显示装置、显示装置的驱动方法和电子装置的制作方法
专利名称：显示装置、显示装置的驱动方法和电子装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示装置、显示装置的驱动方法和电子装置，具体涉及平面型显示装置、所述显示装置的驱动方法和具有所述显示装置的电子装置，其中，所述平面型显示装置中均具有电光器件的像素以矩阵形式二维布置。
背景技术：
近年来，在进行图像显示的显示装置领域，像素(像素电路)布置成矩阵形式的平面型(平板型)显示装置正迅速普及。作为一种平面型显示装置，在将所谓的电流驱动型电光器件用作像素的发光器件的显示装置中，发光亮度随着器件中流动的电流而变化。作为电流驱动型电光器件，有机EL器件是公知的，有机EL器件利用有机材料电致发光(EL)， 利用电场施加到有机薄膜时的发光现象。将有机EL器件用作像素的发光器件的有机EL显示装置具有下述特性。即，有机 EL装置是由IOV以下的施加电压驱动的低功耗装置。与液晶显示装置相比，有机EL装置具有高的图像清晰度，这是因为有机EL装置是自发光装置。而且，由于不需要诸如背光源之类的照明部件，所以有机EL装置比较轻薄。而且，有机EL装置具有约为几微秒的极高的响应速度，不会出现残留图像。以与液晶显示装置相同的方式，有机EL显示装置可使用简单(无源)矩阵型驱动和有源矩阵型驱动作为其驱动方法。尽管简单矩阵显示装置具有简单的结构，但扫描线 (即，像素的数量)的增加减小了电光器件的发光时段，因此，存在难以实现大尺寸和高清晰度显示装置的问题。为解决上述问题，用于通过有源器件控制电光器件中流动的电流的有源矩阵显示装置近年来得到了长足的发展，有源器件例如是与电光器件设置在同一像素中的绝缘栅型场效应晶体管。通常使用TFT(薄膜晶体管)作为绝缘栅型场效应晶体管。在有源矩阵显示装置中，电光器件在显示帧时段期间保持发光，因此，能够容易实现大尺寸高清晰度显示
直ο具有以有源矩阵方法驱动的电流驱动型电光器件的像素电路包括电光器件和用于驱动电光器件的驱动电路。众所周知，像素电路具有包括驱动晶体管22、写晶体管23和存储电容对的驱动电路，驱动电路对作为电流驱动型电光器件的有机EL器件21进行驱动 (例如，参照日本专利申请JP-A-2008-310127 (专利文献1))。专利文献1披露了使用以脉冲形式立即下降的电源电压Vdd2使扫描线电位(写扫描信号)WS在电源电压Vdd2的下降时刻下降(参照专利文献1中的第0116段等)。专利文献1还披露了通过电源线电位DS的上升时刻和扫描线电位WS的下降时刻来界定阈值修正时段(参照专利文献1中的第0117段等)。而且，专利文献1还披露了在写扫描信号WS处于活动状态时进行视频信号的写入 (参照专利文献1中的第0062段等)。专利文献1还披露了用于修正各个像素中的晶体管迁移率变化的迁移率修正和视频信号的写入并行进行(参照专利文献1中的第0064-0067 段等)。由写扫描信号的脉冲宽度确定信号写入时段和迁移率修正时段。通过使用包括晶体管等的逻辑电路配置用于产生写扫描信号的扫描电路。当包含在逻辑电路中的晶体管的特性存在变化时，写扫描信号的脉冲宽度，即迁移率修正时段的长度也发生变化。在专利文献1所述的相关技术中，由以脉冲形式下降的电源电位的下降时刻来确定写扫描信号的下降时刻，写扫描信号的下降时刻用于确定写扫描信号的脉冲宽度。因此， 写扫描信号的下降时刻不受晶体管特性变化的影响。然而，与由电源电位的上升时刻确定其上升时段的阈值修正时段的情况不同的是，对于迁移率修正时段的情况，由逻辑电路确定写扫描信号的上升时刻。因此，当晶体管特性变化时，写扫描信号的脉冲宽度，即迁移率修正时段的长度也变化。当迁移率修正时段“t”的长度改变了 At时，驱动有机EL器件的驱动晶体管中流动的电流Ids在发光时改变了 △ Ids，因此，迁移率修正时段“t”的长度变化将会直接造成有机EL器件的发光亮度不同。S卩，由于晶体管特性的变化所导致的迁移率修正时段“t”的长度发生变化，显示屏幕上出现亮度不均勻。为了防止晶体管特性的影响，可考虑使用由在电源电位的上升时刻确定写扫描信号的上升时刻的方法。然而，与由逻辑电路确定写扫描信号的上升时刻的情况相比，上述方法需要两倍的电源电位的开/关次数。这是因为，基于单独的电源电位产生用于确定阈值修正时段的写扫描信号和用于在逻辑电路中确定迁移率修正时段的写扫描信号(下面将详细说明)。由于电源电位的开/关次数增加一倍，所以增加了功耗。
发明内容
鉴于此，期望提供一种能够在不增加功耗的情况下抑制迁移率修正时段的长度变化和抑制由于该变化所引起的亮度不均勻的显示装置、一种所述显示装置的驱动方法和一种包括所述显示装置的电子装置。根据本发明的实施例，提供一种包括像素阵列单元的显示装置，在所述像素阵列单元中布置有多个像素，所述多个像素均包括电光器件、用于写入视频信号的写晶体管、用于存储由所述写晶体管写入的所述视频信号的存储电容和用于基于存储在所述存储电容中的所述视频信号驱动所述电光器件的驱动晶体管，所述像素具有修正所述驱动晶体管的迁移率的功能，在所述显示装置中，在逐行依次扫描所述像素阵列中的各个像素时提供到所述写晶体管的栅极的写扫描信号是基于一个脉冲状态电源电位的各个上升和下降时刻产生的。由于所述写扫描信号是基于一个脉冲状态电源电位的各个上升和下降时刻产生的，所以在逻辑电路中产生所述写扫描信号的情况下，所述写扫描信号的各个上升和下降时刻不受晶体管特性变化的影响。所述写扫描信号的各个上升和下降时刻确定了迁移率修正时段。因此，所述迁移率修正时段的长度不会由于晶体管特性的变化而发生变化。所述脉冲状态电源电位的开关次数与通过所述逻辑电路确定所述写扫描信号的所述上升时刻的情况下的次数相同，因此，没有引起功耗的增加。根据本发明的实施例，在不引起功耗增加的情况下能够抑制迁移率修正时段的长度变化，因此，能够在低功耗的情况下抑制由该变化所引起的亮度不均勻。
图1是表示应用有本发明的实施例的有机EL显示装置的结构要点的系统结构图；图2是表示应用有本发明的实施例的有机EL显示装置的像素的电路结构示例的电路图；图3是表示像素的横剖面结构示例的横剖面图；图4是用于解释应用有本发明的实施例的有机EL显示装置的基本电路操作的时序波形图；图5A 图5D是应用有本发明的实施例的有机EL显示装置的基本电路操作的操作说明图(第一组)；图6A 图6D是应用有本发明的实施例的有机EL显示装置的基本电路操作的操作说明图(第二组)；图7是用于解释由于驱动晶体管的阈值电压Vth的变化所引起的问题的特性曲线.
一入 ，图8是用于解释由于驱动晶体管的迁移率μ的变化所引起的问题的特性曲线；图9Α 图9C是用于解释存在或不存在阈值修正和迁移率修正时视频信号的信号电压Vsig与驱动晶体管的漏极-源极电流Ids之间的关系的特性图；图10是表示根据相关技术示例的写扫描电路的电路结构示例的框图；图11是用于解释根据相关技术示例的写扫描电路的电路操作的时序波形图；图12是关于迁移率修正时段的长度变化的说明图；图13是表示根据实施例1的写扫描电路的电路结构的框图；图14是用于解释根据实施例1的写扫描电路的电路操作的时序波形图；图15是用于解释根据实施例2的写扫描电路的电路操作的时序波形图；图16是表示应用有本发明的电视机的外观的立体图；图17Α和图17Β是表示应用有本发明的数码相机的外观的立体图，其中，图17Α是前视图，图17Β是后视图；图18是表示应用有本发明的笔记本个人计算机的外观的立体图；图19是表示应用有本发明的摄像机的外观的立体图；图20Α 图20G是表示应用有本发明的手机的外观图，其中，图20Α是打开状态下的前视图，图20Β是侧视图，图20C是关闭状态下的前视图，图20D是左视图，图20Ε是右视图，图20F是俯视图，图20G是仰视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细说明实现本发明的方式(在下文中，称为“实施例”)。以以下顺序做出说明。1.应用有本发明的实施例的有机EL显示装置1-1.系统结构1-2.基本电路操作1-3.根据相关技术示例的写扫描电路2.根据实施例的有机EL装置的说明2-1.实施例 12-2.实施例 23.变型示例4.应用示例(电子装置)1.应用有本发明的实施例的有机EL显示装置1-1.系统结构图1是表示应用有本发明的有源矩阵显示装置的结构要点的系统结构图。有源矩阵显示装置是通过有源器件控制电光器件中流动的电流的显示装置，例如，有源器件是与电光器件设置在同一像素中的绝缘栅型场效应晶体管。通常使用TFT(薄膜晶体管)作为绝缘栅型场效应晶体管。这里，将有源矩阵有机EL显示装置的情况作为示例进行说明，该有源矩阵有机EL 显示装置将电流驱动型电光器件(例如，有机EL器件)用作发光元件，电流驱动型电光器件的发光亮度随着器件中流动的电流值而变化。如图1所示，根据本应用示例的有机EL显示装置10包括多个包含有机EL器件的像素20、像素阵列单元30和布置在像素阵列单元30附近的驱动单元，在像素阵列单元30 中，像素20以矩阵形式二维布置。用于驱动像素阵列单元30中的各个像素20的驱动单元包括写扫描电路40、电源扫描电路50、信号输出电路60等。在有机EL显示装置10进行彩色显示的情况下，一个像素包括多个子像素，各个子像素对应于像素20。更具体地，在用于彩色显示的显示器中，一个像素包括三个子像素，这三个子像素分别是发出红光(R)的子像素、发出绿光(G)的子像素和发出蓝光(B)的子像
ο一个像素中的子像素组合不限于RGB三种基色的组合，还可以通过向三个基色子像素中增加一种或多种颜色的子像素来形成一个像素。更具体地，例如可通过增加用于改善亮度的发出白光(W)的子像素来形成一个像素，或者通过增加至少一个发出互补颜色光的用于扩展色彩再现范围的子像素来形成一个像素。在像素阵列单元30中，沿着布置成m行η列的像素20中的各个像素行的行方向 (像素行的像素布置方向)布置扫描线31_i 31__ 及电源线32_i 32_m。再者，沿着各个像素列的列方向(像素列的像素布置方向)布置信号线33_i 33_n。扫描线3U 31_m分别连接到写扫描电路40的对应行的输出端。电源线 32_m分别连接到电源扫描电路50的对应行的输出端。信号线3L 33_n分别连接到信号输出电路60的对应列的输出端。通常在诸如玻璃基板之类的透明绝缘基板上形成像素阵列单元30。因此，有机EL显示装置10具有平面型面板结构。可通过使用非晶硅TFT或低温多晶硅TFT来形成像素阵列单元30中的每个像素20的驱动电路。当使用低温多晶硅TFT时，可将写扫描电路40、 电源扫描电路50和信号输出电路60安装到形成有像素阵列单元30的显示面板(基板)70 上。写扫描电路40包括移位寄存器，移位寄存器用于与时钟脉冲“ck”同步地顺序移位(转移)启动脉冲“SP”。在将视频信号写入到像素阵列单元30中的各个像素20时，写扫描电路40向扫描线31_i 31_m顺序供应写扫描信号WS (WS1 WiU，借此逐行依次扫描 (线序扫描)像素阵列单元30中的各个像素20。电源扫描电路50包括移位寄存器，移位寄存器用于与时钟脉冲“ck”同步地顺序移位启动脉冲“印”。电源扫描电路50与写扫描电路40的线序扫描同步地向电源线32_i 32_m供应电源电位DS (DS1 D^1)，电源电位DS可在第一电源电位V。。p和第二电源电位Vini 之间切换，第二电源电位Vini低于第一电源电位V。。p。如下所述，通过切换电源电位DS的 Vccp/Vini对像素20的发光/非发光进行控制。信号输出电路60选择性地输出视频信号的信号电压Vsig (下文中，可简称为“信号电压”)和基准电压v。fs，视频信号的信号电压Vsig对应于信号源(未图示)供应的亮度信息。这里，基准电压v。fs是作为视频信号的信号电压Vsig的基准的电压(例如，对应于视频信号的黑电平的电压)，基准电压v。fs在进行下述阈值修正处理时使用。以由写扫描电路40的扫描所选择的像素行为单位，从信号输出电路60输出的信号电压Vsig/基准电压V。fs通过信号线33_i 33_n写入像素阵列单元30的各个像素20中。 即，信号输出电路60采用逐行(逐线)写入信号电压Vsig的线序写入驱动状态。像素电路图2是表示像素(像素电路)20的具体电路结构的电路图。如图2所示，像素20包括有机EL器件21和通过使电流在有机EL器件21中流动来驱动有机EL器件21的驱动电路，其中有机EL器件21作为发光亮度随着器件中流动的电流值而变化的电流驱动型电光器件。有机EL器件21的阴极连接到公共电源线34，公共电源线34布线为(所谓的全部布线)所有像素20共用。用于驱动有机EL器件21的驱动电路包括驱动晶体管22、写晶体管23和存储电容 24。N沟道TFT可用作驱动晶体管22和写晶体管23。驱动晶体管22和写晶体管23的导电类型的这种组合仅是示例，不限于上述组合。当N沟道TFT用作驱动晶体管22和写晶体管23时，可通过使用非晶硅(α -Si) 工艺来形成电路。通过使用α-Si工艺，能够降低其上形成有TFT的基板的费用以及降低有机EL显示装置10的费用。当驱动晶体管22和写晶体管23形成为相同的导电类型组合时，可在相同过程中形成晶体管22、23，这降低了成本。在驱动晶体管22中，源极和漏极中的一个电极连接到有机EL器件21的阳极，另一个电极连接到电源线32(31 32_m)。在写晶体管23中，源极和漏极中的一个电极连接到信号线33(31 33_n)，另一个电极连接到驱动晶体管22的栅极。写晶体管23的栅极连接到扫描线31 (3U 31_m)。在驱动晶体管22和写晶体管23中，一个电极是指电连接到源极/漏极区域的金属布线，另一个电极是指电连接到漏极/源极区域的金属布线。根据一个电极和另一个电极之间的电位关系，一个电极可以是源极或漏极，另一个电极可以是漏极或源极。在存储电容M中，一个电极连接到驱动晶体管22的栅极，另一个电极连接到驱动晶体管22的另一个电极和有机EL器件21的阳极。有机EL器件21的驱动电路不限于包括两个晶体管(驱动晶体管22和写晶体管 23)和一个电容元件(存储电容24)的电路结构。例如，能够应用如下结构根据需要，设置用于补偿有机EL器件21的存储容量不足的辅助电容，使得其一个电极连接到有机EL器件21的阳极，其另一个电极连接到固定电位。在具有上面结构的像素20中，响应于通过扫描线31施加到写晶体管23的栅极的来自写扫描电路40的高电位动作写扫描信号WS，写晶体管23导通。