等离子显示器的寻址驱动电路的制作方法
专利名称：等离子显示器的寻址驱动电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及等离子显示器领域，具体而言，涉及一种等离子显示器的寻址驱动电 路。
背景技术：
彩色交流等离子体(AC-PDP)是根据气体放电的基本原理研制的，通过气体放电 发出的紫外光激发荧光粉发光来实现显示。目前，三电极表面放电型AC-PDP是最具竞争力 的一种PDP类型，对于这种AC-PDP大多采用寻址与显示分离(ADS)技术来实现灰度显示 的，即将一个电视场分为先后发光的8个或10个或12个子场，每个子场均由准备期、寻址 期和维持期组成，通过适当的子场组合就可以实现256级的灰度显示。三电极表面放电型AC-PDP的三个电极正交状分布于前后基板上，放电则在两个 基板之间进行。前基板水平分布着维持电极(X电极)和扫描电极(Y电极)，在后基板上竖 直分布着寻址电极(A电极)。X电极和Y电极相互平行，并与A电极正交。图1为相关技术中ADS驱动技术中一个子场的驱动波形的示意图。如图1所示， 分为准备期、寻址期和维持期。在准备期，三电极相互配合，擦除上一子场遗留的壁电荷，使 全屏所有显示单元达到一致的初始状态；在寻址期，驱动电路对各行按照先奇后偶、自上而 下的顺序进行扫描寻址，而在A电极写入图像编码数据，使所有在该子场要显示的单元积 累起合适的壁电荷；在维持期，X电极和Y电极交替加上维持电压，使在寻址期积累了壁电 荷的单元产生放电，从而实现图像的显示。准备期开始时，三个电极上所加电压都是0V，但是由于上一场或上一子场维持 期结束时的最后一个维持脉冲加在X电极上，维持放电后在X电极上积累负的壁电荷， 在Y电极上积累了正的壁电荷，因此，在Y电极上先加远大于着火电压的宽正斜波电压 (Vsetup ^ 350V)，使X和Y电极间发生放电，放电后两个电极上分别积累了正的壁电荷和 负的壁电荷，随后在Y电极上加一个宽的负斜波电压(VY ^ 170V)，在X电极上加一正的台 阶电压(Vb 150V)，使X和Y电极之间缓慢达到着火电压，进行放电，中和掉X和Y电极上 正的壁电荷和负的壁电荷，最后使全屏所有单元的状态达到一致的熄灭状态，随后的寻址 期就可以准确的寻址到各个单元。传统A驱动电路如图2所示，正寻址电压Va是通过开关 电源产生的，Va直接和数据驱动芯片的Vpp端连接，GND和低压端连接，整个寻址期正寻址 电压恒为Va，波形如图1所示。ADS方法存在一个主要缺点就是寻址占用的时间过长，而且随着显示器分辨率的 提高，所需要的寻址时间就更长，寻址时间加长就意味着真正用于维持显示的时间变短，这 对于提高显示器的亮度是不利的。为了消除等离子显示器采用ADS方法时存在的伪轮廓问 题，一般可以采用增加显示子场的方法，但是增加子场数也意味着寻址时间的大大增加，如 此也会大大减小维持时间。如何减小寻址时间已成为PDP驱动中面临的一个重要问题，特 别是在高分辨率的场合中就显得更为重要。
发明内容
针对相关技术中ADS技术中存在的寻址占用时间过长等问题，本发明提供了一种 等离子显示器的寻址驱动电路，以解决上述问题至少之一。根据本发明，提供了 一种寻址驱动电路。根据本发明的寻址驱动电路除了包括数据驱动芯片，还包括正寻址电压产生 电路，位于正寻址电压端Va和数据驱动芯片的VPP端之间，用于在寻址期间内在Vpp端产 生一个以上升斜波形式变化的正寻址电压。上述正寻址电压产生电路包括AVa生成电路、电容器、第一功率开关管、第二开 关功率管以及第一二极管，其中，电容器的正极和第一二极管的阴极连接，电容器的负极和 正寻址电压端Va相连接；第一二极管的阳极和AVa生成电路相连接，电容器的正极与第一 功率开关管的漏极连接，第一功率开关管的源极和Vpp端连接；第二功率开关管的源极和 Va连接，第二功率开关管的漏极和第一功率开关管的源极连接。上述第一功率开关管工作在谐波方式下。上述寻址驱动电路还包括第二二极管以及电阻，其中，第二二极管的阴极与电阻 的一端并接至正寻址电压产生电路中第一功率开关管的源极，第二二极管的阳极与电阻的 另一端并接至数据驱动芯片的VPP端。上述AVa生成电路生成的电压AVa满足以下条件5V彡AVa^ 20Vo上述电容器两端的电压为八乂…其中巧乂彡AVa^ 20Vο上述第一功率开关管与第二功率开关管互锁。上述第一功率开关管与第二功率开关管为以下至少之一功率场效应晶体管 MOSFET、绝缘栅双极晶体管IGBT。通过本发明，在寻址期间内，正寻址电压产生电路在Vpp端产生一个以上升斜波 形式变化的正寻址电压，解决了相关技术中ADS技术中存在的寻址占用时间过长等问题， 进而可以减小寻址时间，增加维持时间。
