显示装置的制作方法
专利名称：显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种显示装置。
背景技术：
液晶显示装置和有机电致发光显示装置等显示装置通常以矩阵方式被驱动。在矩阵方式中，多条数据线和多条扫描线在交差方向上延伸。当向扫描线输入扫描信号时该扫描线即被选择，与所选择的扫描线对应的像素被施加数据线的信号。已知扫描信号由扫描电路生成，用薄膜在基板上形成扫描电路。而且，已知扫描电路通常包含移位寄存器，移位寄存器(特别是薄膜晶体管)容易受到静电的影响，因此为了进行防静电保护而在扫描电路的上方设置与接地电位连接的屏蔽层(参照专利文献1)。专利文献1 日本特开2009-27123号公报
发明内容
若形成屏蔽层，则在布线与屏蔽层之间形成寄生电容。因此，具有以下问题在屏蔽层所覆盖的布线中通过的信号发生延迟，损害扫描电路工作的稳定性。本发明的目的在于提供一种可同时兼顾扫描电路工作的稳定性和静电对策两者的显示装置。(1)本发明的显示装置包括显示区域，具有多个像素；多条数据线，用于向上述多个像素提供数据信号；多条扫描线，被输入用于分别选择一组上述像素的扫描信号；控制线，提供用于选择要输入上述扫描信号的上述扫描线的脉冲信号；扫描电路，包括由上述脉冲信号控制的晶体管，与上述多条扫描线连接，配置在上述显示区域的外侧；以及导电网格，由以具有多个交点的方式在相互交差的方向上延伸的多条导线构成，上述导电网格在与上述晶体管和上述多条扫描线电绝缘的状态下，避开上述显示区域而配置在上述晶体管和上述扫描线的上方，构成上述导电网格的各条上述导线在上述扫描线的上方以不与上述扫描线平行的方式立体交差。根据本发明，导电网格被配置在晶体管和扫描线的上方，因此能够实现应对静电，并且由于导线不与扫描线平行，因此寄生电容不会增大，也能够实现扫描电路工作的稳定性。(2)根据(1)所述的显示装置，其特征在于，上述导电网格包含与上述控制线电绝缘而位于上述控制线的上方的部分，该部分与配置于上述晶体管和上述扫描线的上方的部分相比，上述导线的彼此相邻的上述交点的与上述扫描线正交的方向上的间隔宽。(3)根据(1)或( 所述的显示装置，其特征在于，在上述导电网格的配置于上述扫描线的上方的部分，上述导线的彼此相邻的上述交点的与上述扫描线正交的方向上的间隔的整数倍与彼此相邻的上述像素的间距相等。(4)根据(1)至(3)中任一项所述的显示装置，其特征在于，上述显示装置是有机电致发光显示装置，具有配置在各个上述像素上的像素电极，上述导电网格形成在与上述像素电极同一层的位置上。
图1是表示本发明实施方式的显示装置的俯视图。
图2是图1所示的显示装置的纵剖视图。
图3是扫描电路的局部放大图。
图4是表示图2所示的显示装置的变形例的纵剖视图。
标号说明
10像素
12显示区域
14基板
16半导体层
18栅极绝缘膜
20栅电极
22第一绝缘膜
M源电极
26漏电极
28第二绝缘膜
30第三绝缘膜
32像素电极
34提
36数据线
38扫描线
40扫描电路
42控制线
44触发器
46导电网格
146导电网格
I交点
D间隔
Cl1间隔
d2间隔
具体实施例方式以下参照
本发明的实施方式。图1是表示本发明实施方式的显示装置的俯视图。图2是图1所示的显示装置的纵剖视图。在本实施方式中，显示装置是有机电致发光显示装置，但本发明的显示装置也能够应用于液晶显示装置中。如图1所示，显示装置具有排列有多个像素10的显示区域12。在各像素10中， 作为晶体管的一例设置有薄膜晶体管。详细而言，如图2所示，在基板14(例如玻璃基板)上形成有半导体层16 (例如多晶硅层)。在半导体层16上形成有栅极绝缘膜18 (例如硅氧化膜)，其上配置有栅电极20。栅电极20被第一绝缘膜22 (例如硅氧化膜)覆盖。以通过第一绝缘膜22和栅极绝缘膜18的通孔与半导体层16电连接的方式形成有源电极M和漏电极沈。源电极M和漏电极沈被第二绝缘膜观(例如氮化硅膜)覆盖。进而，在第二绝缘膜观上层叠有第三绝缘膜30 (例如有机膜)。第三绝缘膜30的上表面比第二绝缘膜观的上表面平坦。以通过第二绝缘膜观和第三绝缘膜30的通孔与源电极M和漏电极沈的一方电连接的方式在第三绝缘膜30上配置有像素电极32 (例如阳极)。