于是，写晶体管23对视频信号的信号电压Vsig或基准电压V。fs进行采样，并将该电压写入像素20，视频信号的信号电压Vsig或基准电压V。fs对应于通过信号线33从信号输出电路60供应的亮度信息。所写入的信号电压Vsig或基准电压V。fs施加到驱动晶体管22的栅极并存储在存储电容M中。当电源线32(32_i 32_m)的电位DS处于第一电源电位V。。p时，驱动晶体管22通过将一个电极用作漏极并将另一个电极用作源极而在饱和区工作。于是，驱动晶体管22从电源线32接收电流供应，并通过该电流来驱动有机EL器件21发光。更具体地，驱动晶体管22在饱和区工作，由此向有机EL器件21供应驱动电流，并通过该驱动电流驱动有机EL 器件21发光，该驱动电流的电流值对应于存储在存储电容M中的信号电压Vsig的电压值。当电源电位DS从第一电源电位V。。p切换到第二电源电位Vini时，驱动晶体管22通过将一个电极用作漏极并将另一个电极用作源极而作为开关晶体管工作。于是，驱动晶体管22停止向有机EL器件21供应驱动电流，使有机EL器件21处于非发光状态。即，驱动晶体管22也具有作为控制有机EL器件21的发光/非发光的晶体管的功能。根据驱动晶体管22的切换操作，能够提供有机EL器件21处于非发光状态的时段 (非发光时段)，并能够控制有机EL器件21的发光时段和非发光时段的比(占空比)。根据占空比控制，能够降低由像素在一个显示帧期间的发光所引起的残留图像模糊，因此，尤其能够使动态图像的图像质量表现优良。在通过电源线32所选择性地从电源扫描电路50供应的第一电源电位V。。p和第二电源电位Vini中，第一电源电位V。。p是将用于驱动有机EL器件21发光的驱动电流供应到驱动晶体管22的电源电位，第二电源电位Vini是用于对有机EL器件21进行反向偏置的电源电位。第二电源电位Vini设置成低于基准电位V。fs，例如，在驱动晶体管22的阈值电压为Vth 时，第二电源电位Vini低于电位V。fs-Vth，优选地，第二电源电位Vini充分低于电位v。fs-vth。像素结构图3是表示像素20的横剖面结构示例的横剖面图。如图3所示，在玻璃基板201 上形成包括驱动晶体管22等的驱动电路。像素20具有如下结构在玻璃基板201上依次形成绝缘膜202、绝缘平坦化膜203和窗绝缘膜204，在窗绝缘膜204的凹部204A中形成有机EL器件21。这里，仅示出了驱动电路的各个部件中的驱动晶体管22，而省略了其它部件。有机EL器件21包括阳极205、有机层(电子输送层、发光层、空穴输送层/空穴注入层)206和阴极207。阳极205是由形成在窗绝缘膜204的凹部204A的底部的金属等制成。在阳极205上形成有机层206。阴极207是由形成在有机层206上方的为所有像素共用的透明导电膜等制成。
在有机EL器件21中，通过在阳极205上顺序沉积空穴输送层/空穴注入层2061、 发光层2062、电子输送层2063和电子注入层(未图示)来形成有机层206。然后，在图2 的驱动晶体管22所提供的电流驱动下，电流通过阳极205从驱动晶体管22流入有机层206 中，当电子和空穴在那里再结合时，有机层206中的发光层2062发出光。驱动晶体管22包括栅极221、设置在半导体层222的两侧的源极/漏极区域223、 224和位于半导体层222中与栅极221面对的部分处的沟道形成区域225。源极/漏极区域223通过接触孔电连接到有机EL器件21的阳极205。在隔着绝缘膜202、绝缘平坦化膜203和窗绝缘膜204将每个像素的有机EL器件 21形成在玻璃基板201上之后，通过使用粘合剂210将密封基板209结合在钝化膜208上。 密封基板209密封有机EL器件21，由此形成显示面板70。1-2.基本电路操作随后，将使用图5A 图5D和图6A 图6D的操作说明图来说明具有上述结构的有机EL显示装置10基于图4的时序波形图的基本电路操作。在图5A 图5D和图6A 图6D的操作说明图中，为简化附图，写晶体管23表示为开关符号。同时示出了有机EL器件21的等效电容25。图4的时序波形图表示扫描线31的电位WS(写扫描信号)、电源线32的电位 DS(电源电位)、信号线33的电位(Vsig/V。fs)、驱动晶体管22的栅极电位Vg和源极电位Vs 的变化。前一显示帧的发光时段在图4的时序波形图中，时间点“til”之前的时段是有机EL器件21的前一显示帧的发光时段。在前一显示帧的发光时段中，电源线32的电位DS处于第一电源电位V。。p (下文中，称为“高电位”)，写晶体管23处于非导通状态。此时，驱动晶体管22设计成在饱和区工作。于是，如图5A所示，驱动晶体管22将对应于驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs的驱动电流(漏极-源极电流)Ids从电源线32 供应到有机EL器件21。因此，有机EL器件21发出具有对应于驱动电流Ids的电流值的亮度的光。阈值修正准备时段在时间点“til”处，线序扫描进入新的显示帧(目前的显示帧)。然后，如图5B所示，电源线32的电位DS从高电位V。。p切换到充分低于V。fs-Vth(与信号线33的基准电压V。fs 相关的)的第二电源电位Vini (下文中，称为“低电位”)。这里，设定有机EL器件21的阈值电压为Vthel，公共电源线34的电位(阴极电位) 为v。ath。在这种情况下，当低电位Vini为Vini < Vthel+Vcath时，驱动晶体管22的源极电位Vs 几乎等于低电位Vini，因此，有机EL器件21处于反向偏置状态，有机EL器件21不发光。接下来，如图5C所示，扫描线31的电位WS在时间点“tl2”处从低电位侧向高电位侧变化，使写晶体管23导通。此时，基准电压V。fs从信号输出电路60供应到信号线33， 因此，驱动晶体管22的栅极电位Vg变成基准电位V。fs。驱动晶体管22的源极电位Vs处于充分低于基准电压Vrfs的电位Vini。此时，驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs将变成V。fs_Vini。这里，如果V。fs_Vini不大于驱动晶体管22的阈值电压Vth，则难以进行下述阈值修正处理，因此，需要将电位关系设置成 v。fs-vini > Vth。于是，在进行下述阈值修正处理(阈值修正操作)之前的准备处理(阈值修正准备)是如下处理将驱动晶体管22的栅极电位Vg固定成基准电压V。fs，并将源极电位Vs固定(确定)成低电位Vini以进行初始化。因此，基准电压V-和低电位Vini分别是驱动晶体管22的栅极电位Vg和源极电位Vs的初始化电位。阈值修正时段接下来，如图5D所示，当电源线32的电位DS在时间点“tl3”处从低电位Vini切换到高电位V。。p时，在保持驱动晶体管22的栅极电位Vg的状态下启动阈值修正处理。艮口， 驱动晶体管22的源极电位Vs开始向着将栅极电位\减去驱动晶体管22的阈值电压Vth所获得的电位增加。这里，为便于说明，使源极电位Vs向着基于驱动晶体管22的栅极的初始化电位 Vofs将初始化电位V。fs减去驱动晶体管22的阈值电压Vth所获得的电位进行改变的处理称为阈值修正处理。随着进行阈值修正处理，驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs趋于驱动晶体管22的阈值电压Vth。对应于阈值电压Vth的电压存储在存储电容M中。在进行阈值修正处理的时段(阈值修正时段)中，公共电源线34的电位V。ath设置成使得有机EL器件21处于关断状态，以便使电流仅流向存储电容对侧并防止电流流向有机EL器件21侧。接下来，如图6A所示，当扫描线31的电位WS在时间点“ 114”处向低电位侧变化时，写晶体管23处于非导通状态。此时，驱动晶体管22的栅极从信号线33电断开，处于浮动状态。然而，驱动晶体管22处于关断状态，这是因为栅极-源极电压Vgs等于阈值电压 Vth。因此，漏极-源极电流Ids不在驱动晶体管22中流动。信号写入和迁移率修正时段接下来，如图6B所示，信号线33的电位在时间点“tl5”处从基准电压V。fs切换到视频信号的信号电压Vsig。随后，如图6C所示，当扫描线31的电位WS在时间点“tl6”处向高电位侧变化时，写晶体管23变成导通状态，并对写入到像素20中的视频信号的信号电压 Vsig进行采样。通过写晶体管23进行信号电压Vsig的写入，驱动晶体管22的栅极电位Vg变成信号电压vsig。然后，当通过视频信号的信号电压Vsig驱动驱动晶体管22时，对应于存储在存储电容M中的阈值电压Vth的电压抵消了驱动晶体管22的阈值电压Vth。后面将详细说明阈值抵消的原理。此时，有机EL器件21处于关断状态(高阻状态)。因此，来自电源线32的在驱动晶体管22中流动的由视频信号的信号电压Vsig所确定的电流(漏极-源极电流Ids)流入有机EL器件21的等效电容25中，开始对等效电容25充电。当对有机EL器件21的等效电容25进行充电时，驱动晶体管22的源极电位Vs随时间增加。这时，已抵消了各个像素中的驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化，所以驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids取决于驱动晶体管22的迁移率μ。驱动晶体管22的迁移率μ是形成驱动晶体管22的沟道的半导体薄膜的迁移率。这里，设定存储电容M的存储电压Vgs相对视频信号的信号电压Vsig的比，即写增益G是1 (期望值)。随后，当驱动晶体管22的源极电位Vs增加到电位V。fs_Vth+A V时，栅极-源极电压Vgs将变成Vsig-V。fs+Vth_ Δ V。S卩，驱动晶体管22的源极电位Vs的增加量Δ V充当从存储电容M所存储的电压 (Vsig-Vofs+Vth)中所减去的量，换句话说，以便对存储电容&的存储电荷进行放电的量，这意味着提供负反馈。因此，源极电位Vs的增加量Δν是负反馈的反馈量。如上所述，通过对应于驱动晶体管22中流动的漏极-源极电流Ids的反馈量Δ V 来提供栅极-源极电压Vgs的负反馈，由此抵消驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids对迁移率μ的依赖性。抵消处理是修正各个像素中的驱动晶体管22的迁移率μ的变化的迁移率修正处理。更具体地，漏极-源极电流Ids随着写入到驱动晶体管22的栅极中的视频信号的信号幅值Vin( = vsig-v。fs)变高而变高，因此，负反馈的反馈量Δν的绝对值变高。于是，进行对应于发光亮度水平的迁移率修正处理。当固定视频信号的信号幅值Vin时，负反馈的反馈量△ V的绝对值随着驱动晶体管 22的迁移率μ变高而变高，因此，抵消了各个像素中的迁移率μ的变化。于是，负反馈的反馈量△ V也可定义为迁移率修正的修正量。后面将详细说明迁移率修正的原理。发光时段接下来，如图6D所示，当电位WS在时间点“tl7”处向低电位侧变化时，写晶体管 23处于非导通状态。于是，驱动晶体管22的栅极从信号线33电切断，处于浮动状态。这里，当驱动晶体管22的栅极处于浮动状态时，驱动晶体管22的栅极电压Vg与源极电位Vs —同变化，这是因为存储电容M连接在驱动晶体管22的栅极/源极之间。驱动晶体管22的栅极电位Vg与源极电位Vs —同变化的上述操作是存储电容M的自举操作。驱动晶体管22的栅极处于浮动状态，同时驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids开始在有机EL器件21中流动，因此，有机EL器件21的阳极电位随着电流Ids增加。当有机EL器件21的阳极电位超过Vthel+V。ath时，驱动电流开始在有机EL器件21 中流动，因此，有机EL器件21开始发光。有机EL器件21的阳极电位的增加无异于驱动晶体管22的源极电位Vs的增加。当驱动晶体管22的源极电位Vs增加时，驱动晶体管22的栅极电位Vg由于存储电容M的自举操作而一起增加。当设定自举增益为1(期望值)时，栅极电位Vg的增加量等于源极电位Vs的增加量。因此，驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs在发光时段期间保持为Vsig-V。fs+Vth_ Δ V不变。然后，信号线33的电位在时间点“tl8”处从信号电压Vsig切换到基准电压V。fs。在上述系列电路操作中，在一个水平扫描时段(IH)中执行阈值修正准备、阈值修正、信号电压Vsig的写入(信号写入)和迁移率修正的各处理操作。在时间点“tie”和“tl7” 之间的时段期间并行执行信号写入和迁移率修正的各处理操作。分离阈值修正这里仅对进行一次阈值修正处理的驱动方法的情况作为示例进行了说明，然而， 该驱动方法仅是示例，不限于这种方法。例如，能够应用如下驱动方法(所谓的分离阈值修正的驱动方法)在进行阈值修正处理及进行迁移率修正和信号写入处理的IH时段内执行阈值修正处理，并在该IH时段之前的多个水平扫描时段上分别执行多次阈值修正处理。根据分离阈值修正的驱动方法，即使当分配到一个水平扫描时段的时间随着由装置的高清晰度所需要的多像素而变短时，仍绝对能够进行阈值修正处理，这是因为能够在多个水平扫描时段上保证充足的时间作为阈值修正时段。阈值抵消原理这里，将说明驱动晶体管22的阈值抵消(即，阈值修正)原理。驱动晶体管22作为恒定电流源操作，这是因为该晶体管设计成在饱和区中工作。于是，通过驱动晶体管22 将由下面的表达式⑴所给出的固定漏极-源极电流(驱动电流)Ids供应到有机EL器件 21。Ids= (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vgs-Vth)2... (1)这里，W代表驱动晶体管22的沟道宽度，L代表沟道长度，C。x代表每单位面积的栅极电容值。图7表示驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids与栅极-源极电压Vgs之间的特性。如特性曲线所示，如果未对各个像素中的驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化进行抵消处理，则在阈值电压Vth为Vthl时，对应于栅极-源极电压Vgs的漏极-源极电流Ids 将为Idsl。