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发 明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中图1为相关技术中ADS驱动技术中一个子场的驱动波形的示意图；图2为相关技术中寻址驱动电路的电路原理图；图3为根据本发明实施例的寻址驱动电路的结构示意图；图4为根据本发明优选实施例的寻址驱动电路的电路原理图；图5为根据本发明优选实施例的X、Y、A三电极上某一子场的驱动波形。
具体实施例方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不冲突的 情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。图3为根据本发明实施例的寻址驱动电路的结构示意图。如图3所示，该寻址驱 动电路除了包括数据驱动芯片1，还包括正寻址电压产生电路2，位于正寻址电压端Va和数据驱动芯片的VPP端之间，用于在寻址期间内在Vpp端产生一个以上升斜波形式变化 的正寻址电压。优选地，上述正寻址电压产生电路包括浮动于Va的Δ Va生成电路、电容器、第一 功率开关管、第二开关功率管以及第一二极管，其中，电容器的正极和第一二极管的阴极连 接，电容器的负极和正寻址电压端Va相连接；第一二极管的阳极和AVa生成电路相连接， 电容器的正极与第一功率开关管的漏极连接，第一功率开关管的源极和Vpp端连接；第二 功率开关管的源极和Va连接，第二功率开关管的漏极和第一功率开关管的源极连接。其中，上述第一功率开关管可以工作在谐波方式下。在优选实施过程中，通过将第 一功率开关管的栅极连接谐波电路，可以使第一功率开关管工作在谐波方式下。优选地，如图4所示，上述寻址驱动电路还包括第二二极管D2以及电阻R，其中， 第二二极管的阴极与电阻的一端并接至正寻址电压产生电路中第一功率开关管的源极，第 二二极管的阳极与电阻的另一端并接至数据驱动芯片的VPP端。上述第二二极管与电阻构成的电路，可以有效限流，防止VPP过冲，防止数据驱动 芯片烧坏，起到了保护数据驱动芯片的作用。优选地，AVa生成电路生成的电压AVa满足以下条件5V彡Δ Va彡20V。优选地，上述电容器两端的电压为AVa，其中，5V彡AVa彡20V。大量的实验研究证明，在寻址期使A电极上的寻址电压变化5V-20V时，可以使总 寻址时间减少30%，有效增加维持时间，有利于提高显示亮度、改善画质和减少伪轮廓。其中，在具体实施过程中，第一功率开关管与第二功率开关管互锁。即当第一功率 开关管打开时，第二功率开关管开闭；当第二功率开关管打开时，第一功率开关管开闭。在优选实施过程中，第一功率开关管与第二功率开关管可以采用但不限于以下至 少之一功率场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)。上述寻址驱动电路(也可以称为A驱动电路)主要是在Va与Vpp之间设置一个正 寻址电压产生电路，如图4所示，由AVa生成电路(例如，开关电源电路)产生AVa，AVa 是相对Va的，通过一个二极管D1 (相当于上述第一二极管)和电容C Δ Va (相当于上述电容 器)连接到Va，Va通过一个开关Qpass(相当于上述第二功率开关管)连接到Va0Ut，CAVa 的负极连接到Va，正极连接到开关Qramp (相当于上述第一功率开关管)的漏极端，Qramp 的源极端连接到Vaout，开始阶段，图4中开关Qpass打开，Qramp关闭，Vaout = Va, Vpp端 被拉到Va，在寻址期，图4中Qrampdn打开，Qpass关闭，Vpp端被拉到Va+ Δ Va,从而产生正 上升斜波寻址电压，最后，根据寻址数据在A电极上得到上升斜波形式变化的正寻址脉冲， 由于正寻址电压越来越高，施加在显示单元气体上的有效电压(Vaw+Vy)越大，有效弥补了 由空间离子浓度减小造成的寻址放电延迟，从而可以选择更短的寻址时间，增加有用的维 持时间，提高显示亮度、改善画质和减少伪轮廓。