维持二极管发光亮度的补偿电路的制作方法
专利名称：维持二极管发光亮度的补偿电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种补偿电路，特别是涉及一种可维持有机发光二极管发光组件亮度稳定性的补偿电路。
背景技术：
有源矩阵有机发光二极管(Active-MatrixOrganic Light-Emitting Diode,AM0LED)显示器拥有厚度薄、重量轻、自发光、低驱动电压、高效率、高对比、高色彩饱和度、反应速度快、可饶曲等特色，被视为继薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display, TFT-LCD)之后,最被看好的新兴显示技术。 但由于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,0LED)组件所表现出的亮度是由流过的电流大小所决定的，因此如果要精确控制像素亮度就必须要做到精确控制电流，相对于TFT-LCD只要控制写入像素的电压电平就能控制像素亮度，难度可以说是相当高。实际上AMOLED也遇到了许多问题。请同时参照图I和图2，图I为无补偿的P型晶体管AMOLED像素电路架构的电路示意图；图2为无补偿的N型晶体管AMOLED像素电路架构的电路示意图。如图所示，因为OLED电流1_是由数据电压Vdata利用操作在饱和区的薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor，TFT)T2来转换成的电流，以N型T2来说，其公式为Ioled = 1/2XW/LX μ ΝXCox(Vgs-Vth)2,当AMOLED经过长时间的使用之后，Τ2的Vth会变大，以及载子移动率(Mobility) μ Ν也会变小，如此一来便会使I_D下降，造成OLED的亮度衰减。此外，由于OLED材料老化的现象，在长时间操作下，会发生跨压逐渐上升以及发光效率下降的问题。OLED跨压的上升可能会影响到薄膜晶体管的操作，以N型薄膜晶体管为例，若OLED接在薄膜晶体管的源极端，当OLED跨压上升时会直接影响到薄膜晶体管的栅极-源极之间的端电压源极，也就是直接影响流过的电流。而在发光效率方面，若因长时间操作造成材料老化发光效率下降，那么即使是流过相同的电流也无法产生预期的亮度。若红(R)、绿(G)、蓝(B)三色的发光效率下降程度不同，更会发生色偏的问题。但材料改善不易，因此这并不是一个能轻易解决的问题。又，随着面板尺寸的加大，信号线逐渐变长，其内阻效应会日益明显，最后会影响面板亮度的均匀性，此现象称之为I-R Drop。请参照图3，图3为I-R Drop的示意图。如图所示，Vdd与Vss信号线会随着内阻效应产生压差，进而导致AMOLED面板不同位置像素会有不同大小的电流，影响面板亮度的均匀性。
发明内容
鉴于上述现有技术中的问题，本发明的目的就是提供一种维持二极管发光亮度的补偿电路，以解决现有技术中存在的如发光效率下降，以及因OLED电流Imd下降使得有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)组件发光亮度降低的问题。
根据本发明的目的，提出一种维持二极管发光亮度的补偿电路，包含稳定单元、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及发光二极管。稳定单元包含光电二极管及电容，该稳定单元的一端为第一节点，该稳定单元的另一端为第二节点，且光电二极管及电容之间具有第三节点。第一晶体管连接第一电源、第一控制信号及第一节点。第二晶体管连接第二电源、第一控制信号及第二节点。第三晶体管连接第三电源、第二控制信号及第三节点。发光二极管连接第三电源及第四晶体管。第四晶体管连接第一晶体管、发光二极管，藉由开启第四晶体管以导通发光二极管。其中，第一晶体管及第二晶体管分别为第一 P型薄膜晶体管及第二 P型薄膜晶体管，第三晶体管及第四晶体管分别为第一 N型薄膜晶体管及第二 N型薄膜晶体管。其中，第二 P型薄膜晶体管控制第二电源输入的时间。其中，当发光二极管于发光的阶段，第一 N型薄膜晶体管持续放电第三节点使第 三节点的电位与第三电源的电位相同。其中，电容储存电位差，该电位差由光电二极管的电阻值上升而产生。其中，第一晶体管及第二晶体管分别为第一 N型薄膜晶体管及第二 N型薄膜晶体管，第三晶体管及第四晶体管系分别为第一 P型薄膜晶体管及第二 P型薄膜晶体管。其中，第二 N型薄膜晶体管控制第二电源输入的时间。其中，当发光二极管于发光的阶段，第一 P型薄膜晶体管持续充电第三节点，使第三节点的电位与第三电源的电位相同。其中，电容储存电位差，该电位差由光电二极管的电阻值上升而产生。承上所述，根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路，可具有下述优点所述维持二极管发光亮度的补偿电路可解决现有技术中的如发光效率下降，以及因IaED下降使得OLED组件发光亮度降低的问题，进而可维持OLED组件发光亮度的稳定性。