当阈值电压Vth为Vth2 (Vth2 > Vthl)时，对应于相同栅极-源极电压Vgs的漏极-源极电流Ids将为Ids2 (Ids2 < Idsl)。即，当驱动晶体管22的阈值电压Vth变化时，即使固定栅极-源极电压Vgs，漏极-源极电流Ids仍发生变化。另一方面，在具有上述结构的像素(像素电路)20中，驱动晶体管22在发光时段期间的栅极-源极电压Vgs是Vsig-V。fs+Vth_AV。因此，当上述关系代入到表达式(1)时，则由下面的表达式⑵表示漏极-源极电流Ids。Ids = (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vsig-Vofs-Δ V)2 ... (2)即，抵消了驱动晶体管22的阈值电压Vth这一项，于是从驱动晶体管22供应到有机EL器件21的漏极-源极电流Ids不取决于驱动晶体管22的阈值电压Vth。因此，在各个像素中，即使当由于驱动晶体管的制造过程的变化、时间的变化等引起驱动晶体管22的阈值电压Vth变化时，漏极-源极电流Ids仍不发生变化，因此，有机EL器件21的发光亮度能够保持恒定。迁移率修正原理接下来，将说明驱动晶体管22的迁移率修正原理。图8表示通过比较像素A和像素B获得的特性曲线，像素A的驱动晶体管22具有相对高的迁移率μ，像素B的驱动晶体管22具有相对低的迁移率μ。当驱动晶体管22是由多晶硅薄膜晶体管等制成时，诸如像素A和像素B之类的像素之间的迁移率μ不可避免地会不同。在像素A和像素B之间的迁移率μ不同的状态下，设定将例如相同电平的信号幅值vin( = Vsig-Vofs)均写入像素A和B的驱动晶体管22的栅极。在这种情况下，如果没有进行迁移率μ的修正，则在具有高迁移率μ的像素A中流动的漏极-源极电流Idsl,和在具有低迁移率μ的像素B中流动的漏极-源极电流Ids2,之间出现较大差异。当由于如上所述的各个像素中的迁移率μ的变化而导致在像素之间的漏极-源极电流Ids出现较大差异时，降低了屏幕的一致性。从上述表达式(1)中的晶体管特性表达式可以清楚地看出，当迁移率μ高时，漏极-源极电流Ids增加。因此，负反馈中的反馈量Δν随着迁移率μ变高而增加。如图8所示，具有高迁移率μ的像素A的反馈量Δ V1大于具有低迁移率μ的像素B的反馈量Δν2。
于是，当通过迁移率修正处理向栅极-源极电压Vgs提供具有对应于驱动晶体管22 的漏极-源极电流IdsW反馈量的负反馈时，负反馈随着迁移率μ变高而被赋予较高的量。因此，能够抑制各个像素中的迁移率μ的变化。具体地，当使用具有高迁移率μ的像素A中的反馈量八义进行修正时，漏极-源极电流IdsWidsl,降低到idsl。另一方面，具有低迁移率μ的像素B中的反馈量Av2小，因此，漏极-源极电流Ids Wlds2,降低到Ids2，其不会较大地降低。因此，像素A的漏极-源极电流Ids几乎等于像素B的漏极-源极电流Ids，因此，修正了各个像素中的迁移率μ的不同。总之，当存在具有不同迁移率μ的像素A和像素B时，具有高迁移率μ的像素A 的反馈量AV1大于具有低迁移率μ的像素B的反馈量AV2。S卩，迁移率μ越高，则反馈量Δ V越大，漏极-源极电流Ids的减小量也变得越大。因此，当使用对应于驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids的反馈量Δ V向栅极-源极电压Vgs提供负反馈时，由此能够使具有不同迁移率μ的各个像素中的漏极-源极电流 IdsW电流值一致。于是，能够修正各个像素中的迁移率μ的不同。即，可将向驱动晶体管 22的栅极-源极电压Vgs提供具有对应于驱动晶体管22中流动的电流(漏极-源极电流 Ids)的反馈量Δ V的负反馈的处理定义为迁移率修正处理。这里，将参照图9Α 图9C说明在图2所示的像素(像素电路)20中进行或不进行阈值修正和迁移率修正的情况下视频信号的信号电压Vsig与驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids之间的关系。在附图中，图9Α表示既不进行阈值修正也不进行迁移率修正的情况，图9Β表示不进行迁移率修正但进行阈值修正的情况，图9C表示进行阈值修正和迁移率修正的情况。如图9Α所示，当既不进行阈值修正也不进行迁移率修正时，由于各个像素A、B中的阈值电压 Vth和迁移率μ的变化而导致像素Α、B的漏极-源极电流Ids出现较大差异。另一方面，如图9Β所示，当仅进行阈值修正时，尽管能够将漏极-源极电流Ids的变化减小到一定程度，但仍存在由各个像素Α、Β中的迁移率μ的变化所导致的像素Α、Β之间的漏极-源极电流Ids的差异。然后，如图9C所示，当进行阈值修正和迁移率修正时，由此几乎抵消了由于各个像素Α、Β中的阈值电压Vth和迁移率μ的变化而导致的像素Α、Β之间的漏极-源极电流Ids的差异。因此，有机EL器件21在任何情况下都不出现亮度变化， 能够获得良好质量的显示图像。另外，除阈值修正和迁移率修正的各个修正功能之外，如图2所示的像素20还包括存储电容M的自举操作功能，因此，能够获得以下效果。即，即使当由于有机EL器件21的I-V特性随着时间的变化而导致驱动晶体管22 的源极电位Vs变化时，由于存储电容M的自举操作的原因，仍能够将驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs保持不变。因此，有机EL器件21中流动的电流是固定的且不发生变化。 于是，有机EL器件21的发光亮度保持恒定，因此，即使当有机EL器件21的I-V特性随着时间变化时，仍能够实现不具有由该变化所导致的亮度劣化的图像显示。1-3.根据相关技术示例的写扫描电路从上述基本的电路操作可以清楚地看出，通过写扫描信号WS的脉冲宽度确定与视频信号的信号电压Vsig的写入并行进行的迁移率修正时段。用于产生写扫描信号WS的写扫描电路40配置成为包括由晶体管(例如，TFT等)形成的逻辑电路等。图10是表示根据相关技术示例的写扫描电路的电路结构示例的框图。这里，为简化附图，仅示出了对应于写扫描电路中的给定像素行的一个单元电路的电路结构。然而，事实上布置了对应于像素阵列单元30中的行的数量的单元电路。如图10所示，根据相关技术示例的写扫描电路包括移位寄存器41、第一逻辑电路 42、电平变换电路43、第二逻辑电路44和缓冲电路45。移位寄存器41具有如下结构作为单元电路的传输级(寄存器)411以级联的方式连接，传输级411对应于像素阵列单元30 中的行的数量。通过移位寄存器41将每个传输级411的输入脉冲“srin”和输出脉冲“srout” 提供到第一逻辑电路42。还向第一逻辑电路42提供第一使能信号Wsen1和第二使能信号 wsen2。第一逻辑电路42包括三个与非(NAND)电路421 423和一个反相器424，第一逻辑电路42对传输级411的输入脉冲“srin”和输出脉冲“srout”、第一使能信号Wsen1和第二使能信号Wsen2进行逻辑操作。通过电平变换电路43将第一逻辑电路42的输出提供到第二逻辑电路44。第二逻辑电路44包括与(AND)电路441，第二逻辑电路44对第一逻辑电路42的输出与第三使能信号Wsen3进行逻辑乘法。第二逻辑电路44的输出通过缓冲电路45后将作为写扫描信号WS。缓冲电路45将脉冲状态电源电位Vdch^2用作用于确定写扫描信号WS的下降时刻的正侧电源电位，该写扫描信号WS用于确定信号写入和迁移率修正时段。图11表示传输级411的输入脉冲“srin”和输出脉冲“srout”、第一使能信号 Wsen1、第二使能信号Wsen2、第三使能信号Wsen3、正侧电源电位Vdch^2和写扫描信号WS之间的时序关系。在这里使用分离阈值修正的驱动方法，例如，将如下情况作为示例在进行阈值修正处理及进行迁移率修正和信号写入处理的IH时段内及在该IH时段之前的4H时段上总共进行五次阈值修正处理。从图11的时序波形图可以清楚的看出，通过第三使能信号Wsen3的上升时刻来确定用于确定阈值修正时段(是指图11中的"Vth修正时段”)的写扫描信号WS的上升时刻。 通过第二使能信号Wsen2的下降时刻来确定写扫描信号WS的下降时刻。另一方面，对于用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS，通过第三使能信号 Wsen3的上升时刻确定写扫描信号WS的上升时刻，然而，通过正侧电源电位VddM2的下降时刻确定其下降时刻。S卩，在用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS中，通过正侧电源电位Vdch^2的下降时刻确定写扫描信号WS的下降时刻，但通过第二逻辑电路44所产生的第三使能信号 Wsen3来确定写扫描信号WS的上升时刻。因此，当形成第二逻辑电路44的晶体管(例如， TFT)的晶体管特性变化时，写扫描信号WS的脉冲宽度，即信号写入和迁移率修正时段(下文中，可简称为迁移率修正时段)的长度也变化。如图12所示，当迁移率修正时段的长度“t”变化At时，在发光期间驱动晶体管 22中流动的电流Ids变化Δ Ids，迁移率修正时段的长度“t”的变化At就是有机EL器件 21的发光亮度的变化。即，由于晶体管特性的变化所导致的迁移率修正时段的长度“t”的变化At使显示屏幕的亮度不均勻。
如上所述，可考虑应用如下方法通过正侧电源电位VddM2的上升时刻来确定写扫描信号WS的上升时刻，以防止晶体管特性的影响。下面将说明应用该方法时出现的不利情况。从图11清楚地看出，缓冲电路45将单脉冲状态电源电位Vdch^2用作正侧电源。 在电源电位Vdch^2的直流电位时段中，基于AND电路441使用第三使能信号Wsen3所得到的逻辑乘积结果来产生用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS。如上所述，在用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS中，通过第三使能信号Wsen3的上升时刻确定其上升时刻， 通过正侧电源电位Vdch^2的下降时刻确定其下降时刻。这里，为了也通过正侧电源电位Vdch^2的上升时刻来确定写扫描信号WS的上升时刻以防止晶体管特性影响，需要使正侧电源电位VddM2的开/关次数翻倍。这是因为， 正侧电源电位VddM2也用于产生用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS，需要产生在正侧电源电位VddM2上升时对应于写扫描信号WS的上升时刻的时序。当正侧电源电位Vddws2 的开/关次数翻倍时，相应地增加了功耗。2.根据实施例的有机EL装置的说明根据实施例的有机EL装置基于图1所示的系统结构，其特征在于用于在系统结构中产生写扫描信号WS的写扫描电路40的结构。具体地，根据实施例的写扫描电路40通过使用不同的电源电位来产生用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS和用于确定信号写入和迁移率修正时段的写扫描信号WS。基于一个脉冲状态电源电位VddM2的各个上升和下降时刻产生用于确定信号写入和迁移率修正时段的写扫描信号WS。于是，在通过逻辑电路产生写扫描信号WS的情况下，晶体管特性的变化不会影响写扫描信号WS的各个上升和下降时刻。因此，迁移率修正时段的长度不会由于晶体管特性的变化而发生变化。电源电位VddM2的开/关次数可与由逻辑电路确定写扫描信号WS的上升时刻的情况下的数量相同，因此，没有增加功耗。由于能够在不导致功耗增加的情况下抑制迁移率修正时段的长度的变化，所以能够在低功耗的情况下抑制由该变化所引起的亮度不均勻。下文中，将说明基于一个脉冲状态电源电位Vdch^2W各个上升和下降时刻产生用于确定信号写入和迁移率修正时段的写扫描信号WS的写扫描电路40的具体实施例。2-1.实施例 1图13是表示根据实施例1的写扫描电路的电路结构的框图。在图13中，与图10 中相同的部件使用相同的附图标记来表示。这里，为简化附图，示出了对应于写扫描电路中的给定像素行的一个单元电路的电路结构。然而，事实上布置了对应于像素阵列单元30中的行的数量的单元电路。如图13所示，根据实施例1的写扫描电路40的单元电路4仏包括移位寄存器41、 第一逻辑电路42、电平变换电路43A、43B、第二逻辑电路44和缓冲电路45。移位寄存器41 具有如下结构作为单元电路的传输级(寄存器)411以级联方式连接，传输级411对应于像素阵列单元30中行的数量。通过移位寄存器41将每个传输级411的输入脉冲“srin”和输出脉冲“srout”提供到第一逻辑电路42。还将使能信号wsen从外部提供到第一逻辑电路42。第一逻辑电路 42包括3输入NAND电路421、2输入NAND电路422和反相器424。
