图像显示装置、图像显示装置的驱动方法和终端装置的制作方法
专利名称：图像显示装置、图像显示装置的驱动方法和终端装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及向多个视点显示彼此不同的图像的图像显示装置、图像显示装置的驱动方法和终端装置。
背景技术：
近来，在显示装置的大小上的减小及其高清晰度显示能力的完成与蜂窝电话和信息终端的进步一起进步。另一方面，具有新的增值的显示装置正在得到关注，诸如允许观众根据观众观看显示装置的位置来观看不同的图像的显示装置，即，向多个视点提供彼此不同的图像的显示装置；以及，基于彼此不同的那些图像来产生视差图像并且向观众提供立体视觉图像的显示装置。传统上已知的用于向多个视点提供彼此不同的图像的方案合成用于各个视点的多个图像数据，在显示单元上显示那些图像数据，通过包括透镜、具有狭缝的栅栏(挡光板)的光学分离单元分离所显示的合成图像，并且向各个视点提供图像。图像分离的原理基于使用诸如具有狭缝的栅栏或透镜这样的光学单元的、根据视点方向能够观看的像素的限制。图像分离单元的示例是视差栅栏，它是具有多个带状狭缝的栅栏；以及，柱镜光栅式透镜(lenticular lens)，其具有在方向上具有透镜效果的柱面透镜。具有光学图像分离单元的立体显示装置适合于安装在便携装置上，因为它不需要使用特殊的眼镜，因此没有佩戴眼镜的负担。实际上，已经能够在市场上获得其上安装了立体显示装置的便携装置，该立体显示装置包括液晶板和视差栅栏。根据上述方案，S卩，使用光学分离单元来向多个视点提供彼此不同的图像的显示装置，当观众的视点位置移动并且要观看的图像改变时，在图像和另一个图像之间的边界在一些情况下看起来较暗。这种现象源自在用于被观看的视点的像素和像素之间的非显示区域(在液晶板的情况下为挡光单元，一般称为所谓的黑色矩阵)。观众的视点移动固有的上述现象在没有光学分离单元的一般显示装置的情况下不出现。因此，观众可能从在具有光学分离单元的多视点显示装置或立体显示装置上出现的上述现象感觉到奇怪或显示质量的降低。这种现象一般被称为3D莫尔(3D moire)。3D莫尔是源自在不同的角度方向上显示的不同视觉的亮度的周期改变(在一些情况下可以是颜色的改变)。3D莫尔是亮度角度波动，并且根据观看位置不变为问题。然而，当在角度方向上的亮度波动大时，对于立体观看而言的不期望的效果可能出现，因此期望将亮度波动设置得等于或小于预定值。未审查的日本专利申请KOKAI公报No. 2005-208567公开了一种显示装置，该显示装置具有显示单元的像素电极与挡光单元的相应的形状和布局，该显示单元被设计使得克服了源自光学分离单元和挡光单元的问题，并且该显示装置抑制了显示质量的降低。图47是示出在未审查的日本专利申请KOKAI公报No. 2005-208567(以下称为专利文献1)中公开的显示装置的显示单元的平面图。如图47中所示，开口 1075是作为图像显示的最小单元的子像素的开口。如图47中所示，通过垂直方向1011和水平方向1012来限定开口 1075的布局。每一个开口 1075的形状是由在垂直方向1011上对称的梯形和矩形限定的六角形，该矩形具有与该梯形的底相同的长边长度，该矩形和梯形被布置使得梯形的底和矩形的长边彼此接触。而且，图像分离单元包括具有在水平方向1012上布置的柱面透镜1003a的柱镜光栅式透镜，该柱面透镜1003a的纵长方向是垂直方向1011。柱面透镜1003a在纵长方向上没有透镜效果，而是仅在短方向上具有透镜效果。即，透镜效果作用于水平方向1012上。因此，从在水平方向1012上彼此邻接的子像素1041和子像素1042 的开口 1075发射的光被定向到彼此不同的方向。开口 1075的斜边在与垂直方向1011不同的方向上倾斜。具有在其中该斜边延伸的方向和垂直方向1011之间形成的相同角度的一对边通过开口 1075的中心，并且被布置使得相对于与垂直方向1011平行的线轴对称。而且，在垂直方向1011上彼此邻接的开口 1075被布置使得相对于在水平方向1012上延伸的线轴对称。结果，在水平方向1012上，显示板的开口 1075的端部的位置和柱面透镜1003a的光轴的位置在垂直方向1011上彼此不同。因此，当子像素1041和子像素1042的开口 1075组合在一起时，在垂直方向1011 上的开口宽度在倾斜部分处基本上不变，而与在水平方向1012上的位置无关。S卩，当假定显示板切割平面在水平方向1012中的任意点处位于与柱面透镜1003a 的布置方向正交的垂直方向1011中时，专利文献1的显示装置使得挡光部分(布线1070 和挡光单元1076)和开口率基本上不变。因此，当观众在作为其中分离图像的方向的水平方向1012上移动视点，并且观看方向改变时，要观看的挡光部分的比率基本上不变。S卩，观众不会偶尔仅在特定方向上看到挡光部分，并且没有显示看起来较暗。因此，专利文献1的显示装置可以抑制源自挡光区域的显示质量的降低。而且，未审查的日本专利申请KOKAI公报No. 2009-98311公开了一种适合于专利文献1的显示装置的像素结构。图46示出在未审查的日本专利申请KOKAI公报No. 2009-98311 (以下称为专利文献2)中公开并且被划分为四部分的像素。栅极线G和存储电容器线CS形成在与像素薄膜晶体管4TFT的栅极电极的层相同的层上。而且，在硅层4SI和存储电容器线CS之间形成存储电容器4CS。如上所述，硅层4SI通过接触孔4C0NT连接到数据线D，但是在除了薄膜晶体管4TFT的所述部分之外的在像素4中设置的另一个接触孔4C0NT用于连接在存储电容器4CS中的硅层4SI和像素电极4PIX。存储电容器线CS被布置在栅极线G的延伸方向上，即，连接到在X轴方向上彼此邻接的各个像素的存储电容器4CS。在X轴方向上彼此邻接的各个像素中，像素薄膜晶体管4TFT的在Y轴方向上的位置彼此不同，使得存储电容器线CS弯曲并且被布置使得连接那些晶体管。如像素薄膜晶体管4TFT那样，在每一个像素中，存储电容器4CS以大体梯形形状被布置在显示区域的上底边。因此，存储电容器4CS可以被有效地布置在构成相邻的像素对的各个像素的上底之间，由此进一步改善开口率。在存储电容器线CS和数据线D之间的交叉被布置在梯形倾斜部分处，使得存储电容器线CS和数据线D彼此在一起。优选的是，尽可能减少被布置使得沿着图像分离方向的布线，并且上述的显示装置仅具有数据线D。这进一步改善了图像质量。这是因为当沿着图像分离方向布置存储电容器线CS时，存储电容器线CS的图像被图像分离单元放大，导致显示质量的显著变差。即，专利文献2的显示装置具有在图像分离方向上延伸并且形成在同一层上的栅极线G和存储电容器线CS，以便抑制源自图像分离单元和存储电容器线CS的图像变差，同时减少处理的数量。专利文献2公开了一种用于通过同一处理来形成扫描线和电容器线以便减少液晶显示装置的生产处理的数量的技术。具体地说，对于一般的小显示装置，有较大的降低成本的需求，并且期望使用尽可能小的数量的层来配置像素阵列。而且，存在显示装置的显示单元增大所谓的开口率的需求，该开口率是通过在有助于显示亮度的开口和挡光部分之间的面积比率限定的，以便使得像素节距更细，从而改善高清晰度显示能力并且改善显示亮度。然而，为了实现图像的高清晰度显示，在原始小的屏幕区域上布置大量的像素，因此需要使得像素大小更小。即，如何减小像素大小是技术问题。然而，几乎与半导体技术的微型制造的进步一起实现具有更小大小的像素。如上所述，存在像素变得更小的趋势，但是不总是能够减小诸如开关装置和辅助电容器这样的电气和电子电路的大小，该开关装置和辅助电容器用于驱动液晶，以便与像素的精细化成比例地调制光。这是因为开关装置和辅助电容器通过微型制造技术形成在诸如半导体衬底或玻璃衬底这样的衬底上，但是由于半导体处理的限制，能够实现的线宽有限制。而且，即使更精细的处理在技术上是可能的，从工厂投资角度看，它也导致暂时成本提尚。液晶显示装置具有下述问题因为精细化的上述限制，挡光的区域增大，S卩，开口率减小，并且整个显示装置的光利用效率降低。存在下述折中关系当试图通过像素的精细化改善图像质量时，光利用效率降低。因此，存在下述技术问题实现高图像质量和高效的图像显示装置，并且同时实现高清晰度图像。具体地说，在小显示装置的情况下，因为上述限制以及精细化，占用像素面积的布线的比率和接触孔面积的比率极大，并且开口率的减小显著。必要的是，精细的像素尽可能减少在像素中的布线的数量和接触孔的数量。而且，如在“NIKKEI Electronics, January 6, 2003, volume 838, p. 26to 27" ( VX 下称为非专利文献1)中公开，近来，立体图像显示装置的应用领域及其应用变宽。例如，可以根据显示装置的应用来使用其中在数据线延伸的方向上执行图像分离的配置。然而，本发明的发明人发现，不能实现高开口率和高图像质量，即使在专利文献2中公开的像素结构被设计为上述配置并且同时保持在专利文献1中公开的像素的开口形状和挡光形状。下面更详细地描述本发明的发明人的发现。如上所述，因为根据传统技术，栅极线延伸的方向和图像分离方向一致，所以可以在与图像分离方向相同的方向上绘制在与栅极线相同的层上形成的存储电容器线的延伸方向，以便不与图像分离单元干扰。同样，当在专利文献2中公开的像素结构被应用到在数据线延伸的方向上分离图像的显示装置时，必须在图像分离方向上绘制由与数据线相同的材料形成的存储电容器线。然而，为了保护数据线免受在形成开关装置时的处理条件固有的任何损坏，通常， 经常在形成栅极线后的处理步骤中形成数据线，即，在衬底上，在栅极线的上层上形成数据线。结果，必须形成存储电容器线，使得每单位面积经由具有小相对介电常数的层间膜来形成电容器，并且必须将存储电容器的面积设置得大。这导致不足的开口率，因此透射率降低。而且，如专利文献2那样，如果在硅层4SI和由与栅极线相同的层形成的存储电容器电极之间形成存储电容器4CS，则变得有可能每单位面积经由具有大的相对介电常数的层间膜来形成电容器，因此可以减少存储电容器的面积。然而，在该情况下，必须新提供将存储电容器电极连接到存储电容器线的接触孔，因此不能获得足够的像素开口率，因此透射率减小。而且，根据在专利文献2中公开的显示装置的像素结构，绘制在与栅极电极的层相同的层上的存储电容器线，使得在图像分离方向上跨过开关装置(TFT)的周边，因此在位于大体梯形的上底处的挡光部分的在Y轴方向上的宽度变为通过下述方式获得的宽度 向TFT的区域加上存储电容器线的线宽和线绘制空间。不能不改变处理规则而减小大体梯形的上底的在Y轴方向上的宽度，因此在具有窄节距的像素的情况下，在覆盖大体梯形的上底的在Y轴方向上的挡光部分的宽度相对于在Y轴方向上的开口区域的宽度变大。当通过图像分离单元来扩大覆盖大体矩形的上底的挡光部分的图像时，该图像被观众可视地识别为在显示单元上的暗斑或暗条纹，因此显示质量降低。在本说明书中，亮度的周期改变(在一些情况下可以是颜色的改变)，具体地说， 源自在不同的角度方向上的不同图像的显示的亮度角度波动被定义为“3D莫尔”。而且，对于另一个视点的图像向对于给定视点的图像的混合和图像向对于给定视点的图像的泄漏被定义为“3D串音”。通常，由具有不同周期的结构对象的干扰产生的条纹图案被称为“莫尔条纹 (moire stripe)”。莫尔条纹是依赖于结构对象的周期及其节距产生的干涉条纹，并且3D 莫尔是由于图像分离单元的成像特性导致产生的亮度改变。因此，在本说明书中区别3D莫尔和莫尔条纹。3D莫尔根据观看位置而不变为问题，但是当在角度方向上的在亮度上的波动较大时，用于立体观看的不期望的效果可能出现，因此期望将该亮度波动设置成等于或小于预定值。
发明内容
已经根据上述情况建立了本发明，并且，本发明的示例性目的是抑制源自在能够在多个视点上显示相应的图像的图像显示装置中的像素开口或结构对象中布置的挡光部分的问题，并且实现高开口率。为了实现上述示例性目的，本发明的第一示例性方面提供了一种图像显示装置， 包括显示元件，其包括多个显示单元，每一个所述显示单元至少包括显示用于第一视点的图像的子像素和显示用于第二视点的图像的子像素；以及，光学单元，其将从所述显示元件的各自子像素发射的光分配到不同的方向，其中，当定义其中被分配光的方向是第一方向时，与所述第一方向正交的方向是第二方向，并且在所述子像素中由数据线、栅极线和存储电容器电极包围的区域是开口，通过基本单元来形成在所述显示元件中的所述子像素的布置，所述基本单元是邻接像素对，所述邻接像素对包括两个子像素，所述两个子像素被布置使得在其间存在数据线，沿着所述第二方向布置所述邻接像素对，以便彼此邻接，所述两个子像素将各自的开关元件共同连接到在所述两个子像素之间存在的所述数据线，并且使各自的开关元件通过不同的栅极线控制，所述开关元件的一个电极形成所述存储电容器电极和电容器，所述存储电容器电极至少被布置在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域处，并且当假定存在虚拟线时，其中每条所述虚拟线与所述第二方向平行并且所述虚拟线将所述子像素的在所述第一方向上的宽度均勻地划分为K+1个，电连接到所述存储电容器电极的K条存储电容器线每一条被布置使得跨过所述虚拟线的至少一条。为了实现上述示例性目的，本发明的第二示例性方面提供了一种图像显示装置， 包括显示元件，其包括多个显示单元，每一个所述显示单元至少包括显示用于第一视点的图像的子像素和显示用于第二视点的图像的子像素；以及，光学单元，其将从所述显示元件的各自子像素发射的光分配到不同的方向，其中，当定义其中被分配光的方向是第一方向时，与所述第一方向正交的方向是第二方向，并且，在所述子像素中由黑色矩阵包围的区域是开口，通过基本单元来形成在所述显示元件中的所述子像素的布置，所述基本单元是邻接像素对，所述邻接像素对包括两个子像素，所述两个子像素被布置使得在其间存在数据线，沿着所述第二方向布置所述邻接像素对，以便彼此邻接，所述两个子像素将各自的开关元件共同连接到在所述两个子像素之间存在的所述数据线，并且使各自的开关元件通过不同的栅极线控制，所述开关元件的一个电极形成存储电容器电极和电容器，所述存储电容器电极至少被布置在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域处，并且当假定存在虚拟线时，其中每条所述虚拟线与所述第二方向平行并且所述虚拟线将所述子像素的在所述第一方向上的宽度均勻地划分为K+1个，电连接到所述存储电容器电极的K条存储电容器线每一条被布置使得跨过所述虚拟线的至少一条。为了实现上述示例性目的，本发明的第三示例性方面提供了本发明的第一示例性方面的图像显示装置的驱动方法，包括步骤逐一地扫描所述栅极线；对于每一栅极线反转每一个像素的电压极性；以及，对于每一数据线，反转通过每一数据线传输的显示数据的极性。为了实现上述示例性目的，本发明的第四示例性方面提供了一种终端装置，所述终端装置包括本发明的第一方面的图像显示装置。根据这样的配置，在所述子像素中有效地布置所述数据线、所述栅极线、所述存储电容器电极和所述开关元件，使得可以改善所述开口率。而且，通过在所述开关元件和所述子像素之间的连接关系形成的所述邻接像素对是用于驱动的基本单元，并且，所述邻接像素对的所述存储电容器电极电连接到由构成所述邻接像素对的相应子像素共享的区域。因此，可以减少在所述邻接像素对中的所述存储电容器电极的电势波动，由此抑制闪烁和串音。而且，在所述子像素中，电连接到所述存储电容器电极的所述存储电容器线被布置使得跨过所述开口，并且进一步跨过所述虚拟线，并且在所述图像分离方向的不同方向上延伸。因此，可以抑制在其中被分配光的方向上的亮度分布，即，源自所述存储电容器线的3D莫尔。
通过阅读下面的详细说明和附图，本发明的示例性目的和其他目的和优点将变得更清楚，在附图中图1是根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置的平面图；图2是根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置的截面图；图3是示出根据本发明的第一示例性实施例的在图像显示装置的TFT基板侧上的一些像素的结构的平面图；图4是示出根据本发明的第一示例性实施例的在图像显示装置的TFT基板侧上的另一些像素的结构的平面图；图5是示出根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置的像素的平面图；图6是示出根据本发明的第一示例性实施例的显示板的平面图；图7是示出其上安装了根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置的便携装置的透视图；图8是示出其上安装了根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置的便携装置的透视图；图9是示出根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置中的各个像素(像素电极)的极性的示例性图；图10是示出在根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置中向数据线输入的点反转驱动的极性的表；图11是当使用柱镜光栅式透镜时的光学模型的横截面图；图12是示出其中曲率半径最小以便计算柱镜光栅式透镜的图像分离条件的状态的光学模型图；图13是示出其中曲率半径最大以便计算柱镜光栅式透镜的图像分离条件的状态的光学模型图；图14是示出根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置中的说明性亮度分布的图；图15是示出根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置的评估结果的表；图16是示出当根据本发明的第一示例性实施例的显示板的存储电容器线的角度较大时的像素的平面图；图17是示出根据本发明的第一示例性实施例的第一修改示例的显示板的像素的平面图；图18是示出根据本发明的第一示例性实施例的第二修改示例的显示板的像素的平面图；图19是示出根据本发明的第一示例性实施例的第三修改示例的显示板的像素的平面图；图20是示出根据本发明的第一示例性实施例的第四修改示例的显示板的像素的平面图；CN 102279494 A
说明书
7/44 页 图21是示出根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置如何收集光的概念图；图22是示出空间图像方案的概念图；图23是示出根据本发明的第二示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图M是示出根据本发明的第二示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图25是示出根据本发明的第三示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图沈是示出根据本发明的第三示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图27是示出根据本发明的第三示例性实施例的显示板的像素的平面图；图观是示出根据本发明的第四示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图四是示出根据本发明的第五示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图30是示出根据本发明的第六示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图31是示出根据本发明的第七示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图32是示出根据本发明的第八示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图33是示出根据本发明的第九示例性实施例的图像显示装置中的各个像素的极性的示例性图；图34是示出在根据本发明的第九示例性实施例的图像显示装置中向数据线输入的反转驱动的极性的表；图35是示出根据本发明的第九示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图36是示出根据本发明的第九示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图37是示出在根据本发明的第十示例性实施例的图像显示装置的TFT基板侧上的一些像素的结构的平面图；图38是示出根据本发明的第十示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图39是示出根据本发明的第十示例性实施例的图像显示装置的横截面的示例性图；图40是示出根据本发明的第十示例性实施例的图像显示装置的光学模型的示例性图；图41是示出根据本发明的第十示例性实施例的第一修改示例的图像显示装置的
11TFT基板侧上的一些像素的结构的平面图；图42是示出根据本发明的第十示例性实施例的第一修改示例的图像显示装置的像素结构的平面图；图43是示出根据本发明的第十示例性实施例的第一修改示例的图像显示装置的光学模型的示例性图；图44是示出在根据本发明的第十一示例性实施例的图像显示装置的TFT基板侧上的一些像素的结构的平面图；图45是示出根据本发明的第十一示例性实施例的图像显示装置的横截面的示例性图；图46是示出传统图像显示装置的显示板的平面图；以及图47是示出传统图像显示装置的显示板的平面图。
具体实施例方式将参考附图详细描述根据本发明的示例性实施例的图像显示装置。<第一示例性实施例>首先，将说明根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置、图像显示装置的显示板和图像显示装置的驱动方法。如图1和2中所示，这个示例性实施例的图像显示装置1是用于立体显示的图像显示装置，其包括显示板2，使用液晶分子作为电光元件；以及，柱镜光栅式透镜3。柱镜光栅式透镜3被布置在显示板2的显示表面侧处，即朝向观众的侧处。显示板2用于具有两个视点的立体显示，并且包括显示用于第一视点的图像的像素和显示用于第二视点的图像的像素。在本示例性实施例中，用于第一视点的像素是左眼像素4L，并且用于第二视点的像素是右眼像素4R。S卩，显示板2具有像素对，其中每一个像素对是“显示单元”，该显示单元包括左眼像素4L和右眼像素4R，并且像素对以矩阵图案排列。在本示例性实施例中，左眼像素4L和右眼像素4R被统称为像素4。如图2中所示，柱镜光栅式透镜3是具有以一维排列方式布置的多个柱面透镜3a 的透镜阵列。柱面透镜3a是一维透镜，该一维透镜具有拱背(hog-backed)形状的凸起部分。柱镜光栅式透镜3延伸的方向，S卩，纵长方向与在显示表面中的布置方向正交。柱面透镜3a在延伸方向上没有透镜效果，但是仅在作为该正交方向的布置方向上具有透镜效果。 因此，柱镜光栅式透镜3可以作为一维透镜阵列，其仅在布置柱面透镜3a的方向上具有透镜效果。柱面透镜3a的布置方向被设置为其中交替地布置左眼像素4L和右眼像素4R的方向。柱面透镜3a每一个被布置使得对应于上述的显示单元。在本示例性实施例中，当集中说明构成显示单元的像素时，这样的像素被称为“子像素”。如上所述，柱面透镜3a仅在与延伸方向正交的方向上具有透镜效果。在本示例性实施例中，透镜效果起作用的方向与其中交替地布置左眼像素4L和右眼像素4R的方向一致。结果，柱面透镜3a作为能够在不同方向上分离来自左眼像素4L的光和来自右眼像素 4R的光的光束分离单元。因此，柱镜光栅式透镜3可以在不同方向上分离用于每一个显示单元的左眼像素4L显示的图像和用于每一个显示单元的右眼像素4R显示的图像。S卩，柱镜光栅式透镜3是作为图像分离单元和图像分布单元的光学构件。柱面透镜3a的焦距被设置为在柱面透镜3a的主点、即透镜的顶点和像素表面、即其中布置了左眼像素4L或右眼像素4R的表面之间的距离。在本说明书中，将X、Y和Z笛卡儿坐标系定义如下。在其中交替地布置了左眼像素4L和右眼像素4R的方向上，在显示单元中的从右眼像素4R向左眼像素4L的方向被定义为+X方向，并且其相反方向被定义为-X方向。+X方向和-χ方向被统称为X轴方向。而且，柱面透镜3a的纵长方向被定义为Y轴方向。而且，与X轴方向和Y轴方向垂直的方向被定义为Z轴方向，并且在Z轴方向上，从其中布置了左眼像素4L或右眼像素4R的表面向柱镜光栅式透镜3的方向被定义为+Z方向，并且，其相反方向被定义为-Z方向。+Z方向被指向前，即指向用户，并且用户在+Z侧观看显示板2的表面。+Y方向是其中建立右手坐标系的方向。即，当人的右手拇指指向+X方向并且食指指向+Y方向时，中指指向+Z方向。当如上所述定义X、Y和Z笛卡儿坐标系时，柱面透镜3a的布置方向是X轴方向， 并且沿着X轴方向分离用于左眼的图像和用于右眼的图像。而且，其中每一个包括左眼像素4L和右眼像素4R的显示单元在Y轴方向上被布置在一条线上。在X轴方向上的像素对的布置周期大致等于柱面透镜3a的布置周期。柱面透镜3a对应于其中在Y轴方向上布置了显示单元的线。在本示例性实施例中，通过三个显示单元来定义像素。并且各个显示单元是红色、 绿色和蓝色。各个颜色红色、绿色和蓝色的滤色器在X轴方向上延伸，并且在Y轴方向上以带状图案重复地布置了红色、绿色和蓝色滤色器。滤色器的颜色的顺序不限于这种配置。 并且，可以以带状图案来重复地布置具有等于或大于三种颜色的M种颜色的滤色器。在本示例性实施例中，在液晶层5LC侧在对向基板2b的表面上设置了滤色器和黑色矩阵。如图2中所示，显示板2具有TFT基板加和对向基板2b，它们被布置使得在其间有细小的空间，并且在那个空间中布置了液晶层5LC。液晶层5LC例如被设置为透射TN模式中。本发明不限于这种配置，并且可以应用其他液晶模式。TFT基板加被布置在显示板 2的-Z方向侧，并且对向基板2b被布置在+Z方向侧。即，柱镜光栅式透镜3被布置在对向基板2b的进一步的+Z侧。而且，偏振板11被附在TFT基板加的+Z侧和对向基板2b 的-Z侧处。在图2中所示的显示板2是包括TFT (薄膜晶体管)的有源矩阵型显示板。TFT作为向每一个像素提供显示信号的开关，并且流过连接到每一个开关的栅极的栅极线G的栅极信号控制该开关。如图1中所示，在列方向，即在Y轴方向上延伸的栅极线Gl至G7在液晶层5LC侧被布置在TFT基板加的表面上，即在+Z方向侧的表面上。以下，栅极线Gl至 G7被统称为栅极线G。而且，在行方向上、即在X轴方向上延伸的数据线Dl至D13被布置在TFT基板加的相同表面上。以下，将数据线Dl至D13统称为数据线D。数据线D向TFT提供显示数据信号。在本示例性实施例中，栅极线G弯曲，但是通过几个弯曲在Y轴方向上延伸，并且被布置在X轴方向上。而且，数据线D弯曲，但是通过几个弯曲在X轴方向上延伸，并且被布置在Y轴方向上。像素(左眼像素4L或右眼像素4R) 被布置在栅极线G和数据线D之间的交叉的附近。在图1中，为了澄清每一个像素至栅极线G和数据线D的连接关系，例如，将连接到数据线D3和栅极线G2的像素表示为P32。即，在字母P后的数字是数据线D的编号，并且在前一个数字之后的数字是栅极线G的编号。
如图3和4中以放大方式所示，由数据线D和栅极线G围绕的区域是像素4，其中， 布置了像素电极4PIX、像素薄膜晶体管4TFT、存储电容器线CS和存储电容器电极CS2。注意，图3是像素P;34、P33、P25和P45的放大视图，并且图4是像素P31、P32、P22 和P42的放大视图。像素薄膜晶体管4TFT是MOS薄膜晶体管，将源极电极或漏极电极的任何一个通过接触孔4C0NT1连接到数据线D，并且将另一个通过接触孔4C0NT2连接到像素电极4PIX和存储电容器4CS的一个电极。在本示例性实施例中，连接到像素电极4PIX的电极被称为源极电极，并且连接到数据线D的电极被称为漏极电极。像素薄膜晶体管4TFT的栅极电极连接到栅极线G。存储电容器4CS的另一个电极连接到存储电容器电极CS2。而且，在液晶层 5LC侧在对向基板2b上形成对向电极4C0M，并且在对向电极4C0M和像素电极4PIX之间形成像素电容器4CLC。存储电容器线CS和存储电容器电极CS2形成在同一层上，并且电连接在一起。在图3和4中，分别通过灰色、黑色、虚线和粗线来指示接触孔4C0NT1、接触孔 4C0NT2、像素电极4PIX和硅层4SI的各自的轮廓。在每一个图中的阴影用于区别每一个构造元件，并且不表示横截面。在图1中，为了澄清每一个像素至栅极线G和数据线D的连接关系，在图3和4中所示的像素薄膜晶体管4TFT和像素电极4PIX被提取并且示出。在图3和4中，适当地改变结构元件各自的大小和比例，以便保持图的可视性。在本示例性实施例中，由栅极线G和数据线D围绕的区域被称为“开口”。存储电容器线CS被布置使得一路通过并且跨过开口。具体地说，在开口的中心，存储电容器线CS 被倾斜并且布置与数据线D和栅极线G不同的方向上。即，关于其中存储电容器线CS、数据线D、栅极线G在子像素中延伸的各个方向，存储电容器线CS、数据线D和栅极线G分别在不同的方向上延伸和排列。如图2中所示，在显示板2中，右眼像素4R的列和左眼像素4L的列交替地被布置在图像分离方向上，即，X轴方向上，所述像素每一个是梯形开口。右眼像素4R的开口和左眼像素4L的开口形成开口区域，其中，那些开口在Y轴方向上不重叠。像素是具有三行X 二列的子像素的正方形。当像素的节距是Pu时，子像素的在 X轴方向上的节距是Px，并且子像素的在Y轴方向上的节距是Py，满足下面的关系表达式。Pu = 2XPx = 3XPy(1)如图5中所示，在液晶层5LC侧在对向基板2b上设置了作为覆盖除了开口之外的的各个像素的挡光部分的黑色矩阵60。黑色矩阵60覆盖像素薄膜晶体管4TFT、栅极线G、 数据线D和存储电容器电极CS2，并且以大体梯形形状打开。在本示例性实施例中，使用术语“挡光部分”，但是这不特别限于黑色矩阵60，而是阻挡光的部分。因此，黑色矩阵60可以不被设置在数据线D或栅极线G上，并且可以仅覆盖像素薄膜晶体管4TFT和存储电容器电极CS2。在该情况下，数据线D和栅极线G作为挡光部分。当在这个说明书中使用在XY平面上的表达“上”和“下”时，上”或“下”方向是与 Y轴方向平行的方向，并且“上”侧是+Y方向，并且“下”侧是-Y方向。如上所述，因为挡光部分的形状，子像素可以被看作具有梯形形状，因此在下面的说明中，这样的子像素被称为大体梯形的像素，并且长边被定义为下底，短边被定义为上底。开口的形状不限于梯形形状，并且可以是平行四边形、多边形、椭圆、半圆等。如图5中所示，通过附图标记Xl来指示在大体梯形像素的开口中的上底的长度。 而且，通过附图标记X2来指示大体梯形像素的斜边的从挡光部分的中心至与大体梯形像素的上底的交叉的在X轴方向上的长度。因此，在斜边区域中的大体梯形像素的X方向上的宽度是2XX2。而且，在X轴方向上的邻接像素中，通过附图标记X3来指示其中大体梯形像素的各个开口在X轴方向上彼此重叠的区域的宽度。而且，通过附图标记Yl来指示在大体梯形像素的开口的Y方向上的开口宽度。在大体梯形像素的上底的挡光部分的在Y方向上的宽度是Y2，并且在大体梯形像素的下底布置的挡光线的在Y方向上的宽度是2XTO。 因此，基于在X轴方向上的子像素的节距1^、在Y轴方向上的节距Py和在大体梯形像素的挡光部分和开口之间的关系，满足下面的关系表达式。Px = X1+2XX2(2)Py = Y1+Y2+2XY3(3)像素薄膜晶体管4TFT是使用多晶硅作为半导体的多晶硅薄膜晶体管。多晶硅的示例是包含微量硼的P型半导体。即，像素薄膜晶体管4TFT是PMOS薄膜晶体管，其中，当栅极电极的电势相对于源极电极或漏极电极的电势变为低电平时，源极电极和漏极电极电导通。本发明不限于这种类型的晶体管，并且，可以同样地使用NMOS薄膜晶体管。例如通过下述方式来形成多晶硅薄膜晶体管的多晶硅层通过在TFT基板加上形成氧化硅层，通过在其上形成非晶硅层，以及通过使得非晶硅层是多晶的。使得非晶硅层是多晶的示例技术是热退火和激光退火。具体地说，在使用诸如激态原子激光器这样的激光器进行激光退火的情况下，可以仅加热硅层，并且在将玻璃基板的温升限制在最小的同时使得这样的硅层是多晶的。因此，当应用激光退火时，变得有可能使用具有低熔点的无碱玻璃。因此，可以降低成本，使得多晶硅薄膜晶体管被广泛使用，并且被称为低温多晶硅。在本示例性实施例中，激态原子激光器至玻璃基板的扫描方向被设置在Y轴方向上。可以通过跳过退火步骤来实现非晶硅薄膜晶体管。接着，将成为栅极绝缘层的氧化硅层形成在多晶硅层上，并且根据需要被图案化。 在这个处理中，优选的是，在除了要被用作硅薄膜的半导体层的部分之外的区域中掺杂离子，以便使得这样的区域导电。图案化的示例方案是使用光敏抗蚀剂的光学图案化。在一种示例情况下，在将光敏抗蚀剂进行旋涂后，从诸如步进器这样的曝光装置部分地发射光， 并且，仅在其中应当通过显影处理形成图案的部分处留下光敏抗蚀剂的膜。其后，通过干蚀刻等来消除在其中未剩余光敏抗蚀剂膜的区域处的硅层，并最后剥离光敏抗蚀剂膜。接着，形成非晶硅层和硅化钨层，并且，那些层被图案化，以便形成栅极电极等。此时，也可以形成要连接到栅极电极的栅极线、存储电容器电极和存储电容器线。接着，形成氧化硅层和氮化物硅层，并且根据需要将它们图案化，并且形成铝层和钛层，以便形成源极电极和漏极电极。此时，也可以同时形成数据线。接着，形成氮化硅层，并且根据需要将其图案化，并且形成和图案化诸如ITO(铟锡氧化物)这样的透明的导电膜，由此形成像素电极。通过那些处理，可以形成具有薄膜晶体管的像素结构。可以使用这个薄膜晶体管来同时形成驱动栅极线、数据线和存储电容器线的电路。如图6中所示，显示板2具有驱动器IC 7，驱动器IC 7使用视频信号来控制TFT基板加的短侧。驱动器IC 7的输出引线连接到显示单元6的各个数据线D。通常，驱动器 IC 7的输出引线的节距比数据线D的节距窄。因此，从驱动器IC 7的输出引线至各个数据线D延伸的布线需要扩展。因此，需要将驱动器IC 7与显示单元(显示图像的单元)6隔开特定距离。数据线D的数量越少，则如果输出引线的节距是相同的，那么从显示单元6至驱动器IC 7的距离会越短。如图6中所示，当显示单元6是横向(在水平方向上长)时， 如果将数据线D布置在水平方向上，即，在X轴方向上的短侧上，则与将数据线D布置在垂直方向上，即在Y轴方向上的长侧上的情况作比较，可以减少数据线D的数量。因此，在水平方向上的数据线D的布置使得能够减小显示板2的框架的大小。而且，通过减少数据线的数量，可以减少对于驱动器IC 7的负载。在本示例性实施例中，与像素薄膜晶体管4TFT同时地在TFT基板加上形成连续地扫描栅极线G的栅极驱动器电路。因此，可以减小显示板2在长侧上的框宽度。通过在短侧上布置驱动器IC 7并且通过在长侧上集成栅极驱动器电路，可以减小显示板2的框的各个侧。而且，通过减小框的大小，可以减小显示板2的大小。因此，增大了从母基板获得的显示板2的数量。由此降低了每个显示板2的成本。而且，通过在TFT基板加上集成地形成像素和栅极驱动器电路，可以减少驱动器电路的部分的数量，导致成本降低和很少的能耗。图3和图4示出了被划分为四部分的像素。在本示例性实施例中，在与像素薄膜晶体管4TFT的栅极电极的层相同的层上形成栅极线G、存储电容器线CS和存储电容器电极 CS2。而且，在硅层4SI和各个存储电容器电极CS2之间形成存储电容器4CS。如上所述，硅层4SI通过接触孔4C0NT1连接到数据线D，并且，在像素电极4PIX侧设置的各个像素4中的各个另外一些接触孔4C0NT2用于电连接在各个存储电容器4CS中的硅层4SI和各个像素电极4PIX。在下面的描述中，使用表达“邻接像素对”。这表示在数据线D之间的两个像素处于其中那两个像素连接到在这样的像素之间布置的数据线D的状态。即，视频信号的数据电势通过在像素之间布置的数据线D被提供到构成邻接像素对的像素。如图3和4中所示，在Y轴方向的左侧并排布置的两个像素P34和P33构成邻接像素对并且两个像素P31和P32构成邻接像素对4ΡΑ^2。而且，构成邻接像素对和4PAIR2的各个像素被控制来通过不同的栅极线G 执行转换操作。在图3中的-X方向上的邻接像素对中，在-Y方向侧的像素4被在-X 方向侧布置的栅极线G控制，并且，在+Y方向侧的像素4被在+X方向侧布置的栅极线G控制。在其中数据线D延伸的方向、即X轴方向上邻接的邻接像素对不连接到公共数据线D，而是连接到不同的数据线D。这是因为邻接像素对在其中像素在Y轴方向上移位一个像素的状态中在X轴方向上邻接。这样的布置使得能够将所需的布线的数量减少到最小，因此可以改善开口率。参考图1，将确认像素的布置关系。首先，将集中给出由像素Ρ31和Ρ32构成的邻接像素对的说明。为了简化说明，将邻接像素对表示为邻接像素对(Ρ31，Ρ32)。邻接像素对(Ρ23，Ρ22)和邻接像素对(Ρ42，Ρ43)在+X方向上邻接到邻接像素对(Ρ31，Ρ32)。邻接像素对(Ρ22，Ρ23)具有作为公共数据线的数据线D2。表达“公共数据线”表示邻接像素对的各个像素连接到在其间布置的公共数据线，并且在预定定时在各个像素中写入通过公共数据线提供的数据电势。邻接像素对(P31，P32)具有作为公共数据线的数据线D3，因此可以表达邻接像素对(P31，P3》和(Ρ22，Ρ2!3)具有彼此不同的公共数据线。注意，各个公共数据线彼此邻接。另一邻接像素对(Ρ42，Ρ4!3)在+X方向上邻接邻接像素对(P31，P3W。同样，那些邻接像素对具有彼此不同的公共数据线D。而且，在+X方向上相对于邻接像素对(P23，P2W或邻接像素对(Ρ42，Ρ4!3)来布置邻接像素对(Ρ34，Ρ33)。如邻接像素对(Ρ31，Ρ32)那样，邻接像素对(Ρ34，Ρ33)具有作为公共数据线的数据线D3。即，对于每个像素列，布置具有相同数据线作为公共数据线的邻接像素对。换句话说，连接到构成右眼像素4R的邻接像素对的数据线未连接到构成左眼像素 4L的邻接像素对。在由像素Ρ22和Ρ23构成的邻接像素对(Ρ22，Ρ2!3)中，通过位于_Χ方向侧的栅极线G2来控制相对于公共数据线D2位于-Y方向侧的像素Ρ22，并且通过位于+X方向侧的栅极线G3来控制相对于数据线D2位于+Y方向侧的像素Ρ23。即，邻接像素对具有上下排列的各个像素，使得在其间夹着公共数据线，并且，上像素连接到右栅极线。相反，在由像素Ρ31和Ρ32构成的邻接像素对(Ρ31，Ρ32)中，通过位于+X方向侧的栅极线G2来控制相对于公共数据线D3位于-Y方向侧的像素Ρ32，并且通过位于-X方向侧的栅极线Gl来控制相对于公共数据线D3位于+Y方向侧的像素Ρ31。即，邻接像素对具有上下排列的各个像素，使得在其间夹着公共数据线，并且，上像素连接到左栅极线。在 +X方向上邻接的像素列中，相对于邻接数据线在-Y侧布置具有由左栅极线控制的上像素的邻接像素对。结果，在倾斜方向上布置相同种类的邻接像素对。换句话说，本示例性实施例的显示板2包括其中每对具有连接到左栅极线的上像素的邻接像素对和其中每对具有连接到右栅极线的上像素的邻接像素对。在图3中的像素布局对应于在图1中的在邻接像素对(Ρ34，Ρ33)与在X方向上邻接的子像素Ρ25和Ρ45之间的关系。而且，在图4中所示的像素布局对应于例如在图1中的在邻接像素对(Ρ31，Ρ3》与子像素Ρ22和Ρ42之间的关系。通过在X方向和在Y方向上交替地布置在图3和4中所示的像素来形成在本示例性实施例的显示板2中的TFT基板加的像素阵列。而且，以大体梯形形状来形成在每个像素中的显示区域，即用于显示的区域。像素电极4ΡΙΧ的形状也是具有与显示区域的形状对应的大体梯形的形状。可以表达邻接像素对，使得具有大体梯形的显示区域的两个像素被布置使得结合梯形的各个上底。像素薄膜晶体管4TFT被布置在大体梯形形状的显示区域的上底边，并且被布置在构成邻接像素对 4卩八顶和4PAIR2的像素的各个上底之间。存储电容器线CS被布置使得电连接在栅极线G的延伸方向、即Y轴方向上邻接的子像素的各个存储电容器电极CS2。如像素薄膜晶体管4TFT —样，存储电容器电极CS2在大体梯形形状的每个子像素中被布置在显示区域的上底边。存储电容器电极CS2沿着作为子像素的中线的虚拟线Β-Β’被布置，并且以相对于Β-Β’线的轴对称形状形成。因此，形成存储电容器4CS的区域可以有效地被布置在构成邻接像素对和4PAIR2的子像素的各个上底之间，由此进一步改善开口率。