图I为无补偿的P型晶体管AMOLED像素电路架构的电路示意图。图2为无补偿的N型晶体管AMOLED像素电路架构的电路示意图。图3为I-R Drop的示意图。图4为根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的第一实施例的电路示意图。图5为根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的第一实施例的信号波形示意图。图6为根据本发明补偿电路的第一实施例的二极管顺偏特性的示意图。图7为根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的第二实施例的电路示意图。图8为根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的第二实施例的信号波形示意图。图9为根据本发明补偿电路的第二实施例的二极管顺偏特性的示意图。主要的附图标号说明1、2为补偿电路，Tl、T2、T3、T4为薄膜晶体管，D为光电二极管，C、Cst 为电容，Emit [η]、Scan [η]为控制信号，VDD、Vss、Vllata 为电源信号，Idd、ID、Ioled 为电流，AR为内阻抗，OLED为有机发光二极管，A、B、E为节点。
具体实施例方式以下将参照相关附图，说明根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的实施例，为便于理解，下述实施例中的相同组件以相同的标号表示来说明。请参照图4，图4为根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的第一实施例的电路示意图。如图所示，本发明的补偿电路包含了两个P型薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor, TFT) Tl及T2、两个N型薄膜晶体管T3及T4、一个光电二极管(Photodiode)D以及一个电容C。在本实施例中，还包含了两个控制信号Emit[n]、Scan[n]以及三个电源信号vdd、vss和vData。其中T4可用于驱动有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED);其余Tl至T3可作为开关使用，电容C用于补偿。在所有作为开关的TFT中，在数据写入阶段，Tl使Τ4能够形成二极管式连接(Diode-Connection)并导通，当前面所述的那些会造成OLED组件发光亮度衰减的因素产生的时候，会让OLED组件的发光亮度衰减，使得像素中的光电二极管D(在本实施例中，光电二极管D可等效成光感电阻器)的电阻值上升进而影响到实际写入到像素的电压值，并将其储存在补偿电容C内。Τ2可为一般像素电路都具备的开关，用于控制数据输入的时间。Τ3 则在有源矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)像素进入发光阶段时将节点A持续放电至Vss，正因为A点维持在Vss，不是浮接(Floating)的状态,所以不会因为VData改变受到T2的漏电流(Leakage Current)影响而改变，因此像素内不须如先前技术中所描述的Cst来维持A点的电位。请参照图5，图5为本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的第一实施例的信号波形示意图。如图所示，在本实施例中，补偿电路操作步骤可分为两个阶段。首先为检测OLED发光亮度调整像素数据电位写入的阶段Scan [η]与Emit [η]信号将Τ1、Τ2、Τ4导通，Τ3截止，此时节点B的电位Vb = Vdd,在OLED发光亮度最亮的原始状态下，且可将像素中的光电二极管D (在本实施例中，光电二极管D可等效成光感电阻器)的电阻值近似等效成Rd，A点电位Va会由Vss变成Vss+ Λ Va (在本实施例中，Λ Va为正值)，假设写入的数据电压VData = VLevel+VD0+Vss (在本实施例中，Vdci为光电二极管D无电流时候的跨压)，数据扫描时间(Data Scan Time)(也就是Scan [η]将Τ1、Τ2、Τ4导通的时间)为T = 2RDC，则
