液晶显示器的制作方法
专利名称：液晶显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种显示器，更具体地讲，涉及一种液晶显示器(LCD)。
背景技术：
液晶显示器(LCD)是平板显示器中最广泛使用的类型之一。通常，LCD 包括一对具有电场发生电极(如像素电极和共电极)的显示面板以及位于显 示面板之间的液晶层。在LCD中，将电压施加到电场发生电极，从而产生电 场。因此，确定液晶层的液晶分子的取向，从而控制入射光的偏振。结果， 在LCD上显示期望的图像。在垂直取向(VA)模式的LCD中，当不对液晶分子施加电场时，液晶 分子以其长轴垂直于上下显示面板的方式排列。由于VA;漠式的LCD的对比 率高、标准视角宽，所以VA模式的LCD很受欢迎。标准视角指的是对比率 为1:10时的视角或者灰阶之间亮度变化的临界角。为了使VA模式的LCD的标准视角变宽，可在电场发生电极中形成切口 (cutout),或者可在电场发生电极上形成突出。切口或突出可以确定液晶分 子的倾斜方向。通过利用切口或突出来控制液晶分子的取向(orientation )， 可以增大VA模式的LCD的标准视角。然而，VA模式的LCD的缺点在于与正面可见性相比，其侧面可见性会 较差。例如，在具有切口的图像垂直取向(patterned vertical alignment) ( PVA) 模式的LCD中，靠近屏幕侧面的图像比屏幕中心的图像亮。在极端的情况下， 高灰阶之间的亮度差会消失，导致图像变得模糊(dull)。为了克服这个缺点，可将每个像素分为两个子像素，并且在每个子像素 中形成开关装置。然后，将不同的电压施加到每个子像素。换言之，将不同 的数据电压施加到一对子像素，从而由子像素构成的像素可以表示期望的亮 度。具体地讲，如果LCD在低灰度电压下工作，则实际上是由施加了相对高 的数据电压的子像素来驱动LCD。因此，应该将施加有相对高的电压的子像 素和该子像素相对两侧的一对数据线之间的耦合电容匹配，以提高LCD的显 示品质。发明内容本发明提供了 一种可具有提高的显示品质的液晶显示器(L C D )。将在接下来的描述中部分阐述本发明的其它特征，还有一部分通过描述 将是清楚的，或者可以经过本发明的实施而得知。本发明公开了一种LCD，该LCD包括第一绝缘基底；栅极线，位于 第一绝缘基底上并沿第一方向延伸；第一数据线和第二数据线，与栅极线绝 缘并交叉，第一数据线和第二数据线相互分隔开并沿第二方向延伸。LCD还 包括第一薄膜晶体管(TFT)和第二 TFT,分别连接到栅极线以及第一数据 线和第二数据线；第一子像素电极和第二子像素电极，分别连接到第一 TFT 和第二TFT;第一漏电极连接部分和第二漏电极连接部分，分别将第一TFT 和第二 TFT连接到第 一子像素电极和第二子像素电极。第 一漏电极连接部分 和第二漏电极连接部分相互电绝缘，并一起形成基本为矩形的带。本发明还提供了一种LCD,该LCD包括第一绝缘基底；栅极线，位 于第一绝缘基底上并沿第一方向延伸；第一数据线和第二数据线，与栅极线 绝缘并交叉，第一数据线和第二数据线相互分隔开并沿第二方向延伸；多个 像素。所述多个像素通过栅极线和数据线的交叉来限定，并且每个像素包括 第一TFT和第二TFT,分别连接到栅极线以及第一数据线和第二数据线；第 一子像素电极，在像素的区域中基本上为V形，其中，V形的底部邻近于第 二数据线；第二子像素电极，位于所述像素的剩余区域中；漏电极连接部分， 为基本为矩形带的形式，将第一 TFT或第二 TFT连接到第 一子像素电极或第 二子像素电极。具有连接到第一数据线的第一子像素电极的第一类型的像素 和具有连接到第二数据线的第一子像素电极的第二类型的像素可沿第一方向 和第二方向交替地布置。应该理解，上述的总体描述和下面的详细描述均为 示例性和解释性的，意图对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
包括的附图是为了提供对本发明的进一步理解，并且附图包含在此并构 成说明书的一部分，附图中示出了本发明的实施例，并与说明书中的描述一 起来解释本发明的原理。
图1是示出根据本发明示例性实施例的液晶显示器(LCD)的像素阵列的 示意图。图2是包括在图1的LCD中的像素的等效电路图。 图3是包括图1中示出的A型像素的下显示面板的布局图。 图4是示出图3中示出的数据线和子像素电极之间的连接关系的示意图。 图5是连接到图3中示出的下显示面板的上显示面板的布局图。 图6是包括图3中示出的下显示面板和图5中示出的上显示面板的LCD 的布局图。图7是包括图1中示出的B型像素的下显示面板的布局图。 图8是示出图7中示出的数据线和子像素电极之间的连接关系的示意图。 图9是示出在灰阶变换的情况下，图l和图3中示出的A型像素与图1 和图7中示出的B型像素之间的亮度差的曲线图。
具体实施方式
现在，将参照附图来更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示 例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并不应该被理解为 限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开将是彻底的相同的标号表示相同的元件，因此，将省略对它们的描述。应该理解的是，当元件或层被称作在另一元件或层"上"或"连接到" 另 一元件或层时，该元件或层可以直接在另 一元件或层上或直接连接到另一 元件或层，或者也可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作"直接" 在另一元件或层"上"或"直接连接到"另一元件或层时，不存在中间元件 或中间层。如在这里使用的，术语"和/或"包括一个或多个相关所列项的任 意组合和所有组合。应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同 的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部 分并不受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层 或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命 名为第二元件、组件、区域、层或部分。 这里使用的术语仅出于描述具体实施例的目的，而不意图限制本发明。 如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数 形式。还应该理解的是，当在本说明书中使用术语"包含，，和/或"包括，，时， 说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存 在或附加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、才喿作、元件、组件和/或 它们的组。
为了易于描述如附图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关 系，在这里可使用空间相对术语，如"在.…之下"、"在...下方"、"下面的"、 "在…上方"、"上面的"等，。应该理解的是，空间相对术语意在包含除了在 附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图 中的装置被翻转，则被描述为"在"其它元件或特征"下方"或"之下"的 元件随后将被定位为"在"其它元件或特征"上方"。因此，示例性术语"在... 下方"可包括"在...上方"和"在...下方"两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，相应地解释这里使用的空间相对描述符。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科技术语) 具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。应该 进一步理解，除非这里明确定义，否则术语例如在通用的字典中定义的术语 应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思相一致的意思，而不是理 想地或者过于正式地解释它们的意思。在此参照作为本发明的理想实施例的示例性示例的剖视图来描述本发明 的实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差的变化引起的示例的 形状变化。因此，本发明的实施例不应该被理解为限制于在此示出的区域的 具体形状，而应该包括例如由制造导致的形状上的偏差。例如，示出或描述 为平坦的区域通常可具有粗糙和/或非线性特征。而且，示出的锐角可是倒圆 角。因此，在附图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示 出区域的精确形状，也不意图限制本发明的范围。
以下，将参照附图来详细描述根据本发明的示例性实施例的液晶显示器(LCD)。
图l是示出根据本发明示例性实施例的像素阵列的示意图。图2是包括 在图1中的LCD中的像素的等效电路图。冲艮据本实施例的LCD包括液晶面板组件、连接到液晶面板组件的栅极驱