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在各个邻接像素对和4PAIR2处设置的像素薄膜晶体管4TFT每个使用以一边打开的矩形形状形成的双栅极结构，并且被布置使得各个打开边彼此面向。存储电容器电极CS2形成在双栅极结构的像素薄膜晶体管4TFT之间，使得彼此面向，并且存储电容器 4CS被形成在每一个子像素处设置的硅层4SI和存储电容器电极CS2之间。在邻接像素对和4PAIR2中的像素薄膜晶体管4TFT的各个沟道被布置使得与图像分离方向即X轴方向平行。数据线D被布置使得在像素薄膜晶体管4TFT的上层弯曲，并且在沟道区域的上层，在与图像分离方向即X轴方向不同的方向上倾斜。而且，数据线D被布置使得在存储电容器电极CS2上在与图像分离方向不同的方向上倾斜。如上所述，在梯形的上底处布置的像素薄膜晶体管4TFT和存储电容器电极CS2的上层处，数据线 D通过几个弯曲在X轴方向上延伸。在梯形的上底处的数据线D的弯曲使得能够有效地布置数据线D，因此可以改善开口率。而且，因为像素薄膜晶体管4TFT的沟道被布置使得与 X轴方向平行，所以通过在Y轴方向上设置用于使得多晶硅层结晶的激光退火的扫描方向， 各个邻接像素对的晶体管特性会均勻。存储电容器线CS电连接到存储电容器电极CS2。因此，构成邻接像素对 4PAIR2的各个像素的存储电容器电极CS2具有相同的电势。因为在邻接像素对和 4PAIR2中的大体梯形的像素结合在一起使得梯形的各个上底彼此面对，所以通过提供公共存储电容器电极CS2，可以有效地保证形成存储电容器4CS的区域。因此，与传统技术相比较，可以提高开口率，并且可以提高透光率。如图7和8中所示，根据本示例性实施例的终端装置是蜂窝电话9。上述的图像显示装置1被安装在蜂窝电话9上。如图7中所示，图像显示装置1的X轴方向是蜂窝电话9 的屏幕的垂直方向，并且图像显示装置1的Y轴方向是蜂窝电话9的屏幕的水平方向。如图8中所示，蜂窝电话9的屏幕部分具有包括旋转轴的铰链，并且能够自由地旋转。因此， 图像分离方向(X轴方向)可以被设置为与当在使用中时互连观众的两只眼睛的线基本上平行。而且，因为显示板2具有窄框，所以图像显示装置1可以被适当地应用到便携装置， 而不使得该便携装置所需的功能和设计变差。接着，将说明根据本示例性实施例的像素结构及其效果。在多视点显示装置中，为了实现开口率和图像质量的改善，需要在与在水平方向上的位置无关地将垂直开口率保持得基本上不变的同时使得垂直开口率最大。在Y方向上的开口率，即垂直开口率被定义如下。垂直开口率是通过下述方式获得的值将当使用在垂直于图像分离单元的图像分离方向(在本示例性实施例中为X轴方向)的方向(Y轴方向)上延伸的线段切割像素时的在Y轴方向上的开口的总宽度除以在Y轴方向上的像素节距。在多个视点的显示装置中，为了实现开口率和图像质量的改善，需要在与图像分离方向无关地将垂直开口率保持得基本上不变的同时使得垂直开口率最大。首先，关于栅极线G和数据线D的布置，优选的是，应当在每个像素周围布置栅极线G和数据线D。这使得能够减少在布线之间的死空间并且改善开口率。换句话说，优选的是，避免下述布置其中，各个栅极线G或各个数据线D彼此邻接，而没有其间插入的像素。这是因为，当相同种类的布线彼此邻接时，必须使得布线隔开，以便抑制任何短路，并且这样的空间变为减小开口率的死空间。具体地说，在立体图像显示装置的情况下，至少图像分离方向被设置为显示装置的水平方向。根据存储电容器线CS的布局方向，存储电容器线CS是弯曲的，并且在与图像分离方向不同的方向上倾斜，以便使得垂直开口率不变，而与图像分离方向无关。存储电容器线 CS的倾斜的角度被设置为使得开口率基本上不变的角度。存储电容器线CS被布置在子像素中，并且被布置使得跨过通过子像素的中心的虚拟线B-B’。虚拟线B-B’与Y轴方向平行，并且在子像素的X轴方向上将子像素划分为两个部分。子像素的轮廓是具有相对于Y轴的轴对称轴的大体梯形，因此，虚拟线B-B’也是子像素的轮廓的轴对称轴，并且通过子像素的重心。每个布线的倾斜角被定义使得围绕作为0度轴的+X方向的逆时针的方向是正的。 如图3、4和5中所示，在每个子像素中，栅极线G在与图像分离方向不同的方向上倾斜，并且在其中邻接像素对和4PAIR2的上底指向+Y方向的像素中，在-X侧的栅极线G具有Φ 1的倾斜角，并且在+X侧的栅极线G具有Φ2 = -Φ1的倾斜角。而且，在其中上底指向-Y方向的像素中，在-X方向侧的栅极线G具有Φ' 1 =_Φ1的倾斜角，并且，在+X侧的栅极线G具有Φ‘ 2 = Φ 1的倾斜角。在每个子像素中，存储电容器线CS在与图像分离方向不同的方向上倾斜，并且， 在其中邻接像素对4PA^*4PAIR2的各个上底指向+Y方向的像素中，倾斜角是Θ1。而且，在其中上底指向-Y方向的像素中，倾斜角是θ ‘ 1 = -Θ1。S卩，满足关系θ = I θ 1
=I θ ‘ U。而且，必须从栅极线G的布置方向弯曲栅极线G，以便使得垂直开口率不变，而与图像分离方向的位置无关。垂直开口率的限制的示例是弯曲的倾斜部分的结构、在梯形开口的下底之间的结构和在其上底之间的结构。更具体地，如在图3中的线A-A'所示，在切割倾斜部分的垂直线中，栅极线G的倾斜部分的在Y轴方向的宽度和梯形的下底的在Y轴方向上的宽度影响垂直开口率。而且，如线Β-Β’所示，在切割TFT部分的垂直线中，上底和下底的在Y轴方向上的宽度与存储电容器线CS的倾斜部分的宽度影响垂直开口率。如图5中所示，对于A-A'线和B-B'线共同的是在大体梯形像素的下底处在Y轴方向上的档光宽度。因此，将说明最小化下底的在Y轴方向上的挡光宽度的结构。需要在位于下底的挡光部分处布置至少一条数据线D。为了最小化下底的在Y轴方向上的挡光宽度， 优选的是，仅数据线Dl应当是结构对象。例如，当将薄膜晶体管布置在下底处时，在Y轴方向上的下底的宽度增加与这样的晶体管对应的量，因此不是优选的。具体地说，在线A-A' 中，布置下底使得彼此重叠，下底的在Y轴方向上的宽度的增大影响较大。因此，优选的是， 尽可能避免在大体梯形像素的下底处布置结构对象。因此，变得在减少下底的在Y轴方向上的宽度的同时有可能减少处理的数量。接着，将说明在Y轴方向并且跨过A-A'线的倾斜部分的宽度。布线在该倾斜部分处弯曲，因此在Y轴方向上的宽度增大与弯曲对应的量。例如，当相对于X轴的倾斜角是Φ =I Φ1| = I Φ' 1| = I Φ2| = ι φ' 2|时，并且当倾斜部分的宽度是WI时，倾斜部分的在Y轴方向上的宽度是Wl/C0S(j5。当例如Φ是60度时，倾斜部分的在Y轴方向上的宽度变为倾斜部分的宽度的两倍。倾斜部分的在Y轴方向上的宽度是倾斜部分的宽度Wl的1/ COS Φ倍，并且减少倾斜部分的宽度很重要。为了减少倾斜部分的宽度，优选的是，尽可能不在倾斜部分处布置任何结构对象。当例如在倾斜部分布置薄膜晶体管时，宽度增大与这样的晶体管对应的量，并且在Y轴方向上宽度以l/cosct倍增大，因此不是优选的。然而，如上所述，需要在子像素中布置至少一条栅极线G。最后，将描述在B-B'线中上底的在Y轴方向上的宽度。如上所述，因为难以在下底和在倾斜部分处布置薄膜晶体管，所以需要将薄膜晶体管布置在上底处。而且，减少上底的在Y轴方向上的宽度的布置是重要的。从图3和4显然，在上底在Y轴方向上具有最长宽度的结构对象是图像像素薄膜晶体管4TFT。因此，重要的是，减少像素薄膜晶体管4TFT 的在Y轴方向上的宽度，即在Y轴方向上的其长度。如图5中所示，可以通过下面的公式(4)和(5)来表达在线A-A'中的垂直开口率 A和在线B-B'中的垂直开口率B。A = (Y1+Y2-W 1/cos Φ) / (Y1+Y2+2 X Y3) (4)B= (Yl-W2/cos θ )/(Υ1+Υ2+2ΧΥ3) (5)存储电容器线CS的倾斜角在显示单元被设置为相同角度，并且在邻接像素对中被设置为不同角度。而且，通过在Y轴方向上并排布置的逐个子像素地，存储电容器线CS 在不同的方向上弯曲。并且倾斜角相对于Y轴方向分散。而且，存储电容器线CS平行于X 轴方向。因为栅极线G的倾斜角和存储电容器线CS的倾斜角彼此不同，所以源自透镜的布局周期和布线的布局周期的莫尔条纹的周期可以在每个方向上分散，使得不可能可视地识别莫尔条纹，由此改善显示质量。而且，存储电容器线CS的倾斜部分在Y轴方向上在邻接的像素即邻接像素对 4PAIR和4PAIR2中不平行，而是在X轴方向上在邻接的像素即作为显示单元的像素中彼此平行。存储电容器线CS被分散在Y轴方向上。如图3和4中所示，栅极线G被布置在X轴方向上的邻接的像素之间的边界处，并且邻接的像素的像素电极的各个端在栅极线G的倾斜部分的附近彼此接近。因此，在栅极线G的倾斜部分的附近，因为由像素电极4ΡΙΧ和栅极线G产生的磁场的影响，液晶分子的取向被干扰，并且有可能出现旋转位移。因此，可能因为从背光泄露的光而减小对比度。具体地说，在具有图像分离单元的立体显示元件的情况下，在像素中的光的本地泄露被放大， 并且被垂直地识别为在亮度上的改变，导致显示质量的降低。因此，期望在栅极线G的倾斜部分附近提供挡光层，以便减少光泄露。在本示例性实施例中，栅极线G的上层被在对向基板2b上设置的黑色矩阵60覆盖，以便阻挡光。期望提供黑色矩阵60，使得考虑到用于TFT 基板加和对向基板2b的丢掉的重叠的余裕来加宽黑色矩阵60。取代黑色矩阵60，可以适当地使用在TFT基板加侧设置的布线材料，以便挡光。 当挡光部分被设置在TFT基板加侧时，可以在该基板上以高精度来将挡光部分图案化，从而可以将挡光层的线宽设置得小，因此，可以提高开口率。具体地说，通过减小挡光层的线宽，可以减少在右和左分离的图像之间的边界处产生的3D莫尔，由此改善立体图像的显示质量。因为栅极线G的倾斜部分被黑色矩阵60覆盖，所以垂直开口率可以被TFT基板加和对向基板2b的重叠的精度影响，并且改变。期望将源自重叠精度的垂直开口率的波动设计在士 10%的范围内。
在本示例性实施例中，在开口处布置的存储电容器线CS被像素电极4PIX覆盖。因此，完全阻挡由存储电容器线CS产生的电场，因此可以抑制电场向液晶层5LC的进入。因此，在存储电容器线CS的上层处不出现源自液晶取向的干扰的光泄露，并且不必提供黑色矩阵60。因此，可以提高开口率。为了防止进入显示板2的外部光被存储电容器线CS反射，并且抑制图像质量的降低，期望尽可能减少跨过开口的存储电容器线CS的面积。而且，期望存储电容器线CS的表面应当尽可能是低反射的。低反射的膜可以形成在存储电容器线CS上。因此，如图5中所示，期望存储电容器线CS的宽度W2应当小于栅极线的倾斜的挡光部分宽度W1，并且，应当满足下面的关系。Wl > W2(6)而且，为了在期望的像素中提高开口率，期望大体梯形像素的上底的挡光部分宽度Y2应当小于在梯形开口的Y轴方向上的宽度Y1，并且应当满足下面的关系。Yl > Y2(7)如图3中所示，在本示例性实施例中，栅极线G的倾斜角和存储电容器线CS的倾斜角彼此不同。在其中上底指向+Y方向的邻接像素对4PAIR2的像素的情况下， 通过像素开口的存储电容器线CS的倾斜角θ 1被设置得小于栅极线G的倾斜角Φ1。栅极线G被布置在显示单元的中心处，并且较大程度地影响右和左图像的分离性能。具体地说， 栅极线G的倾斜角越大，其中右和左图像混和的区域Χ3变得更大，并且3D串音增加，因此难以提高栅极线G的倾斜角。具体地说，如图5中所示，当其中右和左图像混和的区域的宽度是Χ3时，期望在具有宽度Χ3的区域中的开口区域应当等于或小于像素开口区域的10%。 相反，存储电容器线CS的倾斜角θ 1不较大程度地影响3D串音，并且可以比栅极线G的倾斜角Φ1小。为了使得垂直开口率的在X轴方向上的波动尽可能平缓，期望存储电容器线 CS的倾斜角应当小。因此，应当满足下面的关系。θ 1 < φ 1(8)通过减少存储电容器线CS的倾斜角，存储电容器线CS可以在挡光部分的端部处与栅极线G交叉，该挡光部分可以被看作在X轴方向上连续地弯曲的挡光布线部分。这使得能够减小由于图像分离单元的放大效果导致产生的亮度的改变。而且，为了减小3D串音，期望在开口中的大体梯形像素的上底的长度Xl应当大于在X方向上的、从大体梯形像素的倾斜侧的中心点至与上底的交叉的长度Χ2。在这种情况下，应当满足下面的关系。Xl > Χ2(9)而且，为了减小3D串音和提高开口率，期望在开口中的大体梯形像素的上底的长度Xl应当大于在X轴方向上的大体梯形像素的倾斜区域的宽度Χ2的两倍的值，S卩，2ΧΧ2。 而且，期望长度Xl应当比其中在X轴方向上的邻接像素中的大体梯形的像素的开口在X轴方向上重叠的区域的宽度Χ3长。因此，应当满足下面的关系。Xl > (2ΧΧ2) > Χ3(10)通常，从存储电容器4CS的形成的视点看，当存储电容器线CS被布置在薄膜晶体管的附近时，是最有效的。这是因为，在连接到像素薄膜晶体管4TFT的漏极电极的电极和连接到存储电容器线CS的电极之间形成存储电容器4CS。具体地说，在本示例性实施例中，存储电容器电极CS2被设置在用于控制邻接像素对的各个子像素的像素薄膜晶体管 4TFT之间，并且，邻接像素对4PAIR2具有公共存储电容器电极CS2，因此有效地布局用于形成存储电容器4CS的区域，由此改善开口率。而且，在本示例性实施例中，用于控制邻接像素对的每个像素的像素薄膜晶体管 4TFT使用双栅极结构，并且，像素薄膜晶体管4TFT的通道被布置使得与X轴方向平行。每个像素薄膜晶体管4TFT的源极电极通过接触孔4C0NT2电连接到每个像素电极，以便控制在+Y侧或在-Y侧的像素。接触孔4C0NT2被设置在要控制的每个像素电极的一侧，因此有效地布置接触孔。根据这个结构，连接到数据线D的每个漏极电极不与X轴方向平行，因此需要弯曲数据线D以便将其连接到漏极电极。如图3和4中所示，在本示例性实施例中，在与图像分离方向不同的方向上布置和倾斜在存储电容器电极CS2的上层的数据线D，并且以最短距离电连接在邻接像素对中设置的像素薄膜晶体管4TFT的各个漏极电极。在漏极电极和使用具有倾斜的数据线D的布线布局结构的数据线D之间的连接可以被应用到所有的邻接像素对，因此，可以保证向每个像素的写入条件的统一性。在本示例性实施例中，描述了双栅极布局，但是本发明不限于这种类型的布局，并且，像素薄膜晶体管4TFT可以使用单栅极结构或三栅极结构。通过使用诸如双栅极结构或三栅极结构这样的多栅极结构，可以减少当薄膜晶体管处于断开状态中时的光泄露电流， 因此，可以抑制从图像显示装置的背光或外部发射的光导致的TFT特性的变差。因此，可以抑制闪烁、噪声和串音，并且，可以提供高质量图像显示装置。具体地说，与使用非晶硅的薄膜晶体管相比较，使用多晶硅的薄膜晶体管在源极和漏极之间具有小电阻，因此，上述的多栅极结构的应用是显著有效的。而且，通过提高来自高清晰度像素的背光的亮度来获得光亮度。在大体梯形像素的上底处的像素薄膜晶体管4TFT分别控制在Y轴方向上邻接的在+Y侧的像素和在-Y侧的像素。因此，在存储电容器电极CS2和数据线D的交叉处，在与图像分离方向不同的方向上布置和倾斜数据线D。在存储电容器电极CS2的上层的倾斜的数据线D被布置在图3中的相对于图像分离方向的角度θ D2处和在图4中的相对于图像分离方向的角度θ D4处，以便连接用于驱动在邻接像素对中的各个像素的像素薄膜晶体管4TFT。在与图像分离方向不同的方向上布置和倾斜在存储电容器线CS的上层布置的数据线D，使得减少无益的空间，并且无益空间可以被用作用于存储电容器4CS的空间。像素薄膜晶体管4TFT的硅薄膜部分被堆叠在数据线D上。在该硅薄膜部分的上层处在与图像分离方向不同的方向上布置和倾斜数据线D。例如，在图3中，在硅薄膜的上层处在数据线D和X轴方向之间的角度是θ D1，并且在图4中，在硅薄膜的上层处在数据线 D和X轴方向之间的角度是0D3。关于像素薄膜晶体管4TFT、数据线D和在梯形的上底处的接触孔4C0NT1和 4C0NT2，它们之间的关系是相对于在存储电容器电极CS2上设置的数据线D的中点周围的点对称。晶体管的这样的布局和数据线D的这样的布局最小化了布局面积，因此，提高了像素的开口率。挡光层和滤色器可以被布置在TFT基板加侧。这改善了重叠精度，使得可以减少挡光层的宽度并且可以提高开口率。而且，通过减小覆盖栅极线G的挡光层的宽度，可以减小3D莫尔，因此，可以改善显示质量。
接着，将说明根据本示例性实施例的使用上述配置的图像显示装置1的驱动方法，即驱动操作。图9是示出在本示例性实施例的图像显示装置1中的各个像素的极性的平面图。在本示例性实施例中，通过点反转驱动来驱动图像显示装置1。如图10中所示，点反转驱动是下述驱动技术该技术使得对于每条数据线传输的显示数据的极性相对于参考电势反转，使得对于每条栅极线通过每条数据线传输的显示数据的极性反转，并且使得对于每个帧反转显示数据的极性。点反转驱动被称为IHlV反转驱动。这是因为对于在水平方向(H方向)上布置的每条数据线并且对于在垂直方向(V方向)上布置的每条栅极线反转极性。将参考图9详细说明，图9示出作为点反转驱动的结果的在帧中实现的各个像素的极性。首先，当选择栅极线Gl时，具有正极性的显示数据被传输到数据线D1，并且具有正极性的电压被写入像素Pll中。而且，具有负极性的显示数据被传输到数据线D2，同样，具有正极性的多个显示数据被分别传输到D3、D5、D7、D9、Dll和D13，并且具有负极性的多个显示数据分别被发送到数据线D4、D6、D8、DlO和D12，接着，当选择栅极线G2时，所有数据线的各自极性反转。即，具有负极性的多个显示数据被分别传输到Dl、D3、D5、D7、D9、Dll 和D13，并且具有正极性的多个显示数据分别被传输到数据线D2、D4、D6、D8、D10和D12。同样，当分别选择栅极线G3、G5和G7时，像当选择栅极线Gl时，应用相同的状态，和当选择栅极线G4时，像当选择栅极线G2时，应用相同的状态。当这个帧结束时，在下一个帧中，进一步执行极性反转。即，当选择栅极线G1、G3、G5和G7时，具有负极性的多个显示数据被分别传输到Dl、D3、D5、D7、D9、Dll和D13，并且具有正极性的多个显示数据分别被传输到数据线02、04、06、08、010和012。而且，当分别选择栅极线G2、G4和G6时，具有正极性的多个显示数据分别被传输到数据线Dl、D3、D5、D7、D9、Dll和D13，并且具有负极性的多个显示数据分别被传输到数据线D2、D4、D6、D8、DlO和D12。如图9中所示，由右眼像素4R构成的像素组具有带来二线点反转OHlV点反转) 效果的极性分布。由左眼像素4L构成的像素组也是这样。因此，由一只眼睛可视地识别的图像的极性分布看起来好像对于在水平方向(H方向)上布置的每两条数据线或对于在垂直方向(V方向)上布置的每条栅极线反转极性。根据本示例性实施例的极性分布的基本组是在X轴方向上的4个像素和在Y轴方向上的4个像素，总共16个像素。在本示例性实施例中，当在每个像素中写入显示数据时，可以抑制在存储电容器线CS中的电势改变。这是因为，对于邻接像素对4PAIR2公共的存储电容器电极 CS2不仅连接到其中在连续两个栅极选择周期期间写入具有正极性的显示数据的像素，而且连接到其中写入具有负极性的显示数据的像素。因此，可抑制存储电容器线CS的电势向在一侧的极性的波动，并且减少存储电容器线CS延伸的方向上出现的串音，由此完成高质量显示。本示例性实施例的配置通过一般的点反转驱动实现了每个存储电容器线CS的二线点反转效果和电势波动抑制效果，并且使得在各自的底边具有邻接的梯形开口的像素的各自的极性是相同的。因此，以低成本实现了高质量显示。在点反转驱动中的参考电势的示例是对于像素电极4PIX的公共电极的电势。然而，在精确的含义上，DC偏移被应用到公共电极电势，以便减少通过薄膜晶体管引起的穿透的效果，并且DC偏移与参考电势不同。
将详细描述其中柱镜光栅式透镜3作为图像分布单元的情况。在本示例性实施例中，图像分布单元需要沿着其中布置了左眼像素4L和右眼像素4R的第一方向、即X轴方向将从各个像素发射的光分布到不同的方向。因此，将首先参考图11来说明最大化图像分布效果的情况。假定在柱镜光栅式透镜3的主点、即其顶点和像素之间的距离是H，柱镜光栅式透镜3的折射率是n，并且透镜节距是L。即，在本示例性实施例中，在X轴方向上的每个左眼像素4L或右眼像素4R的节距是P。在图像分离方向上作为每个左眼像素4L或右眼像素4R的显示单元的布置节距Pu是2P。而且，假定在柱镜光栅式透镜3和观众之间的距离是最佳观看距离0D，并且在最佳观看距离OD中的图像的放大投影图像的周期，即左眼像素4L和右眼像素4R在与透镜平行并且与透镜相距最佳观看距离OD的虚拟平面上的投影图像的宽度的各自的周期是e。而且，假定在X轴方向上从位于柱镜光栅式透镜3的中心处的柱面透镜3a的中心至位于柱镜光栅式透镜3的端部的柱面透镜3a的中心的距离是WL，并且，在X轴方向上在作为位于显示板2的中心处的左眼像素4L或右眼像素4R的显示单元的中心和显示板2的端部处的显示单元的中心之间的距离是WP。而且，假定位于柱镜光栅式透镜3的中心处的柱面透镜3a 的光入射角和光出射角分别是α和β，并且，位于在X轴方向上的柱镜光栅式透镜3的端部处的柱面透镜3a的光入射角和光出射角分别是γ和δ。而且，假定在距离WL和距离 WP之间的差是C，并且在具有距离WP的区域中包括的子像素的数量是an。柱面透镜3a的布置节距L和子像素的布置节距Pu彼此相关，因此节距的任何一个被根据另一个节距来设置。一般地，柱镜光栅式透镜3通常根据显示面板被设计，像素的布置节距P被取为常数。而且，通过选择柱镜光栅式透镜3的材料来设置折射率η。相反， 在透镜和观众之间的最佳观看距离OD和在最佳观看距离OD中的像素放大投影图像的周期 e被设置为期望值。基于那些值，设置在透镜的顶点和像素之间的距离H和透镜节距L。基于斯涅尔定律和几何关系来满足下面的公式。nXsina = sin β(11)ODXtan^ = e(12)HXtana =P(13)nXsin γ = sin δ(14)HXtany = C(15)ODXtan δ =WL(16)WP-WL = C(17)WP = PuXm = 2XmXP (18)WL = mXL(19)将说明如上所述最大化图像分布效果的情况。这是在柱镜光栅式透镜3的顶点和像素之间的距离H和柱镜光栅式透镜3的焦距f被设置为相同的情况。因此，满足下面的公式00)。当透镜的曲率半径是r时，可以从下面的公式获得曲率半径r。f = H(20)r = HX (n-l)/n(21)下面总结上述参数。即，根据显示板2来设置像素的布置节距P，并且基于图像显
24示装置1的设置来设置最佳观看距离OD和像素放大投影图像的周期e。基于透镜的材料等来设置折射率η。从上述参数得出的透镜布置节距L和在透镜和像素之间的距离H是用于设置其中来自每个像素的光被投影在观看平面上的位置的参数。透镜的曲率半径r是改变图像分布效果的参数。即，当在透镜和像素之间的距离H是固定值时，如果透镜的曲率半径从理想值改变，则右和左图像模糊，并且变得难以清楚地分离那些图像。即，如果获得使得分离有效的曲率半径的范围，则适当。首先，计算曲率半径范围的最小值，其中，通过透镜的分离效果是有效的。如图12 中所示，为了具有分离效果，应当在以透镜节距L作为底边并且以焦距f作为高度的三角形和以子像素节距P作为底边并且以H-f作为高度的三角形之间满足相似的关系。因此，满足下面的公式(22)，并且可以获得焦距的最小值fmin。fmin = HXL/(L+P)(22)接着，将基于焦距来计算曲率半径。当使用公式时，可以从下面的公式03) 获得曲率半径的最小值rmin。rmin = HXLX (n-l)/(L+P)/n (23)接着，计算曲率半径的最大值。如图13中所示，为了具有通过透镜的分离效果，应当在以透镜节距L作为底边并且以焦距f作为高度的三角形和以子像素节距P作为底边并且以H-f作为高度的三角形之间满足相似的关系。因此，满足下面的公式(M)，并且可以获得焦距的最大值fmax。fmax = HXL/(L-P)(24)接着，基于焦距来计算曲率半径。当使用公式时，可以从下面的公式05)获得曲率半径的最大值rmax。rmax = HXLX (n-1)/(L-P)/n(25)下面是上面的说明的总结。为了使得透镜带来图像分布效果，需要透镜曲率半径应当在由从公式03)和05)得出的下面的公式06)指示的范围内。HXLX (n-l)/(L+P)/n ^ r ^ HXLX (n-1)/(L-P)/n(26)在上面的说明中，说明了用于右眼像素和左眼像素的两视点立体图像显示，但是本发明不限于这种类型的图像显示装置。例如，本发明可以被应用到用于N个视点的图像显示装置。即，根据N个视点的方案，显示单元的节距Pu和子像素节距P满足关系Pu = NXP0在这种情况下，在距离WP的定义中，在具有距离WP的区域中包括的像素的数量可以从ail改变至NXm。根据本示例性实施例的上述配置，为了实现图像质量的进一步改善，优选的是，垂直开口率应当完全恒定，而与在水平方向(即，X轴方向)上的位置无关。然而，具体地说， 在梯形开口的倾斜部分的顶点附近，因为挡光部分的形成精度等，难以使得垂直开口率完全恒定。因此，根据本示例性实施例，如图12和13中所示，透镜的焦点从像素表面移位，以便减少源自挡光部分的形成精度的效果，由此实现图像质量的改善。如上所述通过使得透镜的焦点从像素表面移位来设置模糊区域并且改善图像质量的技术在下面被称为“去焦效果”。而且，会模糊的有效区域，即去焦宽度别称为“斑大小 SP”。在本示例性实施例中在图像分离方向、即在X轴方向上会有效地模糊的去焦宽度是斑大小SP。根据相距透镜焦点的位置的距离来设置斑大小SP的大小，并且可以通过调整柱镜光栅式透镜片和对向基板2b的偏振板11的厚度来设置斑大小SP的大小。当在X轴方向上的梯形的倾斜侧的宽度是WXl时，如图5中所示，满足WXl =W sin Φ 1，并且，在X轴方向上从在梯形开口的倾斜侧和其上底之间的交叉处至在该倾斜侧和下底之间的交叉处的长度是2ΧΧ2。优选的是，当透镜的焦点从像素表面移位时的斑大小SP应当在从等于或大于WXl 至等于或小于2 XΧ2的范围内。当斑大小SP是WXl时，它是可以使得梯形开口的倾斜区域综合地模糊的极限，并且优选的是，斑大小SP应当被设置为大于这样的极限。当斑大小是 2ΧΧ2时，可以模糊的区域可以被扩展到在梯形开口的倾斜侧及其上底之间的交叉处，并且扩展到在该倾斜侧和下底之间的交叉处。然而，如果要模糊的区域进一步放大，则透镜的分离性能降低。因此，当优先地设计透镜的分离性能时，优选的是，透镜曲率因子应当在满足下面的公式(XT)或08)的范围内。HXLX (n-l)/(L+2XX2)/n ^ r ^ HXLX (n-1)/(L+WX2)/n (27)HXLX (n-l)/(L-WX2)/n 彡 r 彡 HXLX (n-l)/(L-2XX2)/n (28)在本示例性实施例中，当在X轴方向上的倾斜的存储电容器线CS的宽度是WX2 时，如图5中所示，满足WX2 = W2/sin θ 1。为了使得在存储电容器线CS和梯形的倾斜侧之间的交叉处综合地模糊，优选的是，斑大小SP应当在从等于或大于WXl至等于或小于 2Χ (WX2+X2)的范围内。当斑大小是WXl时，它是可以使得梯形开口的倾斜区域综合地模糊的极限，并且优选的是，斑大小SP应当被设置为大于这样的极限。当斑大小是2Χ (WX2+X2) 时，可以模糊的区域可以扩展到在存储电容器线CS和挡光部分之间的交叉处。因此，源自存储电容器线CS的形成精度的效果被减小，以便实现图像质量的改善。当对于图像质量的源自存储电容器线CS的形成精度的影响大时，这特别有效。然而，如果模糊水平增加得更多，则3D串音的水平增加，并且不是优选的。因此，优选的是，将透镜曲率设置在满足下面的公式(29)或(30)的范围内。HXLX (n-1)/(L+2XWX2+2XX2)/n ^ r ^ HXLX (n-1)/(L+WX1)/n(29)HXLX (n-l)/(L-WXl)/n 彡 r 彡 HXLX (n-l)/(L-2XWX2-2XX2)/n (30)接着，详细描述根据本示例性实施例的像素结构的影响和透镜的影响。首先，将参考图形说明在本说明书中的3D莫尔的定义。图14是示出根据本示例性实施例的图像显示装置1的亮度分布的图形。在水平方向上的观看位置X指示图像分离方向的角度，并且垂直于显示平面的方向，即Z轴方向被设置为0。在垂直方向上的亮度Y 指示当在角度方向上的亮度分布上的最大值是1时的相对亮度。观众位置的-X侧是与向右眼侧输出的图像对应的亮度分布，并且+X侧是与向左眼侧输出的图像对应的亮度分布。虚线指示当仅通过在右眼像素4R和左眼像素4L之间的一个像素来输出图像时的亮度分布，并且粗线指示当通过两个像素显示图像时的亮度分布。因此，与由虚线指示的各个视点对应的亮度分布的总和等于由粗线指示的亮度分布。根据本示例性实施例的像素被设计使得在图像分离方向上的垂直开口率变得基本上不变，但是垂直开口率因为通过TFT生产处理和板生产处理的形成精度而不完全变得不变，并且亮度可能相对于观众位置X局部改变。具体地说，当TFT基板加和对向基板2b 的重叠在Y轴方向上较大幅度地未对齐时，亮度有可能改变，这被阻挡通过栅极线G的光的黑色矩阵60影响。如图14中所示，由于栅极线G的挡光部分导致产生在(X0，Y0)附近产生的亮度波动，并且，由于存储电容器线CS产生在0(R2，YR2)和(XL2，YL2)附近的亮度波动。这样的亮度波动被称为3D莫尔，并且在本说明书中被定义如下。YC= (YLl+YRl)/2(31)AYC = (YC-YO) /YC(32)Δ YC/Δ XC = Δ YC/(XRl-XLl)(33)YL= (YLl+YL3)/2(34)Δ YL = (YL-YL2) /YL(35)Δ YL/ Δ XL = Δ YR/ (XL1-XL3)(36)YR= (YRl+YR3)/2(37)Δ YR = (YR-YR2) /YR(38)Δ YR/ Δ XR = Δ YR/ (XR3-XR1)(39)AYs = ( Δ YL+ Δ YR) /2(40)Δ Ys/Δ Xs = (Δ YL/ Δ XL+ Δ YR/ Δ XR) /2 (41)如图14中所示，右眼的可视觉识别的范围eR和左眼的可视觉识别的范围eL被定义如下。eR = XR4(42)eL = -XL4(43)而且，从图5满足下面的关系式。(XR3-XR1) (XLl-XRl) = Xl 2XX2 (44)图15是示出用于图像显示装置1的评估结果的表。如图15中所示，本发明的发明人利用具有分别被设置为30度、45度、60度、以及90度的存储电容器线CS的倾斜角θ 1 的像素来采样，并且评估在每个像素的3D莫尔的光学特性。如图15中所示，从测试结果， 本发明的发明人发现，如果它在亮度波动的预定范围内，则可以向观众提供立体图像，而不使得观众感觉到奇怪。下面更详细地描述这一点。在尝试地建立的评估采样中，栅极线G的倾斜角Φ 1和Φ ‘ 1和栅极挡光部分的宽度Wl是不变的。存储电容器线CS被布置使得跨过子像素的开口，并且其倾斜角被改变使得在存储电容器线CS的宽度W2被保持得不变的同时，存储电容器线CS通过大体梯形开口的中心。因此，开口率根据倾斜角θ 1来改变，并且开口率在θ 1 = 90度变得最大。图16是示例性地示出当存储电容器线CS的角度较大时的像素的平面图。如图16 中所示，在存储电容器线CS和图像分离方向之间的角度是I θ 11| > I Θ1|。当θ 11变得大于θ 1时，在存储电容器线CS和挡光部分之间的交叉变得与在大体梯形像素的倾斜部分和上底之间的交叉分开，因此，区域X' 1变小。相反，形成其中没有倾斜的存储电容器线 CS的区域Χ4。注意，Xl = X' 1+2ΧΧ4。