f T 山 ^ .T7. ^Data ^SS ^DOYodt 2--R2 Γ
= -^——=CD =VLevel其中，所有灰阶电压(V^el大于0，最小为σ，σ为一常数)的写入，均需要2RdC时间。请同时参照图6，图6为本发明的补偿电路的第一实施例的二极管顺偏特性的示意图。如图所示，当前述会造成Imd下降的因素产生的时候，会让OLED组件的发光亮度衰减，使得光感电阻器的电阻值上升由Rd变成Rd’，则A点电位VA’会由Vss变成Vss+ Λ V。其中，斜线61的斜率为1/Rd ;斜线62的斜率为1/Rd’。
权利要求
1.一种维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，包含 稳定单元，包含光电二极管及电容，该稳定单元的一端为第一节点，所述稳定单元的另一端为第二节点，且所述光电二极管及所述电容之间具有第三节点； 第一晶体管，连接第一电源、第一控制信号及所述第一节点； 第二晶体管，连接第二电源、所述第一控制信号及所述第二节点； 第三晶体管，连接第三电源、第二控制信号及所述第三节点； 发光二极管，连接所述第三电源及第四晶体管；以及 所述第四晶体管，连接所述第一晶体管、所述发光二极管，藉由开启所述第四晶体管以导通所述发光二极管。
2.根据权利要求I所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第一晶体管及所述第二晶体管分别为第一 P型薄膜晶体管及第二 P型薄膜晶体管，所述第三晶体管及所述第四晶体管分别为第一 N型薄膜晶体管及第二 N型薄膜晶体管。
3.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述电容的一端连接所述光电二极管的电流输出端以形成所述第三节点，而所述电容未连接所述光电二极管的另一端为所述第一节点，所述光电二极管的未连接所述电容的另一端为所述第二节点。
4.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第一P型薄膜晶体管的源极连接所述第一电源，所述第一 P型薄膜晶体管的栅极系连接所述第一控制信号，及所述第一 P型薄膜晶体管的漏极连接所述第二 N型薄膜晶体管的栅极。
5.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第二P型薄膜晶体管的源极连接所述第二电源，所述第二 P型薄膜晶体管的栅极连接所述第一控制信号，及所述第二 P型薄膜晶体管的漏极连接所述光电二极管的电流输入端，即所述第二节点。
6.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第一N型薄膜晶体管的漏极连接所述第三节点，所述第一 N型薄膜晶体管的栅极连接所述第二控制信号，及所述第一 N型薄膜晶体管的源极连接所述第三电源。
7.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第二N型薄膜晶体管的漏极连接所述第一电源，所述第二 N型薄膜晶体管的栅极连接所述第一节点，及所述第二 N型薄膜晶体管的源极连接所述发光二极管的电流输入端。
8.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第二P型薄膜晶体管控制所述第二电源输入的时间。
9.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，当所述发光二极管于发光的阶段，所述第一 N型薄膜晶体管持续放电所述第三节点，使所述第三节点的电位与所述第三电源的电位相同。
10.根据权利要求I所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第一晶体管及所述第二晶体管分别为第一 N型薄膜晶体管及第二 N型薄膜晶体管，所述第三晶体管及所述第四晶体管分别为第一 P型薄膜晶体管及第二 P型薄膜晶体管。
11.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述电容的一端连接所述光电二极管的电流输入端以形成所述第三节点，而所述电容未连接所述光电二极管的另一端为所述第一节点，所述光电二极管未连接所述电容的另一端为所述第二节点。
12.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度之补偿电路，其特征在于，所述第一N型薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点，所述第一 N型薄膜晶体管的栅极连接所述第一控制信号，及所述第一 N型薄膜晶体管的源极连接所述第一电源。