动器和数据驱动器、连接到数据驱动器的灰度电压发生器以及控制栅极驱动 器和数据驱动器的信号控制器。液晶面板组件包括多条显示信号线和多个像素PX，多个像素PX连接到 显示信号线并基本上按矩阵布置。液晶面板组件还包括彼此面对的下显示面 板和上显示面板以及置于下显示面板和上显示面板之间的液晶层。参照图1和图2，显示信号线形成在下显示面板上。显示信号线包括 多条栅极线G,用于传输栅极信号；多条第一数据线Da和多条第二数据线 Db,用于传输数据信号。栅极线G基本上沿行方向延伸并基本上相互平行。 第一数据线Da和第二数据线Db基本上垂直于栅极线延伸并相互平行。每个像素PX包括一对子像素PXa和PXb。每个子像素PXa和PXb包括 开关器件Qa或Qb，连接到第一或第二数据线Da或Db和一条栅极线G;液 晶电容器Clca或Clcb,连接到开关器件Qa或Qb;任选的，存储电容器Csta 或Cstb,连接到开关器件Qa或Qb。换言之，对一对子像素PXa和PXb分 配两条数据线Da和Db以及一条栅极线G。当需要时，可以省略存储电容器 Csta和Cstb。每个子像素PXa和PXb中的开关器件Qa或Qb可以是形成在下显示面 板上的薄膜晶体管。具体地讲，开关器件Qa或Qb可为三端子器件，包括 控制端(以下，称作栅电极)，连接到栅极线G，栅极信号^皮传输到所述栅极 线G;输入端(以下，称作源电极)，连接到第一数据线Da或第二数据线Db; 输出端(以下，称作漏电极)，连接到液晶电容器Clca或Clcb和存储电容器 Csta或Cstb。液晶电容器Clca或Clcb利用下显示面板中的第 一子像素电极Pa或第二 子像素电极Pb和上显示面板中的共电极作为两个端子。第一子像素电极Pa 或第二子像素电极Pb和共电极之间的液晶层用作电介质。第一子像素电极 Pa和第二子像素电极Pb分别连接到开关器件Qa和Qb。共电极形成在上显 示面板的前表面上，共电压Vcom被施加到共电极上。可选择地，共电极可 形成在下显示面板上。在这种情况下，第一子像素电极Pa和第二子像素电极 Pb中的至少一个和共电极可为线性或条形。存储电容器Csta和Cstb补充液晶电容器Clca和Clcb。每个存储电容器 Csta和Cstb可由存储配线及第 一子像素电极Pa和第二子像素电极Pb之一构 成，其中，第一子像素电极Pa和第二子像素电极Pb形成在下显示面板上，
并且相互叠置且在其间具有绝缘体。将预定的电压(如共电压Vcom)施加到 存储配线。每个存储电容器Csta和Cstb可利用绝缘体作为介质由前一栅极线 和关于前一栅极线的第一子像素电极Pa或第二子像素电极Pb形成。每个像素PX可显示三原色中的一种(空间划分)，或者可选择地，可在 不同的时间显示三原色(时间划分)，三原色的时空和可产生可被识别的期望 的颜色。三原色可为红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)。作为空间划分的示例， 每个像素PX在上显示面板的区域中可包括表示三原色中的一种颜色的滤色 器。此外，滤色器可形成在下显示面板的第一子像素电极Pa和第二子像素电 极Pb上，或者形成在下显示面板的第一子像素电极Pa和第二子像素电极Pb 下方。栅极驱动器连接到栅极线G，并将栅极信号(即，栅极导通电压Von或 栅极截止电压Voff)传输到栅极线G。灰度电压发生器可产生两组将被传输到像素的灰度电压(或基准灰度电 压)，并将产生的灰度电压组施加到数据驱动器。换言之，可将两组灰度电压 单独地施加到形成每个像素的每对子像素。然而，本发明不限于此。灰度电 压发生器可仅产生一组灰度电压。数据驱动器连接到一对第一数据线Da和第二数据线Db中的每条。数据 驱动器通过第一数据线Da将数据电压施加到形成每个像素PX的一对子像素 Pa和Pb中的任意一个，通过第二数据线Db将不同的数据电压施加到子像素 Pa和Pb的另一个。栅极驱动器或数据驱动器可以以多个驱动集成电路(IC)芯片的形式直 接安装在液晶面板组件上，或者可以安装在柔性印刷电路膜上并以载带封装 的形式附于液晶面板组件。另外，栅极驱动器或数据驱动器可与显示信号线 (即，栅极线G及第一数据线Da和第二数据线Db )及开关器件Qa和Qb (即，薄膜晶体管) 一起集成到液晶面板组件上。信号控制器控制栅极驱动器和数据驱动器的操作。返回参照图1,每个像素PX包括两个开关器件Qa和Qb，第一子像素 电极Pa和第二子像素电极Pb分别连接到开关器件Qa和Qb。可将相对高的 数据电压施加到第一子像素电极Pa，可将相对低的数据电压施加到第二子像 素电极Pb。以下，高数据电压或低数据电压被分别称作共电压和数据电压之 间的大压差或小压差。另外，在其中通过第一数据线Da将数据电压施加到第
一子像素电极Pa的像素被称作A型像素，在其中通过第二数据线Db将数据 电压施加到第二子像素电极Pb的像素被称作B型像素。如图l所示，A型像素和B型像素可沿着水平方向和垂直方向交替地排 列，以防止在LCD上看到水平图像或垂直图像。对于所有像素，可通过第一数据线Da将数据电压施加到第一子像素电 极Pa。即，像素阵列可仅由A型像素构成。在这种情况下，如果通过列反转 来驱动LCD,则在LCD上可以看到相对于测试图像沿水平方向移动的垂直 图像，其中，所述测试图像每帧沿水平方向移动一个像素。另外，对于一行像素，可通过第一数据线Da将数据电压施加到第一子 像素电极Pa,并且对于另一行像素，可通过第二数据线Db将数据电压施加 到第一子像素电极Pa。即，可交替地布置A型像素行和B型像素行。这种布 置防止在LCD上看到如上所述的沿水平方向移动的垂直图像。第一子像素电 极Pa连接到第一数据线Da和第二数据线Db中的每条。这样，由于第一子 像素电极Pa与第一数据线Da和第二数据线Db中的每条的耦合电容根据像 素是A型像素或B型像素而变化，所以可以看到水平图像。通过沿水平方向和垂直方向交替地布置A型像素和B型像素(如在图1 所示的LCD中)可以避免如上所述的沿水平方向移动的垂直图像或水平图 像。如果以低灰度电压来操作具有这种布置的LCD,则LCD实际上由施加 有相对高的电压的第一子像素电极Pa驱动。因此，对于A型像素和B型像 素中的每个，如果第一子像素电极Pa和第一数据线Da的耦合电容与第一子 像素电极Pa和第二数据线Db的耦合电容之间的差减小，则可以防止由于串 扰而导致的LCD的显示品质的劣化。以下，将参照图3、图4、图5和图6来详细描述才艮据本发明的示例性实 施例的LCD。才艮据本实施例的LCD包括下显示面^反、面向下显示面板的上 显示面板以及置于下显示面板和上显示面板之间的液晶层。现在，将参照图3来详细描述LCD的下显示面板。图3是包括图1中示 出的A型像素的下显示面板的布局图。参照图3，栅极线22和存储配线28位于绝缘基底上，所述绝缘基底可 由例如透明玻璃形成。栅极线22通常沿水平方向延伸并传输栅极信号。栅极线22按行连接到 每个像素。栅极线22包括一对第一突出栅电极26a和第二突出栅电极26b。 栅极线22以及第一突出栅电极26a和第二突出栅电极26b称为栅极配线。存储配线28通常沿水平方向延伸并与像素电极82 —起形成存储电容器。 在本实施例中，存储配线28与第一子像素电极82a的中心叠置。然而，本发 明并不限于此。存储配线28的形状和布置可以改变。栅极配线和存储配线28可由铝(Al)系金属(如铝和铝合金)、银(Ag ) 系金属(如银和银合金)、铜(Cu)系金属(如铜和铜合金)、钼(Mo)系金 属(如钼和钼合金)、铬(Cr)、钛(Ti)或钽(Ta)形成。另外，栅极配线和存储配线28可具有由物理性能不同的两层导电膜(未 示出)构成的多膜结构。两层导电膜中的一层可由低电阻率的金属(如铝系 金属、银系金属或铜系金属)形成，以减少栅极配线和存储配线28的信号延 迟或减小栅极配线和存储配线28的压降。导电膜中的另一层膜可由不同的材 料形成，具体地讲，可由与氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)具有良好接 触性能的材料(如钼系金属、铬、钛或钽)形成。多膜结构的示例包括下铬 膜和上铝膜以及下铝膜和上钼膜。然而，本发明并不限于此。栅极配线和存 储配线28可由不同的金属和导体形成。栅极绝缘膜(未示出)可位于栅极线22和存储配线28上，其中，栅极 绝缘膜可由氮化硅(SiNx)形成。一对半导体层40a和40b可位于4册极绝缘膜上，其中，所述半导体层40a 和40b可由氢化非晶硅或多晶硅形成。半导体层40a和40b可具有不同的形 状。例如，半导体层40a和40b可为岛状或者可线性地形成。在本实施例中， 半导体层40a和40b为岛状。欧姆接触层(未示出)可位于半导体层40a和40b的每层上，其中，欧 姆接触层可由诸如以高浓度用n-型杂质掺杂的n+氢化非晶硅或硅化物的材料 形成。即， 一对欧姆接触层可形成在半导体层40a和40b上。一对第一数据线62a和第二数据线62b以及与第一数据线62a和第二数 据线62b对应的一对第一漏电极66a和第二漏电纟及66b形成在欧姆接触层和 栅极绝缘膜上。第一数据线62a和第二数据线62b通常沿竖直方向延伸，并与栅极线22 和存储配线28交叉，并且第一数据线62a和第二数据线62b将数据电压传输 到栅极线22和存储配线28。第一源电极65a和第二源电极65b分别从第一数 据线62a和第二数据线62b分支，并分别向第一漏电极66a和第二漏电极66b
延伸。如图3所示，像素被划分为一对子像素，第一数据线62a将数据信号 传输到所述一对子像素中的一个，第二数据线62b将另 一数据信号传输到 所述一对子像素中的另 一个。第一数据线62a和第二数据线62b、第一源电极65a和第二源电极65b 以及第一漏电极66a和第二漏电极66b被称作数据配线。数据配线可由^^各、钼系金属或难熔金属(如钽和钛)形成。此外，数据 配线可具有由下膜和上膜构成的多膜结构(未示出)，其中，所述下膜由难熔 金属形成，所述上膜由低电阻率的材料形成并位于下膜上。多膜结构的示例 包括下铬膜和上铝膜以及下铝膜和上钼膜。可选择地，多膜结构可为具有钼 膜-铝膜-钼膜的三层膜结构。第一源电极65a和第二源电极65b的至少部分分别与半导体层40a和40b 叠置。另外，第一漏电极66a和第二漏电极66b分别相对于栅电极26a和26b 面向第一源电极65a和第二源电极65b，并且第一漏电极66a和第二漏电极 66b的至少部分分别与半导体层40a和40b叠置。上述的欧姆接触层可布置在 半导体层40a和40b与第一源电极65a和第二源电极65b及第一数据线62a 和第二数据线62b之间，其中，半导体层40a和40b位于欧姆接触层下方， 第一源电极65a和第二源电极65b及第一数据线62a和第二数据线62b位于 欧姆接触层的上方。欧姆接触层减小接触电阻。钝化层(未示出)可形成在数据配线及半导体层40a和40b的暴露部分 上。钝化层可由无机材料(如氮化硅或氧化硅)、具有光敏性和良好的平坦化 性能的有机材料或者通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的低介 电常数(low國k dielectric)材料(如a誦Si:C:O或a-Si:O:F )形成。钝化层可由 下无机层和上有机层构成，从而在利用有机层的良好的特性的同时保护半导 体层40a和40b的暴露部分。第一子像素电极82a和第二子像素电极82b可形成在钝化层上。第一子 像素电极82a和第二子像素电极82b分别通过第一接触孔76a和第二接触孔 76b连接到第一漏电极66a和第二漏电极66b，并且第一子像素电极82a和第 二子像素电极82b位于像素区域中。第一子像素电极82a和第二子像素电极 82b可由透明的导体(如ITO或IZO)形成，或者可由反射导体(如铝)形 成。如上所述，第一子像素电极82a和第二子像素电极82b分别通过第一接