在像素电极32上以包围其中央部的方式设置有提34。在由提34围成的区域且在像素电极32上配置有未图示的发光层，在发光层上配置有未图示的公共电极(例如阴极)。如图1所示，显示装置具有用于向多个像素10提供数据信号的多条数据线36。此外，显示装置具有用于分别选择一组像素10的多条扫描线38。以与扫描线38连接的方式在显示区域12的外侧形成有扫描电路40。图3是扫描电路40的局部放大图。在扫描电路40中生成扫描信号，选择输入扫描信号的至少1条扫描线38。根据向扫描电路40输入的脉冲信号(例如时钟信号)进行该选择的控制。脉冲信号由控制线42提供。扫描电路40具有多个触发器44。触发器44包括由脉冲信号(例如时钟信号) 控制的薄膜晶体管。详细而言，如图2所示，在基板14(例如玻璃基板)上形成有半导体层 16 (例如多晶硅层)。在半导体层16上形成有栅极绝缘膜18 (例如硅氧化膜)，在其上配置有栅电极20。栅电极20被第一绝缘膜22 (例如硅氧化膜)覆盖。以通过第一绝缘膜22和栅极绝缘膜18的通孔与半导体层16电连接的方式形成有源电极M和漏电极26。源电极 M和漏电极26被第二绝缘膜观(例如氮化硅膜)覆盖。进而，在第二绝缘膜观上层叠有第三绝缘膜30 (例如有机膜)。第三绝缘膜30的上表面比第二绝缘膜观的上表面平坦。在第三绝缘膜30上形成有导电网格46。导电网格46形成在与像素电极32同一层的位置上。例如，导电网格46和像素电极32通过相同工序(包括基于光刻法的抗蚀剂的形成和以其为掩模的蚀刻的工序)由相同导电膜一并形成。如图1或图3所示，导电网格46由以具有多个交点I的方式在相互交差的方向上延伸的多条导线构成。此外，导电网格46在各条导线交差的方向上延伸而配置。导电网格 46与薄膜晶体管(触发器44的一部分)和多条扫描线38电绝缘。导电网格46避开像素 10区域而配置在薄膜晶体管(触发器44的一部分)和扫描线38的上方。构成导电网格 46的各条导线在扫描线38的上方以不与扫描线38平行的方式立体交差。优选导电网格 46连接在显示装置的电源电位、基准电位或者接地电位。如图3所示来俯视观察时，导电网格46形成在配置有扫描线38的区域和配置有控制线42的区域上。但是，导电网格46隔着绝缘膜配置，因此与扫描线38和控制线42电绝缘。导电网格46配置成在配置于扫描线38的上方的部分，配置导电网格46的部分相对于扫描线38的总面积的比例(布线密度DE1)为50 80%。例如，在使直线状的导线交差而形成的导电网格46的情况下，期望在10 200um 的范围内调整导线彼此相邻的交点I的与扫描线38正交的方向上的间隔Cl1，在6 30um 的范围内调整布线宽度。此外，间隔Cl1的整数倍等于彼此相邻的像素10的间距。
此外，导电网格46还与控制线42电绝缘而配置在位于控制线42的上方的部分。该部分的控制线42配置成配置导电网格46的部分相对于控制线42的总面积的比例 DE2(布线密度DE2)比配置于薄膜晶体管和扫描线38的上方的部分的布线密度DE1小。即布线密度为DE1 > DE2W关系。区域配置有控制线42的导电网格46期望例如在40 200um的范围内调整导线彼此相邻的交点I的与扫描线38正交的方向上的间隔d2，在4 30um的范围内调整布线宽度。导线的交点I的间隔在控制线配置区域比扫描线配置区域大。即，Cl1 < d2。此外， 在本实施例中，与扫描线38正交的方向上的间隔Cl1与彼此相邻的扫描线38的间隔D相等。此外，在控制线42与导电网格46的交差部增加时，控制线42与导电网格46之间的寄生电容增加，产生控制线42的数据延迟。特别是在与触发器44或扫描线38相比，在寄生电容产生作用时，控制线42的输出信号的延迟较大。如图3所示，通过减小控制线42 与导电网格46的交差面积，能够减小在控制线42与导电网格46之间产生的寄生电容，能够抑制数据的延迟，并且得到应对静电的效果。根据本实施方式，由于导电网格46配置在薄膜晶体管(触发器44的一部分)和扫描线38的上方，因此能够实现应对静电。此外，导线不与扫描线38平行，因此寄生电容不会增大，能够实现扫描电路40工作的稳定性。图4是表示图2所示的显示装置的变形例的纵剖视图。在图2所示的例子中，在扫描电路40上也形成有第三绝缘膜30，但若第三绝缘膜30由树脂等有机材料形成时，在粘贴未图示的密封板时的粘接剂的粘接力较弱。因此，在图4的变形例中，在扫描电路40中不形成第三绝缘膜30，而在第二绝缘膜观上形成有导电网格146。这种情况下，在第二绝缘膜观上粘贴未图示的密封板。由无机材料形成第二绝缘膜28，因此能够在第二绝缘膜 28与粘接剂之间确保较高的粘接力。本发明并不局限于上述实施方式，其能够进行各种变形。例如，在实施方式中说明的结构能够以实质相同的结构、具有相同作用效果的结构、或者能够达到同一目的的结构来置换。