NAND电路421具有三个输入，这三个输入是传输级411提供的输入脉冲“srin” 和输出脉冲“srout”和从外部提供的使能信号wsen。NAND电路421的输出在电平变换电路4 中进行电平转换，然后供应到第二逻辑电路44和缓冲电路45。NAND电路422具有两个输入，这两个输入是通过反相器4M获得的输入脉冲“srin”的反相脉冲和输出脉冲 “srout”。NAND电路422的输出在电平变换电路43B中进行电平转换，然后供应到第二逻辑电路44和缓冲电路45。第二逻辑电路44包括具有两个输入的AND电路441，这两个输入分别是电平变换电路4 和4 的输出。第二逻辑电路44的输出，即AND电路441的输出供应到缓冲电路 45。缓冲电路45包括将直流(固定)电源电位Vddws1用作正侧电源电位的前级电路单元(第一缓冲电路)4 和将脉冲状态电源电位VddM2用作正侧电源电位的后级电路单元(第二缓冲电路)4\。这里，将电源电位Vddws1和电源电位VddM2的电压值设为大约相等(=V2)。前级电路单元4 具有如下结构例如，P沟道晶体管451和N沟道晶体管452在正侧电源电位Vddws1的节点与负侧电源电位Vssws的节点之间串联连接。P沟道晶体管 451的栅极输入是电平转换电路4 的输出。N沟道晶体管452的栅极输入是AND电路441 的输出。后级电路单元4 具有如下CMOS传输栅极结构例如，P沟道晶体管453和N沟道晶体管妨4在正侧电源电位VddM2的节点与前级电路单元45a的输出节点之间并联连接。 前级电路单元4 的输出节点是晶体管451、452的公共漏极连接节点，是单元电路40a的输出节点。P沟道晶体管452的栅极输入是电平转换电路4 的输出。N沟道晶体管454的栅极输入是通过反相器455获得的电平转换电路43b的反相输出。图14表示传输级411的输入脉冲“srin”和输出脉冲“srout”、使能信号swen、正侧电源电位Vdch^2和写扫描信号WS之间的时序关系。在这里使用分离阈值修正的驱动方法，例如，将如下情况作为示例在进行阈值修正处理及进行迁移率修正和信号写入处理的IH时段内及在该IH时段之前的4H时段上总共进行五次阈值修正处理。通过图14的时序波形图可以清楚地看出，缓冲电路45的P沟道晶体管451在使能信号wsen的上升时刻导通，因此，用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS上升到正侧电源电位VddwSl。另外，缓冲电路45的N沟道晶体管452在使能信号wsen的下降时刻导通， 因此，用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS下降到负侧电源电位Vssws。另一方面，在移位寄存器41的每个传输级411所提供的输入脉冲“srin”处于低电平及输出脉冲“srout”处于高电平的时段中，作为缓冲电路45的后级电路单元45b的CMOS 传输栅极导通。然后，在CMOS传输栅极的导通时段，当脉冲状态电源电位Vddsw2上升时， 写扫描信号WS上升，当电源电位Vddsw2下降时，写扫描信号WS下降。在此时产生的写扫描信号WS是用于确定信号写入和迁移率修正时段的写扫描信号。即，通过一个脉冲状态电源电位Vddsw2的各个上升和下降时刻来确定用于确定信号写入和迁移率修正时段的写扫描信号WS的各个上升和下降时刻。在根据上述实施例1所述的写扫描电路40的单元电路40a中，通过一个脉冲状态电源电位Vddsw2的各个上升和下降时刻来确定用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS 的各个上升和下降时刻。因此，不会出现由于形成第一逻辑电路42和第二逻辑电路44的晶体管特性的变化所引起的迁移率修正时段长度的变化。脉冲状态电源电位Vdch^2在产生用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS时的开/关次数是一次，这与相关技术示例(参照图10)的情况下的次数相同，因此，没有增加功耗。另外，相关技术示例中需要第一使能信号Wsen1至第三使能信号wsen3，然而，根据实施例1的写扫描电路40的单元电路40a能够通过一个使能信号wsen获得写扫描信号WS的相同输出，因此，在降低脉冲数量的同时进一步降低了电路操作的功耗。2-2.实施例 2接下来，根据实施例2的写扫描电路的电路结构与根据实施例1的写扫描电路的电路结构相同。实施例2使用如下结构两个电源电位Vddws1、Vdch^2的各电压值不同，该结构产生用于确定阈值修正和迁移率修正的各修正时段的两种写扫描信号WS。在图10所示的相关技术示例中，基于公共(单个)电源电位Vdch^2产生用于确定阈值修正和迁移率修正的各修正时段的两种写扫描信号WS。因此，用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS和用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS的各脉冲幅值必须相同。另一方面，当在实施例(实施例1)中产生写扫描信号WS时，阈值修正时段中的高电压是供应自一个电源电位Vddws1，而迁移率修正时段中的高电压是供应自另一个电源电位Vdch^2。即，通过使用不同的电源电位产生用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS和用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS。因此，在实施例2中，使两个电源电位Vddws1、Vddsw2的各电压值互不相同。具体地，当电源电位VddM2在迁移率修正时段的电压值为V2时，电源电位Vddws1在阈值修正时段的电压值设置成低于电压值V2的电压值V1。从上面电路操作可以清楚地看出，通常通过在阈值修正时段将在发光期间低于信号电压Vsig的基准电压V。fs写入驱动晶体管22的栅极来进行阈值修正操作。因此，当在阈值修正时段施加到写晶体管23的栅极的写扫描信号WS的幅值小于在迁移率修正时段施加到写晶体管23的栅极的写扫描信号WS的幅值时，电路操作不存在问题。鉴于此，使在阈值修正时段施加到写晶体管23的栅极的写扫描信号WS的幅值小于在迁移率修正时段施加到写晶体管23的栅极的写扫描信号WS的幅值。具体地，如图15 的时序波形图所示，阈值修正时段时的电源电位Vddws1W电压值V1设置成为低于迁移率修正时段时的电源电位VddM2的电压值V2。据此，与V1 = V2的情况相比，能够减少阈值修正时段期间消耗的功率。特别地，当使用如下的分离阈值修正的驱动方法时，即，在进行阈值修正处理及进行迁移率修正和信号写入处理的IH时段中及在该IH时段之前的多个H时段上进行阈值修正处理，由于阈值修正处理的次数增加的原因，整个阈值修正时段中功耗降低的效果非常大。3.变型示例在上面的示例中，通过举例说明了如下像素结构的情况，S卩，有机EL器件21的驱动电路基本上包括两个晶体管(驱动晶体管22和写晶体管23)，然而，本发明不限于上面的像素结构。即，本发明可应用到像素具有修正驱动晶体管22的迁移率的功能的各种显示装置。
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在上面的实施例中，通过举例说明了本发明应用到如下有机EL显示装置的情况， 即，该有机EL显示装置将有机EL器件用作像素20的电光器件，然而，本发明不限于该应用示例。具体地，本发明可应用到使用其发光亮度随着器件中流动的电流值变化的电流驱动型电光器件(发光器件)的各种显示装置，该电流驱动型电光器件例如是无机EL器件、LED 器件和半导体激光器件。4.应用示例根据本发明的上述实施例的显示装置可应用到各种领域的电子装置中的将输入到电子装置的视频信号或电子装置产生的视频信号显示为图像或视频的显示装置。作为示例，本发明可应用到图16 图20G所示的各种电子装置中的显示装置，例如，数码相机、笔记本个人计算机、诸如蜂窝电话之类的便携式终端装置、摄像机等。根据本发明的实施例的显示装置用作各种领域的电子装置中的显示装置，由此改善了各种类型的电子装置的显示图像的图像质量。从上面的实施例的说明可以清楚地看出，根据本发明的实施例的显示装置能够在不增加功耗的情况下抑制迁移率修正时段的长度的变化及抑制由该变化所引起的亮度不均勻，由此，能够在抑制各种类型的电子装置的功耗增加的同时改善显示图像的亮度的不一致性。根据本发明的实施例的显示装置包括具有密封结构的模块状装置。例如，通过将由透明玻璃等制成的相对部分结合到像素阵列单元30所形成的显示模块作为示例。透明相对部分可设置有滤色器、保护膜等，还设置有遮光膜。显示模块也可设置有用于将信号从外部输入到像素阵列单元或将信号从像素阵列单元输出到外部的电路部分或FPC(柔性印刷电路)等。下文中，将说明应用有本发明的电子装置的具体示例。图16是表示应用有本发明的电视机的外观的立体图。根据应用示例的电视机包括具有前面板102、滤光玻璃103等的视频显示屏幕部分101，通过将根据本发明的实施例的显示装置用作视频显示屏幕部分101来制造电视机。图17A和图17B是表示应用有本发明的数码相机的外观的立体图。图17A是前视图，图17B是后视图。根据应用示例的数码相机包括用于闪光的发光单元111、显示单元 112、菜单开关113、快门按钮114等，通过将根据本发明的实施例的显示装置用作显示单元 112来制造数码相机。图18是表示应用有本发明的笔记本个人计算机的外观的立体图。根据应用示例的笔记本个人计算机包括位于主体121中的在输入字符等时操作的键盘122、显示图像等的显示单元123等，通过将根据本发明的实施例的显示装置用作显示单元123来制造笔记本个人计算机。图19是表示应用有本发明的摄像机的外观的立体图。根据应用示例的摄像机包括主体单元131、用于对面向前部的侧面处的对象进行拍摄的透镜132、摄像时间的启动/ 停止开关133、显示单元134等，通过将根据本发明的实施例的显示装置用作显示单元134 来制造摄像机。图20A 图20G是表示应用有本发明的例如蜂窝电话的便携式终端装置的外形图。图20A是打开状态时的前视图，图20B是侧视图，图20C是关闭状态时的前视图，图20D 是左视图，图20E是右视图，图20F是俯视图，图20G是仰视图。根据应用示例的蜂窝电话包括上盖141、下盖142、连接部(在这种情况下，是铰链部分)143、显示器144、子显示器145、 图片灯146、相机147等。通过将根据本发明的实施例的显示装置用作显示器144或子显示器145来制造该蜂窝电话。 本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其它因素，可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。
权利要求
1.一种显示装置，其包括像素阵列单元，在所述像素阵列单元中布置有多个像素，所述多个像素中的每个像素包括电光器件、用于写入视频信号的写晶体管、用于存储由所述写晶体管所写入的所述视频信号的存储电容和用于基于存储在所述存储电容中的所述视频信号驱动所述电光器件的驱动晶体管，所述多个像素具有修正所述驱动晶体管的迁移率的功能；及扫描电路，其在逐行依次扫描所述像素阵列单元中的各个像素时将写扫描信号提供到所述写晶体管的栅极，并基于一个脉冲状态电源电位的各个上升和下降时刻产生所述写扫描信号。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，在所述写晶体管的导通时段期间，根据所述驱动晶体管中流动的电流的幅值进行所述迁移率修正。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，在所述写晶体管的所述导通时段期间，通过向所述驱动晶体管的栅极/源极之间的电位差提供负反馈来进行所述迁移率修正，所述负反馈的修正量对应于所述驱动晶体管中流动的电流的所述幅值。
4.如权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中，所述多个像素具有修正所述驱动晶体管的阈值电压的功能。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，在所述写晶体管的所述导通时段期间，通过使所述驱动晶体管的源极电位向着以如下方式获得的电位变化来进行所述阈值电压修正，所述电位是从基于所述驱动晶体管的所述栅极电位的初始化电位的基准电位减去所述驱动晶体管的所述阈值电压所获得的。
6.如权利要求4或5所述的显示装置，其中，所述扫描电路在所述阈值电压修正期间提供到所述写晶体管的所述栅极的所述写扫描信号的幅值和在所述迁移率修正期间提供到所述写晶体管的所述栅极的所述写扫描信号的幅值不同。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述扫描电路在所述阈值电压修正期间提供到所述写晶体管的所述栅极的所述写扫描信号的所述幅值小于在所述迁移率修正期间提供到所述写晶体管的所述栅极的所述写扫描信号的所述幅值。
8.如权利要求6或7所述的显示装置，其中，所述扫描电路包括第一缓冲电路，其在所述阈值电压修正期间将所述写扫描信号输出到所述写晶体管的所述栅极，及第二缓冲电路，其在所述迁移率修正期间将所述写扫描信号输出到所述写晶体管的所述栅极，所述第一缓冲电路借助直流电源电位操作，所述第二缓冲电路借助所述脉冲状态电源电位操作，所述脉冲电源电位的电压值高于所述直流电源电位。
9.如权利要求1-8中任一项所述的显示装置，其中，在通过所述写晶体管进行所述视频信号的写入的一个水平时段内进行所述阈值电压修正，及在所述一个水平时段之前的多个水平时段上进行多次所述阈值电压修正。
10.一种显示装置的驱动方法，所述显示装置包括布置有多个像素的像素阵列单元，所述多个像素中的每个像素包括电光器件、用于写入视频信号的写晶体管、用于存储由所述写晶体管所写入的所述视频信号的存储电容和用于基于存储在所述存储电容中的所述视频信号驱动所述电光器件的驱动晶体管，所述多个像素具有修正所述驱动晶体管的迁移率的功能，所述方法包括以下步骤基于一个脉冲状态电源电位的各个上升和下降时刻，产生在逐行依次扫描所述像素阵列单元中的各个像素时提供到所述写晶体管的栅极的写扫描信号。
11. 一种电子装置，其包括 显示装置，所述显示装置包括像素阵列单元，在所述像素阵列单元中布置有多个像素，所述多个像素中的每个像素包括电光器件、用于写入视频信号的写晶体管、用于存储由所述写晶体管所写入的所述视频信号的存储电容和用于基于存储在所述存储电容中的所述视频信号驱动所述电光器件的驱动晶体管，所述多个像素具有修正所述驱动晶体管的迁移率的功能；及扫描电路，其在逐行依次扫描所述像素阵列单元中的各个像素时将写扫描信号提供到所述写晶体管的栅极，并基于一个脉冲状态电源电位的各个上升和下降时刻产生所述写扫描信号。
全文摘要
本发明涉及显示装置、该显示装置的驱动方法和具有该显示装置的电子装置。该显示装置包括布置有多个像素的像素阵列单元，所述多个像素中的每个像素包括电光器件、用于写入视频信号的写晶体管、用于存储视频信号的存储电容和用于基于视频信号驱动所述电光器件的驱动晶体管，所述多个像素具有修正所述驱动晶体管的迁移率的功能；及扫描电路，其在逐行依次扫描所述像素阵列单元中的各个像素时将写扫描信号提供到所述写晶体管的栅极，并基于一个脉冲状态电源电位的各个上升和下降时刻产生所述写扫描信号。本发明能够提供在不增加功耗的情况下抑制迁移率修正时段的长度变化和抑制由于该变化所引起的亮度不均匀的显示装置。
文档编号G09G3/32GK102194406SQ201110049208