触孔76a和第二4妄触孔76b连接到第一漏电极66a和第二漏电极66b。因此， 可对第一子像素电极82a和第二子像素电极82b供应来自第一漏电极66a和 第二漏电极66b的不同的数据电压。施加有不同的数据电压的第一子像素电极82a和第二子像素电极82b与 上显示面板中的共电极一起产生电场，从而确定第一子像素电极82a和第二 子像素电极82b与共电极之间的液晶分子的取向。子像素电极82a和82b中的每个与共电极形成液晶电容器Clca或Clcb， 因此，即使在薄膜晶体管(即，开关器件Qa或Qb)截止后，也能够维持施 加到其的电压。存储电容器Csta和Cstb可并联连接到液晶电容器Clca和Clcb， 以增强电压维持能力。存储电容器Csta和Cstb的每个由存储配线28与第一 子像素电极82a或第二子像素电极82b的叠置形成，或者由存储配线28与连 接到第一子像素电极82a的第一漏电极66a或连接到第二子像素电极82b的 第二漏电极66b的叠置形成。一个像素电极82包括第一子像素电极82a和第二子像素电极82b,其中， 第一子像素电极82a和第二子像素电极82b相互接合并在它们之间具有预定 的间隙83。第一子像素电极82a位于像素的区域中，且形状基本上为侧躺的 "V"形，第二子像素电极82b位于该像素的剩余区域中。第一子像素电极82a和第二子像素电极82b之间的间隙83包括相对于栅 极线22成大约45度或-45度的角度的倾斜部分和连接倾斜部分的竖直部分。 畴划分部分(domain partition portion) 84 (如切口或突出)相对于栅极线22 成大约45度或-45度的角度，并形成在第二子像素电极82b中。根据向液晶层施加电场时包括在液晶层中的液晶分子的主取向矢所排列 的方向，将像素电极82的显示区域分为多个畴。畴划分部分84将像素电极 82 (例如，第二子像素电极82b)划分为多个畴。畴表示具有由于像素电极 82和共电极90 (见图5)之间形成的电场而导致其取向矢沿特定的方向一起 倾斜的分子的区域。相对高的数据电压经第一数据线62a被施加到第一子像素电极82a，相 对低的数据电压经第二数据线62b被施加到第二子像素电极82b。因此，可 以提高LCD的侧面可见性。取向膜(未示出)可使液晶层取向，可将取向膜涂覆在第一子像素电极 82a和第二子像素电极82b以及钝化层上。
如果LCD在低灰度电压下工作，则LCD实际上由被施加有相对高的电 压的第一子像素电极82a驱动。因此，如果第一子像素电极82a和第一数据 线62a的耦合电容与第一子像素电极82a和第二数据线62b的耦合电容之间 的差减小，则可以防止由于第一数据线62a和第二数据线62b的单独的串扰 而导致的LCD的显示品质的劣化。以下，将参照图3和图4来详细描述第一子像素电极82a与第一数据线 62a和第二数据线62b的每个之间的耦合电容。图4是示出图3中所示的第一 子像素电极82a与第一数据线62a和第二数据线62b之间的连接关系的示意 图。参照图3和图4，第一子像素电极82a的形状基本上为侧躺的"V"形。 两个耦合电容器CI和C2形成在第一子像素电极82a邻近于第一数据线62a 的两个区域。此外，另一耦合电容器C3形成在第一子像素电极82a邻近于第 二数据线62b的区域中。换言之，第一子像素电极82a具有"V"字的形状， 并且"V"字的底部邻近于第二数据线62b。第一漏电极66a和第二漏电极66b分别位于第一对册电极26a和第二纟册电 极26b上。第一漏电极连接部分67a和第二漏电极连接部分67b分别从第一 漏电极66a和第二漏电极66b延伸到第一接触孔76a和第二接触孔76b。第一 漏电极连接部分67a和第二漏电极连接部分67b基本上可由与数据配线的材 料相同的材料形成并与数据配线形成在同 一层上。第一漏电才及连4I"部分67a和第二漏电才及连接部分67b相互电绝纟彖，并一 起形成基本为矩形的带。具体地讲，第一漏电极连接部分67a包括第一图 案67_1，沿竖直方向延伸并将半导体层40a上的第一漏电极66a与第一接触 孔76a连接；第二图案67—2,从第一图案67—1沿水平方向延伸；第三图案 67—3，从第二图案67—2延伸并平行于第二数据线62b。第二漏电极连接部分 67b沿水平方向延伸并将半导体层40b上的第二漏电极66b与第二接触孔76b 连接。耦合电容器CI和C2形成在第一子像素电极82a和第一数据线62a之间， 耦合电容器C3形成在第一子像素电极82a和第二数据线62b之间。第一子像 素电极82a邻近于第一数据线62a的区域相对宽于第一子像素电极82a邻近 于第二数据线62b的区域。例如，第一子像素电极82a邻近于第一数据线62a 的区域与第一子^f象素电极82a邻近于第二数据线62b的区域的比大于1且小
于或等于2.5。另外，存储配线28形成在第一子像素电极82a邻近于第二数 据线62b的区域的下方，并阻碍耦合。因此，在第一子像素电极82a和第一 数据线62a之间形成的耦合电容器Cl和C2的耦合电容相对大于在第一子像 素电极82a和第二凝:据线62b之间形成的耦合电容器C3的耦合电容。因此，与第二数据线62b平行地布置的第三图案67—3形成在第一漏电极 连接部分67a中，以补充第一子像素电极82a与第二数据线62b的耦合电容。 第三图案67—3与第二数据线62b形成耦合电容器Ca。这使得耦合电容器Cl 和C2与耦合电容器C3和Ca之间的电容差将会减小，其中，耦合电容器C1 和C2形成在第一子〗象素电极82a和第一数据线62a之间，耦合电容器C3和 Ca形成在第一子像素电极82a和第二数据线62b之间。可以通过改变第三图 案67_3的长度以及第三图案67—3和第二数据线62b之间的距离来调节耦合 电容器Ca的耦合电容。以下，将参照图5和图6来描述上显示面板和LCD。图5是连接到图3 中示出的下显示面板的上显示面板的布局图。图6是包括图3中示出的下显 示面板和图5中示出的上显示面板的LCD的布局图。用于防止光泄漏的黑矩阵94、RGB滤色器96和共电极90位于绝缘基底 (未示出)上，其中，共电极90可由透明的导电材料(如ITO或IZO)形成， 绝缘基底可由透明玻璃形成。这里，黑矩阵94可位于由栅极线22、第一数 据线62a、第二数据线62b和薄膜晶体管限定的区域中。另外，黑矩阵94可 具有不同的形状，以在第一子像素电极82a和第二子像素电极82b及薄膜晶 体管周围的区域中防止光泄漏。共电极卯面向第 一子像素电极82a和第二子像素电极82b，并包括畴划 分部分92，如切口或突出，其中，所述畴划分部分92相对于4册极线22成大 约45度或-45度的角度。畴划分部分92的倾斜部分、第一子像素电极82a和 第二子像素电极82b之间的间隙83以及第二子像素电极82b中的畴划分部分 84被交替地排列。可在共电极90上涂覆排列液晶分子的取向膜(未示出)。如果将如上所述构造的上下显示面板对齐并将它们相互连接，则可将液 晶材料注入到面板之间，从而形成LCD的基本结构。当上下显示面板对齐时， 第 一子像素电极82a和第二子像素电极82b之间的间隙83 、第二子像素电极 82b中的畴划分部分84和共电极90的畴划分部分92将像素区域划分为多个 畴。因此，可以增大LCD的标准视角。以下，将参照图7和图8来描述才艮据本发明另一示例性实施例的LCD。 图7是包括图1中的B型像素的下显示面板的布局图。图8是示出图7中所 示的子像素电极和数据线之间的连接关系的示意图。为了便于描述，与图3、 图4、图5和图6中示出的元件具有相同功能的元件用相同的标号表示。因 此，将省略对它们的详细描述。除了下面的特征之外，根据本实施例的LCD 具有与根据上一实施例的LCD的结构基本相同的结构。如图7和图8所示，第一漏电极66a通过第一漏电极连接部分167a和第 二接触孔76b接触第二子Y象素电极82b，第二漏电才及66b通过第二漏电才及连 接部分167b和第一接触孔76a接触第一子像素电极82a。第一漏电极连接部 分167a和第二漏电极连接部分167b以及数据配线(62a、 62b、 65a、 65b、 66a和66b)在同一层上由基本相同的材料形成。第一漏电极连接部分167a和第二漏电极连接部分167b相互电绝缘，并 一起形成基本为矩形的带。具体地讲，第一漏电极连接部分167a包括第一 图案167_4，沿水平方向延伸并将半导体层40a上的第一漏电极66a和第二接 触孔76b连4^;第二图案167—1, ^v第一漏电极66a沿竖直方向延伸。第二漏 电极连接部分167b包括第一图案167_3，从半导体层40b上的第二漏电极 66b沿竖直方向延伸并平行于第二数据线62b布置；第二图案167—2,沿水平 方向延伸并连接第一图案167_3和第一接触孔76a。耦合电容器Cl和C2形成在第一子像素电极82a和第一H据线62a之间， 耦合电容器C3形成在第一子像素电极82a和第二数据线62b之间。第一子像 素电极82a邻近于第一数据线62a的区域相对宽于第一子像素电极82a邻近 于第二数据线62b的区域。例如，第一子像素电极82a邻近于第一数据线62a 的区域与第一子像素电极82a邻近于第二数据线62b的区域的比大于1且小 于或等于2.5。