根数据信号线15x,与包括在列方向排列的像素103、104的像素列对应地设有1根数据信号线15X，与包括在行方向排列的像素101、103的像素行对应地设有2根扫描信号线&i、gn和5根保持电容配线18np、18nq、18nr、18ns、18nt，与包括在行方向排列的像素102、104的像素行对应地设有2根扫描信号线Gm、gm和5根保持电容配线18mp、18mq、18mr、18ms、18mt。此外，扫描信号线&i、gn、Gm、gm沿着扫描方向按照该顺序排列。在此，在像素101中，3个像素电极17n、17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线连接的晶体管12a、12b、12η各自的源极电极与数据信号线1 连接，并且晶体管12a、12b、12η各自的漏极电极与像素电极17a、17b、17η连接，且与扫描信号线gn连接的晶体管82ab的源极电极与像素电极17b连接，晶体管82ab的漏极电极分别与中继电极7ab和保持电容配线18nr形成电容Cb和电容Cn，像素电极17a与中继电极7ab形成电容Ca。此外，在像素电极17a和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cla，并且在像素电极17b和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clb，且在像素电极17η和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cln，另外，在像素电极17a和保持电容配线ISnp之间形成保持电容csa，并且在像素电极17b和保持电容配线18nr之间形成保持电容csb，且在像素电极17η和保持电容配线18ns之间形成保持电容csn。另外，在与像素101在列方向相邻的像素102中，2个像素电极17m、17c、17d沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gm连接的晶体管12c、12d、iaii各自的源极电极与数据信号线1 连接，并且晶体管12c、12d、12m各自的漏极电极与像素电极17c、17d、17m连接，且与扫描信号线gm连接的晶体管82cd的源极电极与像素电极17d连接，晶体管82cd的漏极电极分别与中继电极7cd和保持电容配线18mr形成电容Cd和电容Cm，像素电极17c与中继电极7cd形成电容Ce。此外，在像素电极17c和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clc，并且在像素电极17d和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cld，且在像素电极17m和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clm，另外，在像素电极17c和保持电容配线18mp之间形成保持电容csc，并且在像素电极17d和保持电容配线18mr之间形成保持电容csd，且在像素电极17m和保持电容配线18ms之间形成保持电容csm。另外，在与像素101在行方向相邻的像素103中，2个像素电极17N、17A、17B沿着
11列方向按照该顺序排列，与扫描信号线连接的晶体管12A、12B、12N各自的源极电极与数据信号线15X连接，并且晶体管12A、12B、12N各自的漏极电极与像素电极17A、17B、17N连接，且与扫描信号线gn连接的晶体管82AB的源极电极与像素电极17B连接，晶体管82AB的漏极电极分别与中继电极7AB和保持电容配线18nr形成电容CB和电容CN，像素电极17A与中继电极7AB形成电容CA。此外，在像素电极17A和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1A，并且在像素电极17B和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1B，且在像素电极17N和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1N，另外，在像素电极17A和保持电容配线18np之间形成保持电容csA，并且在像素电极17B和保持电容配线ISnr之间形成保持电容csB，且在像素电极17N和保持电容配线18ns之间形成保持电容csN。另外，在与像素102在行方向相邻的像素104中，3个像素电极17M、17C、17D沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gm连接的晶体管12C、12D、12M各自的源极电极与数据信号线15X连接，并且晶体管12C、12D、12M各自的漏极电极与像素电极17C、17D、17M连接，且与扫描信号线gm连接的晶体管82⑶的源极电极与像素电极17D连接，晶体管82⑶的漏极电极分别与中继电极7CD和保持电容配线18mr形成电容CD和电容CM，像素电极17C与中继电极7CD形成电容CC。此外，在像素电极17C和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1C，并且在像素电极17D和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1D，且在像素电极17M和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1M，另外，在像素电极17C和保持电容配线18mp之间形成保持电容csC，并且在像素电极17D和保持电容配线ISmr之间形成保持电容csD，且在像素电极17M和保持电容配线18ms之间形成保持电容csM。图9是示出在液晶面板恥的一部分(包括图2的像素101、102)中进行中间灰度级全面显示时的驱动方法的时序图O帧的量)，图9的15x、15X示出向图8的数据信号线15x、15X提供的数据信号，图9的Gn、gn、Gm、gm示出向图8的扫描信号线Gn、gn、Gm、gm提供的扫描信号(激活高电平)，图9的17a 17d示出图8的像素电极17a 17d的电位。在图9所示的驱动方法中，每次2根地顺序选择扫描信号线，向相邻的2根数据信号线(例如15x、15X)提供极性相反的数据信号。此外，向各数据信号线提供的数据信号的极性按每一水平扫描期间(IH)反转。例如，在连续的3个水平扫描期间Hl H3的Hl中，选择扫描信号线&ι及其上游侧的扫描信号线(将其激活)。由此，如图9所示，向像素电极17a、17b、17n写入相同的正的数据信号。接着，在H2中，选择扫描信号线gn和扫描信号线Gm(将其激活)。由此，如图9所示，向像素电极17c、17d、17m写入相同的负的数据信号，而且，晶体管82ab(参照图8)导通，因此，像素电极17b经由串联连接的电容Ca、Cb(合成电容=CaXCb/Ca+Cb)与像素电极17a连接，并且经由电容Cn与保持电容配线ISnr连接。由此，电荷从像素电极17b逃逸，像素电极17b的电位向接近中心电位的方向变动，另一方面，像素电极17a的电位向远离中心电位的方向变动。另一方面，像素电极17η保持写入数据信号的原样而不变动。其结果是，与像素电极17a对应的副像素成为亮副像素(+)，与像素电极17b对应的副像素成为暗副像素(+)，与像素电极17η对应的副像素成为比亮副像素暗、比暗副像素亮的副像素(中副像素)。接着，在Η3中，选择扫描信号线gm及其下游侧的扫描信号线(将其激活)。由此，晶体管82cd(参照图8)导通，因此，像素电极17d经由串联连接的电容Cc、Cd(合成电容=CcXCd/Cc+Cd)与像素电极17c连接，并且经由电容Cm与保持电容配线18mr连接。由此，电荷从像素电极17d逃逸，像素电极17d的电位向接近中心电位的方向变动，另一方面，像素电极17c的电位向远离中心电位的方向变动。另一方面，像素电极17m保持写入数据信号的原样而不变动。其结果是，与像素电极17c对应的副像素成为亮副像素(_)，与像素电极17d对应的副像素成为暗副像素㈠，与像素电极17m对应的副像素成为中副像素㈠。图10是示出图8所示液晶面板恥的1个像素的构成例的平面图。如图10所示，在液晶面板恥中，在由扫描信号线和数据信号线1 划分的区域内，大致矩形的像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，而且，在像素电极17a的扫描方向上游侧配置像素电极17η。另外，以横穿像素电极17a的中央的方式设有保持电容配线18np，以横穿像素电极17b的中央的方式设有保持电容配线18nr，以与像素电极17a、17b的间隙重叠的方式设有保持电容配线18nq，以横穿像素电极17η的中央的方式设有保持电容配线18ns，以与像素电极17η的扫描方向上游侧的边缘重叠的方式设有保持电容配线18nt。扫描信号线以与像素电极17η和像素电极17a的间隙重叠的方式配置，在扫描信号线与数据信号线15x的交叉部附近设有晶体管12a、12b、12η。晶体管12η的源极电极与数据信号线1 连接，晶体管12η的漏极电极与引出电极27Ν连接。引出电极27Ν在像素电极17η的中央部下具有鼓出部67η，该鼓出部67η与像素电极17η经由2个接触孔Iln连接。另外，保持电容配线18ns也在像素电极17η下具有大宽度部ISnsw，上述鼓出部67η与大宽度部ISnsw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容CSn(参照图8)。晶体管12a的源极电极与数据信号线15x连接，晶体管12a的漏极电极与引出电极27a连接。引出电极27a在像素电极17a的纵中央线下形成，与配置在像素电极17a下的电容电极37a相连(以同一层连接)。引出电极27a在像素电极17a的中央部下具有鼓出部67a，该鼓出部67a与像素电极17a经由2个接触孔Ila连接。另外，保持电容配线18np也在像素电极17a下具有大宽度部18npw，上述鼓出部67a与大宽度部ISnpw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csa(参照图8)。另外，晶体管12b的源极电极与数据信号线1 连接，晶体管12b的漏极电极与引出电极27b连接。引出电极27b在像素电极17b下具有鼓出部67b，该鼓出部67b与像素电极17b经由2个接触孔lib连接。另外，保持电容配线18nr在像素电极17b下具有大宽度部ISnrw，上述鼓出部67b与大宽度部ISnrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csb (参照图8)。另外，与扫描信号线的扫描方向下游侧相邻的扫描信号线gn以与像素电极17b的扫描方向下游侧的边缘重叠的方式配置。扫描信号线gn作为晶体管82ab的栅极电极发挥功能，晶体管82ab的源极电极与引出电极27b的顶端部连接，晶体管82ab的漏极电极与引出电极27η连接。引出电极27η在像素电极17b的纵中央线下形成，与配置在像素电极17a下的电容电极37b相连(以同一层连接)。引出电极27η在像素电极17b的中央部下具有鼓出部87η，该鼓出部87η与上述大宽度部ISnrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容Cn (参照图8)。此外，引出电极27η和电容电极37b构成耦合电极。在此，在像素电极17a的纵中央线下，与各扫描信号线、各保持电容配线在同一层形成浮岛状中继电极7ab。