垂直开口率在区域Χ4变得最大。因为存储电容器线CS的宽度W2是不变的，所以θ 11变得越大，则垂直开口的大小变得越大，并且存储电容器线CS的垂直开口率大幅度减小。因此，在区域Χ4的垂直开口率和在区域X'的垂直开口率变得不恒定，并且亮度分布根据在垂直开口率中的差来波动。对于由于在垂直开口率中的差导致产生的亮度波动进行主观评估。根据在图5和16中所示的像素布局，关于在X轴方向上的垂直开口率的波动，垂直开口率在线A-A'和线B-B'中变为最小值。如图14中所示，作为在亮度分布中的最小值的拐点(XL2JL2)和(XR2，YR4)对应于在线A-A'和线B-B'中的垂直开口率的最小值。 而且，如图16中所示，在区域X4中的开口的在Y轴方向上的宽度Yl是垂直开口的大小的最大值，并且其中在图14中所示的图形中的亮度变为最大的拐点对应于Y1。因此，参考其中垂直开口的大小变为最大的Y1，将讨论在线A-A'和线B-B'中的垂直开口的大小。从图 5，可以将在线A-A'中的垂直开口的相对于Yl的波动YA表达为下面的公式。YA = (Yl+Y2-Wl/cos<j5)/Yl(where<j5 = I Φ1| = I Φ2|) (45)从图5，可以将在线B-B'中的垂直开口的相对于Yl的波动YB表达为下面的公式。YB= (Yl-W2/cos θ )/Yl (where θ = | θ 11 = | θ 2|) (46)从图15，在X轴方向上的垂直开口率的波动被设计使得等于或小于35%，并且理想地，等于或小于25%。在这种情况下，满足下面的关系表达式。0. 75 < (Yl+Y2-Wl/cos<ji)/Yl < 1. 25 (47)0. 75 < (Yl-W2/cos θ )/Υ1 < 1. 25 (48)当通过在图15中所示的主观评估3D莫尔是大约25%时，可以观看立体显示，而没有3D莫尔的奇怪，因此可以在通过提高诸如在图16中所示的像素的存储电容器线CS的倾斜角来保持显示质量的同时改善开口率。然而，当倾斜角θ是90度时，有可能可视地识别 3D莫尔，因为亮度分布强烈地改变，导致显示质量的变差。因此，需要存储电容器线CS的倾斜角θ 1是比至少90度小的角度。而且，关于本示例性实施例的像素，期望大体梯形像素的开口形状的在Y轴方向上的宽度应当满足下面的条件(Y2+2XTO) > Yl,以便保证期望的开口率，并且满足形成处理的限制。此时，因为根据本示例性实施例的子像素的开口率是I3X Py = 3 2，所以必须倾斜角本质上等于或大于18.4度。因此，考虑到主观评估的结果，期望存储电容器线 CS的倾斜角应当等于或大于18. 4度，但是等于或小于60度。而且，当在布局上的垂直开口率的波动等于或大于20%时，可以因为去焦效果将 3D莫尔减少为大约一半，并且可以改善显示质量。因此，由于去焦效果，可以减轻在设计上的限制，并且，如果考虑到去焦效果，在像素布局上的垂直开口率等于或小于40%，则是适当的。因此，满足下面的关系表达式。0. 6 < (Yl-W2/cos θ )/Υ1 < 1. 4(49)0. 6 < (Yl+Y2-Wl/cos<ji-W3)/Yl < 1. 4 (50)而且，当在最佳观看范围内观看立体图像时，不像在以两眼的中心(X0，Y0)作为最小值的情况下产生的3D莫尔那样，在右眼观看范围eR的中心和左眼观看范围eL的中心产生的3D莫尔不可能引起注意，因此期望将Ak设置为小于AYc。而且，期望应当满足条件AYc/Ak > Δ Ys/Δ Xs,以便通过将亮度分布的波动保持得缓和来使得3D莫尔不明显。 <第一示例性实施例的修改示例>接着，将说明第一示例性实施例的第一修改示例。图17是根据第一示例性实施例的第一修改示例的显示板2的平面图。如图17中所示，存储电容器线CS被布置使得穿过像素开口，并且黑色矩阵60的端部在其中黑色矩阵 60接触存储电容器线CS的位置从图像分离方向倾斜。在区域Χ12的黑色矩阵60的倾斜角满足条件I θ 1| = Φ1 = I Φ' 1| = I Φ2 = I Φ' 2|。因此，使得在X轴方向上的垂直开口率在区域Xl不变，因此可以减少源自存储电容器线CS的3D莫尔。除了上述配置和操作之外的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。接着，将说明第一示例性实施例的第二修改示例。图18是根据第一示例性实施例的第二修改示例的显示板2的平面图。如图18中所示，存储电容器线CS被布置使得穿过像素开口，并且在该开口弯曲。而且，存储电容器线 CS的倾斜部分沿着线C-C'在Y轴方向上的宽度和存储电容器线CS沿着线D-D'在Y轴方向上的宽度彼此相等，并且，垂直开口在X轴方向上大体不变。除了上述配置和操作之外的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。接着，将描述第一示例性实施例的第三修改示例。图19是根据第一示例性实施例的第三修改示例的显示板2的平面图。如图19中所示，在相对于X轴方向连续地改变在存储电容器线CS和图像分离方向之间的角θ 1的同时，存储电容器线CS穿过像素开口。存储电容器线CS至少部分地具有带曲率的区域。黑色矩阵60的开口具有如下的边，该边具有曲率并且逐渐地弯曲和变形，由此构成大体梯形像素的开口。垂直开口率的波动根据曲率而逐渐地改变，因此可以减小亮度分布的波动。因此，不可能可视地识别3D莫尔。除了上述配置和操作之外的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。接着，将描述第一示例性实施例的第四修改示例。图20是根据第一示例性实施例的第四修改示例的显示板2的平面图。如图20中所示，穿过开口的存储电容器线CS的至少一部分被黑色矩阵60覆盖。黑色矩阵60被设置在对向基板2b侧。因此，可以减小入射光向板内的反射，因此可以改善诸如家外的光亮位置处的可见性。除了上述配置和操作之外的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。在本示例性实施例中，为了便于理解，栅极线G的数量和数据线D的数量限于至少说明所需的数量。然而，本发明不限于这样的数量，并且那些线的数量对于本发明不必要。在本示例性实施例中，当在栅极电极的电势相对于源极电极或漏极电极的电势变为低电平时，像素薄膜晶体管4TFT变得在源极电极和漏极电极之间导通。相反，可以使用所谓的NMOS薄膜晶体管，其当在栅极电极的电势相对于源极电极或漏极电极的电势变为高电平时变得导通。在本示例性实施例中，像素的接触孔4C0NT1和4C0NT2被布置得在X轴方向上从像素的中心移位。当通过诸如透镜这样的图像分离单元在观看平面上执行放大的投影时， 观众的视点很可能位于像素中心附近。当在像素的中心附近布置接触孔4C0NT1和4C0NT2 时，液晶分子的取向被干扰，这可能副作用于显示操作。因此，如果在像素的中心附近布置接触孔4C0NT1和4C0NT2，则显示质量可能在对于观看最佳的位置变差。因此，像本示例性实施例那样，通过布置接触孔4C0NT1和4C0NT2使得从像素的中心附近移位，能够改善显示质量。而且，当构成邻接像素对的各自的像素被布置得相对于点对称时，可防止接触孔 4C0NT1和4C0NT2的各自的X轴坐标彼此重合。这防止了多个接触孔4C0NT1和4C0NT2冗余地在观看平面上的相同位置处具有各自的影响，由此改善图像质量。在本示例性实施例中，说明邻接像素对和4PAIR2的每个的各自的像素被布置得相对于点对称的情况。这表示构成邻接像素对和4PAIR2的各自的像素的像素薄膜晶体管4TFT的各自的位置相对于邻接像素对和4PAIR2的在X轴方向上的中线对称。本发明不限于这种配置，并且例如，邻接像素对的各自的像素的薄膜晶体管4TFT的各自的位置可以在X轴方向上不对称。这允许各自的像素在薄膜晶体管的位置上具有改变，因此防止多个薄膜晶体管在观看平面上的相同位置处具有冗余的影响，由此改善图像质量。在本示例性实施例中，说明覆盖除了其开口之外的像素的挡光层可以形成在对向基板2b内部的情况。挡光层可以覆盖像素的开口的一部分，并且由挡光层形成的开口和像素的开口可以具有类似的形状。而且，由挡光层形成的开口可以比像素的开口小。这抑制了在开口形状上的改变，即使TFT基板加和对向基板2b未对齐，由此改善图像质量。在本示例性实施例中的在栅极线G、数据线D和像素之间的连接关系可以被表达如下。即，在多条数据线D的任何两条之间夹着的像素行具有交替地布置的、通过像素开关连接到一条数据线D的像素和通过像素开关连接到另一条数据线D的另一个像素，并且在多条栅极线G的任何两条之间夹着的像素列具有交替地布置的、通过像素开关连接到一条栅极线G的像素和通过像素开关连接到另一条栅极线G的另一个像素。为了使用这样的布置，优选的是，所布置的数据线D的数量应当比像素行的数量大1。同样，优选的是，所布置的栅极线G的数量应当比像素列的数量大1。说明柱镜光栅式透镜3具有在作为朝向用户的方向的+Z方向平面上布置的透镜表面的情况。然而，本发明不限于这种配置，并且，可以在作为朝向显示板的方向的-ζ方向上布置透镜表面。在这种情况下，可以减少在透镜和像素之间的距离，因此这种配置有益于高清晰度成像。显示单元可以由正方形形成。以正方形形成的表达意味着显示单元的在X轴方向上的节距与其在Y轴方向上的节距重合。换句话说，在重复地布置显示单元的方向上，其节距保持完全相同。上面的说明用于在观看平面上设置多个视点并且使得用于各个视点的像素从显示平面的所有显示单元向相应的设置视点发光的技术。这种技术被称为集光技术，因为向那个视点收集用于特定视点的光。该集光技术被分类为上述的两视点类型的立体图像显示装置和具有更多地增加的视点数量的多视点型立体图像显示装置。图21是示出集光技术的概念图。集光技术具有下述特征进入观众眼中的光束被再现和显示。本示例性实施例的图像显示装置1可以有效地被应用到该集光技术。而且，提出了所谓的空间图像技术、空间图像再生技术、空间图像再现技术和空间成像技术。图22是空间图像技术的概念图。不像所述集光技术那样，空间图像技术没有特定的视点。然而，所不同的是从空间对象发射的光被再现和显示。空间图像技术被分类为通过集成照像技术、集成摄影技术和集成成像技术的立体图像显示装置。根据空间图像技术，位于任意位置的观众不是仅观看到在整个显示平面上的用于同一视点的像素。然而，存在通过用于同一视点的像素形成的具有预定宽度的多种区域。可以在每个区域获得与集光技术相同的效果，因此本示例性实施例的图像显示装置1可以有效地被应用到空间图像技术。在上面的说明中，术语“视点”表示“其中观看图像显示装置的位置(观察位置)”或“观众的眼睛应当位于的点或区域”，而不是“观众所关注的显示区域上的点(观看点)”。如果偏振板11未被附于在本示例性实施例的图像显示装置1上安装的液晶显示板2上而是可以被设置在柱镜光栅式透镜3外侧，则较好。而且，偏振板11可以相对于柱镜光栅式透镜3被布置在观众侧。通过改变偏振板11的布置，可以容易地调整在透镜的顶点和像素之间的距离H。这改善了设计的自由度。在本示例性实施例的图像显示装置1中内置的图像分离单元可以是视差栅栏，该视差栅栏具有交替地布置的透射区域和非透射区域。视差栅栏可以是如下的电光元件，该电光元件可以通过液晶分子或MEMS快门在透射区域和非透射区域之间切换区域。而且，当 GRIN(梯度折射率)透镜被用作使用液晶的电光元件时，图像分离单元可以具有与本发明相同的效果。在本示例性实施例中，用于第一视点的像素是左眼像素4L，用于第二视点的像素是右眼像素4R，但是本发明不限于该配置。例如，右眼像素4R可以是用于第一视点的像素， 并且左眼像素4L可以是用于第二视点的像素。即使显示板2旋转180度，这种配置通过改变图像数据的布置来允许观众可视地识别像原始状态那样的立体显示。具体地说，在图 8中所示的便携装置通过允许显示平面是可旋转的来改善操作性，并且，与当手拿便携装置时的显示板的方向无关，必须提供信息。本示例性实施例的图像显示装置1的液晶显示板2不限于TN模式的液晶驱动方案，并且可以应用其他液晶驱动模式。在水平电场模式中的液晶驱动模式的示例是IPS(平面内转换)方案、FFS(边缘场转换)方案和AFFS(高级边缘场转换)方案。而且，在垂直取向模式的情况下，示例是具有多域的MVA(多域垂直排列)方案，使得减少了视角依赖性； PVA(图案化的垂直排列)方案和ASV(高级超级ν)方案。而且，可以适当地使用OCB(光学补偿的弯曲)方案和膜补偿TN模式的液晶显示板。说明了本示例性实施例的显示板2是使用液晶分子作为电光元件的液晶显示板的情况。液晶显示板不限于透射液晶显示板，而是可以是反射液晶显示板、半透射液晶显示板、具有比反射区域更大比率的透射区域的轻微反射液晶显示板、和具有比透射区域更大比率的反射区域的轻微透射液晶显示板等。而且，TFT方案可以被适当地应用为显示板驱动方案。在TFT方案中的薄膜晶体管可以不仅由非晶硅、低温多晶硅、高温多晶硅和单晶硅形成，而且可以由诸如并五苯的有机材料、诸如氧化锌的金属氧化物或碳纳米管形成。而且， 本示例性实施例的图像显示装置1不限于薄膜晶体管的特定结构。例如，可以适当地应用底栅极型、顶部栅极型、交错类型或反转交错类型。而且，可以适当地应用除了液晶型之外的显示板，诸如有机电致发光显示板或PALC(等离子体地址液晶)。在本示例性实施例中，将蜂窝电话例示为终端装置，但是本发明不限于这种类型的终端装置。例如，本发明可以被应用到各种便携终端装置，诸如PDA、个人TV、游戏机、数字相机、数字摄像机和膝上型计算机。而且，本发明不限于便携终端装置，而是可以被应用到各种固定类型的终端装置，诸如自动提款机，自动售货机、监控器和电视接收器。在本示例性实施例中，说明了用于第一视点的像素是左眼像素4L并且用于第二视点的像素是右眼像素4R的情况，但是本发明不限于这种配置。例如，本发明可以被应用到在显示单元中具有N个视点的立体显示板。在包括N个视点的立体显示板的情况下，可以显示立体图像，并且向其加上至多对于每个视点适当的立体信息，因此可以扩展可以良好地观看立体图像的范围。<第二示例性实施例>接着，将描述本发明的第二示例性实施例。图23和M是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的平面图。关于在Y轴方向上邻接的像素，即在本示例性实施例中的邻接像素对，与第一示例性实施例相比较，一路通过开口的各个存储电容器线CS的方向不平行，并且在与图像分离方向不同的方向上倾斜。而且，关于在X轴方向上邻接的像素，即，构成显示单元的右和左像素，一路通过开口的各个存储电容器线CS的方向不平行，并且在与图像分离方向不同的方向上倾斜。本示例性实施例的像素矩阵具有在X方向和Y方向上并排排列的在图23和M中所示的像素。如图23和M中所示，存在存储电容器线CS的两种类型的倾斜方向，它们在与图像分离方向不同的方向上倾斜。存储电容器线CS的倾斜部分被设置为在邻接像素对中的显示单元中为不同的角度。在本示例性实施例中的存储电容器线CS被布置使得分布在X轴方向和Y轴方向上。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例相同。因此，存储电容器线CS的方向和由柱镜光栅式透镜3产生的莫尔条纹的方向分布在不同方向上，使得变得不可能可视地识别莫尔条纹。同时，3D莫尔具有视场相关性。具体地说，当从立体观看区域之外的位置并且在斜向观看时，在梯形的上底及其下底之间夹着的开口区域中存在其中开口变得不恒定的局部部分。因此，当从这个局部部分观看时，在显示板2上产生大的亮度波动，并且观众感到奇怪。在本示例性实施例中，在与图像分离方向不同的方向上倾斜的栅极线G和在与图像分离方向不同的方向上倾斜的存储电容器线CS基本上连续地被布置在X轴方向上，因此，可以抑制当从除了立体观看区域之外的区域观看时3D莫尔的视场相关性。而且，可以分布由于依赖于膜厚的存储电容器线CS的水平上的差导致产生的基板边界表面上的液晶分子的预斜方向，以便可以抑制当从斜向看时由于在延迟上的改变导致的成色。<第三示例性实施例>接着，将描述本发明的第三示例性实施例。图25和沈是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图，并且图27是示出根据第三示例性实施例的显示板2 的平面图。与第一示例性实施例相比较，在本示例性实施例中，像素形状从大体梯形形状改变为大体八边形形状。以大体八边形形状形成像素，该大体八边形形状通过互连上底和下底的虚拟剖面线将大体梯形像素切割并且划分为两个直角梯形，该两个直角梯形的每个在+Y方向上和在-Y方向上移位预定大小，并且切割部分连接在一起。如图27中所示，区域Xl被划分为三个区域，使得Xl =X' 1+2XX4，并且，存储电容器线CS被布置使得对角地穿过中心区域 V 1。存储电容器线CS被布置使得穿过大体八边形像素的剖面线，并且在邻接像素对
32中设置的像素薄膜晶体管4TFT的沟道不与图像分离方向平行，并且在斜向上移位。而且， 存储电容器线CS的宽度比栅极线G的宽度小。关于在X轴方向上在大体梯形像素的上底处的挡光部分的形状上的改变，挡光部分具有基本上不变的在Y轴方向上的宽度，但是在Y轴方向上改变其形状。而且，垂直开口率在X轴方向上大体不变。在本示例性实施例中的像素的电连接关系与第一示例性实施例相同。因此，在图 25和沈中所示的像素交替地被布置在X轴方向和Y轴方向上，由此构成像素矩阵。如图25中所示，薄膜晶体管的硅薄膜部分和数据线D彼此相交叉，并且数据线D 被布置在硅薄膜部分的上层处，以便在与图像分离方向不同的方向上倾斜。在硅薄膜部分的上层在数据线D和X轴方向之间的角度是0D1。而且，在存储电容器电极CS2的上层倾斜的数据线D被布置在相对于图像分离方向的角度θ D2处，并且，电连接像素薄膜晶体管 4TFT以驱动邻接像素对的相应像素。图25示出邻接像素对4 々顶和在+X侧邻接的子像素。在大体梯形像素的上底处的像素薄膜晶体管4TFT分别控制在Y轴方向上彼此邻接的在+Y侧的像素和在-Y侧的像素，使得在存储电容器电极CS2和数据线D之间的交叉处在与图像分离方向不同的方向上倾斜和布置数据线D。邻接像素对的像素薄膜晶体管4TFT分别在+Y方向和-Y方向上移位预定尺寸，使得在图像分离方向和数据线D之间的角度变大。因此，在邻接像素对 4卩八顶中满足下面的关系式。I θ D2 > I θ Dl I(51)图沈示出邻接像素对4PAIR2和在+X侧邻接的子像素。邻接像素对4PAIR2的相应的像素薄膜晶体管4TFT分别在+Y方向和-Y方向上移位预定尺寸，使得在图像分离方向和数据线D之间的角度变小。因此，在邻接像素对4PAIR2中满足下面的关系式。I θ D4| < I θ D3|(52)除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。在Y轴方向上的大体梯形像素的上底的宽度取决于像素薄膜晶体管4TFT的面积， 并且不能在不改变处理规则的情况下被减小，从而在具有小节距的像素情况下，覆盖大体梯形像素的上底的在Y轴方向上的挡光部分的宽度相对于在Y轴方向上的开口区域的宽度变大。当覆盖大体梯形像素的上底的挡光部分的图像被图像分离单元放大时，它可以被观众识别为在显示单元上的亮和暗斑或条纹，因此显示质量可能变差。与第一示例性实施例相比较，本示例性实施例的像素使用下述配置其中，在将在 Y轴方向上的挡光部分的宽度与X轴方向无关地保持得不变的同时，在Y轴方向上移位和变形在梯形的上底处的挡光部分。同时，开口范围具有与X轴方向无关地不变的在Y轴方向上的宽度，但是在子像素上变形，因此垂直开口率与X轴方向无关地基本上不变。如上所述，在X轴方向上周期地布置移位和变形的像素，并且，与传统技术相比较，在Y轴方向上分布和布置子像素的开口区域。而且，挡光部分在Y轴方向上改变的周期T与像素节距Pu相同，并且以等于或小于显示板2的分辨率的周期改变。因此，不可能可视地识别亮和暗斑或条纹。因此，与第一示例性实施例的像素相比较，本示例性实施例的像素可以减少由于图像分离方向和在梯形的上底处的挡光部分导致产生的亮和暗斑或条纹。
根据本示例性实施例，在切割之前的梯形的上底及其下底在像素的中心彼此接近，因此可以缩短一路通过开口的存储电容器线CS的距离。这减少了布线电阻。而且，可以在保证预定布线电阻的同时缩小存储电容器线CS的宽度，因此可以提高开口率。〈第四示例性实施例〉接着，将描述本发明的第四示例性实施例。图观是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的平面图。与第一示例性实施例相比较，在本示例性实施例中，布置了两条存储电容器线CS，使得一路通过像素开口区域。每条存储电容器线CS在与X轴方向不同的方向上倾斜，使得在图像分离方向中的开口变得基本上不变。存储电容器线CS的各自的宽度和倾斜角可以被设置为相同。该两条存储电容器线CS将开口划分为三个区域。而且，两条存储电容器线CS被布置在子像素中，使得与Y轴方向平行，并且穿过在子像素的X轴方向上均勻地将子像素划分为三个部分的虚拟线。倾斜布线的角度被定义使得顺时针方向是正的，其中将+X方向作为在0度的轴。 栅极线G在与图像分离方向不同的方向上倾斜，并且在其中上底边指向+Y方向的像素中， 在-X侧的栅极线G的倾斜角是Φ1，并且，在+X侧的栅极线G的倾斜角是Φ' 1 =_Φ1。 而且，在其中上底边指向-Y方向的像素中，在-X侧的栅极线G的倾斜角是-Φ 1，并且，在 +X侧的栅极线G的倾斜角是Φ 1。在其中上底边指向+Y方向的像素中，存储电容器线CS的倾斜角θ 1和栅极线G 的倾斜角Φ 1被设置为相同的角度。而且，当将存储电容器线CS的各自的倾斜角彼此相比较时，满足Θ1= θ 2。即，根据本示例性实施例，在子像素中的存储电容器线CS的倾斜角是与在子像素的一侧的栅极线G的倾斜角相同的角度。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。在本示例性实施例中，通过布置所述两条存储电容器线CS，可以抑制由于存储电容器线CS的断裂导致的产量的减少。具体地说，有效的是，通过薄化处理来形成存储电容器线CS并且减小布线面积。每条存储电容器线CS不必通过像素开口的中心，并且也不必将结构对象布置在像素的中心的开口区域处，使得可以减少源自在亮度分布的中心周围的形成精度的亮度波动。而且，可以使得在X轴方向上布置的结构对象的周期更小，因此可以减少源自透镜放大效果的在X轴方向上的亮度和暗度上的改变。<第五示例性实施例>接着，将说明本发明的第五示例性实施例。图四是说出根据本示例性实施例的图像显示装置的平面图。在本示例性实施例中，在子像素中布置被布置使得一路通过像素开口的两条存储电容器线Cs。在子像素中的相应的存储电容器线CS不平行，并且在与图像分离方向不同的方向上倾斜，因此在图像分离方向上的开口变得基本上不变。而且，在与图像分离方向不同的方向上倾斜的栅极线G和在与图像分离方向不同的方向上倾斜的存储电容器线CS在挡光部分的端部附近相交叉，并且大体连续地被布置在X轴方向上。由存储电容器线CS划分的区域具有基本上三角形的形状。期望具有大体三角形形状的区域的每个应当具有相同的面积，并且具体地说，期望每个区域应当是具有高对称性的等边三角形。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。根据本示例性实施例，存储电容器线CS彼此不平行，并且莫尔条纹的方向可以分散，因此不可能可视地识别莫尔条纹。而且，存储电容器线CS在与图像分离方向不同的方向上倾斜，并且在图像分离方向上的开口变得基本上不变，因此可以减少源自透镜放大效果的在亮度和暗度上的改变。用于以对基板而言的垂直方向设置液晶分子72的初始取向的垂直取向(VA)模式可以被适当地应用到本示例性实施例的像素。可以在三角形的中心处和在TFT基板加侧设置用于控制液晶分子的取向的结构对象。由存储电容器线CS划分的区域是具有高对称性的三角形，因此可以按照多域实现液晶分子72的取向，因此可以改善图像质量。可以在对向基板2b侧设置用于控制取向的结构对象。在对向基板2b侧的结构对象可以是在对向电极处设置的狭缝，并且以低成本形成结构对象，而不增加处理的数量。可以使用下述配置其中，在存储电容器线CS的上层不设置像素电极4PIX，并且来自存储电容器线CS的电场被施加到液晶层5LC。这样的配置实现了液晶分子72的取向的稳定控制。<第六示例性实施例>接着，将说明本发明的第六示例性实施例。图30是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的平面图。在本示例性实施例中，两条存储电容器线CS被布置在开口中，并且，在像素开口的中心彼此相交叉。而且，每条存储电容器线CS在与X轴方向不同的方向上倾斜，使得在图像分离方向上的开口变得基本上不变。开口被两条存储电容器线CS划分为四个区域。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。在本示例性实施例中，存储电容器线CS彼此不平行，并且莫尔条纹的方向可以分散，因此，不可能可视地识别莫尔条纹。而且，存储电容器线CS在与图像分离方向不同的方向上倾斜，并且在图像分离方向中的开口变得基本上不变，因此可以减少源自透镜放大效果的在亮度和暗度上的改变。<第七示例性实施例>接着，将描述本发明的第七示例性实施例。图31是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的平面图。在本示例性实施例中，在开口中布置三条存储电容器线CS，并且那些线的至少一条在与其他两条线的方向不同的方向上倾斜。而且，每条存储电容器线CS在与X轴方向不同的方向上倾斜，因此在图像分离方向上的开口变得基本上不变。所述两条存储电容器线 CS将开口划分为三个区域。而且，在子像素中与Y轴方向平行地布置三条存储电容器线CS，并且该三条存储电容器线CS穿过在X轴方向上将子像素均勻地划分为四个部分的线段82。每条倾斜的布线的角度被限定使得顺时针方向是正的，并且以+X方向为在0度的轴。栅极线G在与图像分离方向不同的方向上倾斜，并且在其中上底边指向+Y方向的像素中，在-X侧的栅极线G的倾斜角是Φ 1，并且在+X侧处的栅极线G的倾斜角是Φ' 1 = _Φ1。而且，在其中上底边指向-Y方向的像素中，在-X侧的栅极线G的倾斜角是-Φ 1， 并且在+X侧的栅极线G的倾斜角是Φ 1。其中上底边指向+Y方向的像素中，存储电容器线CS的倾斜角θ 1大于栅极线G 的倾斜角Φ1。而且，当将存储电容器线CS的各自的倾斜角彼此相比较时，满足Θ1= Θ2 =-θ 3。即，根据本示例性实施例，每条存储电容器线CS的倾斜角大于栅极线G的倾斜角。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。根据本示例性实施例，因为栅极线G和存储电容器线CS的各自的倾斜角彼此不同，所以源自透镜和布线的莫尔条纹可以分散，由此改善图像质量。而且，因为存储电容器线CS的至少一条被布置在与另一条存储电容器线CS的方向不同的方向上，所以可以进一步改善莫尔条纹的分散效果。而且，在X轴方向上的存储电容器线CS的结构周期较小，因此可以减小莫尔条纹的节距，并且不可能可视地识别莫尔条纹。<第八示例性实施例>接着，将说明本发明的第八示例性实施例。图32是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的平面图。在本示例性实施例中，在开口中布置三条存储电容器线CS，并且那些线的至少一条在与其他两条线的方向不同的方向上倾斜。而且，每条存储电容器线CS在与X轴方向不同的方向上倾斜，因此在图像分离方向上的开口变得基本上不变。所述两条存储电容器线 CS将开口划分为三个区域。而且，在子像素中与Y轴方向平行地布置三条存储电容器线CS，并且该三条存储电容器线CS穿过在X轴方向上将子像素均勻地划分为四个部分的线段82。如图32中所示，本示例性实施例的像素具有在TFT基板加侧设置的对向电极 4C0M，并且被布置使得覆盖栅极线G的上层和存储电容器线CS的上层。对向电极4C0M通过接触孔4C0NT3连接到存储电容器线CS。像素薄膜晶体管4TFT是MOS薄膜晶体管，将源极电极或漏极电极的任何一个通过接触孔4C0NT1连接到数据线D，并且将另一个电极通过接触孔4C0NT2连接到像素电极 4ΡΙΧ或存储电容器4CS的任何一个。像素薄膜晶体管4TFT还将栅极电极连接到栅极线G。 存储电容器4CS将另一个电极连接到存储电容器电极CS2。像素电极4ΡΙΧ以一定的间隙被布置在对向电极4C0M之间，并且以如梳子齿的方式来在X轴方向上并排地布置像素电极 4ΡΙΧ和对向电极4C0M。在像素电极4ΡΙΧ之间形成像素电容器4CLC。存储电容器线CS和存储电容器电极 CS2形成在同一层上，并且电连接在一起。在TFT基板侧的摩擦方向70和在对向基板侧的摩擦方向71与Y轴方向，S卩，垂直于图像分离方向的方向平行。而且，以正交尼科尔方式布置偏振板11的偏振轴，并且，显示模式是常黑模式。因为显示模式是常黑模式，所以可以在不要求对于液晶分子的电场控制的除了开口之外的区域消除其中设置了黑色矩阵60的区域。因此，在没有覆盖数据线D或栅极线G的黑色矩阵60的情况下，可以将开口打开得较宽。而且，黑色矩阵60的完全消除简化了所述处理。
液晶分子被初始取向在Y轴方向上，并且被具有作为主要分量的、在像素电极 4PIX和对向电极4C0M之间产生的平面内方向分量的电场控制。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。在本示例性实施例中，液晶分子的取向被水平电场控制，因此即使应用了电压，也没有液晶分子在相对于基板的斜向上倾斜。因此，可以获得宽视角。而且，本示例性实施例的像素具有极其优越的视角特性，因此不必粘贴用于膜补偿TN模式和多域垂直取向模式等的补偿膜，因此，可以减小显示板2的厚度。显示板2的厚度的减小使得能够减小在柱面透镜3a的顶点和像素之间的距离，导致设计自由度的改善。根据本示例性实施例，在子像素中，栅极线G和存储电容器线CS具有两种倾斜角， 并且液晶分子72被划分为两个方向的域。在子像素中，两个域区域的各自的区是不一致的，但是可以通过在X轴方向上的彼此邻接的子像素的补偿而是一致的。因此，可以减少当从斜向观看时的成色。具体地说，当显示二维图像时，构成显示单元的每个子像素显示相同的图像，因此对于在二维显示器中的每个显示单元实现光学补偿。而且，因为在TFT基板加侧设置了对向电极4C0M，所以可以消除在对向基板2b侧的对向电极4C0M。而且，像素电极4PIX和对向电极4C0M可以在TFT基板加侧由相同层的相同材料形成。因此，可以简化处理，并且可以降低成本。可以在TFT基板加侧经由绝缘膜来形成像素电极4PIX和对向电极4C0M。通过插入绝缘膜，可以防止短路，由此改善产量。<第九示例性实施例>接着，接收描述本发明的第九示例性实施例。图33是示例性地示出在本示例性实施例的像素之间的电连接关系和极性分布的图。图34是示出在本示例性实施例的图像显示装置中的向数据线D中输入的驱动极性的表。图35和36是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图。本示例性实施例的图像显示装置具有以矩阵方式布置和具有在图33中所示的连接关系的在图35和36中所示的像素。如图35中所示，本示例性实施例的图像显示装置1的驱动方法相对于参考极性来反转对于每两条数据线传输的显示数据的极性，反转对于每条栅极线通过每条数据线传输的显示数据的极性，并且反转每个帧的这样的极性。此点反转驱动被称为2H1V反转驱动。 这是因为，对于在水平方向(H方向)布置的每两条数据线并且对于在垂直方向(V方向) 上布置的每条栅极线，反转极性。将参考图33给出详细描述，图33示出作为在一个帧中的上述的2H1V反转驱动的结果实现的各个像素的极性。首先，当选择栅极线Gl时，具有正极性的显示数据被发送到数据线D1，并且在像素Pll中写入具有正极性的电压。而且，具有负极性的多个显示数据被分别传输到数据线D2、D3、D6、D7、DlO和D11，并且具有正极性的多个显示数据被分别传输到数据线D4、D5、D8、D9、D12和D13。接着，当选择栅极线G2时，反转数据线的所有极性。 即，分别向数据线Dl、D4、D5、D8、D9、D12和D13传输具有负极性的多个显示数据，并且，分别向数据线D2、D3、D6、D7、D10和Dll传输具有正极性的多个显示数据。其后，当分别选择栅极线G3、G5和G7时，像当选择栅极线Gl时那样应用相同的状态，并且当分别选择栅极线G4和G6时，像当选择栅极线G2时那样应用相同的状态。当这个帧结束时，在下一个帧中， 进一步执行极性反转。即，当分别选择栅极线G1、G3、G5和G7时，分别向数据线D1、D4、D5、 D8、D9、D12和D13传输具有负极性的多个显示数据，并且，分别向数据线D2、D3、D6、D7、D10 和Dll传输具有正极性的多个显示数据。而且，当分别选择栅极线G2、G4和G6时，分别向数据线D1、D4、D5、D8、D9、D12和D13传输具有正极性的多个显示数据，并且，分别向数据线 D2、D3、D6、D7、DlO和Dll传输具有负极性的多个显示数据。像素卩11、卩32、卩31、卩52、卩51、卩72、卩71、卩92、卩91、卩112、卩111和P132通过存储电容器线CS电连接到存储电容器电极CS2。关于这样的像素组，当选择栅极线Gl时写入的像素是像素P11、P31、P51、P71、P91 和P111，并且在一帧中在所选择的像素中，其中写入具有正极性的显示数据的像素是P11、 P51和P91，并且其中写入具有负极性的显示数据的像素是P31、P71和P111。其后，在下一个帧周期中，由栅极线Gl选择的像素反转各自的极性。因此，关于在选择栅极线G的周期中向相应像素的显示数据的写入，公共存储电容器电极CS2不仅连接到其中写入具有正极性的显示数据的像素，而且连接到其中写入具有负极性的显示数据的像素，并且以平衡的方式来均勻地写入具有正极性的显示数据和具有负极性的显示数据。如图33中所示，像其中在相同的斜向中定向相同的极性的条那样，布置各个像素的极性。在本示例性实施例中，在TFT基板侧的摩擦处理方向与其中斜向地布置具有相同极性的像素的方向基本上平行。TN模式被应用为液晶驱动技术，并且在TFT基板侧的摩擦方向70和在对向基板侧的摩擦方向71彼此基本上正交。在基板边界面处的液晶分子被取向使得以基本上直角穿过在大体梯形像素的倾斜侧，其中，具有相同极性的像素在X轴方向上邻接。除了上述配置之外的本示例性实施例的配置与第一示例性实施例的那些相同。在本示例性实施例中，当在扫描周期中在每个像素中写入显示数据时，可以抑制存储电容器线CS的电势的波动。这是因为，每条存储电容器线CS不仅连接到其中写入具有正极性的显示数据的像素，而且连接到其中写入具有负极性的显示数据的像素。因此，可防止存储电容器线CS的极性向在一侧的极性波动，并且可以减少在存储电容器线CS延伸的方向上产生的串音，由此实现高质量的显示。本示例性实施例的配置可以在利用一般的反转驱动技术的同时实现每条存储电容器线CS的电势波动抑制效果和二线点反转效果， 并且可以使得在梯形开口的底部分邻接的像素具有相同的极性。因此，可以以低成本实现高质量的图像显示。在本示例性实施例中，其中布置了具有相同极性的像素的方向和在TFT基板侧的摩擦方向70彼此基本上平行，并且通过摩擦处理在基板边界面中锚定的液晶分子被取向跨过在具有相同极性的像素之间的梯形的倾斜侧。在本示例性实施例中，因为液晶分子被取向跨过在具有相同极性的像素之间的梯形的倾斜侧，所以与跨过在具有不同极性的像素之间的倾斜侧的取向相比较，能量稳定。因此，可以减少沿着大体梯形的像素的倾斜侧产生的旋转位移和取向缺陷，因此，可以实现稳定的液晶取向状态。通过减少旋转位移，可以减少在梯形的倾斜侧处的挡光部分的宽度，因此可以抑制3D串音。而且，因为稳定了液晶取向状态，所以改善了可靠性。〈第十示例性实施例〉