权利要求
1.一种显示装置，其包括显示区域、多条数据线、多条扫描线、控制线、扫描电路以及导电网格，其中，上述显示区域具有多个像素； 上述多条数据线用于向上述多个像素提供数据信号； 上述多条扫描线被输入用于分别选择一组上述像素的扫描信号； 上述控制线被提供脉冲信号，该脉冲信号用于选择被输入扫描信号的上述扫描线； 上述扫描电路包括通过上述脉冲信号来控制的晶体管，并与上述多条扫描线连接，且配置在上述显示区域的外侧；上述导电网格由多条导线构成，上述多条导线在相互交差的方向上延伸以具有多个交点；上述导电网格在与上述晶体管和上述多条扫描线电绝缘的状态下，避开上述显示区域而配置在上述晶体管和上述扫描线的上方，构成上述导电网格的各条上述导线在上述扫描线的上方以不与上述扫描线平行的方式立体交差。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述导电网格包括与上述控制线电绝缘而位于上述控制线的上方的部分，该部分与配置在上述晶体管和上述扫描线的上方的部分相比，上述导线的彼此相邻的上述交点的与上述扫描线正交的方向上的间隔宽。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在上述导电网格的配置在上述扫描线的上方的部分，上述导线的彼此相邻的上述交点的与上述扫描线正交的方向上的间隔的整数倍与彼此相邻的上述像素的间距相等。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，在上述导电网格的配置在上述扫描线的上方的部分，上述导线的彼此相邻的上述交点的与上述扫描线正交的方向上的间隔的整数倍与彼此相邻的上述像素的间距相等。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于， 上述显示装置是有机电致发光显示装置，具有配置在各个上述像素中的像素电极，上述导电网格形成在与上述像素电极同一层的位置上。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，上述导电网格与上述显示装置的电源电位、基准电位或者接地电位连接。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，上述导电网格在配置于上述扫描线的上方的部分中，配置上述导电网格的部分相对于上述扫描线的总面积的比例为50 80%。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，上述导电网格在配置于上述控制线的上方的部分中，配置上述导电网格的部分相对于上述控制线的总面积的比例DE2小于上述比例DE11全文摘要
本发明提供一种显示装置，其包括多条扫描线(38)，用于分别选择一组像素(10)；控制线(42)，提供用于对选择输入扫描信号的至少1条扫描线(38)进行控制的脉冲信号；扫描电路(40)，包含由脉冲信号控制的晶体管，与多条扫描线(38)连接，并配置在显示区域(12)的外侧；以及导电网格(46)，由在交差方向延伸的多条导线构成。导电网格(46)避开显示区域(12)而配置在晶体管和扫描线(38)的上方。构成导电网格(46)的各条导线在扫描线(38)的上方以不与扫描线(38)平行的方式立体交差。能同时兼顾扫描电路工作的稳定性和采取静电对策两者。
文档编号G09F9/30GK102237017SQ20111007571
公开日2011年11月9日 申请日期2011年3月23日 优先权日2010年3月24日
发明者德田尚纪, 梶山宪太, 泉田健, 识名纪之, 谷津靖春 申请人:佳能株式会社, 株式会社日立显示器