13.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第二N型薄膜晶体管的漏极连接所述第二电源，所述第二 N型薄膜晶体管的栅极连接所述第一控制信号，及所述第二 N型薄膜晶体管的源极连接所述光电二极管的电流输出端，即所述第二节点。
14.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第一P型薄膜晶体管的源极连接所述第三电源，所述第一 P型薄膜晶体管的栅极连接所述第二控制信号，及所述第一 P型薄膜晶体管的漏极连接所述第三节点。
15.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第二P型薄膜晶体管的源极连接所述发光二极管的电流输出端，所述第二 P型薄膜晶体管的栅极连接所述第一节点，及所述第二 P型薄膜晶体管的漏极连接所述第一电源。
16.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第二N型薄膜晶体管控制所述第二电源输入的时间。
17.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，当所述发光二极管于发光的阶段，所述第一 P型薄膜晶体管持续充电所述第三节点，使所述第三节点的电位与所述第三电源的电位相同。
18.根据权利要求I所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述电容储存电位差，所述电位差由所述光电二极管的电阻值上升而产生。
全文摘要
本发明公开一种维持二极管发光亮度的补偿电路，所述维持二极管发光亮度的补偿电路包含稳定单元、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及有机发光二极管。稳定单元包含光电二极管及补偿电容。第二晶体管用于控制数据输入的时间。当该有机发光二极管于发光的阶段，第三晶体管持续放电或充电稳定单元中的节点，使该节点的电位与VSS或VDD的电位相同。如此，能维持有机发光二极管组件亮度的稳定性。
文档编号G09G3/32GK102867479SQ20111022677
公开日2013年1月9日 申请日期2011年8月4日 优先权日2011年7月8日
发明者柯健专, 吴昭慧 申请人:瀚宇彩晶股份有限公司
技术领域：
本发明涉及一种补偿电路，特别是涉及一种可维持有机发光二极管发光组件亮度稳定性的补偿电路。
背景技术：
有源矩阵有机发光二极管(Active-MatrixOrganic Light-Emitting Diode,AM0LED)显示器拥有厚度薄、重量轻、自发光、低驱动电压、高效率、高对比、高色彩饱和度、反应速度快、可饶曲等特色，被视为继薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display, TFT-LCD)之后,最被看好的新兴显示技术。 但由于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,0LED)组件所表现出的亮度是由流过的电流大小所决定的，因此如果要精确控制像素亮度就必须要做到精确控制电流，相对于TFT-LCD只要控制写入像素的电压电平就能控制像素亮度，难度可以说是相当高。实际上AMOLED也遇到了许多问题。请同时参照图I和图2，图I为无补偿的P型晶体管AMOLED像素电路架构的电路示意图；图2为无补偿的N型晶体管AMOLED像素电路架构的电路示意图。如图所示，因为OLED电流1_是由数据电压Vdata利用操作在饱和区的薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor，TFT)T2来转换成的电流，以N型T2来说，其公式为Ioled = 1/2XW/LX μ ΝXCox(Vgs-Vth)2,当AMOLED经过长时间的使用之后，Τ2的Vth会变大，以及载子移动率(Mobility) μ Ν也会变小，如此一来便会使I_D下降，造成OLED的亮度衰减。此外，由于OLED材料老化的现象，在长时间操作下，会发生跨压逐渐上升以及发光效率下降的问题。OLED跨压的上升可能会影响到薄膜晶体管的操作，以N型薄膜晶体管为例，若OLED接在薄膜晶体管的源极端，当OLED跨压上升时会直接影响到薄膜晶体管的栅极-源极之间的端电压源极，也就是直接影响流过的电流。而在发光效率方面，若因长时间操作造成材料老化发光效率下降，那么即使是流过相同的电流也无法产生预期的亮度。若红(R)、绿(G)、蓝(B)三色的发光效率下降程度不同，更会发生色偏的问题。但材料改善不易，因此这并不是一个能轻易解决的问题。又，随着面板尺寸的加大，信号线逐渐变长，其内阻效应会日益明显，最后会影响面板亮度的均匀性，此现象称之为I-R Drop。请参照图3，图3为I-R Drop的示意图。如图所示，Vdd与Vss信号线会随着内阻效应产生压差，进而导致AMOLED面板不同位置像素会有不同大小的电流，影响面板亮度的均匀性。