接着，将描述本发明的第十示例性实施例。图37是示出根据本示例性实施例的在 TFT基板加侧的图像显示装置的一部分的像素结构的平面图。图38是示出根据本示例性实施例的显示板2的像素的平面图。图39是在图38的平面图中的沿着线C-C'的横截面图。图40是示出根据本示例性实施例的光学模型的横截面图。如图37和39中所示，显示板2具有两个虚拟点，并且具有在图像分离方向、即X 轴方向上交替地布置的右眼像素4R和左眼像素4L。子像素的开口具有大体梯形的形状，并且在X轴方向上并排地布置的子像素具有其中子像素的相应的开口在Y轴方向上重叠的开口区域和其中没有开口在Y轴方向上重叠的开口区域。虚拟线79每条指示在图像分离方向上彼此邻接的子像素之间的边界。参考这条线段，在附图中示出其中每条将子像素在图像分离方向上均勻地划分为两个部分的虚拟线 80和其中每条将子像素在图像分离方向上均勻地划分为三个部分的虚拟线81。栅极线G被布置使得跨过虚拟线79在与图像分离方向不同的方向上倾斜。而且， 在虚拟线80上并且沿着它布置存储电容器电极CS2，并且存储电容器电极CS2相对于虚拟线80是线对称的。构成邻接像素对的相应子像素的存储电容器线CS在以虚拟线80为边界的不同区域处电连接到存储电容器电极CS2。存储电容器线CS被布置在每个子像素的开口处，并且在与图像分离方向不同的方向上倾斜。而且，存储电容器线CS被布置使得跨过Y轴方向上彼此邻接的两个子像素， 并且跨过将子像素在X轴方向上均勻地划分为两个部分的虚拟线80。在Y轴方向上彼此邻接的两个子像素的相应的开口中，存储电容器线CS被布置使得选择性地与将子像素在X轴方向上均勻地划分为三个部分的至少一条虚拟线81相交叉。 在Y轴方向上彼此邻接的子像素中，在每个子像素的开口处布置的存储电容器线CS被布置使得跨越在将子像素在X轴方向上均勻地划分为三个部分的两条虚拟线81之间的不同虚拟线81。在具有公共梯形底的子像素之间的边界处，存储电容器线CS与在梯形的底边布置的数据线D相交叉，并且将在Y轴方向上邻接的邻接像素对电连接在一起。存储电容器线CS被布置使得在梯形的底边跨过将子像素在图像分离方向上均勻地划分为两个部分的虚拟线80，并且被从在图像分离方向中划分的子像素的两个区域之间的区域向另一个区域布线，其中，以在梯形的底边的数据线D作为边界。而且，存储电容器线CS被连续地布置使得在Y轴方向上并排地布置的两个子像素中的垂直开口率变得基本上不变。存储电容器线CS从在梯形开口的上底和其倾斜侧之间的交叉向在下底和虚拟线 80之间的交叉延伸。而且，存储电容器线CS以基本上线性的方式与在X轴方向上延伸的数据线D相交叉。在子像素的开口中，在其中存储电容器线CS延伸的方向和X轴方向之间的角度被设置为Θ1。存储电容器线CS的倾斜方向在每个构成显示单元的子像素之间保持相同，并且在构成邻接像素对的子像素之间保持相同。即，存储电容器线CS具有相对于图像分离方向的角度，该角度于在X轴方向和Y轴方向上布置的每个子像素中全部是相同的角度。在构成邻接像素对的两个子像素中，在各个子像素中布置的存储电容器线CS相对于图像分离方向具有相同的角度，并且被布置使得跨过在两条虚拟线81之间彼此不同的相应虚拟线81，该两条虚拟线81的每条将子像素在图像分离方向上划分为三个部分。
由于像素薄膜晶体管4TFT的连接关系，存在两种邻接像素对，并且每个邻接像素对具有相对于围绕Z轴旋转180度等同的旋转对称轴。在构成显示单元的右眼像素4R和左眼像素4L中布置的相应的存储电容器线CS 被布置使得跨过在两条虚拟线81之间彼此不同的相应虚拟线81，该两条虚拟线81的每条将子像素在X轴方向上划分为三个部分。即，在构成显示单元的子像素中，在相应的子像素中布置的存储电容器线CS在相同的方向上倾斜，并且被布置使得跨过在相应的子像素中彼此相对不同的相应虚拟线81。在Y轴方向上并排地彼此邻接的两个像素中布置的存储电容器线CS被布置使得交替地跨过在两条虚拟线81之间彼此不同的虚拟线81，该两条虚拟线81的每条将子像素在X轴方向上划分为三个部分。对于在Y轴方向上的每两个子像素，重复地布置跨过公共虚拟线81延伸的存储电容器线CS。在X轴方向上布置的像素被布置使得交替地跨过在两条虚拟线81之间的在子像素中彼此不同的相应位置处的虚拟线81，该两条虚拟线81的每条将子像素在X轴方向上划分为三个部分。对于在X轴方向上的每两个子像素，重复地布置如下的子像素，即，所述子像素具有在所述子像素中在相对相同的位置处跨过虚拟线81的存储电容器线CS。如图38中所示，相应颜色红色、蓝色和绿色的滤色器在X轴方向上延伸，并且以红色、蓝色和绿色的顺序如条一样在Y轴方向上重复地排列。黑色矩阵60的图案的周期和存储电容器线CS的图案的周期是对于每两个子像素重复的结构周期。滤色器布置具有以每三个子像素的周期布置的RGB的色条。因此，在Y 轴方向上布置的子像素具有结构周期相同的黑色矩阵60和存储电容器线CS。如图39中所示，关于TFT基板2a，栅极线G和存储电容器线CS由在第一绝缘膜 91上设置的相同层的金属材料形成。而且，像素电极4PIX由在第三绝缘膜93上设置的透明导电材料形成。第二绝缘膜92用于将栅极线G与数据线D隔离，并且第三绝缘膜93具有平坦效果。关于对向基板2b，在液晶层5LC侧，在对向基板2b上设置了黑色矩阵60，并且相对于黑色矩阵60在进一步的液晶层5LC侧设置了滤色器层。相对于滤色器层在进一步的液晶层5LC侧设置了保护膜0C，并且相对于保护膜OC在进一步的液晶层5LC侧设置了对向电极4C0M。从观众可以看到，栅极线G被黑色矩阵60覆盖。大体梯形像素的倾斜侧通过黑色矩阵60进行挡光，并且在其附近发射的光被观众观察到。而且，开口通过存储电容器线CS 来进行挡光。并且在其附近发射的光被观众观察到。因此，在开口处布置的存储电容器线 CS和在梯形的倾斜侧处的黑色矩阵60作为不同的挡光层。根据在TFT基板加和对向基板2b之间的重叠精度来设置栅极线G的覆盖水平δ 和黑色矩阵60的覆盖水平δ。如图40中所示，在观众侧，透镜3a的焦点位于由存储电容器线CS形成的挡光部分之后。在黑色矩阵60的附近，以斑大小SPl执行去焦，并且在存储电容器线CS附近，以斑大小SP2执行去焦。斑大小SPl被设置为大于斑大小SP2。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。
根据本示例性实施例，与第一示例性实施例相比较，可以通过如上所述将在存储电容器线CS和图像分离方向之间的角度θ 1设置得大来减小布线面积，以便可以提高开口率。而且，不必跨过开口布置存储电容器线CS的主要部分，并且可以减少过量光阻挡对象的面积，因此进一步增大开口率。而且，可以缩短在存储电容器电极CS2之间的布线长度， 以便可以减小布线电阻。而且，根据本示例性实施例，存储电容器线CS被布置使得跨过在其中每条在X轴方向上均勻地划分子像素的多条虚拟线当中的相应的不同虚拟线，因此在Y轴方向上布置的多个子像素当中补偿垂直开口率，并且使得垂直开口率在图像分离方向上基本上不变。而且，根据本示例性实施例，存储电容器线CS被布置使得在Y轴方向上彼此邻接的两个子像素之间垂直开口率变得基本上不变。因此，可以在抑制垂直开口率的波动的同时增大开口率。在Y轴方向上共同布置在梯形的底边上的子像素之间的边界处，与图像分离方向基本上平行地延伸的数据线D和在与图像分离方向不同的方向上倾斜的存储电容器线CS彼此基本上线性地相交叉，使得可以抑制源自图案精度的垂直开口的波动。因为数据线D和存储电容器线CS基本上线性地彼此相交叉，所以可以减少布线电容，并且可以减少在图像数据写入时的负载。如图37中所示，关于右眼像素4R的列和右眼像素4R’的列，在X轴方向上并排地布置了在子像素当中具有相对相同的位置处布置的存储电容器线CS的子像素。而且，关于左眼像素4L的列和左眼像素4L’的列，在X轴方向上并排地布置在子像素当中具有相对相同的位置处布置的存储电容器线CS的子像素。即，在每个视点中，在X轴方向上并排地布置的子像素总是重复地具有相同的存储电容器线CS形状。因此，在每一视点区域上显示的图像上，在图像分离方向上的图像质量可以是均勻的。关于高清晰度像素，因为梯形的倾斜侧的宽度，难以使得垂直开口率在图像分离方向上基本上不变。而且，高清晰度像素难以增大在X轴方向上的黑色矩阵60的宽度WBMx， 并且当TFT基板加和对向基板2b的接合略为未对齐时，栅极线G向外扩展，导致在梯形的倾斜侧处的垂直开口率的波动。而且，在黑色矩阵60和子像素开口之间的边界附近，因为在像素电极4PIX和栅极线G之间产生的电场，所以难以控制液晶分子的取向，因此经常出现光泄露，并且当通过透镜放大这样的泄露的光时，它在视觉上被识别为亮度波动，因此， 图像质量变差。因此，源自光泄露和垂直开口率的波动的3D莫尔有可能在黑色矩阵60附近出现。斑大小SP2比斑大小SPl大，因此可以使得由图像分离单元在图像分离方向上分布的光的亮度波动更均勻。如上所述，源自生产过程的3D莫尔有可能出现在黑色矩阵60 附近，因此如果黑色矩阵60的近处被有效地去焦，则可以增大产量(production margin) 0 这导致产量的改善和成本的降低。如上所述，本示例性实施例的图像显示装置对于高清晰度像素特别有效。<第十示例性实施例的修改示例>接着，将说明本发明的第十示例性实施例的第一修改示例。图41是示出根据这个修改示例的在TFT基板加处的图像显示装置的一部分的像素结构的平面图。图42是示出根据这个修改示例的显示板的像素的平面图。图39是在图42的像素平面图中沿着线C-C' 的横截面图。图43是示出根据这个修改示例的光学模型的横截面图。
如图41中所示，布线存储电容器线CS使得从梯形的上底的中心向除了梯形的下底中心之外的区域延伸。存储电容器线CS在除了梯形的底的中心之外的位置处弯曲，并且与数据线D相交叉。沿着作为子像素的中线的虚拟线80布置存储电容器电极CS2，并且每个存储电容器电极CS2具有相对于虚拟线80轴对称的矩形形状。存储电容器线CS具有被设置为相对于X轴方向的θ 1、θ ‘ 1的至少两种倾斜角。 在Y轴方向上布置的子像素的存储电容器线CS对于每两个像素具有不同的倾斜方向，并且，在X轴方向上布置的子像素的存储电容器线CS对于每两个像素具有不同的倾斜方向。在构成邻接像素对的子像素中，在相应的子像素中布置的存储电容器线CS在彼此相同的方向上倾斜，并且跨过彼此不同的相应的虚拟线81。存在具有存储电容器线CS 的不同倾斜方向的两种邻接像素对，并且在Y轴方向上交替地布置相应的邻接像素对。结果，对于每四个子像素，重复地布置具有相同的倾斜方向和具有跨过公共虚拟线81的存储电容器线CS的子像素。具有存储电容器线CS的不同倾斜方向的邻接像素对每个具有等同于围绕Z轴旋转180度的旋转对称轴，并且相对于虚拟线80轴对称。在构成显示单元的子像素中，在相应的子像素中布置的存储电容器线CS被布置使得跨过在两条虚拟线81之间的相应的不同虚拟线81，该两条虚拟线81每条在X轴方向上将子像素均勻地划分为三个部分。即，对于每两个子像素在X轴方向上重复地布置如下的子像素，即，所述子像素使存储电容器线CS跨过相对相同的虚拟线81通过所述子像素。在本修改示例中，如图43中所示，相对于左眼像素4L和右眼像素4R，柱面透镜3a 的焦点位于观众侧处。将斑大小SP2设置为大于斑大小SP1。在黑色矩阵60附近以斑大小SPl来执行去焦，并且在存储电容器线CS附近以斑大小SP2执行去焦。即，配置使得其中布置了存储电容器线CS的区域比其中布置了黑色矩阵60的区域更模糊。除了上述配置和操作之外的本修改实施例的配置和操作与第第十示例性实施例的那些相同。在本修改示例中，存储电容器线CS在梯形的上底的大体中心连接到存储电容器电极CS2，并且从上底的大体中心向在下底和倾斜侧之间的交叉处延伸。结果，可以减小被布置使得围绕形成邻接像素对的两个像素薄膜晶体管4TFT的存储电容器线CS的面积，因此，可以将开口率增大与这样的面积减小对应的量。在大体梯形像素的上底处，其中存储电容器线CS和存储电容器电极CS2以锐角彼此相交叉的区域具有用于锐角部分的小空间，因此，源自布线图案的形成精度的垂直开口率的波动出现，并且可能引起3D莫尔。在其中布置存储电容器线CS的区域，去焦效果大起作用，并且，可以使得其中分布光的方向上的亮度分布更均勻。子像素的中心附近是其中当其被诸如透镜这样的图像分离单元放大和投影在观看平面上时很可能定位观众的视点的区域。因此，通过使得与这个区域对应的亮度分布有效地模糊，并且通过使得模糊的亮度分布均勻，可以改善图像质量。因为斑大小SP2大于斑大小SP1，所以去焦效果较大。因此，去焦效果在存储电容器线CS部分大起作用，所以，使得在图像分离方向上的亮度分布更均勻。因此，可减少源自存储电容器线CS的形状的3D莫尔的出现。具体地说，当像本修改示例那样对于每两个像素补偿垂直开口时，显著地有效，因为在子像素的中心处的垂直开口有可能由于生产过程的形成精度而波动。当在最佳观看距离OD处观看时，存储电容器线CS被较大地去焦，并且使得由图像分离单元分布的光的亮度分布均勻。相反，去焦效果在通过黑色矩阵60进行挡光的梯形的倾斜侧处、即在子像素之间的边界区域处较小，并且通过柱镜光栅式透镜3的分离性能良好。因此，可以减少在视点之间的串音，并且同时，有效地减少源自存储电容器线CS的亮度波动，因此改善立体图像质量。可以在观众侧将黑色矩阵60设置在对向基板2b上。通过增大在存储电容器线CS 和黑色矩阵60之间的距离，可以增大在黑色矩阵60附近的斑大小SPl和在存储电容器线 CS附近的斑大小SP2之间的差，因此可以增大在去焦水平上的差。在子像素中布置的存储电容器线CS的数量不限于一，并且可以在子像素中布置K 条存储电容器线Cs。在与图像分离方向不同的方向上倾斜的K条存储电容器线CS可以被布置在每个子像素的开口处。存储电容器线CS被布置于在与图像分离方向正交的方向上布置的L个子像素的相应的开口处，使得选择性地跨过在其中每条在图像分离方向上将开口均勻地划分为(K+L)个部分的虚拟线中的至少一条虚拟线。在Y轴方向上布置的K个子像素中，在相应的开口处的存储电容器线CS被布置使得跨过相应的不同虚拟线，因此显然可以获得与如上所述的相同的效果。〈第—^一示例性实施例〉接着，将说明本发明的第十一示例性实施例。图44是说出根据本发明的本示例性实施例的在TFT基板加侧处的图像显示装置的一部分的像素结构的平面图。图45是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的横截面图。如图44中所示，显示板2是立体显示板，其具有四个视点并且包括用于显示用于第一视点的图像的像素、用于显示用于第二视点的图像的像素、用于显示用于第三的图像的像素和于显示用于第四的图像的像素。如图44中所示，在X轴方向上布置第一视点像素 VI、第二视点像素V2、第三视点像素V3和第四视点像素V4，并且，这四个子像素构成“显示单元”。如图45中所示，根据显示单元、即第一视点像素VI、第二视点像素V2、第三视点像素V3、第四视点像素V4，布置作为图像分离单元的柱镜光栅式透镜3。该像素开口具有使得上底的在X轴方向上的宽度变小的形状，并且，这样的形状是接近三角形的梯形。沿着作为子像素的中线的虚拟线80来布置存储电容器电极CS2，并且每个存储电容器电极CS2具有相对于虚拟线80轴对称的矩形形状。存储电容器线CS从梯形的上底的中心向除了梯形的下底的中心之外的区域延伸。存储电容器电极CS2和存储电容器线CS 弯曲，并且在大体梯形像素的上底处连接在一起。在大体梯形像素的下底边，即在X轴方向上延伸的数据线D的附近，存储电容器线CS弯曲并且连接到在Y轴方向上的邻接的像素。在邻接像素对的相应子像素中的存储电容器线CS分别在相同的方向上倾斜，并且被布置使得跨过相应的不同虚拟线81。存在具有存储电容器线CS的不同倾斜方向的两种邻接像素对，并且相应的种类交替地被布置在Y轴方向上。结果，在X轴方向上和在Y轴方向上布置的子像素中，对于每四个子像素重复地布置如下的子像素，即，所述子像素具有相同的倾斜方向并且使存储电容器线CS跨过共同的虚拟线81。显示板2使用下述配置其中，在邻接像素对的相应子像素中的存储电容器线CS在相同的方向上倾斜，并且在Y轴方向上彼此邻接的邻接像素对具有存储电容器线CS的不同倾斜方向。在X轴方向上布置的子像素被布置使得跨过在两条虚拟线81之间的彼此不同的相应的虚拟线81通过子像素，该两条虚拟线81每条在X轴方向上将子像素均勻地划分为三个部分。对于每两个子像素，在X轴方向上重复地布置如下的子像素，即，所述子像素使存储电容器线CS跨过同一虚拟线81通过所述子像素。在其中每个构成显示单元的子像素中，与相应的视点对应的子像素具有四种图案，该四钟图案彼此不同，并且是相对于图像分离方向的存储电容器线CS的两种倾斜方向和在子像素中跨过两条虚拟线81的任何一条的存储电容器线CS的两种布置的组合。构成显示单元的子像素，第一视点像素VI、第二视点像素V2、第三视点像素V3、第四视点像素V4具有彼此不同的存储电容器线CS的相应的布置。而且，在Y轴方向上邻接的显示单元具有如下的子像素，即，该子像素具有相同的存储电容器线CS图案，并且在X轴方向上被布置用于每个子像素。结果，在Y轴方向上连续地布置的四个子像素具有彼此不同的存储电容器线CS的布置图案。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。在本示例性实施例中，对于相应的视点显示与四个视点对应的视差图像，使得可以显示具有较好的真实感觉的图像。而且，因为可使用向立体图像加上的对于每个视点优化的立体信息来显示这样的图像，所以与具有两个视点的上述图像显示装置相比较，可以扩展其中可以可视地识别立体图像的范围。而且，在本示例性实施例中，在用于构成显示单元的相应的视点的子像素中，存储电容器线CS的布置具有不同的图案，并且相对于其中并排布置了柱面透镜3a的图像分离方向分散。因此，可以减少在像素中的存储电容器线CS的频率，所以，可以抑制源自图像分离单元的布置周期的莫尔干涉条纹。而且，在本示例性实施例中，在Y轴方向上连续的布置的四个子像素具有彼此不同的存储电容器线CS的布置，并且被布置在垂直于图像分离方向的方向上。因此，可以分散由存储电容器线CS散射的发射光，并且，可以减少亮度改变和莫尔干涉条纹。具体地说， 在相应子像素之间的边界是当被诸如透镜这样的图像分离单元放大和投影在观看平面上时很可能使得观众感到奇怪的区域。因此，与这个区域对应的存储电容器线CS的布置图案被分散以便改善图像质量。根据像本示例性实施例那样的具有等于或大于3个的视点的多视点方案，当视点的图像在邻接视点的图像中泄露时，它在一些情况下可以被定义为在图像之间指定的串音，并且这被称为“图像之间的串音”。在第一示例性实施例中描述的两个视点的情况下，由两眼指定的“3D串音”和“图像之间的串音”是相同的，并且期望两者应当尽可能减少。相反，在等于或大于3的多视点的情况下，“图像之间的串音”的存在引起了图像的重复，但是可以给出平滑的运动视差，因此尽可能减少这样的现象不总是成立的。显示板2可以不仅被应用到具有四个视点的图像显示装置，而且还被应用到具有等于或大于3个视点的N个视点的图像显示装置。通过在相应的视点上显示与N个视点对应的视差图像，可以显示具有较好的真实感觉的图像。而且，在具有N个视点的立体显示板的情况下，可以使用向立体图像加上的对于每个视点优化的立体信息来显示该图像，因此可以扩展其中可以可视地识别立体图像的范围。在构成用于N个视点的显示单元的相应视点的子像素中，存储电容器线CS的各自的布置图案彼此不同，并且在Y轴方向上邻接的显示单元中布置这样的不同图案的组合， 并且将该组合在X轴方向上移位子像素。具有N个视点的图像显示装置可以使用其中在子像素中布置K条存储电容器线CS 的配置。而且，那些存储电容器线CS可以具有至少两种与图像分离方向不同的倾斜方向， 并且可以在垂直于图像分离方向的方向上布置的L个子像素的各自的开口中布置存储电容器线CS，使得选择性地跨过多条虚拟线的至少一条，该多个虚拟线的每条在图像分离方向上将开口均勻地划分为(K+L)个部分。而且，可以通过将选择性地跨过虚拟线的存储电容器线CS和存储电容器线CS的倾斜方向组合来配置存储电容器线CS的N种布置图案，并且与在显示单元中的相应视点对应的各个子像素可以具有彼此不同的存储电容器线CS的布置图案。在不偏离本发明的宽范围和精神的情况下，可以以各种形式来改变和修改本发明。而且，上述的示例性实施例用于说明本发明，并且不用于限制本发明的范围和精神。即， 通过所附的权利要求而不是示例性实施例来指示本发明的范围和精神。在本发明的范围和精神内的各种改变和修改及其等同内容应当在本发明的范围和精神内。可以像下面的补充说明那样表达上述示例性实施例的一些或全部，的本发明不限于下面的补充说明。〈补充说明1>一种图像显示装置，包括显示元件，其包括多个显示单元，每一个所述显示单元至少包括显示用于第一视点的图像的子像素和显示用于第二视点的图像的子像素；以及， 光学单元，其将从所述显示元件的各自子像素发射的光分配到不同的方向，其中，当定义其中被分配光的方向是第一方向时，与所述第一方向正交的方向是第二方向，并且在所述子像素中由数据线、栅极线和存储电容器电极包围的区域是开口，通过基本单元来形成在所述显示元件中的所述子像素的布置，所述基本单元是邻接像素对，所述邻接像素对包括两个子像素，所述两个子像素被布置使得在其间存在数据线，沿着所述第二方向布置所述邻接像素对，以便彼此邻接，所述两个子像素将各自的开关元件共同连接到在所述两个子像素之间存在的所述数据线，并且使各自的开关元件通过不同的栅极线控制，所述开关元件的一个电极形成所述存储电容器电极和电容器，所述存储电容器电极至少被布置在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域处，并且当假定存在虚拟线时，其中每条所述虚拟线与所述第二方向平行并且所述虚拟线将所述子像素的在所述第一方向上的宽度均勻地划分为K+1个，电连接到所述存储电容器电极的K条存储电容器线每一条被布置使得跨过所述虚拟线的至少一条。〈补充说明2>根据补充说明1的图像显示装置，所述存储电容器线在与所述第一方向不同的方向上倾斜，并且被布置使得将所述开口划分为K+1个区域。〈补充说明3>根据补充说明2的图像显示装置，在所述开口中布置的所述存储电容器线在与所述第一和第二方向不同的方向上倾斜，并且穿过如下的中线，所述中线通过所述开口的中心并且与所述第二方向平行。〈补充说明4>根据补充说明1至3的任何一项的图像显示装置，所述存储电容器电极被布置跨过在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域，并且由所述存储电容器线的相同金属膜形成并且在其同一层形成。〈补充说明5>根据补充说明4的图像显示装置，在其中所述数据线延伸的方向上彼此邻接的所述邻接像素对被布置使得连接到彼此不同的各个数据线。〈补充说明6>根据补充说明5的图像显示装置，所述存储电容器线相对于所述第一方向的倾斜角是使得开口的在所述第一方向上的比率基本上不变的角度。〈补充说明7>根据补充说明6的图像显示装置，在所述子像素中的所述栅极线的倾斜角和其中的所述存储电容器线的倾斜角彼此不同。〈补充说明8>根据补充说明7的图像显示装置，所述栅极线和所述存储电容器线由相同的材料形成，并且通过同一处理形成。〈补充说明9>根据补充说明6的图像显示装置，在与所述第一方向平行的方向上布置在所述邻接像素对中的并且用于操作所述邻接像素对的各自像素的所述开关元件。〈补充说明10>根据补充说明7的图像显示装置，所述数据线被布置在所述存储电容器电极的上层，使得在与所述第一方向不同的方向上倾斜，并且，所述数据线被布置在所述开关元件的上层，以便在与所述第一方向不同的方向上倾斜。〈补充说明11>根据补充说明10的图像显示装置，所述邻接像素对的相应像素被布置使得围绕在所述邻接像素对中的点对称。〈补充说明12>根据补充说明11的图像显示装置，所述像素的所述开口的区域是大体梯形形状的，并且所述像素的所述开关元件被布置在所述像素的大体梯形显示区域的上底处。〈补充说明13>根据补充说明5的图像显示装置，所述子像素是具有大体八边形形状的像素，通过经由互连梯形的上底和其下底的虚拟剖面线来将大体梯形像素切割和划分为两个直角梯形，并且通过在所述两个直角梯形相对于彼此在所述第一方向上和在所述第二方向上移位预定尺寸的情况下将所述两个直角梯形的切割部分结合，限定所述八边形形状，所述存储电容器线被布置使得穿过所述大体八边形像素的所述剖面线，所述邻接像素对的所述开关元件被布置在与所述第一方向不同的方向上，以便彼此邻接，并且，所述存储电容器线的宽度比所述栅极线的宽度小。
〈补充说明14>根据补充说明12或13所述的图像显示装置，在所述存储电容器线的上层形成电连接到所述开关元件的像素电极。〈补充说明15>一种图像显示装置，包括显示元件，其包括多个显示单元，每一个所述显示单元至少包括显示用于第一视点的图像的子像素和显示用于第二视点的图像的子像素；以及， 光学单元，其将从所述显示元件的各自子像素发射的光分配到不同的方向，其中，当定义其中被分配光的方向是第一方向时，与所述第一方向正交的方向是第二方向，并且，在所述子像素中由黑色矩阵包围的区域是开口，通过基本单元来形成在所述显示元件中的所述子像素的布置，所述基本单元是邻接像素对，所述邻接像素对包括两个子像素，所述两个子像素被布置使得在其间存在数据线，沿着所述第二方向布置所述邻接像素对，以便彼此邻接，所述两个子像素将各自的开关元件共同连接到在所述两个子像素之间存在的所述数据线，并且使各自的开关元件通过不同的栅极线控制，所述开关元件的一个电极形成存储电容器电极和电容器，所述存储电容器电极至少被布置在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域处，并且当假定存在虚拟线时，其中每条所述虚拟线与所述第二方向平行并且所述虚拟线将所述子像素的在所述第一方向上的宽度均勻地划分为K+1个，电连接到所述存储电容器电极的K条存储电容器线每一条被布置使得跨过所述虚拟线的至少一条。〈补充说明16>根据补充说明15的图像显示装置，所述存储电容器线在与所述第一方向不同的方向上倾斜，并且被布置使得将所述开口划分为K+1个区域。〈补充说明17>根据补充说明16的图像显示装置，在所述开口中布置的所述存储电容器线在与所述第一和第二方向不同的方向上倾斜，并且穿过如下的中线，所述中线通过所述开口的中心并且与所述第二方向平行。〈补充说明18>根据补充说明15的图像显示装置，所述存储电容器电极被布置跨过所述邻接像素对的所述子像素的边界区域，并且由与所述存储电容器线的金属膜相同的金属膜形成并且在其同一层形成。〈补充说明19>根据补充说明15的图像显示装置，所述黑色矩阵被布置使得覆盖所述栅极线的至少一部分，并且在所述子像素中的所述黑色矩阵的倾斜角和所述存储电容器线的倾斜角彼此不同。〈补充说明20>根据补充说明15的图像显示装置，所述存储电容器线跨过在所述第二方向上的彼此邻接的子像素延伸，并且被布置使得跨过与所述第一方向平行并且通过所述子像素的中心的虚拟线。〈补充说明21>根据补充说明20的图像显示装置，所述存储电容器线相对于所述第一方向的倾斜角在所述子像素的每个上相等。
〈补充说明22>根据补充说明20或21的图像显示装置，对于每两个子像素，在所述第二方向上重复地布置其中布置了跨过共同的虚拟线的所述存储电容器线的所述子像素。〈补充说明23>根据补充说明1至22的任何一个的图像显示装置，所述显示元件还包括用于第三视点的子像素和用于第四视点的子像素，在构成所述邻接像素对的所述子像素中布置的所述存储电容器线在相对于所述第二方向的同一方向上倾斜，跨过彼此不同的相应虚拟线， 并且具有与在构成在所述第二方向上邻接的另一个邻接像素对的子像素中布置的所述存储电容器线的倾斜方向不同的倾斜方向，并且，对于每四个子像素，在所述第一方向和所述第二方向上重复地布置如下的子像素，S卩，在所述子像素中，布置了跨过共同的虚拟线的所述存储电容器线。〈补充说明根据补充说明1至23的任何一个的图像显示装置，所述光学单元的焦点被设置为相对于所述显示元件的所述上层移位。〈补充说明25>根据补充说明1至23的任何一项的图像显示装置，所述光学单元的焦点被设置为相对于所述显示元件的所述下层移位。〈补充说明洸>一种终端装置包括根据补充说明1至25的任何一项的图像显示装置。〈补充说明27>一种补充说明1至25的任何一项的图像显示装置的驱动方法，包括步骤逐一地扫描所述栅极线；对于每一栅极线反转每一个像素的电压极性；以及，对于每一数据线，反转通过每一数据线传输的显示数据的极性。〈补充说明沘>根据补充说明27的图像显示装置的驱动方法，根据所述电压极性的反转周期来设置所述存储电容器线的倾斜方向。已经通过参考一个或多个优选实施例描述和说明了本申请的原理，应当显然，在不偏离在此公开的原理的情况下可以在布置和细节上修改该优选实施例，并且意欲本申请被解释为包括所有这样的修改和改变，只要它们在此公开的主题的精神和范围内。
权利要求
1.一种图像显示装置，包括显示元件，包括多个显示单元，每一个所述显示单元至少包括显示用于第一视点的图像的子像素和显示用于第二视点的图像的子像素；以及，光学单元，将从所述显示元件的各个子像素发射的光分配到不同的方向，其中，当定义其中被分配光的方向是第一方向时，与所述第一方向正交的方向是第二方向， 并且在所述子像素中由数据线、栅极线和存储电容器电极包围的区域是开口，通过基本单元来形成在所述显示元件中的所述子像素的布置，所述基本单元是邻接像素对，所述邻接像素对包括两个子像素，所述两个子像素被布置使得在所述两个子像素之间存在数据线，沿着所述第二方向布置所述邻接像素对，以便彼此邻接，所述两个子像素将各自的开关元件共同连接到在所述两个子像素之间存在的所述数据线，并且使各自的开关元件通过不同的栅极线控制，所述开关元件的一个电极形成所述存储电容器电极和电容器，所述存储电容器电极至少被布置在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域处，并且当假定存在虚拟线时，其中每条所述虚拟线与所述第二方向平行并且所述虚拟线将所述子像素的在所述第一方向上的宽度均勻地划分为K+1个，电连接到所述存储电容器电极的K条存储电容器线每一条被布置使得跨过所述虚拟线的至少一条。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，所述存储电容器线在与所述第一方向不同的方向上倾斜，并且被布置使得将所述开口划分为K+1个区域。
3.根据权利要求2所述的图像显示装置，其中，在所述开口中布置的所述存储电容器线在与所述第一和第二方向不同的方向上倾斜，并且穿过如下的中线，所述中线通过所述开口的中心并且与所述第二方向平行。
4.根据权利要求1所述的图像显示装置，所述存储电容器电极被布置跨过在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域，并且由所述存储电容器线的相同金属膜形成并且在所述存储电容器线的同一层形成。
5.根据权利要求4所述的图像显示装置，其中，在其中所述数据线延伸的方向上彼此邻接的所述邻接像素对被布置使得连接到彼此不同的各个数据线。
6.根据权利要求5所述的图像显示装置，其中，所述存储电容器线相对于所述第一方向的倾斜角是使得开口的在所述第一方向上的比率基本上不变的角度。
7.根据权利要求6所述的图像显示装置，其中，在所述子像素中的所述栅极线的倾斜角和在所述子像素中的所述存储电容器线的倾斜角彼此不同。
8.根据权利要求7所述的图像显示装置，其中，所述栅极线和所述存储电容器线由相同的材料形成，并且通过同一处理形成。
9.根据权利要求6所述的图像显示装置，其中，在与所述第一方向平行的方向上布置在所述邻接像素对中的用于操作所述邻接像素对的各个像素的所述开关元件。
10.根据权利要求7所述的图像显示装置，其中，所述数据线被布置在所述存储电容器电极的上层，使得在与所述第一方向不同的方向上倾斜，并且，所述数据线被布置在所述开关元件的上层，使得在与所述第一方向不同的方向上倾斜。
11.根据权利要求5所述的图像显示装置，其中，所述子像素是具有大体八边形形状的像素，通过经由互连梯形的上底和所述梯形的下底的虚拟剖面线来将大体梯形像素切割和划分为两个直角梯形，并且通过在所述两个直角梯形相对于彼此在所述第一方向上和在所述第二方向上移位预定尺寸的情况下将所述两个直角梯形的切割部分结合，限定所述八边形形状，所述存储电容器线被布置使得穿过所述大体八边形像素的所述剖面线， 所述邻接像素对的所述开关元件被布置在与所述第一方向不同的方向上，以便彼此邻接，并且，所述存储电容器线的宽度比所述栅极线的宽度小。
12.根据权利要求10所述的图像显示装置，其中，在所述存储电容器线的上层形成电连接到所述开关元件的像素电极。
13.一种图像显示装置，包括显示元件，包括多个显示单元，每一个所述显示单元至少包括显示用于第一视点的图像的子像素和显示用于第二视点的图像的子像素；以及，光学单元，将从所述显示元件的各个子像素发射的光分配到不同的方向，其中， 当定义其中被分配光的方向是第一方向时，与所述第一方向正交的方向是第二方向， 并且，在所述子像素中由黑色矩阵包围的区域是开口，通过基本单元来形成在所述显示元件中的所述子像素的布置，所述基本单元是邻接像素对，所述邻接像素对包括两个子像素，所述两个子像素被布置使得在所述两个子像素之间存在数据线，沿着所述第二方向布置所述邻接像素对，以便彼此邻接，所述两个子像素将各自的开关元件共同连接到在所述两个子像素之间存在的所述数据线，并且使各自的开关元件通过不同的栅极线控制，所述开关元件的一个电极形成存储电容器电极和电容器，所述存储电容器电极至少被布置在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域处，并且当假定存在虚拟线时，其中每条所述虚拟线与所述第二方向平行并且所述虚拟线将所述子像素的在所述第一方向上的宽度均勻地划分为K+1个，电连接到所述存储电容器电极的K条存储电容器线每一条被布置使得跨过所述虚拟线的至少一条。
14.根据权利要求13所述的图像显示装置，其中，所述存储电容器线在与所述第一方向不同的方向上倾斜，并且被布置使得将所述开口划分为K+1个区域。
15.根据权利要求14所述的图像显示装置，其中，在所述开口中布置的所述存储电容器线在与所述第一和第二方向不同的方向上倾斜，并且穿过如下的中线，所述中线通过所述开口的中心并且与所述第二方向平行。
16.根据权利要求13所述的图像显示装置，所述存储电容器电极被布置跨过所述邻接像素对的所述子像素的边界区域，并且由与所述存储电容器线的金属膜相同的金属膜形成并且在所述存储电容器线的同一层形成。
17.根据权利要求13所述的图像显示装置，其中，所述黑色矩阵被布置使得覆盖所述栅极线的至少一部分，并且在所述子像素中的所述黑色矩阵的倾斜角和所述存储电容器线的倾斜角彼此不同。
18.—种终端装置，包括根据权利要求1所述的图像显示装置。
19.一种根据权利要求1所述的图像显示装置的驱动方法，包括步骤 逐一地扫描所述栅极线；对于每一栅极线反转每一个像素的电压极性；以及， 对于每一数据线，反转通过每一数据线传输的显示数据的极性。
20.根据权利要求19所述的图像显示装置的驱动方法，其中，根据所述电压极性的反转周期来设置所述存储电容器线的倾斜方向。
全文摘要
本发明涉及图像显示装置、图像显示装置的驱动方法和终端装置，图像显示装置包括显示元件，其具有显示单元，每一个显示单元包括分别显示用于第一和第二视点的图像的子像素；以及，光学单元，其将从各个子像素发射的光分配到不同的方向。当在该子像素中由数据线、栅极线和存储电容器电极包围的区域被定义为开口时，该子像素形成基本单元，该基本单元是包括经由其间的数据线布置的两个子像素的邻接像素对。该两个子像素将开关元件连接到在该两个子像素之间的数据线并且使其通过不同的栅极线控制。当假定其中每条将子像素的在第一方向上的宽度均匀地划分为K+1个部分的虚拟线时，在该开口中K条存储电容器线每条被布置跨过至少一条虚拟线。
文档编号G09G3/36GK102279494SQ20111016449
