控制装置、显示装置及其控制方法
专利名称：控制装置、显示装置及其控制方法
技术领域：
本发明涉及控制装置、显示装置及显示装置的控制方法。
背景技术：
作为显示图像的显示装置，有采用微囊的电泳方式的显示装置。该显示装置为有源矩阵方式，在向行方向延伸的多条扫描线与向列方向延伸的多条数据线的各个交点设置有驱动微囊的驱动电路。对扫描线和数据线施加电压后，在设置于驱动电路的电极与相对于该电极夹着微囊而对置的电极之间产生电位差。在夹着微囊而对置的电极间产生电位差后，相应于由于该电位差所产生的电场，微囊内的白微粒和黑微粒移动。各微囊内的白微粒和黑微粒的分布改变，导致光学的反射特性变化，从而进行图像显示。该电泳方式的显示装置中，以有源矩阵方式变更显示时，有时图像的改写在多个帧进行。但是，图像的改写在多个帧进行时若整面开始了改写，则到写入结束为止的期间不能进行新写入，因此，进行图像的追记和/或删除时，要在图像的写入暂时结束后，开始下一次的写入，因此从操作性的观点看存在花时间的问题。因而，为了解决这样的问题，考虑以部分区域为单位进行管线处理来进行写入的方式(参照专利文献1)。根据专利文献1公开的方式，使画面上的相互不重叠的2个部分区域错开定时而写入图像的场合，先开始写入的部分区域的写入即使未结束，也可以开始进行后开始写入的部分区域的写入，与不采用该方式的场合比较，显示速度提高。专利文献1特开2009-251615号公报但是，有源矩阵方式中，数据线由于寄生电容而起到电容器的功能，因此，每次选择扫描线时，在使数据线的电压变化的显示的场合，消耗功率变大。从而，图像改写时，这样的功率消耗大的扫描若持续，则有时消耗功率瞬间地超过电源电路的供给极限。另外，有源矩阵方式中，若分辨率提高，则流过电流的驱动电路增加，消耗功率变大。
发明内容
本发明鉴于上述问题而提出，其目的之一是同时实现显示装置的显著的显示速度提高和消耗功率的峰值的降低。为了达成上述目的，本发明的显示装置的控制装置的特征在于，上述显示装置中， 由与多行多列的像素的各个对应地设置有第ι电极的第1基板和设置有第2电极的第2基板夹持显示元件，上述像素包括上述第1电极、上述显示元件及上述第2电极，通过对上述显示元件多次施加电压的写入工作将上述像素的显示状态从第1显示状态变更到第2显示状态，上述控制装置具备依次选择上述行的选择部；从存储器读入在上述显示装置显示的图像的图像数据的数据读入部；特定部，基于表示上述数据读入部读入图像数据前在上述显示装置显示的预定的图像的预定图像数据和上述数据读入部读入了的图像数据，特定上述选择部选择的行的像素中新变更显示状态的变更像素；边界特定部，在上述选择部选择的行的像素中特定被施加不同于相邻行的像素的电压的像素，对该特定的像素和在与该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界进行特定；边界数存储部，按上述行逐行地存储由上述边界特定部所特定的边界的边界数；判断部，判断上述边界数存储部所存储的边界数的合计是否在预定的阈值以上；以及更新部，在上述判断部判断为不足上述阈值的场合，当上述选择部选择的行的上述变更像素不在上述写入工作中时，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式，对上述变更像素开始上述写入工作，当上述变更像素在上述写入工作中时，在进行中的写入工作结束后，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式，对上述变更像素开始上述写入工作，在上述判断部判断为是上述阈值以上的场合，直到上述判断部判断为不足上述阈值为止，对上述变更像素不开始上述写入工作。根据该控制装置，可同时实现显示装置的显著的显示速度提高和消耗功率的峰值的降低。另外，上述控制装置中，也可以构成为上述多行多列的像素按预定的行数分为多个区域，上述判断部判断上述边界数存储部存储的边界数中的、与包括上述选择部选择的行的上述区域相关的边界数的合计，是否在预定的阈值以上。根据该构成，按每个显示区域控制像素的写入工作的开始，因此即使是后选择的行中，也可以开始像素的写入工作。另外，上述控制装置中，也可以构成为对于上述多次的电压的施加，按照确定各次施加的电压的表，对上述像素施加电压。