液晶装置及电子设备的制作方法
专利名称：液晶装置及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶装置及电子设备。
背景技术：
以往TN (Twisted Nematic，扭曲向列)方式等的液晶装置具有在一 对J4l间封入了液晶的结构，通过由各基板上的电极按与J4l面垂直的方 向施加电场，来控制液晶分子的取向，调制光透射率。对此，作为谋求液 晶装置宽视场角化的一个手段，使对液晶施加的电场的方向为与基仗面大 致平行的方向并通过该电场使液晶在与基仗大致平行的面内旋转的方式， 已为众所周知。也就是说，该方式为在一个M上形成一对电极并使之发 生电场.作为这种方式，IPS (In-Plane Switching,面内开关)方式、FFS (Fringe-Field Switching,边缘场开关)方式等已为众所周知。FFS方式是一种对IPS方式的技术进一步改进后的技术，结构上不同 的是，IPS方式的场合下一对梳状电极形成在同层，与此相对，FFS方式 的场合下一对电极形成在不同的层.也就是说，FFS方式在整面状电极的 上方通过层间绝缘膜叠层梳状电极。由于该电极结构的不同，发生的电场 方向稍微有所变动，IPS方式下的电场方向是电tot向的横向，FFS方式 下的电场方向因为电极形成在不同的层，所以除了横向之外，特别在电极 边缘的附近还按与基仗面垂直的方向具有较强的电场分量。还有，下述的 专利文献1其电极形状是IPS方式的一种，但因为一对电极形成在不同的 层，所以电场方向和FFS方式相似。其结果为，就通常的IPS方式而言，因为即橫j区动了位于电极间的液 晶分子，位于电极正上的液晶分子几乎不被驱动，所以电极部分不能用于
显示，因该部分用遮光膜进行遮光，而使开口率下降.相对于此，FFS方 式的情况下，具有不仅位于电极间的液晶分子不言而喻而且位于电极正上 的液晶分子也易于被驱动这样的特征。从而，在FFS方式中具有下述优点， 即如果用透明导电膜来形成电极，则电极的部分也可以在某种程度上用于 显示，与相同条件的IPS方式相比可以扩大开口率。 专利文献l:特开2003-15146号7>报这样，作为谋求液晶装置高亮度化的手段，采用上述FFS方式较为有 效。这里，在液晶装置的开关元件中， 一般使用P-Si (多晶硅)型薄膜晶 体管(Thin Film Transistor,下面筒称为TFT )元件或者ot-Si (非晶体珪) 型TFT元件等。而且，在主M用P-Si型TFT元件时一般采用所谓的覆 盖(overlay)结构，该覆盖结构形成覆盖TFT元件的绝缘膜^4面平坦 化，并在此绝缘膜上形成液晶驱动用的电极。可是，在液晶装置中需要形成用来连接驱动ic、柔性a等安装部件的端子。 发明内容本发明是鉴于上述情况做出的，其目的之一为，提供一种在为覆盖结 构时，使用下述金属膜、绝缘膜等来形成耐腐蚀性优良的端子之技术，该 金属膜、绝缘膜用来形成与TFT元件连接的扫描线、数据线。为了达到上述目的，本发明的液晶装置其特征为，具备第1J41和第 2基板，其夹持液晶而相互对向；在上述第l基tl上，具备开关元件； 信号布线，连接于该开关元件上；平坦化膜，设置于该信号布线及上述开 关元件的上侧，由具有平坦性的绝缘膜形成；第1电极，设置于该平坦化 膜的上侧；电极绝缘膜，设置于该第1电极的上侧；以及第2电极，设置 于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙并且在其和上述第1电极之间通过 上述缝隙的各自使电场发生；在上述第l基长上的上述平坦化膜的非形成 区域的至少一部分，设置连接安装部件的端子；该端子，具有端子主体 部，其材质和上述信号布线相同；端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜
相同，以下述方式形成于该端子主体部上，该方式为覆盖上述端子主体 部的侧面并且在上述端子主体部的开口区域进行开口；以及端子电极部， 其材质和上述第2电极相同，覆盖上述开口区域和上述端子主体部的侧面 来形成，与上述端子主体部通过上述开口区域进行电连接。通过按上述方法来构成，在具备平坦化膜的FFS方式的液晶装置中， 设置于第1电极和第2电极之间的电极绝缘膜在端子区域(平坦化膜的非 形成区域)作为端子绝缘膜来配置，因此该端子绝缘膜作为端子的钝化膜 来发挥作用。另外，由于安装部件和端子之间的连接部由端子电极部的1 层构成，因而可以确保连接部的面积使之更宽。再者，端子主体部因为其 材质和信号布线相同，所以可以同时形成，能够使端子和信号布线之间的 连接变得简便.若在端子区域保留平坦化膜，则必须对该平坦化膜形成数微米左右的 贯通孔，而对处于较深贯通孔底部的电极的连接则易于发生接触不良。另 外，即便使用用来形成第1电极、第2电极的导电膜，来形成端子的电极， 若贯通孔较深，也有可能接合不佳、无法确保电可靠性。采用上述结构， 由于端子区域i殳置于平坦化膜的非形成区域，因而端子区域的凹凸减少， 可以在连接部确保良好的导通性能.加之，由于端子主体部的侧面利用端 子绝缘膜及端子电极部来覆盖，因而可以确保较高的耐腐蚀性。另外，其特征为，具备笫lUl和第2H其夹持液晶而相互对向； 在上述第1 !41上，具备开关元件；信号布线，连接于该开关元件；平 坦化膜，设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦性的绝缘 膜形成；笫1电极，设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，设置于该第 1电极的上侧；以及第2电极，i殳置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝 隙并且在其和上述第1电极之间通过上述缝隙的各自使电场发生；在上述 第1基昧上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置连接安装部 件的端子；该端子，具有端子主体部，其材质和上述信号布线相同；第 1端子电极部，其材质和上述第1电fef目同，形成为至少覆盖上述端子主 体部，并且与该端子主体部进行电连接；端子绝缘膜，其材质和上述电极 绝缘膜相同，以下述方式形成于该端子主体部上，该方式为覆盖上述端 子主体部的侧面并且在上述端子主体部的开口区域进行开口；以及第2端 子电极部，其材质和上述第2电极相同，形成为覆盖上述开口区域和上述 端子主体部的侧面，与上述第1端子电极部通过上述开口区域进行电连接。 通过按上述方法来构成，在具有平坦化膜的FFS方式的液晶装置中， 设置于第1电极和第2电极之间的电极绝缘膜在端子区域(平坦化膜的非 形成区域)作为端子绝缘膜来配置，因此该端子绝缘膜作为端子的钝化膜 来发挥作用。若在端子区域内保留平坦化膜，则必须对该平坦化膜形成数微米左右 的贯通孔，而对处于较深贯通孑L底部的电极的连接则易于发生接触不良。 另外，即便使用用来形成第1电极、第2电极的导电膜，来形成端子的电 极，若贯通孔较深，也有可能^不佳、无法确保电可靠性。釆用上述结 构，由于端子区域i史置于平坦化膜的非形成区域内，因而端子区域的凹凸 减少，可以在连接部确保良好的导通性能，加之，由于端子主体部的侧面 利用笫l端子电极部、端子绝缘膜及第2端子电极部来覆盖，因而可以确 保更高的耐腐蚀性.另外，液晶装置的特征为，具备第l基板和第2基l其夹持液晶而 相互对向；在上述第l基板上，具备开关元件；信号布线，连接于该开 关元件；平坦化膜，设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平 坦性的绝缘膜形成；第1电极，设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜， 设置于该第1电极的上侧；以及第2电极，设置于该电极绝缘膜的上侧， 具有多条缝隙并且在其和上述笫1电极之间通过上述缝隙的各自使电场发 生；在上述第l基tl上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置 连接安装部件的端子；该端子，具有:端子主体部，其材质和上述信号布 线相同；笫l端子电极部，其材质和上述第1电^目同，形成为至少覆盖 上述端子主体部的侧面，在上述端子主体部上具有笫1开口区域；端子绝 缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，形成为至少覆盖上述第1端子电极 部，在上述第l开口区域内具有第2开口区域；以及第2端子电极部，其
材质和上述第2电极相同，形成为至少覆盖上述端子主体部上的上述端子 绝缘膜的上述第2开口区域和上述端子主体部的侧面，与上述端子主体部 通过上述第2开口区域进行电连接。通过按上述方法来构成，在具有平坦化膜的FFS方式的液晶装置中， 设置于第1电极和笫2电极之间的电极绝缘膜在端子区域(平坦化膜的非 形成区域)作为端子绝缘膜来配置，因此该端子绝缘膜作为端子的钝化膜 来发挥作用。另外，由于安装部件和端子之间的连接部由端子电极部的1 层构成，因而可以确保连接部的面积使之更宽。再者，因为端子主体部其 材质和信号布线相同，所以可以同时形成，能够4吏端子和信号布线之间的连接变得简便。若在端子区域保留平坦化膜，则必须对该平坦化膜形成数微米左右的 贯通孔，而对处于较深贯通孔底部的电极的连接则易于发生接触不良。另 外，即便使用用来形成第1电极、笫2电极的导电膜，来形成端子的电极， 若贯通孔较深，也有可能掩^不佳、无法确保电可靠性。采用上迷结构， 由于端子区域设置于平坦化膜的非形成区域，因而端子区域的凹凸减少， 可以在连接部确保良好的导通性能。加之，由于端子主体部的侧面利用第 1端子电极部、端子绝缘膜及第2端子电极部M盖，因而可以确保更高 的耐腐蚀性.这里，优选的是，在上述第Tl4l上形成相互交3Ul伸的扫描线和数 据线，并且与上述端子电连接的端子布线其材质和上述扫描线相同，上述 端子主体部其材质和上述数据线相同，通过按上述方法来构成，可以利用与下迷扫描线相同材质的布线来作 为端子布线，所以即使在端子和扫描线接近时，也不产生短路，该扫描线 和数据线不同层。从而，可以增大端子配置、端子布线图形的自由度，在这种结构中，也可以具有下层绝缘膜，覆盖上述数据线并且与上述 第1电极相比位于下层；上述端子主体部的侧面利用该下层绝缘膜及上迷 端子绝缘膜来覆盖。这样一来，由于下层绝缘膜及端子绝缘膜的2层作为 端子主体部的钝化膜来发挥作用，因而能够提高耐腐蚀性。 另外，在上述结构中，与上述端子电连接的端子布线和上述端子主体 部也可以形成为，在通过层间绝缘膜而不同的布线层中，上述端子布线与 上述端子主体部相比位于下层，并且通过形成于上述层间绝缘膜的贯通孔 进行电连接。这样一来，因为可以通过贯通孔可靠进行电连接，所以能够 确保良好的导通性能。再者，若上述贯通孔形成在和上述端子主体部俯视重合的位置，则可 以使端子连接部突出。另一方面，其特征为，具备第1基敗和第2基板，其夹持液晶而相互 对向；在上述第ll^上，具备开关元件；信号布线，连接于该开关元 件；平坦化膜，设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦性 的绝缘膜形成；第1电极，设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，设置 于该第1电极的上侧；以及笫2电极，设置于该电极绝缘膜的上侧，具有 多条缝隙并且在其和上述第l电极之间通过上述缝隙的各自使电场发生； 在上述笫1 a上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置连接 安装部件的端子；该端子，具有裤子主体部，其材质和上述信号布线相 同；和端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，以下述方式形成于该 端子主体部上，该方式为至少覆盖上述端子主体部的侧面。通过按上述方法来构成，在具备平坦化膜的FFS方式的液晶装置中， 设置于第1电极和第2电极之间的电极绝缘膜在端子区域(平坦化膜的非 形成区域)作为端子绝錄J漢来配置，因此该端子绝缘膜作为端子的钝化膜 来发挥作用。另外，由于安装部件和端子之间的连接部只由端子主体部构 成，因而可以确保连接部的面积使之更宽。再者，因为端子主体部其材质 和信号布线相同，所以可以同时形成，能够使端子和信号布线之间的连接 变得简便。若在端子区域保留平坦化膜，则必须对该平坦化膜形成数微米左右的 贯通孔，而对处于较深贯通孔底部的电极的连接则易于发生接触不良，另 外，即便使用用来形成笫1电极、第2电极的导电膜，来形成端子的电极， 若贯通孔较深，也有可能接合不佳、无法确保电可靠性。采用上述结构，
由于端子区域设置于平坦化膜的非形成区域，因而端子区域的凹凸减少， 可以在连接部确保良好的导通性能。加之，由于端子主体部的侧面利用端 子绝缘膜来覆盖，因而可以确保耐腐蚀性。其特征为，具备第1 !41和第2 J4SL，其夹持液晶而相互对向；在上 述第1 a上，具备开关元件；信号布线，连接于该开关元件；平坦化 膜，i殳置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦性的绝缘膜形 成；第1电极，设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，设置于该第1电 极的上侧；以及第2电极，设置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙并 且在其和上述第1电极之间通过上述缝隙的各自使电场发生；在上述第1 基板上的上述平坦化膜的形成区域，设置连接安装部件的端子；该端子， 具有端子主体部，其材质和上述信号布线相同；开口部，在上述端子主 体部上对上述平坦化膜进行开口；端子绝缘膜，其材质和上迷电极绝缘膜 相同，形成为覆盖上述平坦化膜并且在上述开口区域进行开口；以及端子 电极部，其材质和上述第2电极相同，与上述端子主体部通过上述开口部 进行电连接。通过按上述方法来构成，在具备平坦化膜的FFS方式的液晶装置中， 设置于第1电极和第2电极之间的电极绝缘膜在端子区域(平坦化膜的形 成区域)作为端子绝缘膜来配置，因此该端子绝缘膜作为端子的钝化膜来 发挥作用。再者，因为端子主体部其材质和信号布线相同，所以可以同时 形成，能够使端子和信号布线之间的连接变得简《更。加之，由于端子主体 部的侧面利用端子绝缘膜、平坦化膜及端子来覆盖，因而可以确保非常高 的耐腐蚀性。另外，本发明的液晶装置其特征为，通过上述输入端子来连接上述安 装部件。再者，本发明的电子设备其特征为，具备上ii^发明的液晶装置。于是，可以实现具备下述液晶显示部的电子设备，该液晶显示部的端 子结构具有较高的耐腐蚀性和良好的导通性能。
图l是本发明的第1实施方式所涉及的液晶装置的概略俯视图。图2是同一液晶装置的截面图。图3A是同一液晶装置中的像素的放大俯视图，图3B是同一液晶装置中的像素的放大俯视图.图4是同一液晶装置中的像素的截面图。图5是表示同 一液晶装置中的TFT制造工艺的附图。图6是同一液晶装置中端子附近的放大俯视图。图7是沿着图6的B-B'线的截面图。图8是沿着图6的C-C'线的截面图，图9是同一液晶装置中端子附近的制造工艺的截面图。图IO是表示同一液晶装置中别的端子结构的沿着B-B'线的截面图。图ll是表示同一液晶装置中别的端子结构的沿着C-C'线的截面图。图12是第2实施方式所涉及的液晶装置端子附近的制造工艺的截面图。图13是第3实施方式所涉及的液晶装置端子附近的制造工艺的截面图。图14是第4实施方式所涉及的液晶装置中的端子附近的放大俯视图。图15是沿着图14的D-D，线的截面图。图16是沿着图14的E-E，线的截面图。图17是同一液晶装置中端子附近的制造工艺的截面图。图18是第5实施方式所涉及的液晶装置端子附近的制造工艺的截面图。图19是第6实施方式所涉及的液晶装置端子附近的制造工艺的截面图。图20是第7实施方式所涉及的液晶装置中端子附近的放大俯视图.图21是沿着图20的F-F，线的截面图。图22是沿着图20的G-G，线的截面图。图23是同一液晶装置中端子附近的制造工艺截面图.
图24是第8实施方式所涉及的液晶装置中端子附近的放大俯视图。 图25是沿着图24的I-r线的截面图。 图26是沿着图24的J-J'线的截面图。
图27是第9实施方式所涉及的液晶装置中端子附近的放大俯视图。 图28是沿着图27的K-K'线的截面图。 图29是沿着图27的L-L'线的截面图。
图30是第10实施方式所涉及的液晶装置中端子附近的放大俯视图。
图31是沿着图30的M-M'线的截面图。
图32是沿着图30的N-N'线的截面图.