中继电极7ab隔着栅极绝缘膜分别与电容电极37a、37b重叠，在各个重叠部分形成电容Ca、Cb、(参照图8)。此外，数据信号线1 蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15xk和15xu以及15xv各自与像素电极17a的图中左下边缘部和像素电极17b的图中左下边缘部以及像素电极17η的图中左下边缘部重叠。另外，数据信号线15Χ也蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15 和15Xu以及15XV分别与像素电极17a的图中右上边缘部和像素电极17b的图中右上边缘部以及像素电极17η的图中右上边缘部重叠。图10的截面图如图4所示。S卩，液晶面板恥具备有源矩阵基板3 ；与其相对的彩色滤光片基板30 ；以及配置在两基板(3、30)之间的液晶层40。在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成黑矩阵13和着色层14，在其上层形成共用电极(comU8。此外，液晶层30使用例如由紫外线决定取向的光取向模式0分割)的液晶。另一方面，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成扫描信号线&1、中继电极7ab以及保持电容配线18np(18npW)、18nq、18nr(18nrW)，以覆盖它们的方式形成例如200nm厚的包括SiNx的栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22上，例如由钛和铝形成半导体层(i层和η+层)、与η+层相接的源极电极、及漏极电极(未包括在截面中，因此未图示)以及引出电极27a (鼓出部67a)、电容电极37a、37b、及引出电极27n (鼓出部87η)，以覆盖它们的方式形成例如包括SiNx的无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上，形成比其厚O微米左右)的有机层间绝缘膜沈，在有机层间绝缘膜沈上形成像素电极17a、17b。此外，在接触孔Ila处挖穿无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，由此，像素电极17a与(引出电极27a的)鼓出部67a连接。并且，在鼓出部67a与(保持电容配线18np的)大宽度部ISnpw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容csa(参照图8)。在此，在与扫描信号线形成在同一层的中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37a重叠的部分形成电容Ca (参照图8)，在该中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37b重叠的部分形成电容Cb(参照图8)。另外，在(引出电极27η的)鼓出部87η与(保持电容配线18nr的)大宽度部ISnrw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容Cn(参照图8)。这样，在本液晶面板中，可以一边设置厚的有机层间绝缘膜沈，一边可靠地确保电容Ca、电容Cb以及电容Cn的各电容值。因此，可以采用使像素电极17a、17b的边缘与数据信号线15x、15X、扫描信号线&i、gm重叠的高开口率的结构。另外，在各像素电极下，保持电容配线与引出电极和电容电极十字交叉，另外，数据信号线以与各像素电极的边缘重叠的方式蜿蜒，因此，可以隐藏使用光取向模式的液晶时所见的有钩的十字形状的向错(取向混乱)区域(参照图11)。另外，液晶面板恥可以用具有亮、暗、中3种亮度(3种VT曲线)的副像素显示中间灰度级，因此，可以进一步提高视野角特性。另外，与1晶体管电容耦合型相比，具有不存在成为电悬浮的像素电极，可靠性高的优点。此外，也可以使图8的液晶面板恥如图12所示进行变形。即，在绿像素和红像素中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在蓝像素中，保持电容配线ISnp与保持电容配线18nq相互连接。另外，也可以如图13所示进行变形。即，在行方向相邻的2个像素中的一方中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在另一方中，保持电容配线18np与保持电容配线18nq相互连接，且在列方向相邻的2个像素中的一方中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在另一方中，保持电容配线ISnp与保持电容配线18nq相互连接。根据图12、图13的构成，可以缩小各保持电容配线所受的电位变动的幅度，可以抑制显示不均。此外，在图14中示出在图12、13的液晶面板的行方向相邻的2个像素的构成。在图10的液晶面板中，也可以使各像素电极采用鱼骨形状(PSA模式)。在图15中示出该构成。即使是该图15的构成，在各像素电极下保持电容配线与引出电极和电容电极十字交叉，因此，也可以隐藏在PSA模式中可见的十字形状的向错(取向混乱)区域(参照图16)。[实施方式3]图17是示出本液晶面板5c的一部分的等价电路图。在液晶面板5c中，具备本级的扫描信号线；数据信号线；以及第1晶体管，其与本级的扫描信号线连接，在1个像素中，设有第ι像素电极，其与第1晶体管的漏极电极连接；第2像素电极；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其与第2像素电极连接；以及中继电极，其是电悬浮的，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极分别与第1电容电极及第2电容电极形成电容。例如，与包括在列方向排列的像素101、102的像素列对应地设有1根数据信号线15x,与包括在列方向排列的像素103、104的像素列对应地设有1根数据信号线15X，与包括在行方向排列的像素101、103的像素行对应地设有1根扫描信号线和3根保持电容配线18np、18nq、18nr，与包括在行方向排列的像素102、104的像素行对应地设有1根扫描信号线Gm和3根保持电容配线18mp、18mq、18mr。此外，扫描信号线Gn、Gm沿着扫描方向按照该顺序排列。在此，例如在像素101中，2个像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线连接的晶体管1 的源极电极与数据信号线1 连接，并且晶体管1 的漏极电极与像素电极17a连接，中继电极7ab分别与像素电极17a和像素电极17b形成电容Ca、Cb。此外，在像素电极17a和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cla，并且在像素电极17b和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clb，在像素电极17a和保持电容配线18np之间形成保持电容csa，并且在像素电极17b和保持电容配线ISnr之间形成保持电容csb。像素102 104也是相同的构成。图18是示出在液晶面板5c的一部分(包括图17的像素101、102)中进行中间灰度级全面显示时的驱动方法的时序图O帧的量)，图18的15x、15X示出向图17的数据信号线15x、15X提供的数据信号，图18的&1、Gm示出向图17的扫描信号线&i、Gm提供的扫描信号(激活高电平)，图18的17a 17d示出图17的像素电极17a 17d的电位。在图18所示的驱动方法中，每次1根地顺序选择扫描信号线，向相邻的2根数据信号线(例如15x、15X)提供极性相反的数据信号。此外，向各数据信号线提供的数据信号的极性按每一水平扫描期间(IH)反转。例如，在连续的3个水平扫描期间Hl H3的Hl中，选择扫描信号线&ι(将其激活)。由此，如图18所示，向像素电极17a写入正的数据信号。在此，像素电极17b经由串联连接的电容Ca、Cb (合成电容=CaXCb/Ca+Cb)与像素电极17a连接。因此，像素电极 17b的电位比像素电极17a的电位靠近中心电位。其结果是，与像素电极17a对应的副像素成为亮副像素(+)，与像素电极17b对应的副像素成为暗副像素(+)。接着，在H2中，选择扫描信号线Gm(将其激活)。由此，如图18所示，向像素电极17c写入负的数据信号。在此，像素电极17d经由串联连接的电容Ce、Cd(合成电容= CcXCd/Cc+Cd)与像素电极17c连接。因此，像素电极17d的电位比像素电极17c的电位靠近中心电位。其结果是，与像素电极17c对应的副像素成为亮副像素(_)，与像素电极17d 对应的副像素成为暗副像素(_)。图19是示出图17所示液晶面板5c的1个像素的构成例的平面图。如图19所示， 在液晶面板5c中，在由扫描信号线和数据信号线1 划分的区域内，大致矩形的像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，另外，以横穿像素电极17a的中央的方式设有保持电容配线18即，以横穿像素电极17b的中央的方式设有保持电容配线18nr，以与像素电极 17a、17b的间隙重叠的方式设有保持电容配线18nq。在扫描信号线与数据信号线1 的交叉部附近设有晶体管12a。晶体管1 的源极电极与数据信号线1 连接，晶体管1 的漏极电极与引出电极27a连接。引出电极 27a在像素电极17a的纵中央线下形成，与配置在像素电极17a下的电容电极37a相连(以同一层连接)。引出电极27a在像素电极17a的中央部下具有鼓出部67a，该鼓出部67a与像素电极17a经由2个接触孔Ila连接。另外，保持电容配线18np也在像素电极17a下具有大宽度部18npw，上述鼓出部67a与大宽度部ISnpw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csa(参照图17)。另外，在像素电极17b的纵中央线下形成引出电极27η，引出电极27η与配置在像素电极17a下的电容电极37b相连(以同一层连接)。引出电极27η在像素电极17b的中央部下具有鼓出部67η，该鼓出部67η与像素电极17b经由2个接触孔lib连接。另外，保持电容配线18nr也在像素电极17b下具有大宽度部ISnrw，上述鼓出部67η与该大宽度部 ISnrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csb(参照图17)。在此，在像素电极17a的纵中央线下，与各扫描信号线、各保持电容配线在同一层形成浮岛状中继电极7ab。中继电极7ab隔着栅极绝缘膜分别与电容电极37a、37b重叠，在各个重叠部分形成电容Ca、Cb、(参照图17)。此外，数据信号线1 蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15xk和15xu分别与像素电极17a的图中左下边缘部和像素电极17b的图中左下边缘部重叠。另外，数据信号线15X 也蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15 和15Xu分别与像素电极17a的图中右上边缘部和像素电极17b的图中右上边缘部重叠。图20是图19的向视截面图。如该图所示，液晶面板5c具备有源矩阵基板3 ；与其相对的彩色滤光片基板30 ；以及配置在两基板(3、30)之间的液晶层40。