公开日2011年12月14日 申请日期2011年6月13日 优先权日2010年6月11日
发明者新冈真也, 重村幸治 申请人:Nlt科技股份有限公司
技术领域：
本发明涉及向多个视点显示彼此不同的图像的图像显示装置、图像显示装置的驱动方法和终端装置。
背景技术：
近来，在显示装置的大小上的减小及其高清晰度显示能力的完成与蜂窝电话和信息终端的进步一起进步。另一方面，具有新的增值的显示装置正在得到关注，诸如允许观众根据观众观看显示装置的位置来观看不同的图像的显示装置，即，向多个视点提供彼此不同的图像的显示装置；以及，基于彼此不同的那些图像来产生视差图像并且向观众提供立体视觉图像的显示装置。传统上已知的用于向多个视点提供彼此不同的图像的方案合成用于各个视点的多个图像数据，在显示单元上显示那些图像数据，通过包括透镜、具有狭缝的栅栏(挡光板)的光学分离单元分离所显示的合成图像，并且向各个视点提供图像。图像分离的原理基于使用诸如具有狭缝的栅栏或透镜这样的光学单元的、根据视点方向能够观看的像素的限制。图像分离单元的示例是视差栅栏，它是具有多个带状狭缝的栅栏；以及，柱镜光栅式透镜(lenticular lens)，其具有在方向上具有透镜效果的柱面透镜。具有光学图像分离单元的立体显示装置适合于安装在便携装置上，因为它不需要使用特殊的眼镜，因此没有佩戴眼镜的负担。实际上，已经能够在市场上获得其上安装了立体显示装置的便携装置，该立体显示装置包括液晶板和视差栅栏。根据上述方案，S卩，使用光学分离单元来向多个视点提供彼此不同的图像的显示装置，当观众的视点位置移动并且要观看的图像改变时，在图像和另一个图像之间的边界在一些情况下看起来较暗。这种现象源自在用于被观看的视点的像素和像素之间的非显示区域(在液晶板的情况下为挡光单元，一般称为所谓的黑色矩阵)。观众的视点移动固有的上述现象在没有光学分离单元的一般显示装置的情况下不出现。因此，观众可能从在具有光学分离单元的多视点显示装置或立体显示装置上出现的上述现象感觉到奇怪或显示质量的降低。这种现象一般被称为3D莫尔(3D moire)。3D莫尔是源自在不同的角度方向上显示的不同视觉的亮度的周期改变(在一些情况下可以是颜色的改变)。3D莫尔是亮度角度波动，并且根据观看位置不变为问题。然而，当在角度方向上的亮度波动大时，对于立体观看而言的不期望的效果可能出现，因此期望将亮度波动设置得等于或小于预定值。未审查的日本专利申请KOKAI公报No. 2005-208567公开了一种显示装置，该显示装置具有显示单元的像素电极与挡光单元的相应的形状和布局，该显示单元被设计使得克服了源自光学分离单元和挡光单元的问题，并且该显示装置抑制了显示质量的降低。图47是示出在未审查的日本专利申请KOKAI公报No. 2005-208567(以下称为专利文献1)中公开的显示装置的显示单元的平面图。如图47中所示，开口 1075是作为图像显示的最小单元的子像素的开口。如图47中所示，通过垂直方向1011和水平方向1012来限定开口 1075的布局。每一个开口 1075的形状是由在垂直方向1011上对称的梯形和矩形限定的六角形，该矩形具有与该梯形的底相同的长边长度，该矩形和梯形被布置使得梯形的底和矩形的长边彼此接触。而且，图像分离单元包括具有在水平方向1012上布置的柱面透镜1003a的柱镜光栅式透镜，该柱面透镜1003a的纵长方向是垂直方向1011。柱面透镜1003a在纵长方向上没有透镜效果，而是仅在短方向上具有透镜效果。即，透镜效果作用于水平方向1012上。因此，从在水平方向1012上彼此邻接的子像素1041和子像素1042 的开口 1075发射的光被定向到彼此不同的方向。开口 1075的斜边在与垂直方向1011不同的方向上倾斜。具有在其中该斜边延伸的方向和垂直方向1011之间形成的相同角度的一对边通过开口 1075的中心，并且被布置使得相对于与垂直方向1011平行的线轴对称。而且，在垂直方向1011上彼此邻接的开口 1075被布置使得相对于在水平方向1012上延伸的线轴对称。结果，在水平方向1012上，显示板的开口 1075的端部的位置和柱面透镜1003a的光轴的位置在垂直方向1011上彼此不同。因此，当子像素1041和子像素1042的开口 1075组合在一起时，在垂直方向1011 上的开口宽度在倾斜部分处基本上不变，而与在水平方向1012上的位置无关。S卩，当假定显示板切割平面在水平方向1012中的任意点处位于与柱面透镜1003a 的布置方向正交的垂直方向1011中时，专利文献1的显示装置使得挡光部分(布线1070 和挡光单元1076)和开口率基本上不变。因此，当观众在作为其中分离图像的方向的水平方向1012上移动视点，并且观看方向改变时，要观看的挡光部分的比率基本上不变。S卩，观众不会偶尔仅在特定方向上看到挡光部分，并且没有显示看起来较暗。因此，专利文献1的显示装置可以抑制源自挡光区域的显示质量的降低。而且，未审查的日本专利申请KOKAI公报No. 2009-98311公开了一种适合于专利文献1的显示装置的像素结构。图46示出在未审查的日本专利申请KOKAI公报No. 2009-98311 (以下称为专利文献2)中公开并且被划分为四部分的像素。栅极线G和存储电容器线CS形成在与像素薄膜晶体管4TFT的栅极电极的层相同的层上。而且，在硅层4SI和存储电容器线CS之间形成存储电容器4CS。如上所述，硅层4SI通过接触孔4C0NT连接到数据线D，但是在除了薄膜晶体管4TFT的所述部分之外的在像素4中设置的另一个接触孔4C0NT用于连接在存储电容器4CS中的硅层4SI和像素电极4PIX。存储电容器线CS被布置在栅极线G的延伸方向上，即，连接到在X轴方向上彼此邻接的各个像素的存储电容器4CS。在X轴方向上彼此邻接的各个像素中，像素薄膜晶体管4TFT的在Y轴方向上的位置彼此不同，使得存储电容器线CS弯曲并且被布置使得连接那些晶体管。如像素薄膜晶体管4TFT那样，在每一个像素中，存储电容器4CS以大体梯形形状被布置在显示区域的上底边。因此，存储电容器4CS可以被有效地布置在构成相邻的像素对的各个像素的上底之间，由此进一步改善开口率。在存储电容器线CS和数据线D之间的交叉被布置在梯形倾斜部分处，使得存储电容器线CS和数据线D彼此在一起。优选的是，尽可能减少被布置使得沿着图像分离方向的布线，并且上述的显示装置仅具有数据线D。这进一步改善了图像质量。这是因为当沿着图像分离方向布置存储电容器线CS时，存储电容器线CS的图像被图像分离单元放大，导致显示质量的显著变差。即，专利文献2的显示装置具有在图像分离方向上延伸并且形成在同一层上的栅极线G和存储电容器线CS，以便抑制源自图像分离单元和存储电容器线CS的图像变差，同时减少处理的数量。专利文献2公开了一种用于通过同一处理来形成扫描线和电容器线以便减少液晶显示装置的生产处理的数量的技术。具体地说，对于一般的小显示装置，有较大的降低成本的需求，并且期望使用尽可能小的数量的层来配置像素阵列。而且，存在显示装置的显示单元增大所谓的开口率的需求，该开口率是通过在有助于显示亮度的开口和挡光部分之间的面积比率限定的，以便使得像素节距更细，从而改善高清晰度显示能力并且改善显示亮度。然而，为了实现图像的高清晰度显示，在原始小的屏幕区域上布置大量的像素，因此需要使得像素大小更小。即，如何减小像素大小是技术问题。然而，几乎与半导体技术的微型制造的进步一起实现具有更小大小的像素。如上所述，存在像素变得更小的趋势，但是不总是能够减小诸如开关装置和辅助电容器这样的电气和电子电路的大小，该开关装置和辅助电容器用于驱动液晶，以便与像素的精细化成比例地调制光。这是因为开关装置和辅助电容器通过微型制造技术形成在诸如半导体衬底或玻璃衬底这样的衬底上，但是由于半导体处理的限制，能够实现的线宽有限制。而且，即使更精细的处理在技术上是可能的，从工厂投资角度看，它也导致暂时成本提尚。液晶显示装置具有下述问题因为精细化的上述限制，挡光的区域增大，S卩，开口率减小，并且整个显示装置的光利用效率降低。存在下述折中关系当试图通过像素的精细化改善图像质量时，光利用效率降低。因此，存在下述技术问题实现高图像质量和高效的图像显示装置，并且同时实现高清晰度图像。具体地说，在小显示装置的情况下，因为上述限制以及精细化，占用像素面积的布线的比率和接触孔面积的比率极大，并且开口率的减小显著。必要的是，精细的像素尽可能减少在像素中的布线的数量和接触孔的数量。而且，如在“NIKKEI Electronics, January 6, 2003, volume 838, p. 26to 27" ( VX 下称为非专利文献1)中公开，近来，立体图像显示装置的应用领域及其应用变宽。例如，可以根据显示装置的应用来使用其中在数据线延伸的方向上执行图像分离的配置。然而，本发明的发明人发现，不能实现高开口率和高图像质量，即使在专利文献2中公开的像素结构被设计为上述配置并且同时保持在专利文献1中公开的像素的开口形状和挡光形状。下面更详细地描述本发明的发明人的发现。如上所述，因为根据传统技术，栅极线延伸的方向和图像分离方向一致，所以可以在与图像分离方向相同的方向上绘制在与栅极线相同的层上形成的存储电容器线的延伸方向，以便不与图像分离单元干扰。同样，当在专利文献2中公开的像素结构被应用到在数据线延伸的方向上分离图像的显示装置时，必须在图像分离方向上绘制由与数据线相同的材料形成的存储电容器线。然而，为了保护数据线免受在形成开关装置时的处理条件固有的任何损坏，通常， 经常在形成栅极线后的处理步骤中形成数据线，即，在衬底上，在栅极线的上层上形成数据线。结果，必须形成存储电容器线，使得每单位面积经由具有小相对介电常数的层间膜来形成电容器，并且必须将存储电容器的面积设置得大。这导致不足的开口率，因此透射率降低。而且，如专利文献2那样，如果在硅层4SI和由与栅极线相同的层形成的存储电容器电极之间形成存储电容器4CS，则变得有可能每单位面积经由具有大的相对介电常数的层间膜来形成电容器，因此可以减少存储电容器的面积。然而，在该情况下，必须新提供将存储电容器电极连接到存储电容器线的接触孔，因此不能获得足够的像素开口率，因此透射率减小。而且，根据在专利文献2中公开的显示装置的像素结构，绘制在与栅极电极的层相同的层上的存储电容器线，使得在图像分离方向上跨过开关装置(TFT)的周边，因此在位于大体梯形的上底处的挡光部分的在Y轴方向上的宽度变为通过下述方式获得的宽度 向TFT的区域加上存储电容器线的线宽和线绘制空间。不能不改变处理规则而减小大体梯形的上底的在Y轴方向上的宽度，因此在具有窄节距的像素的情况下，在覆盖大体梯形的上底的在Y轴方向上的挡光部分的宽度相对于在Y轴方向上的开口区域的宽度变大。当通过图像分离单元来扩大覆盖大体矩形的上底的挡光部分的图像时，该图像被观众可视地识别为在显示单元上的暗斑或暗条纹，因此显示质量降低。在本说明书中，亮度的周期改变(在一些情况下可以是颜色的改变)，具体地说， 源自在不同的角度方向上的不同图像的显示的亮度角度波动被定义为“3D莫尔”。而且，对于另一个视点的图像向对于给定视点的图像的混合和图像向对于给定视点的图像的泄漏被定义为“3D串音”。通常，由具有不同周期的结构对象的干扰产生的条纹图案被称为“莫尔条纹 (moire stripe)”。莫尔条纹是依赖于结构对象的周期及其节距产生的干涉条纹，并且3D 莫尔是由于图像分离单元的成像特性导致产生的亮度改变。因此，在本说明书中区别3D莫尔和莫尔条纹。3D莫尔根据观看位置而不变为问题，但是当在角度方向上的在亮度上的波动较大时，用于立体观看的不期望的效果可能出现，因此期望将该亮度波动设置成等于或小于预定值。
发明内容
已经根据上述情况建立了本发明，并且，本发明的示例性目的是抑制源自在能够在多个视点上显示相应的图像的图像显示装置中的像素开口或结构对象中布置的挡光部分的问题，并且实现高开口率。为了实现上述示例性目的，本发明的第一示例性方面提供了一种图像显示装置， 包括显示元件，其包括多个显示单元，每一个所述显示单元至少包括显示用于第一视点的图像的子像素和显示用于第二视点的图像的子像素；以及，光学单元，其将从所述显示元件的各自子像素发射的光分配到不同的方向，其中，当定义其中被分配光的方向是第一方向时，与所述第一方向正交的方向是第二方向，并且在所述子像素中由数据线、栅极线和存储电容器电极包围的区域是开口，通过基本单元来形成在所述显示元件中的所述子像素的布置，所述基本单元是邻接像素对，所述邻接像素对包括两个子像素，所述两个子像素被布置使得在其间存在数据线，沿着所述第二方向布置所述邻接像素对，以便彼此邻接，所述两个子像素将各自的开关元件共同连接到在所述两个子像素之间存在的所述数据线，并且使各自的开关元件通过不同的栅极线控制，所述开关元件的一个电极形成所述存储电容器电极和电容器，所述存储电容器电极至少被布置在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域处，并且当假定存在虚拟线时，其中每条所述虚拟线与所述第二方向平行并且所述虚拟线将所述子像素的在所述第一方向上的宽度均勻地划分为K+1个，电连接到所述存储电容器电极的K条存储电容器线每一条被布置使得跨过所述虚拟线的至少一条。为了实现上述示例性目的，本发明的第二示例性方面提供了一种图像显示装置， 包括显示元件，其包括多个显示单元，每一个所述显示单元至少包括显示用于第一视点的图像的子像素和显示用于第二视点的图像的子像素；以及，光学单元，其将从所述显示元件的各自子像素发射的光分配到不同的方向，其中，当定义其中被分配光的方向是第一方向时，与所述第一方向正交的方向是第二方向，并且，在所述子像素中由黑色矩阵包围的区域是开口，通过基本单元来形成在所述显示元件中的所述子像素的布置，所述基本单元是邻接像素对，所述邻接像素对包括两个子像素，所述两个子像素被布置使得在其间存在数据线，沿着所述第二方向布置所述邻接像素对，以便彼此邻接，所述两个子像素将各自的开关元件共同连接到在所述两个子像素之间存在的所述数据线，并且使各自的开关元件通过不同的栅极线控制，所述开关元件的一个电极形成存储电容器电极和电容器，所述存储电容器电极至少被布置在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域处，并且当假定存在虚拟线时，其中每条所述虚拟线与所述第二方向平行并且所述虚拟线将所述子像素的在所述第一方向上的宽度均勻地划分为K+1个，电连接到所述存储电容器电极的K条存储电容器线每一条被布置使得跨过所述虚拟线的至少一条。为了实现上述示例性目的，本发明的第三示例性方面提供了本发明的第一示例性方面的图像显示装置的驱动方法，包括步骤逐一地扫描所述栅极线；对于每一栅极线反转每一个像素的电压极性；以及，对于每一数据线，反转通过每一数据线传输的显示数据的极性。为了实现上述示例性目的，本发明的第四示例性方面提供了一种终端装置，所述终端装置包括本发明的第一方面的图像显示装置。根据这样的配置，在所述子像素中有效地布置所述数据线、所述栅极线、所述存储电容器电极和所述开关元件，使得可以改善所述开口率。而且，通过在所述开关元件和所述子像素之间的连接关系形成的所述邻接像素对是用于驱动的基本单元，并且，所述邻接像素对的所述存储电容器电极电连接到由构成所述邻接像素对的相应子像素共享的区域。因此，可以减少在所述邻接像素对中的所述存储电容器电极的电势波动，由此抑制闪烁和串音。而且，在所述子像素中，电连接到所述存储电容器电极的所述存储电容器线被布置使得跨过所述开口，并且进一步跨过所述虚拟线，并且在所述图像分离方向的不同方向上延伸。因此，可以抑制在其中被分配光的方向上的亮度分布，即，源自所述存储电容器线的3D莫尔。
通过阅读下面的详细说明和附图，本发明的示例性目的和其他目的和优点将变得更清楚，在附图中图1是根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置的平面图；图2是根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置的截面图；图3是示出根据本发明的第一示例性实施例的在图像显示装置的TFT基板侧上的一些像素的结构的平面图；图4是示出根据本发明的第一示例性实施例的在图像显示装置的TFT基板侧上的另一些像素的结构的平面图；图5是示出根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置的像素的平面图；图6是示出根据本发明的第一示例性实施例的显示板的平面图；图7是示出其上安装了根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置的便携装置的透视图；图8是示出其上安装了根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置的便携装置的透视图；图9是示出根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置中的各个像素(像素电极)的极性的示例性图；图10是示出在根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置中向数据线输入的点反转驱动的极性的表；图11是当使用柱镜光栅式透镜时的光学模型的横截面图；图12是示出其中曲率半径最小以便计算柱镜光栅式透镜的图像分离条件的状态的光学模型图；图13是示出其中曲率半径最大以便计算柱镜光栅式透镜的图像分离条件的状态的光学模型图；图14是示出根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置中的说明性亮度分布的图；图15是示出根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置的评估结果的表；图16是示出当根据本发明的第一示例性实施例的显示板的存储电容器线的角度较大时的像素的平面图；图17是示出根据本发明的第一示例性实施例的第一修改示例的显示板的像素的平面图；图18是示出根据本发明的第一示例性实施例的第二修改示例的显示板的像素的平面图；图19是示出根据本发明的第一示例性实施例的第三修改示例的显示板的像素的平面图；图20是示出根据本发明的第一示例性实施例的第四修改示例的显示板的像素的平面图；CN 102279494 A
说明书
7/44 页 图21是示出根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置如何收集光的概念图；图22是示出空间图像方案的概念图；图23是示出根据本发明的第二示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图M是示出根据本发明的第二示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图25是示出根据本发明的第三示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图沈是示出根据本发明的第三示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图27是示出根据本发明的第三示例性实施例的显示板的像素的平面图；图观是示出根据本发明的第四示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图四是示出根据本发明的第五示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图30是示出根据本发明的第六示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图31是示出根据本发明的第七示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图32是示出根据本发明的第八示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图33是示出根据本发明的第九示例性实施例的图像显示装置中的各个像素的极性的示例性图；图34是示出在根据本发明的第九示例性实施例的图像显示装置中向数据线输入的反转驱动的极性的表；图35是示出根据本发明的第九示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图36是示出根据本发明的第九示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图37是示出在根据本发明的第十示例性实施例的图像显示装置的TFT基板侧上的一些像素的结构的平面图；图38是示出根据本发明的第十示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图；图39是示出根据本发明的第十示例性实施例的图像显示装置的横截面的示例性图；图40是示出根据本发明的第十示例性实施例的图像显示装置的光学模型的示例性图；图41是示出根据本发明的第十示例性实施例的第一修改示例的图像显示装置的
11TFT基板侧上的一些像素的结构的平面图；图42是示出根据本发明的第十示例性实施例的第一修改示例的图像显示装置的像素结构的平面图；图43是示出根据本发明的第十示例性实施例的第一修改示例的图像显示装置的光学模型的示例性图；图44是示出在根据本发明的第十一示例性实施例的图像显示装置的TFT基板侧上的一些像素的结构的平面图；图45是示出根据本发明的第十一示例性实施例的图像显示装置的横截面的示例性图；图46是示出传统图像显示装置的显示板的平面图；以及图47是示出传统图像显示装置的显示板的平面图。
具体实施例方式将参考附图详细描述根据本发明的示例性实施例的图像显示装置。<第一示例性实施例>首先，将说明根据本发明的第一示例性实施例的图像显示装置、图像显示装置的显示板和图像显示装置的驱动方法。如图1和2中所示，这个示例性实施例的图像显示装置1是用于立体显示的图像显示装置，其包括显示板2，使用液晶分子作为电光元件；以及，柱镜光栅式透镜3。柱镜光栅式透镜3被布置在显示板2的显示表面侧处，即朝向观众的侧处。显示板2用于具有两个视点的立体显示，并且包括显示用于第一视点的图像的像素和显示用于第二视点的图像的像素。在本示例性实施例中，用于第一视点的像素是左眼像素4L，并且用于第二视点的像素是右眼像素4R。S卩，显示板2具有像素对，其中每一个像素对是“显示单元”，该显示单元包括左眼像素4L和右眼像素4R，并且像素对以矩阵图案排列。在本示例性实施例中，左眼像素4L和右眼像素4R被统称为像素4。如图2中所示，柱镜光栅式透镜3是具有以一维排列方式布置的多个柱面透镜3a 的透镜阵列。柱面透镜3a是一维透镜，该一维透镜具有拱背(hog-backed)形状的凸起部分。柱镜光栅式透镜3延伸的方向，S卩，纵长方向与在显示表面中的布置方向正交。柱面透镜3a在延伸方向上没有透镜效果，但是仅在作为该正交方向的布置方向上具有透镜效果。 因此，柱镜光栅式透镜3可以作为一维透镜阵列，其仅在布置柱面透镜3a的方向上具有透镜效果。柱面透镜3a的布置方向被设置为其中交替地布置左眼像素4L和右眼像素4R的方向。柱面透镜3a每一个被布置使得对应于上述的显示单元。在本示例性实施例中，当集中说明构成显示单元的像素时，这样的像素被称为“子像素”。如上所述，柱面透镜3a仅在与延伸方向正交的方向上具有透镜效果。在本示例性实施例中，透镜效果起作用的方向与其中交替地布置左眼像素4L和右眼像素4R的方向一致。结果，柱面透镜3a作为能够在不同方向上分离来自左眼像素4L的光和来自右眼像素 4R的光的光束分离单元。因此，柱镜光栅式透镜3可以在不同方向上分离用于每一个显示单元的左眼像素4L显示的图像和用于每一个显示单元的右眼像素4R显示的图像。S卩，柱镜光栅式透镜3是作为图像分离单元和图像分布单元的光学构件。柱面透镜3a的焦距被设置为在柱面透镜3a的主点、即透镜的顶点和像素表面、即其中布置了左眼像素4L或右眼像素4R的表面之间的距离。在本说明书中，将X、Y和Z笛卡儿坐标系定义如下。在其中交替地布置了左眼像素4L和右眼像素4R的方向上，在显示单元中的从右眼像素4R向左眼像素4L的方向被定义为+X方向，并且其相反方向被定义为-X方向。+X方向和-χ方向被统称为X轴方向。而且，柱面透镜3a的纵长方向被定义为Y轴方向。而且，与X轴方向和Y轴方向垂直的方向被定义为Z轴方向，并且在Z轴方向上，从其中布置了左眼像素4L或右眼像素4R的表面向柱镜光栅式透镜3的方向被定义为+Z方向，并且，其相反方向被定义为-Z方向。+Z方向被指向前，即指向用户，并且用户在+Z侧观看显示板2的表面。+Y方向是其中建立右手坐标系的方向。即，当人的右手拇指指向+X方向并且食指指向+Y方向时，中指指向+Z方向。当如上所述定义X、Y和Z笛卡儿坐标系时，柱面透镜3a的布置方向是X轴方向， 并且沿着X轴方向分离用于左眼的图像和用于右眼的图像。而且，其中每一个包括左眼像素4L和右眼像素4R的显示单元在Y轴方向上被布置在一条线上。在X轴方向上的像素对的布置周期大致等于柱面透镜3a的布置周期。柱面透镜3a对应于其中在Y轴方向上布置了显示单元的线。在本示例性实施例中，通过三个显示单元来定义像素。并且各个显示单元是红色、 绿色和蓝色。各个颜色红色、绿色和蓝色的滤色器在X轴方向上延伸，并且在Y轴方向上以带状图案重复地布置了红色、绿色和蓝色滤色器。滤色器的颜色的顺序不限于这种配置。 并且，可以以带状图案来重复地布置具有等于或大于三种颜色的M种颜色的滤色器。在本示例性实施例中，在液晶层5LC侧在对向基板2b的表面上设置了滤色器和黑色矩阵。如图2中所示，显示板2具有TFT基板加和对向基板2b，它们被布置使得在其间有细小的空间，并且在那个空间中布置了液晶层5LC。液晶层5LC例如被设置为透射TN模式中。本发明不限于这种配置，并且可以应用其他液晶模式。TFT基板加被布置在显示板 2的-Z方向侧，并且对向基板2b被布置在+Z方向侧。即，柱镜光栅式透镜3被布置在对向基板2b的进一步的+Z侧。而且，偏振板11被附在TFT基板加的+Z侧和对向基板2b 的-Z侧处。在图2中所示的显示板2是包括TFT (薄膜晶体管)的有源矩阵型显示板。TFT作为向每一个像素提供显示信号的开关，并且流过连接到每一个开关的栅极的栅极线G的栅极信号控制该开关。如图1中所示，在列方向，即在Y轴方向上延伸的栅极线Gl至G7在液晶层5LC侧被布置在TFT基板加的表面上，即在+Z方向侧的表面上。以下，栅极线Gl至 G7被统称为栅极线G。而且，在行方向上、即在X轴方向上延伸的数据线Dl至D13被布置在TFT基板加的相同表面上。以下，将数据线Dl至D13统称为数据线D。数据线D向TFT提供显示数据信号。在本示例性实施例中，栅极线G弯曲，但是通过几个弯曲在Y轴方向上延伸，并且被布置在X轴方向上。而且，数据线D弯曲，但是通过几个弯曲在X轴方向上延伸，并且被布置在Y轴方向上。像素(左眼像素4L或右眼像素4R) 被布置在栅极线G和数据线D之间的交叉的附近。在图1中，为了澄清每一个像素至栅极线G和数据线D的连接关系，例如，将连接到数据线D3和栅极线G2的像素表示为P32。即，在字母P后的数字是数据线D的编号，并且在前一个数字之后的数字是栅极线G的编号。
如图3和4中以放大方式所示，由数据线D和栅极线G围绕的区域是像素4，其中， 布置了像素电极4PIX、像素薄膜晶体管4TFT、存储电容器线CS和存储电容器电极CS2。注意，图3是像素P;34、P33、P25和P45的放大视图，并且图4是像素P31、P32、P22 和P42的放大视图。像素薄膜晶体管4TFT是MOS薄膜晶体管，将源极电极或漏极电极的任何一个通过接触孔4C0NT1连接到数据线D，并且将另一个通过接触孔4C0NT2连接到像素电极4PIX和存储电容器4CS的一个电极。在本示例性实施例中，连接到像素电极4PIX的电极被称为源极电极，并且连接到数据线D的电极被称为漏极电极。像素薄膜晶体管4TFT的栅极电极连接到栅极线G。存储电容器4CS的另一个电极连接到存储电容器电极CS2。而且，在液晶层 5LC侧在对向基板2b上形成对向电极4C0M，并且在对向电极4C0M和像素电极4PIX之间形成像素电容器4CLC。存储电容器线CS和存储电容器电极CS2形成在同一层上，并且电连接在一起。在图3和4中，分别通过灰色、黑色、虚线和粗线来指示接触孔4C0NT1、接触孔 4C0NT2、像素电极4PIX和硅层4SI的各自的轮廓。在每一个图中的阴影用于区别每一个构造元件，并且不表示横截面。在图1中，为了澄清每一个像素至栅极线G和数据线D的连接关系，在图3和4中所示的像素薄膜晶体管4TFT和像素电极4PIX被提取并且示出。在图3和4中，适当地改变结构元件各自的大小和比例，以便保持图的可视性。在本示例性实施例中，由栅极线G和数据线D围绕的区域被称为“开口”。存储电容器线CS被布置使得一路通过并且跨过开口。具体地说，在开口的中心，存储电容器线CS 被倾斜并且布置与数据线D和栅极线G不同的方向上。即，关于其中存储电容器线CS、数据线D、栅极线G在子像素中延伸的各个方向，存储电容器线CS、数据线D和栅极线G分别在不同的方向上延伸和排列。如图2中所示，在显示板2中，右眼像素4R的列和左眼像素4L的列交替地被布置在图像分离方向上，即，X轴方向上，所述像素每一个是梯形开口。右眼像素4R的开口和左眼像素4L的开口形成开口区域，其中，那些开口在Y轴方向上不重叠。像素是具有三行X 二列的子像素的正方形。当像素的节距是Pu时，子像素的在 X轴方向上的节距是Px，并且子像素的在Y轴方向上的节距是Py，满足下面的关系表达式。Pu = 2XPx = 3XPy(1)如图5中所示，在液晶层5LC侧在对向基板2b上设置了作为覆盖除了开口之外的的各个像素的挡光部分的黑色矩阵60。黑色矩阵60覆盖像素薄膜晶体管4TFT、栅极线G、 数据线D和存储电容器电极CS2，并且以大体梯形形状打开。在本示例性实施例中，使用术语“挡光部分”，但是这不特别限于黑色矩阵60，而是阻挡光的部分。因此，黑色矩阵60可以不被设置在数据线D或栅极线G上，并且可以仅覆盖像素薄膜晶体管4TFT和存储电容器电极CS2。在该情况下，数据线D和栅极线G作为挡光部分。当在这个说明书中使用在XY平面上的表达“上”和“下”时，上”或“下”方向是与 Y轴方向平行的方向，并且“上”侧是+Y方向，并且“下”侧是-Y方向。如上所述，因为挡光部分的形状，子像素可以被看作具有梯形形状，因此在下面的说明中，这样的子像素被称为大体梯形的像素，并且长边被定义为下底，短边被定义为上底。开口的形状不限于梯形形状，并且可以是平行四边形、多边形、椭圆、半圆等。如图5中所示，通过附图标记Xl来指示在大体梯形像素的开口中的上底的长度。 而且，通过附图标记X2来指示大体梯形像素的斜边的从挡光部分的中心至与大体梯形像素的上底的交叉的在X轴方向上的长度。因此，在斜边区域中的大体梯形像素的X方向上的宽度是2XX2。而且，在X轴方向上的邻接像素中，通过附图标记X3来指示其中大体梯形像素的各个开口在X轴方向上彼此重叠的区域的宽度。而且，通过附图标记Yl来指示在大体梯形像素的开口的Y方向上的开口宽度。在大体梯形像素的上底的挡光部分的在Y方向上的宽度是Y2，并且在大体梯形像素的下底布置的挡光线的在Y方向上的宽度是2XTO。 因此，基于在X轴方向上的子像素的节距1^、在Y轴方向上的节距Py和在大体梯形像素的挡光部分和开口之间的关系，满足下面的关系表达式。Px = X1+2XX2(2)Py = Y1+Y2+2XY3(3)像素薄膜晶体管4TFT是使用多晶硅作为半导体的多晶硅薄膜晶体管。多晶硅的示例是包含微量硼的P型半导体。即，像素薄膜晶体管4TFT是PMOS薄膜晶体管，其中，当栅极电极的电势相对于源极电极或漏极电极的电势变为低电平时，源极电极和漏极电极电导通。本发明不限于这种类型的晶体管，并且，可以同样地使用NMOS薄膜晶体管。例如通过下述方式来形成多晶硅薄膜晶体管的多晶硅层通过在TFT基板加上形成氧化硅层，通过在其上形成非晶硅层，以及通过使得非晶硅层是多晶的。使得非晶硅层是多晶的示例技术是热退火和激光退火。具体地说，在使用诸如激态原子激光器这样的激光器进行激光退火的情况下，可以仅加热硅层，并且在将玻璃基板的温升限制在最小的同时使得这样的硅层是多晶的。因此，当应用激光退火时，变得有可能使用具有低熔点的无碱玻璃。因此，可以降低成本，使得多晶硅薄膜晶体管被广泛使用，并且被称为低温多晶硅。在本示例性实施例中，激态原子激光器至玻璃基板的扫描方向被设置在Y轴方向上。可以通过跳过退火步骤来实现非晶硅薄膜晶体管。接着，将成为栅极绝缘层的氧化硅层形成在多晶硅层上，并且根据需要被图案化。 在这个处理中，优选的是，在除了要被用作硅薄膜的半导体层的部分之外的区域中掺杂离子，以便使得这样的区域导电。图案化的示例方案是使用光敏抗蚀剂的光学图案化。在一种示例情况下，在将光敏抗蚀剂进行旋涂后，从诸如步进器这样的曝光装置部分地发射光， 并且，仅在其中应当通过显影处理形成图案的部分处留下光敏抗蚀剂的膜。其后，通过干蚀刻等来消除在其中未剩余光敏抗蚀剂膜的区域处的硅层，并最后剥离光敏抗蚀剂膜。接着，形成非晶硅层和硅化钨层，并且，那些层被图案化，以便形成栅极电极等。此时，也可以形成要连接到栅极电极的栅极线、存储电容器电极和存储电容器线。接着，形成氧化硅层和氮化物硅层，并且根据需要将它们图案化，并且形成铝层和钛层，以便形成源极电极和漏极电极。此时，也可以同时形成数据线。接着，形成氮化硅层，并且根据需要将其图案化，并且形成和图案化诸如ITO(铟锡氧化物)这样的透明的导电膜，由此形成像素电极。通过那些处理，可以形成具有薄膜晶体管的像素结构。可以使用这个薄膜晶体管来同时形成驱动栅极线、数据线和存储电容器线的电路。如图6中所示，显示板2具有驱动器IC 7，驱动器IC 7使用视频信号来控制TFT基板加的短侧。驱动器IC 7的输出引线连接到显示单元6的各个数据线D。通常，驱动器 IC 7的输出引线的节距比数据线D的节距窄。因此，从驱动器IC 7的输出引线至各个数据线D延伸的布线需要扩展。因此，需要将驱动器IC 7与显示单元(显示图像的单元)6隔开特定距离。数据线D的数量越少，则如果输出引线的节距是相同的，那么从显示单元6至驱动器IC 7的距离会越短。如图6中所示，当显示单元6是横向(在水平方向上长)时， 如果将数据线D布置在水平方向上，即，在X轴方向上的短侧上，则与将数据线D布置在垂直方向上，即在Y轴方向上的长侧上的情况作比较，可以减少数据线D的数量。因此，在水平方向上的数据线D的布置使得能够减小显示板2的框架的大小。而且，通过减少数据线的数量，可以减少对于驱动器IC 7的负载。在本示例性实施例中，与像素薄膜晶体管4TFT同时地在TFT基板加上形成连续地扫描栅极线G的栅极驱动器电路。因此，可以减小显示板2在长侧上的框宽度。通过在短侧上布置驱动器IC 7并且通过在长侧上集成栅极驱动器电路，可以减小显示板2的框的各个侧。而且，通过减小框的大小，可以减小显示板2的大小。因此，增大了从母基板获得的显示板2的数量。由此降低了每个显示板2的成本。而且，通过在TFT基板加上集成地形成像素和栅极驱动器电路，可以减少驱动器电路的部分的数量，导致成本降低和很少的能耗。图3和图4示出了被划分为四部分的像素。在本示例性实施例中，在与像素薄膜晶体管4TFT的栅极电极的层相同的层上形成栅极线G、存储电容器线CS和存储电容器电极 CS2。而且，在硅层4SI和各个存储电容器电极CS2之间形成存储电容器4CS。如上所述，硅层4SI通过接触孔4C0NT1连接到数据线D，并且，在像素电极4PIX侧设置的各个像素4中的各个另外一些接触孔4C0NT2用于电连接在各个存储电容器4CS中的硅层4SI和各个像素电极4PIX。在下面的描述中，使用表达“邻接像素对”。这表示在数据线D之间的两个像素处于其中那两个像素连接到在这样的像素之间布置的数据线D的状态。即，视频信号的数据电势通过在像素之间布置的数据线D被提供到构成邻接像素对的像素。如图3和4中所示，在Y轴方向的左侧并排布置的两个像素P34和P33构成邻接像素对并且两个像素P31和P32构成邻接像素对4ΡΑ^2。而且，构成邻接像素对和4PAIR2的各个像素被控制来通过不同的栅极线G 执行转换操作。在图3中的-X方向上的邻接像素对中，在-Y方向侧的像素4被在-X 方向侧布置的栅极线G控制，并且，在+Y方向侧的像素4被在+X方向侧布置的栅极线G控制。在其中数据线D延伸的方向、即X轴方向上邻接的邻接像素对不连接到公共数据线D，而是连接到不同的数据线D。这是因为邻接像素对在其中像素在Y轴方向上移位一个像素的状态中在X轴方向上邻接。这样的布置使得能够将所需的布线的数量减少到最小，因此可以改善开口率。参考图1，将确认像素的布置关系。首先，将集中给出由像素Ρ31和Ρ32构成的邻接像素对的说明。为了简化说明，将邻接像素对表示为邻接像素对(Ρ31，Ρ32)。邻接像素对(Ρ23，Ρ22)和邻接像素对(Ρ42，Ρ43)在+X方向上邻接到邻接像素对(Ρ31，Ρ32)。邻接像素对(Ρ22，Ρ23)具有作为公共数据线的数据线D2。表达“公共数据线”表示邻接像素对的各个像素连接到在其间布置的公共数据线，并且在预定定时在各个像素中写入通过公共数据线提供的数据电势。邻接像素对(P31，P32)具有作为公共数据线的数据线D3，因此可以表达邻接像素对(P31，P3》和(Ρ22，Ρ2!3)具有彼此不同的公共数据线。注意，各个公共数据线彼此邻接。另一邻接像素对(Ρ42，Ρ4!3)在+X方向上邻接邻接像素对(P31，P3W。同样，那些邻接像素对具有彼此不同的公共数据线D。而且，在+X方向上相对于邻接像素对(P23，P2W或邻接像素对(Ρ42，Ρ4!3)来布置邻接像素对(Ρ34，Ρ33)。如邻接像素对(Ρ31，Ρ32)那样，邻接像素对(Ρ34，Ρ33)具有作为公共数据线的数据线D3。即，对于每个像素列，布置具有相同数据线作为公共数据线的邻接像素对。换句话说，连接到构成右眼像素4R的邻接像素对的数据线未连接到构成左眼像素 4L的邻接像素对。在由像素Ρ22和Ρ23构成的邻接像素对(Ρ22，Ρ2!3)中，通过位于_Χ方向侧的栅极线G2来控制相对于公共数据线D2位于-Y方向侧的像素Ρ22，并且通过位于+X方向侧的栅极线G3来控制相对于数据线D2位于+Y方向侧的像素Ρ23。即，邻接像素对具有上下排列的各个像素，使得在其间夹着公共数据线，并且，上像素连接到右栅极线。相反，在由像素Ρ31和Ρ32构成的邻接像素对(Ρ31，Ρ32)中，通过位于+X方向侧的栅极线G2来控制相对于公共数据线D3位于-Y方向侧的像素Ρ32，并且通过位于-X方向侧的栅极线Gl来控制相对于公共数据线D3位于+Y方向侧的像素Ρ31。即，邻接像素对具有上下排列的各个像素，使得在其间夹着公共数据线，并且，上像素连接到左栅极线。在 +X方向上邻接的像素列中，相对于邻接数据线在-Y侧布置具有由左栅极线控制的上像素的邻接像素对。结果，在倾斜方向上布置相同种类的邻接像素对。换句话说，本示例性实施例的显示板2包括其中每对具有连接到左栅极线的上像素的邻接像素对和其中每对具有连接到右栅极线的上像素的邻接像素对。在图3中的像素布局对应于在图1中的在邻接像素对(Ρ34，Ρ33)与在X方向上邻接的子像素Ρ25和Ρ45之间的关系。而且，在图4中所示的像素布局对应于例如在图1中的在邻接像素对(Ρ31，Ρ3》与子像素Ρ22和Ρ42之间的关系。通过在X方向和在Y方向上交替地布置在图3和4中所示的像素来形成在本示例性实施例的显示板2中的TFT基板加的像素阵列。而且，以大体梯形形状来形成在每个像素中的显示区域，即用于显示的区域。像素电极4ΡΙΧ的形状也是具有与显示区域的形状对应的大体梯形的形状。可以表达邻接像素对，使得具有大体梯形的显示区域的两个像素被布置使得结合梯形的各个上底。像素薄膜晶体管4TFT被布置在大体梯形形状的显示区域的上底边，并且被布置在构成邻接像素对 4卩八顶和4PAIR2的像素的各个上底之间。存储电容器线CS被布置使得电连接在栅极线G的延伸方向、即Y轴方向上邻接的子像素的各个存储电容器电极CS2。如像素薄膜晶体管4TFT —样，存储电容器电极CS2在大体梯形形状的每个子像素中被布置在显示区域的上底边。存储电容器电极CS2沿着作为子像素的中线的虚拟线Β-Β’被布置，并且以相对于Β-Β’线的轴对称形状形成。因此，形成存储电容器4CS的区域可以有效地被布置在构成邻接像素对和4PAIR2的子像素的各个上底之间，由此进一步改善开口率。