图33是连接安装部件后的端子附近的截面图。
图34是表示电子设备一例的立体图.
符号说明
l'"扫描线，3…数据线(信号布线)，IO'"TFT阵列基tl (第1基板)， 11…像素电极(第1电极)，13.-TFT (开关元件)，17."共用电极(第2 电极)，20…对向USL (第2 M) ， 24."第1层间绝缘膜(层间绝缘膜)， 25...第2层间绝缘膜，26."笫3层间绝缘膜(平坦化膜)，27...第4层间绝 缘膜(电极绝缘膜)，61"'区域(平坦化膜的非形成区域)，62、 6"'布线 (端子布线)，63'"端子连接部(连接部)，64'"侧部(侧面)，65…安装 部件，70...端子主体部，71-端子电极部(端子电极部、第2端子电极部)， 72-下层端子电极部(第l端子电极部)，77."端子绝缘膜，82…开口 (开 口区域、笫2开口区域)，83".第1开口 (笫l开口区域)，85"'接触孑L， IOO".液晶装置，104".扫描线驱动电路(安装部件)，201'"数据线驱动电 路(安装部件)，202…端子，300'"电子设备
具体实施例方式
下面，对于本发明的实施方式，参照附图进行说明， <第1实施方式>
首先，对于本发明的第1实施方式所涉及的液晶装置，参照图1~图5
进行i兌明。
第1实施方式所涉及的液晶装置是使用LTPS (低温多晶硅)型TFT 无件来作为像素开关元件的有源矩阵型，是FFS方式的透射型一例。
图1是从对向基板侧看到本实施方式的液晶装置和各构成要件的俯视 图，图2是沿着图1的H-H'线的截面图，图3A及图3B是同一液晶装置 的元件M的各像素的放大俯视图，图4是沿着图3A或图3B中的A-A， 线及a-a'线的同一液晶装置的截面图，图5M示同一液晶装置制造过程 的工艺截面图。
还有，在下面的说明中所使用的各附图中，为了使各层和各部件为可 在附图上辨认程度的大小，所以对各层和各部件的每个都使比例尺不同。
如图1及图2所示，第1实施方式所涉及的液晶装置100用密封材质 52来粘合TFT阵列基板10 (笫l基板)和对向基板20 (第2基仗)，并 且在由该密封材质52划分出的区域内封入液晶层50。液晶层50由具有正 介电常数各向异性的液晶构成。在密封材质52形成区域的内侧区域，形成 由遮光性材质构成的遮光膜(周边遮断物)53。在密封材质52的外侧区域 且沿着TFT阵列^ 10 —边的区域，采用COG技术等安装作为数据线 驱动电路201的IC芯片，并且在其外侧的区域，设置多个用来与柔性基 板连接的输入端子222。另外，还沿着与安装数据线驱动电路201的区域 相邻的二条边，分别安装作为扫描线驱动电路104的IC芯片。在TFT阵 列Jj仗10剩下的一条边，设置多条布线105,用来连接显示区域的周围两 侧所设置的扫描线驱动电路104彼此，
在液晶装置100的显示区域内，多个# 素配置成矩阵状，
图3A及图3B全都是表示TFT阵列基板10的像素主要部分结构的俯 视图。如下所述，在本实施方式所涉及的液晶装置中，由于具有透明性的 像素电极11和共用电极17通过绝缘膜进行叠层，因而难以按原状直接了 解电极的结构。因此，将像素电极ll及其下层的布线结构表示于图3A中， 将共用电极17的结构主要表示于图3B中。
如这些附图所示，扫描线1及共用线2按水平方向(图3A或图3B中的横向)延伸，并且数据线3按垂直方向(图3A或图3B中的纵向)延伸， 被这些扫描线1及共用线2和数据线3包围其四方的区域构成1个像素区 域。由多晶硅膜构成的半导体层4在数据线3和扫描线1之间的交叉处附 近形成为大致U状.在半导体层4的两端形成接触孔5、 6， 一方的接触孔 5是用来将半导体层4的源区域4s电连接于数据线3的源接触孔，另一方在漏电极7，在与设置有接触孔6的一侧相反侧，形成用来与下述的像素 电极11进行电连接的像素接触孔12.本实施方式中的TFT13因为大致U状的半导体层4和扫描线1进行交 叉，并且半导体层4和扫描线1在2个部位处交叉，所以成为在l个半导 体层上具有2个栅的所谓的双栅型.还有，在图3A及图3B中，TFT13是双栅型，而在下#示截面结构 的图4中，如同单栅那样进行了表示。但是，这是因为图3A及图3B中作 为剖切线的A-A'线引绕的缘故。像素电极ll (第1电极)例如采用铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, 下面简称为ITO)等的材质来形成，如图3A所示，对应于1个像素区域 按大致矩形状进行了图形形成。另一方面，共用电极17 (第2电极)例如 同样采用ITO等的材质来形成，如图3B所示，形成在多个4象素配置成矩 阵状的显示区域整体范围内.另外，共用电极17在和像素电极11之间的重合部分具有缝隙状的开 口部17a。因此，在相邻的开口部17a之间构成带状的电极部17b。还有， 在共用电极17，避开设置有接触孔6、 12的部分地设置开口部17c。而且，共用电极17和共用线2通过由与数据线3相同的材质构成的连 接电极14,进行连接.连接接触孔15用来将共用线2电连接于连接电极 14的一端，共用接触孔16用来将连接电极14的另一端电连接于共用电极 17。这里，共用线2是为了降低由ITO等构成的共用电极17的时间常数 设置的。从而，在共用电极17的时间常数充分低时，也可以省去该共用线 2。另外，虽然在附图中，矩形状的像素电极ll与共用电极17相比位于 下层侧，但是也可以与共用电极17相比位于上层侧。在像素电极ll与共 用电极17相比位于上层侧时，缝隙状的开口部17a不设置于共用电极17， 而设置于像素电极11。总之，缝隙状的开口部要设置于有2层的ITO电极 之中的上层侧，也就是设置于接近液晶层50的一侧。还有，在下面的说明中，如图3A及图3B所示，以像素电极ll与共 用电极17相比位于下层侧的情形为例，进行"^兌明。下面，对于液晶装置100的截面结构，参照图4进行说明，TFT阵列基^ 10 (图4中的下侧J^) ;SJ寸向基昧20 (图4中的上侧 141)全都具有玻璃等的透明性，并且如图4所示，在两个^L间夹持液 晶层50。在作为TFT阵列14110基体材质的透明U1 21上，设置由多晶硅构 成的半导体层4，并覆盖该半导体层4及透明基板21地形成由硅氧化膜等 构成的栅绝缘膜23。半导体层4构成对各像素电极11进行开关控制的 TFT13。该半导体层4具有通过来自栅电极的电场形成沟道的半导体层4的沟 道区域4c、源区域4s及漏区域4d。栅电极是由钼等构成的扫描线1，与 半导体层4借助栅绝缘膜23进行绝缘。还有，共用线2和TFT13的栅电 极是同层，并且在对该栅电极进行图形形成时被同时形成.在TFT13及共用线2之上，设置由硅氧化膜构成的第1层间绝缘膜24, 并且分别形成通向源区域4s的源接触孔5、通向漏区域4d的漏接触孔6 及通向共用线2的连接接触孔15。数据线3通过贯通第1层间绝缘膜24的源接触孔5电连接于半导体层 4的源区域4s，漏电极7通过贯通第l层间绝缘膜24的漏接触孔6电连接 于半导体层4的漏区域4d。另外，连接电极14的一端通过贯通第1层间 绝缘膜24的连接接触孔15连接于共用线2。这里，漏电极7及连接电极
14与数据线3是同一层，采用铝等的材质形成于第l层间绝缘膜24上'进而，第2层间绝缘膜25及第3层间绝缘膜26被依次叠层。其中， 第2层间绝缘膜25由氮化硅(SiN)膜等构成，特别为了保护数据线3、 漏电极7及连接电极14等的铝表面而设置，另外，第3层间绝缘膜26由 丙烯酸树脂构成，为了^^底的台阶差平坦化而设置。还有，在第2层间绝缘膜25及第3层间绝缘膜26，分别设置通向漏 电极7的像素接触孔12及通往连接电极14另 一端的共用接触孔16。在第3层间绝缘膜26上，形成将ITO等的透明导电膜按大致矩形形 状进行图形形成后的像素电极ll。因此，像素电极ll以漏电极7为中继 层，与半导体层4的漏区域4d进行电连接。在包含像素电极11上在内的第3层间绝缘膜26上，形成由氮化珪膜 等构成的第4层间绝缘膜27。还有，该第4层间绝缘膜27在共用接触孔 16处进行开孔.在第4层间绝缘膜27上，通过对ITO等的透明导电膜进行图形形成， 来设置具有缝隙状开口部17a、 17c的共用电极17。还有，该共用电极n 在显示区域上，除了开口部17a、 17c之外在大致一面的范围内是整面状。还有，在TFT阵列MlO的最上层且与液晶层50相接的面，设置由 聚酰亚胺等构成的取向膜，但是图示予以省略。另一方面，对向1^20在透明^i4l22上按每个像素形成构成滤色器 的红(R)、绿(G)、蓝(B)任一个的色材质层31。另外，还形成外覆 层32，用来保护色材质层31并且使由色材质层31而产生的台阶差平坦化. 进而，在外覆层32之上(在图4中是下侧)，设置和TFT阵列基板10侧 相同的取向膜，但是图示予以省略， 〈TFT等的制造过程〉下面，对于上述结构的液晶装置100之中特别是TFT阵列a 10的 TFT13周边的制造过程，使用图5进行说明。首先，如图5(a)所示，准备玻璃、石英等的透明基板21,对该透明 L21，采用CVD法等使膜厚40nm左右的非晶体硅膜成膜，在使非晶
体硅膜成膜之后，通过实施激光退火等使之再结晶，而成为多晶硅膜。其 后，采用众所周知的光刻法、腐蚀法对该多晶硅膜进行图形形成，来形成半导体层4。借此，成为图5 (b)所示的状态。接着，如图5(c)所示，采用'减射法、CVD法等使膜厚75nm左右的 硅氧化膜在基板整面上成膜，来形成栅绝缘膜23。接下来，在栅绝缘膜23的上面，在采用'减射法等使膜厚300nm左右 的钼膜在基板整面上成膜之后，采用众所周知的光刻法、腐蚀法对该钼膜 进行图形形成，来形成扫描线l。借此，成为图5(d)所示的状态。还有， 在钼膜的图形形成时，和扫描线l同时，还形成这里省略了图示的共用线 2。接着，采用CVD法等使珪氧化膜在基板整面上成膜，来形成笫1层间 绝缘膜24。其后，采用众所周知的光刻法、腐蚀法分别形成贯通第1层间 绝缘膜24、栅绝缘膜23到达半导体层4的源区域4s的源接触孔5以及到 达漏区域4d的漏接触孔6.此时，还同时形成在图5中被省略、到达共用 线2的连接接触孔15。其后，在采用溅射法等使膜厚500nni左右的铝膜 在J41整面上成膜之后，采用众所周知的光刻法、腐蚀法对该铝膜进行图 形形成，分别形成数据线3及漏电极7，成为图5 (e)所示的状态。还有， 在铝膜的图形形成时，与数据线3及漏电极7同时，还形成这里省略了图 示的连接电极14。接着，如图5 (f)所示，采用CVD法等使硅氮化膜等在^41整面上 成膜，来形成第2层间绝缘膜25,接下来，将膜厚l 3nm左右的丙烯酸 树脂膜涂敷于基板整面上，使之固化来形成第3层间绝缘膜26。进而，采用众所周知的光刻法、腐蚀法来形成贯通笫3层间绝緯_膜26、 第2层间绝缘膜25到达漏电极7的像素接触孔12。此时，还同时形成在 图5中被省略、到达连接电极14的共用接触孔16。此后，采用'践射法等使膜厚75nm左右的ITO膜在基板整面上成膜， 并采用众所周知的光刻法、腐蚀法对该ITO膜进行图形形成，来形成《象素 电极ll.借此，成为图5 (g)所示的状态.接着，如图5 (h)所示，采用濺射法、CVD法等使膜厚50~400nm 左右的硅氮化膜在M整面上成膜，来形成第4层间绝缘膜27。此后，将在图5中被省略的共用接触孔16中覆盖连接电极14的第4 层间绝缘膜27去除之后，采用賊射法等使膜厚75nm左右的ITO膜在基 板整面上成膜，并釆用众所周知的光刻法、腐蚀法对该ITO膜进行图形形 成，来形成具有开口部17a、 17c的共用电极17.借此，成为图5 (i)所 示的状态。还有，虽然此后未特别图示，但是在基板整面上使聚酰亚胺膜成膜， 并通过实施磨擦处理来形成取向膜。通过上面的工艺，就形成TFT阵列I4110之中相当于显示区域的部分。<笫1实施方式中的端子>TFT阵列 10的显示区域外的输入端子222 、与扫描线驱动电路104 及数据线驱动电路201连接的端子，和上述的显示区域同时并行地形成。这里，在与扫描线驱动电路104连接的端子中有两种端子， 一是与输 入端子222连接并从外部控制电路经由FPC基板供给时钟信号、控制信号 等的端子，二是与扫描线1连接的端子；同样在与数据线驱动电路201连 接的端子中有两种端子， 一是与输入端子222连接并从外部控制电路供给 控制信号、显示数据等的端子，二是与数据线3连接的端子。在本实施方式中，与扫描线驱动电路104及数据线驱动电路201连接 的端子与经由FPC基仗与外部控制电路连接的输入端子222，基本上是相 同的结构，这里有关端子202的结构，将参照图6~图8进行说明.图6是形成端子的区域的放大俯视图，图7是沿着图6的B-B'线的截 面图，图8是沿着图6的C-C，线的截面图。还有，图6 图8表示出省略 了扫描线驱动电路104、数据线驱动电路201及FPC基板等安装部件的状 态。如这些附图所示，多个端子202排列在区域61。在端子202的上面， 用来和安装部件进行连接的端子连接部63形成为大致矩形状。在位于比区