在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成黑矩阵13和着色层14，在其上层形成共用电极(comU8。此外，液晶层30使用例如由紫外线决定取向的光取向模式0分割)的液晶。另一方面，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成扫描信号线&1、中继电极7ab以及保持电容配线18np(18npW)、18nq、18nr(18nrW)，以覆盖它们的方式形成例如 200nm厚的包括SiNx的栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22上，例如由钛和铝形成半导体层 (i层和η+层)、与η+层相接的源极电极、及漏极电极(未包括在截面中，因此未图示)以及引出电极27a (鼓出部67a)、电容电极37a、37b、及引出电极27n (鼓出部67η)，以覆盖它们的方式形成例如包括SiNx的无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上，形成比其厚 0微米左右)的有机层间绝缘膜沈，在有机层间绝缘膜沈上形成像素电极17a、17b。此外，在接触孔Ila处挖穿无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，由此，像素电极17a与 (引出电极27a的)鼓出部67a连接。另外，在接触孔lib处挖穿无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，由此，像素电极17b与(引出电极27η的)鼓出部67η连接。并且，在鼓出部67a与(保持电容配线18np的)大宽度部ISnpw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容csa(参照图17)。另外，在鼓出部67η与(保持电容配线18nr 的)大宽度部ISnrw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容csb(参照图17)。在此，在与扫描信号线形成在同一层的中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37a重叠的部分形成电容Ca(参照图17)，在该中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜 22与电容电极37b重叠的部分形成电容Cb (参照图17)。这样，在本液晶面板中，可以一边设置厚的有机层间绝缘膜沈，一边可靠地确保电容Ca、电容Cb以及电容Cn的各电容值。因此，可以采用使像素电极17a、17b的边缘与数据信号线15x、15X、扫描信号线&i、Gm重叠的高开口率的结构。另外，在各像素电极下，保持电容配线与引出电极和电容电极十字交叉，另外，数据信号线以与各像素电极的边缘重叠的方式蜿蜒，因此，可以隐藏使用光取向模式的液晶时所见的有钩的十字形状的向错(取向混乱)区域(参照图21)。另外，液晶面板5c是1晶体管电容耦合型的像素分割方式，因此，视野角特性良好，并且与3晶体管电容耦合型相比，具有构成简单的优点。本发明不限于上述实施方式，根据技术常识适当改变上述实施方式的内容、将它们组合后得到的内容也包括在本发明的实施方式中。工业上的可利用性本发明的有源矩阵基板、液晶面板适用于例如液晶电视。附图标记说明 5c液晶面板12a 12d、12A 12D 晶体管12i、12j、12I、12J 晶体管lh、15X数据信号线Gm、Gn、(ik扫描信号线18ip、18iq、18ir、18is、18it 保持电容配线22栅极绝缘膜25无机绝缘膜沈有机绝缘膜101 104 像素601电视接收机
800液晶显示装置
权利要求
1.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备扫描信号线；数据信号线；第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；以及第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接，在1个像素区域中设有第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极，其与第2晶体管连接；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，具备与上述第2电容电极形成电容的保持电容配线。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，在各晶体管的沟道上形成的层间绝缘膜中包含有机绝缘膜。
4.根据权利要求1 3中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，连接有第1晶体管及第2晶体管的扫描信号线与连接有第3晶体管的扫描信号线沿着扫描方向按照该顺序相邻配置。
5.根据权利要求1 4中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，上述第1像素电极及第2像素电极与数据信号线重叠。
6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，其特征在于，上述数据信号线以与第1像素电极及第2像素电极的边缘部重叠的方式蜿蜒。
7.根据权利要求1 6中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时，在像素区域中，第1像素电极及第2像素电极纵向排列，从上述第1晶体管引出并与第1电容电极相连的引出电极、第1电容电极、从第3晶体管引出并与第2电容电极相连的引出电极以及第2电容电极以纵贯像素区域的方式配置。
8.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时，具备第1保持电容配线，其以横穿第1像素电极的方式配置；第2保持电容配线，其以横穿第2像素电极的方式配置；以及第3保持电容配线，其以与第1像素电极及第2像素电极的间隙重叠的方式配置。
9.根据权利要求8所述的有源矩阵基板，其特征在于，上述第2电容电极与第2保持电容配线形成电容。
10.根据权利要求8所述的有源矩阵基板，其特征在于，第1保持电容配线或第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。
11.根据权利要求10所述的有源矩阵基板，其特征在于，在与某种颜色对应的像素区域中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在与其它颜色对应的像素区域中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。
12.根据权利要求10所述的有源矩阵基板，其特征在于，在横向相邻的2个像素区域中的一方中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在另一方中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，且在纵向相邻的2个像素区域中的一方中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在另一方中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。
13.根据权利要求1 12中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，具备第4晶体管，其与上述第1晶体管及第2晶体管连接于同一扫描信号线；以及第3像素电极，其与该第4晶体管连接。
14.根据权利要求1 13中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，第1像素电极及第2像素电极是鱼骨形状。
15.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备扫描信号线；数据信号线；以及第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接，在1个像素区域中设有第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其与第2像素电极连接；以及中继电极，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。
16.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备扫描信号线；数据信号线；第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接；第4晶体管，其与上述第1晶体管及第2晶体管连接于同一扫描信号线；以及保持电容配线，在1个像素区域中设有第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极，其与第2晶体管连接；第3像素电极，其与第4晶体管连接；以及耦合电极，其分别与第1像素电极及保持电容配线形成电容，该耦合电极经由第3晶体管与第2像素电极连接。
17.一种液晶面板，其特征在于，具备权利要求1 16中的任1项所述的有源矩阵基板和液晶层。
18.根据权利要求17所述的液晶面板，其特征在于，上述液晶层由紫外线规定取向。
19.一种电视接收机，其特征在于，具备包含权利要求17或18所述的液晶面板的液晶显示装置；以及接收电视广播的调谐部。
全文摘要
本有源矩阵基板具备扫描信号线(Gn)；数据信号线(15x)；第1晶体管及第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；以及第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线(Gm)连接，在1个像素区域中设有第1像素电极(17a)，其与第1晶体管连接；第2像素电极(17b)，其与第2晶体管连接；第1电容电极(37a)，其与第1像素电极连接；第2电容电极(37b)，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极(7ab)，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。这样的话，可以增厚沟道保护膜(层间绝缘膜)。
文档编号G09F9/30GK102576175SQ201080046989
公开日2012年7月11日 申请日期2010年10月21日 优先权日2009年10月23日
发明者吉田秀史 申请人:夏普株式会社
技术领域：
本发明涉及像素分割方式的有源矩阵基板、液晶面板。
背景技术：
作为用于提高液晶显示装置的视野角特性的技术，已知在液晶面板的1个像素中设置2个像素电极(与亮副像素对应的亮像素电极和与暗副像素对应的暗像素电极)的像素分割方式。在像素分割方式中，存在以下电容耦合型1晶体管电容耦合型，其使亮像素电极经由与本级的扫描信号线相连的晶体管而与数据信号线连接，使暗像素电极经由耦合电容与亮像素电极连接；3晶体管电容耦合型(例如，参照专利文献1)，其使亮、暗像素电极各自经由与本级的扫描信号线相连的不同的晶体管而与数据信号线连接，并且使与亮像素电极形成耦合电容的电容电极经由与下级相连的晶体管而与暗像素电极连接。在1晶体管电容耦合型中，暗像素电极是电悬浮的，成为像素残影的原因，而在3晶体管电容耦合型中，明、暗像素电极各自不是电悬浮的，难以产生像素残影。现有技术文献专利文献专利文献1 日本公开专利公报“特开2008-33218号公报(