以下结合图4和图5进一步描述上述优选实施方式。图5为根据本发明优选实施例的X、Y、A三电极上某一子场的驱动波形；如图 5所示，图中标号①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩为一个子场内驱动波形的各个阶段。其中，第 ①②③④⑤为准备期，⑥⑦阶段为寻址期，⑧⑨⑩为维持期。如图4所示，一子场开始的时候，即图5中①②③④⑤准备期阶段，Qramp (即上述 第一功率开关管)关闭，Qpass (即上述第二功率开关管)打开，Vpp端被拉到Va，数据扫描芯片通过控制信号输出0V，于是A电极上的电压为OV ；在⑥⑦寻址期阶段，图4的开关 管Qramp打开，Qpass关闭，使Vout电压将为Va+Δ Va，因此实现Vpp端电压以斜坡形式上 升到Va+AVa，通过寻址数据被寻址到的单元所在的列的A驱动电路会输出给该列A电极 一个上升斜波形式的正脉冲，具体波形如图5所示；在维持期阶段中，如图4所示，Qramp关 闭，Qpass打开此时，Vpp被拉到Va，数据扫描芯片通过控制信号输出0V，于是A电极上的电 压为0V，在整个寻址期间，没有被寻址到的单元上的电压均为0，后进入下一子场的驱动过 程，重复类似前面讲过的10个过程，完成所有子场的Y驱动，同时配合X驱动和A驱动，完 成一场图像的显示。需要注意的是，图4中所示的正寻址电压产生电路仅仅是本发明的一个优选实施 方式，当然，正寻址电压产生电路还存在多种同等变形方式和等同替换方式，能够在寻址期 间内在Vpp端产生一个以上升斜波形式变化的正寻址电压的正寻址电压产生电路均在本 发明保护范围之内。综上所述，借助本发明提供的上述实施例，采用一种正寻址电压产生电路，设置在 传统Va与Vpp之间，在寻址期间，该电路在负压Va的基础上产生正上升斜波寻址电压，施 加到数据芯片的Vpp端，可以减小寻址时间，增加维持时间，有利于提高显示亮度、改善画 质和减少伪轮廓。显然，本领域的技术人员应该明白，上述的本发明的各模块或各步骤可以用通用 的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成 的网络上，可选地，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而可以将它们存储在 存储装置中由计算装置来执行，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中 的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本发明不限制于任何特定的硬 件和软件结合。以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技 术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修 改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种等离子显示器的寻址驱动电路，包括数据驱动芯片，其特征在于，所述寻址驱 动电路还包括正寻址电压产生电路，位于正寻址电压端Va和所述数据驱动芯片的VPP端之间，用于 在寻址期间内在所述Vpp端产生一个以上升斜波形式变化的正寻址电压。