发明内容
鉴于上述现有技术中的问题，本发明的目的就是提供一种维持二极管发光亮度的补偿电路，以解决现有技术中存在的如发光效率下降，以及因OLED电流Imd下降使得有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)组件发光亮度降低的问题。
根据本发明的目的，提出一种维持二极管发光亮度的补偿电路，包含稳定单元、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及发光二极管。稳定单元包含光电二极管及电容，该稳定单元的一端为第一节点，该稳定单元的另一端为第二节点，且光电二极管及电容之间具有第三节点。第一晶体管连接第一电源、第一控制信号及第一节点。第二晶体管连接第二电源、第一控制信号及第二节点。第三晶体管连接第三电源、第二控制信号及第三节点。发光二极管连接第三电源及第四晶体管。第四晶体管连接第一晶体管、发光二极管，藉由开启第四晶体管以导通发光二极管。其中，第一晶体管及第二晶体管分别为第一 P型薄膜晶体管及第二 P型薄膜晶体管，第三晶体管及第四晶体管分别为第一 N型薄膜晶体管及第二 N型薄膜晶体管。其中，第二 P型薄膜晶体管控制第二电源输入的时间。其中，当发光二极管于发光的阶段，第一 N型薄膜晶体管持续放电第三节点使第 三节点的电位与第三电源的电位相同。其中，电容储存电位差，该电位差由光电二极管的电阻值上升而产生。其中，第一晶体管及第二晶体管分别为第一 N型薄膜晶体管及第二 N型薄膜晶体管，第三晶体管及第四晶体管系分别为第一 P型薄膜晶体管及第二 P型薄膜晶体管。其中，第二 N型薄膜晶体管控制第二电源输入的时间。其中，当发光二极管于发光的阶段，第一 P型薄膜晶体管持续充电第三节点，使第三节点的电位与第三电源的电位相同。其中，电容储存电位差，该电位差由光电二极管的电阻值上升而产生。承上所述，根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路，可具有下述优点所述维持二极管发光亮度的补偿电路可解决现有技术中的如发光效率下降，以及因IaED下降使得OLED组件发光亮度降低的问题，进而可维持OLED组件发光亮度的稳定性。
图I为无补偿的P型晶体管AMOLED像素电路架构的电路示意图。图2为无补偿的N型晶体管AMOLED像素电路架构的电路示意图。图3为I-R Drop的示意图。图4为根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的第一实施例的电路示意图。图5为根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的第一实施例的信号波形示意图。图6为根据本发明补偿电路的第一实施例的二极管顺偏特性的示意图。图7为根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的第二实施例的电路示意图。图8为根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的第二实施例的信号波形示意图。图9为根据本发明补偿电路的第二实施例的二极管顺偏特性的示意图。主要的附图标号说明1、2为补偿电路，Tl、T2、T3、T4为薄膜晶体管，D为光电二极管，C、Cst 为电容，Emit [η]、Scan [η]为控制信号，VDD、Vss、Vllata 为电源信号，Idd、ID、Ioled 为电流，AR为内阻抗，OLED为有机发光二极管，A、B、E为节点。
具体实施例方式以下将参照相关附图，说明根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的实施例，为便于理解，下述实施例中的相同组件以相同的标号表示来说明。请参照图4，图4为根据本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的第一实施例的电路示意图。如图所示，本发明的补偿电路包含了两个P型薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor, TFT) Tl及T2、两个N型薄膜晶体管T3及T4、一个光电二极管(Photodiode)D以及一个电容C。