另外，存储配线28形成在第一子像素电极82a邻近于第二数 据线62b的区域的下方，并阻碍耦合。因此，在第一子像素电极82a和第一 数据线62a之间形成的耦合电容器Cl和C2的耦合电容相对大于在第一子像 素电极82a和第二数据线62b之间形成的耦合电容器C3的耦合电容。因此，与第二数据线62b平行地布置的第一图案167_3形成在第二漏电 极连接部分167b中，以补充第一子像素电极82a和第二彩:据线62b之间的耦 合电容。第一图案167_3与第二数据线62b形成耦合电容器Cb。这使得第一 子像素电极82a和第一数据线62a的耦合电容器CI和C2与第一子像素电极 82a和第二数据线62b的耦合电容器C3和Cb之间的电容差将会减小。可以 通过改变第一图案167—3的长度以及第一图案167—3和第二数据线62b之间 的距离来调节耦合电容器Cb的耦合电容。以下，将参照图9来描述根据本发明实施例的LCD的显示性能。 图9是示出在灰阶变换的情况下，图1和图3中示出的A型像素与图1 和图7中示出的B型像素之间的亮度差的曲线图。在图9的曲线图中，Q表 示当在本发明的实施例中使用如上所述的 一起形成基本为矩形的带的漏电极 连接部分时的亮度差数据。P表示不使用漏电极连接部分时的亮度差数据。如图9所示，利用漏电极连接部分，可以减小子像素电极和所述子像素 电极两侧的一对数据线中的一条数据线的耦合电容与所述子像素电极和所述 对数据线中的另一条的耦合电容之间的差。因此，可以防止由于串扰而导致 的LCD的显示品质的劣化，并可以减小A型像素和B型像素之间的亮度差。 因此，根据本发明的示例性实施例的LCD可以在整体上保持基本均匀的亮 度。在如上所述的本发明的示例性实施例中，当使用V形的子像素电极时， 利用 一起形成基本为矩形的带的漏电极连接部分，可以减小子像素电极和邻 近于该子像素电极的 一对数据线之间的耦合电容之差。耦合电容之间的差源 自于子像素电极分别与数据线的耦合区域之间的差。然而，本发明并不限于 V形的子像素电极，并可应用于与相邻的数据线之间具有不同的耦合区域的 各种形状的子像素电极。如上所述，根据本发明的LCD将不同的数据电压施加到一起形成为像素 的一对子像素，从而提高侧面可见性。另外，利用漏电极连接部分，LCD调节子像素电极和数据线之间的耦合 电容，其中，漏电极连接部分连接漏电极和像素电极并平行于数据线布置。 因此，LCD可防止由于串扰而导致的显示品质的劣化。本领域的技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况 下，可对本发明做出各种修改和变形。因此，只要对本发明的4务改和变形落 入权利要求及其等同物所限定的范围内，本发明意图覆盖这些修改和变形。
权利要求
1、 一种液晶显示器，包括 第一绝缘基底；栅极线，位于第一绝缘基底上并沿第一方向延伸；第一数据线和第二数据线，与栅极线绝缘并交叉，第一数据线和第二数 据线相互分隔开并沿第二方向延伸；第一薄膜晶体管，连接到栅极线和第一数据线； 第二薄膜晶体管，连接到栅极线和第二数据线；第 一子像素电极和第二子像素电极，分别连接到第 一薄膜晶体管和第二 薄膜晶体管；第一漏电极连接部分和第二漏电极连接部分，分别将第一薄膜晶体管和 第二薄膜晶体管连接到第一子像素电极和第二子像素电极，其中，第一漏电极连接部分和第二漏电极连接部分相互电绝缘，并具有 平行于第 一数据线和第二数据线的部分。
2、 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，第一子像素电极基本为V 形，并位于像素的区域中，第二子像素电极位于所述像素的剩余区域中。
3、 根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，以这样的方式来布置第一 子像素电极，即，V形的顶部在两个区域中邻近于第一数据线，V形的底部 在一个区域中邻近于第二凝:据线。
4、 根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，第一漏电极连接部分平行 于第二数据线布置，从而在第一漏电极连接部分和第二数据线之间形成耦合 电容器。
5、 根据权利要求4所述的液晶显示器，其中，第一漏电极连接部分包括 第一图案，连接第一薄膜晶体管和第一子像素电极，并沿第二方向延伸； 第二图案，从第一图案沿第一方向延伸；第三图案，从第二图案沿第二方向延伸，并平行于第二数据线布置。
6、 根据权利要求4所述的液晶显示器，还包括 第二绝缘基底，面向第一绝缘基底；共电极，位于第二绝缘基底上。
7、 根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，第二漏电极连接部分沿第 一方向延伸。
8、 根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，以这样的方式来布置第一 子像素电极，即，V形的底部在一个区域中邻近于第一数据线，V形的顶部 在两个区域中邻近于第二数据线。
9、 根据权利要求8所述的液晶显示器，其中，第一漏电极连接部分平行 于第一数据线布置，从而在第一漏电极连接部分和第一数据线之间形成耦合 电容器。
10、 根据权利要求9所述的液晶显示器，其中，第一漏电极连接部分包括第一图案，从第一薄膜晶体管沿第二方向延伸，并平行于第一数据线布置；第二图案，连接第一图案和第一子像素电极，并沿第一方向延伸。
11、 根据权利要求8所述的液晶显示器，其中，第二漏电极连接部分包括第一图案，连接第二薄膜晶体管和第二子像素电极，并沿第一方向延伸； 第二图案，从第二薄膜晶体管沿第二方向延伸。
12、 根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，共电压和施加到第一子 像素电极的第一数据电压之间的差大于共电压和施加到第二子像素电极的第 二数据电压之间的差。
13、 根据权利要求2所述的液晶显示器，还包括存储配线，存储配线在 V的底部与第一子^f象素电极叠置并沿第一方向延伸。
14、 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，第一漏电极连接部分和 第二漏电极连接部分由与第 一数据线和第二数据线的材料基本相同的材料形 成，并与第一数据线和第二数据线形成在同一层上。
15、 一种液晶显示器，包括 第一绝缘基底；栅极线，位于第一绝缘基底上并沿第一方向延伸；第一数据线和第二数据线，与栅极线绝缘并交叉，第一数据线和第二数 据线相互分隔开并沿第二方向延伸；多个像素，通过栅极线和数据线的交叉来限定，每个像素包括 第一薄膜晶体管，连接到栅极线和第一数据线； 第二薄膜晶体管，连接到栅极线和第二数据线；第一子像素电极，在像素的区域中基本上为V形，其中，V形的底 部邻近于第二数据线；第二子像素电极，位于所述像素的剩余区域中；漏电极连接部分，具有平行于第一数据线和第二数据线的部分，并 将第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管连接到第一子像素电极或第二子像素电 极，其中，第一类型的像素包括连接到第一数据线的第一子像素电极，第二 类型的像素包括连接到第二数据线的第一子像素电极，第一类型的像素和第 二类型的像素沿第一方向和第二方向交替地布置。
16、 根据权利要求15所述的液晶显示器，其中，第一类型的像素中的像 素的漏电极连接部分包括第一漏电极连接部分，连接第一薄膜晶体管和第一子像素电极； 第二漏电极连接部分，连接第二薄膜晶体管和第二子像素电极， 其中，第一漏电极连接部分平行于第二数据线布置，从而在第一漏电极 连接部分和第二数据线之间形成耦合电容器。
17、 根据权利要求16所述的液晶显示器，其中，第一漏电极连接部分包括第一图案，连接第一薄膜晶体管和第一子像素电极，并沿第二方向延伸； 第二图案，从第一图案沿第一方向延伸；第三图案，从第二图案沿第二方向延伸，并平行于第二数据线布置。
18、 根据权利要求17所述的液晶显示器，还包括 第二绝缘基底，面向第一绝缘基底；共电极，位于第二绝缘基底上。
19、 根据权利要求15所述的液晶显示器，其中，第二类型的像素中的像 素的漏电极连接部分包括第一漏电极连接部分，连接第一薄膜晶体管和第二子像素电极； 第二漏电极连接部分，连接第二薄膜晶体管和第一子像素电极， 其中，第二漏电极连接部分平行于第二数据线布置，从而在第二漏电极 连接部分和第二数据线之间形成耦合电容器。
20、 根据权利要求19所述的液晶显示器，其中，第二漏电极连接部分包 括第一图案，从第二薄膜晶体管沿第二方向延伸，并平行于第二数据线布置；第二图案，连接第一图案和第一子像素电极，并沿第一方向延伸。
21、 根据权利要求15所述的液晶显示器，还包括存储配线，存储配线在 V的底部与第一子像素电极叠置并沿第一方向延伸。
22、 根据权利要求15所述的液晶显示器，其中，共电压和施加到第一子 像素电极的第一数据电压之间的差大于共电压和施加到第二子像素电极的第 二数据电压之间的差。
全文摘要
本发明提供了一种提高显示品质的液晶显示器(LCD)。该LCD包括第一绝缘基底；栅极线，位于第一绝缘基底上并沿第一方向延伸；第一数据线和第二数据线，与栅极线绝缘并交叉，第一数据线和第二数据线相互分隔开并沿第二方向延伸；第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管(TFT)，分别连接到栅极线以及第一数据线和第二数据线；第一子像素电极和第二子像素电极，分别连接到第一TFT和第二TFT；第一漏电极连接部分和第二漏电极连接部分，分别将第一TFT和第二TFT连接到第一子像素电极和第二子像素电极。第一漏电极连接部分和第二漏电极连接部分相互电绝缘，并一起形成基本为矩形的带。
文档编号G09G3/36GK101122722SQ200710140309
公开日2008年2月13日 申请日期2007年8月9日 优先权日2006年8月9日
发明者文盛载, 李成荣, 李栢远, 罗惠锡 申请人:三星电子株式会社