公开日2008年2月14 日)”
发明内容
发明要解决的问题但是，在现有的1晶体管或3晶体管电容耦合型液晶面板中，例如，如图22所示，使暗像素电极与和数据信号线形成在同一层的电容电极169a(源极金属)连接，使该电容电极169a与亮像素电极181隔着沟道保护膜(层间绝缘膜)17重叠，由此形成耦合电容。因此，为了确保耦合电容的值，需要使沟道保护膜按某程度变薄，存在无法采用增厚沟道保护膜(例如，使用有机绝缘膜)来使像素电极与数据信号线、扫描信号线重叠的高开口率结构的问题。另外，还存在以下问题无法增厚沟道保护膜，因此，无法减小像素电极和数据信号线或扫描信号线之间的寄生电容，像素电极和数据信号线易于发生短路，无法提高像素电极(例如，ΙΤ0)形成面的平坦度。在本发明中，提出了可以增厚沟道保护膜(层间绝缘膜)的电容耦合型有源矩阵基板。用于解决问题的方案本有源矩阵基板的特征在于，具备扫描信号线；数据信号线；第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；以及第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接，在1个像素区域(与1种颜色的像素对应的区域)中设有第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极，其与第2晶体管连接 ’第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。根据上述构成，可以通过中继电极和第1电容电极之间的电容与中继电极及第2电容电极之间的电容的合成电容(串联连接各电容的电容)来形成3晶体管电容耦合型的亮、暗像素电极的耦合电容。因此，可以增厚晶体管的沟道保护膜(层间绝缘膜)，可以采用使像素电极与数据信号线、扫描信号线重叠的高开口率结构。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，具备与上述第2电容电极形成电容的保持电容配线。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，在各晶体管的沟道上形成的层间绝缘膜中包含有机绝缘膜。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，连接有第1晶体管及第2晶体管的扫描信号线与连接有第3晶体管的扫描信号线沿着扫描方向按照该顺序相邻配置。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，上述第1像素电极及第2像素电极与数据信号线重叠。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，上述数据信号线以与第1像素电极及第2像素电极的边缘部重叠的方式蜿蜒。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时，在像素区域中，第1像素电极及第2像素电极纵向排列，从上述第1晶体管引出并与第1电容电极相连的引出电极、第1电容电极、从第3晶体管引出并与第2电容电极相连的引出电极以及第2电容电极以纵贯像素区域的方式配置。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时，具备第ι保持电容配线，其以横穿第1像素电极的方式配置；第2保持电容配线，其以横穿第2像素电极的方式配置；以及第3保持电容配线，其以与第1像素电极及第2像素电极的间隙重叠的方式配置。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，上述第2电容电极与第2保持电容配线形成电容。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，第1保持电容配线或第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，在与某种颜色对应的像素区域中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在与其它颜色对应的像素区域中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，在横向相邻的2个像素区域中的一方中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在另一方中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，且在纵向相邻的2个像素区域中的一方中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在另一方中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，具备第4晶体管，其与上述第1晶体管及第2晶体管连接于同一扫描信号线；以及第3像素电极，其与该第4晶体管连接。
也可以采用以下构成在本有源矩阵基板中，第1像素电极及第2像素电极是鱼骨形状。本有源矩阵基板的特征在于，具备扫描信号线；数据信号线；以及第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接，在1个像素区域(与1种颜色的像素对应的区域)中设有第ι像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其与第2像素电极连接；以及中继电极，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。本有源矩阵基板的特征在于，具备扫描信号线；数据信号线；第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接；第4晶体管，其与上述第1晶体管及第2晶体管连接于同一扫描信号线；以及保持电容配线，在1个像素区域(与1种颜色的像素对应的区域)中设有第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极，其与第2晶体管连接；第3像素电极，其与第4晶体管连接；以及耦合电极，其分别与第1像素电极及保持电容配线形成电容，该耦合电极经由第3晶体管与第2像素电极连接。本液晶面板的特征在于，具备上述有源矩阵基板和液晶层。也可以采用以下构成在本液晶面板中，上述液晶层由紫外线规定取向。本电视接收机的特征在于，具备包含上述液晶面板的液晶显示装置和接收电视广播的调谐部。发明效果如上所示，根据本发明，可以实现能够增厚沟道保护膜(层间绝缘膜)的电容耦合型有源矩阵基板。
图1是示出实施方式1的液晶面板的构成的平面图。图2是示出实施方式1的液晶面板的构成的电路图。图3是示出图2的液晶面板的驱动方法的时序图。图4是图1的向视截面图。图5是在图1的液晶面板中使用了光取向液晶时的向错(取向混乱)区域的平面图。图6是示出实施方式2的液晶面板的其它构成的平面图。图7是示出实施方式2的液晶面板的另外其它构成的平面图。图8是示出实施方式2的液晶面板的构成的电路图。图9是示出图8的液晶面板的驱动方法的时序图。图10是示出实施方式2的液晶面板的构成的平面图。图11是在图10的液晶面板中使用了光取向液晶时的向错(取向混乱)区域的平面图。图12是示出实施方式2的液晶面板的其它构成的平面图。图13是示出实施方式2的液晶面板的另外其它构成的平面图。
图14是示出图12、13的液晶面板的构成的平面图。图15是示出实施方式2的液晶面板的另外其它构成的平面图。图16是示出图15的液晶面板的向错(取向混乱)区域的平面图。图17是示出实施方式3的液晶面板的构成的电路图。图18是示出图17的液晶面板的驱动方法的时序图。图19是示出实施方式3的液晶面板的构成的平面图。图20是图19的向视截面图。图21是示出在图19的液晶面板中使用了光取向液晶时的向错(取向混乱)区域的平面图。图22是示出现有的液晶面板的构成的示意图。
具体实施例方式如下所示，使用图1 21来说明本发明的实施方式的例子。此外，为了便于说明，下面将数据信号线的延伸方向设为纵(列)向，将扫描信号线的延伸方向设为横(行)向。但是，在本液晶显示装置(或其所用的液晶面板、有源矩阵基板)的利用(视听)状态下，当然其扫描信号线可以横向延伸也可以纵向延伸。另外，有源矩阵基板的1个像素区域与液晶面板、液晶显示装置的1个像素对应。[实施方式1]图2是示出本液晶面板fe的一部分的等价电路图。在液晶面板如中，具备本级的扫描信号线；数据信号线；第1晶体管及第2晶体管，其与本级的扫描信号线连接；以及第3晶体管，其与下级的扫描信号线连接，在1个像素中，设有第1像素电极，其与第1晶体管的漏极电极连接；第2像素电极，其与第2晶体管的漏极电极连接；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极，其是电悬浮的，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极分别与第1电容电极及第2电容电极形成电容，且上述第2电容电极与保持电容配线形成电容。例如，与包括在列方向排列的像素101、102的像素列对应地设有1根数据信号线15x,与包括在列方向排列的像素103、104的像素列对应地设有1根数据信号线15X，与包括在行方向排列的像素101、103的像素行对应地设有1根扫描信号线和3根保持电容配线18np、18nq、18nr，与包括在行方向排列的像素102、104的像素行对应地设有1根扫描信号线Gm和3根保持电容配线18mp、18mq、18mr。此外，扫描信号线Gn、Gm、Gk沿着扫描方向按照该顺序排列。在此，在像素101中，2个像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线连接的晶体管lh、12b各自的源极电极与数据信号线1 连接，并且晶体管12a、12b各自的漏极电极与像素电极17a、17b连接，且与扫描信号线Gm连接的晶体管82ab的源极电极与像素电极17b连接，晶体管82ab的漏极电极分别与中继电极7ab和保持电容配线18nr形成电容Cb和电容Cn，像素电极17a与中继电极7ab形成电容Ca。此外，在像素电极17a和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cla，并且在像素电极17b和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clb，在像素电极17a和保持电容配线18np之间形成保持电容csa，并且在像素电极17b和保持电容配线18nr之间形成保持电容csb。另外，在与像素101在列方向相邻的像素102中，2个像素电极17c、17d沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gm连接的晶体管12c、12d各自的源极电极与数据信号线15x连接，并且晶体管12c、12d各自的漏极电极与像素电极17c、17d连接，且与扫描信号线( 连接的晶体管82cd的源极电极与像素电极17d连接，晶体管82cd的漏极电极分别与中继电极7cd和保持电容配线18mr形成电容Cd和电容Cm，像素电极17c与中继电极7cd形成电容Ce。