根据该构成，可以逐个像素地变更像素的灰度。另外，上述控制装置中，可以构成为对于上述选择部选择的行的像素且为上述写入工作进行中的像素，以施加与在相邻行中对上述写入工作进行中的像素施加的电压相同的电压的方式，控制电压的施加时期。根据该构成，对于要施加电压的像素，施加与对相邻像素施加的电压相同的电压， 可抑制功率的消耗。另外，本发明的显示装置，由与多行多列的像素的各个对应地设置有第1电极的第1基板和设置有第2电极的第2基板夹持显示元件，上述像素包括上述第1电极、上述显示元件及上述第2电极，通过对上述显示元件多次施加电压的写入工作将上述像素的显示状态从第1显示状态变更到第2显示状态，具备依次选择上述行的选择部；从存储器读入在上述显示装置显示的图像的图像数据的数据读入部；特定部，基于表示上述数据读入部读入图像数据前在上述显示装置显示的预定的图像的预定图像数据和上述数据读入部读入的图像数据，特定上述选择部选择的行的像素中新变更显示状态的变更像素；边界特定部，在上述选择部选择的行的像素中特定被施加不同于相邻行的像素的电压的像素，特定该特定的像素和在与该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界；边界数存储部，按上述行逐行地存储上述边界特定部所特定的边界的边界数；判断部，判断上述边界数存储部所存储的边界数的合计是否在预定的阈值以上；以及更新部， 在上述判断部判断为不足上述阈值的场合，当上述选择部选择的行的上述变更像素不在上述写入工作中时，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作，当上述变更像素在上述写入工作中时，在进行中的写入工作结束后，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作，在上述判断部判断为是上述阈值以上的场合，直到上述判断部判断为不足上述阈值为止，对上述变 更像素不开始上述写入工作。根据该显示装置，可同时实现显示装置的显著的显示速度提高和消耗功率的峰值 的降低。另外，本发明的显示装置的控制方法中，上述显示装置中，由与多行多列的像素的 各个对应地设置有第1电极的第1基板和设置有第2电极的第2基板夹持显示元件，上述 像素包括上述第1电极、上述显示元件及上述第2电极，通过对上述显示元件多次施加电 压的写入工作将上述像素的显示状态从第1显示状态变更到第2显示状态，上述控制方法 包括依次选择上述行的选择步骤；从存储器读入在上述显示装置显示的图像的图像数据 的数据读入步骤；特定步骤，基于表示上述数据读入步骤读入图像数据前在上述显示装置 显示的预定的图像的预定图像数据和上述数据读入步骤读入的图像数据，特定上述选择步 骤所选择的行的像素中新变更显示状态的变更像素；边界特定步骤，在上述选择步骤所选 择的行的像素中特定被施加不同于相邻行的像素的电压的像素，特定该特定的像素和在与 该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界；边界数存储步 骤，按上述行逐行地存储上述边界特定步骤所特定的边界的边界数；判断步骤，判断上述边 界数存储步骤所存储的边界数的合计是否在预定的阈值以上；以及更新步骤，在上述判断 步骤中判断为不足上述阈值的场合，当上述选择步骤所选择的行的上述变更像素不在上述 写入工作中时，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上 述写入工作，当上述变更像素在上述写入工作中吋，在进行中的写入工作结束后，以使得成 为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作，在上述判断 步骤中判断为是上述阈值以上的场合，直到在上述判断步骤中判断为不足上述阈值为止， 对上述变更像素不开始上述写入工作。根据该方法，可同时实现显示装置的显著的显示速度提高和消耗功率的峰值的降 低。
图1是显示装置100的硬件构成的框图。