技术领域：
本发明涉及一种显示器，更具体地讲，涉及一种液晶显示器(LCD)。
背景技术：
液晶显示器(LCD)是平板显示器中最广泛使用的类型之一。通常，LCD 包括一对具有电场发生电极(如像素电极和共电极)的显示面板以及位于显 示面板之间的液晶层。在LCD中，将电压施加到电场发生电极，从而产生电 场。因此，确定液晶层的液晶分子的取向，从而控制入射光的偏振。结果， 在LCD上显示期望的图像。在垂直取向(VA)模式的LCD中，当不对液晶分子施加电场时，液晶 分子以其长轴垂直于上下显示面板的方式排列。由于VA;漠式的LCD的对比 率高、标准视角宽，所以VA模式的LCD很受欢迎。标准视角指的是对比率 为1:10时的视角或者灰阶之间亮度变化的临界角。为了使VA模式的LCD的标准视角变宽，可在电场发生电极中形成切口 (cutout),或者可在电场发生电极上形成突出。切口或突出可以确定液晶分 子的倾斜方向。通过利用切口或突出来控制液晶分子的取向(orientation )， 可以增大VA模式的LCD的标准视角。然而，VA模式的LCD的缺点在于与正面可见性相比，其侧面可见性会 较差。例如，在具有切口的图像垂直取向(patterned vertical alignment) ( PVA) 模式的LCD中，靠近屏幕侧面的图像比屏幕中心的图像亮。在极端的情况下， 高灰阶之间的亮度差会消失，导致图像变得模糊(dull)。为了克服这个缺点，可将每个像素分为两个子像素，并且在每个子像素 中形成开关装置。然后，将不同的电压施加到每个子像素。换言之，将不同 的数据电压施加到一对子像素，从而由子像素构成的像素可以表示期望的亮 度。具体地讲，如果LCD在低灰度电压下工作，则实际上是由施加了相对高 的数据电压的子像素来驱动LCD。因此，应该将施加有相对高的电压的子像 素和该子像素相对两侧的一对数据线之间的耦合电容匹配，以提高LCD的显 示品质。发明内容本发明提供了 一种可具有提高的显示品质的液晶显示器(L C D )。将在接下来的描述中部分阐述本发明的其它特征，还有一部分通过描述 将是清楚的，或者可以经过本发明的实施而得知。本发明公开了一种LCD，该LCD包括第一绝缘基底；栅极线，位于 第一绝缘基底上并沿第一方向延伸；第一数据线和第二数据线，与栅极线绝 缘并交叉，第一数据线和第二数据线相互分隔开并沿第二方向延伸。LCD还 包括第一薄膜晶体管(TFT)和第二 TFT,分别连接到栅极线以及第一数据 线和第二数据线；第一子像素电极和第二子像素电极，分别连接到第一 TFT 和第二TFT;第一漏电极连接部分和第二漏电极连接部分，分别将第一TFT 和第二 TFT连接到第 一子像素电极和第二子像素电极。第 一漏电极连接部分 和第二漏电极连接部分相互电绝缘，并一起形成基本为矩形的带。本发明还提供了一种LCD,该LCD包括第一绝缘基底；栅极线，位 于第一绝缘基底上并沿第一方向延伸；第一数据线和第二数据线，与栅极线 绝缘并交叉，第一数据线和第二数据线相互分隔开并沿第二方向延伸；多个 像素。所述多个像素通过栅极线和数据线的交叉来限定，并且每个像素包括 第一TFT和第二TFT,分别连接到栅极线以及第一数据线和第二数据线；第 一子像素电极，在像素的区域中基本上为V形，其中，V形的底部邻近于第 二数据线；第二子像素电极，位于所述像素的剩余区域中；漏电极连接部分， 为基本为矩形带的形式，将第一 TFT或第二 TFT连接到第 一子像素电极或第 二子像素电极。具有连接到第一数据线的第一子像素电极的第一类型的像素 和具有连接到第二数据线的第一子像素电极的第二类型的像素可沿第一方向 和第二方向交替地布置。应该理解，上述的总体描述和下面的详细描述均为 示例性和解释性的，意图对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
包括的附图是为了提供对本发明的进一步理解，并且附图包含在此并构 成说明书的一部分，附图中示出了本发明的实施例，并与说明书中的描述一 起来解释本发明的原理。
图1是示出根据本发明示例性实施例的液晶显示器(LCD)的像素阵列的 示意图。图2是包括在图1的LCD中的像素的等效电路图。 图3是包括图1中示出的A型像素的下显示面板的布局图。 图4是示出图3中示出的数据线和子像素电极之间的连接关系的示意图。 图5是连接到图3中示出的下显示面板的上显示面板的布局图。 图6是包括图3中示出的下显示面板和图5中示出的上显示面板的LCD 的布局图。图7是包括图1中示出的B型像素的下显示面板的布局图。 图8是示出图7中示出的数据线和子像素电极之间的连接关系的示意图。 图9是示出在灰阶变换的情况下，图l和图3中示出的A型像素与图1 和图7中示出的B型像素之间的亮度差的曲线图。
具体实施方式
现在，将参照附图来更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示 例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并不应该被理解为 限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开将是彻底的相同的标号表示相同的元件，因此，将省略对它们的描述。应该理解的是，当元件或层被称作在另一元件或层"上"或"连接到" 另 一元件或层时，该元件或层可以直接在另 一元件或层上或直接连接到另一 元件或层，或者也可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作"直接" 在另一元件或层"上"或"直接连接到"另一元件或层时，不存在中间元件 或中间层。如在这里使用的，术语"和/或"包括一个或多个相关所列项的任 意组合和所有组合。应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同 的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部 分并不受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层 或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命 名为第二元件、组件、区域、层或部分。 这里使用的术语仅出于描述具体实施例的目的，而不意图限制本发明。 如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数 形式。还应该理解的是，当在本说明书中使用术语"包含，，和/或"包括，，时， 说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存 在或附加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、才喿作、元件、组件和/或 它们的组。
为了易于描述如附图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关 系，在这里可使用空间相对术语，如"在.…之下"、"在...下方"、"下面的"、 "在…上方"、"上面的"等，。应该理解的是，空间相对术语意在包含除了在 附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图 中的装置被翻转，则被描述为"在"其它元件或特征"下方"或"之下"的 元件随后将被定位为"在"其它元件或特征"上方"。因此，示例性术语"在... 下方"可包括"在...上方"和"在...下方"两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，相应地解释这里使用的空间相对描述符。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科技术语) 具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。应该 进一步理解，除非这里明确定义，否则术语例如在通用的字典中定义的术语 应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思相一致的意思，而不是理 想地或者过于正式地解释它们的意思。在此参照作为本发明的理想实施例的示例性示例的剖视图来描述本发明 的实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差的变化引起的示例的 形状变化。因此，本发明的实施例不应该被理解为限制于在此示出的区域的 具体形状，而应该包括例如由制造导致的形状上的偏差。例如，示出或描述 为平坦的区域通常可具有粗糙和/或非线性特征。而且，示出的锐角可是倒圆 角。因此，在附图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示 出区域的精确形状，也不意图限制本发明的范围。
以下，将参照附图来详细描述根据本发明的示例性实施例的液晶显示器(LCD)。
图l是示出根据本发明示例性实施例的像素阵列的示意图。图2是包括 在图1中的LCD中的像素的等效电路图。冲艮据本实施例的LCD包括液晶面板组件、连接到液晶面板组件的栅极驱