此外，在像素电极17c和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clc，并且在像素电极17d和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cld，在像素电极17c和保持电容配线18mp之间形成保持电容csc，并且在像素电极17d和保持电容配线ISmr之间形成保持电容csd。另外，在与像素101在行方向相邻的像素103中，2个像素电极17A、17B沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线连接的晶体管12A、12B各自的源极电极与数据信号线15X连接，并且晶体管12A、12B各自的漏极电极与像素电极17A、17B连接，且与扫描信号线Gm连接的晶体管82AB的源极电极与像素电极17B连接，晶体管82AB的漏极电极分别与中继电极7AB和保持电容配线18nr形成电容CB和电容CN，像素电极17A与中继电极7AB形成电容CA。此外，在像素电极17A和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1A，并且在像素电极17B和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容ClB，在像素电极17A和保持电容配线18np之间形成保持电容csA，并且在像素电极17B和保持电容配线ISnr之间形成保持电容csB。另外，在与像素102在行方向相邻的像素104中，2个像素电极17C、17D沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gm连接的晶体管12C、12D各自的源极电极与数据信号线15X连接，并且晶体管12C、12D各自的漏极电极与像素电极17C、17D连接，且与扫描信号线Gk连接的晶体管82⑶的源极电极与像素电极17D连接，晶体管82⑶的漏极电极分别与中继电极7⑶和保持电容配线18mr形成电容⑶和电容CM，像素电极17C与中继电极7⑶形成电容CC。此外，在像素电极17C和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1C，并且在像素电极17D和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1D，在像素电极17C和保持电容配线18mp之间形成保持电容csC，并且在像素电极17D和保持电容配线ISmr之间形成保持电容csD。图3是示出在液晶面板如的一部分(包括图2的像素101、102)中进行中间灰度级全面显示时的驱动方法的时序图O帧的量)，图3的15x、15X示出向图2的数据信号线15x、15X提供的数据信号，图3的&1、Gm、Gk示出向图2的扫描信号线Gm、Gk提供的扫描信号(激活高电平)，图3的17a 17d示出图1的像素电极17a 17d的电位。在图3所示的驱动方法中，每次1根地顺序选择扫描信号线，向相邻的2根数据信号线(例如15x、15X)提供极性相反的数据信号。此外，向各数据信号线提供的数据信号的极性按每一水平扫描期间(IH)反转。例如，在连续的3个水平扫描期间Hl H3的Hl中，选择扫描信号线&ι(将其激活)。由此，如图3所示，向像素电极17a、17b写入相同的正的数据信号。接着，在H2中，选择扫描信号线Gm(将其激活)。由此，如图3所示，向像素电极17c、17d写入相同的负的数据信号，而且，晶体管82ab(参照图2)导通，因此，像素电极17b经由串联连接的电容Ca、Cb (合成电容=CaXCb/Ca+Cb)与像素电极17a连接，并且经由电容Cn与保持电容配线18nr连接。由此，电荷从像素电极17b逃逸，像素电极17b的电位向接近中心电位的方向变动，另一方面，像素电极17a的电位向远离中心电位的方向变动。其结果是，与像素电极17a对应的副像素成为亮副像素(+)，与像素电极17b对应的副像素成为暗副像素(+)。接着，在H3中，选择扫描信号线Gk(将其激活)。由此，晶体管82cd(参照图2)导通，因此，像素电极17d经由串联连接的电容Ce、Cd(合成电容=CcXCd/Cc+Cd)与像素电极17c连接，并且经由电容Cm与保持电容配线18mr连接。由此，电荷从像素电极17d逃逸，像素电极17d的电位向接近中心电位的方向变动，另一方面，像素电极17c的电位向远离中心电位的方向变动。其结果是，与像素电极17c对应的副像素成为亮副像素(_)，与像素电极17d对应的副像素成为暗副像素(_)。图1是示出图2所示液晶面板fe的1个像素的构成例的平面图。如图1所示，在液晶面板如中，在由扫描信号线和数据信号线1 划分的区域内，大致矩形的像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，另外，以横穿像素电极17a的中央的方式设有保持电容配线18即，以横穿像素电极17b的中央的方式设有保持电容配线18nr，以与像素电极17a、17b的间隙重叠的方式设有保持电容配线18nq。在扫描信号线与数据信号线15x的交叉部附近设有晶体管12a、12b。晶体管12a的源极电极与数据信号线1 连接，晶体管12a的漏极电极与引出电极27a连接。引出电极27a形成在像素电极17a的纵中央线下，与配置在像素电极17a下的电容电极37a相连(以同一层连接)。引出电极27a在像素电极17a的中央部下具有鼓出部67a，该鼓出部67a与像素电极17a经由2个接触孔Ila连接。另外，保持电容配线18np也在像素电极17a下具有大宽度部18npw，上述鼓出部67a与大宽度部ISnpw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csa(参照图2)。另外，晶体管12b的源极电极与数据信号线1 连接，晶体管12b的漏极电极与引出电极27b连接。引出电极27b在像素电极17b下具有鼓出部67b，该鼓出部67b与像素电极17b经由2个接触孔lib连接。另外，保持电容配线18nr在像素电极17b下具有大宽度部ISnrw，上述鼓出部67b与大宽度部ISnrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csb (参照图2)。另外，与扫描信号线的扫描方向下游侧相邻的扫描信号线Gm以与像素电极17b的扫描方向下游侧的边缘重叠的方式配置。扫描信号线Gm作为晶体管82ab的栅极电极发挥功能，晶体管82ab的源极电极与引出电极27b的顶端部连接，晶体管82ab的漏极电极与引出电极27η连接。引出电极27η在像素电极17b的纵中央线下形成，与配置在像素电极17a下的电容电极37b相连(以同一层连接)。引出电极27η在像素电极17b的中央部下具有鼓出部87η，该鼓出部87η与上述大宽度部ISnrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容Cn(参照图2)。在此，在像素电极17a的纵中央线下，与各扫描信号线、各保持电容配线在同一层形成浮岛状中继电极7ab。中继电极7ab隔着栅极绝缘膜分别与电容电极37a、37b重叠，在各个重叠部分形成电容Ca、Cb、(参照图2)。此外，数据信号线1 蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15xk和15xu分别与像素电
9极17a的图中左下边缘部和像素电极17b的图中左下边缘部重叠。另外，数据信号线15X也蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15 和15Xu分别与像素电极17a的图中右上边缘部和像素电极17b的图中右上边缘部重叠。图4是图1的向视截面图。如该图所示，液晶面板如具备有源矩阵基板3 ；与其相对的彩色滤光片基板30 ；以及配置在两基板(3、30)之间的液晶层40。在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成黑矩阵13和着色层14，在其上层形成共用电极(comU8。此外，液晶层30使用例如由紫外线决定取向的光取向模式0分割)的液晶。另一方面，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成扫描信号线&1、中继电极7ab以及保持电容配线18np(18npW)、18nq、18nr(18nrW)，以覆盖它们的方式形成例如200nm厚的包括SiNx的栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22上，例如由钛和铝形成半导体层(i层和η+层)、与η+层相接的源极电极、及漏极电极(未包括在截面中，因此未图示)以及引出电极27a (鼓出部67a)、电容电极37a、37b、及引出电极27n (鼓出部87η)，以覆盖它们的方式形成例如包括SiNx的无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上，形成比其厚O微米左右)的有机层间绝缘膜沈，在有机层间绝缘膜沈上形成像素电极17a、17b。此外，在接触孔Ila处挖穿无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，由此，像素电极17a与(引出电极27a的)鼓出部67a连接。并且，在鼓出部67a与(保持电容配线18np的)大宽度部ISnpw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容csa(参照图2)。在此，在与扫描信号线形成在同一层的中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37a重叠的部分形成电容Ca (参照图2、，在该中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37b重叠的部分形成电容Cb(参照图2)。另外，在(引出电极27η的)鼓出部87η与(保持电容配线18nr的)大宽度部ISnrw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容Cn(参照图2)。这样，在本液晶面板中，可以一边设置厚的有机层间绝缘膜沈，一边可靠地确保电容Ca、电容Cb以及电容Cn的各电容值。因此，可以采用使像素电极17a、17b的边缘与数据信号线15x、15X、扫描信号线&i、Gm重叠的高开口率的结构。另外，在各像素电极下，保持电容配线与引出电极和电容电极十字交叉，另外，数据信号线以与各像素电极的边缘重叠的方式蜿蜒，因此，可以隐藏使用光取向模式的液晶时所见的有钩的十字形状的向错(取向混乱)区域(参照图5)。另外，液晶面板fe是3晶体管电容耦合型的像素分割方式，因此，视野角特性良好，并且与1晶体管电容耦合型相比，具有不存在成为电悬浮的像素电极，可靠性高的优