域61靠显示区域的区域81，虽然保留作为平坦化膜的第3层间绝缘膜26, 但是在区域61内已经将第3层间绝缘膜26有选择地去除。布线62采用与显示区域内构成数据线3 (漏电极7及连接电极14)的 铝膜相同的膜来形成，并且电连接于扫描线l、共用线2或数据线3上。 还有，在连接于数据线3上时，布线62为数据线3其本身。该布线62与 显示区域的端部相比、从第3层间绝缘膜26的下层向区域61突出，并且 在端子202中成为端子主体部70。在端子主体部70和第l层间绝缘膜24的上面，形成端子绝缘膜77。 该端子绝缘膜77是显示区域的第4层间绝缘膜27，并且在端子主体部70 上的开口部82按大致矩形状进行了开口 。端子电极部71按下述方式形成为矩形状，该方式为覆盖端子主体部 70和其上面的端子绝缘膜77的开口部82。端子电极部71和显示区域的共 用电极17是同一层，且通过共用电极17的图形形成来形成，并且在开口 部82处与端子主体部70进行连接，构成端子连接部63。因此，在区域61，布线62及端子主体部70的铝部分，在端子部分处 利用端子绝缘膜77及端子电极部71的双方来覆盖，在除端子部分以外的 部分则利用端子绝缘膜77来覆盖。<端子的制造过程>图9是表示区域61的制造过程的工艺截面图(图6的B-B'线)，还有，如上所述，由于端子202和TFT阵列基长10的显示区域同时 形成，因而将根据状况的不同同时使用图5进行说明。首先，在形成端子202的区域61内，从图5 (e)所示的工艺开始。从 而，在区域61内，不形成栅绝缘膜23，最开始，在透明基tl21的整面上使笫1层间绝缘膜24成膜(图9( a >第 l工艺).接着，在图5 (e)的数据线3、漏电极7及连接电极14的形成工艺时， 使铅膜也在区域61成膜，对该铝膜进行图形形成，分别形成布线62、端 子主体部70 (图9 (b).第2工艺)，还有，虽然此后在显示区域，要设置第2层间绝缘膜25、第3层间绝 缘膜26及像素电极11，但是在本实施方式中，不在区域61内设置它们。接下来，在图5 (h)的第4层间绝缘膜27的形成工艺时，使硅氮化 膜也在区域61成膜，形成端子绝缘膜77 (图9 (c).第3工艺)。进而，采用众所周知的光刻法、腐蚀法对端子绝缘膜77进行图形形成， 在应作为端子连接部63的部分的开口部82处进行开口 (图9 (d)'第4 工艺)。然后，在图5 (i)的共用电极17 (第2电极)的形成工艺时，使ITO 膜也在区域61成膜，对该ITO膜进行图形形成，以下述方式形成端子电 极部71，该方式为使之菱盖开口部82及端子主体部70的侧部64 (图9 (e)'第5工艺)，这里，虽然在图5的制造工艺中形成，但是对于在图9的端子形成工 艺中未形成的层(例如，第2层间绝缘膜25、第3层间绝缘膜26、像素电 极ll等)来说，要在形成各层的工艺中，在应作为区域61的区域形成掩 模而不形成各层，或者在将各层形成到区域61整面之后，将各层去除等， 使之不形成于区域61。若这样构成了端子202,则可以使与设置于像素电极11和共用电极17 之间的第4层间绝缘膜27同时形成的端子绝缘膜77，作为端子主体部70 (布线62、数据线3)的钝化膜来发挥作用.另外，由于端子主体部70 和数据线3同时形成，因而从端子202经由布线62到数据线3都被一体化。另一方面，若在区域61形成了平坦化膜(第3层间绝缘膜26)，则 必须在有厚度的平坦化膜形成贯通孔，而对处于较深贯通孔底部的端子主 体部70的连接则易于发生连接不良，再者，若贯通孔较深，则有可能用来 形成焊盘(pad)的导电膜的接合不佳、无法确保电可靠性.因此，在本 实施方式中，要将在显示区域作为平坦化膜所形成的第3层间绝缘膜26， 在区域61去除(或者不形成).因此，因为区域61的凹凸变少，所以可 以在端子连接部63确保良好的导通性能。另外，通过利用端子绝缘膜77及端子电极部71来覆盖端子主体部70 的側部64,而可以保护端子主体部70。从而，可以确保端子202较高的耐 腐蚀性。特别是，由于端子绝缘膜77作为钝化膜来发挥作用，因而可以防止由 端子电极部71 (共用电极17)的腐蚀时所使用的腐蚀剂腐蚀端子主体部 70。再者，因为在区域61，端子202 ^gj板面突出，所以当使用ACF、 ACP来和安装部件进行连接时，端子连接部63和安装部件的端子之间的 距离与基板面和安装部件的端子之间的距离相比窄，使利用各向异性导电 粒子的连接变得可靠。还有，在本实施方式中，虽然在区域61未使用第2层间绝缘膜25， 但是也可以将第2层间绝缘膜25延伸设置于区域61。图10是将笫2层间 绝缘膜25延伸设置于区域61时沿着图6的B-B'线的截面图，图11是相 同情况下的沿着图6的C-C'线的截面图。这种结构可以在图9 ( a )的第1工艺之后且图9 ( b)的第2工艺之前， 在图5 (f)的第2层间绝缘膜25的形成工艺时使氮化硅膜也在区域61成 膜，并且当在图9 (d)的第4工艺中设置开口部82时，使该笫2层间绝 缘膜25和端子绝缘膜77在开口部82处进行开口 .根据这种结构，由于端子主体部70 (布线62)的钝化膜成为除了作为 端子绝缘膜77的第4层间绝缘膜27之外还包括第2层间绝缘膜25的2 层结构，因而可以进一步有效防止端子主体部70的腐蚀， <第2实施方式>下面，对于在本发明的第2实施方式之后所涉及的液晶装置，进行说 明。还有，在第2实施方式之后所涉及的液晶装置中，虽然关于显示区域 中的结构来i兌，和第1实施方式相同，但是关于在显示区域外的区域61 所形成的端子202来说则和第1实施方式不同.因此，对于第2实施方式 之后的液晶装置，将以端子202的制造过程及结构为中心进行说明.第2实施方式所涉及的液晶装置直接而言，就是其结构为，将端子主 71之外，还利用与像素电极同层的ITO膜来覆盖。也就是说，在笫2实施 方式中，使覆盖端子连接部63及侧部64的ITO膜为2层。图12是表示第2实施方式所涉及的液晶装置之中的TFT阵列基仗10 的区域61的制造过程的工艺截面图(图6的B-B'线)。图12 (a)和第1实施方式的第l工艺(图9 (a))相同，对于图l2 (b)也和相应的第2工艺(图9 (b))相同。在第2实施方式中，在区域61分别形成由和数据线3相同的层构成的 布线62及端子主体部70之后，在图5 (g)中的像素电极ll (第1电极) 的形成工艺时，使ITO膜也在区域61成膜，对该ITO膜进行图形形成， 覆盖端子主体部70地来形成下层端子电极部72 (第2-1工艺)。借此，成 为图12 (c)所示的状态。还有，该ITO膜也可以还覆盖布线62。图12 (d)和第1实施方式的笫3工艺(图9 (c))相同，图12 (e) 和第4工艺(图9(d))相同，图12(f)和第5工艺(图9(e))相同。这里，图12 (f)表示第2实施方式中区域61的结构。布线62及端子主体部70是与数据线3同时形成的相同材质的导电膜。在第2实施方式中，端子主体部70利用下层端子电极部72来覆盖' 这样利用下层端子电极部72所覆盖的端子主体部70再由端子绝缘膜77 M盖。其中，端子绝缘膜77在端子主体部70的端子连接部63处，在开 口部82开出了大致矩形状的开口 ，并JLa盖该开口部82及端子主体部70 的底部地设置端子电极部71。还有，端子绝缘膜77还覆盖布线62.若<象第2实施方式那样构成了端子202，则和笫1实施方式相同，可 以使与设置于像素电极11和共用电极17之间的第4层间绝缘膜27同时形 成的端子绝缘膜77，作为端子主体部70 (布线62、数据线3 )的钝化膜来 发挥作用，另外由于端子主体部70与形成于笫3层间绝缘膜26下层的数 据线3同时形成，因而从端子202经由布线62到数据线3都被一体化.再 者，在笫2实施方式中，由于在端子202中，作为与安装部件的连接部件 的端子连接部63由下层端子电极部72和端子电极部71的2层来构成，因 而可以可靠覆盖作为金属部的端子主体部70.
还有，在第2实施方式中，对于因不在区域61设置作为平坦化膜的第 3层间绝缘膜26而实现的导通性能的确保、因端子绝缘膜77作为钝化膜 来发挥作用而实现的端子主体部70的耐腐蚀性改善以及连接可靠性提高 等的效果来说，则和第l实施方式相同。在第2实施方式中，也和第1实施方式中的图IO及图ll相同，还可 以将第2层间绝缘膜25延伸设置于区域61，把端子主体部70 (布线62 ) 的钝化膜形成为除了包括作为端子绝缘膜77的第4层间绝缘膜27之外还 包括第2层间绝缘膜25的2层结构，进一步有效防止端子主体部70的腐 蚀。另外，在笫2实施方式中，虽然在区域61,端子绝缘膜77形成在开 口部82之外的全部区域，但是由于形成有下层端子电极部72的区域全都 利用该下层端子电极部72 M盖，因而也可以将该区域的端子绝缘膜77 去除.<第3实施方式>下面，对于本发明的第3实施方式所涉及的液晶装置，进行说明.第3实施方式所涉及的液晶装置直接而言，就是将在第2实施方式中 覆盖端子主体部70的下层端子电极72，在端子连接部63处去除，在侧部 64处保留.也就是说，在第3实施方式中，将覆盖侧部64的ITO膜设置 为2层，将覆盖端子连接部63的ITO膜设置为1层。图13是表示第3实施方式所涉及的液晶装置之中的TFT阵列^ 10 的区域61的制造过程的工艺截面图(图6的B-B'线)。图13 (a)和第1实施方式的第l工艺(图9 (a))相同，对于图l3 (b)也和相应的笫2工艺(图9 (b))相同。在第3实施方式中，在区域61形成由和数据线3相同的层构成的布线 62及端子主体部70之后，在图5 (g)中的像素电极ll (第l电极)的形 成工艺时，使ITO膜也在区域61成膜，对该ITO膜进行图形形成，来按 下述方式形成下层端子电极部72，该方式为，4吏t菱盖端子主体部70的 侧部64，且在第1开口部83处进行开口 (第2-2工艺).借此，成为图
13 (c)所示的状态。图13 (d)和第1实施方式的第3工艺(图9 (c))相同，图13 (e) 和第4工艺(图9U))相同，图13(f)和第5工艺(图9(e))相同。这里，图13 (f)表示第3实施方式中的区域61的结构。在笫3实施方式中，下层端子电极部72覆盖端子主体部70的侧部64, 而对于端子连接部63，则在第l开口部83处进行开口。虽然这样利用下 层端子电极72所覆盖的端子主体部70再由端子绝缘膜77覆盖，但是端子 绝缘膜77在端子主体部70的端子连接部63处，在开口部82开出大致矩 形状的开口 ，并且覆盖该开口部82及端子主体部70的底部地设置端子电 极部71。还有，端子绝缘膜77还覆盖布线62。若像第3实施方式那样构成了端子202，则和第1实施方式相同，可 以使与设置于像素电极11和共用电极17之间的第4层间绝缘膜27同时形 成的端子绝缘膜77,作为端子主体部70 (布线62、数据线3 )的钝化膜来 发挥作用，另外由于端子主体部70和形成于第3层间绝缘膜26下层的数 据线3同时形成，因而从端子202经由布线62到数据线3都被一体化。另外，端子主体部70的侧部64在第1实施方式中，由端子绝缘膜77 及端子电极部71的二层来保护，与此相对在第3实施方式中，由下层端子 电极部72、端子绝缘膜77及端子电极部71的三层来保护。从而，端子主 体部70的侧部64与第1实施方式相比，第3实施方式可以更为可靠地进 行保护。还有，关于该保护，在第2实施方式中也相同。还有，在第3实施方式中，对于因不在区域61设置作为平坦化膜的第 3层间绝缘膜26而实现的导通性能的确保、因端子绝缘膜77作为钝化膜 来发挥作用而实现的端子主体部70的耐腐蚀性改善以及连接可靠性提高 等的效果来说，则和笫l实施方式相同。另夕卜在第3实施方式中，也和第1实施方式中的图10及图ll相同， 还可以将第2层间绝缘膜25延伸设置于区域61，把端子主体部70 (布线 62 )的钝化膜形成为除了包括作为端子绝缘膜77的笫4层间绝缘膜27之
外还包括第2层间绝缘膜25的2层结构，进一步有效防止端子主体部70 的腐蚀。在第3实施方式中，虽然在区域61，端子绝缘膜77形成到开口部82 之外的全部区域，但是由于形成有下层端子电极部72的区域已经由该下层 端子电极部72所覆盖，因而对于还可以将该区域内的端子绝缘膜77去除 这点来说，也相同。这里，若对于端子连接部63的面积进行比较，得知在端子主体部70 的大小相同时，端子连接部63的面积为，第1实施方式可以比第3实施方 式大。其原因为，根据第1实施方式，对开口部82直接形成端子电极部 71。另一方面，在第3实施方式中，由于端子连接部63在第1开口部83 的内侧形成开口部82,因而与第1实施方式的开口部82相比稍窄。因此，在扩大端子连接部63的面积来确保良好的导电性能的方面，可 以认为第1实施方式比笫3实施方式更为优选。<第4实施方式>下面，对于本发明的第4实施方式所涉及的液晶装置的端子，参照图 14 ~图16进行说明。该笫4实施方式所涉及的液晶装置直接而言，就是对于第1实施方式 中的端子202的一部分，将端子主体部"的引绕目的地(或者源头)变更 成和扫描线1同层的布线67。图14是第4实施方式中形成端子的区域的放大俯视图，图15是沿着 图14的D-D'线的截面图，图16是沿着图14的E-E'线的截面图。如图14所示，在区域61，多个端子202排列到2行的范围内，其中， 在同图中上侧的1行，也就是靠区域81的1行的端子202中的端子主体部 70其结构和第1实施方式相同。另一方面，在图14中下侧1行的端子202 中的端子主体部70通过接触孔(贯通孔)85电连接于布线67，该布线67 采用与显示区域内构成扫描线l (共用线2)的栅膜相同的膜来形成.详细而言，如图16所示，对于下侧1行的端子202中的端子主体部
70来说，其结构为，覆盖布线67的第1层间绝缘膜24按照接触孔85进 行开口，端子电极部71通过该接触孔85连接于端子主体部70。还有，和 第1实施方式的相同之处为，覆盖端子主体部70的端子绝缘膜77在端子 连接部63的开口部82处进行开口 ，端子电极部71通过该开口部82连接 于端子主体部70，并且形成为覆盖端子主体部70的侧部64,这一点与第 1实施方式相同。图17是表示第4实施方式所涉及的液晶装置之中的TFT阵列基板10 的区域61的制造过程的工艺截面图(图14的E-E'线)。在区域61、 81，未设置显示区域内的栅绝缘膜23。因此，若在图5(d) 的扫描线l、共用线2的形成工艺时，4吏钼膜在区域61成膜，并对布线67 进行了图形形成，则该布线67如图17(a)所示，形成于透明14121的 紧上方(第l-l工艺)。在使图5(e)的笫l层间绝缘膜24成膜之后，采用众所周知的光刻法、 腐蚀法对该膜进行图形形成，在布线67的上部形成接触孔85(第l-2工艺)。 借此，成为图17 (b)所示的状态。图17(c)和第l实施方式的第2工艺(图9(b))相同，图17(d) 和相应的第3工艺(图9 (c))相同。图17 (e)和相应的第4工艺(图 9 U))相同，图17 (f)和相应的第5工艺(图9 (e))相同.若这样构成了端子202，则除了第1实施方式的作用效果之外，由于 布线67和扫描线1 (共用线2)同时，形成于比布线67深的层，因而即使 在端子202之间非常接近时等也可以在不相互产生短路的状况下，配置多 个端子202，并在此基础上可以使布线67的耐腐蚀性得到进一步提高。<第5实施方式>对于本发明的第5实施方式所涉及的液晶装置的端子，进行说明。 该第5实施方式直接而言，就是对于第2实施方式中的端子202的一部分，将端子主体部70的引绕目的地(或者源头)，和笫4实施方式相同变更成与扫描线1同层的布线67。图18是表示第5实施方式所涉及的液晶装置之中的TFT阵列基板10
的区域61的制造过程的工艺截面图(图14的E-E，线)。
从图18 (a)到图18 (c)，与第4实施方式中的从图17 (a)到图17(c) 相同。在第5实施方式中，在区域61形成由和数据线3相同的层构 成的端子主体部70 (布线62)之后，在像素电极ll (第1电极)的形成 工艺时，使ITO膜也在区域61成膜，对该ITO膜进行图形形成，使M 盖端子主体部70地来形成下层端子电极部72。借此，成为图18 (d)所示 的状态。还有，从图18 (e)到图18 (g)，与第4实施方式中的从图17(d) 到图17 (f)相同。
结果，第5实施方式所涉及的液晶装置的端子成为图18 (g)所示的 结构。因此，根据第5实施方式，除了第2实施方式的作用效果之外，还 产生下述和笫4实施方式相同的效果，该效果为，即使在端子202之间非 常接近时等，也可以在不相互产生短路的状况下配置多个端子202，并在 此基础上使布线67的耐腐蚀性得到进一步提高。
<第6实施方式>
对于本发明的第6实施方式所涉及的液晶装置的端子，进行说明。
该第6实施方式直接而言，就是对于第3实施方式中的端子202的一 部分，将端子主体部70的引绕目的地(或者源头)，和笫4实施方式相同 变更成与扫描线1同层的布线67。