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在各个邻接像素对和4PAIR2处设置的像素薄膜晶体管4TFT每个使用以一边打开的矩形形状形成的双栅极结构，并且被布置使得各个打开边彼此面向。存储电容器电极CS2形成在双栅极结构的像素薄膜晶体管4TFT之间，使得彼此面向，并且存储电容器 4CS被形成在每一个子像素处设置的硅层4SI和存储电容器电极CS2之间。在邻接像素对和4PAIR2中的像素薄膜晶体管4TFT的各个沟道被布置使得与图像分离方向即X轴方向平行。数据线D被布置使得在像素薄膜晶体管4TFT的上层弯曲，并且在沟道区域的上层，在与图像分离方向即X轴方向不同的方向上倾斜。而且，数据线D被布置使得在存储电容器电极CS2上在与图像分离方向不同的方向上倾斜。如上所述，在梯形的上底处布置的像素薄膜晶体管4TFT和存储电容器电极CS2的上层处，数据线 D通过几个弯曲在X轴方向上延伸。在梯形的上底处的数据线D的弯曲使得能够有效地布置数据线D，因此可以改善开口率。而且，因为像素薄膜晶体管4TFT的沟道被布置使得与 X轴方向平行，所以通过在Y轴方向上设置用于使得多晶硅层结晶的激光退火的扫描方向， 各个邻接像素对的晶体管特性会均勻。存储电容器线CS电连接到存储电容器电极CS2。因此，构成邻接像素对 4PAIR2的各个像素的存储电容器电极CS2具有相同的电势。因为在邻接像素对和 4PAIR2中的大体梯形的像素结合在一起使得梯形的各个上底彼此面对，所以通过提供公共存储电容器电极CS2，可以有效地保证形成存储电容器4CS的区域。因此，与传统技术相比较，可以提高开口率，并且可以提高透光率。如图7和8中所示，根据本示例性实施例的终端装置是蜂窝电话9。上述的图像显示装置1被安装在蜂窝电话9上。如图7中所示，图像显示装置1的X轴方向是蜂窝电话9 的屏幕的垂直方向，并且图像显示装置1的Y轴方向是蜂窝电话9的屏幕的水平方向。如图8中所示，蜂窝电话9的屏幕部分具有包括旋转轴的铰链，并且能够自由地旋转。因此， 图像分离方向(X轴方向)可以被设置为与当在使用中时互连观众的两只眼睛的线基本上平行。而且，因为显示板2具有窄框，所以图像显示装置1可以被适当地应用到便携装置， 而不使得该便携装置所需的功能和设计变差。接着，将说明根据本示例性实施例的像素结构及其效果。在多视点显示装置中，为了实现开口率和图像质量的改善，需要在与在水平方向上的位置无关地将垂直开口率保持得基本上不变的同时使得垂直开口率最大。在Y方向上的开口率，即垂直开口率被定义如下。垂直开口率是通过下述方式获得的值将当使用在垂直于图像分离单元的图像分离方向(在本示例性实施例中为X轴方向)的方向(Y轴方向)上延伸的线段切割像素时的在Y轴方向上的开口的总宽度除以在Y轴方向上的像素节距。在多个视点的显示装置中，为了实现开口率和图像质量的改善，需要在与图像分离方向无关地将垂直开口率保持得基本上不变的同时使得垂直开口率最大。首先，关于栅极线G和数据线D的布置，优选的是，应当在每个像素周围布置栅极线G和数据线D。这使得能够减少在布线之间的死空间并且改善开口率。换句话说，优选的是，避免下述布置其中，各个栅极线G或各个数据线D彼此邻接，而没有其间插入的像素。这是因为，当相同种类的布线彼此邻接时，必须使得布线隔开，以便抑制任何短路，并且这样的空间变为减小开口率的死空间。具体地说，在立体图像显示装置的情况下，至少图像分离方向被设置为显示装置的水平方向。根据存储电容器线CS的布局方向，存储电容器线CS是弯曲的，并且在与图像分离方向不同的方向上倾斜，以便使得垂直开口率不变，而与图像分离方向无关。存储电容器线 CS的倾斜的角度被设置为使得开口率基本上不变的角度。存储电容器线CS被布置在子像素中，并且被布置使得跨过通过子像素的中心的虚拟线B-B’。虚拟线B-B’与Y轴方向平行，并且在子像素的X轴方向上将子像素划分为两个部分。子像素的轮廓是具有相对于Y轴的轴对称轴的大体梯形，因此，虚拟线B-B’也是子像素的轮廓的轴对称轴，并且通过子像素的重心。每个布线的倾斜角被定义使得围绕作为0度轴的+X方向的逆时针的方向是正的。 如图3、4和5中所示，在每个子像素中，栅极线G在与图像分离方向不同的方向上倾斜，并且在其中邻接像素对和4PAIR2的上底指向+Y方向的像素中，在-X侧的栅极线G具有Φ 1的倾斜角，并且在+X侧的栅极线G具有Φ2 = -Φ1的倾斜角。而且，在其中上底指向-Y方向的像素中，在-X方向侧的栅极线G具有Φ' 1 =_Φ1的倾斜角，并且，在+X侧的栅极线G具有Φ‘ 2 = Φ 1的倾斜角。在每个子像素中，存储电容器线CS在与图像分离方向不同的方向上倾斜，并且， 在其中邻接像素对4PA^*4PAIR2的各个上底指向+Y方向的像素中，倾斜角是Θ1。而且，在其中上底指向-Y方向的像素中，倾斜角是θ ‘ 1 = -Θ1。S卩，满足关系θ = I θ 1
=I θ ‘ U。而且，必须从栅极线G的布置方向弯曲栅极线G，以便使得垂直开口率不变，而与图像分离方向的位置无关。垂直开口率的限制的示例是弯曲的倾斜部分的结构、在梯形开口的下底之间的结构和在其上底之间的结构。更具体地，如在图3中的线A-A'所示，在切割倾斜部分的垂直线中，栅极线G的倾斜部分的在Y轴方向的宽度和梯形的下底的在Y轴方向上的宽度影响垂直开口率。而且，如线Β-Β’所示，在切割TFT部分的垂直线中，上底和下底的在Y轴方向上的宽度与存储电容器线CS的倾斜部分的宽度影响垂直开口率。如图5中所示，对于A-A'线和B-B'线共同的是在大体梯形像素的下底处在Y轴方向上的档光宽度。因此，将说明最小化下底的在Y轴方向上的挡光宽度的结构。需要在位于下底的挡光部分处布置至少一条数据线D。为了最小化下底的在Y轴方向上的挡光宽度， 优选的是，仅数据线Dl应当是结构对象。例如，当将薄膜晶体管布置在下底处时，在Y轴方向上的下底的宽度增加与这样的晶体管对应的量，因此不是优选的。具体地说，在线A-A' 中，布置下底使得彼此重叠，下底的在Y轴方向上的宽度的增大影响较大。因此，优选的是， 尽可能避免在大体梯形像素的下底处布置结构对象。因此，变得在减少下底的在Y轴方向上的宽度的同时有可能减少处理的数量。接着，将说明在Y轴方向并且跨过A-A'线的倾斜部分的宽度。布线在该倾斜部分处弯曲，因此在Y轴方向上的宽度增大与弯曲对应的量。例如，当相对于X轴的倾斜角是Φ =I Φ1| = I Φ' 1| = I Φ2| = ι φ' 2|时，并且当倾斜部分的宽度是WI时，倾斜部分的在Y轴方向上的宽度是Wl/C0S(j5。当例如Φ是60度时，倾斜部分的在Y轴方向上的宽度变为倾斜部分的宽度的两倍。倾斜部分的在Y轴方向上的宽度是倾斜部分的宽度Wl的1/ COS Φ倍，并且减少倾斜部分的宽度很重要。为了减少倾斜部分的宽度，优选的是，尽可能不在倾斜部分处布置任何结构对象。当例如在倾斜部分布置薄膜晶体管时，宽度增大与这样的晶体管对应的量，并且在Y轴方向上宽度以l/cosct倍增大，因此不是优选的。然而，如上所述，需要在子像素中布置至少一条栅极线G。最后，将描述在B-B'线中上底的在Y轴方向上的宽度。如上所述，因为难以在下底和在倾斜部分处布置薄膜晶体管，所以需要将薄膜晶体管布置在上底处。而且，减少上底的在Y轴方向上的宽度的布置是重要的。从图3和4显然，在上底在Y轴方向上具有最长宽度的结构对象是图像像素薄膜晶体管4TFT。因此，重要的是，减少像素薄膜晶体管4TFT 的在Y轴方向上的宽度，即在Y轴方向上的其长度。如图5中所示，可以通过下面的公式(4)和(5)来表达在线A-A'中的垂直开口率 A和在线B-B'中的垂直开口率B。A = (Y1+Y2-W 1/cos Φ) / (Y1+Y2+2 X Y3) (4)B= (Yl-W2/cos θ )/(Υ1+Υ2+2ΧΥ3) (5)存储电容器线CS的倾斜角在显示单元被设置为相同角度，并且在邻接像素对中被设置为不同角度。而且，通过在Y轴方向上并排布置的逐个子像素地，存储电容器线CS 在不同的方向上弯曲。并且倾斜角相对于Y轴方向分散。而且，存储电容器线CS平行于X 轴方向。因为栅极线G的倾斜角和存储电容器线CS的倾斜角彼此不同，所以源自透镜的布局周期和布线的布局周期的莫尔条纹的周期可以在每个方向上分散，使得不可能可视地识别莫尔条纹，由此改善显示质量。而且，存储电容器线CS的倾斜部分在Y轴方向上在邻接的像素即邻接像素对 4PAIR和4PAIR2中不平行，而是在X轴方向上在邻接的像素即作为显示单元的像素中彼此平行。存储电容器线CS被分散在Y轴方向上。如图3和4中所示，栅极线G被布置在X轴方向上的邻接的像素之间的边界处，并且邻接的像素的像素电极的各个端在栅极线G的倾斜部分的附近彼此接近。因此，在栅极线G的倾斜部分的附近，因为由像素电极4ΡΙΧ和栅极线G产生的磁场的影响，液晶分子的取向被干扰，并且有可能出现旋转位移。因此，可能因为从背光泄露的光而减小对比度。具体地说，在具有图像分离单元的立体显示元件的情况下，在像素中的光的本地泄露被放大， 并且被垂直地识别为在亮度上的改变，导致显示质量的降低。因此，期望在栅极线G的倾斜部分附近提供挡光层，以便减少光泄露。在本示例性实施例中，栅极线G的上层被在对向基板2b上设置的黑色矩阵60覆盖，以便阻挡光。期望提供黑色矩阵60，使得考虑到用于TFT 基板加和对向基板2b的丢掉的重叠的余裕来加宽黑色矩阵60。取代黑色矩阵60，可以适当地使用在TFT基板加侧设置的布线材料，以便挡光。 当挡光部分被设置在TFT基板加侧时，可以在该基板上以高精度来将挡光部分图案化，从而可以将挡光层的线宽设置得小，因此，可以提高开口率。具体地说，通过减小挡光层的线宽，可以减少在右和左分离的图像之间的边界处产生的3D莫尔，由此改善立体图像的显示质量。因为栅极线G的倾斜部分被黑色矩阵60覆盖，所以垂直开口率可以被TFT基板加和对向基板2b的重叠的精度影响，并且改变。期望将源自重叠精度的垂直开口率的波动设计在士 10%的范围内。
在本示例性实施例中，在开口处布置的存储电容器线CS被像素电极4PIX覆盖。因此，完全阻挡由存储电容器线CS产生的电场，因此可以抑制电场向液晶层5LC的进入。因此，在存储电容器线CS的上层处不出现源自液晶取向的干扰的光泄露，并且不必提供黑色矩阵60。因此，可以提高开口率。为了防止进入显示板2的外部光被存储电容器线CS反射，并且抑制图像质量的降低，期望尽可能减少跨过开口的存储电容器线CS的面积。而且，期望存储电容器线CS的表面应当尽可能是低反射的。低反射的膜可以形成在存储电容器线CS上。因此，如图5中所示，期望存储电容器线CS的宽度W2应当小于栅极线的倾斜的挡光部分宽度W1，并且，应当满足下面的关系。Wl > W2(6)而且，为了在期望的像素中提高开口率，期望大体梯形像素的上底的挡光部分宽度Y2应当小于在梯形开口的Y轴方向上的宽度Y1，并且应当满足下面的关系。Yl > Y2(7)如图3中所示，在本示例性实施例中，栅极线G的倾斜角和存储电容器线CS的倾斜角彼此不同。在其中上底指向+Y方向的邻接像素对4PAIR2的像素的情况下， 通过像素开口的存储电容器线CS的倾斜角θ 1被设置得小于栅极线G的倾斜角Φ1。栅极线G被布置在显示单元的中心处，并且较大程度地影响右和左图像的分离性能。具体地说， 栅极线G的倾斜角越大，其中右和左图像混和的区域Χ3变得更大，并且3D串音增加，因此难以提高栅极线G的倾斜角。具体地说，如图5中所示，当其中右和左图像混和的区域的宽度是Χ3时，期望在具有宽度Χ3的区域中的开口区域应当等于或小于像素开口区域的10%。 相反，存储电容器线CS的倾斜角θ 1不较大程度地影响3D串音，并且可以比栅极线G的倾斜角Φ1小。为了使得垂直开口率的在X轴方向上的波动尽可能平缓，期望存储电容器线 CS的倾斜角应当小。因此，应当满足下面的关系。θ 1 < φ 1(8)通过减少存储电容器线CS的倾斜角，存储电容器线CS可以在挡光部分的端部处与栅极线G交叉，该挡光部分可以被看作在X轴方向上连续地弯曲的挡光布线部分。这使得能够减小由于图像分离单元的放大效果导致产生的亮度的改变。而且，为了减小3D串音，期望在开口中的大体梯形像素的上底的长度Xl应当大于在X方向上的、从大体梯形像素的倾斜侧的中心点至与上底的交叉的长度Χ2。在这种情况下，应当满足下面的关系。Xl > Χ2(9)而且，为了减小3D串音和提高开口率，期望在开口中的大体梯形像素的上底的长度Xl应当大于在X轴方向上的大体梯形像素的倾斜区域的宽度Χ2的两倍的值，S卩，2ΧΧ2。 而且，期望长度Xl应当比其中在X轴方向上的邻接像素中的大体梯形的像素的开口在X轴方向上重叠的区域的宽度Χ3长。因此，应当满足下面的关系。Xl > (2ΧΧ2) > Χ3(10)通常，从存储电容器4CS的形成的视点看，当存储电容器线CS被布置在薄膜晶体管的附近时，是最有效的。这是因为，在连接到像素薄膜晶体管4TFT的漏极电极的电极和连接到存储电容器线CS的电极之间形成存储电容器4CS。具体地说，在本示例性实施例中，存储电容器电极CS2被设置在用于控制邻接像素对的各个子像素的像素薄膜晶体管 4TFT之间，并且，邻接像素对4PAIR2具有公共存储电容器电极CS2，因此有效地布局用于形成存储电容器4CS的区域，由此改善开口率。而且，在本示例性实施例中，用于控制邻接像素对的每个像素的像素薄膜晶体管 4TFT使用双栅极结构，并且，像素薄膜晶体管4TFT的通道被布置使得与X轴方向平行。每个像素薄膜晶体管4TFT的源极电极通过接触孔4C0NT2电连接到每个像素电极，以便控制在+Y侧或在-Y侧的像素。接触孔4C0NT2被设置在要控制的每个像素电极的一侧，因此有效地布置接触孔。根据这个结构，连接到数据线D的每个漏极电极不与X轴方向平行，因此需要弯曲数据线D以便将其连接到漏极电极。如图3和4中所示，在本示例性实施例中，在与图像分离方向不同的方向上布置和倾斜在存储电容器电极CS2的上层的数据线D，并且以最短距离电连接在邻接像素对中设置的像素薄膜晶体管4TFT的各个漏极电极。在漏极电极和使用具有倾斜的数据线D的布线布局结构的数据线D之间的连接可以被应用到所有的邻接像素对，因此，可以保证向每个像素的写入条件的统一性。在本示例性实施例中，描述了双栅极布局，但是本发明不限于这种类型的布局，并且，像素薄膜晶体管4TFT可以使用单栅极结构或三栅极结构。通过使用诸如双栅极结构或三栅极结构这样的多栅极结构，可以减少当薄膜晶体管处于断开状态中时的光泄露电流， 因此，可以抑制从图像显示装置的背光或外部发射的光导致的TFT特性的变差。因此，可以抑制闪烁、噪声和串音，并且，可以提供高质量图像显示装置。具体地说，与使用非晶硅的薄膜晶体管相比较，使用多晶硅的薄膜晶体管在源极和漏极之间具有小电阻，因此，上述的多栅极结构的应用是显著有效的。而且，通过提高来自高清晰度像素的背光的亮度来获得光亮度。在大体梯形像素的上底处的像素薄膜晶体管4TFT分别控制在Y轴方向上邻接的在+Y侧的像素和在-Y侧的像素。因此，在存储电容器电极CS2和数据线D的交叉处，在与图像分离方向不同的方向上布置和倾斜数据线D。在存储电容器电极CS2的上层的倾斜的数据线D被布置在图3中的相对于图像分离方向的角度θ D2处和在图4中的相对于图像分离方向的角度θ D4处，以便连接用于驱动在邻接像素对中的各个像素的像素薄膜晶体管4TFT。在与图像分离方向不同的方向上布置和倾斜在存储电容器线CS的上层布置的数据线D，使得减少无益的空间，并且无益空间可以被用作用于存储电容器4CS的空间。像素薄膜晶体管4TFT的硅薄膜部分被堆叠在数据线D上。在该硅薄膜部分的上层处在与图像分离方向不同的方向上布置和倾斜数据线D。例如，在图3中，在硅薄膜的上层处在数据线D和X轴方向之间的角度是θ D1，并且在图4中，在硅薄膜的上层处在数据线 D和X轴方向之间的角度是0D3。关于像素薄膜晶体管4TFT、数据线D和在梯形的上底处的接触孔4C0NT1和 4C0NT2，它们之间的关系是相对于在存储电容器电极CS2上设置的数据线D的中点周围的点对称。晶体管的这样的布局和数据线D的这样的布局最小化了布局面积，因此，提高了像素的开口率。挡光层和滤色器可以被布置在TFT基板加侧。这改善了重叠精度，使得可以减少挡光层的宽度并且可以提高开口率。而且，通过减小覆盖栅极线G的挡光层的宽度，可以减小3D莫尔，因此，可以改善显示质量。
接着，将说明根据本示例性实施例的使用上述配置的图像显示装置1的驱动方法，即驱动操作。图9是示出在本示例性实施例的图像显示装置1中的各个像素的极性的平面图。在本示例性实施例中，通过点反转驱动来驱动图像显示装置1。如图10中所示，点反转驱动是下述驱动技术该技术使得对于每条数据线传输的显示数据的极性相对于参考电势反转，使得对于每条栅极线通过每条数据线传输的显示数据的极性反转，并且使得对于每个帧反转显示数据的极性。点反转驱动被称为IHlV反转驱动。这是因为对于在水平方向(H方向)上布置的每条数据线并且对于在垂直方向(V方向)上布置的每条栅极线反转极性。将参考图9详细说明，图9示出作为点反转驱动的结果的在帧中实现的各个像素的极性。首先，当选择栅极线Gl时，具有正极性的显示数据被传输到数据线D1，并且具有正极性的电压被写入像素Pll中。而且，具有负极性的显示数据被传输到数据线D2，同样，具有正极性的多个显示数据被分别传输到D3、D5、D7、D9、Dll和D13，并且具有负极性的多个显示数据分别被发送到数据线D4、D6、D8、DlO和D12，接着，当选择栅极线G2时，所有数据线的各自极性反转。即，具有负极性的多个显示数据被分别传输到Dl、D3、D5、D7、D9、Dll 和D13，并且具有正极性的多个显示数据分别被传输到数据线D2、D4、D6、D8、D10和D12。同样，当分别选择栅极线G3、G5和G7时，像当选择栅极线Gl时，应用相同的状态，和当选择栅极线G4时，像当选择栅极线G2时，应用相同的状态。当这个帧结束时，在下一个帧中，进一步执行极性反转。即，当选择栅极线G1、G3、G5和G7时，具有负极性的多个显示数据被分别传输到Dl、D3、D5、D7、D9、Dll和D13，并且具有正极性的多个显示数据分别被传输到数据线02、04、06、08、010和012。而且，当分别选择栅极线G2、G4和G6时，具有正极性的多个显示数据分别被传输到数据线Dl、D3、D5、D7、D9、Dll和D13，并且具有负极性的多个显示数据分别被传输到数据线D2、D4、D6、D8、DlO和D12。如图9中所示，由右眼像素4R构成的像素组具有带来二线点反转OHlV点反转) 效果的极性分布。由左眼像素4L构成的像素组也是这样。因此，由一只眼睛可视地识别的图像的极性分布看起来好像对于在水平方向(H方向)上布置的每两条数据线或对于在垂直方向(V方向)上布置的每条栅极线反转极性。根据本示例性实施例的极性分布的基本组是在X轴方向上的4个像素和在Y轴方向上的4个像素，总共16个像素。在本示例性实施例中，当在每个像素中写入显示数据时，可以抑制在存储电容器线CS中的电势改变。这是因为，对于邻接像素对4PAIR2公共的存储电容器电极 CS2不仅连接到其中在连续两个栅极选择周期期间写入具有正极性的显示数据的像素，而且连接到其中写入具有负极性的显示数据的像素。因此，可抑制存储电容器线CS的电势向在一侧的极性的波动，并且减少存储电容器线CS延伸的方向上出现的串音，由此完成高质量显示。本示例性实施例的配置通过一般的点反转驱动实现了每个存储电容器线CS的二线点反转效果和电势波动抑制效果，并且使得在各自的底边具有邻接的梯形开口的像素的各自的极性是相同的。因此，以低成本实现了高质量显示。在点反转驱动中的参考电势的示例是对于像素电极4PIX的公共电极的电势。然而，在精确的含义上，DC偏移被应用到公共电极电势，以便减少通过薄膜晶体管引起的穿透的效果，并且DC偏移与参考电势不同。
将详细描述其中柱镜光栅式透镜3作为图像分布单元的情况。在本示例性实施例中，图像分布单元需要沿着其中布置了左眼像素4L和右眼像素4R的第一方向、即X轴方向将从各个像素发射的光分布到不同的方向。因此，将首先参考图11来说明最大化图像分布效果的情况。假定在柱镜光栅式透镜3的主点、即其顶点和像素之间的距离是H，柱镜光栅式透镜3的折射率是n，并且透镜节距是L。即，在本示例性实施例中，在X轴方向上的每个左眼像素4L或右眼像素4R的节距是P。在图像分离方向上作为每个左眼像素4L或右眼像素4R的显示单元的布置节距Pu是2P。而且，假定在柱镜光栅式透镜3和观众之间的距离是最佳观看距离0D，并且在最佳观看距离OD中的图像的放大投影图像的周期，即左眼像素4L和右眼像素4R在与透镜平行并且与透镜相距最佳观看距离OD的虚拟平面上的投影图像的宽度的各自的周期是e。而且，假定在X轴方向上从位于柱镜光栅式透镜3的中心处的柱面透镜3a的中心至位于柱镜光栅式透镜3的端部的柱面透镜3a的中心的距离是WL，并且，在X轴方向上在作为位于显示板2的中心处的左眼像素4L或右眼像素4R的显示单元的中心和显示板2的端部处的显示单元的中心之间的距离是WP。而且，假定位于柱镜光栅式透镜3的中心处的柱面透镜3a 的光入射角和光出射角分别是α和β，并且，位于在X轴方向上的柱镜光栅式透镜3的端部处的柱面透镜3a的光入射角和光出射角分别是γ和δ。而且，假定在距离WL和距离 WP之间的差是C，并且在具有距离WP的区域中包括的子像素的数量是an。柱面透镜3a的布置节距L和子像素的布置节距Pu彼此相关，因此节距的任何一个被根据另一个节距来设置。一般地，柱镜光栅式透镜3通常根据显示面板被设计，像素的布置节距P被取为常数。而且，通过选择柱镜光栅式透镜3的材料来设置折射率η。相反， 在透镜和观众之间的最佳观看距离OD和在最佳观看距离OD中的像素放大投影图像的周期 e被设置为期望值。基于那些值，设置在透镜的顶点和像素之间的距离H和透镜节距L。基于斯涅尔定律和几何关系来满足下面的公式。nXsina = sin β(11)ODXtan^ = e(12)HXtana =P(13)nXsin γ = sin δ(14)HXtany = C(15)ODXtan δ =WL(16)WP-WL = C(17)WP = PuXm = 2XmXP (18)WL = mXL(19)将说明如上所述最大化图像分布效果的情况。这是在柱镜光栅式透镜3的顶点和像素之间的距离H和柱镜光栅式透镜3的焦距f被设置为相同的情况。因此，满足下面的公式00)。当透镜的曲率半径是r时，可以从下面的公式获得曲率半径r。f = H(20)r = HX (n-l)/n(21)下面总结上述参数。即，根据显示板2来设置像素的布置节距P，并且基于图像显
24示装置1的设置来设置最佳观看距离OD和像素放大投影图像的周期e。基于透镜的材料等来设置折射率η。从上述参数得出的透镜布置节距L和在透镜和像素之间的距离H是用于设置其中来自每个像素的光被投影在观看平面上的位置的参数。透镜的曲率半径r是改变图像分布效果的参数。即，当在透镜和像素之间的距离H是固定值时，如果透镜的曲率半径从理想值改变，则右和左图像模糊，并且变得难以清楚地分离那些图像。即，如果获得使得分离有效的曲率半径的范围，则适当。首先，计算曲率半径范围的最小值，其中，通过透镜的分离效果是有效的。如图12 中所示，为了具有分离效果，应当在以透镜节距L作为底边并且以焦距f作为高度的三角形和以子像素节距P作为底边并且以H-f作为高度的三角形之间满足相似的关系。因此，满足下面的公式(22)，并且可以获得焦距的最小值fmin。fmin = HXL/(L+P)(22)接着，将基于焦距来计算曲率半径。当使用公式时，可以从下面的公式03) 获得曲率半径的最小值rmin。rmin = HXLX (n-l)/(L+P)/n (23)接着，计算曲率半径的最大值。如图13中所示，为了具有通过透镜的分离效果，应当在以透镜节距L作为底边并且以焦距f作为高度的三角形和以子像素节距P作为底边并且以H-f作为高度的三角形之间满足相似的关系。因此，满足下面的公式(M)，并且可以获得焦距的最大值fmax。fmax = HXL/(L-P)(24)接着，基于焦距来计算曲率半径。当使用公式时，可以从下面的公式05)获得曲率半径的最大值rmax。rmax = HXLX (n-1)/(L-P)/n(25)下面是上面的说明的总结。为了使得透镜带来图像分布效果，需要透镜曲率半径应当在由从公式03)和05)得出的下面的公式06)指示的范围内。HXLX (n-l)/(L+P)/n ^ r ^ HXLX (n-1)/(L-P)/n(26)在上面的说明中，说明了用于右眼像素和左眼像素的两视点立体图像显示，但是本发明不限于这种类型的图像显示装置。例如，本发明可以被应用到用于N个视点的图像显示装置。即，根据N个视点的方案，显示单元的节距Pu和子像素节距P满足关系Pu = NXP0在这种情况下，在距离WP的定义中，在具有距离WP的区域中包括的像素的数量可以从ail改变至NXm。根据本示例性实施例的上述配置，为了实现图像质量的进一步改善，优选的是，垂直开口率应当完全恒定，而与在水平方向(即，X轴方向)上的位置无关。然而，具体地说， 在梯形开口的倾斜部分的顶点附近，因为挡光部分的形成精度等，难以使得垂直开口率完全恒定。因此，根据本示例性实施例，如图12和13中所示，透镜的焦点从像素表面移位，以便减少源自挡光部分的形成精度的效果，由此实现图像质量的改善。如上所述通过使得透镜的焦点从像素表面移位来设置模糊区域并且改善图像质量的技术在下面被称为“去焦效果”。而且，会模糊的有效区域，即去焦宽度别称为“斑大小 SP”。在本示例性实施例中在图像分离方向、即在X轴方向上会有效地模糊的去焦宽度是斑大小SP。根据相距透镜焦点的位置的距离来设置斑大小SP的大小，并且可以通过调整柱镜光栅式透镜片和对向基板2b的偏振板11的厚度来设置斑大小SP的大小。当在X轴方向上的梯形的倾斜侧的宽度是WXl时，如图5中所示，满足WXl =W sin Φ 1，并且，在X轴方向上从在梯形开口的倾斜侧和其上底之间的交叉处至在该倾斜侧和下底之间的交叉处的长度是2ΧΧ2。优选的是，当透镜的焦点从像素表面移位时的斑大小SP应当在从等于或大于WXl 至等于或小于2 XΧ2的范围内。当斑大小SP是WXl时，它是可以使得梯形开口的倾斜区域综合地模糊的极限，并且优选的是，斑大小SP应当被设置为大于这样的极限。当斑大小是 2ΧΧ2时，可以模糊的区域可以被扩展到在梯形开口的倾斜侧及其上底之间的交叉处，并且扩展到在该倾斜侧和下底之间的交叉处。然而，如果要模糊的区域进一步放大，则透镜的分离性能降低。因此，当优先地设计透镜的分离性能时，优选的是，透镜曲率因子应当在满足下面的公式(XT)或08)的范围内。HXLX (n-l)/(L+2XX2)/n ^ r ^ HXLX (n-1)/(L+WX2)/n (27)HXLX (n-l)/(L-WX2)/n 彡 r 彡 HXLX (n-l)/(L-2XX2)/n (28)在本示例性实施例中，当在X轴方向上的倾斜的存储电容器线CS的宽度是WX2 时，如图5中所示，满足WX2 = W2/sin θ 1。为了使得在存储电容器线CS和梯形的倾斜侧之间的交叉处综合地模糊，优选的是，斑大小SP应当在从等于或大于WXl至等于或小于 2Χ (WX2+X2)的范围内。当斑大小是WXl时，它是可以使得梯形开口的倾斜区域综合地模糊的极限，并且优选的是，斑大小SP应当被设置为大于这样的极限。当斑大小是2Χ (WX2+X2) 时，可以模糊的区域可以扩展到在存储电容器线CS和挡光部分之间的交叉处。因此，源自存储电容器线CS的形成精度的效果被减小，以便实现图像质量的改善。当对于图像质量的源自存储电容器线CS的形成精度的影响大时，这特别有效。然而，如果模糊水平增加得更多，则3D串音的水平增加，并且不是优选的。因此，优选的是，将透镜曲率设置在满足下面的公式(29)或(30)的范围内。HXLX (n-1)/(L+2XWX2+2XX2)/n ^ r ^ HXLX (n-1)/(L+WX1)/n(29)HXLX (n-l)/(L-WXl)/n 彡 r 彡 HXLX (n-l)/(L-2XWX2-2XX2)/n (30)接着，详细描述根据本示例性实施例的像素结构的影响和透镜的影响。首先，将参考图形说明在本说明书中的3D莫尔的定义。图14是示出根据本示例性实施例的图像显示装置1的亮度分布的图形。在水平方向上的观看位置X指示图像分离方向的角度，并且垂直于显示平面的方向，即Z轴方向被设置为0。在垂直方向上的亮度Y 指示当在角度方向上的亮度分布上的最大值是1时的相对亮度。观众位置的-X侧是与向右眼侧输出的图像对应的亮度分布，并且+X侧是与向左眼侧输出的图像对应的亮度分布。虚线指示当仅通过在右眼像素4R和左眼像素4L之间的一个像素来输出图像时的亮度分布，并且粗线指示当通过两个像素显示图像时的亮度分布。因此，与由虚线指示的各个视点对应的亮度分布的总和等于由粗线指示的亮度分布。根据本示例性实施例的像素被设计使得在图像分离方向上的垂直开口率变得基本上不变，但是垂直开口率因为通过TFT生产处理和板生产处理的形成精度而不完全变得不变，并且亮度可能相对于观众位置X局部改变。具体地说，当TFT基板加和对向基板2b 的重叠在Y轴方向上较大幅度地未对齐时，亮度有可能改变，这被阻挡通过栅极线G的光的黑色矩阵60影响。如图14中所示，由于栅极线G的挡光部分导致产生在(X0，Y0)附近产生的亮度波动，并且，由于存储电容器线CS产生在0(R2，YR2)和(XL2，YL2)附近的亮度波动。这样的亮度波动被称为3D莫尔，并且在本说明书中被定义如下。YC= (YLl+YRl)/2(31)AYC = (YC-YO) /YC(32)Δ YC/Δ XC = Δ YC/(XRl-XLl)(33)YL= (YLl+YL3)/2(34)Δ YL = (YL-YL2) /YL(35)Δ YL/ Δ XL = Δ YR/ (XL1-XL3)(36)YR= (YRl+YR3)/2(37)Δ YR = (YR-YR2) /YR(38)Δ YR/ Δ XR = Δ YR/ (XR3-XR1)(39)AYs = ( Δ YL+ Δ YR) /2(40)Δ Ys/Δ Xs = (Δ YL/ Δ XL+ Δ YR/ Δ XR) /2 (41)如图14中所示，右眼的可视觉识别的范围eR和左眼的可视觉识别的范围eL被定义如下。eR = XR4(42)eL = -XL4(43)而且，从图5满足下面的关系式。(XR3-XR1) (XLl-XRl) = Xl 2XX2 (44)图15是示出用于图像显示装置1的评估结果的表。如图15中所示，本发明的发明人利用具有分别被设置为30度、45度、60度、以及90度的存储电容器线CS的倾斜角θ 1 的像素来采样，并且评估在每个像素的3D莫尔的光学特性。如图15中所示，从测试结果， 本发明的发明人发现，如果它在亮度波动的预定范围内，则可以向观众提供立体图像，而不使得观众感觉到奇怪。下面更详细地描述这一点。在尝试地建立的评估采样中，栅极线G的倾斜角Φ 1和Φ ‘ 1和栅极挡光部分的宽度Wl是不变的。存储电容器线CS被布置使得跨过子像素的开口，并且其倾斜角被改变使得在存储电容器线CS的宽度W2被保持得不变的同时，存储电容器线CS通过大体梯形开口的中心。因此，开口率根据倾斜角θ 1来改变，并且开口率在θ 1 = 90度变得最大。图16是示例性地示出当存储电容器线CS的角度较大时的像素的平面图。如图16 中所示，在存储电容器线CS和图像分离方向之间的角度是I θ 11| > I Θ1|。当θ 11变得大于θ 1时，在存储电容器线CS和挡光部分之间的交叉变得与在大体梯形像素的倾斜部分和上底之间的交叉分开，因此，区域X' 1变小。相反，形成其中没有倾斜的存储电容器线 CS的区域Χ4。注意，Xl = X' 1+2ΧΧ4。垂直开口率在区域Χ4变得最大。因为存储电容器线CS的宽度W2是不变的，所以θ 11变得越大，则垂直开口的大小变得越大，并且存储电容器线CS的垂直开口率大幅度减小。