图2是表示显示部1的截面的图。图3是显示部1的电路的构成的说明图。图4是显示部1具备的像素驱动电路的构成的说明图。图5是控制器2实现的功能的构成的框图。图6是控制器2进行的处理的流程的流程图。图7是控制器2进行的处理的流程的流程图。图8是显示装置100的工作的说明图。图9是显示装置100的工作的说明图。图10是显示装置100的工作的说明图。图11是显示装置100的工作的说明图。图12是显示装置100的工作的说明图。图13是显示装置100的工作的说明图。
图14是显示装置100的工作的说明图。图15是显示装置100的工作的说明图。图16是显示装置100的工作的说明图。图17是显示装置100的工作的说明图。图18是显示装置100的工作的说明图。图19是显示装置100的工作的说明图。图20是显示装置100的工作的说明图。图21是显示装置100的工作的说明图。图22是显示装置100的工作的说明图。图23是显示装置100的工作的说明图。图M是显示装置100的工作的说明图。图25是显示装置100的工作的说明图。图沈是显示装置100的工作的说明图。图27是显示装置100的工作的说明图。图观是显示装置100的工作的说明图。图四是显示装置100的工作的说明图。图30是显示装置100的工作的说明图。图31是显示装置100的工作的说明图。图32是显示装置100的工作的说明图。图33是显示装置100的工作的说明图。图34是显示装置100A的硬件构成的框图。图35是第2实施例的表TBl TB12的内容的示图。图36是第2实施例的控制器2进行的处理的流程的流程图。图37是显示装置100A的工作的说明图。图38是显示装置100A的工作的说明图。图39是显示装置100A的工作的说明图。图40是显示装置100A的工作的说明图。图41是显示装置100A的工作的说明图。图42是显示装置100A的工作的说明图。图43是显示装置100A的工作的说明图。图44是显示装置100A的工作的说明图。图45是显示装置100A的工作的说明图。图46是显示装置100A的工作的说明图。图47是显示装置100A的工作的说明图。图48是显示装置100A的工作的说明图。图49是显示装置100A的工作的说明图。图50是显示装置100A的工作的说明图。图51是显示装置100A的工作的说明图。图52是显示装置100A的工作的说明图。
图53是显示装置100A的工作的说明图。图M是显示装置100A的工作的说明图。图55是显示装置100A的工作的说明图。图56是显示装置100A的工作的说明图。图57是本发明的显示装置的应用例的示图。符号的说明1...显示部，2...控制器，3...控制部，4. ..VRAM，5. ..RAM，6...写入数据存
储区域，6A...白写入数据存储区域，6B...黑写入数据存储区域，6C...表ID存储区域， 6D...索引存储区域，7...预定图像数据存储区域，8A...暂时存储区域，8B...边界数存储区域，9...总线，10...第1基板，11...基板，Ila...粘接层，12...电路层，13a...像素电极，20...电泳层，21...微囊，22...粘结剂，30...第2基板，31...膜，32...透明电极层， 53...扫描线驱动电路，54...数据线驱动电路，55...显示区域，61...晶体管，63...保持电容，64...扫描线，65...数据线，100...显示装置，201...选择部，202...数据读入部， 203...像素特定部，204...边界特定部，205...判断部，206...更新部，207...驱动部， 1000...电子书阅读器，1001...框，1002···盖，1003···操作部，1100...手表，TB...驱动表，TBl TB12...表，Xl )(m...数据信号，Yl Ym...扫描信号，Pij...像素，Aij...存储区域，Bij...存储区域，Cij...存储区域，Dij...存储区域，Eij...存储区域，Fij...存储区域，Gij...存储区域
具体实施例方式第1实施例显示装置100的构成图1是本发明的一实施例的显示装置100的硬件构成的框图。显示装置100是电泳方式的显示装置，具备显示部1、控制器2、控制部3、VRAM (Video RAM) 4及RAM (Random Access Memory) 5。显示装置100的各部分通过总线9连接。控制器2与显示装置100的控制装置相当。另外，也可以将控制器2、控制部3合并的部分定义为显示装置100的控制装置。或者，也可以将控制器2、控制部3、VRAM4、RAM5的整体定义为显示装置100的控制