图19是表示第6实施方式所涉及的液晶装置之中的TFT阵列基板10 的区域61的制造过程的工艺截面图(图14的E-E'线).从图19 (a)到图19 (c)，与笫4实施方式中的从图17 (a)到图H (c)相同。在第6实施方式中，在区域61内形成由和教:据线3相同的层 构成的端子主体部70 (布线62)之后，在像素电极ll (第1电极)的形 成工艺时，使ITO膜也在区域61成膜，对该ITO膜进行图形形成，按下 述方式来形成下层端子电极部72，该方式为覆盖端子主体部70且在第1 开口部83处进行开口。借此，成为图19 (d)所示的状态.还有，从图19(e) 到图19 (g)，与笫4实施方式中的从图17 (d)到图17 (f)相同。 结果，第6实施方式所涉及的液晶装置的端子成为图19 (g)所示的结构。因此，根据第6实施方式，除了第3实施方式的作用效果之外，还 产生下述和笫4实施方式相同的效果，该效果为，即使在端子202之间非 常接近时等，也可以在不相互产生短路的状况下配置多个端子202,并在 此基础上使布线67的耐腐蚀性得到进一步提高。还有，在第4~第6实施方式中，也和第1实施方式中的图10及图11 相同，还可以将第2层间绝缘膜25延伸设置于区域61，把端子主体部70 (布线62 )的钝化膜形成为除了包括作为端子绝缘膜77的第4层间绝缘 膜27之外，还包括第2层间绝缘膜25的2层结构，进一步有效防止端子 主体部70的腐蚀。<第7实施方式>对于本发明的第7实施方式所涉及的液晶装置的端子，进行说明。图20是第7实施方式中形成端子的区域的放大俯视图，图21是沿着 图20的F-F'线的截面图，图22是沿着图20的G-G'线的截面图。如这些附图所示，第7实施方式的结构为，对于第1实施方式中的端 子202，不设置覆盖开口部82的ITO膜的端子电极部71。从而，在端子 202之中的端子绝缘膜77的开口部82处，作为与数据线3相同材质的端 子主体部70表面露出，但是在除此以外的部分，包括侧部61在内都由端 子绝缘膜77覆盖，加以保护.图23是表示第7实施方式所涉及的液晶装置之中的TFT阵列基板10 的区域61的制造过程的工艺截面图(图20的F-F，线)。如上所述，由于笫7实施方式将笫1实施方式中的端子电极部71去除 而成，因而表示制造过程的工艺截面图的图23为去除第1实施方式中的图 9 (e)之后的图，其他相同。也就是说，图23 (a) ~图23 (d)，与笫1 实施方式中的图9(a) 图9(d)分别相同。若像第7实施方式那样构成了端子202,则由于端子连接部63不通过 由ITO膜构成的端子电极部71，而成为端子主体部70其本身，因而能够 使和安装部件之间的连接电阻相应地降低。再者，由于可以按不设置端子 电极部71的量，扩大端子连接部63的面积，因而能够使其和安装部件之 间的连接更为可靠。还有，虽然在端子连接部63处，端子主体部70在制造工艺中暂时露 出，但是由于最后要连接安装部件，因而将填充各向异性粘接剂。因此， 实际上端子主体部70不会长期露出于外部空气中.另外，在第7实施方式中，对于因不在区域61设置作为平坦化膜的第 3层间绝缘膜26而实现的导通性能的确保、因端子绝缘膜77作为钝化膜 来发挥作用而实现的端子主体部70的耐腐蚀性改善以及连接可靠性提高 等的效果来说，则和第l实施方式相同。在第7实施方式中，也和第1实施方式中的图IO及图ll相同，还可 以将第2层间绝缘膜25延伸设置于区域61，把端子主体部70 (布线62 ) 的钝化膜形成为除了包括作为端子绝缘膜77的第4层间绝缘膜27之外， 还包括第2层间绝缘膜25的2层结构，进一步有效防止端子主体部70的 腐蚀。另外，在第7实施方式中，虽然在区域61,端子绝^膜T7形成到除 开口部82之外的全部区域内，但是也可以像第3实施方式那样覆盖端子主 体部70地形成下层端子电极部72，并在该第l开口部83处进行开口。再者，也可以将第7实施方式夯别用于第4~第6实施方式，4吏其结 构为不设置端子电极部71。<笫8实施方式>对于本发明的笫8实施方式所涉及的液晶装置的端子，进行说明。图24是第8实施方式中形成端子的区域的放大俯视图，图25是沿着 图24的I-I，线的截面图，图26是沿着图24的J-J'线的截面图。如这些附图所示，在第8实施方式中，其构成为，在下述布线67和下 述端子主体部70通过第1层间绝缘膜24的接触孔85进行连接的第4实施 方式中，将布线67的形状与端子主体部70设置为俯视大致相同的形状， 并且在俯视大致相同的位置进行连接，该布线67由和栅电极(扫描线1) 相同的层构成，该端子主体部70由和数据线3相同的层构成， 据这样的第8实施方式，和第4实施方式相比较，不仅仅是端子加2 的台阶差减少，还由于端子连接部63更向上侧突出，因而能够使利用各向 异性导电粒子进行的连接更为可靠。还有，虽然图24~图26在笫4实施方式中，将布线67的形状和端子 主体部70设置为俯视大致相同的形状，并且在俯视大致相同的位置进行连 接，但是对于第8实施方式来说，也可以用于使覆盖端子连接部63及側部 64的ITO膜为2层的第5实施方式，以及使覆盖侧部64的ITO膜为2层 并使覆盖端子连接部63的ITO膜为1层的第6实施方式中。再者，在第8实施方式中，也和第1实施方式中的图10及图ll相同， 还可以将第2层间绝缘膜25延伸设置于区域61 ，把端子主体部70 (布线 62 )的钝化膜形成为除了包括作为端子绝缘膜77的第4层间绝缘膜27之 外还包括第2层间绝缘膜25的2层结构。<第9实施方式>对于本发明的第9实施方式所涉及的液晶装置的端子，进行说明。图27是第9实施方式中形成端子的区域的放大俯视图，图28是沿着 图27的K-K，线的截面图，图29是沿着图27的L-L，线的截面图。如这些附图所示，在第9实施方式中，和上述第1~第8实施方式不 同，在端子202排列的区域61，也保留作为平坦化膜的第3层间绝缘膜26,在笫9实施方式中，在端子202，为了将端子主体部70向外部引出， 第3层间绝缘膜26在第2开口部89处按大致矩形状进行了开口 ，虽然使 W盖设置有这种第2开口部89的第3层间绝缘膜26及端子主体部70 的表面地设置端子绝缘膜77，但是端子绝缘膜77在端子主体部70上的开 口部82处按大致矩形状进行了开口。还有，端子绝缘膜77是显示区域内 的第4层间绝缘膜27。而且，端子电极部71按下述方式形成为矩形状，使方式为使M盖 端子主体部70和其上面的第3层间绝缘膜26的第2开口部89.根据这样的第9实施方式，由于端子主体部70除了由第1实施方式中 的端子电极部71及第4层间绝缘膜27之外，还由作为平坦化膜的笫3层 间绝缘膜26来覆盖，因而更为牢靠地得到保护。
还有，在第9实施方式中，也和第1实施方式中的图10及图ll相同， 还可以将笫2层间绝缘膜25延伸设置于区域61，作为端子主体部70 (布 线62)的钝化膜，增加了作为端子绝缘膜77的第4层间绝缘膜27。<第10实施方式>对于本发明的第10实施方式所涉及的液晶装置的端子，进行说明。图30是第10实施方式中形成端子的区域的放大俯视图，图31是沿着 图30的M-M'线的截面图，图32是沿着图30的N-N'线的截面图。如这些附图所示，特别是如图32所示，在第IO实施方式中和上述第 1~第8实施方式不同，在区域61内也不存在作为平坦化膜的笫3层间绝 缘膜26。相反而言，就是对于第10实施方式来说，还适用于在显示区域 内不使用作为平坦化膜的第3层间绝缘膜26的结构。还有，如果在第10 实施方式中仅仅对于端子202而言，则其结构和第1实施方式相同。因此，根据第10实施方式，对于端子202产生和第1实施方式相同的 作用、效果。还有，在上述各实施方式中，虽然对于用来对数据线驱动电路201、 扫描线驱动电路104进行COG安装的端子202进行了说明，但是在连接 柔性141的输入端子222 (参见图1)中，也是相同的结构。因此，对于输 入端子222来说，也和端子202相同，可以确保较高的耐腐蚀性、良好的 导通性能。另外，在各实施方式(除了第7实施方式)的任一个中，端子电极部 71 (下层端子电极部72)还与第4层间绝缘膜27 (笫2层间绝缘膜25) 一起，覆盖端子主体部70，但是也可以覆盖布线62及其他的铝表面。本发明的^t术范围并不限于上述的实施方式，在不脱离本发明宗旨的 范围内能够加以各种变更。例如，对于TFT阵列^SL上的各布线、各电极 等的图形形状、材料、膜厚等具体构成而言，可以不受上述实施方式限制， 进行适当变更，另外，在各实施方式中虽然以透射型液晶装置为例进行了 说明，但是不限于此，也可以用于反射型、半透射反射型的液晶装置中'接下来，对于在各实施方式中所说明的端子上连接安装部件的状态，
参照图33进行说明。如该图所示，在TFT阵列基板10所形成的端子上，通过导电性粒子 按适当比例分布的各向异性导电薄膜(ACF) 66，来连接安装部件。详细 而言，输入端子222和柔性基仗65 (的端子)进行连接，端子202和数据 线驱动电路201或扫描线驱动电路104 (的端子)进行连接。才艮据这种结构，可以采用各实施方式的端子结构，良好地确保由优良 钝化功能实现的耐腐蚀性以及和安装部件之间的导通性能。〈电子i殳备〉下面，对于4吏用上述液晶装置的电子设备，进行说明。图34是表示作 为该电子i殳备一例的4更携电话机结构的立体图。如该图所示，便携电话机300具备多个操作按键302、受话口 303及 送话口 304，并具备由上述实施方式的液晶装置构成的显示部301。根据这种电子设备，可以在液晶装置的端子部分实现较高的耐腐蚀性 和良好的导通性。还有，虽然作为电子设备以便携电话机为例进行了说明，但是不限于 此，可以作为电子图书、个人计算机、数字静止相机、图像监视器、取景 器式或监视器直观式的磁带录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本、 台式电子计算器、文字处理机、工作站、电视电话机、POS终端及具备触 摸式面板的设备等的图像显示机构，来适当使用。
权利要求
1.一种液晶装置，其特征为，具备第1基板和第2基板，其夹持液晶而相互对向；在上述第1基板上，具备开关元件；信号布线，其连接于该开关元件；平坦化膜，其设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦性的绝缘膜形成；第1电极，其设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，其设置于该第1电极的上侧；以及第2电极，其设置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙，并且在其和上述第1电极之间通过上述各条缝隙使电场发生；在上述第1基板上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置有连接安装部件的端子；该端子，具有 端子主体部，其材质和上述信号布线相同；端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，按下述方式形成于该端子主体部上，该方式为使其覆盖上述端子主体部的侧面并且在上述端子主体部的开口区域处开口；以及端子电极部，其材质和上述第2电极相同，覆盖上述开口区域和上述端子主体部的侧面来形成，通过上述开口区域与上述端子主体部进行电连接。
2. —种液晶装置，其特征为， 具备笫1基板和第2141，其夹持液晶而相互对向； 在上述第l基板上，具备开关元件；信号布线，其连接于该开关元件；平坦化膜，其设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦性的绝缘膜形成；第1电极，其设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，其设置于该第1电极的上侧；以及第2电极，其设置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙，并且在其 和上述笫1电极之间通过上述各条缝隙使电场发生；在上述第1基板上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置 有连接安装部件的端子；该端子，具有端子主体部，其材质和上述信号布线相同；第1端子电极部，其材质和上述第1电^目同，形成为至少覆盖上述 端子主体部，与该端子主体部进行电连接；端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，按下述方式形成于该端 子主体部上，该方式为4吏其覆盖上述端子主体部的侧面并且在上述端子 主体部的开口区域处开口；以及第2端子电极部，其材质和上述笫2电极相同，形成为覆盖上述开口 区域和上述端子主体部的侧面，通过上述开口区域与上述笫1端子电极部 进行电连接。
3.—种液晶装置，其特征为，具备第1141和第2基板，其夹持液晶而相互对向；在上述第1基板上，具备开关元件；信号布线，其连接于该开关元件；平坦化膜，其设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦 性的绝缘膜形成；第1电极，其设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，其设置于该第1电极的上侧；以及第2电极，其设置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙，并且在其 和上述第1电极之间通过上述各条缝隙使电场发生；在上述第1基H上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置 有连接安装部件的端子；该端子，具有端子主体部，其材质和上述信号布线相同；第1端子电极部，其材质和上述第1电极相同，形成为至少覆盖上述 端子主体部的侧面，在上述端子主体部上具有第1开口区域；端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，形成为至少覆盖上述第 l端子电极部，在上述第l开口区域内具有第2开口区域；以及笫2端子电极部，其材质和上述第2电极相同，形成为至少覆盖上述 端子主体部上的上述端子绝缘膜的上述第2开口区域和上述端子主体部的 側面，通过上述第2开口区域与上述端子主体部进行电连接。
4. 根据权利要求1至3中任一项所述的液晶装置，其特征为 在上述第lJ4l上，形成有相互交叉延伸的扫描线和数据线， 与上述端子电连接的端子布线，其材质和上述扫描线相同， 上述端子主体部其材质和上述数据线相同。
5. 根据权利要求4所述的液晶装置，其特征为具有下层绝缘膜，该下层绝缘膜覆盖上述数据线并且与上述第1电极 相比位于下层；上述端子主体部的侧面利用该下层绝缘膜及上述端子绝缘膜来覆盖。
6. 根据权利要求1至3中任一项所述的液晶装置，其特征为 与上述端子电连接的端子布线和上述端子主体部形成为，在通过层间绝缘膜而不同的布线层中，上述端子布线与上述端子主体部相比位于下层， 并且通过形成于上述层间绝缘膜的贯通孔进行电连接。
7. 根据权利要求6所述的液晶装置，其特征为 上述贯通孔形成在与上述端子主体部俯视重合的位置处.