2.根据权利要求1所述的寻址驱动电路，其特征在于，所述正寻址电压产生电路包括 AVa生成电路、电容器、第一功率开关管、第二开关功率管以及第一二极管，其中，所述电容 器的正极和所述第一二极管的阴极连接，所述电容器的负极和所述正寻址电压端Va相连 接；所述第一二极管的阳极和所述AVa生成电路相连接，所述电容器的正极与所述第一功 率开关管的漏极连接，所述第一功率开关管的源极和所述Vpp端连接；所述第二功率开关 管的源极和Va连接，所述第二功率开关管的漏极和所述第一功率开关管的源极连接。
3.根据权利要求2所述的寻址驱动电路，其特征在于，所述第一功率开关管工作在谐 波方式下。
4.根据权利要求2所述的寻址驱动电路，其特征在于，寻址驱动电路还包括第二二极 管以及电阻，其中，所述第二二极管的阴极与所述电阻的一端并接至所述正寻址电压产生 电路中所述第一功率开关管的源极，所述第二二极管的阳极与所述电阻的另一端并接至所 述数据驱动芯片的VPP端。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的寻址驱动电路，其特征在于，所述AVa生成电 路生成的电压Δ Va满足以下条件5V彡AVa^ 20Vo
6.根据权利要求2至4中任一项所述的寻址驱动电路，其特征在于，所述电容器两端的 电压为八￥&，其中，5￥彡AVa彡20V。
7.根据权利要求2至4中任一项所述的寻址驱动电路，其特征在于，所述第一功率开关 管与所述第二功率开关管互锁。
8.根据权利要求2至4中任一项所述的寻址驱动电路，其特征在于，所述第一功率开关 管与所述第二功率开关管为以下至少之一功率场效应晶体管M0SFET、绝缘栅双极晶体管 IGBT。
全文摘要
本发明提供了一种等离子显示器的寻址驱动电路，该电路除了包括数据驱动芯片，还包括正寻址电压产生电路，位于正寻址电压端Va和数据驱动芯片的VPP端之间，用于在寻址期间内在Vpp端产生一个以上升斜波形式变化的正寻址电压。根据本发明提供的技术方案，可以减小寻址时间，增加维持时间。
文档编号G09G3/288GK102142225SQ20111011998
公开日2011年8月3日 申请日期2011年5月10日 优先权日2010年9月30日
发明者霍伟 申请人:四川虹欧显示器件有限公司
技术领域：
本发明涉及等离子显示器领域，具体而言，涉及一种等离子显示器的寻址驱动电 路。
背景技术：
彩色交流等离子体(AC-PDP)是根据气体放电的基本原理研制的，通过气体放电 发出的紫外光激发荧光粉发光来实现显示。目前，三电极表面放电型AC-PDP是最具竞争力 的一种PDP类型，对于这种AC-PDP大多采用寻址与显示分离(ADS)技术来实现灰度显示 的，即将一个电视场分为先后发光的8个或10个或12个子场，每个子场均由准备期、寻址 期和维持期组成，通过适当的子场组合就可以实现256级的灰度显示。三电极表面放电型AC-PDP的三个电极正交状分布于前后基板上，放电则在两个 基板之间进行。前基板水平分布着维持电极(X电极)和扫描电极(Y电极)，在后基板上竖 直分布着寻址电极(A电极)。X电极和Y电极相互平行，并与A电极正交。图1为相关技术中ADS驱动技术中一个子场的驱动波形的示意图。如图1所示， 分为准备期、寻址期和维持期。在准备期，三电极相互配合，擦除上一子场遗留的壁电荷，使 全屏所有显示单元达到一致的初始状态；在寻址期，驱动电路对各行按照先奇后偶、自上而 下的顺序进行扫描寻址，而在A电极写入图像编码数据，使所有在该子场要显示的单元积 累起合适的壁电荷；在维持期，X电极和Y电极交替加上维持电压，使在寻址期积累了壁电 荷的单元产生放电，从而实现图像的显示。准备期开始时，三个电极上所加电压都是0V，但是由于上一场或上一子场维持 期结束时的最后一个维持脉冲加在X电极上，维持放电后在X电极上积累负的壁电荷， 在Y电极上积累了正的壁电荷，因此，在Y电极上先加远大于着火电压的宽正斜波电压 (Vsetup ^ 350V)，使X和Y电极间发生放电，放电后两个电极上分别积累了正的壁电荷和 负的壁电荷，随后在Y电极上加一个宽的负斜波电压(VY ^ 170V)，在X电极上加一正的台 阶电压(Vb 150V)，使X和Y电极之间缓慢达到着火电压，进行放电，中和掉X和Y电极上 正的壁电荷和负的壁电荷，最后使全屏所有单元的状态达到一致的熄灭状态，随后的寻址 期就可以准确的寻址到各个单元。