点ο此外，也可以使图2的液晶面板fe如图6所示进行变形。即，在绿像素和红像素中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在蓝像素中，保持电容配线ISnp与保持电容配线18nq相互连接。另外，也可以如图7所示进行变形。即，在行方向相邻的2个像素中的一方中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在另一方中，保持电容配线18np与保持电容配线18nq相互连接，且在列方向相邻的2个像素中的一方中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在另一方中，保持电容配线ISnp与保持电容配线18nq相互连接。根据图6、图7的构成，可以缩小各保持电容配线所受的电位变动的幅度，可以抑制显示不均。[实施方式2]图8是示出本液晶面板恥的一部分的等价电路图。在液晶面板恥中，具备本级的扫描信号线；数据信号线；第1晶体管及第2晶体管，其与本级的扫描信号线连接；第3晶体管，其与下级的扫描信号线连接；以及第4晶体管，其与本级的扫描信号线连接，在1个像素中，设有第1像素电极，其与第1晶体管的漏极电极连接；第2像素电极，其与第2晶体管的漏极电极连接；第3像素电极，其与第4晶体管的漏极电极连接；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极，其是电悬浮的，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极分别与第1电容电极及第2电容电极形成电容，且上述第2电容电极与保持电容配线形成电容。例如，与包括在列方向排列的像素101、102的像素列对应地设有1根数据信号线15x,与包括在列方向排列的像素103、104的像素列对应地设有1根数据信号线15X，与包括在行方向排列的像素101、103的像素行对应地设有2根扫描信号线&i、gn和5根保持电容配线18np、18nq、18nr、18ns、18nt，与包括在行方向排列的像素102、104的像素行对应地设有2根扫描信号线Gm、gm和5根保持电容配线18mp、18mq、18mr、18ms、18mt。此外，扫描信号线&i、gn、Gm、gm沿着扫描方向按照该顺序排列。在此，在像素101中，3个像素电极17n、17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线连接的晶体管12a、12b、12η各自的源极电极与数据信号线1 连接，并且晶体管12a、12b、12η各自的漏极电极与像素电极17a、17b、17η连接，且与扫描信号线gn连接的晶体管82ab的源极电极与像素电极17b连接，晶体管82ab的漏极电极分别与中继电极7ab和保持电容配线18nr形成电容Cb和电容Cn，像素电极17a与中继电极7ab形成电容Ca。此外，在像素电极17a和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cla，并且在像素电极17b和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clb，且在像素电极17η和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cln，另外，在像素电极17a和保持电容配线ISnp之间形成保持电容csa，并且在像素电极17b和保持电容配线18nr之间形成保持电容csb，且在像素电极17η和保持电容配线18ns之间形成保持电容csn。另外，在与像素101在列方向相邻的像素102中，2个像素电极17m、17c、17d沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gm连接的晶体管12c、12d、iaii各自的源极电极与数据信号线1 连接，并且晶体管12c、12d、12m各自的漏极电极与像素电极17c、17d、17m连接，且与扫描信号线gm连接的晶体管82cd的源极电极与像素电极17d连接，晶体管82cd的漏极电极分别与中继电极7cd和保持电容配线18mr形成电容Cd和电容Cm，像素电极17c与中继电极7cd形成电容Ce。此外，在像素电极17c和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clc，并且在像素电极17d和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cld，且在像素电极17m和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clm，另外，在像素电极17c和保持电容配线18mp之间形成保持电容csc，并且在像素电极17d和保持电容配线18mr之间形成保持电容csd，且在像素电极17m和保持电容配线18ms之间形成保持电容csm。另外，在与像素101在行方向相邻的像素103中，2个像素电极17N、17A、17B沿着
11列方向按照该顺序排列，与扫描信号线连接的晶体管12A、12B、12N各自的源极电极与数据信号线15X连接，并且晶体管12A、12B、12N各自的漏极电极与像素电极17A、17B、17N连接，且与扫描信号线gn连接的晶体管82AB的源极电极与像素电极17B连接，晶体管82AB的漏极电极分别与中继电极7AB和保持电容配线18nr形成电容CB和电容CN，像素电极17A与中继电极7AB形成电容CA。此外，在像素电极17A和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1A，并且在像素电极17B和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1B，且在像素电极17N和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1N，另外，在像素电极17A和保持电容配线18np之间形成保持电容csA，并且在像素电极17B和保持电容配线ISnr之间形成保持电容csB，且在像素电极17N和保持电容配线18ns之间形成保持电容csN。另外，在与像素102在行方向相邻的像素104中，3个像素电极17M、17C、17D沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线Gm连接的晶体管12C、12D、12M各自的源极电极与数据信号线15X连接，并且晶体管12C、12D、12M各自的漏极电极与像素电极17C、17D、17M连接，且与扫描信号线gm连接的晶体管82⑶的源极电极与像素电极17D连接，晶体管82⑶的漏极电极分别与中继电极7CD和保持电容配线18mr形成电容CD和电容CM，像素电极17C与中继电极7CD形成电容CC。此外，在像素电极17C和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1C，并且在像素电极17D和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1D，且在像素电极17M和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容C1M，另外，在像素电极17C和保持电容配线18mp之间形成保持电容csC，并且在像素电极17D和保持电容配线ISmr之间形成保持电容csD，且在像素电极17M和保持电容配线18ms之间形成保持电容csM。图9是示出在液晶面板恥的一部分(包括图2的像素101、102)中进行中间灰度级全面显示时的驱动方法的时序图O帧的量)，图9的15x、15X示出向图8的数据信号线15x、15X提供的数据信号，图9的Gn、gn、Gm、gm示出向图8的扫描信号线Gn、gn、Gm、gm提供的扫描信号(激活高电平)，图9的17a 17d示出图8的像素电极17a 17d的电位。在图9所示的驱动方法中，每次2根地顺序选择扫描信号线，向相邻的2根数据信号线(例如15x、15X)提供极性相反的数据信号。此外，向各数据信号线提供的数据信号的极性按每一水平扫描期间(IH)反转。例如，在连续的3个水平扫描期间Hl H3的Hl中，选择扫描信号线&ι及其上游侧的扫描信号线(将其激活)。由此，如图9所示，向像素电极17a、17b、17n写入相同的正的数据信号。接着，在H2中，选择扫描信号线gn和扫描信号线Gm(将其激活)。由此，如图9所示，向像素电极17c、17d、17m写入相同的负的数据信号，而且，晶体管82ab(参照图8)导通，因此，像素电极17b经由串联连接的电容Ca、Cb(合成电容=CaXCb/Ca+Cb)与像素电极17a连接，并且经由电容Cn与保持电容配线ISnr连接。由此，电荷从像素电极17b逃逸，像素电极17b的电位向接近中心电位的方向变动，另一方面，像素电极17a的电位向远离中心电位的方向变动。另一方面，像素电极17η保持写入数据信号的原样而不变动。其结果是，与像素电极17a对应的副像素成为亮副像素(+)，与像素电极17b对应的副像素成为暗副像素(+)，与像素电极17η对应的副像素成为比亮副像素暗、比暗副像素亮的副像素(中副像素)。接着，在Η3中，选择扫描信号线gm及其下游侧的扫描信号线(将其激活)。由此，晶体管82cd(参照图8)导通，因此，像素电极17d经由串联连接的电容Cc、Cd(合成电容=CcXCd/Cc+Cd)与像素电极17c连接，并且经由电容Cm与保持电容配线18mr连接。由此，电荷从像素电极17d逃逸，像素电极17d的电位向接近中心电位的方向变动，另一方面，像素电极17c的电位向远离中心电位的方向变动。另一方面，像素电极17m保持写入数据信号的原样而不变动。其结果是，与像素电极17c对应的副像素成为亮副像素(_)，与像素电极17d对应的副像素成为暗副像素㈠，与像素电极17m对应的副像素成为中副像素㈠。图10是示出图8所示液晶面板恥的1个像素的构成例的平面图。如图10所示，在液晶面板恥中，在由扫描信号线和数据信号线1 划分的区域内，大致矩形的像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，而且，在像素电极17a的扫描方向上游侧配置像素电极17η。另外，以横穿像素电极17a的中央的方式设有保持电容配线18np，以横穿像素电极17b的中央的方式设有保持电容配线18nr，以与像素电极17a、17b的间隙重叠的方式设有保持电容配线18nq，以横穿像素电极17η的中央的方式设有保持电容配线18ns，以与像素电极17η的扫描方向上游侧的边缘重叠的方式设有保持电容配线18nt。扫描信号线以与像素电极17η和像素电极17a的间隙重叠的方式配置，在扫描信号线与数据信号线15x的交叉部附近设有晶体管12a、12b、12η。晶体管12η的源极电极与数据信号线1 连接，晶体管12η的漏极电极与引出电极27Ν连接。引出电极27Ν在像素电极17η的中央部下具有鼓出部67η，该鼓出部67η与像素电极17η经由2个接触孔Iln连接。另外，保持电容配线18ns也在像素电极17η下具有大宽度部ISnsw，上述鼓出部67η与大宽度部ISnsw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容CSn(参照图8)。晶体管12a的源极电极与数据信号线15x连接，晶体管12a的漏极电极与引出电极27a连接。引出电极27a在像素电极17a的纵中央线下形成，与配置在像素电极17a下的电容电极37a相连(以同一层连接)。引出电极27a在像素电极17a的中央部下具有鼓出部67a，该鼓出部67a与像素电极17a经由2个接触孔Ila连接。另外，保持电容配线18np也在像素电极17a下具有大宽度部18npw，上述鼓出部67a与大宽度部ISnpw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csa(参照图8)。另外，晶体管12b的源极电极与数据信号线1 连接，晶体管12b的漏极电极与引出电极27b连接。引出电极27b在像素电极17b下具有鼓出部67b，该鼓出部67b与像素电极17b经由2个接触孔lib连接。