8. —种液晶装置，其特征为，具备第1 1和第2基板，其夹持液晶而相互对向； 在上述第l基板上，具备 开关元件；信号布线，其连接于该开关元件；平坦化膜，其设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦 性的绝缘膜形成；笫1电极，其设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，其设置于该第1电极的上侧；以及第2电极，其设置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙，并且在其 和上述第1电极之间通过上述各条缝隙使电场发生；在上述第1 ^上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置 有连接安装部件的端子，该端子，具有端子主体部，其材质和上述信号布线相同；和 端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，以下述方式形成于该端 子主体部上，该方式为使其至少覆盖上述端子主体部的側面。
9.一种液晶装置，其特征为， 具备第1 a和第2基&，其夹持液晶而相互对向； 在上述第1基板上，具备 开关元件；信号布线，其连接于该开关元件；平坦化膜，其^:置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦 性的绝缘膜形成；第l电极，其i殳置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，其设置于该第1电极的上侧；以及笫2电极，其设置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙，并且在其 和上述第1电极之间通过上述各条缝隙使电场发生；在上述第1 !41上的上述平坦化膜的形成区域，设置有连接安装部件 的端子，该端子，具有端子主体部，其材质和上述信号布线相同；开口部，其通过在上述端子主体部上对上述平坦化膜进行开口而成；端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，形成为覆盖上述平坦化 膜并且在上述开口区域开口；以及端子电极部，其材质和上述第2电极相同，通过上述开口部与上述端 子主体部进行电连接。
10. 根据权利要求1 ~ 9中任一项所述的液晶装置，其特征为 通过上述端子来连接上述安装部件。
11. 一种电子设备，其特征为 具备权利要求1 ~ 8中任一项所述的液晶装置。
全文摘要
本发明提供液晶装置及电子设备，在采用重叠结构的液晶装置中，形成与安装部件连接的端子。在FFS方式的液晶装置中，在TFT阵列基板(10)上的平坦化膜的非形成区域(区域61)，设置连接安装部件的端子(202)，端子(202)具有端子主体部(70)，其材质和数据线(3)相同；端子绝缘膜(77)，其材质和第4层间绝缘膜(27)相同，至少覆盖端子主体部(70)的侧部(64)地部分形成于端子主体部(70)上；以及端子电极部(71)，其材质和共用电极(17)相同，至少覆盖端子主体部(70)上的端子绝缘膜(77)的开口部(82)和端子主体部(70)的侧部(64)来形成，与端子主体部(70)进行电连接。
文档编号G09G3/36GK101131518SQ20071014656
公开日2008年2月27日 申请日期2007年8月21日 优先权日2006年8月21日
发明者藤田伸 申请人:爱普生映像元器件有限公司
技术领域：
本发明涉及液晶装置及电子设备。
背景技术：
以往TN (Twisted Nematic，扭曲向列)方式等的液晶装置具有在一 对J4l间封入了液晶的结构，通过由各基板上的电极按与J4l面垂直的方 向施加电场，来控制液晶分子的取向，调制光透射率。对此，作为谋求液 晶装置宽视场角化的一个手段，使对液晶施加的电场的方向为与基仗面大 致平行的方向并通过该电场使液晶在与基仗大致平行的面内旋转的方式， 已为众所周知。也就是说，该方式为在一个M上形成一对电极并使之发 生电场.作为这种方式，IPS (In-Plane Switching,面内开关)方式、FFS (Fringe-Field Switching,边缘场开关)方式等已为众所周知。FFS方式是一种对IPS方式的技术进一步改进后的技术，结构上不同 的是，IPS方式的场合下一对梳状电极形成在同层，与此相对，FFS方式 的场合下一对电极形成在不同的层.也就是说，FFS方式在整面状电极的 上方通过层间绝缘膜叠层梳状电极。由于该电极结构的不同，发生的电场 方向稍微有所变动，IPS方式下的电场方向是电tot向的横向，FFS方式 下的电场方向因为电极形成在不同的层，所以除了横向之外，特别在电极 边缘的附近还按与基仗面垂直的方向具有较强的电场分量。还有，下述的 专利文献1其电极形状是IPS方式的一种，但因为一对电极形成在不同的 层，所以电场方向和FFS方式相似。其结果为，就通常的IPS方式而言，因为即橫j区动了位于电极间的液 晶分子，位于电极正上的液晶分子几乎不被驱动，所以电极部分不能用于
显示，因该部分用遮光膜进行遮光，而使开口率下降.相对于此，FFS方 式的情况下，具有不仅位于电极间的液晶分子不言而喻而且位于电极正上 的液晶分子也易于被驱动这样的特征。从而，在FFS方式中具有下述优点， 即如果用透明导电膜来形成电极，则电极的部分也可以在某种程度上用于 显示，与相同条件的IPS方式相比可以扩大开口率。 专利文献l:特开2003-15146号7>报这样，作为谋求液晶装置高亮度化的手段，采用上述FFS方式较为有 效。这里，在液晶装置的开关元件中， 一般使用P-Si (多晶硅)型薄膜晶 体管(Thin Film Transistor,下面筒称为TFT )元件或者ot-Si (非晶体珪) 型TFT元件等。而且，在主M用P-Si型TFT元件时一般采用所谓的覆 盖(overlay)结构，该覆盖结构形成覆盖TFT元件的绝缘膜^4面平坦 化，并在此绝缘膜上形成液晶驱动用的电极。可是，在液晶装置中需要形成用来连接驱动ic、柔性a等安装部件的端子。 发明内容本发明是鉴于上述情况做出的，其目的之一为，提供一种在为覆盖结 构时，使用下述金属膜、绝缘膜等来形成耐腐蚀性优良的端子之技术，该 金属膜、绝缘膜用来形成与TFT元件连接的扫描线、数据线。为了达到上述目的，本发明的液晶装置其特征为，具备第1J41和第 2基板，其夹持液晶而相互对向；在上述第l基tl上，具备开关元件； 信号布线，连接于该开关元件上；平坦化膜，设置于该信号布线及上述开 关元件的上侧，由具有平坦性的绝缘膜形成；第1电极，设置于该平坦化 膜的上侧；电极绝缘膜，设置于该第1电极的上侧；以及第2电极，设置 于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙并且在其和上述第1电极之间通过 上述缝隙的各自使电场发生；在上述第l基长上的上述平坦化膜的非形成 区域的至少一部分，设置连接安装部件的端子；该端子，具有端子主体 部，其材质和上述信号布线相同；端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜
相同，以下述方式形成于该端子主体部上，该方式为覆盖上述端子主体 部的侧面并且在上述端子主体部的开口区域进行开口；以及端子电极部， 其材质和上述第2电极相同，覆盖上述开口区域和上述端子主体部的侧面 来形成，与上述端子主体部通过上述开口区域进行电连接。通过按上述方法来构成，在具备平坦化膜的FFS方式的液晶装置中， 设置于第1电极和第2电极之间的电极绝缘膜在端子区域(平坦化膜的非 形成区域)作为端子绝缘膜来配置，因此该端子绝缘膜作为端子的钝化膜 来发挥作用。另外，由于安装部件和端子之间的连接部由端子电极部的1 层构成，因而可以确保连接部的面积使之更宽。再者，端子主体部因为其 材质和信号布线相同，所以可以同时形成，能够使端子和信号布线之间的 连接变得简便.若在端子区域保留平坦化膜，则必须对该平坦化膜形成数微米左右的 贯通孔，而对处于较深贯通孔底部的电极的连接则易于发生接触不良。另 外，即便使用用来形成第1电极、第2电极的导电膜，来形成端子的电极， 若贯通孔较深，也有可能接合不佳、无法确保电可靠性。采用上述结构， 由于端子区域i殳置于平坦化膜的非形成区域，因而端子区域的凹凸减少， 可以在连接部确保良好的导通性能.加之，由于端子主体部的侧面利用端 子绝缘膜及端子电极部来覆盖，因而可以确保较高的耐腐蚀性。另外，其特征为，具备笫lUl和第2H其夹持液晶而相互对向； 在上述第1 !41上，具备开关元件；信号布线，连接于该开关元件；平 坦化膜，设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦性的绝缘 膜形成；笫1电极，设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，设置于该第 1电极的上侧；以及第2电极，i殳置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝 隙并且在其和上述第1电极之间通过上述缝隙的各自使电场发生；在上述 第1基昧上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置连接安装部 件的端子；该端子，具有端子主体部，其材质和上述信号布线相同；第 1端子电极部，其材质和上述第1电fef目同，形成为至少覆盖上述端子主 体部，并且与该端子主体部进行电连接；端子绝缘膜，其材质和上述电极 绝缘膜相同，以下述方式形成于该端子主体部上，该方式为覆盖上述端 子主体部的侧面并且在上述端子主体部的开口区域进行开口；以及第2端 子电极部，其材质和上述第2电极相同，形成为覆盖上述开口区域和上述 端子主体部的侧面，与上述第1端子电极部通过上述开口区域进行电连接。 通过按上述方法来构成，在具有平坦化膜的FFS方式的液晶装置中， 设置于第1电极和第2电极之间的电极绝缘膜在端子区域(平坦化膜的非 形成区域)作为端子绝缘膜来配置，因此该端子绝缘膜作为端子的钝化膜 来发挥作用。若在端子区域内保留平坦化膜，则必须对该平坦化膜形成数微米左右 的贯通孔，而对处于较深贯通孑L底部的电极的连接则易于发生接触不良。 另外，即便使用用来形成第1电极、第2电极的导电膜，来形成端子的电 极，若贯通孔较深，也有可能^不佳、无法确保电可靠性。釆用上述结 构，由于端子区域i史置于平坦化膜的非形成区域内，因而端子区域的凹凸 减少，可以在连接部确保良好的导通性能，加之，由于端子主体部的侧面 利用笫l端子电极部、端子绝缘膜及第2端子电极部来覆盖，因而可以确 保更高的耐腐蚀性.另外，液晶装置的特征为，具备第l基板和第2基l其夹持液晶而 相互对向；在上述第l基板上，具备开关元件；信号布线，连接于该开 关元件；平坦化膜，设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平 坦性的绝缘膜形成；第1电极，设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜， 设置于该第1电极的上侧；以及第2电极，设置于该电极绝缘膜的上侧， 具有多条缝隙并且在其和上述笫1电极之间通过上述缝隙的各自使电场发 生；在上述第l基tl上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置 连接安装部件的端子；该端子，具有:端子主体部，其材质和上述信号布 线相同；笫l端子电极部，其材质和上述第1电^目同，形成为至少覆盖 上述端子主体部的侧面，在上述端子主体部上具有笫1开口区域；端子绝 缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，形成为至少覆盖上述第1端子电极 部，在上述第l开口区域内具有第2开口区域；以及第2端子电极部，其
材质和上述第2电极相同，形成为至少覆盖上述端子主体部上的上述端子 绝缘膜的上述第2开口区域和上述端子主体部的侧面，与上述端子主体部 通过上述第2开口区域进行电连接。通过按上述方法来构成，在具有平坦化膜的FFS方式的液晶装置中， 设置于第1电极和笫2电极之间的电极绝缘膜在端子区域(平坦化膜的非 形成区域)作为端子绝缘膜来配置，因此该端子绝缘膜作为端子的钝化膜 来发挥作用。另外，由于安装部件和端子之间的连接部由端子电极部的1 层构成，因而可以确保连接部的面积使之更宽。再者，因为端子主体部其 材质和信号布线相同，所以可以同时形成，能够4吏端子和信号布线之间的连接变得简便。若在端子区域保留平坦化膜，则必须对该平坦化膜形成数微米左右的 贯通孔，而对处于较深贯通孔底部的电极的连接则易于发生接触不良。另 外，即便使用用来形成第1电极、笫2电极的导电膜，来形成端子的电极， 若贯通孔较深，也有可能掩^不佳、无法确保电可靠性。采用上迷结构， 由于端子区域设置于平坦化膜的非形成区域，因而端子区域的凹凸减少， 可以在连接部确保良好的导通性能。加之，由于端子主体部的侧面利用第 1端子电极部、端子绝缘膜及第2端子电极部M盖，因而可以确保更高 的耐腐蚀性.这里，优选的是，在上述第Tl4l上形成相互交3Ul伸的扫描线和数 据线，并且与上述端子电连接的端子布线其材质和上述扫描线相同，上述 端子主体部其材质和上述数据线相同，通过按上述方法来构成，可以利用与下迷扫描线相同材质的布线来作 为端子布线，所以即使在端子和扫描线接近时，也不产生短路，该扫描线 和数据线不同层。从而，可以增大端子配置、端子布线图形的自由度，在这种结构中，也可以具有下层绝缘膜，覆盖上述数据线并且与上述 第1电极相比位于下层；上述端子主体部的侧面利用该下层绝缘膜及上迷 端子绝缘膜来覆盖。这样一来，由于下层绝缘膜及端子绝缘膜的2层作为 端子主体部的钝化膜来发挥作用，因而能够提高耐腐蚀性。 另外，在上述结构中，与上述端子电连接的端子布线和上述端子主体 部也可以形成为，在通过层间绝缘膜而不同的布线层中，上述端子布线与 上述端子主体部相比位于下层，并且通过形成于上述层间绝缘膜的贯通孔 进行电连接。这样一来，因为可以通过贯通孔可靠进行电连接，所以能够 确保良好的导通性能。再者，若上述贯通孔形成在和上述端子主体部俯视重合的位置，则可 以使端子连接部突出。另一方面，其特征为，具备第1基敗和第2基板，其夹持液晶而相互 对向；在上述第ll^上，具备开关元件；信号布线，连接于该开关元 件；平坦化膜，设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦性 的绝缘膜形成；第1电极，设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，设置 于该第1电极的上侧；以及笫2电极，设置于该电极绝缘膜的上侧，具有 多条缝隙并且在其和上述第l电极之间通过上述缝隙的各自使电场发生； 在上述笫1 a上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置连接 安装部件的端子；该端子，具有裤子主体部，其材质和上述信号布线相 同；和端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，以下述方式形成于该 端子主体部上，该方式为至少覆盖上述端子主体部的侧面。通过按上述方法来构成，在具备平坦化膜的FFS方式的液晶装置中， 设置于第1电极和第2电极之间的电极绝缘膜在端子区域(平坦化膜的非 形成区域)作为端子绝錄J漢来配置，因此该端子绝缘膜作为端子的钝化膜 来发挥作用。另外，由于安装部件和端子之间的连接部只由端子主体部构 成，因而可以确保连接部的面积使之更宽。再者，因为端子主体部其材质 和信号布线相同，所以可以同时形成，能够使端子和信号布线之间的连接 变得简便。若在端子区域保留平坦化膜，则必须对该平坦化膜形成数微米左右的 贯通孔，而对处于较深贯通孔底部的电极的连接则易于发生接触不良，另 外，即便使用用来形成笫1电极、第2电极的导电膜，来形成端子的电极， 若贯通孔较深，也有可能接合不佳、无法确保电可靠性。采用上述结构，
由于端子区域设置于平坦化膜的非形成区域，因而端子区域的凹凸减少， 可以在连接部确保良好的导通性能。加之，由于端子主体部的侧面利用端 子绝缘膜来覆盖，因而可以确保耐腐蚀性。其特征为，具备第1 !41和第2 J4SL，其夹持液晶而相互对向；在上 述第1 a上，具备开关元件；信号布线，连接于该开关元件；平坦化 膜，i殳置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦性的绝缘膜形 成；第1电极，设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，设置于该第1电 极的上侧；以及第2电极，设置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙并 且在其和上述第1电极之间通过上述缝隙的各自使电场发生；在上述第1 基板上的上述平坦化膜的形成区域，设置连接安装部件的端子；该端子， 具有端子主体部，其材质和上述信号布线相同；开口部，在上述端子主 体部上对上述平坦化膜进行开口；端子绝缘膜，其材质和上迷电极绝缘膜 相同，形成为覆盖上述平坦化膜并且在上述开口区域进行开口；以及端子 电极部，其材质和上述第2电极相同，与上述端子主体部通过上述开口部 进行电连接。通过按上述方法来构成，在具备平坦化膜的FFS方式的液晶装置中， 设置于第1电极和第2电极之间的电极绝缘膜在端子区域(平坦化膜的形 成区域)作为端子绝缘膜来配置，因此该端子绝缘膜作为端子的钝化膜来 发挥作用。再者，因为端子主体部其材质和信号布线相同，所以可以同时 形成，能够使端子和信号布线之间的连接变得简《更。加之，由于端子主体 部的侧面利用端子绝缘膜、平坦化膜及端子来覆盖，因而可以确保非常高 的耐腐蚀性。另外，本发明的液晶装置其特征为，通过上述输入端子来连接上述安 装部件。再者，本发明的电子设备其特征为，具备上ii^发明的液晶装置。于是，可以实现具备下述液晶显示部的电子设备，该液晶显示部的端 子结构具有较高的耐腐蚀性和良好的导通性能。
图l是本发明的第1实施方式所涉及的液晶装置的概略俯视图。图2是同一液晶装置的截面图。图3A是同一液晶装置中的像素的放大俯视图，图3B是同一液晶装置中的像素的放大俯视图.图4是同一液晶装置中的像素的截面图。图5是表示同 一液晶装置中的TFT制造工艺的附图。图6是同一液晶装置中端子附近的放大俯视图。图7是沿着图6的B-B'线的截面图。图8是沿着图6的C-C'线的截面图，图9是同一液晶装置中端子附近的制造工艺的截面图。图IO是表示同一液晶装置中别的端子结构的沿着B-B'线的截面图。图ll是表示同一液晶装置中别的端子结构的沿着C-C'线的截面图。图12是第2实施方式所涉及的液晶装置端子附近的制造工艺的截面图。图13是第3实施方式所涉及的液晶装置端子附近的制造工艺的截面图。图14是第4实施方式所涉及的液晶装置中的端子附近的放大俯视图。图15是沿着图14的D-D，线的截面图。图16是沿着图14的E-E，线的截面图。图17是同一液晶装置中端子附近的制造工艺的截面图。图18是第5实施方式所涉及的液晶装置端子附近的制造工艺的截面图。图19是第6实施方式所涉及的液晶装置端子附近的制造工艺的截面图。图20是第7实施方式所涉及的液晶装置中端子附近的放大俯视图.图21是沿着图20的F-F，线的截面图。图22是沿着图20的G-G，线的截面图。图23是同一液晶装置中端子附近的制造工艺截面图.
图24是第8实施方式所涉及的液晶装置中端子附近的放大俯视图。 图25是沿着图24的I-r线的截面图。 图26是沿着图24的J-J'线的截面图。
图27是第9实施方式所涉及的液晶装置中端子附近的放大俯视图。 图28是沿着图27的K-K'线的截面图。 图29是沿着图27的L-L'线的截面图。
图30是第10实施方式所涉及的液晶装置中端子附近的放大俯视图。
图31是沿着图30的M-M'线的截面图。
图32是沿着图30的N-N'线的截面图.
图33是连接安装部件后的端子附近的截面图。
图34是表示电子设备一例的立体图.