公开日2011年9月21日 申请日期2011年3月1日 优先权日2010年3月10日
发明者尾本启介 申请人:索尼公司
技术领域：
本发明涉及显示装置、显示装置的驱动方法和电子装置，具体涉及平面型显示装置、所述显示装置的驱动方法和具有所述显示装置的电子装置，其中，所述平面型显示装置中均具有电光器件的像素以矩阵形式二维布置。
背景技术：
近年来，在进行图像显示的显示装置领域，像素(像素电路)布置成矩阵形式的平面型(平板型)显示装置正迅速普及。作为一种平面型显示装置，在将所谓的电流驱动型电光器件用作像素的发光器件的显示装置中，发光亮度随着器件中流动的电流而变化。作为电流驱动型电光器件，有机EL器件是公知的，有机EL器件利用有机材料电致发光(EL)， 利用电场施加到有机薄膜时的发光现象。将有机EL器件用作像素的发光器件的有机EL显示装置具有下述特性。即，有机 EL装置是由IOV以下的施加电压驱动的低功耗装置。与液晶显示装置相比，有机EL装置具有高的图像清晰度，这是因为有机EL装置是自发光装置。而且，由于不需要诸如背光源之类的照明部件，所以有机EL装置比较轻薄。而且，有机EL装置具有约为几微秒的极高的响应速度，不会出现残留图像。以与液晶显示装置相同的方式，有机EL显示装置可使用简单(无源)矩阵型驱动和有源矩阵型驱动作为其驱动方法。尽管简单矩阵显示装置具有简单的结构，但扫描线 (即，像素的数量)的增加减小了电光器件的发光时段，因此，存在难以实现大尺寸和高清晰度显示装置的问题。为解决上述问题，用于通过有源器件控制电光器件中流动的电流的有源矩阵显示装置近年来得到了长足的发展，有源器件例如是与电光器件设置在同一像素中的绝缘栅型场效应晶体管。通常使用TFT(薄膜晶体管)作为绝缘栅型场效应晶体管。在有源矩阵显示装置中，电光器件在显示帧时段期间保持发光，因此，能够容易实现大尺寸高清晰度显示
直ο具有以有源矩阵方法驱动的电流驱动型电光器件的像素电路包括电光器件和用于驱动电光器件的驱动电路。众所周知，像素电路具有包括驱动晶体管22、写晶体管23和存储电容对的驱动电路，驱动电路对作为电流驱动型电光器件的有机EL器件21进行驱动 (例如，参照日本专利申请JP-A-2008-310127 (专利文献1))。专利文献1披露了使用以脉冲形式立即下降的电源电压Vdd2使扫描线电位(写扫描信号)WS在电源电压Vdd2的下降时刻下降(参照专利文献1中的第0116段等)。专利文献1还披露了通过电源线电位DS的上升时刻和扫描线电位WS的下降时刻来界定阈值修正时段(参照专利文献1中的第0117段等)。而且，专利文献1还披露了在写扫描信号WS处于活动状态时进行视频信号的写入 (参照专利文献1中的第0062段等)。专利文献1还披露了用于修正各个像素中的晶体管迁移率变化的迁移率修正和视频信号的写入并行进行(参照专利文献1中的第0064-0067 段等)。由写扫描信号的脉冲宽度确定信号写入时段和迁移率修正时段。通过使用包括晶体管等的逻辑电路配置用于产生写扫描信号的扫描电路。当包含在逻辑电路中的晶体管的特性存在变化时，写扫描信号的脉冲宽度，即迁移率修正时段的长度也发生变化。在专利文献1所述的相关技术中，由以脉冲形式下降的电源电位的下降时刻来确定写扫描信号的下降时刻，写扫描信号的下降时刻用于确定写扫描信号的脉冲宽度。因此， 写扫描信号的下降时刻不受晶体管特性变化的影响。然而，与由电源电位的上升时刻确定其上升时段的阈值修正时段的情况不同的是，对于迁移率修正时段的情况，由逻辑电路确定写扫描信号的上升时刻。因此，当晶体管特性变化时，写扫描信号的脉冲宽度，即迁移率修正时段的长度也变化。当迁移率修正时段“t”的长度改变了 At时，驱动有机EL器件的驱动晶体管中流动的电流Ids在发光时改变了 △ Ids，因此，迁移率修正时段“t”的长度变化将会直接造成有机EL器件的发光亮度不同。S卩，由于晶体管特性的变化所导致的迁移率修正时段“t”的长度发生变化，显示屏幕上出现亮度不均勻。为了防止晶体管特性的影响，可考虑使用由在电源电位的上升时刻确定写扫描信号的上升时刻的方法。然而，与由逻辑电路确定写扫描信号的上升时刻的情况相比，上述方法需要两倍的电源电位的开/关次数。这是因为，基于单独的电源电位产生用于确定阈值修正时段的写扫描信号和用于在逻辑电路中确定迁移率修正时段的写扫描信号(下面将详细说明)。由于电源电位的开/关次数增加一倍，所以增加了功耗。
发明内容
鉴于此，期望提供一种能够在不增加功耗的情况下抑制迁移率修正时段的长度变化和抑制由于该变化所引起的亮度不均勻的显示装置、一种所述显示装置的驱动方法和一种包括所述显示装置的电子装置。根据本发明的实施例，提供一种包括像素阵列单元的显示装置，在所述像素阵列单元中布置有多个像素，所述多个像素均包括电光器件、用于写入视频信号的写晶体管、用于存储由所述写晶体管写入的所述视频信号的存储电容和用于基于存储在所述存储电容中的所述视频信号驱动所述电光器件的驱动晶体管，所述像素具有修正所述驱动晶体管的迁移率的功能，在所述显示装置中，在逐行依次扫描所述像素阵列中的各个像素时提供到所述写晶体管的栅极的写扫描信号是基于一个脉冲状态电源电位的各个上升和下降时刻产生的。由于所述写扫描信号是基于一个脉冲状态电源电位的各个上升和下降时刻产生的，所以在逻辑电路中产生所述写扫描信号的情况下，所述写扫描信号的各个上升和下降时刻不受晶体管特性变化的影响。所述写扫描信号的各个上升和下降时刻确定了迁移率修正时段。因此，所述迁移率修正时段的长度不会由于晶体管特性的变化而发生变化。所述脉冲状态电源电位的开关次数与通过所述逻辑电路确定所述写扫描信号的所述上升时刻的情况下的次数相同，因此，没有引起功耗的增加。根据本发明的实施例，在不引起功耗增加的情况下能够抑制迁移率修正时段的长度变化，因此，能够在低功耗的情况下抑制由该变化所引起的亮度不均勻。
图1是表示应用有本发明的实施例的有机EL显示装置的结构要点的系统结构图；图2是表示应用有本发明的实施例的有机EL显示装置的像素的电路结构示例的电路图；图3是表示像素的横剖面结构示例的横剖面图；图4是用于解释应用有本发明的实施例的有机EL显示装置的基本电路操作的时序波形图；图5A 图5D是应用有本发明的实施例的有机EL显示装置的基本电路操作的操作说明图(第一组)；图6A 图6D是应用有本发明的实施例的有机EL显示装置的基本电路操作的操作说明图(第二组)；图7是用于解释由于驱动晶体管的阈值电压Vth的变化所引起的问题的特性曲线.
一入 ，图8是用于解释由于驱动晶体管的迁移率μ的变化所引起的问题的特性曲线；图9Α 图9C是用于解释存在或不存在阈值修正和迁移率修正时视频信号的信号电压Vsig与驱动晶体管的漏极-源极电流Ids之间的关系的特性图；图10是表示根据相关技术示例的写扫描电路的电路结构示例的框图；图11是用于解释根据相关技术示例的写扫描电路的电路操作的时序波形图；图12是关于迁移率修正时段的长度变化的说明图；图13是表示根据实施例1的写扫描电路的电路结构的框图；图14是用于解释根据实施例1的写扫描电路的电路操作的时序波形图；图15是用于解释根据实施例2的写扫描电路的电路操作的时序波形图；图16是表示应用有本发明的电视机的外观的立体图；图17Α和图17Β是表示应用有本发明的数码相机的外观的立体图，其中，图17Α是前视图，图17Β是后视图；图18是表示应用有本发明的笔记本个人计算机的外观的立体图；图19是表示应用有本发明的摄像机的外观的立体图；图20Α 图20G是表示应用有本发明的手机的外观图，其中，图20Α是打开状态下的前视图，图20Β是侧视图，图20C是关闭状态下的前视图，图20D是左视图，图20Ε是右视图，图20F是俯视图，图20G是仰视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细说明实现本发明的方式(在下文中，称为“实施例”)。以以下顺序做出说明。1.应用有本发明的实施例的有机EL显示装置1-1.系统结构1-2.基本电路操作1-3.根据相关技术示例的写扫描电路2.根据实施例的有机EL装置的说明2-1.实施例 12-2.实施例 23.变型示例4.应用示例(电子装置)1.应用有本发明的实施例的有机EL显示装置1-1.系统结构图1是表示应用有本发明的有源矩阵显示装置的结构要点的系统结构图。有源矩阵显示装置是通过有源器件控制电光器件中流动的电流的显示装置，例如，有源器件是与电光器件设置在同一像素中的绝缘栅型场效应晶体管。通常使用TFT(薄膜晶体管)作为绝缘栅型场效应晶体管。这里，将有源矩阵有机EL显示装置的情况作为示例进行说明，该有源矩阵有机EL 显示装置将电流驱动型电光器件(例如，有机EL器件)用作发光元件，电流驱动型电光器件的发光亮度随着器件中流动的电流值而变化。如图1所示，根据本应用示例的有机EL显示装置10包括多个包含有机EL器件的像素20、像素阵列单元30和布置在像素阵列单元30附近的驱动单元，在像素阵列单元30 中，像素20以矩阵形式二维布置。用于驱动像素阵列单元30中的各个像素20的驱动单元包括写扫描电路40、电源扫描电路50、信号输出电路60等。在有机EL显示装置10进行彩色显示的情况下，一个像素包括多个子像素，各个子像素对应于像素20。更具体地，在用于彩色显示的显示器中，一个像素包括三个子像素，这三个子像素分别是发出红光(R)的子像素、发出绿光(G)的子像素和发出蓝光(B)的子像
ο一个像素中的子像素组合不限于RGB三种基色的组合，还可以通过向三个基色子像素中增加一种或多种颜色的子像素来形成一个像素。更具体地，例如可通过增加用于改善亮度的发出白光(W)的子像素来形成一个像素，或者通过增加至少一个发出互补颜色光的用于扩展色彩再现范围的子像素来形成一个像素。在像素阵列单元30中，沿着布置成m行η列的像素20中的各个像素行的行方向 (像素行的像素布置方向)布置扫描线31_i 31__ 及电源线32_i 32_m。再者，沿着各个像素列的列方向(像素列的像素布置方向)布置信号线33_i 33_n。扫描线3U 31_m分别连接到写扫描电路40的对应行的输出端。电源线 32_m分别连接到电源扫描电路50的对应行的输出端。信号线3L 33_n分别连接到信号输出电路60的对应列的输出端。通常在诸如玻璃基板之类的透明绝缘基板上形成像素阵列单元30。因此，有机EL显示装置10具有平面型面板结构。可通过使用非晶硅TFT或低温多晶硅TFT来形成像素阵列单元30中的每个像素20的驱动电路。当使用低温多晶硅TFT时，可将写扫描电路40、 电源扫描电路50和信号输出电路60安装到形成有像素阵列单元30的显示面板(基板)70 上。写扫描电路40包括移位寄存器，移位寄存器用于与时钟脉冲“ck”同步地顺序移位(转移)启动脉冲“SP”。在将视频信号写入到像素阵列单元30中的各个像素20时，写扫描电路40向扫描线31_i 31_m顺序供应写扫描信号WS (WS1 WiU，借此逐行依次扫描 (线序扫描)像素阵列单元30中的各个像素20。电源扫描电路50包括移位寄存器，移位寄存器用于与时钟脉冲“ck”同步地顺序移位启动脉冲“印”。电源扫描电路50与写扫描电路40的线序扫描同步地向电源线32_i 32_m供应电源电位DS (DS1 D^1)，电源电位DS可在第一电源电位V。。p和第二电源电位Vini 之间切换，第二电源电位Vini低于第一电源电位V。。p。如下所述，通过切换电源电位DS的 Vccp/Vini对像素20的发光/非发光进行控制。信号输出电路60选择性地输出视频信号的信号电压Vsig (下文中，可简称为“信号电压”)和基准电压v。fs，视频信号的信号电压Vsig对应于信号源(未图示)供应的亮度信息。这里，基准电压v。fs是作为视频信号的信号电压Vsig的基准的电压(例如，对应于视频信号的黑电平的电压)，基准电压v。fs在进行下述阈值修正处理时使用。以由写扫描电路40的扫描所选择的像素行为单位，从信号输出电路60输出的信号电压Vsig/基准电压V。fs通过信号线33_i 33_n写入像素阵列单元30的各个像素20中。 即，信号输出电路60采用逐行(逐线)写入信号电压Vsig的线序写入驱动状态。像素电路图2是表示像素(像素电路)20的具体电路结构的电路图。如图2所示，像素20包括有机EL器件21和通过使电流在有机EL器件21中流动来驱动有机EL器件21的驱动电路，其中有机EL器件21作为发光亮度随着器件中流动的电流值而变化的电流驱动型电光器件。有机EL器件21的阴极连接到公共电源线34，公共电源线34布线为(所谓的全部布线)所有像素20共用。用于驱动有机EL器件21的驱动电路包括驱动晶体管22、写晶体管23和存储电容 24。N沟道TFT可用作驱动晶体管22和写晶体管23。驱动晶体管22和写晶体管23的导电类型的这种组合仅是示例，不限于上述组合。当N沟道TFT用作驱动晶体管22和写晶体管23时，可通过使用非晶硅(α -Si) 工艺来形成电路。通过使用α-Si工艺，能够降低其上形成有TFT的基板的费用以及降低有机EL显示装置10的费用。当驱动晶体管22和写晶体管23形成为相同的导电类型组合时，可在相同过程中形成晶体管22、23，这降低了成本。在驱动晶体管22中，源极和漏极中的一个电极连接到有机EL器件21的阳极，另一个电极连接到电源线32(31 32_m)。在写晶体管23中，源极和漏极中的一个电极连接到信号线33(31 33_n)，另一个电极连接到驱动晶体管22的栅极。写晶体管23的栅极连接到扫描线31 (3U 31_m)。在驱动晶体管22和写晶体管23中，一个电极是指电连接到源极/漏极区域的金属布线，另一个电极是指电连接到漏极/源极区域的金属布线。根据一个电极和另一个电极之间的电位关系，一个电极可以是源极或漏极，另一个电极可以是漏极或源极。在存储电容M中，一个电极连接到驱动晶体管22的栅极，另一个电极连接到驱动晶体管22的另一个电极和有机EL器件21的阳极。有机EL器件21的驱动电路不限于包括两个晶体管(驱动晶体管22和写晶体管 23)和一个电容元件(存储电容24)的电路结构。例如，能够应用如下结构根据需要，设置用于补偿有机EL器件21的存储容量不足的辅助电容，使得其一个电极连接到有机EL器件21的阳极，其另一个电极连接到固定电位。在具有上面结构的像素20中，响应于通过扫描线31施加到写晶体管23的栅极的来自写扫描电路40的高电位动作写扫描信号WS，写晶体管23导通。