在本实施例中，还包含了两个控制信号Emit[n]、Scan[n]以及三个电源信号vdd、vss和vData。其中T4可用于驱动有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED);其余Tl至T3可作为开关使用，电容C用于补偿。在所有作为开关的TFT中，在数据写入阶段，Tl使Τ4能够形成二极管式连接(Diode-Connection)并导通，当前面所述的那些会造成OLED组件发光亮度衰减的因素产生的时候，会让OLED组件的发光亮度衰减，使得像素中的光电二极管D(在本实施例中，光电二极管D可等效成光感电阻器)的电阻值上升进而影响到实际写入到像素的电压值，并将其储存在补偿电容C内。Τ2可为一般像素电路都具备的开关，用于控制数据输入的时间。Τ3 则在有源矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)像素进入发光阶段时将节点A持续放电至Vss，正因为A点维持在Vss，不是浮接(Floating)的状态,所以不会因为VData改变受到T2的漏电流(Leakage Current)影响而改变，因此像素内不须如先前技术中所描述的Cst来维持A点的电位。请参照图5，图5为本发明的维持二极管发光亮度的补偿电路的第一实施例的信号波形示意图。如图所示，在本实施例中，补偿电路操作步骤可分为两个阶段。首先为检测OLED发光亮度调整像素数据电位写入的阶段Scan [η]与Emit [η]信号将Τ1、Τ2、Τ4导通，Τ3截止，此时节点B的电位Vb = Vdd,在OLED发光亮度最亮的原始状态下，且可将像素中的光电二极管D (在本实施例中，光电二极管D可等效成光感电阻器)的电阻值近似等效成Rd，A点电位Va会由Vss变成Vss+ Λ Va (在本实施例中，Λ Va为正值)，假设写入的数据电压VData = VLevel+VD0+Vss (在本实施例中，Vdci为光电二极管D无电流时候的跨压)，数据扫描时间(Data Scan Time)(也就是Scan [η]将Τ1、Τ2、Τ4导通的时间)为T = 2RDC，则
f T 山 ^ .T7. ^Data ^SS ^DOYodt 2--R2 Γ
= -^——=CD =VLevel其中，所有灰阶电压(V^el大于0，最小为σ，σ为一常数)的写入，均需要2RdC时间。请同时参照图6，图6为本发明的补偿电路的第一实施例的二极管顺偏特性的示意图。如图所示，当前述会造成Imd下降的因素产生的时候，会让OLED组件的发光亮度衰减，使得光感电阻器的电阻值上升由Rd变成Rd’，则A点电位VA’会由Vss变成Vss+ Λ V。其中，斜线61的斜率为1/Rd ;斜线62的斜率为1/Rd’。
权利要求
1.一种维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，包含 稳定单元，包含光电二极管及电容，该稳定单元的一端为第一节点，所述稳定单元的另一端为第二节点，且所述光电二极管及所述电容之间具有第三节点； 第一晶体管，连接第一电源、第一控制信号及所述第一节点； 第二晶体管，连接第二电源、所述第一控制信号及所述第二节点； 第三晶体管，连接第三电源、第二控制信号及所述第三节点； 发光二极管，连接所述第三电源及第四晶体管；以及 所述第四晶体管，连接所述第一晶体管、所述发光二极管，藉由开启所述第四晶体管以导通所述发光二极管。
2.根据权利要求I所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第一晶体管及所述第二晶体管分别为第一 P型薄膜晶体管及第二 P型薄膜晶体管，所述第三晶体管及所述第四晶体管分别为第一 N型薄膜晶体管及第二 N型薄膜晶体管。
3.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述电容的一端连接所述光电二极管的电流输出端以形成所述第三节点，而所述电容未连接所述光电二极管的另一端为所述第一节点，所述光电二极管的未连接所述电容的另一端为所述第二节点。
4.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第一P型薄膜晶体管的源极连接所述第一电源，所述第一 P型薄膜晶体管的栅极系连接所述第一控制信号，及所述第一 P型薄膜晶体管的漏极连接所述第二 N型薄膜晶体管的栅极。
5.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第二P型薄膜晶体管的源极连接所述第二电源，所述第二 P型薄膜晶体管的栅极连接所述第一控制信号，及所述第二 P型薄膜晶体管的漏极连接所述光电二极管的电流输入端，即所述第二节点。