符号说明
l'"扫描线，3…数据线(信号布线)，IO'"TFT阵列基tl (第1基板)， 11…像素电极(第1电极)，13.-TFT (开关元件)，17."共用电极(第2 电极)，20…对向USL (第2 M) ， 24."第1层间绝缘膜(层间绝缘膜)， 25...第2层间绝缘膜，26."笫3层间绝缘膜(平坦化膜)，27...第4层间绝 缘膜(电极绝缘膜)，61"'区域(平坦化膜的非形成区域)，62、 6"'布线 (端子布线)，63'"端子连接部(连接部)，64'"侧部(侧面)，65…安装 部件，70...端子主体部，71-端子电极部(端子电极部、第2端子电极部)， 72-下层端子电极部(第l端子电极部)，77."端子绝缘膜，82…开口 (开 口区域、笫2开口区域)，83".第1开口 (笫l开口区域)，85"'接触孑L， IOO".液晶装置，104".扫描线驱动电路(安装部件)，201'"数据线驱动电 路(安装部件)，202…端子，300'"电子设备
具体实施例方式
下面，对于本发明的实施方式，参照附图进行说明， <第1实施方式>
首先，对于本发明的第1实施方式所涉及的液晶装置，参照图1~图5
进行i兌明。
第1实施方式所涉及的液晶装置是使用LTPS (低温多晶硅)型TFT 无件来作为像素开关元件的有源矩阵型，是FFS方式的透射型一例。
图1是从对向基板侧看到本实施方式的液晶装置和各构成要件的俯视 图，图2是沿着图1的H-H'线的截面图，图3A及图3B是同一液晶装置 的元件M的各像素的放大俯视图，图4是沿着图3A或图3B中的A-A， 线及a-a'线的同一液晶装置的截面图，图5M示同一液晶装置制造过程 的工艺截面图。
还有，在下面的说明中所使用的各附图中，为了使各层和各部件为可 在附图上辨认程度的大小，所以对各层和各部件的每个都使比例尺不同。
如图1及图2所示，第1实施方式所涉及的液晶装置100用密封材质 52来粘合TFT阵列基板10 (笫l基板)和对向基板20 (第2基仗)，并 且在由该密封材质52划分出的区域内封入液晶层50。液晶层50由具有正 介电常数各向异性的液晶构成。在密封材质52形成区域的内侧区域，形成 由遮光性材质构成的遮光膜(周边遮断物)53。在密封材质52的外侧区域 且沿着TFT阵列^ 10 —边的区域，采用COG技术等安装作为数据线 驱动电路201的IC芯片，并且在其外侧的区域，设置多个用来与柔性基 板连接的输入端子222。另外，还沿着与安装数据线驱动电路201的区域 相邻的二条边，分别安装作为扫描线驱动电路104的IC芯片。在TFT阵 列Jj仗10剩下的一条边，设置多条布线105,用来连接显示区域的周围两 侧所设置的扫描线驱动电路104彼此，
在液晶装置100的显示区域内，多个# 素配置成矩阵状，
图3A及图3B全都是表示TFT阵列基板10的像素主要部分结构的俯 视图。如下所述，在本实施方式所涉及的液晶装置中，由于具有透明性的 像素电极11和共用电极17通过绝缘膜进行叠层，因而难以按原状直接了 解电极的结构。因此，将像素电极ll及其下层的布线结构表示于图3A中， 将共用电极17的结构主要表示于图3B中。
如这些附图所示，扫描线1及共用线2按水平方向(图3A或图3B中的横向)延伸，并且数据线3按垂直方向(图3A或图3B中的纵向)延伸， 被这些扫描线1及共用线2和数据线3包围其四方的区域构成1个像素区 域。由多晶硅膜构成的半导体层4在数据线3和扫描线1之间的交叉处附 近形成为大致U状.在半导体层4的两端形成接触孔5、 6， 一方的接触孔 5是用来将半导体层4的源区域4s电连接于数据线3的源接触孔，另一方在漏电极7，在与设置有接触孔6的一侧相反侧，形成用来与下述的像素 电极11进行电连接的像素接触孔12.本实施方式中的TFT13因为大致U状的半导体层4和扫描线1进行交 叉，并且半导体层4和扫描线1在2个部位处交叉，所以成为在l个半导 体层上具有2个栅的所谓的双栅型.还有，在图3A及图3B中，TFT13是双栅型，而在下#示截面结构 的图4中，如同单栅那样进行了表示。但是，这是因为图3A及图3B中作 为剖切线的A-A'线引绕的缘故。像素电极ll (第1电极)例如采用铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, 下面简称为ITO)等的材质来形成，如图3A所示，对应于1个像素区域 按大致矩形状进行了图形形成。另一方面，共用电极17 (第2电极)例如 同样采用ITO等的材质来形成，如图3B所示，形成在多个4象素配置成矩 阵状的显示区域整体范围内.另外，共用电极17在和像素电极11之间的重合部分具有缝隙状的开 口部17a。因此，在相邻的开口部17a之间构成带状的电极部17b。还有， 在共用电极17，避开设置有接触孔6、 12的部分地设置开口部17c。而且，共用电极17和共用线2通过由与数据线3相同的材质构成的连 接电极14,进行连接.连接接触孔15用来将共用线2电连接于连接电极 14的一端，共用接触孔16用来将连接电极14的另一端电连接于共用电极 17。这里，共用线2是为了降低由ITO等构成的共用电极17的时间常数 设置的。从而，在共用电极17的时间常数充分低时，也可以省去该共用线 2。另外，虽然在附图中，矩形状的像素电极ll与共用电极17相比位于 下层侧，但是也可以与共用电极17相比位于上层侧。在像素电极ll与共 用电极17相比位于上层侧时，缝隙状的开口部17a不设置于共用电极17， 而设置于像素电极11。总之，缝隙状的开口部要设置于有2层的ITO电极 之中的上层侧，也就是设置于接近液晶层50的一侧。还有，在下面的说明中，如图3A及图3B所示，以像素电极ll与共 用电极17相比位于下层侧的情形为例，进行"^兌明。下面，对于液晶装置100的截面结构，参照图4进行说明，TFT阵列基^ 10 (图4中的下侧J^) ;SJ寸向基昧20 (图4中的上侧 141)全都具有玻璃等的透明性，并且如图4所示，在两个^L间夹持液 晶层50。在作为TFT阵列14110基体材质的透明U1 21上，设置由多晶硅构 成的半导体层4，并覆盖该半导体层4及透明基板21地形成由硅氧化膜等 构成的栅绝缘膜23。半导体层4构成对各像素电极11进行开关控制的 TFT13。该半导体层4具有通过来自栅电极的电场形成沟道的半导体层4的沟 道区域4c、源区域4s及漏区域4d。栅电极是由钼等构成的扫描线1，与 半导体层4借助栅绝缘膜23进行绝缘。还有，共用线2和TFT13的栅电 极是同层，并且在对该栅电极进行图形形成时被同时形成.在TFT13及共用线2之上，设置由硅氧化膜构成的第1层间绝缘膜24, 并且分别形成通向源区域4s的源接触孔5、通向漏区域4d的漏接触孔6 及通向共用线2的连接接触孔15。数据线3通过贯通第1层间绝缘膜24的源接触孔5电连接于半导体层 4的源区域4s，漏电极7通过贯通第l层间绝缘膜24的漏接触孔6电连接 于半导体层4的漏区域4d。另外，连接电极14的一端通过贯通第1层间 绝缘膜24的连接接触孔15连接于共用线2。这里，漏电极7及连接电极
14与数据线3是同一层，采用铝等的材质形成于第l层间绝缘膜24上'进而，第2层间绝缘膜25及第3层间绝缘膜26被依次叠层。其中， 第2层间绝缘膜25由氮化硅(SiN)膜等构成，特别为了保护数据线3、 漏电极7及连接电极14等的铝表面而设置，另外，第3层间绝缘膜26由 丙烯酸树脂构成，为了^^底的台阶差平坦化而设置。还有，在第2层间绝缘膜25及第3层间绝缘膜26，分别设置通向漏 电极7的像素接触孔12及通往连接电极14另 一端的共用接触孔16。在第3层间绝缘膜26上，形成将ITO等的透明导电膜按大致矩形形 状进行图形形成后的像素电极ll。因此，像素电极ll以漏电极7为中继 层，与半导体层4的漏区域4d进行电连接。在包含像素电极11上在内的第3层间绝缘膜26上，形成由氮化珪膜 等构成的第4层间绝缘膜27。还有，该第4层间绝缘膜27在共用接触孔 16处进行开孔.在第4层间绝缘膜27上，通过对ITO等的透明导电膜进行图形形成， 来设置具有缝隙状开口部17a、 17c的共用电极17。还有，该共用电极n 在显示区域上，除了开口部17a、 17c之外在大致一面的范围内是整面状。还有，在TFT阵列MlO的最上层且与液晶层50相接的面，设置由 聚酰亚胺等构成的取向膜，但是图示予以省略。另一方面，对向1^20在透明^i4l22上按每个像素形成构成滤色器 的红(R)、绿(G)、蓝(B)任一个的色材质层31。另外，还形成外覆 层32，用来保护色材质层31并且使由色材质层31而产生的台阶差平坦化. 进而，在外覆层32之上(在图4中是下侧)，设置和TFT阵列基板10侧 相同的取向膜，但是图示予以省略， 〈TFT等的制造过程〉下面，对于上述结构的液晶装置100之中特别是TFT阵列a 10的 TFT13周边的制造过程，使用图5进行说明。首先，如图5(a)所示，准备玻璃、石英等的透明基板21,对该透明 L21，采用CVD法等使膜厚40nm左右的非晶体硅膜成膜，在使非晶
体硅膜成膜之后，通过实施激光退火等使之再结晶，而成为多晶硅膜。其 后，采用众所周知的光刻法、腐蚀法对该多晶硅膜进行图形形成，来形成半导体层4。借此，成为图5 (b)所示的状态。接着，如图5(c)所示，采用'减射法、CVD法等使膜厚75nm左右的 硅氧化膜在基板整面上成膜，来形成栅绝缘膜23。接下来，在栅绝缘膜23的上面，在采用'减射法等使膜厚300nm左右 的钼膜在基板整面上成膜之后，采用众所周知的光刻法、腐蚀法对该钼膜 进行图形形成，来形成扫描线l。借此，成为图5(d)所示的状态。还有， 在钼膜的图形形成时，和扫描线l同时，还形成这里省略了图示的共用线 2。接着，采用CVD法等使珪氧化膜在基板整面上成膜，来形成笫1层间 绝缘膜24。其后，采用众所周知的光刻法、腐蚀法分别形成贯通第1层间 绝缘膜24、栅绝缘膜23到达半导体层4的源区域4s的源接触孔5以及到 达漏区域4d的漏接触孔6.此时，还同时形成在图5中被省略、到达共用 线2的连接接触孔15。其后，在采用溅射法等使膜厚500nni左右的铝膜 在J41整面上成膜之后，采用众所周知的光刻法、腐蚀法对该铝膜进行图 形形成，分别形成数据线3及漏电极7，成为图5 (e)所示的状态。还有， 在铝膜的图形形成时，与数据线3及漏电极7同时，还形成这里省略了图 示的连接电极14。接着，如图5 (f)所示，采用CVD法等使硅氮化膜等在^41整面上 成膜，来形成第2层间绝缘膜25,接下来，将膜厚l 3nm左右的丙烯酸 树脂膜涂敷于基板整面上，使之固化来形成第3层间绝缘膜26。进而，采用众所周知的光刻法、腐蚀法来形成贯通笫3层间绝緯_膜26、 第2层间绝缘膜25到达漏电极7的像素接触孔12。此时，还同时形成在 图5中被省略、到达连接电极14的共用接触孔16。此后，采用'践射法等使膜厚75nm左右的ITO膜在基板整面上成膜， 并采用众所周知的光刻法、腐蚀法对该ITO膜进行图形形成，来形成《象素 电极ll.借此，成为图5 (g)所示的状态.接着，如图5 (h)所示，采用濺射法、CVD法等使膜厚50~400nm 左右的硅氮化膜在M整面上成膜，来形成第4层间绝缘膜27。此后，将在图5中被省略的共用接触孔16中覆盖连接电极14的第4 层间绝缘膜27去除之后，采用賊射法等使膜厚75nm左右的ITO膜在基 板整面上成膜，并釆用众所周知的光刻法、腐蚀法对该ITO膜进行图形形 成，来形成具有开口部17a、 17c的共用电极17.借此，成为图5 (i)所 示的状态。还有，虽然此后未特别图示，但是在基板整面上使聚酰亚胺膜成膜， 并通过实施磨擦处理来形成取向膜。通过上面的工艺，就形成TFT阵列I4110之中相当于显示区域的部分。<笫1实施方式中的端子>TFT阵列 10的显示区域外的输入端子222 、与扫描线驱动电路104 及数据线驱动电路201连接的端子，和上述的显示区域同时并行地形成。这里，在与扫描线驱动电路104连接的端子中有两种端子， 一是与输 入端子222连接并从外部控制电路经由FPC基板供给时钟信号、控制信号 等的端子，二是与扫描线1连接的端子；同样在与数据线驱动电路201连 接的端子中有两种端子， 一是与输入端子222连接并从外部控制电路供给 控制信号、显示数据等的端子，二是与数据线3连接的端子。在本实施方式中，与扫描线驱动电路104及数据线驱动电路201连接 的端子与经由FPC基仗与外部控制电路连接的输入端子222，基本上是相 同的结构，这里有关端子202的结构，将参照图6~图8进行说明.图6是形成端子的区域的放大俯视图，图7是沿着图6的B-B'线的截 面图，图8是沿着图6的C-C，线的截面图。还有，图6 图8表示出省略 了扫描线驱动电路104、数据线驱动电路201及FPC基板等安装部件的状 态。如这些附图所示，多个端子202排列在区域61。在端子202的上面， 用来和安装部件进行连接的端子连接部63形成为大致矩形状。在位于比区
域61靠显示区域的区域81，虽然保留作为平坦化膜的第3层间绝缘膜26, 但是在区域61内已经将第3层间绝缘膜26有选择地去除。布线62采用与显示区域内构成数据线3 (漏电极7及连接电极14)的 铝膜相同的膜来形成，并且电连接于扫描线l、共用线2或数据线3上。 还有，在连接于数据线3上时，布线62为数据线3其本身。该布线62与 显示区域的端部相比、从第3层间绝缘膜26的下层向区域61突出，并且 在端子202中成为端子主体部70。在端子主体部70和第l层间绝缘膜24的上面，形成端子绝缘膜77。 该端子绝缘膜77是显示区域的第4层间绝缘膜27，并且在端子主体部70 上的开口部82按大致矩形状进行了开口 。端子电极部71按下述方式形成为矩形状，该方式为覆盖端子主体部 70和其上面的端子绝缘膜77的开口部82。端子电极部71和显示区域的共 用电极17是同一层，且通过共用电极17的图形形成来形成，并且在开口 部82处与端子主体部70进行连接，构成端子连接部63。因此，在区域61，布线62及端子主体部70的铝部分，在端子部分处 利用端子绝缘膜77及端子电极部71的双方来覆盖，在除端子部分以外的 部分则利用端子绝缘膜77来覆盖。<端子的制造过程>图9是表示区域61的制造过程的工艺截面图(图6的B-B'线)，还有，如上所述，由于端子202和TFT阵列基长10的显示区域同时 形成，因而将根据状况的不同同时使用图5进行说明。首先，在形成端子202的区域61内，从图5 (e)所示的工艺开始。从 而，在区域61内，不形成栅绝缘膜23，最开始，在透明基tl21的整面上使笫1层间绝缘膜24成膜(图9( a >第 l工艺).接着，在图5 (e)的数据线3、漏电极7及连接电极14的形成工艺时， 使铅膜也在区域61成膜，对该铝膜进行图形形成，分别形成布线62、端 子主体部70 (图9 (b).第2工艺)，还有，虽然此后在显示区域，要设置第2层间绝缘膜25、第3层间绝 缘膜26及像素电极11，但是在本实施方式中，不在区域61内设置它们。接下来，在图5 (h)的第4层间绝缘膜27的形成工艺时，使硅氮化 膜也在区域61成膜，形成端子绝缘膜77 (图9 (c).第3工艺)。进而，采用众所周知的光刻法、腐蚀法对端子绝缘膜77进行图形形成， 在应作为端子连接部63的部分的开口部82处进行开口 (图9 (d)'第4 工艺)。然后，在图5 (i)的共用电极17 (第2电极)的形成工艺时，使ITO 膜也在区域61成膜，对该ITO膜进行图形形成，以下述方式形成端子电 极部71，该方式为使之菱盖开口部82及端子主体部70的侧部64 (图9 (e)'第5工艺)，这里，虽然在图5的制造工艺中形成，但是对于在图9的端子形成工 艺中未形成的层(例如，第2层间绝缘膜25、第3层间绝缘膜26、像素电 极ll等)来说，要在形成各层的工艺中，在应作为区域61的区域形成掩 模而不形成各层，或者在将各层形成到区域61整面之后，将各层去除等， 使之不形成于区域61。若这样构成了端子202,则可以使与设置于像素电极11和共用电极17 之间的第4层间绝缘膜27同时形成的端子绝缘膜77，作为端子主体部70 (布线62、数据线3)的钝化膜来发挥作用.