于是，写晶体管23对视频信号的信号电压Vsig或基准电压V。fs进行采样，并将该电压写入像素20，视频信号的信号电压Vsig或基准电压V。fs对应于通过信号线33从信号输出电路60供应的亮度信息。所写入的信号电压Vsig或基准电压V。fs施加到驱动晶体管22的栅极并存储在存储电容M中。当电源线32(32_i 32_m)的电位DS处于第一电源电位V。。p时，驱动晶体管22通过将一个电极用作漏极并将另一个电极用作源极而在饱和区工作。于是，驱动晶体管22从电源线32接收电流供应，并通过该电流来驱动有机EL器件21发光。更具体地，驱动晶体管22在饱和区工作，由此向有机EL器件21供应驱动电流，并通过该驱动电流驱动有机EL 器件21发光，该驱动电流的电流值对应于存储在存储电容M中的信号电压Vsig的电压值。当电源电位DS从第一电源电位V。。p切换到第二电源电位Vini时，驱动晶体管22通过将一个电极用作漏极并将另一个电极用作源极而作为开关晶体管工作。于是，驱动晶体管22停止向有机EL器件21供应驱动电流，使有机EL器件21处于非发光状态。即，驱动晶体管22也具有作为控制有机EL器件21的发光/非发光的晶体管的功能。根据驱动晶体管22的切换操作，能够提供有机EL器件21处于非发光状态的时段 (非发光时段)，并能够控制有机EL器件21的发光时段和非发光时段的比(占空比)。根据占空比控制，能够降低由像素在一个显示帧期间的发光所引起的残留图像模糊，因此，尤其能够使动态图像的图像质量表现优良。在通过电源线32所选择性地从电源扫描电路50供应的第一电源电位V。。p和第二电源电位Vini中，第一电源电位V。。p是将用于驱动有机EL器件21发光的驱动电流供应到驱动晶体管22的电源电位，第二电源电位Vini是用于对有机EL器件21进行反向偏置的电源电位。第二电源电位Vini设置成低于基准电位V。fs，例如，在驱动晶体管22的阈值电压为Vth 时，第二电源电位Vini低于电位V。fs-Vth，优选地，第二电源电位Vini充分低于电位v。fs-vth。像素结构图3是表示像素20的横剖面结构示例的横剖面图。如图3所示，在玻璃基板201 上形成包括驱动晶体管22等的驱动电路。像素20具有如下结构在玻璃基板201上依次形成绝缘膜202、绝缘平坦化膜203和窗绝缘膜204，在窗绝缘膜204的凹部204A中形成有机EL器件21。这里，仅示出了驱动电路的各个部件中的驱动晶体管22，而省略了其它部件。有机EL器件21包括阳极205、有机层(电子输送层、发光层、空穴输送层/空穴注入层)206和阴极207。阳极205是由形成在窗绝缘膜204的凹部204A的底部的金属等制成。在阳极205上形成有机层206。阴极207是由形成在有机层206上方的为所有像素共用的透明导电膜等制成。
在有机EL器件21中，通过在阳极205上顺序沉积空穴输送层/空穴注入层2061、 发光层2062、电子输送层2063和电子注入层(未图示)来形成有机层206。然后，在图2 的驱动晶体管22所提供的电流驱动下，电流通过阳极205从驱动晶体管22流入有机层206 中，当电子和空穴在那里再结合时，有机层206中的发光层2062发出光。驱动晶体管22包括栅极221、设置在半导体层222的两侧的源极/漏极区域223、 224和位于半导体层222中与栅极221面对的部分处的沟道形成区域225。源极/漏极区域223通过接触孔电连接到有机EL器件21的阳极205。在隔着绝缘膜202、绝缘平坦化膜203和窗绝缘膜204将每个像素的有机EL器件 21形成在玻璃基板201上之后，通过使用粘合剂210将密封基板209结合在钝化膜208上。 密封基板209密封有机EL器件21，由此形成显示面板70。1-2.基本电路操作随后，将使用图5A 图5D和图6A 图6D的操作说明图来说明具有上述结构的有机EL显示装置10基于图4的时序波形图的基本电路操作。在图5A 图5D和图6A 图6D的操作说明图中，为简化附图，写晶体管23表示为开关符号。同时示出了有机EL器件21的等效电容25。图4的时序波形图表示扫描线31的电位WS(写扫描信号)、电源线32的电位 DS(电源电位)、信号线33的电位(Vsig/V。fs)、驱动晶体管22的栅极电位Vg和源极电位Vs 的变化。前一显示帧的发光时段在图4的时序波形图中，时间点“til”之前的时段是有机EL器件21的前一显示帧的发光时段。在前一显示帧的发光时段中，电源线32的电位DS处于第一电源电位V。。p (下文中，称为“高电位”)，写晶体管23处于非导通状态。此时，驱动晶体管22设计成在饱和区工作。于是，如图5A所示，驱动晶体管22将对应于驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs的驱动电流(漏极-源极电流)Ids从电源线32 供应到有机EL器件21。因此，有机EL器件21发出具有对应于驱动电流Ids的电流值的亮度的光。阈值修正准备时段在时间点“til”处，线序扫描进入新的显示帧(目前的显示帧)。然后，如图5B所示，电源线32的电位DS从高电位V。。p切换到充分低于V。fs-Vth(与信号线33的基准电压V。fs 相关的)的第二电源电位Vini (下文中，称为“低电位”)。这里，设定有机EL器件21的阈值电压为Vthel，公共电源线34的电位(阴极电位) 为v。ath。在这种情况下，当低电位Vini为Vini < Vthel+Vcath时，驱动晶体管22的源极电位Vs 几乎等于低电位Vini，因此，有机EL器件21处于反向偏置状态，有机EL器件21不发光。接下来，如图5C所示，扫描线31的电位WS在时间点“tl2”处从低电位侧向高电位侧变化，使写晶体管23导通。此时，基准电压V。fs从信号输出电路60供应到信号线33， 因此，驱动晶体管22的栅极电位Vg变成基准电位V。fs。驱动晶体管22的源极电位Vs处于充分低于基准电压Vrfs的电位Vini。此时，驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs将变成V。fs_Vini。这里，如果V。fs_Vini不大于驱动晶体管22的阈值电压Vth，则难以进行下述阈值修正处理，因此，需要将电位关系设置成 v。fs-vini > Vth。于是，在进行下述阈值修正处理(阈值修正操作)之前的准备处理(阈值修正准备)是如下处理将驱动晶体管22的栅极电位Vg固定成基准电压V。fs，并将源极电位Vs固定(确定)成低电位Vini以进行初始化。因此，基准电压V-和低电位Vini分别是驱动晶体管22的栅极电位Vg和源极电位Vs的初始化电位。阈值修正时段接下来，如图5D所示，当电源线32的电位DS在时间点“tl3”处从低电位Vini切换到高电位V。。p时，在保持驱动晶体管22的栅极电位Vg的状态下启动阈值修正处理。艮口， 驱动晶体管22的源极电位Vs开始向着将栅极电位\减去驱动晶体管22的阈值电压Vth所获得的电位增加。这里，为便于说明，使源极电位Vs向着基于驱动晶体管22的栅极的初始化电位 Vofs将初始化电位V。fs减去驱动晶体管22的阈值电压Vth所获得的电位进行改变的处理称为阈值修正处理。随着进行阈值修正处理，驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs趋于驱动晶体管22的阈值电压Vth。对应于阈值电压Vth的电压存储在存储电容M中。在进行阈值修正处理的时段(阈值修正时段)中，公共电源线34的电位V。ath设置成使得有机EL器件21处于关断状态，以便使电流仅流向存储电容对侧并防止电流流向有机EL器件21侧。接下来，如图6A所示，当扫描线31的电位WS在时间点“ 114”处向低电位侧变化时，写晶体管23处于非导通状态。此时，驱动晶体管22的栅极从信号线33电断开，处于浮动状态。然而，驱动晶体管22处于关断状态，这是因为栅极-源极电压Vgs等于阈值电压 Vth。因此，漏极-源极电流Ids不在驱动晶体管22中流动。信号写入和迁移率修正时段接下来，如图6B所示，信号线33的电位在时间点“tl5”处从基准电压V。fs切换到视频信号的信号电压Vsig。随后，如图6C所示，当扫描线31的电位WS在时间点“tl6”处向高电位侧变化时，写晶体管23变成导通状态，并对写入到像素20中的视频信号的信号电压 Vsig进行采样。通过写晶体管23进行信号电压Vsig的写入，驱动晶体管22的栅极电位Vg变成信号电压vsig。然后，当通过视频信号的信号电压Vsig驱动驱动晶体管22时，对应于存储在存储电容M中的阈值电压Vth的电压抵消了驱动晶体管22的阈值电压Vth。后面将详细说明阈值抵消的原理。此时，有机EL器件21处于关断状态(高阻状态)。因此，来自电源线32的在驱动晶体管22中流动的由视频信号的信号电压Vsig所确定的电流(漏极-源极电流Ids)流入有机EL器件21的等效电容25中，开始对等效电容25充电。当对有机EL器件21的等效电容25进行充电时，驱动晶体管22的源极电位Vs随时间增加。这时，已抵消了各个像素中的驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化，所以驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids取决于驱动晶体管22的迁移率μ。驱动晶体管22的迁移率μ是形成驱动晶体管22的沟道的半导体薄膜的迁移率。这里，设定存储电容M的存储电压Vgs相对视频信号的信号电压Vsig的比，即写增益G是1 (期望值)。随后，当驱动晶体管22的源极电位Vs增加到电位V。fs_Vth+A V时，栅极-源极电压Vgs将变成Vsig-V。fs+Vth_ Δ V。S卩，驱动晶体管22的源极电位Vs的增加量Δ V充当从存储电容M所存储的电压 (Vsig-Vofs+Vth)中所减去的量，换句话说，以便对存储电容&的存储电荷进行放电的量，这意味着提供负反馈。因此，源极电位Vs的增加量Δν是负反馈的反馈量。如上所述，通过对应于驱动晶体管22中流动的漏极-源极电流Ids的反馈量Δ V 来提供栅极-源极电压Vgs的负反馈，由此抵消驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids对迁移率μ的依赖性。抵消处理是修正各个像素中的驱动晶体管22的迁移率μ的变化的迁移率修正处理。更具体地，漏极-源极电流Ids随着写入到驱动晶体管22的栅极中的视频信号的信号幅值Vin( = vsig-v。fs)变高而变高，因此，负反馈的反馈量Δν的绝对值变高。于是，进行对应于发光亮度水平的迁移率修正处理。当固定视频信号的信号幅值Vin时，负反馈的反馈量△ V的绝对值随着驱动晶体管 22的迁移率μ变高而变高，因此，抵消了各个像素中的迁移率μ的变化。于是，负反馈的反馈量△ V也可定义为迁移率修正的修正量。后面将详细说明迁移率修正的原理。发光时段接下来，如图6D所示，当电位WS在时间点“tl7”处向低电位侧变化时，写晶体管 23处于非导通状态。于是，驱动晶体管22的栅极从信号线33电切断，处于浮动状态。这里，当驱动晶体管22的栅极处于浮动状态时，驱动晶体管22的栅极电压Vg与源极电位Vs —同变化，这是因为存储电容M连接在驱动晶体管22的栅极/源极之间。驱动晶体管22的栅极电位Vg与源极电位Vs —同变化的上述操作是存储电容M的自举操作。驱动晶体管22的栅极处于浮动状态，同时驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids开始在有机EL器件21中流动，因此，有机EL器件21的阳极电位随着电流Ids增加。当有机EL器件21的阳极电位超过Vthel+V。ath时，驱动电流开始在有机EL器件21 中流动，因此，有机EL器件21开始发光。有机EL器件21的阳极电位的增加无异于驱动晶体管22的源极电位Vs的增加。当驱动晶体管22的源极电位Vs增加时，驱动晶体管22的栅极电位Vg由于存储电容M的自举操作而一起增加。当设定自举增益为1(期望值)时，栅极电位Vg的增加量等于源极电位Vs的增加量。因此，驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs在发光时段期间保持为Vsig-V。fs+Vth_ Δ V不变。然后，信号线33的电位在时间点“tl8”处从信号电压Vsig切换到基准电压V。fs。在上述系列电路操作中，在一个水平扫描时段(IH)中执行阈值修正准备、阈值修正、信号电压Vsig的写入(信号写入)和迁移率修正的各处理操作。在时间点“tie”和“tl7” 之间的时段期间并行执行信号写入和迁移率修正的各处理操作。分离阈值修正这里仅对进行一次阈值修正处理的驱动方法的情况作为示例进行了说明，然而， 该驱动方法仅是示例，不限于这种方法。例如，能够应用如下驱动方法(所谓的分离阈值修正的驱动方法)在进行阈值修正处理及进行迁移率修正和信号写入处理的IH时段内执行阈值修正处理，并在该IH时段之前的多个水平扫描时段上分别执行多次阈值修正处理。根据分离阈值修正的驱动方法，即使当分配到一个水平扫描时段的时间随着由装置的高清晰度所需要的多像素而变短时，仍绝对能够进行阈值修正处理，这是因为能够在多个水平扫描时段上保证充足的时间作为阈值修正时段。阈值抵消原理这里，将说明驱动晶体管22的阈值抵消(即，阈值修正)原理。驱动晶体管22作为恒定电流源操作，这是因为该晶体管设计成在饱和区中工作。于是，通过驱动晶体管22 将由下面的表达式⑴所给出的固定漏极-源极电流(驱动电流)Ids供应到有机EL器件 21。Ids= (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vgs-Vth)2... (1)这里，W代表驱动晶体管22的沟道宽度，L代表沟道长度，C。x代表每单位面积的栅极电容值。图7表示驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids与栅极-源极电压Vgs之间的特性。如特性曲线所示，如果未对各个像素中的驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化进行抵消处理，则在阈值电压Vth为Vthl时，对应于栅极-源极电压Vgs的漏极-源极电流Ids 将为Idsl。