直ο显示部1具有具备存储性的显示元件，是即使不向显示元件施加电压也可维持已显示的图像的显示器件。本实施例中，显示部1具备具有电泳微粒的显示元件，显示黑白的图像。控制器2驱动显示部1，向显示部1输出用于图像显示的各种信号。控制部3是具备 CPU (Central Processing Unit)、ROM (Read Only Memory)、RAM 等的微计算机，控制显示装置100的各部分。另外，控制部3访问VRAM4，将各种数据写入VRAM4。VRAM4是存储表示在显示部1显示的图像的图像数据的存储器。RAM5是存储在用于显示部1显示图像时所采用的数据的存储器，设置有写入数据存储区域6、预定图像数据存储区域7、暂时存储区域8A 及边界数存储区域8B。另外，在写入数据存储区域6，设有对于显示部1的各像素存储表示从黑到白变更显示状态的工作是否在进行中的数据(第1写入数据)的白写入数据存储区域6A和对于各像素存储表示从白到黑变更显示状态的工作是否在进行中的数据(第2 写入数据)的黑写入数据存储区域6B。
显示部1的构成图2是显示部1的截面的示图。另外，图3是显示部1的电路的构成的说明图，图 4是显示部1具备的像素驱动电路的构成的说明图。显示部1如图2所示，大致由第1基板 10、电泳层20、第2基板30构成。第1基板10是在具有绝缘性及柔性的基板11上形成了电路层的基板。基板11在本实施例中由聚碳酸酯形成。另外，作为基板11，不限于聚碳酸酯，可以采用具有轻质量性、柔性、弹性及绝缘性的树脂材料。另外，基板11也可以由不具有柔性的玻璃形成。在基板11的表面设置有粘接层11a，在粘接层Ila的表面层叠有电路层12。电路层12具有在横方向排列的多条扫描线64和与各扫描线保持电绝缘地设置的在纵方向排列的多条数据线65。另外，电路层12对应于扫描线64与数据线65的交叉处的各个，具有像素电极13a(第1电极)和包括TFT (ThinFilm Transistor)的像素驱动电路。电泳层20由粘结剂22和通过粘结剂22固定的多个微囊21构成，在像素电极13a 上形成。另外，在微囊21和像素电极13a之间，也可以设置由粘接剂形成的粘接层。作为粘结剂22，只要与微囊21的亲和性良好且与电极的紧密附着性优良，且具有绝缘性，则没有特别限制。微囊21内收置了分散介质和电泳微粒。作为构成微囊21的材料，优选采用阿拉伯树胶·明胶系的化合物、尿烷系的化合物等具有柔软性的材料。作为分散介质21，能够使用水、醇类溶剂(甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、辛醇、甲基溶纤剂等)、酯类(醋酸乙酯、醋酸丁酯等)、酮类(丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮等)、脂肪族烃(戊烷、己烷、辛烷等)、脂环式烃(环己烷、甲基环己烷等)、芳香族烃(苯、甲苯、具有长链烷基的苯类(二甲苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯等))、卤代烃(二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、1，2- 二氯乙烷等)、 羧酸盐等的任一种，也可以使得分散介质为其他的油类。这些物质能够单独使用或混合使用来用作分散介质，进而也可以配合表面活性剂等。电泳微粒是具有在分散介质中通过电场而移动的性质的微粒(高分子或者胶体)。本实施例中，在微囊21内收置有白的电泳微粒和黑的电泳微粒。黑的电泳微粒例如是包括苯胺黑和/或炭黑等的黑色颜料的微粒，本实施例中带正电。白的电泳微粒例如是包括二氧化钛和/或氧化铝等的白色颜料的微粒，本实施例中带负电。第2基板30由膜31和在膜31的底面形成的透明电极层32 (第2电极)构成。膜 31起到电泳层20的密封及保护的作用，例如是聚对苯二甲酸乙二醇酯的膜。膜31透明且具有绝缘性。透明电极层32例如由氧化铟膜(ΙΤ0膜)等的透明导电膜构成。接着，说明显示部1具备的电路。控制器2输出用于在显示区域55显示图像的信号和/或用于驱动显示部1的各种信号。在图3所示的显示区域55，设置有沿纵方向平行排列的多条数据线65和沿横方向平行排列的多条扫描线64。另外，在显示区域55，与数据线65和扫描线64的交叉处对应设置有像素驱动电路。图4是像素驱动电路的构成的说明图。另外，本实施例中，为了区别各扫描线64， 有时将图3所示的扫描线从上到下按顺序称为第1、2、3、…、(m-l)、m行。同样，为了区别各数据线65，有时将图3所示的数据线从左到右按顺序称为第1、2、3、…、(n-l)、n列。图4中，表示了与第1行的扫描线64和第1列的数据线65的交叉处对应的像素驱动电路。对于其他数据线65和扫描线64的交叉处也设置有相同的像素驱动电路，但是