另外，保持电容配线18nr在像素电极17b下具有大宽度部ISnrw，上述鼓出部67b与大宽度部ISnrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csb (参照图8)。另外，与扫描信号线的扫描方向下游侧相邻的扫描信号线gn以与像素电极17b的扫描方向下游侧的边缘重叠的方式配置。扫描信号线gn作为晶体管82ab的栅极电极发挥功能，晶体管82ab的源极电极与引出电极27b的顶端部连接，晶体管82ab的漏极电极与引出电极27η连接。引出电极27η在像素电极17b的纵中央线下形成，与配置在像素电极17a下的电容电极37b相连(以同一层连接)。引出电极27η在像素电极17b的中央部下具有鼓出部87η，该鼓出部87η与上述大宽度部ISnrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容Cn (参照图8)。此外，引出电极27η和电容电极37b构成耦合电极。在此，在像素电极17a的纵中央线下，与各扫描信号线、各保持电容配线在同一层形成浮岛状中继电极7ab。中继电极7ab隔着栅极绝缘膜分别与电容电极37a、37b重叠，在各个重叠部分形成电容Ca、Cb、(参照图8)。此外，数据信号线1 蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15xk和15xu以及15xv各自与像素电极17a的图中左下边缘部和像素电极17b的图中左下边缘部以及像素电极17η的图中左下边缘部重叠。另外，数据信号线15Χ也蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15 和15Xu以及15XV分别与像素电极17a的图中右上边缘部和像素电极17b的图中右上边缘部以及像素电极17η的图中右上边缘部重叠。图10的截面图如图4所示。S卩，液晶面板恥具备有源矩阵基板3 ；与其相对的彩色滤光片基板30 ；以及配置在两基板(3、30)之间的液晶层40。在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成黑矩阵13和着色层14，在其上层形成共用电极(comU8。此外，液晶层30使用例如由紫外线决定取向的光取向模式0分割)的液晶。另一方面，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成扫描信号线&1、中继电极7ab以及保持电容配线18np(18npW)、18nq、18nr(18nrW)，以覆盖它们的方式形成例如200nm厚的包括SiNx的栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22上，例如由钛和铝形成半导体层(i层和η+层)、与η+层相接的源极电极、及漏极电极(未包括在截面中，因此未图示)以及引出电极27a (鼓出部67a)、电容电极37a、37b、及引出电极27n (鼓出部87η)，以覆盖它们的方式形成例如包括SiNx的无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上，形成比其厚O微米左右)的有机层间绝缘膜沈，在有机层间绝缘膜沈上形成像素电极17a、17b。此外，在接触孔Ila处挖穿无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，由此，像素电极17a与(引出电极27a的)鼓出部67a连接。并且，在鼓出部67a与(保持电容配线18np的)大宽度部ISnpw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容csa(参照图8)。在此，在与扫描信号线形成在同一层的中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37a重叠的部分形成电容Ca (参照图8)，在该中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37b重叠的部分形成电容Cb(参照图8)。另外，在(引出电极27η的)鼓出部87η与(保持电容配线18nr的)大宽度部ISnrw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容Cn(参照图8)。这样，在本液晶面板中，可以一边设置厚的有机层间绝缘膜沈，一边可靠地确保电容Ca、电容Cb以及电容Cn的各电容值。因此，可以采用使像素电极17a、17b的边缘与数据信号线15x、15X、扫描信号线&i、gm重叠的高开口率的结构。另外，在各像素电极下，保持电容配线与引出电极和电容电极十字交叉，另外，数据信号线以与各像素电极的边缘重叠的方式蜿蜒，因此，可以隐藏使用光取向模式的液晶时所见的有钩的十字形状的向错(取向混乱)区域(参照图11)。另外，液晶面板恥可以用具有亮、暗、中3种亮度(3种VT曲线)的副像素显示中间灰度级，因此，可以进一步提高视野角特性。另外，与1晶体管电容耦合型相比，具有不存在成为电悬浮的像素电极，可靠性高的优点。此外，也可以使图8的液晶面板恥如图12所示进行变形。即，在绿像素和红像素中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在蓝像素中，保持电容配线ISnp与保持电容配线18nq相互连接。另外，也可以如图13所示进行变形。即，在行方向相邻的2个像素中的一方中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在另一方中，保持电容配线18np与保持电容配线18nq相互连接，且在列方向相邻的2个像素中的一方中，保持电容配线18nq与保持电容配线18nr相互连接，在另一方中，保持电容配线ISnp与保持电容配线18nq相互连接。根据图12、图13的构成，可以缩小各保持电容配线所受的电位变动的幅度，可以抑制显示不均。此外，在图14中示出在图12、13的液晶面板的行方向相邻的2个像素的构成。在图10的液晶面板中，也可以使各像素电极采用鱼骨形状(PSA模式)。在图15中示出该构成。即使是该图15的构成，在各像素电极下保持电容配线与引出电极和电容电极十字交叉，因此，也可以隐藏在PSA模式中可见的十字形状的向错(取向混乱)区域(参照图16)。[实施方式3]图17是示出本液晶面板5c的一部分的等价电路图。在液晶面板5c中，具备本级的扫描信号线；数据信号线；以及第1晶体管，其与本级的扫描信号线连接，在1个像素中，设有第ι像素电极，其与第1晶体管的漏极电极连接；第2像素电极；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其与第2像素电极连接；以及中继电极，其是电悬浮的，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极分别与第1电容电极及第2电容电极形成电容。例如，与包括在列方向排列的像素101、102的像素列对应地设有1根数据信号线15x,与包括在列方向排列的像素103、104的像素列对应地设有1根数据信号线15X，与包括在行方向排列的像素101、103的像素行对应地设有1根扫描信号线和3根保持电容配线18np、18nq、18nr，与包括在行方向排列的像素102、104的像素行对应地设有1根扫描信号线Gm和3根保持电容配线18mp、18mq、18mr。此外，扫描信号线Gn、Gm沿着扫描方向按照该顺序排列。在此，例如在像素101中，2个像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，与扫描信号线连接的晶体管1 的源极电极与数据信号线1 连接，并且晶体管1 的漏极电极与像素电极17a连接，中继电极7ab分别与像素电极17a和像素电极17b形成电容Ca、Cb。此外，在像素电极17a和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Cla，并且在像素电极17b和共用电极(相对电极)com之间形成液晶电容Clb，在像素电极17a和保持电容配线18np之间形成保持电容csa，并且在像素电极17b和保持电容配线ISnr之间形成保持电容csb。像素102 104也是相同的构成。图18是示出在液晶面板5c的一部分(包括图17的像素101、102)中进行中间灰度级全面显示时的驱动方法的时序图O帧的量)，图18的15x、15X示出向图17的数据信号线15x、15X提供的数据信号，图18的&1、Gm示出向图17的扫描信号线&i、Gm提供的扫描信号(激活高电平)，图18的17a 17d示出图17的像素电极17a 17d的电位。在图18所示的驱动方法中，每次1根地顺序选择扫描信号线，向相邻的2根数据信号线(例如15x、15X)提供极性相反的数据信号。此外，向各数据信号线提供的数据信号的极性按每一水平扫描期间(IH)反转。例如，在连续的3个水平扫描期间Hl H3的Hl中，选择扫描信号线&ι(将其激活)。由此，如图18所示，向像素电极17a写入正的数据信号。在此，像素电极17b经由串联连接的电容Ca、Cb (合成电容=CaXCb/Ca+Cb)与像素电极17a连接。因此，像素电极 17b的电位比像素电极17a的电位靠近中心电位。其结果是，与像素电极17a对应的副像素成为亮副像素(+)，与像素电极17b对应的副像素成为暗副像素(+)。接着，在H2中，选择扫描信号线Gm(将其激活)。由此，如图18所示，向像素电极17c写入负的数据信号。在此，像素电极17d经由串联连接的电容Ce、Cd(合成电容= CcXCd/Cc+Cd)与像素电极17c连接。因此，像素电极17d的电位比像素电极17c的电位靠近中心电位。其结果是，与像素电极17c对应的副像素成为亮副像素(_)，与像素电极17d 对应的副像素成为暗副像素(_)。图19是示出图17所示液晶面板5c的1个像素的构成例的平面图。如图19所示， 在液晶面板5c中，在由扫描信号线和数据信号线1 划分的区域内，大致矩形的像素电极17a、17b沿着列方向按照该顺序排列，另外，以横穿像素电极17a的中央的方式设有保持电容配线18即，以横穿像素电极17b的中央的方式设有保持电容配线18nr，以与像素电极 17a、17b的间隙重叠的方式设有保持电容配线18nq。在扫描信号线与数据信号线1 的交叉部附近设有晶体管12a。晶体管1 的源极电极与数据信号线1 连接，晶体管1 的漏极电极与引出电极27a连接。引出电极 27a在像素电极17a的纵中央线下形成，与配置在像素电极17a下的电容电极37a相连(以同一层连接)。引出电极27a在像素电极17a的中央部下具有鼓出部67a，该鼓出部67a与像素电极17a经由2个接触孔Ila连接。另外，保持电容配线18np也在像素电极17a下具有大宽度部18npw，上述鼓出部67a与大宽度部ISnpw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csa(参照图17)。另外，在像素电极17b的纵中央线下形成引出电极27η，引出电极27η与配置在像素电极17a下的电容电极37b相连(以同一层连接)。引出电极27η在像素电极17b的中央部下具有鼓出部67η，该鼓出部67η与像素电极17b经由2个接触孔lib连接。另外，保持电容配线18nr也在像素电极17b下具有大宽度部ISnrw，上述鼓出部67η与该大宽度部 ISnrw隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成电容csb(参照图17)。在此，在像素电极17a的纵中央线下，与各扫描信号线、各保持电容配线在同一层形成浮岛状中继电极7ab。