当阈值电压Vth为Vth2 (Vth2 > Vthl)时，对应于相同栅极-源极电压Vgs的漏极-源极电流Ids将为Ids2 (Ids2 < Idsl)。即，当驱动晶体管22的阈值电压Vth变化时，即使固定栅极-源极电压Vgs，漏极-源极电流Ids仍发生变化。另一方面，在具有上述结构的像素(像素电路)20中，驱动晶体管22在发光时段期间的栅极-源极电压Vgs是Vsig-V。fs+Vth_AV。因此，当上述关系代入到表达式(1)时，则由下面的表达式⑵表示漏极-源极电流Ids。Ids = (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vsig-Vofs-Δ V)2 ... (2)即，抵消了驱动晶体管22的阈值电压Vth这一项，于是从驱动晶体管22供应到有机EL器件21的漏极-源极电流Ids不取决于驱动晶体管22的阈值电压Vth。因此，在各个像素中，即使当由于驱动晶体管的制造过程的变化、时间的变化等引起驱动晶体管22的阈值电压Vth变化时，漏极-源极电流Ids仍不发生变化，因此，有机EL器件21的发光亮度能够保持恒定。迁移率修正原理接下来，将说明驱动晶体管22的迁移率修正原理。图8表示通过比较像素A和像素B获得的特性曲线，像素A的驱动晶体管22具有相对高的迁移率μ，像素B的驱动晶体管22具有相对低的迁移率μ。当驱动晶体管22是由多晶硅薄膜晶体管等制成时，诸如像素A和像素B之类的像素之间的迁移率μ不可避免地会不同。在像素A和像素B之间的迁移率μ不同的状态下，设定将例如相同电平的信号幅值vin( = Vsig-Vofs)均写入像素A和B的驱动晶体管22的栅极。在这种情况下，如果没有进行迁移率μ的修正，则在具有高迁移率μ的像素A中流动的漏极-源极电流Idsl,和在具有低迁移率μ的像素B中流动的漏极-源极电流Ids2,之间出现较大差异。当由于如上所述的各个像素中的迁移率μ的变化而导致在像素之间的漏极-源极电流Ids出现较大差异时，降低了屏幕的一致性。从上述表达式(1)中的晶体管特性表达式可以清楚地看出，当迁移率μ高时，漏极-源极电流Ids增加。因此，负反馈中的反馈量Δν随着迁移率μ变高而增加。如图8所示，具有高迁移率μ的像素A的反馈量Δ V1大于具有低迁移率μ的像素B的反馈量Δν2。
于是，当通过迁移率修正处理向栅极-源极电压Vgs提供具有对应于驱动晶体管22 的漏极-源极电流IdsW反馈量的负反馈时，负反馈随着迁移率μ变高而被赋予较高的量。因此，能够抑制各个像素中的迁移率μ的变化。具体地，当使用具有高迁移率μ的像素A中的反馈量八义进行修正时，漏极-源极电流IdsWidsl,降低到idsl。另一方面，具有低迁移率μ的像素B中的反馈量Av2小，因此，漏极-源极电流Ids Wlds2,降低到Ids2，其不会较大地降低。因此，像素A的漏极-源极电流Ids几乎等于像素B的漏极-源极电流Ids，因此，修正了各个像素中的迁移率μ的不同。总之，当存在具有不同迁移率μ的像素A和像素B时，具有高迁移率μ的像素A 的反馈量AV1大于具有低迁移率μ的像素B的反馈量AV2。S卩，迁移率μ越高，则反馈量Δ V越大，漏极-源极电流Ids的减小量也变得越大。因此，当使用对应于驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids的反馈量Δ V向栅极-源极电压Vgs提供负反馈时，由此能够使具有不同迁移率μ的各个像素中的漏极-源极电流 IdsW电流值一致。于是，能够修正各个像素中的迁移率μ的不同。即，可将向驱动晶体管 22的栅极-源极电压Vgs提供具有对应于驱动晶体管22中流动的电流(漏极-源极电流 Ids)的反馈量Δ V的负反馈的处理定义为迁移率修正处理。这里，将参照图9Α 图9C说明在图2所示的像素(像素电路)20中进行或不进行阈值修正和迁移率修正的情况下视频信号的信号电压Vsig与驱动晶体管22的漏极-源极电流Ids之间的关系。在附图中，图9Α表示既不进行阈值修正也不进行迁移率修正的情况，图9Β表示不进行迁移率修正但进行阈值修正的情况，图9C表示进行阈值修正和迁移率修正的情况。如图9Α所示，当既不进行阈值修正也不进行迁移率修正时，由于各个像素A、B中的阈值电压 Vth和迁移率μ的变化而导致像素Α、B的漏极-源极电流Ids出现较大差异。另一方面，如图9Β所示，当仅进行阈值修正时，尽管能够将漏极-源极电流Ids的变化减小到一定程度，但仍存在由各个像素Α、Β中的迁移率μ的变化所导致的像素Α、Β之间的漏极-源极电流Ids的差异。然后，如图9C所示，当进行阈值修正和迁移率修正时，由此几乎抵消了由于各个像素Α、Β中的阈值电压Vth和迁移率μ的变化而导致的像素Α、Β之间的漏极-源极电流Ids的差异。因此，有机EL器件21在任何情况下都不出现亮度变化， 能够获得良好质量的显示图像。另外，除阈值修正和迁移率修正的各个修正功能之外，如图2所示的像素20还包括存储电容M的自举操作功能，因此，能够获得以下效果。即，即使当由于有机EL器件21的I-V特性随着时间的变化而导致驱动晶体管22 的源极电位Vs变化时，由于存储电容M的自举操作的原因，仍能够将驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs保持不变。因此，有机EL器件21中流动的电流是固定的且不发生变化。 于是，有机EL器件21的发光亮度保持恒定，因此，即使当有机EL器件21的I-V特性随着时间变化时，仍能够实现不具有由该变化所导致的亮度劣化的图像显示。1-3.根据相关技术示例的写扫描电路从上述基本的电路操作可以清楚地看出，通过写扫描信号WS的脉冲宽度确定与视频信号的信号电压Vsig的写入并行进行的迁移率修正时段。用于产生写扫描信号WS的写扫描电路40配置成为包括由晶体管(例如，TFT等)形成的逻辑电路等。图10是表示根据相关技术示例的写扫描电路的电路结构示例的框图。这里，为简化附图，仅示出了对应于写扫描电路中的给定像素行的一个单元电路的电路结构。然而，事实上布置了对应于像素阵列单元30中的行的数量的单元电路。如图10所示，根据相关技术示例的写扫描电路包括移位寄存器41、第一逻辑电路 42、电平变换电路43、第二逻辑电路44和缓冲电路45。移位寄存器41具有如下结构作为单元电路的传输级(寄存器)411以级联的方式连接，传输级411对应于像素阵列单元30 中的行的数量。通过移位寄存器41将每个传输级411的输入脉冲“srin”和输出脉冲“srout” 提供到第一逻辑电路42。还向第一逻辑电路42提供第一使能信号Wsen1和第二使能信号 wsen2。第一逻辑电路42包括三个与非(NAND)电路421 423和一个反相器424，第一逻辑电路42对传输级411的输入脉冲“srin”和输出脉冲“srout”、第一使能信号Wsen1和第二使能信号Wsen2进行逻辑操作。通过电平变换电路43将第一逻辑电路42的输出提供到第二逻辑电路44。第二逻辑电路44包括与(AND)电路441，第二逻辑电路44对第一逻辑电路42的输出与第三使能信号Wsen3进行逻辑乘法。第二逻辑电路44的输出通过缓冲电路45后将作为写扫描信号WS。缓冲电路45将脉冲状态电源电位Vdch^2用作用于确定写扫描信号WS的下降时刻的正侧电源电位，该写扫描信号WS用于确定信号写入和迁移率修正时段。图11表示传输级411的输入脉冲“srin”和输出脉冲“srout”、第一使能信号 Wsen1、第二使能信号Wsen2、第三使能信号Wsen3、正侧电源电位Vdch^2和写扫描信号WS之间的时序关系。在这里使用分离阈值修正的驱动方法，例如，将如下情况作为示例在进行阈值修正处理及进行迁移率修正和信号写入处理的IH时段内及在该IH时段之前的4H时段上总共进行五次阈值修正处理。从图11的时序波形图可以清楚的看出，通过第三使能信号Wsen3的上升时刻来确定用于确定阈值修正时段(是指图11中的"Vth修正时段”)的写扫描信号WS的上升时刻。 通过第二使能信号Wsen2的下降时刻来确定写扫描信号WS的下降时刻。另一方面，对于用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS，通过第三使能信号 Wsen3的上升时刻确定写扫描信号WS的上升时刻，然而，通过正侧电源电位VddM2的下降时刻确定其下降时刻。S卩，在用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS中，通过正侧电源电位Vdch^2的下降时刻确定写扫描信号WS的下降时刻，但通过第二逻辑电路44所产生的第三使能信号 Wsen3来确定写扫描信号WS的上升时刻。因此，当形成第二逻辑电路44的晶体管(例如， TFT)的晶体管特性变化时，写扫描信号WS的脉冲宽度，即信号写入和迁移率修正时段(下文中，可简称为迁移率修正时段)的长度也变化。如图12所示，当迁移率修正时段的长度“t”变化At时，在发光期间驱动晶体管 22中流动的电流Ids变化Δ Ids，迁移率修正时段的长度“t”的变化At就是有机EL器件 21的发光亮度的变化。即，由于晶体管特性的变化所导致的迁移率修正时段的长度“t”的变化At使显示屏幕的亮度不均勻。
如上所述，可考虑应用如下方法通过正侧电源电位VddM2的上升时刻来确定写扫描信号WS的上升时刻，以防止晶体管特性的影响。下面将说明应用该方法时出现的不利情况。从图11清楚地看出，缓冲电路45将单脉冲状态电源电位Vdch^2用作正侧电源。 在电源电位Vdch^2的直流电位时段中，基于AND电路441使用第三使能信号Wsen3所得到的逻辑乘积结果来产生用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS。如上所述，在用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS中，通过第三使能信号Wsen3的上升时刻确定其上升时刻， 通过正侧电源电位Vdch^2的下降时刻确定其下降时刻。这里，为了也通过正侧电源电位Vdch^2的上升时刻来确定写扫描信号WS的上升时刻以防止晶体管特性影响，需要使正侧电源电位VddM2的开/关次数翻倍。这是因为， 正侧电源电位VddM2也用于产生用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS，需要产生在正侧电源电位VddM2上升时对应于写扫描信号WS的上升时刻的时序。当正侧电源电位Vddws2 的开/关次数翻倍时，相应地增加了功耗。2.根据实施例的有机EL装置的说明根据实施例的有机EL装置基于图1所示的系统结构，其特征在于用于在系统结构中产生写扫描信号WS的写扫描电路40的结构。具体地，根据实施例的写扫描电路40通过使用不同的电源电位来产生用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS和用于确定信号写入和迁移率修正时段的写扫描信号WS。基于一个脉冲状态电源电位VddM2的各个上升和下降时刻产生用于确定信号写入和迁移率修正时段的写扫描信号WS。于是，在通过逻辑电路产生写扫描信号WS的情况下，晶体管特性的变化不会影响写扫描信号WS的各个上升和下降时刻。因此，迁移率修正时段的长度不会由于晶体管特性的变化而发生变化。电源电位VddM2的开/关次数可与由逻辑电路确定写扫描信号WS的上升时刻的情况下的数量相同，因此，没有增加功耗。由于能够在不导致功耗增加的情况下抑制迁移率修正时段的长度的变化，所以能够在低功耗的情况下抑制由该变化所引起的亮度不均勻。下文中，将说明基于一个脉冲状态电源电位Vdch^2W各个上升和下降时刻产生用于确定信号写入和迁移率修正时段的写扫描信号WS的写扫描电路40的具体实施例。2-1.实施例 1图13是表示根据实施例1的写扫描电路的电路结构的框图。在图13中，与图10 中相同的部件使用相同的附图标记来表示。这里，为简化附图，示出了对应于写扫描电路中的给定像素行的一个单元电路的电路结构。然而，事实上布置了对应于像素阵列单元30中的行的数量的单元电路。如图13所示，根据实施例1的写扫描电路40的单元电路4仏包括移位寄存器41、 第一逻辑电路42、电平变换电路43A、43B、第二逻辑电路44和缓冲电路45。移位寄存器41 具有如下结构作为单元电路的传输级(寄存器)411以级联方式连接，传输级411对应于像素阵列单元30中行的数量。通过移位寄存器41将每个传输级411的输入脉冲“srin”和输出脉冲“srout”提供到第一逻辑电路42。还将使能信号wsen从外部提供到第一逻辑电路42。第一逻辑电路 42包括3输入NAND电路421、2输入NAND电路422和反相器424。