技术领域：
本发明涉及一种显示装置。
背景技术：
液晶显示装置和有机电致发光显示装置等显示装置通常以矩阵方式被驱动。在矩阵方式中，多条数据线和多条扫描线在交差方向上延伸。当向扫描线输入扫描信号时该扫描线即被选择，与所选择的扫描线对应的像素被施加数据线的信号。已知扫描信号由扫描电路生成，用薄膜在基板上形成扫描电路。而且，已知扫描电路通常包含移位寄存器，移位寄存器(特别是薄膜晶体管)容易受到静电的影响，因此为了进行防静电保护而在扫描电路的上方设置与接地电位连接的屏蔽层(参照专利文献1)。专利文献1 日本特开2009-27123号公报
发明内容
若形成屏蔽层，则在布线与屏蔽层之间形成寄生电容。因此，具有以下问题在屏蔽层所覆盖的布线中通过的信号发生延迟，损害扫描电路工作的稳定性。本发明的目的在于提供一种可同时兼顾扫描电路工作的稳定性和静电对策两者的显示装置。(1)本发明的显示装置包括显示区域，具有多个像素；多条数据线，用于向上述多个像素提供数据信号；多条扫描线，被输入用于分别选择一组上述像素的扫描信号；控制线，提供用于选择要输入上述扫描信号的上述扫描线的脉冲信号；扫描电路，包括由上述脉冲信号控制的晶体管，与上述多条扫描线连接，配置在上述显示区域的外侧；以及导电网格，由以具有多个交点的方式在相互交差的方向上延伸的多条导线构成，上述导电网格在与上述晶体管和上述多条扫描线电绝缘的状态下，避开上述显示区域而配置在上述晶体管和上述扫描线的上方，构成上述导电网格的各条上述导线在上述扫描线的上方以不与上述扫描线平行的方式立体交差。根据本发明，导电网格被配置在晶体管和扫描线的上方，因此能够实现应对静电，并且由于导线不与扫描线平行，因此寄生电容不会增大，也能够实现扫描电路工作的稳定性。(2)根据(1)所述的显示装置，其特征在于，上述导电网格包含与上述控制线电绝缘而位于上述控制线的上方的部分，该部分与配置于上述晶体管和上述扫描线的上方的部分相比，上述导线的彼此相邻的上述交点的与上述扫描线正交的方向上的间隔宽。(3)根据(1)或( 所述的显示装置，其特征在于，在上述导电网格的配置于上述扫描线的上方的部分，上述导线的彼此相邻的上述交点的与上述扫描线正交的方向上的间隔的整数倍与彼此相邻的上述像素的间距相等。(4)根据(1)至(3)中任一项所述的显示装置，其特征在于，上述显示装置是有机电致发光显示装置，具有配置在各个上述像素上的像素电极，上述导电网格形成在与上述像素电极同一层的位置上。
图1是表示本发明实施方式的显示装置的俯视图。
图2是图1所示的显示装置的纵剖视图。
图3是扫描电路的局部放大图。
图4是表示图2所示的显示装置的变形例的纵剖视图。
标号说明
10像素
12显示区域
14基板
16半导体层
18栅极绝缘膜
20栅电极
22第一绝缘膜
M源电极
26漏电极
28第二绝缘膜
30第三绝缘膜
32像素电极
34提
36数据线
38扫描线
40扫描电路
42控制线
44触发器
46导电网格
146导电网格
I交点
D间隔
Cl1间隔
d2间隔
具体实施例方式以下参照
本发明的实施方式。图1是表示本发明实施方式的显示装置的俯视图。图2是图1所示的显示装置的纵剖视图。在本实施方式中，显示装置是有机电致发光显示装置，但本发明的显示装置也能够应用于液晶显示装置中。如图1所示，显示装置具有排列有多个像素10的显示区域12。在各像素10中， 作为晶体管的一例设置有薄膜晶体管。详细而言，如图2所示，在基板14(例如玻璃基板)上形成有半导体层16 (例如多晶硅层)。在半导体层16上形成有栅极绝缘膜18 (例如硅氧化膜)，其上配置有栅电极20。栅电极20被第一绝缘膜22 (例如硅氧化膜)覆盖。以通过第一绝缘膜22和栅极绝缘膜18的通孔与半导体层16电连接的方式形成有源电极M和漏电极沈。源电极M和漏电极沈被第二绝缘膜观(例如氮化硅膜)覆盖。进而，在第二绝缘膜观上层叠有第三绝缘膜30 (例如有机膜)。第三绝缘膜30的上表面比第二绝缘膜观的上表面平坦。以通过第二绝缘膜观和第三绝缘膜30的通孔与源电极M和漏电极沈的一方电连接的方式在第三绝缘膜30上配置有像素电极32 (例如阳极)。在像素电极32上以包围其中央部的方式设置有提34。在由提34围成的区域且在像素电极32上配置有未图示的发光层，在发光层上配置有未图示的公共电极(例如阴极)。