中继电极7ab隔着栅极绝缘膜分别与电容电极37a、37b重叠，在各个重叠部分形成电容Ca、Cb、(参照图17)。此外，数据信号线1 蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15xk和15xu分别与像素电极17a的图中左下边缘部和像素电极17b的图中左下边缘部重叠。另外，数据信号线15X 也蜿蜒地在列方向延伸，其一部分15 和15Xu分别与像素电极17a的图中右上边缘部和像素电极17b的图中右上边缘部重叠。图20是图19的向视截面图。如该图所示，液晶面板5c具备有源矩阵基板3 ；与其相对的彩色滤光片基板30 ；以及配置在两基板(3、30)之间的液晶层40。在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成黑矩阵13和着色层14，在其上层形成共用电极(comU8。此外，液晶层30使用例如由紫外线决定取向的光取向模式0分割)的液晶。另一方面，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成扫描信号线&1、中继电极7ab以及保持电容配线18np(18npW)、18nq、18nr(18nrW)，以覆盖它们的方式形成例如 200nm厚的包括SiNx的栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22上，例如由钛和铝形成半导体层 (i层和η+层)、与η+层相接的源极电极、及漏极电极(未包括在截面中，因此未图示)以及引出电极27a (鼓出部67a)、电容电极37a、37b、及引出电极27n (鼓出部67η)，以覆盖它们的方式形成例如包括SiNx的无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上，形成比其厚 0微米左右)的有机层间绝缘膜沈，在有机层间绝缘膜沈上形成像素电极17a、17b。此外，在接触孔Ila处挖穿无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，由此，像素电极17a与 (引出电极27a的)鼓出部67a连接。另外，在接触孔lib处挖穿无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，由此，像素电极17b与(引出电极27η的)鼓出部67η连接。并且，在鼓出部67a与(保持电容配线18np的)大宽度部ISnpw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容csa(参照图17)。另外，在鼓出部67η与(保持电容配线18nr 的)大宽度部ISnrw仅隔着栅极绝缘膜22重叠的部分，形成电容csb(参照图17)。在此，在与扫描信号线形成在同一层的中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜22与电容电极37a重叠的部分形成电容Ca(参照图17)，在该中继电极7ab仅隔着栅极绝缘膜 22与电容电极37b重叠的部分形成电容Cb (参照图17)。这样，在本液晶面板中，可以一边设置厚的有机层间绝缘膜沈，一边可靠地确保电容Ca、电容Cb以及电容Cn的各电容值。因此，可以采用使像素电极17a、17b的边缘与数据信号线15x、15X、扫描信号线&i、Gm重叠的高开口率的结构。另外，在各像素电极下，保持电容配线与引出电极和电容电极十字交叉，另外，数据信号线以与各像素电极的边缘重叠的方式蜿蜒，因此，可以隐藏使用光取向模式的液晶时所见的有钩的十字形状的向错(取向混乱)区域(参照图21)。另外，液晶面板5c是1晶体管电容耦合型的像素分割方式，因此，视野角特性良好，并且与3晶体管电容耦合型相比，具有构成简单的优点。本发明不限于上述实施方式，根据技术常识适当改变上述实施方式的内容、将它们组合后得到的内容也包括在本发明的实施方式中。工业上的可利用性本发明的有源矩阵基板、液晶面板适用于例如液晶电视。附图标记说明 5c液晶面板12a 12d、12A 12D 晶体管12i、12j、12I、12J 晶体管lh、15X数据信号线Gm、Gn、(ik扫描信号线18ip、18iq、18ir、18is、18it 保持电容配线22栅极绝缘膜25无机绝缘膜沈有机绝缘膜101 104 像素601电视接收机
800液晶显示装置
权利要求
1.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备扫描信号线；数据信号线；第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；以及第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接，在1个像素区域中设有第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极，其与第2晶体管连接；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，具备与上述第2电容电极形成电容的保持电容配线。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，在各晶体管的沟道上形成的层间绝缘膜中包含有机绝缘膜。
4.根据权利要求1 3中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，连接有第1晶体管及第2晶体管的扫描信号线与连接有第3晶体管的扫描信号线沿着扫描方向按照该顺序相邻配置。
5.根据权利要求1 4中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，上述第1像素电极及第2像素电极与数据信号线重叠。
6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，其特征在于，上述数据信号线以与第1像素电极及第2像素电极的边缘部重叠的方式蜿蜒。
7.根据权利要求1 6中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时，在像素区域中，第1像素电极及第2像素电极纵向排列，从上述第1晶体管引出并与第1电容电极相连的引出电极、第1电容电极、从第3晶体管引出并与第2电容电极相连的引出电极以及第2电容电极以纵贯像素区域的方式配置。
8.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时，具备第1保持电容配线，其以横穿第1像素电极的方式配置；第2保持电容配线，其以横穿第2像素电极的方式配置；以及第3保持电容配线，其以与第1像素电极及第2像素电极的间隙重叠的方式配置。
9.根据权利要求8所述的有源矩阵基板，其特征在于，上述第2电容电极与第2保持电容配线形成电容。
10.根据权利要求8所述的有源矩阵基板，其特征在于，第1保持电容配线或第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。
11.根据权利要求10所述的有源矩阵基板，其特征在于，在与某种颜色对应的像素区域中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在与其它颜色对应的像素区域中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。
12.根据权利要求10所述的有源矩阵基板，其特征在于，在横向相邻的2个像素区域中的一方中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在另一方中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，且在纵向相邻的2个像素区域中的一方中，第1保持电容配线与第3保持电容配线相互连接，在另一方中，第2保持电容配线与第3保持电容配线相互连接。
13.根据权利要求1 12中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，具备第4晶体管，其与上述第1晶体管及第2晶体管连接于同一扫描信号线；以及第3像素电极，其与该第4晶体管连接。
14.根据权利要求1 13中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，第1像素电极及第2像素电极是鱼骨形状。
15.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备扫描信号线；数据信号线；以及第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接，在1个像素区域中设有第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极；第1电容电极，其与第1像素电极连接；第2电容电极，其与第2像素电极连接；以及中继电极，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。
16.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备扫描信号线；数据信号线；第1晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接；第4晶体管，其与上述第1晶体管及第2晶体管连接于同一扫描信号线；以及保持电容配线，在1个像素区域中设有第1像素电极，其与第1晶体管连接；第2像素电极，其与第2晶体管连接；第3像素电极，其与第4晶体管连接；以及耦合电极，其分别与第1像素电极及保持电容配线形成电容，该耦合电极经由第3晶体管与第2像素电极连接。
17.一种液晶面板，其特征在于，具备权利要求1 16中的任1项所述的有源矩阵基板和液晶层。
18.根据权利要求17所述的液晶面板，其特征在于，上述液晶层由紫外线规定取向。
19.一种电视接收机，其特征在于，具备包含权利要求17或18所述的液晶面板的液晶显示装置；以及接收电视广播的调谐部。
全文摘要
本有源矩阵基板具备扫描信号线(Gn)；数据信号线(15x)；第1晶体管及第2晶体管，其与该扫描信号线及数据信号线连接；以及第3晶体管，其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线(Gm)连接，在1个像素区域中设有第1像素电极(17a)，其与第1晶体管连接；第2像素电极(17b)，其与第2晶体管连接；第1电容电极(37a)，其与第1像素电极连接；第2电容电极(37b)，其经由第3晶体管与第2像素电极连接；以及中继电极(7ab)，上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层，并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层，该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。这样的话，可以增厚沟道保护膜(层间绝缘膜)。
文档编号G09F9/30GK102576175SQ201080046989
公开日2012年7月11日 申请日期2010年10月21日 优先权日2009年10月23日
发明者吉田秀史 申请人:夏普株式会社
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