NAND电路421具有三个输入，这三个输入是传输级411提供的输入脉冲“srin” 和输出脉冲“srout”和从外部提供的使能信号wsen。NAND电路421的输出在电平变换电路4 中进行电平转换，然后供应到第二逻辑电路44和缓冲电路45。NAND电路422具有两个输入，这两个输入是通过反相器4M获得的输入脉冲“srin”的反相脉冲和输出脉冲 “srout”。NAND电路422的输出在电平变换电路43B中进行电平转换，然后供应到第二逻辑电路44和缓冲电路45。第二逻辑电路44包括具有两个输入的AND电路441，这两个输入分别是电平变换电路4 和4 的输出。第二逻辑电路44的输出，即AND电路441的输出供应到缓冲电路 45。缓冲电路45包括将直流(固定)电源电位Vddws1用作正侧电源电位的前级电路单元(第一缓冲电路)4 和将脉冲状态电源电位VddM2用作正侧电源电位的后级电路单元(第二缓冲电路)4\。这里，将电源电位Vddws1和电源电位VddM2的电压值设为大约相等(=V2)。前级电路单元4 具有如下结构例如，P沟道晶体管451和N沟道晶体管452在正侧电源电位Vddws1的节点与负侧电源电位Vssws的节点之间串联连接。P沟道晶体管 451的栅极输入是电平转换电路4 的输出。N沟道晶体管452的栅极输入是AND电路441 的输出。后级电路单元4 具有如下CMOS传输栅极结构例如，P沟道晶体管453和N沟道晶体管妨4在正侧电源电位VddM2的节点与前级电路单元45a的输出节点之间并联连接。 前级电路单元4 的输出节点是晶体管451、452的公共漏极连接节点，是单元电路40a的输出节点。P沟道晶体管452的栅极输入是电平转换电路4 的输出。N沟道晶体管454的栅极输入是通过反相器455获得的电平转换电路43b的反相输出。图14表示传输级411的输入脉冲“srin”和输出脉冲“srout”、使能信号swen、正侧电源电位Vdch^2和写扫描信号WS之间的时序关系。在这里使用分离阈值修正的驱动方法，例如，将如下情况作为示例在进行阈值修正处理及进行迁移率修正和信号写入处理的IH时段内及在该IH时段之前的4H时段上总共进行五次阈值修正处理。通过图14的时序波形图可以清楚地看出，缓冲电路45的P沟道晶体管451在使能信号wsen的上升时刻导通，因此，用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS上升到正侧电源电位VddwSl。另外，缓冲电路45的N沟道晶体管452在使能信号wsen的下降时刻导通， 因此，用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS下降到负侧电源电位Vssws。另一方面，在移位寄存器41的每个传输级411所提供的输入脉冲“srin”处于低电平及输出脉冲“srout”处于高电平的时段中，作为缓冲电路45的后级电路单元45b的CMOS 传输栅极导通。然后，在CMOS传输栅极的导通时段，当脉冲状态电源电位Vddsw2上升时， 写扫描信号WS上升，当电源电位Vddsw2下降时，写扫描信号WS下降。在此时产生的写扫描信号WS是用于确定信号写入和迁移率修正时段的写扫描信号。即，通过一个脉冲状态电源电位Vddsw2的各个上升和下降时刻来确定用于确定信号写入和迁移率修正时段的写扫描信号WS的各个上升和下降时刻。在根据上述实施例1所述的写扫描电路40的单元电路40a中，通过一个脉冲状态电源电位Vddsw2的各个上升和下降时刻来确定用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS 的各个上升和下降时刻。因此，不会出现由于形成第一逻辑电路42和第二逻辑电路44的晶体管特性的变化所引起的迁移率修正时段长度的变化。脉冲状态电源电位Vdch^2在产生用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS时的开/关次数是一次，这与相关技术示例(参照图10)的情况下的次数相同，因此，没有增加功耗。另外，相关技术示例中需要第一使能信号Wsen1至第三使能信号wsen3，然而，根据实施例1的写扫描电路40的单元电路40a能够通过一个使能信号wsen获得写扫描信号WS的相同输出，因此，在降低脉冲数量的同时进一步降低了电路操作的功耗。2-2.实施例 2接下来，根据实施例2的写扫描电路的电路结构与根据实施例1的写扫描电路的电路结构相同。实施例2使用如下结构两个电源电位Vddws1、Vdch^2的各电压值不同，该结构产生用于确定阈值修正和迁移率修正的各修正时段的两种写扫描信号WS。在图10所示的相关技术示例中，基于公共(单个)电源电位Vdch^2产生用于确定阈值修正和迁移率修正的各修正时段的两种写扫描信号WS。因此，用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS和用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS的各脉冲幅值必须相同。另一方面，当在实施例(实施例1)中产生写扫描信号WS时，阈值修正时段中的高电压是供应自一个电源电位Vddws1，而迁移率修正时段中的高电压是供应自另一个电源电位Vdch^2。即，通过使用不同的电源电位产生用于确定阈值修正时段的写扫描信号WS和用于确定迁移率修正时段的写扫描信号WS。因此，在实施例2中，使两个电源电位Vddws1、Vddsw2的各电压值互不相同。具体地，当电源电位VddM2在迁移率修正时段的电压值为V2时，电源电位Vddws1在阈值修正时段的电压值设置成低于电压值V2的电压值V1。从上面电路操作可以清楚地看出，通常通过在阈值修正时段将在发光期间低于信号电压Vsig的基准电压V。fs写入驱动晶体管22的栅极来进行阈值修正操作。因此，当在阈值修正时段施加到写晶体管23的栅极的写扫描信号WS的幅值小于在迁移率修正时段施加到写晶体管23的栅极的写扫描信号WS的幅值时，电路操作不存在问题。鉴于此，使在阈值修正时段施加到写晶体管23的栅极的写扫描信号WS的幅值小于在迁移率修正时段施加到写晶体管23的栅极的写扫描信号WS的幅值。具体地，如图15 的时序波形图所示，阈值修正时段时的电源电位Vddws1W电压值V1设置成为低于迁移率修正时段时的电源电位VddM2的电压值V2。据此，与V1 = V2的情况相比，能够减少阈值修正时段期间消耗的功率。特别地，当使用如下的分离阈值修正的驱动方法时，即，在进行阈值修正处理及进行迁移率修正和信号写入处理的IH时段中及在该IH时段之前的多个H时段上进行阈值修正处理，由于阈值修正处理的次数增加的原因，整个阈值修正时段中功耗降低的效果非常大。3.变型示例在上面的示例中，通过举例说明了如下像素结构的情况，S卩，有机EL器件21的驱动电路基本上包括两个晶体管(驱动晶体管22和写晶体管23)，然而，本发明不限于上面的像素结构。即，本发明可应用到像素具有修正驱动晶体管22的迁移率的功能的各种显示装置。
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在上面的实施例中，通过举例说明了本发明应用到如下有机EL显示装置的情况， 即，该有机EL显示装置将有机EL器件用作像素20的电光器件，然而，本发明不限于该应用示例。具体地，本发明可应用到使用其发光亮度随着器件中流动的电流值变化的电流驱动型电光器件(发光器件)的各种显示装置，该电流驱动型电光器件例如是无机EL器件、LED 器件和半导体激光器件。4.应用示例根据本发明的上述实施例的显示装置可应用到各种领域的电子装置中的将输入到电子装置的视频信号或电子装置产生的视频信号显示为图像或视频的显示装置。作为示例，本发明可应用到图16 图20G所示的各种电子装置中的显示装置，例如，数码相机、笔记本个人计算机、诸如蜂窝电话之类的便携式终端装置、摄像机等。根据本发明的实施例的显示装置用作各种领域的电子装置中的显示装置，由此改善了各种类型的电子装置的显示图像的图像质量。从上面的实施例的说明可以清楚地看出，根据本发明的实施例的显示装置能够在不增加功耗的情况下抑制迁移率修正时段的长度的变化及抑制由该变化所引起的亮度不均勻，由此，能够在抑制各种类型的电子装置的功耗增加的同时改善显示图像的亮度的不一致性。根据本发明的实施例的显示装置包括具有密封结构的模块状装置。例如，通过将由透明玻璃等制成的相对部分结合到像素阵列单元30所形成的显示模块作为示例。透明相对部分可设置有滤色器、保护膜等，还设置有遮光膜。显示模块也可设置有用于将信号从外部输入到像素阵列单元或将信号从像素阵列单元输出到外部的电路部分或FPC(柔性印刷电路)等。下文中，将说明应用有本发明的电子装置的具体示例。图16是表示应用有本发明的电视机的外观的立体图。根据应用示例的电视机包括具有前面板102、滤光玻璃103等的视频显示屏幕部分101，通过将根据本发明的实施例的显示装置用作视频显示屏幕部分101来制造电视机。图17A和图17B是表示应用有本发明的数码相机的外观的立体图。图17A是前视图，图17B是后视图。根据应用示例的数码相机包括用于闪光的发光单元111、显示单元 112、菜单开关113、快门按钮114等，通过将根据本发明的实施例的显示装置用作显示单元 112来制造数码相机。图18是表示应用有本发明的笔记本个人计算机的外观的立体图。根据应用示例的笔记本个人计算机包括位于主体121中的在输入字符等时操作的键盘122、显示图像等的显示单元123等，通过将根据本发明的实施例的显示装置用作显示单元123来制造笔记本个人计算机。图19是表示应用有本发明的摄像机的外观的立体图。根据应用示例的摄像机包括主体单元131、用于对面向前部的侧面处的对象进行拍摄的透镜132、摄像时间的启动/ 停止开关133、显示单元134等，通过将根据本发明的实施例的显示装置用作显示单元134 来制造摄像机。图20A 图20G是表示应用有本发明的例如蜂窝电话的便携式终端装置的外形图。图20A是打开状态时的前视图，图20B是侧视图，图20C是关闭状态时的前视图，图20D 是左视图，图20E是右视图，图20F是俯视图，图20G是仰视图。根据应用示例的蜂窝电话包括上盖141、下盖142、连接部(在这种情况下，是铰链部分)143、显示器144、子显示器145、 图片灯146、相机147等。通过将根据本发明的实施例的显示装置用作显示器144或子显示器145来制造该蜂窝电话。 本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其它因素，可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。
权利要求
1.一种显示装置，其包括像素阵列单元，在所述像素阵列单元中布置有多个像素，所述多个像素中的每个像素包括电光器件、用于写入视频信号的写晶体管、用于存储由所述写晶体管所写入的所述视频信号的存储电容和用于基于存储在所述存储电容中的所述视频信号驱动所述电光器件的驱动晶体管，所述多个像素具有修正所述驱动晶体管的迁移率的功能；及扫描电路，其在逐行依次扫描所述像素阵列单元中的各个像素时将写扫描信号提供到所述写晶体管的栅极，并基于一个脉冲状态电源电位的各个上升和下降时刻产生所述写扫描信号。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，在所述写晶体管的导通时段期间，根据所述驱动晶体管中流动的电流的幅值进行所述迁移率修正。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，在所述写晶体管的所述导通时段期间，通过向所述驱动晶体管的栅极/源极之间的电位差提供负反馈来进行所述迁移率修正，所述负反馈的修正量对应于所述驱动晶体管中流动的电流的所述幅值。
4.如权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中，所述多个像素具有修正所述驱动晶体管的阈值电压的功能。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，在所述写晶体管的所述导通时段期间，通过使所述驱动晶体管的源极电位向着以如下方式获得的电位变化来进行所述阈值电压修正，所述电位是从基于所述驱动晶体管的所述栅极电位的初始化电位的基准电位减去所述驱动晶体管的所述阈值电压所获得的。
6.如权利要求4或5所述的显示装置，其中，所述扫描电路在所述阈值电压修正期间提供到所述写晶体管的所述栅极的所述写扫描信号的幅值和在所述迁移率修正期间提供到所述写晶体管的所述栅极的所述写扫描信号的幅值不同。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述扫描电路在所述阈值电压修正期间提供到所述写晶体管的所述栅极的所述写扫描信号的所述幅值小于在所述迁移率修正期间提供到所述写晶体管的所述栅极的所述写扫描信号的所述幅值。
8.如权利要求6或7所述的显示装置，其中，所述扫描电路包括第一缓冲电路，其在所述阈值电压修正期间将所述写扫描信号输出到所述写晶体管的所述栅极，及第二缓冲电路，其在所述迁移率修正期间将所述写扫描信号输出到所述写晶体管的所述栅极，所述第一缓冲电路借助直流电源电位操作，所述第二缓冲电路借助所述脉冲状态电源电位操作，所述脉冲电源电位的电压值高于所述直流电源电位。
9.如权利要求1-8中任一项所述的显示装置，其中，在通过所述写晶体管进行所述视频信号的写入的一个水平时段内进行所述阈值电压修正，及在所述一个水平时段之前的多个水平时段上进行多次所述阈值电压修正。
10.一种显示装置的驱动方法，所述显示装置包括布置有多个像素的像素阵列单元，所述多个像素中的每个像素包括电光器件、用于写入视频信号的写晶体管、用于存储由所述写晶体管所写入的所述视频信号的存储电容和用于基于存储在所述存储电容中的所述视频信号驱动所述电光器件的驱动晶体管，所述多个像素具有修正所述驱动晶体管的迁移率的功能，所述方法包括以下步骤基于一个脉冲状态电源电位的各个上升和下降时刻，产生在逐行依次扫描所述像素阵列单元中的各个像素时提供到所述写晶体管的栅极的写扫描信号。
11. 一种电子装置，其包括 显示装置，所述显示装置包括像素阵列单元，在所述像素阵列单元中布置有多个像素，所述多个像素中的每个像素包括电光器件、用于写入视频信号的写晶体管、用于存储由所述写晶体管所写入的所述视频信号的存储电容和用于基于存储在所述存储电容中的所述视频信号驱动所述电光器件的驱动晶体管，所述多个像素具有修正所述驱动晶体管的迁移率的功能；及扫描电路，其在逐行依次扫描所述像素阵列单元中的各个像素时将写扫描信号提供到所述写晶体管的栅极，并基于一个脉冲状态电源电位的各个上升和下降时刻产生所述写扫描信号。
全文摘要
本发明涉及显示装置、该显示装置的驱动方法和具有该显示装置的电子装置。该显示装置包括布置有多个像素的像素阵列单元，所述多个像素中的每个像素包括电光器件、用于写入视频信号的写晶体管、用于存储视频信号的存储电容和用于基于视频信号驱动所述电光器件的驱动晶体管，所述多个像素具有修正所述驱动晶体管的迁移率的功能；及扫描电路，其在逐行依次扫描所述像素阵列单元中的各个像素时将写扫描信号提供到所述写晶体管的栅极，并基于一个脉冲状态电源电位的各个上升和下降时刻产生所述写扫描信号。本发明能够提供在不增加功耗的情况下抑制迁移率修正时段的长度变化和抑制由于该变化所引起的亮度不均匀的显示装置。
文档编号G09G3/32GK102194406SQ201110049208
公开日2011年9月21日 申请日期2011年3月1日 优先权日2010年3月10日
发明者尾本启介 申请人:索尼公司
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