因此，在区域Χ4的垂直开口率和在区域X'的垂直开口率变得不恒定，并且亮度分布根据在垂直开口率中的差来波动。对于由于在垂直开口率中的差导致产生的亮度波动进行主观评估。根据在图5和16中所示的像素布局，关于在X轴方向上的垂直开口率的波动，垂直开口率在线A-A'和线B-B'中变为最小值。如图14中所示，作为在亮度分布中的最小值的拐点(XL2JL2)和(XR2，YR4)对应于在线A-A'和线B-B'中的垂直开口率的最小值。 而且，如图16中所示，在区域X4中的开口的在Y轴方向上的宽度Yl是垂直开口的大小的最大值，并且其中在图14中所示的图形中的亮度变为最大的拐点对应于Y1。因此，参考其中垂直开口的大小变为最大的Y1，将讨论在线A-A'和线B-B'中的垂直开口的大小。从图 5，可以将在线A-A'中的垂直开口的相对于Yl的波动YA表达为下面的公式。YA = (Yl+Y2-Wl/cos<j5)/Yl(where<j5 = I Φ1| = I Φ2|) (45)从图5，可以将在线B-B'中的垂直开口的相对于Yl的波动YB表达为下面的公式。YB= (Yl-W2/cos θ )/Yl (where θ = | θ 11 = | θ 2|) (46)从图15，在X轴方向上的垂直开口率的波动被设计使得等于或小于35%，并且理想地，等于或小于25%。在这种情况下，满足下面的关系表达式。0. 75 < (Yl+Y2-Wl/cos<ji)/Yl < 1. 25 (47)0. 75 < (Yl-W2/cos θ )/Υ1 < 1. 25 (48)当通过在图15中所示的主观评估3D莫尔是大约25%时，可以观看立体显示，而没有3D莫尔的奇怪，因此可以在通过提高诸如在图16中所示的像素的存储电容器线CS的倾斜角来保持显示质量的同时改善开口率。然而，当倾斜角θ是90度时，有可能可视地识别 3D莫尔，因为亮度分布强烈地改变，导致显示质量的变差。因此，需要存储电容器线CS的倾斜角θ 1是比至少90度小的角度。而且，关于本示例性实施例的像素，期望大体梯形像素的开口形状的在Y轴方向上的宽度应当满足下面的条件(Y2+2XTO) > Yl,以便保证期望的开口率，并且满足形成处理的限制。此时，因为根据本示例性实施例的子像素的开口率是I3X Py = 3 2，所以必须倾斜角本质上等于或大于18.4度。因此，考虑到主观评估的结果，期望存储电容器线 CS的倾斜角应当等于或大于18. 4度，但是等于或小于60度。而且，当在布局上的垂直开口率的波动等于或大于20%时，可以因为去焦效果将 3D莫尔减少为大约一半，并且可以改善显示质量。因此，由于去焦效果，可以减轻在设计上的限制，并且，如果考虑到去焦效果，在像素布局上的垂直开口率等于或小于40%，则是适当的。因此，满足下面的关系表达式。0. 6 < (Yl-W2/cos θ )/Υ1 < 1. 4(49)0. 6 < (Yl+Y2-Wl/cos<ji-W3)/Yl < 1. 4 (50)而且，当在最佳观看范围内观看立体图像时，不像在以两眼的中心(X0，Y0)作为最小值的情况下产生的3D莫尔那样，在右眼观看范围eR的中心和左眼观看范围eL的中心产生的3D莫尔不可能引起注意，因此期望将Ak设置为小于AYc。而且，期望应当满足条件AYc/Ak > Δ Ys/Δ Xs,以便通过将亮度分布的波动保持得缓和来使得3D莫尔不明显。 <第一示例性实施例的修改示例>接着，将说明第一示例性实施例的第一修改示例。图17是根据第一示例性实施例的第一修改示例的显示板2的平面图。如图17中所示，存储电容器线CS被布置使得穿过像素开口，并且黑色矩阵60的端部在其中黑色矩阵 60接触存储电容器线CS的位置从图像分离方向倾斜。在区域Χ12的黑色矩阵60的倾斜角满足条件I θ 1| = Φ1 = I Φ' 1| = I Φ2 = I Φ' 2|。因此，使得在X轴方向上的垂直开口率在区域Xl不变，因此可以减少源自存储电容器线CS的3D莫尔。除了上述配置和操作之外的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。接着，将说明第一示例性实施例的第二修改示例。图18是根据第一示例性实施例的第二修改示例的显示板2的平面图。如图18中所示，存储电容器线CS被布置使得穿过像素开口，并且在该开口弯曲。而且，存储电容器线 CS的倾斜部分沿着线C-C'在Y轴方向上的宽度和存储电容器线CS沿着线D-D'在Y轴方向上的宽度彼此相等，并且，垂直开口在X轴方向上大体不变。除了上述配置和操作之外的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。接着，将描述第一示例性实施例的第三修改示例。图19是根据第一示例性实施例的第三修改示例的显示板2的平面图。如图19中所示，在相对于X轴方向连续地改变在存储电容器线CS和图像分离方向之间的角θ 1的同时，存储电容器线CS穿过像素开口。存储电容器线CS至少部分地具有带曲率的区域。黑色矩阵60的开口具有如下的边，该边具有曲率并且逐渐地弯曲和变形，由此构成大体梯形像素的开口。垂直开口率的波动根据曲率而逐渐地改变，因此可以减小亮度分布的波动。因此，不可能可视地识别3D莫尔。除了上述配置和操作之外的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。接着，将描述第一示例性实施例的第四修改示例。图20是根据第一示例性实施例的第四修改示例的显示板2的平面图。如图20中所示，穿过开口的存储电容器线CS的至少一部分被黑色矩阵60覆盖。黑色矩阵60被设置在对向基板2b侧。因此，可以减小入射光向板内的反射，因此可以改善诸如家外的光亮位置处的可见性。除了上述配置和操作之外的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。在本示例性实施例中，为了便于理解，栅极线G的数量和数据线D的数量限于至少说明所需的数量。然而，本发明不限于这样的数量，并且那些线的数量对于本发明不必要。在本示例性实施例中，当在栅极电极的电势相对于源极电极或漏极电极的电势变为低电平时，像素薄膜晶体管4TFT变得在源极电极和漏极电极之间导通。相反，可以使用所谓的NMOS薄膜晶体管，其当在栅极电极的电势相对于源极电极或漏极电极的电势变为高电平时变得导通。在本示例性实施例中，像素的接触孔4C0NT1和4C0NT2被布置得在X轴方向上从像素的中心移位。当通过诸如透镜这样的图像分离单元在观看平面上执行放大的投影时， 观众的视点很可能位于像素中心附近。当在像素的中心附近布置接触孔4C0NT1和4C0NT2 时，液晶分子的取向被干扰，这可能副作用于显示操作。因此，如果在像素的中心附近布置接触孔4C0NT1和4C0NT2，则显示质量可能在对于观看最佳的位置变差。因此，像本示例性实施例那样，通过布置接触孔4C0NT1和4C0NT2使得从像素的中心附近移位，能够改善显示质量。而且，当构成邻接像素对的各自的像素被布置得相对于点对称时，可防止接触孔 4C0NT1和4C0NT2的各自的X轴坐标彼此重合。这防止了多个接触孔4C0NT1和4C0NT2冗余地在观看平面上的相同位置处具有各自的影响，由此改善图像质量。在本示例性实施例中，说明邻接像素对和4PAIR2的每个的各自的像素被布置得相对于点对称的情况。这表示构成邻接像素对和4PAIR2的各自的像素的像素薄膜晶体管4TFT的各自的位置相对于邻接像素对和4PAIR2的在X轴方向上的中线对称。本发明不限于这种配置，并且例如，邻接像素对的各自的像素的薄膜晶体管4TFT的各自的位置可以在X轴方向上不对称。这允许各自的像素在薄膜晶体管的位置上具有改变，因此防止多个薄膜晶体管在观看平面上的相同位置处具有冗余的影响，由此改善图像质量。在本示例性实施例中，说明覆盖除了其开口之外的像素的挡光层可以形成在对向基板2b内部的情况。挡光层可以覆盖像素的开口的一部分，并且由挡光层形成的开口和像素的开口可以具有类似的形状。而且，由挡光层形成的开口可以比像素的开口小。这抑制了在开口形状上的改变，即使TFT基板加和对向基板2b未对齐，由此改善图像质量。在本示例性实施例中的在栅极线G、数据线D和像素之间的连接关系可以被表达如下。即，在多条数据线D的任何两条之间夹着的像素行具有交替地布置的、通过像素开关连接到一条数据线D的像素和通过像素开关连接到另一条数据线D的另一个像素，并且在多条栅极线G的任何两条之间夹着的像素列具有交替地布置的、通过像素开关连接到一条栅极线G的像素和通过像素开关连接到另一条栅极线G的另一个像素。为了使用这样的布置，优选的是，所布置的数据线D的数量应当比像素行的数量大1。同样，优选的是，所布置的栅极线G的数量应当比像素列的数量大1。说明柱镜光栅式透镜3具有在作为朝向用户的方向的+Z方向平面上布置的透镜表面的情况。然而，本发明不限于这种配置，并且，可以在作为朝向显示板的方向的-ζ方向上布置透镜表面。在这种情况下，可以减少在透镜和像素之间的距离，因此这种配置有益于高清晰度成像。显示单元可以由正方形形成。以正方形形成的表达意味着显示单元的在X轴方向上的节距与其在Y轴方向上的节距重合。换句话说，在重复地布置显示单元的方向上，其节距保持完全相同。上面的说明用于在观看平面上设置多个视点并且使得用于各个视点的像素从显示平面的所有显示单元向相应的设置视点发光的技术。这种技术被称为集光技术，因为向那个视点收集用于特定视点的光。该集光技术被分类为上述的两视点类型的立体图像显示装置和具有更多地增加的视点数量的多视点型立体图像显示装置。图21是示出集光技术的概念图。集光技术具有下述特征进入观众眼中的光束被再现和显示。本示例性实施例的图像显示装置1可以有效地被应用到该集光技术。而且，提出了所谓的空间图像技术、空间图像再生技术、空间图像再现技术和空间成像技术。图22是空间图像技术的概念图。不像所述集光技术那样，空间图像技术没有特定的视点。然而，所不同的是从空间对象发射的光被再现和显示。空间图像技术被分类为通过集成照像技术、集成摄影技术和集成成像技术的立体图像显示装置。根据空间图像技术，位于任意位置的观众不是仅观看到在整个显示平面上的用于同一视点的像素。然而，存在通过用于同一视点的像素形成的具有预定宽度的多种区域。可以在每个区域获得与集光技术相同的效果，因此本示例性实施例的图像显示装置1可以有效地被应用到空间图像技术。在上面的说明中，术语“视点”表示“其中观看图像显示装置的位置(观察位置)”或“观众的眼睛应当位于的点或区域”，而不是“观众所关注的显示区域上的点(观看点)”。如果偏振板11未被附于在本示例性实施例的图像显示装置1上安装的液晶显示板2上而是可以被设置在柱镜光栅式透镜3外侧，则较好。而且，偏振板11可以相对于柱镜光栅式透镜3被布置在观众侧。通过改变偏振板11的布置，可以容易地调整在透镜的顶点和像素之间的距离H。这改善了设计的自由度。在本示例性实施例的图像显示装置1中内置的图像分离单元可以是视差栅栏，该视差栅栏具有交替地布置的透射区域和非透射区域。视差栅栏可以是如下的电光元件，该电光元件可以通过液晶分子或MEMS快门在透射区域和非透射区域之间切换区域。而且，当 GRIN(梯度折射率)透镜被用作使用液晶的电光元件时，图像分离单元可以具有与本发明相同的效果。在本示例性实施例中，用于第一视点的像素是左眼像素4L，用于第二视点的像素是右眼像素4R，但是本发明不限于该配置。例如，右眼像素4R可以是用于第一视点的像素， 并且左眼像素4L可以是用于第二视点的像素。即使显示板2旋转180度，这种配置通过改变图像数据的布置来允许观众可视地识别像原始状态那样的立体显示。具体地说，在图 8中所示的便携装置通过允许显示平面是可旋转的来改善操作性，并且，与当手拿便携装置时的显示板的方向无关，必须提供信息。本示例性实施例的图像显示装置1的液晶显示板2不限于TN模式的液晶驱动方案，并且可以应用其他液晶驱动模式。在水平电场模式中的液晶驱动模式的示例是IPS(平面内转换)方案、FFS(边缘场转换)方案和AFFS(高级边缘场转换)方案。而且，在垂直取向模式的情况下，示例是具有多域的MVA(多域垂直排列)方案，使得减少了视角依赖性； PVA(图案化的垂直排列)方案和ASV(高级超级ν)方案。而且，可以适当地使用OCB(光学补偿的弯曲)方案和膜补偿TN模式的液晶显示板。说明了本示例性实施例的显示板2是使用液晶分子作为电光元件的液晶显示板的情况。液晶显示板不限于透射液晶显示板，而是可以是反射液晶显示板、半透射液晶显示板、具有比反射区域更大比率的透射区域的轻微反射液晶显示板、和具有比透射区域更大比率的反射区域的轻微透射液晶显示板等。而且，TFT方案可以被适当地应用为显示板驱动方案。在TFT方案中的薄膜晶体管可以不仅由非晶硅、低温多晶硅、高温多晶硅和单晶硅形成，而且可以由诸如并五苯的有机材料、诸如氧化锌的金属氧化物或碳纳米管形成。而且， 本示例性实施例的图像显示装置1不限于薄膜晶体管的特定结构。例如，可以适当地应用底栅极型、顶部栅极型、交错类型或反转交错类型。而且，可以适当地应用除了液晶型之外的显示板，诸如有机电致发光显示板或PALC(等离子体地址液晶)。在本示例性实施例中，将蜂窝电话例示为终端装置，但是本发明不限于这种类型的终端装置。例如，本发明可以被应用到各种便携终端装置，诸如PDA、个人TV、游戏机、数字相机、数字摄像机和膝上型计算机。而且，本发明不限于便携终端装置，而是可以被应用到各种固定类型的终端装置，诸如自动提款机，自动售货机、监控器和电视接收器。在本示例性实施例中，说明了用于第一视点的像素是左眼像素4L并且用于第二视点的像素是右眼像素4R的情况，但是本发明不限于这种配置。例如，本发明可以被应用到在显示单元中具有N个视点的立体显示板。在包括N个视点的立体显示板的情况下，可以显示立体图像，并且向其加上至多对于每个视点适当的立体信息，因此可以扩展可以良好地观看立体图像的范围。<第二示例性实施例>接着，将描述本发明的第二示例性实施例。图23和M是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的平面图。关于在Y轴方向上邻接的像素，即在本示例性实施例中的邻接像素对，与第一示例性实施例相比较，一路通过开口的各个存储电容器线CS的方向不平行，并且在与图像分离方向不同的方向上倾斜。而且，关于在X轴方向上邻接的像素，即，构成显示单元的右和左像素，一路通过开口的各个存储电容器线CS的方向不平行，并且在与图像分离方向不同的方向上倾斜。本示例性实施例的像素矩阵具有在X方向和Y方向上并排排列的在图23和M中所示的像素。如图23和M中所示，存在存储电容器线CS的两种类型的倾斜方向，它们在与图像分离方向不同的方向上倾斜。存储电容器线CS的倾斜部分被设置为在邻接像素对中的显示单元中为不同的角度。在本示例性实施例中的存储电容器线CS被布置使得分布在X轴方向和Y轴方向上。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例相同。因此，存储电容器线CS的方向和由柱镜光栅式透镜3产生的莫尔条纹的方向分布在不同方向上，使得变得不可能可视地识别莫尔条纹。同时，3D莫尔具有视场相关性。具体地说，当从立体观看区域之外的位置并且在斜向观看时，在梯形的上底及其下底之间夹着的开口区域中存在其中开口变得不恒定的局部部分。因此，当从这个局部部分观看时，在显示板2上产生大的亮度波动，并且观众感到奇怪。在本示例性实施例中，在与图像分离方向不同的方向上倾斜的栅极线G和在与图像分离方向不同的方向上倾斜的存储电容器线CS基本上连续地被布置在X轴方向上，因此，可以抑制当从除了立体观看区域之外的区域观看时3D莫尔的视场相关性。而且，可以分布由于依赖于膜厚的存储电容器线CS的水平上的差导致产生的基板边界表面上的液晶分子的预斜方向，以便可以抑制当从斜向看时由于在延迟上的改变导致的成色。<第三示例性实施例>接着，将描述本发明的第三示例性实施例。图25和沈是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图，并且图27是示出根据第三示例性实施例的显示板2 的平面图。与第一示例性实施例相比较，在本示例性实施例中，像素形状从大体梯形形状改变为大体八边形形状。以大体八边形形状形成像素，该大体八边形形状通过互连上底和下底的虚拟剖面线将大体梯形像素切割并且划分为两个直角梯形，该两个直角梯形的每个在+Y方向上和在-Y方向上移位预定大小，并且切割部分连接在一起。如图27中所示，区域Xl被划分为三个区域，使得Xl =X' 1+2XX4，并且，存储电容器线CS被布置使得对角地穿过中心区域 V 1。存储电容器线CS被布置使得穿过大体八边形像素的剖面线，并且在邻接像素对
32中设置的像素薄膜晶体管4TFT的沟道不与图像分离方向平行，并且在斜向上移位。而且， 存储电容器线CS的宽度比栅极线G的宽度小。关于在X轴方向上在大体梯形像素的上底处的挡光部分的形状上的改变，挡光部分具有基本上不变的在Y轴方向上的宽度，但是在Y轴方向上改变其形状。而且，垂直开口率在X轴方向上大体不变。在本示例性实施例中的像素的电连接关系与第一示例性实施例相同。因此，在图 25和沈中所示的像素交替地被布置在X轴方向和Y轴方向上，由此构成像素矩阵。如图25中所示，薄膜晶体管的硅薄膜部分和数据线D彼此相交叉，并且数据线D 被布置在硅薄膜部分的上层处，以便在与图像分离方向不同的方向上倾斜。在硅薄膜部分的上层在数据线D和X轴方向之间的角度是0D1。而且，在存储电容器电极CS2的上层倾斜的数据线D被布置在相对于图像分离方向的角度θ D2处，并且，电连接像素薄膜晶体管 4TFT以驱动邻接像素对的相应像素。图25示出邻接像素对4 々顶和在+X侧邻接的子像素。在大体梯形像素的上底处的像素薄膜晶体管4TFT分别控制在Y轴方向上彼此邻接的在+Y侧的像素和在-Y侧的像素，使得在存储电容器电极CS2和数据线D之间的交叉处在与图像分离方向不同的方向上倾斜和布置数据线D。邻接像素对的像素薄膜晶体管4TFT分别在+Y方向和-Y方向上移位预定尺寸，使得在图像分离方向和数据线D之间的角度变大。因此，在邻接像素对 4卩八顶中满足下面的关系式。I θ D2 > I θ Dl I(51)图沈示出邻接像素对4PAIR2和在+X侧邻接的子像素。邻接像素对4PAIR2的相应的像素薄膜晶体管4TFT分别在+Y方向和-Y方向上移位预定尺寸，使得在图像分离方向和数据线D之间的角度变小。因此，在邻接像素对4PAIR2中满足下面的关系式。I θ D4| < I θ D3|(52)除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。在Y轴方向上的大体梯形像素的上底的宽度取决于像素薄膜晶体管4TFT的面积， 并且不能在不改变处理规则的情况下被减小，从而在具有小节距的像素情况下，覆盖大体梯形像素的上底的在Y轴方向上的挡光部分的宽度相对于在Y轴方向上的开口区域的宽度变大。当覆盖大体梯形像素的上底的挡光部分的图像被图像分离单元放大时，它可以被观众识别为在显示单元上的亮和暗斑或条纹，因此显示质量可能变差。与第一示例性实施例相比较，本示例性实施例的像素使用下述配置其中，在将在 Y轴方向上的挡光部分的宽度与X轴方向无关地保持得不变的同时，在Y轴方向上移位和变形在梯形的上底处的挡光部分。同时，开口范围具有与X轴方向无关地不变的在Y轴方向上的宽度，但是在子像素上变形，因此垂直开口率与X轴方向无关地基本上不变。如上所述，在X轴方向上周期地布置移位和变形的像素，并且，与传统技术相比较，在Y轴方向上分布和布置子像素的开口区域。而且，挡光部分在Y轴方向上改变的周期T与像素节距Pu相同，并且以等于或小于显示板2的分辨率的周期改变。因此，不可能可视地识别亮和暗斑或条纹。因此，与第一示例性实施例的像素相比较，本示例性实施例的像素可以减少由于图像分离方向和在梯形的上底处的挡光部分导致产生的亮和暗斑或条纹。
根据本示例性实施例，在切割之前的梯形的上底及其下底在像素的中心彼此接近，因此可以缩短一路通过开口的存储电容器线CS的距离。这减少了布线电阻。而且，可以在保证预定布线电阻的同时缩小存储电容器线CS的宽度，因此可以提高开口率。〈第四示例性实施例〉接着，将描述本发明的第四示例性实施例。图观是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的平面图。与第一示例性实施例相比较，在本示例性实施例中，布置了两条存储电容器线CS，使得一路通过像素开口区域。每条存储电容器线CS在与X轴方向不同的方向上倾斜，使得在图像分离方向中的开口变得基本上不变。存储电容器线CS的各自的宽度和倾斜角可以被设置为相同。该两条存储电容器线CS将开口划分为三个区域。而且，两条存储电容器线CS被布置在子像素中，使得与Y轴方向平行，并且穿过在子像素的X轴方向上均勻地将子像素划分为三个部分的虚拟线。倾斜布线的角度被定义使得顺时针方向是正的，其中将+X方向作为在0度的轴。 栅极线G在与图像分离方向不同的方向上倾斜，并且在其中上底边指向+Y方向的像素中， 在-X侧的栅极线G的倾斜角是Φ1，并且，在+X侧的栅极线G的倾斜角是Φ' 1 =_Φ1。 而且，在其中上底边指向-Y方向的像素中，在-X侧的栅极线G的倾斜角是-Φ 1，并且，在 +X侧的栅极线G的倾斜角是Φ 1。在其中上底边指向+Y方向的像素中，存储电容器线CS的倾斜角θ 1和栅极线G 的倾斜角Φ 1被设置为相同的角度。而且，当将存储电容器线CS的各自的倾斜角彼此相比较时，满足Θ1= θ 2。即，根据本示例性实施例，在子像素中的存储电容器线CS的倾斜角是与在子像素的一侧的栅极线G的倾斜角相同的角度。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。在本示例性实施例中，通过布置所述两条存储电容器线CS，可以抑制由于存储电容器线CS的断裂导致的产量的减少。具体地说，有效的是，通过薄化处理来形成存储电容器线CS并且减小布线面积。每条存储电容器线CS不必通过像素开口的中心，并且也不必将结构对象布置在像素的中心的开口区域处，使得可以减少源自在亮度分布的中心周围的形成精度的亮度波动。而且，可以使得在X轴方向上布置的结构对象的周期更小，因此可以减少源自透镜放大效果的在X轴方向上的亮度和暗度上的改变。<第五示例性实施例>接着，将说明本发明的第五示例性实施例。图四是说出根据本示例性实施例的图像显示装置的平面图。在本示例性实施例中，在子像素中布置被布置使得一路通过像素开口的两条存储电容器线Cs。在子像素中的相应的存储电容器线CS不平行，并且在与图像分离方向不同的方向上倾斜，因此在图像分离方向上的开口变得基本上不变。而且，在与图像分离方向不同的方向上倾斜的栅极线G和在与图像分离方向不同的方向上倾斜的存储电容器线CS在挡光部分的端部附近相交叉，并且大体连续地被布置在X轴方向上。由存储电容器线CS划分的区域具有基本上三角形的形状。期望具有大体三角形形状的区域的每个应当具有相同的面积，并且具体地说，期望每个区域应当是具有高对称性的等边三角形。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。根据本示例性实施例，存储电容器线CS彼此不平行，并且莫尔条纹的方向可以分散，因此不可能可视地识别莫尔条纹。而且，存储电容器线CS在与图像分离方向不同的方向上倾斜，并且在图像分离方向上的开口变得基本上不变，因此可以减少源自透镜放大效果的在亮度和暗度上的改变。用于以对基板而言的垂直方向设置液晶分子72的初始取向的垂直取向(VA)模式可以被适当地应用到本示例性实施例的像素。可以在三角形的中心处和在TFT基板加侧设置用于控制液晶分子的取向的结构对象。由存储电容器线CS划分的区域是具有高对称性的三角形，因此可以按照多域实现液晶分子72的取向，因此可以改善图像质量。可以在对向基板2b侧设置用于控制取向的结构对象。在对向基板2b侧的结构对象可以是在对向电极处设置的狭缝，并且以低成本形成结构对象，而不增加处理的数量。可以使用下述配置其中，在存储电容器线CS的上层不设置像素电极4PIX，并且来自存储电容器线CS的电场被施加到液晶层5LC。这样的配置实现了液晶分子72的取向的稳定控制。<第六示例性实施例>接着，将说明本发明的第六示例性实施例。图30是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的平面图。在本示例性实施例中，两条存储电容器线CS被布置在开口中，并且，在像素开口的中心彼此相交叉。而且，每条存储电容器线CS在与X轴方向不同的方向上倾斜，使得在图像分离方向上的开口变得基本上不变。开口被两条存储电容器线CS划分为四个区域。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。在本示例性实施例中，存储电容器线CS彼此不平行，并且莫尔条纹的方向可以分散，因此，不可能可视地识别莫尔条纹。而且，存储电容器线CS在与图像分离方向不同的方向上倾斜，并且在图像分离方向中的开口变得基本上不变，因此可以减少源自透镜放大效果的在亮度和暗度上的改变。<第七示例性实施例>接着，将描述本发明的第七示例性实施例。图31是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的平面图。在本示例性实施例中，在开口中布置三条存储电容器线CS，并且那些线的至少一条在与其他两条线的方向不同的方向上倾斜。而且，每条存储电容器线CS在与X轴方向不同的方向上倾斜，因此在图像分离方向上的开口变得基本上不变。所述两条存储电容器线 CS将开口划分为三个区域。而且，在子像素中与Y轴方向平行地布置三条存储电容器线CS，并且该三条存储电容器线CS穿过在X轴方向上将子像素均勻地划分为四个部分的线段82。每条倾斜的布线的角度被限定使得顺时针方向是正的，并且以+X方向为在0度的轴。栅极线G在与图像分离方向不同的方向上倾斜，并且在其中上底边指向+Y方向的像素中，在-X侧的栅极线G的倾斜角是Φ 1，并且在+X侧处的栅极线G的倾斜角是Φ' 1 = _Φ1。而且，在其中上底边指向-Y方向的像素中，在-X侧的栅极线G的倾斜角是-Φ 1， 并且在+X侧的栅极线G的倾斜角是Φ 1。其中上底边指向+Y方向的像素中，存储电容器线CS的倾斜角θ 1大于栅极线G 的倾斜角Φ1。而且，当将存储电容器线CS的各自的倾斜角彼此相比较时，满足Θ1= Θ2 =-θ 3。即，根据本示例性实施例，每条存储电容器线CS的倾斜角大于栅极线G的倾斜角。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。根据本示例性实施例，因为栅极线G和存储电容器线CS的各自的倾斜角彼此不同，所以源自透镜和布线的莫尔条纹可以分散，由此改善图像质量。而且，因为存储电容器线CS的至少一条被布置在与另一条存储电容器线CS的方向不同的方向上，所以可以进一步改善莫尔条纹的分散效果。而且，在X轴方向上的存储电容器线CS的结构周期较小，因此可以减小莫尔条纹的节距，并且不可能可视地识别莫尔条纹。<第八示例性实施例>接着，将说明本发明的第八示例性实施例。图32是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的平面图。在本示例性实施例中，在开口中布置三条存储电容器线CS，并且那些线的至少一条在与其他两条线的方向不同的方向上倾斜。而且，每条存储电容器线CS在与X轴方向不同的方向上倾斜，因此在图像分离方向上的开口变得基本上不变。所述两条存储电容器线 CS将开口划分为三个区域。而且，在子像素中与Y轴方向平行地布置三条存储电容器线CS，并且该三条存储电容器线CS穿过在X轴方向上将子像素均勻地划分为四个部分的线段82。如图32中所示，本示例性实施例的像素具有在TFT基板加侧设置的对向电极 4C0M，并且被布置使得覆盖栅极线G的上层和存储电容器线CS的上层。对向电极4C0M通过接触孔4C0NT3连接到存储电容器线CS。像素薄膜晶体管4TFT是MOS薄膜晶体管，将源极电极或漏极电极的任何一个通过接触孔4C0NT1连接到数据线D，并且将另一个电极通过接触孔4C0NT2连接到像素电极 4ΡΙΧ或存储电容器4CS的任何一个。像素薄膜晶体管4TFT还将栅极电极连接到栅极线G。 存储电容器4CS将另一个电极连接到存储电容器电极CS2。像素电极4ΡΙΧ以一定的间隙被布置在对向电极4C0M之间，并且以如梳子齿的方式来在X轴方向上并排地布置像素电极 4ΡΙΧ和对向电极4C0M。在像素电极4ΡΙΧ之间形成像素电容器4CLC。存储电容器线CS和存储电容器电极 CS2形成在同一层上，并且电连接在一起。在TFT基板侧的摩擦方向70和在对向基板侧的摩擦方向71与Y轴方向，S卩，垂直于图像分离方向的方向平行。而且，以正交尼科尔方式布置偏振板11的偏振轴，并且，显示模式是常黑模式。因为显示模式是常黑模式，所以可以在不要求对于液晶分子的电场控制的除了开口之外的区域消除其中设置了黑色矩阵60的区域。因此，在没有覆盖数据线D或栅极线G的黑色矩阵60的情况下，可以将开口打开得较宽。而且，黑色矩阵60的完全消除简化了所述处理。
液晶分子被初始取向在Y轴方向上，并且被具有作为主要分量的、在像素电极 4PIX和对向电极4C0M之间产生的平面内方向分量的电场控制。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。在本示例性实施例中，液晶分子的取向被水平电场控制，因此即使应用了电压，也没有液晶分子在相对于基板的斜向上倾斜。因此，可以获得宽视角。而且，本示例性实施例的像素具有极其优越的视角特性，因此不必粘贴用于膜补偿TN模式和多域垂直取向模式等的补偿膜，因此，可以减小显示板2的厚度。显示板2的厚度的减小使得能够减小在柱面透镜3a的顶点和像素之间的距离，导致设计自由度的改善。根据本示例性实施例，在子像素中，栅极线G和存储电容器线CS具有两种倾斜角， 并且液晶分子72被划分为两个方向的域。在子像素中，两个域区域的各自的区是不一致的，但是可以通过在X轴方向上的彼此邻接的子像素的补偿而是一致的。因此，可以减少当从斜向观看时的成色。具体地说，当显示二维图像时，构成显示单元的每个子像素显示相同的图像，因此对于在二维显示器中的每个显示单元实现光学补偿。而且，因为在TFT基板加侧设置了对向电极4C0M，所以可以消除在对向基板2b侧的对向电极4C0M。而且，像素电极4PIX和对向电极4C0M可以在TFT基板加侧由相同层的相同材料形成。因此，可以简化处理，并且可以降低成本。可以在TFT基板加侧经由绝缘膜来形成像素电极4PIX和对向电极4C0M。通过插入绝缘膜，可以防止短路，由此改善产量。<第九示例性实施例>接着，接收描述本发明的第九示例性实施例。图33是示例性地示出在本示例性实施例的像素之间的电连接关系和极性分布的图。图34是示出在本示例性实施例的图像显示装置中的向数据线D中输入的驱动极性的表。图35和36是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的像素结构的平面图。本示例性实施例的图像显示装置具有以矩阵方式布置和具有在图33中所示的连接关系的在图35和36中所示的像素。如图35中所示，本示例性实施例的图像显示装置1的驱动方法相对于参考极性来反转对于每两条数据线传输的显示数据的极性，反转对于每条栅极线通过每条数据线传输的显示数据的极性，并且反转每个帧的这样的极性。此点反转驱动被称为2H1V反转驱动。 这是因为，对于在水平方向(H方向)布置的每两条数据线并且对于在垂直方向(V方向) 上布置的每条栅极线，反转极性。将参考图33给出详细描述，图33示出作为在一个帧中的上述的2H1V反转驱动的结果实现的各个像素的极性。首先，当选择栅极线Gl时，具有正极性的显示数据被发送到数据线D1，并且在像素Pll中写入具有正极性的电压。而且，具有负极性的多个显示数据被分别传输到数据线D2、D3、D6、D7、DlO和D11，并且具有正极性的多个显示数据被分别传输到数据线D4、D5、D8、D9、D12和D13。接着，当选择栅极线G2时，反转数据线的所有极性。 即，分别向数据线Dl、D4、D5、D8、D9、D12和D13传输具有负极性的多个显示数据，并且，分别向数据线D2、D3、D6、D7、D10和Dll传输具有正极性的多个显示数据。其后，当分别选择栅极线G3、G5和G7时，像当选择栅极线Gl时那样应用相同的状态，并且当分别选择栅极线G4和G6时，像当选择栅极线G2时那样应用相同的状态。当这个帧结束时，在下一个帧中， 进一步执行极性反转。即，当分别选择栅极线G1、G3、G5和G7时，分别向数据线D1、D4、D5、 D8、D9、D12和D13传输具有负极性的多个显示数据，并且，分别向数据线D2、D3、D6、D7、D10 和Dll传输具有正极性的多个显示数据。而且，当分别选择栅极线G2、G4和G6时，分别向数据线D1、D4、D5、D8、D9、D12和D13传输具有正极性的多个显示数据，并且，分别向数据线 D2、D3、D6、D7、DlO和Dll传输具有负极性的多个显示数据。像素卩11、卩32、卩31、卩52、卩51、卩72、卩71、卩92、卩91、卩112、卩111和P132通过存储电容器线CS电连接到存储电容器电极CS2。关于这样的像素组，当选择栅极线Gl时写入的像素是像素P11、P31、P51、P71、P91 和P111，并且在一帧中在所选择的像素中，其中写入具有正极性的显示数据的像素是P11、 P51和P91，并且其中写入具有负极性的显示数据的像素是P31、P71和P111。其后，在下一个帧周期中，由栅极线Gl选择的像素反转各自的极性。因此，关于在选择栅极线G的周期中向相应像素的显示数据的写入，公共存储电容器电极CS2不仅连接到其中写入具有正极性的显示数据的像素，而且连接到其中写入具有负极性的显示数据的像素，并且以平衡的方式来均勻地写入具有正极性的显示数据和具有负极性的显示数据。如图33中所示，像其中在相同的斜向中定向相同的极性的条那样，布置各个像素的极性。在本示例性实施例中，在TFT基板侧的摩擦处理方向与其中斜向地布置具有相同极性的像素的方向基本上平行。TN模式被应用为液晶驱动技术，并且在TFT基板侧的摩擦方向70和在对向基板侧的摩擦方向71彼此基本上正交。在基板边界面处的液晶分子被取向使得以基本上直角穿过在大体梯形像素的倾斜侧，其中，具有相同极性的像素在X轴方向上邻接。除了上述配置之外的本示例性实施例的配置与第一示例性实施例的那些相同。在本示例性实施例中，当在扫描周期中在每个像素中写入显示数据时，可以抑制存储电容器线CS的电势的波动。这是因为，每条存储电容器线CS不仅连接到其中写入具有正极性的显示数据的像素，而且连接到其中写入具有负极性的显示数据的像素。因此，可防止存储电容器线CS的极性向在一侧的极性波动，并且可以减少在存储电容器线CS延伸的方向上产生的串音，由此实现高质量的显示。本示例性实施例的配置可以在利用一般的反转驱动技术的同时实现每条存储电容器线CS的电势波动抑制效果和二线点反转效果， 并且可以使得在梯形开口的底部分邻接的像素具有相同的极性。因此，可以以低成本实现高质量的图像显示。在本示例性实施例中，其中布置了具有相同极性的像素的方向和在TFT基板侧的摩擦方向70彼此基本上平行，并且通过摩擦处理在基板边界面中锚定的液晶分子被取向跨过在具有相同极性的像素之间的梯形的倾斜侧。在本示例性实施例中，因为液晶分子被取向跨过在具有相同极性的像素之间的梯形的倾斜侧，所以与跨过在具有不同极性的像素之间的倾斜侧的取向相比较，能量稳定。因此，可以减少沿着大体梯形的像素的倾斜侧产生的旋转位移和取向缺陷，因此，可以实现稳定的液晶取向状态。通过减少旋转位移，可以减少在梯形的倾斜侧处的挡光部分的宽度，因此可以抑制3D串音。而且，因为稳定了液晶取向状态，所以改善了可靠性。〈第十示例性实施例〉