动器和数据驱动器、连接到数据驱动器的灰度电压发生器以及控制栅极驱动 器和数据驱动器的信号控制器。液晶面板组件包括多条显示信号线和多个像素PX，多个像素PX连接到 显示信号线并基本上按矩阵布置。液晶面板组件还包括彼此面对的下显示面 板和上显示面板以及置于下显示面板和上显示面板之间的液晶层。参照图1和图2，显示信号线形成在下显示面板上。显示信号线包括 多条栅极线G,用于传输栅极信号；多条第一数据线Da和多条第二数据线 Db,用于传输数据信号。栅极线G基本上沿行方向延伸并基本上相互平行。 第一数据线Da和第二数据线Db基本上垂直于栅极线延伸并相互平行。每个像素PX包括一对子像素PXa和PXb。每个子像素PXa和PXb包括 开关器件Qa或Qb，连接到第一或第二数据线Da或Db和一条栅极线G;液 晶电容器Clca或Clcb,连接到开关器件Qa或Qb;任选的，存储电容器Csta 或Cstb,连接到开关器件Qa或Qb。换言之，对一对子像素PXa和PXb分 配两条数据线Da和Db以及一条栅极线G。当需要时，可以省略存储电容器 Csta和Cstb。每个子像素PXa和PXb中的开关器件Qa或Qb可以是形成在下显示面 板上的薄膜晶体管。具体地讲，开关器件Qa或Qb可为三端子器件，包括 控制端(以下，称作栅电极)，连接到栅极线G，栅极信号^皮传输到所述栅极 线G;输入端(以下，称作源电极)，连接到第一数据线Da或第二数据线Db; 输出端(以下，称作漏电极)，连接到液晶电容器Clca或Clcb和存储电容器 Csta或Cstb。液晶电容器Clca或Clcb利用下显示面板中的第 一子像素电极Pa或第二 子像素电极Pb和上显示面板中的共电极作为两个端子。第一子像素电极Pa 或第二子像素电极Pb和共电极之间的液晶层用作电介质。第一子像素电极 Pa和第二子像素电极Pb分别连接到开关器件Qa和Qb。共电极形成在上显 示面板的前表面上，共电压Vcom被施加到共电极上。可选择地，共电极可 形成在下显示面板上。在这种情况下，第一子像素电极Pa和第二子像素电极 Pb中的至少一个和共电极可为线性或条形。存储电容器Csta和Cstb补充液晶电容器Clca和Clcb。每个存储电容器 Csta和Cstb可由存储配线及第 一子像素电极Pa和第二子像素电极Pb之一构 成，其中，第一子像素电极Pa和第二子像素电极Pb形成在下显示面板上，
并且相互叠置且在其间具有绝缘体。将预定的电压(如共电压Vcom)施加到 存储配线。每个存储电容器Csta和Cstb可利用绝缘体作为介质由前一栅极线 和关于前一栅极线的第一子像素电极Pa或第二子像素电极Pb形成。每个像素PX可显示三原色中的一种(空间划分)，或者可选择地，可在 不同的时间显示三原色(时间划分)，三原色的时空和可产生可被识别的期望 的颜色。三原色可为红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)。作为空间划分的示例， 每个像素PX在上显示面板的区域中可包括表示三原色中的一种颜色的滤色 器。此外，滤色器可形成在下显示面板的第一子像素电极Pa和第二子像素电 极Pb上，或者形成在下显示面板的第一子像素电极Pa和第二子像素电极Pb 下方。栅极驱动器连接到栅极线G，并将栅极信号(即，栅极导通电压Von或 栅极截止电压Voff)传输到栅极线G。灰度电压发生器可产生两组将被传输到像素的灰度电压(或基准灰度电 压)，并将产生的灰度电压组施加到数据驱动器。换言之，可将两组灰度电压 单独地施加到形成每个像素的每对子像素。然而，本发明不限于此。灰度电 压发生器可仅产生一组灰度电压。数据驱动器连接到一对第一数据线Da和第二数据线Db中的每条。数据 驱动器通过第一数据线Da将数据电压施加到形成每个像素PX的一对子像素 Pa和Pb中的任意一个，通过第二数据线Db将不同的数据电压施加到子像素 Pa和Pb的另一个。栅极驱动器或数据驱动器可以以多个驱动集成电路(IC)芯片的形式直 接安装在液晶面板组件上，或者可以安装在柔性印刷电路膜上并以载带封装 的形式附于液晶面板组件。另外，栅极驱动器或数据驱动器可与显示信号线 (即，栅极线G及第一数据线Da和第二数据线Db )及开关器件Qa和Qb (即，薄膜晶体管) 一起集成到液晶面板组件上。信号控制器控制栅极驱动器和数据驱动器的操作。返回参照图1,每个像素PX包括两个开关器件Qa和Qb，第一子像素 电极Pa和第二子像素电极Pb分别连接到开关器件Qa和Qb。可将相对高的 数据电压施加到第一子像素电极Pa，可将相对低的数据电压施加到第二子像 素电极Pb。以下，高数据电压或低数据电压被分别称作共电压和数据电压之 间的大压差或小压差。另外，在其中通过第一数据线Da将数据电压施加到第
一子像素电极Pa的像素被称作A型像素，在其中通过第二数据线Db将数据 电压施加到第二子像素电极Pb的像素被称作B型像素。如图l所示，A型像素和B型像素可沿着水平方向和垂直方向交替地排 列，以防止在LCD上看到水平图像或垂直图像。对于所有像素，可通过第一数据线Da将数据电压施加到第一子像素电 极Pa。即，像素阵列可仅由A型像素构成。在这种情况下，如果通过列反转 来驱动LCD,则在LCD上可以看到相对于测试图像沿水平方向移动的垂直 图像，其中，所述测试图像每帧沿水平方向移动一个像素。另外，对于一行像素，可通过第一数据线Da将数据电压施加到第一子 像素电极Pa,并且对于另一行像素，可通过第二数据线Db将数据电压施加 到第一子像素电极Pa。即，可交替地布置A型像素行和B型像素行。这种布 置防止在LCD上看到如上所述的沿水平方向移动的垂直图像。第一子像素电 极Pa连接到第一数据线Da和第二数据线Db中的每条。这样，由于第一子 像素电极Pa与第一数据线Da和第二数据线Db中的每条的耦合电容根据像 素是A型像素或B型像素而变化，所以可以看到水平图像。通过沿水平方向和垂直方向交替地布置A型像素和B型像素(如在图1 所示的LCD中)可以避免如上所述的沿水平方向移动的垂直图像或水平图 像。如果以低灰度电压来操作具有这种布置的LCD,则LCD实际上由施加 有相对高的电压的第一子像素电极Pa驱动。因此，对于A型像素和B型像 素中的每个，如果第一子像素电极Pa和第一数据线Da的耦合电容与第一子 像素电极Pa和第二数据线Db的耦合电容之间的差减小，则可以防止由于串 扰而导致的LCD的显示品质的劣化。以下，将参照图3、图4、图5和图6来详细描述才艮据本发明的示例性实 施例的LCD。才艮据本实施例的LCD包括下显示面^反、面向下显示面板的上 显示面板以及置于下显示面板和上显示面板之间的液晶层。现在，将参照图3来详细描述LCD的下显示面板。图3是包括图1中示 出的A型像素的下显示面板的布局图。参照图3，栅极线22和存储配线28位于绝缘基底上，所述绝缘基底可 由例如透明玻璃形成。栅极线22通常沿水平方向延伸并传输栅极信号。栅极线22按行连接到 每个像素。栅极线22包括一对第一突出栅电极26a和第二突出栅电极26b。 栅极线22以及第一突出栅电极26a和第二突出栅电极26b称为栅极配线。存储配线28通常沿水平方向延伸并与像素电极82 —起形成存储电容器。 在本实施例中，存储配线28与第一子像素电极82a的中心叠置。然而，本发 明并不限于此。存储配线28的形状和布置可以改变。栅极配线和存储配线28可由铝(Al)系金属(如铝和铝合金)、银(Ag ) 系金属(如银和银合金)、铜(Cu)系金属(如铜和铜合金)、钼(Mo)系金 属(如钼和钼合金)、铬(Cr)、钛(Ti)或钽(Ta)形成。另外，栅极配线和存储配线28可具有由物理性能不同的两层导电膜(未 示出)构成的多膜结构。两层导电膜中的一层可由低电阻率的金属(如铝系 金属、银系金属或铜系金属)形成，以减少栅极配线和存储配线28的信号延 迟或减小栅极配线和存储配线28的压降。导电膜中的另一层膜可由不同的材 料形成，具体地讲，可由与氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)具有良好接 触性能的材料(如钼系金属、铬、钛或钽)形成。多膜结构的示例包括下铬 膜和上铝膜以及下铝膜和上钼膜。然而，本发明并不限于此。栅极配线和存 储配线28可由不同的金属和导体形成。栅极绝缘膜(未示出)可位于栅极线22和存储配线28上，其中，栅极 绝缘膜可由氮化硅(SiNx)形成。一对半导体层40a和40b可位于4册极绝缘膜上，其中，所述半导体层40a 和40b可由氢化非晶硅或多晶硅形成。半导体层40a和40b可具有不同的形 状。例如，半导体层40a和40b可为岛状或者可线性地形成。在本实施例中， 半导体层40a和40b为岛状。欧姆接触层(未示出)可位于半导体层40a和40b的每层上，其中，欧 姆接触层可由诸如以高浓度用n-型杂质掺杂的n+氢化非晶硅或硅化物的材料 形成。即， 一对欧姆接触层可形成在半导体层40a和40b上。一对第一数据线62a和第二数据线62b以及与第一数据线62a和第二数 据线62b对应的一对第一漏电极66a和第二漏电纟及66b形成在欧姆接触层和 栅极绝缘膜上。第一数据线62a和第二数据线62b通常沿竖直方向延伸，并与栅极线22 和存储配线28交叉，并且第一数据线62a和第二数据线62b将数据电压传输 到栅极线22和存储配线28。第一源电极65a和第二源电极65b分别从第一数 据线62a和第二数据线62b分支，并分别向第一漏电极66a和第二漏电极66b
延伸。如图3所示，像素被划分为一对子像素，第一数据线62a将数据信号 传输到所述一对子像素中的一个，第二数据线62b将另 一数据信号传输到 所述一对子像素中的另 一个。第一数据线62a和第二数据线62b、第一源电极65a和第二源电极65b 以及第一漏电极66a和第二漏电极66b被称作数据配线。数据配线可由^^各、钼系金属或难熔金属(如钽和钛)形成。此外，数据 配线可具有由下膜和上膜构成的多膜结构(未示出)，其中，所述下膜由难熔 金属形成，所述上膜由低电阻率的材料形成并位于下膜上。多膜结构的示例 包括下铬膜和上铝膜以及下铝膜和上钼膜。可选择地，多膜结构可为具有钼 膜-铝膜-钼膜的三层膜结构。第一源电极65a和第二源电极65b的至少部分分别与半导体层40a和40b 叠置。另外，第一漏电极66a和第二漏电极66b分别相对于栅电极26a和26b 面向第一源电极65a和第二源电极65b，并且第一漏电极66a和第二漏电极 66b的至少部分分别与半导体层40a和40b叠置。上述的欧姆接触层可布置在 半导体层40a和40b与第一源电极65a和第二源电极65b及第一数据线62a 和第二数据线62b之间，其中，半导体层40a和40b位于欧姆接触层下方， 第一源电极65a和第二源电极65b及第一数据线62a和第二数据线62b位于 欧姆接触层的上方。欧姆接触层减小接触电阻。钝化层(未示出)可形成在数据配线及半导体层40a和40b的暴露部分 上。钝化层可由无机材料(如氮化硅或氧化硅)、具有光敏性和良好的平坦化 性能的有机材料或者通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的低介 电常数(low國k dielectric)材料(如a誦Si:C:O或a-Si:O:F )形成。钝化层可由 下无机层和上有机层构成，从而在利用有机层的良好的特性的同时保护半导 体层40a和40b的暴露部分。第一子像素电极82a和第二子像素电极82b可形成在钝化层上。第一子 像素电极82a和第二子像素电极82b分别通过第一接触孔76a和第二接触孔 76b连接到第一漏电极66a和第二漏电极66b，并且第一子像素电极82a和第 二子像素电极82b位于像素区域中。第一子像素电极82a和第二子像素电极 82b可由透明的导体(如ITO或IZO)形成，或者可由反射导体(如铝)形 成。如上所述，第一子像素电极82a和第二子像素电极82b分别通过第一接