10由于各像素驱动电路的构成相同，这里，代表性地说明与第1行的数据线和第1列的扫描线的交叉处对应的像素驱动电路，将其他像素驱动电路的说明省略。像素驱动电路中，晶体管61的栅与扫描线64连接，晶体管61的源与数据线连接。 另外，晶体管61的漏与像素电极13a连接。像素电极13a与透明电极层32对置，在像素电极13a和透明电极层32之间夹着电泳层20。位于该一个像素电极13a和透明电极层32之间的微囊21成为显示部1中的一个像素。另外，像素驱动电路中，保持电容63与电泳层20 并联。另外，透明电极层32的电位设为预定的电位Vcom。扫描线驱动电路53与显示区域55的各扫描线64连接，向第1、2、…、m行的扫描线64供给扫描信号Y1、Y2、…、Ym。具体地说，扫描线驱动电路53按第1、2、…、m行的顺序选择扫描线64，将选择的扫描线64的扫描信号的电压设为选择电压VH (H电平)，将未选择的扫描线的扫描信号的电压设为非选择电压VL(L电平)。数据线驱动电路M与显示区域的各数据线连接，向第1、2、…、η列的数据线65 供给数据信号XI、Χ2、···、&。对与电位成为选择电压VH的扫描线64连接的像素驱动电路，从数据线65供给数据信号。具体地说，扫描线64成为H电平后，栅与该扫描线64连接的晶体管61成为导通状态，像素电极13a与数据线65连接。因而，扫描线64为H电平时， 向数据线65供给数据信号后，该数据信号经由成为导通状态的晶体管61向像素电极13a 施加。扫描线64成为L电平后，晶体管61成为截止状态，但是，通过数据信号对像素电极 13a施加的电压在保持电容63蓄积，相应于像素电极13a的电位及透明电极层32的电位的电位差(电压)，电泳微粒移动。例如，相对于透明电极层32的电位Vcom，像素电极13a的电位为+15V的场合，带负电的白的电泳微粒向像素电极13a侧移动，带正电的黑的电泳微粒向透明电极层32侧移动，像素成为黑的显示。另外，相对于透明电极层32的电位Vcom，像素电极13a的电位为-15V的场合，带正电的黑的电泳微粒向像素电极13a侧移动，带负电的白的电泳微粒向透明电极层32侧移动，像素成为白的显示。另外，以下的说明中，将扫描线驱动电路53选择第1行的扫描线后到第Y行的扫描线的选择结束为止的期间称为“帧期间”或简称为“帧”。各扫描线64在一帧中各被选择一次，在一帧中向各像素驱动电路各供给一次数据信号。另外，本实施例中，各像素的显示状态从白(低浓度)向黑(高浓度)或从黑向白变化时，不是仅仅在1帧中驱动像素驱动电路而使显示状态变化，而是在多个帧中通过对像素施加电压的写入工作使显示状态变化。这是因为，显示状态从白向黑变化时，即使仅仅在1帧中向电泳微粒提供电位差，黑的电泳微粒不会完全移动到显示侧，显示状态不会成为完全黑。该情况对于显示状态从黑向白变化时的白的电泳微粒也同样。因此，例如，像素的显示状态从白向黑变化的场合，用于使像素进行黑显示的数据信号在多个帧中供给到像素驱动电路，像素的显示状态从黑向白变化的场合，用于使像素显示白的数据信号在多个帧中被供给。本实施例中，可将1帧内的某像素的像素电极13a设为相对于透明电极层32电位较高的正极，将相同帧内的其他像素的像素电极13a设为相对于透明电极层32电位较低的负极。即，成为在1帧内可选择相对于透明电极层32为正极和负极的两方的极的驱动(以下，称为两极驱动)。