传统A驱动电路如图2所示，正寻址电压Va是通过开关 电源产生的，Va直接和数据驱动芯片的Vpp端连接，GND和低压端连接，整个寻址期正寻址 电压恒为Va，波形如图1所示。ADS方法存在一个主要缺点就是寻址占用的时间过长，而且随着显示器分辨率的 提高，所需要的寻址时间就更长，寻址时间加长就意味着真正用于维持显示的时间变短，这 对于提高显示器的亮度是不利的。为了消除等离子显示器采用ADS方法时存在的伪轮廓问 题，一般可以采用增加显示子场的方法，但是增加子场数也意味着寻址时间的大大增加，如 此也会大大减小维持时间。如何减小寻址时间已成为PDP驱动中面临的一个重要问题，特 别是在高分辨率的场合中就显得更为重要。
发明内容
针对相关技术中ADS技术中存在的寻址占用时间过长等问题，本发明提供了一种 等离子显示器的寻址驱动电路，以解决上述问题至少之一。根据本发明，提供了 一种寻址驱动电路。根据本发明的寻址驱动电路除了包括数据驱动芯片，还包括正寻址电压产生 电路，位于正寻址电压端Va和数据驱动芯片的VPP端之间，用于在寻址期间内在Vpp端产 生一个以上升斜波形式变化的正寻址电压。上述正寻址电压产生电路包括AVa生成电路、电容器、第一功率开关管、第二开 关功率管以及第一二极管，其中，电容器的正极和第一二极管的阴极连接，电容器的负极和 正寻址电压端Va相连接；第一二极管的阳极和AVa生成电路相连接，电容器的正极与第一 功率开关管的漏极连接，第一功率开关管的源极和Vpp端连接；第二功率开关管的源极和 Va连接，第二功率开关管的漏极和第一功率开关管的源极连接。上述第一功率开关管工作在谐波方式下。上述寻址驱动电路还包括第二二极管以及电阻，其中，第二二极管的阴极与电阻 的一端并接至正寻址电压产生电路中第一功率开关管的源极，第二二极管的阳极与电阻的 另一端并接至数据驱动芯片的VPP端。上述AVa生成电路生成的电压AVa满足以下条件5V彡AVa^ 20Vo上述电容器两端的电压为八乂…其中巧乂彡AVa^ 20Vο上述第一功率开关管与第二功率开关管互锁。上述第一功率开关管与第二功率开关管为以下至少之一功率场效应晶体管 MOSFET、绝缘栅双极晶体管IGBT。通过本发明，在寻址期间内，正寻址电压产生电路在Vpp端产生一个以上升斜波 形式变化的正寻址电压，解决了相关技术中ADS技术中存在的寻址占用时间过长等问题， 进而可以减小寻址时间，增加维持时间。
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发 明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中图1为相关技术中ADS驱动技术中一个子场的驱动波形的示意图；图2为相关技术中寻址驱动电路的电路原理图；图3为根据本发明实施例的寻址驱动电路的结构示意图；图4为根据本发明优选实施例的寻址驱动电路的电路原理图；图5为根据本发明优选实施例的X、Y、A三电极上某一子场的驱动波形。
具体实施例方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不冲突的 情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。图3为根据本发明实施例的寻址驱动电路的结构示意图。如图3所示，该寻址驱 动电路除了包括数据驱动芯片1，还包括正寻址电压产生电路2，位于正寻址电压端Va和数据驱动芯片的VPP端之间，用于在寻址期间内在Vpp端产生一个以上升斜波形式变化 的正寻址电压。优选地，上述正寻址电压产生电路包括浮动于Va的Δ Va生成电路、电容器、第一 功率开关管、第二开关功率管以及第一二极管，其中，电容器的正极和第一二极管的阴极连 接，电容器的负极和正寻址电压端Va相连接；第一二极管的阳极和AVa生成电路相连接， 电容器的正极与第一功率开关管的漏极连接，第一功率开关管的源极和Vpp端连接；第二 功率开关管的源极和Va连接，第二功率开关管的漏极和第一功率开关管的源极连接。