6.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第一N型薄膜晶体管的漏极连接所述第三节点，所述第一 N型薄膜晶体管的栅极连接所述第二控制信号，及所述第一 N型薄膜晶体管的源极连接所述第三电源。
7.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第二N型薄膜晶体管的漏极连接所述第一电源，所述第二 N型薄膜晶体管的栅极连接所述第一节点，及所述第二 N型薄膜晶体管的源极连接所述发光二极管的电流输入端。
8.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第二P型薄膜晶体管控制所述第二电源输入的时间。
9.根据权利要求2所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，当所述发光二极管于发光的阶段，所述第一 N型薄膜晶体管持续放电所述第三节点，使所述第三节点的电位与所述第三电源的电位相同。
10.根据权利要求I所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第一晶体管及所述第二晶体管分别为第一 N型薄膜晶体管及第二 N型薄膜晶体管，所述第三晶体管及所述第四晶体管分别为第一 P型薄膜晶体管及第二 P型薄膜晶体管。
11.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述电容的一端连接所述光电二极管的电流输入端以形成所述第三节点，而所述电容未连接所述光电二极管的另一端为所述第一节点，所述光电二极管未连接所述电容的另一端为所述第二节点。
12.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度之补偿电路，其特征在于，所述第一N型薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点，所述第一 N型薄膜晶体管的栅极连接所述第一控制信号，及所述第一 N型薄膜晶体管的源极连接所述第一电源。
13.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第二N型薄膜晶体管的漏极连接所述第二电源，所述第二 N型薄膜晶体管的栅极连接所述第一控制信号，及所述第二 N型薄膜晶体管的源极连接所述光电二极管的电流输出端，即所述第二节点。
14.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第一P型薄膜晶体管的源极连接所述第三电源，所述第一 P型薄膜晶体管的栅极连接所述第二控制信号，及所述第一 P型薄膜晶体管的漏极连接所述第三节点。
15.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第二P型薄膜晶体管的源极连接所述发光二极管的电流输出端，所述第二 P型薄膜晶体管的栅极连接所述第一节点，及所述第二 P型薄膜晶体管的漏极连接所述第一电源。
16.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述第二N型薄膜晶体管控制所述第二电源输入的时间。
17.根据权利要求10所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，当所述发光二极管于发光的阶段，所述第一 P型薄膜晶体管持续充电所述第三节点，使所述第三节点的电位与所述第三电源的电位相同。
18.根据权利要求I所述的维持二极管发光亮度的补偿电路，其特征在于，所述电容储存电位差，所述电位差由所述光电二极管的电阻值上升而产生。
全文摘要
本发明公开一种维持二极管发光亮度的补偿电路，所述维持二极管发光亮度的补偿电路包含稳定单元、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及有机发光二极管。稳定单元包含光电二极管及补偿电容。第二晶体管用于控制数据输入的时间。当该有机发光二极管于发光的阶段，第三晶体管持续放电或充电稳定单元中的节点，使该节点的电位与VSS或VDD的电位相同。如此，能维持有机发光二极管组件亮度的稳定性。
文档编号G09G3/32GK102867479SQ20111022677
公开日2013年1月9日 申请日期2011年8月4日 优先权日2011年7月8日
发明者柯健专, 吴昭慧 申请人:瀚宇彩晶股份有限公司
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