触孔76a和第二4妄触孔76b连接到第一漏电极66a和第二漏电极66b。因此， 可对第一子像素电极82a和第二子像素电极82b供应来自第一漏电极66a和 第二漏电极66b的不同的数据电压。施加有不同的数据电压的第一子像素电极82a和第二子像素电极82b与 上显示面板中的共电极一起产生电场，从而确定第一子像素电极82a和第二 子像素电极82b与共电极之间的液晶分子的取向。子像素电极82a和82b中的每个与共电极形成液晶电容器Clca或Clcb， 因此，即使在薄膜晶体管(即，开关器件Qa或Qb)截止后，也能够维持施 加到其的电压。存储电容器Csta和Cstb可并联连接到液晶电容器Clca和Clcb， 以增强电压维持能力。存储电容器Csta和Cstb的每个由存储配线28与第一 子像素电极82a或第二子像素电极82b的叠置形成，或者由存储配线28与连 接到第一子像素电极82a的第一漏电极66a或连接到第二子像素电极82b的 第二漏电极66b的叠置形成。一个像素电极82包括第一子像素电极82a和第二子像素电极82b,其中， 第一子像素电极82a和第二子像素电极82b相互接合并在它们之间具有预定 的间隙83。第一子像素电极82a位于像素的区域中，且形状基本上为侧躺的 "V"形，第二子像素电极82b位于该像素的剩余区域中。第一子像素电极82a和第二子像素电极82b之间的间隙83包括相对于栅 极线22成大约45度或-45度的角度的倾斜部分和连接倾斜部分的竖直部分。 畴划分部分(domain partition portion) 84 (如切口或突出)相对于栅极线22 成大约45度或-45度的角度，并形成在第二子像素电极82b中。根据向液晶层施加电场时包括在液晶层中的液晶分子的主取向矢所排列 的方向，将像素电极82的显示区域分为多个畴。畴划分部分84将像素电极 82 (例如，第二子像素电极82b)划分为多个畴。畴表示具有由于像素电极 82和共电极90 (见图5)之间形成的电场而导致其取向矢沿特定的方向一起 倾斜的分子的区域。相对高的数据电压经第一数据线62a被施加到第一子像素电极82a，相 对低的数据电压经第二数据线62b被施加到第二子像素电极82b。因此，可 以提高LCD的侧面可见性。取向膜(未示出)可使液晶层取向，可将取向膜涂覆在第一子像素电极 82a和第二子像素电极82b以及钝化层上。
如果LCD在低灰度电压下工作，则LCD实际上由被施加有相对高的电 压的第一子像素电极82a驱动。因此，如果第一子像素电极82a和第一数据 线62a的耦合电容与第一子像素电极82a和第二数据线62b的耦合电容之间 的差减小，则可以防止由于第一数据线62a和第二数据线62b的单独的串扰 而导致的LCD的显示品质的劣化。以下，将参照图3和图4来详细描述第一子像素电极82a与第一数据线 62a和第二数据线62b的每个之间的耦合电容。图4是示出图3中所示的第一 子像素电极82a与第一数据线62a和第二数据线62b之间的连接关系的示意 图。参照图3和图4，第一子像素电极82a的形状基本上为侧躺的"V"形。 两个耦合电容器CI和C2形成在第一子像素电极82a邻近于第一数据线62a 的两个区域。此外，另一耦合电容器C3形成在第一子像素电极82a邻近于第 二数据线62b的区域中。换言之，第一子像素电极82a具有"V"字的形状， 并且"V"字的底部邻近于第二数据线62b。第一漏电极66a和第二漏电极66b分别位于第一对册电极26a和第二纟册电 极26b上。第一漏电极连接部分67a和第二漏电极连接部分67b分别从第一 漏电极66a和第二漏电极66b延伸到第一接触孔76a和第二接触孔76b。第一 漏电极连接部分67a和第二漏电极连接部分67b基本上可由与数据配线的材 料相同的材料形成并与数据配线形成在同 一层上。第一漏电才及连4I"部分67a和第二漏电才及连接部分67b相互电绝纟彖，并一 起形成基本为矩形的带。具体地讲，第一漏电极连接部分67a包括第一图 案67_1，沿竖直方向延伸并将半导体层40a上的第一漏电极66a与第一接触 孔76a连接；第二图案67—2,从第一图案67—1沿水平方向延伸；第三图案 67—3，从第二图案67—2延伸并平行于第二数据线62b。第二漏电极连接部分 67b沿水平方向延伸并将半导体层40b上的第二漏电极66b与第二接触孔76b 连接。耦合电容器CI和C2形成在第一子像素电极82a和第一数据线62a之间， 耦合电容器C3形成在第一子像素电极82a和第二数据线62b之间。第一子像 素电极82a邻近于第一数据线62a的区域相对宽于第一子像素电极82a邻近 于第二数据线62b的区域。例如，第一子像素电极82a邻近于第一数据线62a 的区域与第一子^f象素电极82a邻近于第二数据线62b的区域的比大于1且小
于或等于2.5。另外，存储配线28形成在第一子像素电极82a邻近于第二数 据线62b的区域的下方，并阻碍耦合。因此，在第一子像素电极82a和第一 数据线62a之间形成的耦合电容器Cl和C2的耦合电容相对大于在第一子像 素电极82a和第二凝:据线62b之间形成的耦合电容器C3的耦合电容。因此，与第二数据线62b平行地布置的第三图案67—3形成在第一漏电极 连接部分67a中，以补充第一子像素电极82a与第二数据线62b的耦合电容。 第三图案67—3与第二数据线62b形成耦合电容器Ca。这使得耦合电容器Cl 和C2与耦合电容器C3和Ca之间的电容差将会减小，其中，耦合电容器C1 和C2形成在第一子〗象素电极82a和第一数据线62a之间，耦合电容器C3和 Ca形成在第一子像素电极82a和第二数据线62b之间。可以通过改变第三图 案67_3的长度以及第三图案67—3和第二数据线62b之间的距离来调节耦合 电容器Ca的耦合电容。以下，将参照图5和图6来描述上显示面板和LCD。图5是连接到图3 中示出的下显示面板的上显示面板的布局图。图6是包括图3中示出的下显 示面板和图5中示出的上显示面板的LCD的布局图。用于防止光泄漏的黑矩阵94、RGB滤色器96和共电极90位于绝缘基底 (未示出)上，其中，共电极90可由透明的导电材料(如ITO或IZO)形成， 绝缘基底可由透明玻璃形成。这里，黑矩阵94可位于由栅极线22、第一数 据线62a、第二数据线62b和薄膜晶体管限定的区域中。另外，黑矩阵94可 具有不同的形状，以在第一子像素电极82a和第二子像素电极82b及薄膜晶 体管周围的区域中防止光泄漏。共电极卯面向第 一子像素电极82a和第二子像素电极82b，并包括畴划 分部分92，如切口或突出，其中，所述畴划分部分92相对于4册极线22成大 约45度或-45度的角度。畴划分部分92的倾斜部分、第一子像素电极82a和 第二子像素电极82b之间的间隙83以及第二子像素电极82b中的畴划分部分 84被交替地排列。可在共电极90上涂覆排列液晶分子的取向膜(未示出)。如果将如上所述构造的上下显示面板对齐并将它们相互连接，则可将液 晶材料注入到面板之间，从而形成LCD的基本结构。当上下显示面板对齐时， 第 一子像素电极82a和第二子像素电极82b之间的间隙83 、第二子像素电极 82b中的畴划分部分84和共电极90的畴划分部分92将像素区域划分为多个 畴。因此，可以增大LCD的标准视角。以下，将参照图7和图8来描述才艮据本发明另一示例性实施例的LCD。 图7是包括图1中的B型像素的下显示面板的布局图。图8是示出图7中所 示的子像素电极和数据线之间的连接关系的示意图。为了便于描述，与图3、 图4、图5和图6中示出的元件具有相同功能的元件用相同的标号表示。因 此，将省略对它们的详细描述。除了下面的特征之外，根据本实施例的LCD 具有与根据上一实施例的LCD的结构基本相同的结构。如图7和图8所示，第一漏电极66a通过第一漏电极连接部分167a和第 二接触孔76b接触第二子Y象素电极82b，第二漏电才及66b通过第二漏电才及连 接部分167b和第一接触孔76a接触第一子像素电极82a。第一漏电极连接部 分167a和第二漏电极连接部分167b以及数据配线(62a、 62b、 65a、 65b、 66a和66b)在同一层上由基本相同的材料形成。第一漏电极连接部分167a和第二漏电极连接部分167b相互电绝缘，并 一起形成基本为矩形的带。具体地讲，第一漏电极连接部分167a包括第一 图案167_4，沿水平方向延伸并将半导体层40a上的第一漏电极66a和第二接 触孔76b连4^;第二图案167—1, ^v第一漏电极66a沿竖直方向延伸。第二漏 电极连接部分167b包括第一图案167_3，从半导体层40b上的第二漏电极 66b沿竖直方向延伸并平行于第二数据线62b布置；第二图案167—2,沿水平 方向延伸并连接第一图案167_3和第一接触孔76a。耦合电容器Cl和C2形成在第一子像素电极82a和第一H据线62a之间， 耦合电容器C3形成在第一子像素电极82a和第二数据线62b之间。第一子像 素电极82a邻近于第一数据线62a的区域相对宽于第一子像素电极82a邻近 于第二数据线62b的区域。例如，第一子像素电极82a邻近于第一数据线62a 的区域与第一子像素电极82a邻近于第二数据线62b的区域的比大于1且小 于或等于2.5。另外，存储配线28形成在第一子像素电极82a邻近于第二数 据线62b的区域的下方，并阻碍耦合。