其中，上述第一功率开关管可以工作在谐波方式下。在优选实施过程中，通过将第 一功率开关管的栅极连接谐波电路，可以使第一功率开关管工作在谐波方式下。优选地，如图4所示，上述寻址驱动电路还包括第二二极管D2以及电阻R，其中， 第二二极管的阴极与电阻的一端并接至正寻址电压产生电路中第一功率开关管的源极，第 二二极管的阳极与电阻的另一端并接至数据驱动芯片的VPP端。上述第二二极管与电阻构成的电路，可以有效限流，防止VPP过冲，防止数据驱动 芯片烧坏，起到了保护数据驱动芯片的作用。优选地，AVa生成电路生成的电压AVa满足以下条件5V彡Δ Va彡20V。优选地，上述电容器两端的电压为AVa，其中，5V彡AVa彡20V。大量的实验研究证明，在寻址期使A电极上的寻址电压变化5V-20V时，可以使总 寻址时间减少30%，有效增加维持时间，有利于提高显示亮度、改善画质和减少伪轮廓。其中，在具体实施过程中，第一功率开关管与第二功率开关管互锁。即当第一功率 开关管打开时，第二功率开关管开闭；当第二功率开关管打开时，第一功率开关管开闭。在优选实施过程中，第一功率开关管与第二功率开关管可以采用但不限于以下至 少之一功率场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)。上述寻址驱动电路(也可以称为A驱动电路)主要是在Va与Vpp之间设置一个正 寻址电压产生电路，如图4所示，由AVa生成电路(例如，开关电源电路)产生AVa，AVa 是相对Va的，通过一个二极管D1 (相当于上述第一二极管)和电容C Δ Va (相当于上述电容 器)连接到Va，Va通过一个开关Qpass(相当于上述第二功率开关管)连接到Va0Ut，CAVa 的负极连接到Va，正极连接到开关Qramp (相当于上述第一功率开关管)的漏极端，Qramp 的源极端连接到Vaout，开始阶段，图4中开关Qpass打开，Qramp关闭，Vaout = Va, Vpp端 被拉到Va，在寻址期，图4中Qrampdn打开，Qpass关闭，Vpp端被拉到Va+ Δ Va,从而产生正 上升斜波寻址电压，最后，根据寻址数据在A电极上得到上升斜波形式变化的正寻址脉冲， 由于正寻址电压越来越高，施加在显示单元气体上的有效电压(Vaw+Vy)越大，有效弥补了 由空间离子浓度减小造成的寻址放电延迟，从而可以选择更短的寻址时间，增加有用的维 持时间，提高显示亮度、改善画质和减少伪轮廓。以下结合图4和图5进一步描述上述优选实施方式。图5为根据本发明优选实施例的X、Y、A三电极上某一子场的驱动波形；如图 5所示，图中标号①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩为一个子场内驱动波形的各个阶段。其中，第 ①②③④⑤为准备期，⑥⑦阶段为寻址期，⑧⑨⑩为维持期。如图4所示，一子场开始的时候，即图5中①②③④⑤准备期阶段，Qramp (即上述 第一功率开关管)关闭，Qpass (即上述第二功率开关管)打开，Vpp端被拉到Va，数据扫描芯片通过控制信号输出0V，于是A电极上的电压为OV ；在⑥⑦寻址期阶段，图4的开关 管Qramp打开，Qpass关闭，使Vout电压将为Va+Δ Va，因此实现Vpp端电压以斜坡形式上 升到Va+AVa，通过寻址数据被寻址到的单元所在的列的A驱动电路会输出给该列A电极 一个上升斜波形式的正脉冲，具体波形如图5所示；在维持期阶段中，如图4所示，Qramp关 闭，Qpass打开此时，Vpp被拉到Va，数据扫描芯片通过控制信号输出0V，于是A电极上的电 压为0V，在整个寻址期间，没有被寻址到的单元上的电压均为0，后进入下一子场的驱动过 程，重复类似前面讲过的10个过程，完成所有子场的Y驱动，同时配合X驱动和A驱动，完 成一场图像的显示。需要注意的是，图4中所示的正寻址电压产生电路仅仅是本发明的一个优选实施 方式，当然，正寻址电压产生电路还存在多种同等变形方式和等同替换方式，能够在寻址期 间内在Vpp端产生一个以上升斜波形式变化的正寻址电压的正寻址电压产生电路均在本 发明保护范围之内。