另外，由于端子主体部70 和数据线3同时形成，因而从端子202经由布线62到数据线3都被一体化。另一方面，若在区域61形成了平坦化膜(第3层间绝缘膜26)，则 必须在有厚度的平坦化膜形成贯通孔，而对处于较深贯通孔底部的端子主 体部70的连接则易于发生连接不良，再者，若贯通孔较深，则有可能用来 形成焊盘(pad)的导电膜的接合不佳、无法确保电可靠性.因此，在本 实施方式中，要将在显示区域作为平坦化膜所形成的第3层间绝缘膜26， 在区域61去除(或者不形成).因此，因为区域61的凹凸变少，所以可 以在端子连接部63确保良好的导通性能。另外，通过利用端子绝缘膜77及端子电极部71来覆盖端子主体部70 的側部64,而可以保护端子主体部70。从而，可以确保端子202较高的耐 腐蚀性。特别是，由于端子绝缘膜77作为钝化膜来发挥作用，因而可以防止由 端子电极部71 (共用电极17)的腐蚀时所使用的腐蚀剂腐蚀端子主体部 70。再者，因为在区域61，端子202 ^gj板面突出，所以当使用ACF、 ACP来和安装部件进行连接时，端子连接部63和安装部件的端子之间的 距离与基板面和安装部件的端子之间的距离相比窄，使利用各向异性导电 粒子的连接变得可靠。还有，在本实施方式中，虽然在区域61未使用第2层间绝缘膜25， 但是也可以将第2层间绝缘膜25延伸设置于区域61。图10是将笫2层间 绝缘膜25延伸设置于区域61时沿着图6的B-B'线的截面图，图11是相 同情况下的沿着图6的C-C'线的截面图。这种结构可以在图9 ( a )的第1工艺之后且图9 ( b)的第2工艺之前， 在图5 (f)的第2层间绝缘膜25的形成工艺时使氮化硅膜也在区域61成 膜，并且当在图9 (d)的第4工艺中设置开口部82时，使该笫2层间绝 缘膜25和端子绝缘膜77在开口部82处进行开口 .根据这种结构，由于端子主体部70 (布线62)的钝化膜成为除了作为 端子绝缘膜77的第4层间绝缘膜27之外还包括第2层间绝缘膜25的2 层结构，因而可以进一步有效防止端子主体部70的腐蚀， <第2实施方式>下面，对于在本发明的第2实施方式之后所涉及的液晶装置，进行说 明。还有，在第2实施方式之后所涉及的液晶装置中，虽然关于显示区域 中的结构来i兌，和第1实施方式相同，但是关于在显示区域外的区域61 所形成的端子202来说则和第1实施方式不同.因此，对于第2实施方式 之后的液晶装置，将以端子202的制造过程及结构为中心进行说明.第2实施方式所涉及的液晶装置直接而言，就是其结构为，将端子主 71之外，还利用与像素电极同层的ITO膜来覆盖。也就是说，在笫2实施 方式中，使覆盖端子连接部63及侧部64的ITO膜为2层。图12是表示第2实施方式所涉及的液晶装置之中的TFT阵列基仗10 的区域61的制造过程的工艺截面图(图6的B-B'线)。图12 (a)和第1实施方式的第l工艺(图9 (a))相同，对于图l2 (b)也和相应的第2工艺(图9 (b))相同。在第2实施方式中，在区域61分别形成由和数据线3相同的层构成的 布线62及端子主体部70之后，在图5 (g)中的像素电极ll (第1电极) 的形成工艺时，使ITO膜也在区域61成膜，对该ITO膜进行图形形成， 覆盖端子主体部70地来形成下层端子电极部72 (第2-1工艺)。借此，成 为图12 (c)所示的状态。还有，该ITO膜也可以还覆盖布线62。图12 (d)和第1实施方式的笫3工艺(图9 (c))相同，图12 (e) 和第4工艺(图9(d))相同，图12(f)和第5工艺(图9(e))相同。这里，图12 (f)表示第2实施方式中区域61的结构。布线62及端子主体部70是与数据线3同时形成的相同材质的导电膜。在第2实施方式中，端子主体部70利用下层端子电极部72来覆盖' 这样利用下层端子电极部72所覆盖的端子主体部70再由端子绝缘膜77 M盖。其中，端子绝缘膜77在端子主体部70的端子连接部63处，在开 口部82开出了大致矩形状的开口 ，并JLa盖该开口部82及端子主体部70 的底部地设置端子电极部71。还有，端子绝缘膜77还覆盖布线62.若<象第2实施方式那样构成了端子202，则和笫1实施方式相同，可 以使与设置于像素电极11和共用电极17之间的第4层间绝缘膜27同时形 成的端子绝缘膜77，作为端子主体部70 (布线62、数据线3 )的钝化膜来 发挥作用，另外由于端子主体部70与形成于笫3层间绝缘膜26下层的数 据线3同时形成，因而从端子202经由布线62到数据线3都被一体化.再 者，在笫2实施方式中，由于在端子202中，作为与安装部件的连接部件 的端子连接部63由下层端子电极部72和端子电极部71的2层来构成，因 而可以可靠覆盖作为金属部的端子主体部70.
还有，在第2实施方式中，对于因不在区域61设置作为平坦化膜的第 3层间绝缘膜26而实现的导通性能的确保、因端子绝缘膜77作为钝化膜 来发挥作用而实现的端子主体部70的耐腐蚀性改善以及连接可靠性提高 等的效果来说，则和第l实施方式相同。在第2实施方式中，也和第1实施方式中的图IO及图ll相同，还可 以将第2层间绝缘膜25延伸设置于区域61，把端子主体部70 (布线62 ) 的钝化膜形成为除了包括作为端子绝缘膜77的第4层间绝缘膜27之外还 包括第2层间绝缘膜25的2层结构，进一步有效防止端子主体部70的腐 蚀。另外，在笫2实施方式中，虽然在区域61,端子绝缘膜77形成在开 口部82之外的全部区域，但是由于形成有下层端子电极部72的区域全都 利用该下层端子电极部72 M盖，因而也可以将该区域的端子绝缘膜77 去除.<第3实施方式>下面，对于本发明的第3实施方式所涉及的液晶装置，进行说明.第3实施方式所涉及的液晶装置直接而言，就是将在第2实施方式中 覆盖端子主体部70的下层端子电极72，在端子连接部63处去除，在侧部 64处保留.也就是说，在第3实施方式中，将覆盖侧部64的ITO膜设置 为2层，将覆盖端子连接部63的ITO膜设置为1层。图13是表示第3实施方式所涉及的液晶装置之中的TFT阵列^ 10 的区域61的制造过程的工艺截面图(图6的B-B'线)。图13 (a)和第1实施方式的第l工艺(图9 (a))相同，对于图l3 (b)也和相应的笫2工艺(图9 (b))相同。在第3实施方式中，在区域61形成由和数据线3相同的层构成的布线 62及端子主体部70之后，在图5 (g)中的像素电极ll (第l电极)的形 成工艺时，使ITO膜也在区域61成膜，对该ITO膜进行图形形成，来按 下述方式形成下层端子电极部72，该方式为，4吏t菱盖端子主体部70的 侧部64，且在第1开口部83处进行开口 (第2-2工艺).借此，成为图
13 (c)所示的状态。图13 (d)和第1实施方式的第3工艺(图9 (c))相同，图13 (e) 和第4工艺(图9U))相同，图13(f)和第5工艺(图9(e))相同。这里，图13 (f)表示第3实施方式中的区域61的结构。在笫3实施方式中，下层端子电极部72覆盖端子主体部70的侧部64, 而对于端子连接部63，则在第l开口部83处进行开口。虽然这样利用下 层端子电极72所覆盖的端子主体部70再由端子绝缘膜77覆盖，但是端子 绝缘膜77在端子主体部70的端子连接部63处，在开口部82开出大致矩 形状的开口 ，并且覆盖该开口部82及端子主体部70的底部地设置端子电 极部71。还有，端子绝缘膜77还覆盖布线62。若像第3实施方式那样构成了端子202，则和第1实施方式相同，可 以使与设置于像素电极11和共用电极17之间的第4层间绝缘膜27同时形 成的端子绝缘膜77,作为端子主体部70 (布线62、数据线3 )的钝化膜来 发挥作用，另外由于端子主体部70和形成于第3层间绝缘膜26下层的数 据线3同时形成，因而从端子202经由布线62到数据线3都被一体化。另外，端子主体部70的侧部64在第1实施方式中，由端子绝缘膜77 及端子电极部71的二层来保护，与此相对在第3实施方式中，由下层端子 电极部72、端子绝缘膜77及端子电极部71的三层来保护。从而，端子主 体部70的侧部64与第1实施方式相比，第3实施方式可以更为可靠地进 行保护。还有，关于该保护，在第2实施方式中也相同。还有，在第3实施方式中，对于因不在区域61设置作为平坦化膜的第 3层间绝缘膜26而实现的导通性能的确保、因端子绝缘膜77作为钝化膜 来发挥作用而实现的端子主体部70的耐腐蚀性改善以及连接可靠性提高 等的效果来说，则和笫l实施方式相同。另夕卜在第3实施方式中，也和第1实施方式中的图10及图ll相同， 还可以将第2层间绝缘膜25延伸设置于区域61，把端子主体部70 (布线 62 )的钝化膜形成为除了包括作为端子绝缘膜77的笫4层间绝缘膜27之
外还包括第2层间绝缘膜25的2层结构，进一步有效防止端子主体部70 的腐蚀。在第3实施方式中，虽然在区域61，端子绝缘膜77形成到开口部82 之外的全部区域，但是由于形成有下层端子电极部72的区域已经由该下层 端子电极部72所覆盖，因而对于还可以将该区域内的端子绝缘膜77去除 这点来说，也相同。这里，若对于端子连接部63的面积进行比较，得知在端子主体部70 的大小相同时，端子连接部63的面积为，第1实施方式可以比第3实施方 式大。其原因为，根据第1实施方式，对开口部82直接形成端子电极部 71。另一方面，在第3实施方式中，由于端子连接部63在第1开口部83 的内侧形成开口部82,因而与第1实施方式的开口部82相比稍窄。因此，在扩大端子连接部63的面积来确保良好的导电性能的方面，可 以认为第1实施方式比笫3实施方式更为优选。<第4实施方式>下面，对于本发明的第4实施方式所涉及的液晶装置的端子，参照图 14 ~图16进行说明。该笫4实施方式所涉及的液晶装置直接而言，就是对于第1实施方式 中的端子202的一部分，将端子主体部"的引绕目的地(或者源头)变更 成和扫描线1同层的布线67。图14是第4实施方式中形成端子的区域的放大俯视图，图15是沿着 图14的D-D'线的截面图，图16是沿着图14的E-E'线的截面图。如图14所示，在区域61，多个端子202排列到2行的范围内，其中， 在同图中上侧的1行，也就是靠区域81的1行的端子202中的端子主体部 70其结构和第1实施方式相同。另一方面，在图14中下侧1行的端子202 中的端子主体部70通过接触孔(贯通孔)85电连接于布线67，该布线67 采用与显示区域内构成扫描线l (共用线2)的栅膜相同的膜来形成.详细而言，如图16所示，对于下侧1行的端子202中的端子主体部
70来说，其结构为，覆盖布线67的第1层间绝缘膜24按照接触孔85进 行开口，端子电极部71通过该接触孔85连接于端子主体部70。还有，和 第1实施方式的相同之处为，覆盖端子主体部70的端子绝缘膜77在端子 连接部63的开口部82处进行开口 ，端子电极部71通过该开口部82连接 于端子主体部70，并且形成为覆盖端子主体部70的侧部64,这一点与第 1实施方式相同。图17是表示第4实施方式所涉及的液晶装置之中的TFT阵列基板10 的区域61的制造过程的工艺截面图(图14的E-E'线)。在区域61、 81，未设置显示区域内的栅绝缘膜23。因此，若在图5(d) 的扫描线l、共用线2的形成工艺时，4吏钼膜在区域61成膜，并对布线67 进行了图形形成，则该布线67如图17(a)所示，形成于透明14121的 紧上方(第l-l工艺)。在使图5(e)的笫l层间绝缘膜24成膜之后，采用众所周知的光刻法、 腐蚀法对该膜进行图形形成，在布线67的上部形成接触孔85(第l-2工艺)。 借此，成为图17 (b)所示的状态。图17(c)和第l实施方式的第2工艺(图9(b))相同，图17(d) 和相应的第3工艺(图9 (c))相同。图17 (e)和相应的第4工艺(图 9 U))相同，图17 (f)和相应的第5工艺(图9 (e))相同.若这样构成了端子202，则除了第1实施方式的作用效果之外，由于 布线67和扫描线1 (共用线2)同时，形成于比布线67深的层，因而即使 在端子202之间非常接近时等也可以在不相互产生短路的状况下，配置多 个端子202，并在此基础上可以使布线67的耐腐蚀性得到进一步提高。<第5实施方式>对于本发明的第5实施方式所涉及的液晶装置的端子，进行说明。 该第5实施方式直接而言，就是对于第2实施方式中的端子202的一部分，将端子主体部70的引绕目的地(或者源头)，和笫4实施方式相同变更成与扫描线1同层的布线67。图18是表示第5实施方式所涉及的液晶装置之中的TFT阵列基板10
的区域61的制造过程的工艺截面图(图14的E-E，线)。
从图18 (a)到图18 (c)，与第4实施方式中的从图17 (a)到图17(c) 相同。在第5实施方式中，在区域61形成由和数据线3相同的层构 成的端子主体部70 (布线62)之后，在像素电极ll (第1电极)的形成 工艺时，使ITO膜也在区域61成膜，对该ITO膜进行图形形成，使M 盖端子主体部70地来形成下层端子电极部72。借此，成为图18 (d)所示 的状态。还有，从图18 (e)到图18 (g)，与第4实施方式中的从图17(d) 到图17 (f)相同。
结果，第5实施方式所涉及的液晶装置的端子成为图18 (g)所示的 结构。因此，根据第5实施方式，除了第2实施方式的作用效果之外，还 产生下述和笫4实施方式相同的效果，该效果为，即使在端子202之间非 常接近时等，也可以在不相互产生短路的状况下配置多个端子202，并在 此基础上使布线67的耐腐蚀性得到进一步提高。
<第6实施方式>
对于本发明的第6实施方式所涉及的液晶装置的端子，进行说明。
该第6实施方式直接而言，就是对于第3实施方式中的端子202的一 部分，将端子主体部70的引绕目的地(或者源头)，和笫4实施方式相同 变更成与扫描线1同层的布线67。
图19是表示第6实施方式所涉及的液晶装置之中的TFT阵列基板10 的区域61的制造过程的工艺截面图(图14的E-E'线).从图19 (a)到图19 (c)，与笫4实施方式中的从图17 (a)到图H (c)相同。在第6实施方式中，在区域61内形成由和教:据线3相同的层 构成的端子主体部70 (布线62)之后，在像素电极ll (第1电极)的形 成工艺时，使ITO膜也在区域61成膜，对该ITO膜进行图形形成，按下 述方式来形成下层端子电极部72，该方式为覆盖端子主体部70且在第1 开口部83处进行开口。借此，成为图19 (d)所示的状态.还有，从图19(e) 到图19 (g)，与笫4实施方式中的从图17 (d)到图17 (f)相同。 结果，第6实施方式所涉及的液晶装置的端子成为图19 (g)所示的结构。因此，根据第6实施方式，除了第3实施方式的作用效果之外，还 产生下述和笫4实施方式相同的效果，该效果为，即使在端子202之间非 常接近时等，也可以在不相互产生短路的状况下配置多个端子202,并在 此基础上使布线67的耐腐蚀性得到进一步提高。还有，在第4~第6实施方式中，也和第1实施方式中的图10及图11 相同，还可以将第2层间绝缘膜25延伸设置于区域61，把端子主体部70 (布线62 )的钝化膜形成为除了包括作为端子绝缘膜77的第4层间绝缘 膜27之外，还包括第2层间绝缘膜25的2层结构，进一步有效防止端子 主体部70的腐蚀。<第7实施方式>对于本发明的第7实施方式所涉及的液晶装置的端子，进行说明。图20是第7实施方式中形成端子的区域的放大俯视图，图21是沿着 图20的F-F'线的截面图，图22是沿着图20的G-G'线的截面图。如这些附图所示，第7实施方式的结构为，对于第1实施方式中的端 子202，不设置覆盖开口部82的ITO膜的端子电极部71。从而，在端子 202之中的端子绝缘膜77的开口部82处，作为与数据线3相同材质的端 子主体部70表面露出，但是在除此以外的部分，包括侧部61在内都由端 子绝缘膜77覆盖，加以保护.图23是表示第7实施方式所涉及的液晶装置之中的TFT阵列基板10 的区域61的制造过程的工艺截面图(图20的F-F，线)。如上所述，由于笫7实施方式将笫1实施方式中的端子电极部71去除 而成，因而表示制造过程的工艺截面图的图23为去除第1实施方式中的图 9 (e)之后的图，其他相同。