如图1所示，显示装置具有用于向多个像素10提供数据信号的多条数据线36。此外，显示装置具有用于分别选择一组像素10的多条扫描线38。以与扫描线38连接的方式在显示区域12的外侧形成有扫描电路40。图3是扫描电路40的局部放大图。在扫描电路40中生成扫描信号，选择输入扫描信号的至少1条扫描线38。根据向扫描电路40输入的脉冲信号(例如时钟信号)进行该选择的控制。脉冲信号由控制线42提供。扫描电路40具有多个触发器44。触发器44包括由脉冲信号(例如时钟信号) 控制的薄膜晶体管。详细而言，如图2所示，在基板14(例如玻璃基板)上形成有半导体层 16 (例如多晶硅层)。在半导体层16上形成有栅极绝缘膜18 (例如硅氧化膜)，在其上配置有栅电极20。栅电极20被第一绝缘膜22 (例如硅氧化膜)覆盖。以通过第一绝缘膜22和栅极绝缘膜18的通孔与半导体层16电连接的方式形成有源电极M和漏电极26。源电极 M和漏电极26被第二绝缘膜观(例如氮化硅膜)覆盖。进而，在第二绝缘膜观上层叠有第三绝缘膜30 (例如有机膜)。第三绝缘膜30的上表面比第二绝缘膜观的上表面平坦。在第三绝缘膜30上形成有导电网格46。导电网格46形成在与像素电极32同一层的位置上。例如，导电网格46和像素电极32通过相同工序(包括基于光刻法的抗蚀剂的形成和以其为掩模的蚀刻的工序)由相同导电膜一并形成。如图1或图3所示，导电网格46由以具有多个交点I的方式在相互交差的方向上延伸的多条导线构成。此外，导电网格46在各条导线交差的方向上延伸而配置。导电网格 46与薄膜晶体管(触发器44的一部分)和多条扫描线38电绝缘。导电网格46避开像素 10区域而配置在薄膜晶体管(触发器44的一部分)和扫描线38的上方。构成导电网格 46的各条导线在扫描线38的上方以不与扫描线38平行的方式立体交差。优选导电网格 46连接在显示装置的电源电位、基准电位或者接地电位。如图3所示来俯视观察时，导电网格46形成在配置有扫描线38的区域和配置有控制线42的区域上。但是，导电网格46隔着绝缘膜配置，因此与扫描线38和控制线42电绝缘。导电网格46配置成在配置于扫描线38的上方的部分，配置导电网格46的部分相对于扫描线38的总面积的比例(布线密度DE1)为50 80%。例如，在使直线状的导线交差而形成的导电网格46的情况下，期望在10 200um 的范围内调整导线彼此相邻的交点I的与扫描线38正交的方向上的间隔Cl1，在6 30um 的范围内调整布线宽度。此外，间隔Cl1的整数倍等于彼此相邻的像素10的间距。
此外，导电网格46还与控制线42电绝缘而配置在位于控制线42的上方的部分。该部分的控制线42配置成配置导电网格46的部分相对于控制线42的总面积的比例 DE2(布线密度DE2)比配置于薄膜晶体管和扫描线38的上方的部分的布线密度DE1小。即布线密度为DE1 > DE2W关系。区域配置有控制线42的导电网格46期望例如在40 200um的范围内调整导线彼此相邻的交点I的与扫描线38正交的方向上的间隔d2，在4 30um的范围内调整布线宽度。导线的交点I的间隔在控制线配置区域比扫描线配置区域大。即，Cl1 < d2。此外， 在本实施例中，与扫描线38正交的方向上的间隔Cl1与彼此相邻的扫描线38的间隔D相等。此外，在控制线42与导电网格46的交差部增加时，控制线42与导电网格46之间的寄生电容增加，产生控制线42的数据延迟。特别是在与触发器44或扫描线38相比，在寄生电容产生作用时，控制线42的输出信号的延迟较大。如图3所示，通过减小控制线42 与导电网格46的交差面积，能够减小在控制线42与导电网格46之间产生的寄生电容，能够抑制数据的延迟，并且得到应对静电的效果。根据本实施方式，由于导电网格46配置在薄膜晶体管(触发器44的一部分)和扫描线38的上方，因此能够实现应对静电。此外，导线不与扫描线38平行，因此寄生电容不会增大，能够实现扫描电路40工作的稳定性。图4是表示图2所示的显示装置的变形例的纵剖视图。在图2所示的例子中，在扫描电路40上也形成有第三绝缘膜30，但若第三绝缘膜30由树脂等有机材料形成时，在粘贴未图示的密封板时的粘接剂的粘接力较弱。因此，在图4的变形例中，在扫描电路40中不形成第三绝缘膜30，而在第二绝缘膜观上形成有导电网格146。这种情况下，在第二绝缘膜观上粘贴未图示的密封板。由无机材料形成第二绝缘膜28，因此能够在第二绝缘膜 28与粘接剂之间确保较高的粘接力。本发明并不局限于上述实施方式，其能够进行各种变形。例如，在实施方式中说明的结构能够以实质相同的结构、具有相同作用效果的结构、或者能够达到同一目的的结构来置换。