综上所述，借助本发明提供的上述实施例，采用一种正寻址电压产生电路，设置在 传统Va与Vpp之间，在寻址期间，该电路在负压Va的基础上产生正上升斜波寻址电压，施 加到数据芯片的Vpp端，可以减小寻址时间，增加维持时间，有利于提高显示亮度、改善画 质和减少伪轮廓。显然，本领域的技术人员应该明白，上述的本发明的各模块或各步骤可以用通用 的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成 的网络上，可选地，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而可以将它们存储在 存储装置中由计算装置来执行，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中 的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本发明不限制于任何特定的硬 件和软件结合。以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技 术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修 改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种等离子显示器的寻址驱动电路，包括数据驱动芯片，其特征在于，所述寻址驱 动电路还包括正寻址电压产生电路，位于正寻址电压端Va和所述数据驱动芯片的VPP端之间，用于 在寻址期间内在所述Vpp端产生一个以上升斜波形式变化的正寻址电压。
2.根据权利要求1所述的寻址驱动电路，其特征在于，所述正寻址电压产生电路包括 AVa生成电路、电容器、第一功率开关管、第二开关功率管以及第一二极管，其中，所述电容 器的正极和所述第一二极管的阴极连接，所述电容器的负极和所述正寻址电压端Va相连 接；所述第一二极管的阳极和所述AVa生成电路相连接，所述电容器的正极与所述第一功 率开关管的漏极连接，所述第一功率开关管的源极和所述Vpp端连接；所述第二功率开关 管的源极和Va连接，所述第二功率开关管的漏极和所述第一功率开关管的源极连接。
3.根据权利要求2所述的寻址驱动电路，其特征在于，所述第一功率开关管工作在谐 波方式下。
4.根据权利要求2所述的寻址驱动电路，其特征在于，寻址驱动电路还包括第二二极 管以及电阻，其中，所述第二二极管的阴极与所述电阻的一端并接至所述正寻址电压产生 电路中所述第一功率开关管的源极，所述第二二极管的阳极与所述电阻的另一端并接至所 述数据驱动芯片的VPP端。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的寻址驱动电路，其特征在于，所述AVa生成电 路生成的电压Δ Va满足以下条件5V彡AVa^ 20Vo
6.根据权利要求2至4中任一项所述的寻址驱动电路，其特征在于，所述电容器两端的 电压为八￥&，其中，5￥彡AVa彡20V。
7.根据权利要求2至4中任一项所述的寻址驱动电路，其特征在于，所述第一功率开关 管与所述第二功率开关管互锁。
8.根据权利要求2至4中任一项所述的寻址驱动电路，其特征在于，所述第一功率开关 管与所述第二功率开关管为以下至少之一功率场效应晶体管M0SFET、绝缘栅双极晶体管 IGBT。
全文摘要
本发明提供了一种等离子显示器的寻址驱动电路，该电路除了包括数据驱动芯片，还包括正寻址电压产生电路，位于正寻址电压端Va和数据驱动芯片的VPP端之间，用于在寻址期间内在Vpp端产生一个以上升斜波形式变化的正寻址电压。根据本发明提供的技术方案，可以减小寻址时间，增加维持时间。
文档编号G09G3/288GK102142225SQ20111011998
公开日2011年8月3日 申请日期2011年5月10日 优先权日2010年9月30日
发明者霍伟 申请人:四川虹欧显示器件有限公司
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