接着，将描述本发明的第十示例性实施例。图37是示出根据本示例性实施例的在 TFT基板加侧的图像显示装置的一部分的像素结构的平面图。图38是示出根据本示例性实施例的显示板2的像素的平面图。图39是在图38的平面图中的沿着线C-C'的横截面图。图40是示出根据本示例性实施例的光学模型的横截面图。如图37和39中所示，显示板2具有两个虚拟点，并且具有在图像分离方向、即X 轴方向上交替地布置的右眼像素4R和左眼像素4L。子像素的开口具有大体梯形的形状，并且在X轴方向上并排地布置的子像素具有其中子像素的相应的开口在Y轴方向上重叠的开口区域和其中没有开口在Y轴方向上重叠的开口区域。虚拟线79每条指示在图像分离方向上彼此邻接的子像素之间的边界。参考这条线段，在附图中示出其中每条将子像素在图像分离方向上均勻地划分为两个部分的虚拟线 80和其中每条将子像素在图像分离方向上均勻地划分为三个部分的虚拟线81。栅极线G被布置使得跨过虚拟线79在与图像分离方向不同的方向上倾斜。而且， 在虚拟线80上并且沿着它布置存储电容器电极CS2，并且存储电容器电极CS2相对于虚拟线80是线对称的。构成邻接像素对的相应子像素的存储电容器线CS在以虚拟线80为边界的不同区域处电连接到存储电容器电极CS2。存储电容器线CS被布置在每个子像素的开口处，并且在与图像分离方向不同的方向上倾斜。而且，存储电容器线CS被布置使得跨过Y轴方向上彼此邻接的两个子像素， 并且跨过将子像素在X轴方向上均勻地划分为两个部分的虚拟线80。在Y轴方向上彼此邻接的两个子像素的相应的开口中，存储电容器线CS被布置使得选择性地与将子像素在X轴方向上均勻地划分为三个部分的至少一条虚拟线81相交叉。 在Y轴方向上彼此邻接的子像素中，在每个子像素的开口处布置的存储电容器线CS被布置使得跨越在将子像素在X轴方向上均勻地划分为三个部分的两条虚拟线81之间的不同虚拟线81。在具有公共梯形底的子像素之间的边界处，存储电容器线CS与在梯形的底边布置的数据线D相交叉，并且将在Y轴方向上邻接的邻接像素对电连接在一起。存储电容器线CS被布置使得在梯形的底边跨过将子像素在图像分离方向上均勻地划分为两个部分的虚拟线80，并且被从在图像分离方向中划分的子像素的两个区域之间的区域向另一个区域布线，其中，以在梯形的底边的数据线D作为边界。而且，存储电容器线CS被连续地布置使得在Y轴方向上并排地布置的两个子像素中的垂直开口率变得基本上不变。存储电容器线CS从在梯形开口的上底和其倾斜侧之间的交叉向在下底和虚拟线 80之间的交叉延伸。而且，存储电容器线CS以基本上线性的方式与在X轴方向上延伸的数据线D相交叉。在子像素的开口中，在其中存储电容器线CS延伸的方向和X轴方向之间的角度被设置为Θ1。存储电容器线CS的倾斜方向在每个构成显示单元的子像素之间保持相同，并且在构成邻接像素对的子像素之间保持相同。即，存储电容器线CS具有相对于图像分离方向的角度，该角度于在X轴方向和Y轴方向上布置的每个子像素中全部是相同的角度。在构成邻接像素对的两个子像素中，在各个子像素中布置的存储电容器线CS相对于图像分离方向具有相同的角度，并且被布置使得跨过在两条虚拟线81之间彼此不同的相应虚拟线81，该两条虚拟线81的每条将子像素在图像分离方向上划分为三个部分。
由于像素薄膜晶体管4TFT的连接关系，存在两种邻接像素对，并且每个邻接像素对具有相对于围绕Z轴旋转180度等同的旋转对称轴。在构成显示单元的右眼像素4R和左眼像素4L中布置的相应的存储电容器线CS 被布置使得跨过在两条虚拟线81之间彼此不同的相应虚拟线81，该两条虚拟线81的每条将子像素在X轴方向上划分为三个部分。即，在构成显示单元的子像素中，在相应的子像素中布置的存储电容器线CS在相同的方向上倾斜，并且被布置使得跨过在相应的子像素中彼此相对不同的相应虚拟线81。在Y轴方向上并排地彼此邻接的两个像素中布置的存储电容器线CS被布置使得交替地跨过在两条虚拟线81之间彼此不同的虚拟线81，该两条虚拟线81的每条将子像素在X轴方向上划分为三个部分。对于在Y轴方向上的每两个子像素，重复地布置跨过公共虚拟线81延伸的存储电容器线CS。在X轴方向上布置的像素被布置使得交替地跨过在两条虚拟线81之间的在子像素中彼此不同的相应位置处的虚拟线81，该两条虚拟线81的每条将子像素在X轴方向上划分为三个部分。对于在X轴方向上的每两个子像素，重复地布置如下的子像素，即，所述子像素具有在所述子像素中在相对相同的位置处跨过虚拟线81的存储电容器线CS。如图38中所示，相应颜色红色、蓝色和绿色的滤色器在X轴方向上延伸，并且以红色、蓝色和绿色的顺序如条一样在Y轴方向上重复地排列。黑色矩阵60的图案的周期和存储电容器线CS的图案的周期是对于每两个子像素重复的结构周期。滤色器布置具有以每三个子像素的周期布置的RGB的色条。因此，在Y 轴方向上布置的子像素具有结构周期相同的黑色矩阵60和存储电容器线CS。如图39中所示，关于TFT基板2a，栅极线G和存储电容器线CS由在第一绝缘膜 91上设置的相同层的金属材料形成。而且，像素电极4PIX由在第三绝缘膜93上设置的透明导电材料形成。第二绝缘膜92用于将栅极线G与数据线D隔离，并且第三绝缘膜93具有平坦效果。关于对向基板2b，在液晶层5LC侧，在对向基板2b上设置了黑色矩阵60，并且相对于黑色矩阵60在进一步的液晶层5LC侧设置了滤色器层。相对于滤色器层在进一步的液晶层5LC侧设置了保护膜0C，并且相对于保护膜OC在进一步的液晶层5LC侧设置了对向电极4C0M。从观众可以看到，栅极线G被黑色矩阵60覆盖。大体梯形像素的倾斜侧通过黑色矩阵60进行挡光，并且在其附近发射的光被观众观察到。而且，开口通过存储电容器线CS 来进行挡光。并且在其附近发射的光被观众观察到。因此，在开口处布置的存储电容器线 CS和在梯形的倾斜侧处的黑色矩阵60作为不同的挡光层。根据在TFT基板加和对向基板2b之间的重叠精度来设置栅极线G的覆盖水平δ 和黑色矩阵60的覆盖水平δ。如图40中所示，在观众侧，透镜3a的焦点位于由存储电容器线CS形成的挡光部分之后。在黑色矩阵60的附近，以斑大小SPl执行去焦，并且在存储电容器线CS附近，以斑大小SP2执行去焦。斑大小SPl被设置为大于斑大小SP2。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。
根据本示例性实施例，与第一示例性实施例相比较，可以通过如上所述将在存储电容器线CS和图像分离方向之间的角度θ 1设置得大来减小布线面积，以便可以提高开口率。而且，不必跨过开口布置存储电容器线CS的主要部分，并且可以减少过量光阻挡对象的面积，因此进一步增大开口率。而且，可以缩短在存储电容器电极CS2之间的布线长度， 以便可以减小布线电阻。而且，根据本示例性实施例，存储电容器线CS被布置使得跨过在其中每条在X轴方向上均勻地划分子像素的多条虚拟线当中的相应的不同虚拟线，因此在Y轴方向上布置的多个子像素当中补偿垂直开口率，并且使得垂直开口率在图像分离方向上基本上不变。而且，根据本示例性实施例，存储电容器线CS被布置使得在Y轴方向上彼此邻接的两个子像素之间垂直开口率变得基本上不变。因此，可以在抑制垂直开口率的波动的同时增大开口率。在Y轴方向上共同布置在梯形的底边上的子像素之间的边界处，与图像分离方向基本上平行地延伸的数据线D和在与图像分离方向不同的方向上倾斜的存储电容器线CS彼此基本上线性地相交叉，使得可以抑制源自图案精度的垂直开口的波动。因为数据线D和存储电容器线CS基本上线性地彼此相交叉，所以可以减少布线电容，并且可以减少在图像数据写入时的负载。如图37中所示，关于右眼像素4R的列和右眼像素4R’的列，在X轴方向上并排地布置了在子像素当中具有相对相同的位置处布置的存储电容器线CS的子像素。而且，关于左眼像素4L的列和左眼像素4L’的列，在X轴方向上并排地布置在子像素当中具有相对相同的位置处布置的存储电容器线CS的子像素。即，在每个视点中，在X轴方向上并排地布置的子像素总是重复地具有相同的存储电容器线CS形状。因此，在每一视点区域上显示的图像上，在图像分离方向上的图像质量可以是均勻的。关于高清晰度像素，因为梯形的倾斜侧的宽度，难以使得垂直开口率在图像分离方向上基本上不变。而且，高清晰度像素难以增大在X轴方向上的黑色矩阵60的宽度WBMx， 并且当TFT基板加和对向基板2b的接合略为未对齐时，栅极线G向外扩展，导致在梯形的倾斜侧处的垂直开口率的波动。而且，在黑色矩阵60和子像素开口之间的边界附近，因为在像素电极4PIX和栅极线G之间产生的电场，所以难以控制液晶分子的取向，因此经常出现光泄露，并且当通过透镜放大这样的泄露的光时，它在视觉上被识别为亮度波动，因此， 图像质量变差。因此，源自光泄露和垂直开口率的波动的3D莫尔有可能在黑色矩阵60附近出现。斑大小SP2比斑大小SPl大，因此可以使得由图像分离单元在图像分离方向上分布的光的亮度波动更均勻。如上所述，源自生产过程的3D莫尔有可能出现在黑色矩阵60 附近，因此如果黑色矩阵60的近处被有效地去焦，则可以增大产量(production margin) 0 这导致产量的改善和成本的降低。如上所述，本示例性实施例的图像显示装置对于高清晰度像素特别有效。<第十示例性实施例的修改示例>接着，将说明本发明的第十示例性实施例的第一修改示例。图41是示出根据这个修改示例的在TFT基板加处的图像显示装置的一部分的像素结构的平面图。图42是示出根据这个修改示例的显示板的像素的平面图。图39是在图42的像素平面图中沿着线C-C' 的横截面图。图43是示出根据这个修改示例的光学模型的横截面图。
如图41中所示，布线存储电容器线CS使得从梯形的上底的中心向除了梯形的下底中心之外的区域延伸。存储电容器线CS在除了梯形的底的中心之外的位置处弯曲，并且与数据线D相交叉。沿着作为子像素的中线的虚拟线80布置存储电容器电极CS2，并且每个存储电容器电极CS2具有相对于虚拟线80轴对称的矩形形状。存储电容器线CS具有被设置为相对于X轴方向的θ 1、θ ‘ 1的至少两种倾斜角。 在Y轴方向上布置的子像素的存储电容器线CS对于每两个像素具有不同的倾斜方向，并且，在X轴方向上布置的子像素的存储电容器线CS对于每两个像素具有不同的倾斜方向。在构成邻接像素对的子像素中，在相应的子像素中布置的存储电容器线CS在彼此相同的方向上倾斜，并且跨过彼此不同的相应的虚拟线81。存在具有存储电容器线CS 的不同倾斜方向的两种邻接像素对，并且在Y轴方向上交替地布置相应的邻接像素对。结果，对于每四个子像素，重复地布置具有相同的倾斜方向和具有跨过公共虚拟线81的存储电容器线CS的子像素。具有存储电容器线CS的不同倾斜方向的邻接像素对每个具有等同于围绕Z轴旋转180度的旋转对称轴，并且相对于虚拟线80轴对称。在构成显示单元的子像素中，在相应的子像素中布置的存储电容器线CS被布置使得跨过在两条虚拟线81之间的相应的不同虚拟线81，该两条虚拟线81每条在X轴方向上将子像素均勻地划分为三个部分。即，对于每两个子像素在X轴方向上重复地布置如下的子像素，即，所述子像素使存储电容器线CS跨过相对相同的虚拟线81通过所述子像素。在本修改示例中，如图43中所示，相对于左眼像素4L和右眼像素4R，柱面透镜3a 的焦点位于观众侧处。将斑大小SP2设置为大于斑大小SP1。在黑色矩阵60附近以斑大小SPl来执行去焦，并且在存储电容器线CS附近以斑大小SP2执行去焦。即，配置使得其中布置了存储电容器线CS的区域比其中布置了黑色矩阵60的区域更模糊。除了上述配置和操作之外的本修改实施例的配置和操作与第第十示例性实施例的那些相同。在本修改示例中，存储电容器线CS在梯形的上底的大体中心连接到存储电容器电极CS2，并且从上底的大体中心向在下底和倾斜侧之间的交叉处延伸。结果，可以减小被布置使得围绕形成邻接像素对的两个像素薄膜晶体管4TFT的存储电容器线CS的面积，因此，可以将开口率增大与这样的面积减小对应的量。在大体梯形像素的上底处，其中存储电容器线CS和存储电容器电极CS2以锐角彼此相交叉的区域具有用于锐角部分的小空间，因此，源自布线图案的形成精度的垂直开口率的波动出现，并且可能引起3D莫尔。在其中布置存储电容器线CS的区域，去焦效果大起作用，并且，可以使得其中分布光的方向上的亮度分布更均勻。子像素的中心附近是其中当其被诸如透镜这样的图像分离单元放大和投影在观看平面上时很可能定位观众的视点的区域。因此，通过使得与这个区域对应的亮度分布有效地模糊，并且通过使得模糊的亮度分布均勻，可以改善图像质量。因为斑大小SP2大于斑大小SP1，所以去焦效果较大。因此，去焦效果在存储电容器线CS部分大起作用，所以，使得在图像分离方向上的亮度分布更均勻。因此，可减少源自存储电容器线CS的形状的3D莫尔的出现。具体地说，当像本修改示例那样对于每两个像素补偿垂直开口时，显著地有效，因为在子像素的中心处的垂直开口有可能由于生产过程的形成精度而波动。当在最佳观看距离OD处观看时，存储电容器线CS被较大地去焦，并且使得由图像分离单元分布的光的亮度分布均勻。相反，去焦效果在通过黑色矩阵60进行挡光的梯形的倾斜侧处、即在子像素之间的边界区域处较小，并且通过柱镜光栅式透镜3的分离性能良好。因此，可以减少在视点之间的串音，并且同时，有效地减少源自存储电容器线CS的亮度波动，因此改善立体图像质量。可以在观众侧将黑色矩阵60设置在对向基板2b上。通过增大在存储电容器线CS 和黑色矩阵60之间的距离，可以增大在黑色矩阵60附近的斑大小SPl和在存储电容器线 CS附近的斑大小SP2之间的差，因此可以增大在去焦水平上的差。在子像素中布置的存储电容器线CS的数量不限于一，并且可以在子像素中布置K 条存储电容器线Cs。在与图像分离方向不同的方向上倾斜的K条存储电容器线CS可以被布置在每个子像素的开口处。存储电容器线CS被布置于在与图像分离方向正交的方向上布置的L个子像素的相应的开口处，使得选择性地跨过在其中每条在图像分离方向上将开口均勻地划分为(K+L)个部分的虚拟线中的至少一条虚拟线。在Y轴方向上布置的K个子像素中，在相应的开口处的存储电容器线CS被布置使得跨过相应的不同虚拟线，因此显然可以获得与如上所述的相同的效果。〈第—^一示例性实施例〉接着，将说明本发明的第十一示例性实施例。图44是说出根据本发明的本示例性实施例的在TFT基板加侧处的图像显示装置的一部分的像素结构的平面图。图45是示出根据本示例性实施例的图像显示装置的横截面图。如图44中所示，显示板2是立体显示板，其具有四个视点并且包括用于显示用于第一视点的图像的像素、用于显示用于第二视点的图像的像素、用于显示用于第三的图像的像素和于显示用于第四的图像的像素。如图44中所示，在X轴方向上布置第一视点像素 VI、第二视点像素V2、第三视点像素V3和第四视点像素V4，并且，这四个子像素构成“显示单元”。如图45中所示，根据显示单元、即第一视点像素VI、第二视点像素V2、第三视点像素V3、第四视点像素V4，布置作为图像分离单元的柱镜光栅式透镜3。该像素开口具有使得上底的在X轴方向上的宽度变小的形状，并且，这样的形状是接近三角形的梯形。沿着作为子像素的中线的虚拟线80来布置存储电容器电极CS2，并且每个存储电容器电极CS2具有相对于虚拟线80轴对称的矩形形状。存储电容器线CS从梯形的上底的中心向除了梯形的下底的中心之外的区域延伸。存储电容器电极CS2和存储电容器线CS 弯曲，并且在大体梯形像素的上底处连接在一起。在大体梯形像素的下底边，即在X轴方向上延伸的数据线D的附近，存储电容器线CS弯曲并且连接到在Y轴方向上的邻接的像素。在邻接像素对的相应子像素中的存储电容器线CS分别在相同的方向上倾斜，并且被布置使得跨过相应的不同虚拟线81。存在具有存储电容器线CS的不同倾斜方向的两种邻接像素对，并且相应的种类交替地被布置在Y轴方向上。结果，在X轴方向上和在Y轴方向上布置的子像素中，对于每四个子像素重复地布置如下的子像素，即，所述子像素具有相同的倾斜方向并且使存储电容器线CS跨过共同的虚拟线81。显示板2使用下述配置其中，在邻接像素对的相应子像素中的存储电容器线CS在相同的方向上倾斜，并且在Y轴方向上彼此邻接的邻接像素对具有存储电容器线CS的不同倾斜方向。在X轴方向上布置的子像素被布置使得跨过在两条虚拟线81之间的彼此不同的相应的虚拟线81通过子像素，该两条虚拟线81每条在X轴方向上将子像素均勻地划分为三个部分。对于每两个子像素，在X轴方向上重复地布置如下的子像素，即，所述子像素使存储电容器线CS跨过同一虚拟线81通过所述子像素。在其中每个构成显示单元的子像素中，与相应的视点对应的子像素具有四种图案，该四钟图案彼此不同，并且是相对于图像分离方向的存储电容器线CS的两种倾斜方向和在子像素中跨过两条虚拟线81的任何一条的存储电容器线CS的两种布置的组合。构成显示单元的子像素，第一视点像素VI、第二视点像素V2、第三视点像素V3、第四视点像素V4具有彼此不同的存储电容器线CS的相应的布置。而且，在Y轴方向上邻接的显示单元具有如下的子像素，即，该子像素具有相同的存储电容器线CS图案，并且在X轴方向上被布置用于每个子像素。结果，在Y轴方向上连续地布置的四个子像素具有彼此不同的存储电容器线CS的布置图案。除了上述配置和操作之外的本示例性实施例的配置和操作与第一示例性实施例的那些相同。在本示例性实施例中，对于相应的视点显示与四个视点对应的视差图像，使得可以显示具有较好的真实感觉的图像。而且，因为可使用向立体图像加上的对于每个视点优化的立体信息来显示这样的图像，所以与具有两个视点的上述图像显示装置相比较，可以扩展其中可以可视地识别立体图像的范围。而且，在本示例性实施例中，在用于构成显示单元的相应的视点的子像素中，存储电容器线CS的布置具有不同的图案，并且相对于其中并排布置了柱面透镜3a的图像分离方向分散。因此，可以减少在像素中的存储电容器线CS的频率，所以，可以抑制源自图像分离单元的布置周期的莫尔干涉条纹。而且，在本示例性实施例中，在Y轴方向上连续的布置的四个子像素具有彼此不同的存储电容器线CS的布置，并且被布置在垂直于图像分离方向的方向上。因此，可以分散由存储电容器线CS散射的发射光，并且，可以减少亮度改变和莫尔干涉条纹。具体地说， 在相应子像素之间的边界是当被诸如透镜这样的图像分离单元放大和投影在观看平面上时很可能使得观众感到奇怪的区域。因此，与这个区域对应的存储电容器线CS的布置图案被分散以便改善图像质量。根据像本示例性实施例那样的具有等于或大于3个的视点的多视点方案，当视点的图像在邻接视点的图像中泄露时，它在一些情况下可以被定义为在图像之间指定的串音，并且这被称为“图像之间的串音”。在第一示例性实施例中描述的两个视点的情况下，由两眼指定的“3D串音”和“图像之间的串音”是相同的，并且期望两者应当尽可能减少。相反，在等于或大于3的多视点的情况下，“图像之间的串音”的存在引起了图像的重复，但是可以给出平滑的运动视差，因此尽可能减少这样的现象不总是成立的。显示板2可以不仅被应用到具有四个视点的图像显示装置，而且还被应用到具有等于或大于3个视点的N个视点的图像显示装置。通过在相应的视点上显示与N个视点对应的视差图像，可以显示具有较好的真实感觉的图像。而且，在具有N个视点的立体显示板的情况下，可以使用向立体图像加上的对于每个视点优化的立体信息来显示该图像，因此可以扩展其中可以可视地识别立体图像的范围。在构成用于N个视点的显示单元的相应视点的子像素中，存储电容器线CS的各自的布置图案彼此不同，并且在Y轴方向上邻接的显示单元中布置这样的不同图案的组合， 并且将该组合在X轴方向上移位子像素。具有N个视点的图像显示装置可以使用其中在子像素中布置K条存储电容器线CS 的配置。而且，那些存储电容器线CS可以具有至少两种与图像分离方向不同的倾斜方向， 并且可以在垂直于图像分离方向的方向上布置的L个子像素的各自的开口中布置存储电容器线CS，使得选择性地跨过多条虚拟线的至少一条，该多个虚拟线的每条在图像分离方向上将开口均勻地划分为(K+L)个部分。而且，可以通过将选择性地跨过虚拟线的存储电容器线CS和存储电容器线CS的倾斜方向组合来配置存储电容器线CS的N种布置图案，并且与在显示单元中的相应视点对应的各个子像素可以具有彼此不同的存储电容器线CS的布置图案。在不偏离本发明的宽范围和精神的情况下，可以以各种形式来改变和修改本发明。而且，上述的示例性实施例用于说明本发明，并且不用于限制本发明的范围和精神。即， 通过所附的权利要求而不是示例性实施例来指示本发明的范围和精神。在本发明的范围和精神内的各种改变和修改及其等同内容应当在本发明的范围和精神内。可以像下面的补充说明那样表达上述示例性实施例的一些或全部，的本发明不限于下面的补充说明。〈补充说明1>一种图像显示装置，包括显示元件，其包括多个显示单元，每一个所述显示单元至少包括显示用于第一视点的图像的子像素和显示用于第二视点的图像的子像素；以及， 光学单元，其将从所述显示元件的各自子像素发射的光分配到不同的方向，其中，当定义其中被分配光的方向是第一方向时，与所述第一方向正交的方向是第二方向，并且在所述子像素中由数据线、栅极线和存储电容器电极包围的区域是开口，通过基本单元来形成在所述显示元件中的所述子像素的布置，所述基本单元是邻接像素对，所述邻接像素对包括两个子像素，所述两个子像素被布置使得在其间存在数据线，沿着所述第二方向布置所述邻接像素对，以便彼此邻接，所述两个子像素将各自的开关元件共同连接到在所述两个子像素之间存在的所述数据线，并且使各自的开关元件通过不同的栅极线控制，所述开关元件的一个电极形成所述存储电容器电极和电容器，所述存储电容器电极至少被布置在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域处，并且当假定存在虚拟线时，其中每条所述虚拟线与所述第二方向平行并且所述虚拟线将所述子像素的在所述第一方向上的宽度均勻地划分为K+1个，电连接到所述存储电容器电极的K条存储电容器线每一条被布置使得跨过所述虚拟线的至少一条。〈补充说明2>根据补充说明1的图像显示装置，所述存储电容器线在与所述第一方向不同的方向上倾斜，并且被布置使得将所述开口划分为K+1个区域。〈补充说明3>根据补充说明2的图像显示装置，在所述开口中布置的所述存储电容器线在与所述第一和第二方向不同的方向上倾斜，并且穿过如下的中线，所述中线通过所述开口的中心并且与所述第二方向平行。〈补充说明4>根据补充说明1至3的任何一项的图像显示装置，所述存储电容器电极被布置跨过在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域，并且由所述存储电容器线的相同金属膜形成并且在其同一层形成。〈补充说明5>根据补充说明4的图像显示装置，在其中所述数据线延伸的方向上彼此邻接的所述邻接像素对被布置使得连接到彼此不同的各个数据线。〈补充说明6>根据补充说明5的图像显示装置，所述存储电容器线相对于所述第一方向的倾斜角是使得开口的在所述第一方向上的比率基本上不变的角度。〈补充说明7>根据补充说明6的图像显示装置，在所述子像素中的所述栅极线的倾斜角和其中的所述存储电容器线的倾斜角彼此不同。〈补充说明8>根据补充说明7的图像显示装置，所述栅极线和所述存储电容器线由相同的材料形成，并且通过同一处理形成。〈补充说明9>根据补充说明6的图像显示装置，在与所述第一方向平行的方向上布置在所述邻接像素对中的并且用于操作所述邻接像素对的各自像素的所述开关元件。〈补充说明10>根据补充说明7的图像显示装置，所述数据线被布置在所述存储电容器电极的上层，使得在与所述第一方向不同的方向上倾斜，并且，所述数据线被布置在所述开关元件的上层，以便在与所述第一方向不同的方向上倾斜。〈补充说明11>根据补充说明10的图像显示装置，所述邻接像素对的相应像素被布置使得围绕在所述邻接像素对中的点对称。〈补充说明12>根据补充说明11的图像显示装置，所述像素的所述开口的区域是大体梯形形状的，并且所述像素的所述开关元件被布置在所述像素的大体梯形显示区域的上底处。〈补充说明13>根据补充说明5的图像显示装置，所述子像素是具有大体八边形形状的像素，通过经由互连梯形的上底和其下底的虚拟剖面线来将大体梯形像素切割和划分为两个直角梯形，并且通过在所述两个直角梯形相对于彼此在所述第一方向上和在所述第二方向上移位预定尺寸的情况下将所述两个直角梯形的切割部分结合，限定所述八边形形状，所述存储电容器线被布置使得穿过所述大体八边形像素的所述剖面线，所述邻接像素对的所述开关元件被布置在与所述第一方向不同的方向上，以便彼此邻接，并且，所述存储电容器线的宽度比所述栅极线的宽度小。
〈补充说明14>根据补充说明12或13所述的图像显示装置，在所述存储电容器线的上层形成电连接到所述开关元件的像素电极。〈补充说明15>一种图像显示装置，包括显示元件，其包括多个显示单元，每一个所述显示单元至少包括显示用于第一视点的图像的子像素和显示用于第二视点的图像的子像素；以及， 光学单元，其将从所述显示元件的各自子像素发射的光分配到不同的方向，其中，当定义其中被分配光的方向是第一方向时，与所述第一方向正交的方向是第二方向，并且，在所述子像素中由黑色矩阵包围的区域是开口，通过基本单元来形成在所述显示元件中的所述子像素的布置，所述基本单元是邻接像素对，所述邻接像素对包括两个子像素，所述两个子像素被布置使得在其间存在数据线，沿着所述第二方向布置所述邻接像素对，以便彼此邻接，所述两个子像素将各自的开关元件共同连接到在所述两个子像素之间存在的所述数据线，并且使各自的开关元件通过不同的栅极线控制，所述开关元件的一个电极形成存储电容器电极和电容器，所述存储电容器电极至少被布置在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域处，并且当假定存在虚拟线时，其中每条所述虚拟线与所述第二方向平行并且所述虚拟线将所述子像素的在所述第一方向上的宽度均勻地划分为K+1个，电连接到所述存储电容器电极的K条存储电容器线每一条被布置使得跨过所述虚拟线的至少一条。〈补充说明16>根据补充说明15的图像显示装置，所述存储电容器线在与所述第一方向不同的方向上倾斜，并且被布置使得将所述开口划分为K+1个区域。〈补充说明17>根据补充说明16的图像显示装置，在所述开口中布置的所述存储电容器线在与所述第一和第二方向不同的方向上倾斜，并且穿过如下的中线，所述中线通过所述开口的中心并且与所述第二方向平行。〈补充说明18>根据补充说明15的图像显示装置，所述存储电容器电极被布置跨过所述邻接像素对的所述子像素的边界区域，并且由与所述存储电容器线的金属膜相同的金属膜形成并且在其同一层形成。〈补充说明19>根据补充说明15的图像显示装置，所述黑色矩阵被布置使得覆盖所述栅极线的至少一部分，并且在所述子像素中的所述黑色矩阵的倾斜角和所述存储电容器线的倾斜角彼此不同。〈补充说明20>根据补充说明15的图像显示装置，所述存储电容器线跨过在所述第二方向上的彼此邻接的子像素延伸，并且被布置使得跨过与所述第一方向平行并且通过所述子像素的中心的虚拟线。〈补充说明21>根据补充说明20的图像显示装置，所述存储电容器线相对于所述第一方向的倾斜角在所述子像素的每个上相等。
〈补充说明22>根据补充说明20或21的图像显示装置，对于每两个子像素，在所述第二方向上重复地布置其中布置了跨过共同的虚拟线的所述存储电容器线的所述子像素。〈补充说明23>根据补充说明1至22的任何一个的图像显示装置，所述显示元件还包括用于第三视点的子像素和用于第四视点的子像素，在构成所述邻接像素对的所述子像素中布置的所述存储电容器线在相对于所述第二方向的同一方向上倾斜，跨过彼此不同的相应虚拟线， 并且具有与在构成在所述第二方向上邻接的另一个邻接像素对的子像素中布置的所述存储电容器线的倾斜方向不同的倾斜方向，并且，对于每四个子像素，在所述第一方向和所述第二方向上重复地布置如下的子像素，S卩，在所述子像素中，布置了跨过共同的虚拟线的所述存储电容器线。〈补充说明根据补充说明1至23的任何一个的图像显示装置，所述光学单元的焦点被设置为相对于所述显示元件的所述上层移位。〈补充说明25>根据补充说明1至23的任何一项的图像显示装置，所述光学单元的焦点被设置为相对于所述显示元件的所述下层移位。〈补充说明洸>一种终端装置包括根据补充说明1至25的任何一项的图像显示装置。〈补充说明27>一种补充说明1至25的任何一项的图像显示装置的驱动方法，包括步骤逐一地扫描所述栅极线；对于每一栅极线反转每一个像素的电压极性；以及，对于每一数据线，反转通过每一数据线传输的显示数据的极性。〈补充说明沘>根据补充说明27的图像显示装置的驱动方法，根据所述电压极性的反转周期来设置所述存储电容器线的倾斜方向。已经通过参考一个或多个优选实施例描述和说明了本申请的原理，应当显然，在不偏离在此公开的原理的情况下可以在布置和细节上修改该优选实施例，并且意欲本申请被解释为包括所有这样的修改和改变，只要它们在此公开的主题的精神和范围内。
权利要求
1.一种图像显示装置，包括显示元件，包括多个显示单元，每一个所述显示单元至少包括显示用于第一视点的图像的子像素和显示用于第二视点的图像的子像素；以及，光学单元，将从所述显示元件的各个子像素发射的光分配到不同的方向，其中，当定义其中被分配光的方向是第一方向时，与所述第一方向正交的方向是第二方向， 并且在所述子像素中由数据线、栅极线和存储电容器电极包围的区域是开口，通过基本单元来形成在所述显示元件中的所述子像素的布置，所述基本单元是邻接像素对，所述邻接像素对包括两个子像素，所述两个子像素被布置使得在所述两个子像素之间存在数据线，沿着所述第二方向布置所述邻接像素对，以便彼此邻接，所述两个子像素将各自的开关元件共同连接到在所述两个子像素之间存在的所述数据线，并且使各自的开关元件通过不同的栅极线控制，所述开关元件的一个电极形成所述存储电容器电极和电容器，所述存储电容器电极至少被布置在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域处，并且当假定存在虚拟线时，其中每条所述虚拟线与所述第二方向平行并且所述虚拟线将所述子像素的在所述第一方向上的宽度均勻地划分为K+1个，电连接到所述存储电容器电极的K条存储电容器线每一条被布置使得跨过所述虚拟线的至少一条。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，所述存储电容器线在与所述第一方向不同的方向上倾斜，并且被布置使得将所述开口划分为K+1个区域。
3.根据权利要求2所述的图像显示装置，其中，在所述开口中布置的所述存储电容器线在与所述第一和第二方向不同的方向上倾斜，并且穿过如下的中线，所述中线通过所述开口的中心并且与所述第二方向平行。
4.根据权利要求1所述的图像显示装置，所述存储电容器电极被布置跨过在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域，并且由所述存储电容器线的相同金属膜形成并且在所述存储电容器线的同一层形成。
5.根据权利要求4所述的图像显示装置，其中，在其中所述数据线延伸的方向上彼此邻接的所述邻接像素对被布置使得连接到彼此不同的各个数据线。
6.根据权利要求5所述的图像显示装置，其中，所述存储电容器线相对于所述第一方向的倾斜角是使得开口的在所述第一方向上的比率基本上不变的角度。
7.根据权利要求6所述的图像显示装置，其中，在所述子像素中的所述栅极线的倾斜角和在所述子像素中的所述存储电容器线的倾斜角彼此不同。
8.根据权利要求7所述的图像显示装置，其中，所述栅极线和所述存储电容器线由相同的材料形成，并且通过同一处理形成。
9.根据权利要求6所述的图像显示装置，其中，在与所述第一方向平行的方向上布置在所述邻接像素对中的用于操作所述邻接像素对的各个像素的所述开关元件。
10.根据权利要求7所述的图像显示装置，其中，所述数据线被布置在所述存储电容器电极的上层，使得在与所述第一方向不同的方向上倾斜，并且，所述数据线被布置在所述开关元件的上层，使得在与所述第一方向不同的方向上倾斜。
11.根据权利要求5所述的图像显示装置，其中，所述子像素是具有大体八边形形状的像素，通过经由互连梯形的上底和所述梯形的下底的虚拟剖面线来将大体梯形像素切割和划分为两个直角梯形，并且通过在所述两个直角梯形相对于彼此在所述第一方向上和在所述第二方向上移位预定尺寸的情况下将所述两个直角梯形的切割部分结合，限定所述八边形形状，所述存储电容器线被布置使得穿过所述大体八边形像素的所述剖面线， 所述邻接像素对的所述开关元件被布置在与所述第一方向不同的方向上，以便彼此邻接，并且，所述存储电容器线的宽度比所述栅极线的宽度小。
12.根据权利要求10所述的图像显示装置，其中，在所述存储电容器线的上层形成电连接到所述开关元件的像素电极。
13.一种图像显示装置，包括显示元件，包括多个显示单元，每一个所述显示单元至少包括显示用于第一视点的图像的子像素和显示用于第二视点的图像的子像素；以及，光学单元，将从所述显示元件的各个子像素发射的光分配到不同的方向，其中， 当定义其中被分配光的方向是第一方向时，与所述第一方向正交的方向是第二方向， 并且，在所述子像素中由黑色矩阵包围的区域是开口，通过基本单元来形成在所述显示元件中的所述子像素的布置，所述基本单元是邻接像素对，所述邻接像素对包括两个子像素，所述两个子像素被布置使得在所述两个子像素之间存在数据线，沿着所述第二方向布置所述邻接像素对，以便彼此邻接，所述两个子像素将各自的开关元件共同连接到在所述两个子像素之间存在的所述数据线，并且使各自的开关元件通过不同的栅极线控制，所述开关元件的一个电极形成存储电容器电极和电容器，所述存储电容器电极至少被布置在所述邻接像素对的所述子像素之间的边界区域处，并且当假定存在虚拟线时，其中每条所述虚拟线与所述第二方向平行并且所述虚拟线将所述子像素的在所述第一方向上的宽度均勻地划分为K+1个，电连接到所述存储电容器电极的K条存储电容器线每一条被布置使得跨过所述虚拟线的至少一条。
14.根据权利要求13所述的图像显示装置，其中，所述存储电容器线在与所述第一方向不同的方向上倾斜，并且被布置使得将所述开口划分为K+1个区域。
15.根据权利要求14所述的图像显示装置，其中，在所述开口中布置的所述存储电容器线在与所述第一和第二方向不同的方向上倾斜，并且穿过如下的中线，所述中线通过所述开口的中心并且与所述第二方向平行。
16.根据权利要求13所述的图像显示装置，所述存储电容器电极被布置跨过所述邻接像素对的所述子像素的边界区域，并且由与所述存储电容器线的金属膜相同的金属膜形成并且在所述存储电容器线的同一层形成。
17.根据权利要求13所述的图像显示装置，其中，所述黑色矩阵被布置使得覆盖所述栅极线的至少一部分，并且在所述子像素中的所述黑色矩阵的倾斜角和所述存储电容器线的倾斜角彼此不同。
18.—种终端装置，包括根据权利要求1所述的图像显示装置。
19.一种根据权利要求1所述的图像显示装置的驱动方法，包括步骤 逐一地扫描所述栅极线；对于每一栅极线反转每一个像素的电压极性；以及， 对于每一数据线，反转通过每一数据线传输的显示数据的极性。
20.根据权利要求19所述的图像显示装置的驱动方法，其中，根据所述电压极性的反转周期来设置所述存储电容器线的倾斜方向。
全文摘要
本发明涉及图像显示装置、图像显示装置的驱动方法和终端装置，图像显示装置包括显示元件，其具有显示单元，每一个显示单元包括分别显示用于第一和第二视点的图像的子像素；以及，光学单元，其将从各个子像素发射的光分配到不同的方向。当在该子像素中由数据线、栅极线和存储电容器电极包围的区域被定义为开口时，该子像素形成基本单元，该基本单元是包括经由其间的数据线布置的两个子像素的邻接像素对。该两个子像素将开关元件连接到在该两个子像素之间的数据线并且使其通过不同的栅极线控制。当假定其中每条将子像素的在第一方向上的宽度均匀地划分为K+1个部分的虚拟线时，在该开口中K条存储电容器线每条被布置跨过至少一条虚拟线。
文档编号G09G3/36GK102279494SQ20111016449
公开日2011年12月14日 申请日期2011年6月13日 优先权日2010年6月11日
发明者新冈真也, 重村幸治 申请人:Nlt科技股份有限公司
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