权利要求
1.一种显示装置，其包括显示区域、多条数据线、多条扫描线、控制线、扫描电路以及导电网格，其中，上述显示区域具有多个像素； 上述多条数据线用于向上述多个像素提供数据信号； 上述多条扫描线被输入用于分别选择一组上述像素的扫描信号； 上述控制线被提供脉冲信号，该脉冲信号用于选择被输入扫描信号的上述扫描线； 上述扫描电路包括通过上述脉冲信号来控制的晶体管，并与上述多条扫描线连接，且配置在上述显示区域的外侧；上述导电网格由多条导线构成，上述多条导线在相互交差的方向上延伸以具有多个交点；上述导电网格在与上述晶体管和上述多条扫描线电绝缘的状态下，避开上述显示区域而配置在上述晶体管和上述扫描线的上方，构成上述导电网格的各条上述导线在上述扫描线的上方以不与上述扫描线平行的方式立体交差。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述导电网格包括与上述控制线电绝缘而位于上述控制线的上方的部分，该部分与配置在上述晶体管和上述扫描线的上方的部分相比，上述导线的彼此相邻的上述交点的与上述扫描线正交的方向上的间隔宽。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在上述导电网格的配置在上述扫描线的上方的部分，上述导线的彼此相邻的上述交点的与上述扫描线正交的方向上的间隔的整数倍与彼此相邻的上述像素的间距相等。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，在上述导电网格的配置在上述扫描线的上方的部分，上述导线的彼此相邻的上述交点的与上述扫描线正交的方向上的间隔的整数倍与彼此相邻的上述像素的间距相等。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于， 上述显示装置是有机电致发光显示装置，具有配置在各个上述像素中的像素电极，上述导电网格形成在与上述像素电极同一层的位置上。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，上述导电网格与上述显示装置的电源电位、基准电位或者接地电位连接。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其特征在于，上述导电网格在配置于上述扫描线的上方的部分中，配置上述导电网格的部分相对于上述扫描线的总面积的比例为50 80%。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，上述导电网格在配置于上述控制线的上方的部分中，配置上述导电网格的部分相对于上述控制线的总面积的比例DE2小于上述比例DE11全文摘要
本发明提供一种显示装置，其包括多条扫描线(38)，用于分别选择一组像素(10)；控制线(42)，提供用于对选择输入扫描信号的至少1条扫描线(38)进行控制的脉冲信号；扫描电路(40)，包含由脉冲信号控制的晶体管，与多条扫描线(38)连接，并配置在显示区域(12)的外侧；以及导电网格(46)，由在交差方向延伸的多条导线构成。导电网格(46)避开显示区域(12)而配置在晶体管和扫描线(38)的上方。构成导电网格(46)的各条导线在扫描线(38)的上方以不与扫描线(38)平行的方式立体交差。能同时兼顾扫描电路工作的稳定性和采取静电对策两者。
文档编号G09F9/30GK102237017SQ20111007571
公开日2011年11月9日 申请日期2011年3月23日 优先权日2010年3月24日
发明者德田尚纪, 梶山宪太, 泉田健, 识名纪之, 谷津靖春 申请人:佳能株式会社, 株式会社日立显示器
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