也就是说，图23 (a) ~图23 (d)，与笫1 实施方式中的图9(a) 图9(d)分别相同。若像第7实施方式那样构成了端子202,则由于端子连接部63不通过 由ITO膜构成的端子电极部71，而成为端子主体部70其本身，因而能够 使和安装部件之间的连接电阻相应地降低。再者，由于可以按不设置端子 电极部71的量，扩大端子连接部63的面积，因而能够使其和安装部件之 间的连接更为可靠。还有，虽然在端子连接部63处，端子主体部70在制造工艺中暂时露 出，但是由于最后要连接安装部件，因而将填充各向异性粘接剂。因此， 实际上端子主体部70不会长期露出于外部空气中.另外，在第7实施方式中，对于因不在区域61设置作为平坦化膜的第 3层间绝缘膜26而实现的导通性能的确保、因端子绝缘膜77作为钝化膜 来发挥作用而实现的端子主体部70的耐腐蚀性改善以及连接可靠性提高 等的效果来说，则和第l实施方式相同。在第7实施方式中，也和第1实施方式中的图IO及图ll相同，还可 以将第2层间绝缘膜25延伸设置于区域61，把端子主体部70 (布线62 ) 的钝化膜形成为除了包括作为端子绝缘膜77的第4层间绝缘膜27之外， 还包括第2层间绝缘膜25的2层结构，进一步有效防止端子主体部70的 腐蚀。另外，在第7实施方式中，虽然在区域61,端子绝^膜T7形成到除 开口部82之外的全部区域内，但是也可以像第3实施方式那样覆盖端子主 体部70地形成下层端子电极部72，并在该第l开口部83处进行开口。再者，也可以将第7实施方式夯别用于第4~第6实施方式，4吏其结 构为不设置端子电极部71。<笫8实施方式>对于本发明的笫8实施方式所涉及的液晶装置的端子，进行说明。图24是第8实施方式中形成端子的区域的放大俯视图，图25是沿着 图24的I-I，线的截面图，图26是沿着图24的J-J'线的截面图。如这些附图所示，在第8实施方式中，其构成为，在下述布线67和下 述端子主体部70通过第1层间绝缘膜24的接触孔85进行连接的第4实施 方式中，将布线67的形状与端子主体部70设置为俯视大致相同的形状， 并且在俯视大致相同的位置进行连接，该布线67由和栅电极(扫描线1) 相同的层构成，该端子主体部70由和数据线3相同的层构成， 据这样的第8实施方式，和第4实施方式相比较，不仅仅是端子加2 的台阶差减少，还由于端子连接部63更向上侧突出，因而能够使利用各向 异性导电粒子进行的连接更为可靠。还有，虽然图24~图26在笫4实施方式中，将布线67的形状和端子 主体部70设置为俯视大致相同的形状，并且在俯视大致相同的位置进行连 接，但是对于第8实施方式来说，也可以用于使覆盖端子连接部63及側部 64的ITO膜为2层的第5实施方式，以及使覆盖侧部64的ITO膜为2层 并使覆盖端子连接部63的ITO膜为1层的第6实施方式中。再者，在第8实施方式中，也和第1实施方式中的图10及图ll相同， 还可以将第2层间绝缘膜25延伸设置于区域61 ，把端子主体部70 (布线 62 )的钝化膜形成为除了包括作为端子绝缘膜77的第4层间绝缘膜27之 外还包括第2层间绝缘膜25的2层结构。<第9实施方式>对于本发明的第9实施方式所涉及的液晶装置的端子，进行说明。图27是第9实施方式中形成端子的区域的放大俯视图，图28是沿着 图27的K-K，线的截面图，图29是沿着图27的L-L，线的截面图。如这些附图所示，在第9实施方式中，和上述第1~第8实施方式不 同，在端子202排列的区域61，也保留作为平坦化膜的第3层间绝缘膜26,在笫9实施方式中，在端子202，为了将端子主体部70向外部引出， 第3层间绝缘膜26在第2开口部89处按大致矩形状进行了开口 ，虽然使 W盖设置有这种第2开口部89的第3层间绝缘膜26及端子主体部70 的表面地设置端子绝缘膜77，但是端子绝缘膜77在端子主体部70上的开 口部82处按大致矩形状进行了开口。还有，端子绝缘膜77是显示区域内 的第4层间绝缘膜27。而且，端子电极部71按下述方式形成为矩形状，使方式为使M盖 端子主体部70和其上面的第3层间绝缘膜26的第2开口部89.根据这样的第9实施方式，由于端子主体部70除了由第1实施方式中 的端子电极部71及第4层间绝缘膜27之外，还由作为平坦化膜的笫3层 间绝缘膜26来覆盖，因而更为牢靠地得到保护。
还有，在第9实施方式中，也和第1实施方式中的图10及图ll相同， 还可以将笫2层间绝缘膜25延伸设置于区域61，作为端子主体部70 (布 线62)的钝化膜，增加了作为端子绝缘膜77的第4层间绝缘膜27。<第10实施方式>对于本发明的第10实施方式所涉及的液晶装置的端子，进行说明。图30是第10实施方式中形成端子的区域的放大俯视图，图31是沿着 图30的M-M'线的截面图，图32是沿着图30的N-N'线的截面图。如这些附图所示，特别是如图32所示，在第IO实施方式中和上述第 1~第8实施方式不同，在区域61内也不存在作为平坦化膜的笫3层间绝 缘膜26。相反而言，就是对于第10实施方式来说，还适用于在显示区域 内不使用作为平坦化膜的第3层间绝缘膜26的结构。还有，如果在第10 实施方式中仅仅对于端子202而言，则其结构和第1实施方式相同。因此，根据第10实施方式，对于端子202产生和第1实施方式相同的 作用、效果。还有，在上述各实施方式中，虽然对于用来对数据线驱动电路201、 扫描线驱动电路104进行COG安装的端子202进行了说明，但是在连接 柔性141的输入端子222 (参见图1)中，也是相同的结构。因此，对于输 入端子222来说，也和端子202相同，可以确保较高的耐腐蚀性、良好的 导通性能。另外，在各实施方式(除了第7实施方式)的任一个中，端子电极部 71 (下层端子电极部72)还与第4层间绝缘膜27 (笫2层间绝缘膜25) 一起，覆盖端子主体部70，但是也可以覆盖布线62及其他的铝表面。本发明的^t术范围并不限于上述的实施方式，在不脱离本发明宗旨的 范围内能够加以各种变更。例如，对于TFT阵列^SL上的各布线、各电极 等的图形形状、材料、膜厚等具体构成而言，可以不受上述实施方式限制， 进行适当变更，另外，在各实施方式中虽然以透射型液晶装置为例进行了 说明，但是不限于此，也可以用于反射型、半透射反射型的液晶装置中'接下来，对于在各实施方式中所说明的端子上连接安装部件的状态，
参照图33进行说明。如该图所示，在TFT阵列基板10所形成的端子上，通过导电性粒子 按适当比例分布的各向异性导电薄膜(ACF) 66，来连接安装部件。详细 而言，输入端子222和柔性基仗65 (的端子)进行连接，端子202和数据 线驱动电路201或扫描线驱动电路104 (的端子)进行连接。才艮据这种结构，可以采用各实施方式的端子结构，良好地确保由优良 钝化功能实现的耐腐蚀性以及和安装部件之间的导通性能。〈电子i殳备〉下面，对于4吏用上述液晶装置的电子设备，进行说明。图34是表示作 为该电子i殳备一例的4更携电话机结构的立体图。如该图所示，便携电话机300具备多个操作按键302、受话口 303及 送话口 304，并具备由上述实施方式的液晶装置构成的显示部301。根据这种电子设备，可以在液晶装置的端子部分实现较高的耐腐蚀性 和良好的导通性。还有，虽然作为电子设备以便携电话机为例进行了说明，但是不限于 此，可以作为电子图书、个人计算机、数字静止相机、图像监视器、取景 器式或监视器直观式的磁带录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本、 台式电子计算器、文字处理机、工作站、电视电话机、POS终端及具备触 摸式面板的设备等的图像显示机构，来适当使用。
权利要求
1.一种液晶装置，其特征为，具备第1基板和第2基板，其夹持液晶而相互对向；在上述第1基板上，具备开关元件；信号布线，其连接于该开关元件；平坦化膜，其设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦性的绝缘膜形成；第1电极，其设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，其设置于该第1电极的上侧；以及第2电极，其设置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙，并且在其和上述第1电极之间通过上述各条缝隙使电场发生；在上述第1基板上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置有连接安装部件的端子；该端子，具有 端子主体部，其材质和上述信号布线相同；端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，按下述方式形成于该端子主体部上，该方式为使其覆盖上述端子主体部的侧面并且在上述端子主体部的开口区域处开口；以及端子电极部，其材质和上述第2电极相同，覆盖上述开口区域和上述端子主体部的侧面来形成，通过上述开口区域与上述端子主体部进行电连接。
2. —种液晶装置，其特征为， 具备笫1基板和第2141，其夹持液晶而相互对向； 在上述第l基板上，具备开关元件；信号布线，其连接于该开关元件；平坦化膜，其设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦性的绝缘膜形成；第1电极，其设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，其设置于该第1电极的上侧；以及第2电极，其设置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙，并且在其 和上述笫1电极之间通过上述各条缝隙使电场发生；在上述第1基板上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置 有连接安装部件的端子；该端子，具有端子主体部，其材质和上述信号布线相同；第1端子电极部，其材质和上述第1电^目同，形成为至少覆盖上述 端子主体部，与该端子主体部进行电连接；端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，按下述方式形成于该端 子主体部上，该方式为4吏其覆盖上述端子主体部的侧面并且在上述端子 主体部的开口区域处开口；以及第2端子电极部，其材质和上述笫2电极相同，形成为覆盖上述开口 区域和上述端子主体部的侧面，通过上述开口区域与上述笫1端子电极部 进行电连接。
3.—种液晶装置，其特征为，具备第1141和第2基板，其夹持液晶而相互对向；在上述第1基板上，具备开关元件；信号布线，其连接于该开关元件；平坦化膜，其设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦 性的绝缘膜形成；第1电极，其设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，其设置于该第1电极的上侧；以及第2电极，其设置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙，并且在其 和上述第1电极之间通过上述各条缝隙使电场发生；在上述第1基H上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置 有连接安装部件的端子；该端子，具有端子主体部，其材质和上述信号布线相同；第1端子电极部，其材质和上述第1电极相同，形成为至少覆盖上述 端子主体部的侧面，在上述端子主体部上具有第1开口区域；端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，形成为至少覆盖上述第 l端子电极部，在上述第l开口区域内具有第2开口区域；以及笫2端子电极部，其材质和上述第2电极相同，形成为至少覆盖上述 端子主体部上的上述端子绝缘膜的上述第2开口区域和上述端子主体部的 側面，通过上述第2开口区域与上述端子主体部进行电连接。
4. 根据权利要求1至3中任一项所述的液晶装置，其特征为 在上述第lJ4l上，形成有相互交叉延伸的扫描线和数据线， 与上述端子电连接的端子布线，其材质和上述扫描线相同， 上述端子主体部其材质和上述数据线相同。
5. 根据权利要求4所述的液晶装置，其特征为具有下层绝缘膜，该下层绝缘膜覆盖上述数据线并且与上述第1电极 相比位于下层；上述端子主体部的侧面利用该下层绝缘膜及上述端子绝缘膜来覆盖。
6. 根据权利要求1至3中任一项所述的液晶装置，其特征为 与上述端子电连接的端子布线和上述端子主体部形成为，在通过层间绝缘膜而不同的布线层中，上述端子布线与上述端子主体部相比位于下层， 并且通过形成于上述层间绝缘膜的贯通孔进行电连接。
7. 根据权利要求6所述的液晶装置，其特征为 上述贯通孔形成在与上述端子主体部俯视重合的位置处.
8. —种液晶装置，其特征为，具备第1 1和第2基板，其夹持液晶而相互对向； 在上述第l基板上，具备 开关元件；信号布线，其连接于该开关元件；平坦化膜，其设置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦 性的绝缘膜形成；笫1电极，其设置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，其设置于该第1电极的上侧；以及第2电极，其设置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙，并且在其 和上述第1电极之间通过上述各条缝隙使电场发生；在上述第1 ^上的上述平坦化膜的非形成区域的至少一部分，设置 有连接安装部件的端子，该端子，具有端子主体部，其材质和上述信号布线相同；和 端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，以下述方式形成于该端 子主体部上，该方式为使其至少覆盖上述端子主体部的側面。
9.一种液晶装置，其特征为， 具备第1 a和第2基&，其夹持液晶而相互对向； 在上述第1基板上，具备 开关元件；信号布线，其连接于该开关元件；平坦化膜，其^:置于该信号布线及上述开关元件的上侧，由具有平坦 性的绝缘膜形成；第l电极，其i殳置于该平坦化膜的上侧；电极绝缘膜，其设置于该第1电极的上侧；以及笫2电极，其设置于该电极绝缘膜的上侧，具有多条缝隙，并且在其 和上述第1电极之间通过上述各条缝隙使电场发生；在上述第1 !41上的上述平坦化膜的形成区域，设置有连接安装部件 的端子，该端子，具有端子主体部，其材质和上述信号布线相同；开口部，其通过在上述端子主体部上对上述平坦化膜进行开口而成；端子绝缘膜，其材质和上述电极绝缘膜相同，形成为覆盖上述平坦化 膜并且在上述开口区域开口；以及端子电极部，其材质和上述第2电极相同，通过上述开口部与上述端 子主体部进行电连接。
10. 根据权利要求1 ~ 9中任一项所述的液晶装置，其特征为 通过上述端子来连接上述安装部件。
11. 一种电子设备，其特征为 具备权利要求1 ~ 8中任一项所述的液晶装置。
全文摘要
本发明提供液晶装置及电子设备，在采用重叠结构的液晶装置中，形成与安装部件连接的端子。在FFS方式的液晶装置中，在TFT阵列基板(10)上的平坦化膜的非形成区域(区域61)，设置连接安装部件的端子(202)，端子(202)具有端子主体部(70)，其材质和数据线(3)相同；端子绝缘膜(77)，其材质和第4层间绝缘膜(27)相同，至少覆盖端子主体部(70)的侧部(64)地部分形成于端子主体部(70)上；以及端子电极部(71)，其材质和共用电极(17)相同，至少覆盖端子主体部(70)上的端子绝缘膜(77)的开口部(82)和端子主体部(70)的侧部(64)来形成，与端子主体部(70)进行电连接。
文档编号G09G3/36GK101131518SQ20071014656
公开日2008年2月27日 申请日期2007年8月21日 优先权日2006年8月21日
发明者藤田伸 申请人:爱普生映像元器件有限公司
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