因此，在第一子像素电极82a和第一 数据线62a之间形成的耦合电容器Cl和C2的耦合电容相对大于在第一子像 素电极82a和第二数据线62b之间形成的耦合电容器C3的耦合电容。因此，与第二数据线62b平行地布置的第一图案167_3形成在第二漏电 极连接部分167b中，以补充第一子像素电极82a和第二彩:据线62b之间的耦 合电容。第一图案167_3与第二数据线62b形成耦合电容器Cb。这使得第一 子像素电极82a和第一数据线62a的耦合电容器CI和C2与第一子像素电极 82a和第二数据线62b的耦合电容器C3和Cb之间的电容差将会减小。可以 通过改变第一图案167—3的长度以及第一图案167—3和第二数据线62b之间 的距离来调节耦合电容器Cb的耦合电容。以下，将参照图9来描述根据本发明实施例的LCD的显示性能。 图9是示出在灰阶变换的情况下，图1和图3中示出的A型像素与图1 和图7中示出的B型像素之间的亮度差的曲线图。在图9的曲线图中，Q表 示当在本发明的实施例中使用如上所述的 一起形成基本为矩形的带的漏电极 连接部分时的亮度差数据。P表示不使用漏电极连接部分时的亮度差数据。如图9所示，利用漏电极连接部分，可以减小子像素电极和所述子像素 电极两侧的一对数据线中的一条数据线的耦合电容与所述子像素电极和所述 对数据线中的另一条的耦合电容之间的差。因此，可以防止由于串扰而导致 的LCD的显示品质的劣化，并可以减小A型像素和B型像素之间的亮度差。 因此，根据本发明的示例性实施例的LCD可以在整体上保持基本均匀的亮 度。在如上所述的本发明的示例性实施例中，当使用V形的子像素电极时， 利用 一起形成基本为矩形的带的漏电极连接部分，可以减小子像素电极和邻 近于该子像素电极的 一对数据线之间的耦合电容之差。耦合电容之间的差源 自于子像素电极分别与数据线的耦合区域之间的差。然而，本发明并不限于 V形的子像素电极，并可应用于与相邻的数据线之间具有不同的耦合区域的 各种形状的子像素电极。如上所述，根据本发明的LCD将不同的数据电压施加到一起形成为像素 的一对子像素，从而提高侧面可见性。另外，利用漏电极连接部分，LCD调节子像素电极和数据线之间的耦合 电容，其中，漏电极连接部分连接漏电极和像素电极并平行于数据线布置。 因此，LCD可防止由于串扰而导致的显示品质的劣化。本领域的技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况 下，可对本发明做出各种修改和变形。因此，只要对本发明的4务改和变形落 入权利要求及其等同物所限定的范围内，本发明意图覆盖这些修改和变形。
权利要求
1、 一种液晶显示器，包括 第一绝缘基底；栅极线，位于第一绝缘基底上并沿第一方向延伸；第一数据线和第二数据线，与栅极线绝缘并交叉，第一数据线和第二数 据线相互分隔开并沿第二方向延伸；第一薄膜晶体管，连接到栅极线和第一数据线； 第二薄膜晶体管，连接到栅极线和第二数据线；第 一子像素电极和第二子像素电极，分别连接到第 一薄膜晶体管和第二 薄膜晶体管；第一漏电极连接部分和第二漏电极连接部分，分别将第一薄膜晶体管和 第二薄膜晶体管连接到第一子像素电极和第二子像素电极，其中，第一漏电极连接部分和第二漏电极连接部分相互电绝缘，并具有 平行于第 一数据线和第二数据线的部分。
2、 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，第一子像素电极基本为V 形，并位于像素的区域中，第二子像素电极位于所述像素的剩余区域中。
3、 根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，以这样的方式来布置第一 子像素电极，即，V形的顶部在两个区域中邻近于第一数据线，V形的底部 在一个区域中邻近于第二凝:据线。
4、 根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，第一漏电极连接部分平行 于第二数据线布置，从而在第一漏电极连接部分和第二数据线之间形成耦合 电容器。
5、 根据权利要求4所述的液晶显示器，其中，第一漏电极连接部分包括 第一图案，连接第一薄膜晶体管和第一子像素电极，并沿第二方向延伸； 第二图案，从第一图案沿第一方向延伸；第三图案，从第二图案沿第二方向延伸，并平行于第二数据线布置。
6、 根据权利要求4所述的液晶显示器，还包括 第二绝缘基底，面向第一绝缘基底；共电极，位于第二绝缘基底上。
7、 根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，第二漏电极连接部分沿第 一方向延伸。
8、 根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，以这样的方式来布置第一 子像素电极，即，V形的底部在一个区域中邻近于第一数据线，V形的顶部 在两个区域中邻近于第二数据线。
9、 根据权利要求8所述的液晶显示器，其中，第一漏电极连接部分平行 于第一数据线布置，从而在第一漏电极连接部分和第一数据线之间形成耦合 电容器。
10、 根据权利要求9所述的液晶显示器，其中，第一漏电极连接部分包括第一图案，从第一薄膜晶体管沿第二方向延伸，并平行于第一数据线布置；第二图案，连接第一图案和第一子像素电极，并沿第一方向延伸。
11、 根据权利要求8所述的液晶显示器，其中，第二漏电极连接部分包括第一图案，连接第二薄膜晶体管和第二子像素电极，并沿第一方向延伸； 第二图案，从第二薄膜晶体管沿第二方向延伸。
12、 根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，共电压和施加到第一子 像素电极的第一数据电压之间的差大于共电压和施加到第二子像素电极的第 二数据电压之间的差。
13、 根据权利要求2所述的液晶显示器，还包括存储配线，存储配线在 V的底部与第一子^f象素电极叠置并沿第一方向延伸。
14、 根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，第一漏电极连接部分和 第二漏电极连接部分由与第 一数据线和第二数据线的材料基本相同的材料形 成，并与第一数据线和第二数据线形成在同一层上。
15、 一种液晶显示器，包括 第一绝缘基底；栅极线，位于第一绝缘基底上并沿第一方向延伸；第一数据线和第二数据线，与栅极线绝缘并交叉，第一数据线和第二数 据线相互分隔开并沿第二方向延伸；多个像素，通过栅极线和数据线的交叉来限定，每个像素包括 第一薄膜晶体管，连接到栅极线和第一数据线； 第二薄膜晶体管，连接到栅极线和第二数据线；第一子像素电极，在像素的区域中基本上为V形，其中，V形的底 部邻近于第二数据线；第二子像素电极，位于所述像素的剩余区域中；漏电极连接部分，具有平行于第一数据线和第二数据线的部分，并 将第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管连接到第一子像素电极或第二子像素电 极，其中，第一类型的像素包括连接到第一数据线的第一子像素电极，第二 类型的像素包括连接到第二数据线的第一子像素电极，第一类型的像素和第 二类型的像素沿第一方向和第二方向交替地布置。
16、 根据权利要求15所述的液晶显示器，其中，第一类型的像素中的像 素的漏电极连接部分包括第一漏电极连接部分，连接第一薄膜晶体管和第一子像素电极； 第二漏电极连接部分，连接第二薄膜晶体管和第二子像素电极， 其中，第一漏电极连接部分平行于第二数据线布置，从而在第一漏电极 连接部分和第二数据线之间形成耦合电容器。
17、 根据权利要求16所述的液晶显示器，其中，第一漏电极连接部分包括第一图案，连接第一薄膜晶体管和第一子像素电极，并沿第二方向延伸； 第二图案，从第一图案沿第一方向延伸；第三图案，从第二图案沿第二方向延伸，并平行于第二数据线布置。
18、 根据权利要求17所述的液晶显示器，还包括 第二绝缘基底，面向第一绝缘基底；共电极，位于第二绝缘基底上。
19、 根据权利要求15所述的液晶显示器，其中，第二类型的像素中的像 素的漏电极连接部分包括第一漏电极连接部分，连接第一薄膜晶体管和第二子像素电极； 第二漏电极连接部分，连接第二薄膜晶体管和第一子像素电极， 其中，第二漏电极连接部分平行于第二数据线布置，从而在第二漏电极 连接部分和第二数据线之间形成耦合电容器。
20、 根据权利要求19所述的液晶显示器，其中，第二漏电极连接部分包 括第一图案，从第二薄膜晶体管沿第二方向延伸，并平行于第二数据线布置；第二图案，连接第一图案和第一子像素电极，并沿第一方向延伸。
21、 根据权利要求15所述的液晶显示器，还包括存储配线，存储配线在 V的底部与第一子像素电极叠置并沿第一方向延伸。
22、 根据权利要求15所述的液晶显示器，其中，共电压和施加到第一子 像素电极的第一数据电压之间的差大于共电压和施加到第二子像素电极的第 二数据电压之间的差。
全文摘要
本发明提供了一种提高显示品质的液晶显示器(LCD)。该LCD包括第一绝缘基底；栅极线，位于第一绝缘基底上并沿第一方向延伸；第一数据线和第二数据线，与栅极线绝缘并交叉，第一数据线和第二数据线相互分隔开并沿第二方向延伸；第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管(TFT)，分别连接到栅极线以及第一数据线和第二数据线；第一子像素电极和第二子像素电极，分别连接到第一TFT和第二TFT；第一漏电极连接部分和第二漏电极连接部分，分别将第一TFT和第二TFT连接到第一子像素电极和第二子像素电极。第一漏电极连接部分和第二漏电极连接部分相互电绝缘，并一起形成基本为矩形的带。
文档编号G09G3/36GK101122722SQ200710140309
公开日2008年2月13日 申请日期2007年8月9日 优先权日2006年8月9日
发明者文盛载, 李成荣, 李栢远, 罗惠锡 申请人:三星电子株式会社
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