控制器2的构成接着，说明控制器2的构成。图5是控制器2中实现的功能的框图。控制器2中， 实现了选择部201、数据读入部202、像素特定部203、边界特定部204、判断部205、更新部 206及驱动部207。另外，这些各部分既可以由硬件实现，也可以在控制器2设置CPU、通过由该CPU执行程序而实现各部分。选择部201是按行为单位依次选择多行多列配置的像素的模块。数据读入部202 是读入VRAM中存储的图像数据的模块。像素特定部203是比较数据读入部202读入的数据和在预定图像数据存储区域7存储的数据，特定新变更显示状态的像素的模块。边界特定部204，是在选择部201所选择的行的像素中特定被施加不同于相邻行的像素的电压的像素，特定该特定的像素和与该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界的模块。判断部205是判断由边界特定部204特定的边界的数(边界数)是否在预定阈值以上的模块。更新部206是控制像素的写入工作的开始的模块。驱动部207 是控制扫描线驱动电路53和数据线驱动电路M以对像素电极13a供给数据信号的模块。实施例的工作接着，说明显示装置100的工作。另外，图8以下，图像A表示显示部1中正在显示的图像。另外，像素Pij表示一个像素。这里，标记i表示矩阵状配置的像素的行编号，j表示列编号，以下，特定像素进行说明的场合，例如将第1行1列的像素称为像素P11。另外， 图像A中，对于各像素，为了能容易理解灰度，将从黑到白的8级灰度用0到7的数字表示， 但是实际上不显示该数字。另外，显示部1中，像素存在于m条扫描线64和η条数据线65 的每个交叉处，但为了防止图面繁杂，以下的说明中，以显示部1由4行4列的像素Pll Ρ44构成的场合为例进行工作说明。另外，在图示了图像A的内容的图面中，也图示了 VRAM4中与像素Pll Ρ44对应的存储区域Aij的内容、预定图像数据存储区域7中与像素Pll Ρ44对应的存储区域 Bij的内容、白写入数据存储区域6Α中与像素Pll Ρ44对应的存储区域Cij的内容及黑写入数据存储区域6Β中与像素Pll Ρ44对应的存储区域Dij的内容。另外，各存储区域的标记i表示矩阵状配置的存储区域的行编号，j表示列编号。例如，特定像素和存储区域进行说明的场合，例如第1行1列的存储区域Aij称为存储区域All、第1行1列的像素称为 P11。另外，图示了图像A的内容的图面中，也图示了边界数存储区域8B的内容。边界数存储区域8B中，与多行的像素的行间对应地设置存储区域。另外，存储区域Gi的标记i 表示存储区域的行编号。本实施例中，对于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i_l行的电压的像素，将特定的像素和第i-Ι行的像素的边界的数的合计在存储区域G i存储。另外，对于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i+Ι行的电压的像素，将特定的像素和第i+Ι行的像素的边界的数的合计在存储区域Gi+Ι存储。另外，对于多行像素的最初的行(第1行)， 由于第i_l行不存在，因此将最初的行中对像素电极13a施加电压的像素的数在Gl存储。 另外，对于多行像素的最后的行(第4行)，由于第i+Ι行不存在，因此将最后的行中对像素电极13a施加电压的像素的数在G5存储。在VRAM4的存储区域All A44存储在显示部1显示的图像的各像素的灰度，在预定图像数据存储区域7的存储区域Bll B44，关于在显示部1显示的预定的图像存储各像素的灰度。在白写入数据存储区域6A的存储区域Cll C44，将使像素Pll P44为白为止所必要的电压的施加次数作为第1写入数据存储，在黑写入数据存储区域6B的存储区域Dl 1 D44，将使像素Pl 1 P44为黑为止所必要的电压的施加次数作为第2写入数据存储。另外，第1写入数据及第2写入数据若不为0则表示对像素的改写工作在进行中，为0 则表示对像素的改写工作结束。控制器2在进行像素的驱动时进行图6、7所示的处理。首先，控制器2将变量i、 j的值初始化为1 (步骤SA1、SA2)。接着控制器2选择多行多列配置的像素中的第i行，进行更新与所选择的第i行的像素相关的存储区域的内容的处理(步骤SA3)。S卩，这里控制器2的选择部201起作用。步骤SA3中，控制器2首先将预定图像数据存储区域7的第i行的数据复制到暂时存储区域8A (步骤SBl)。接着，控制器2选择由变量i、j特定的像素Pij (步骤SB2)。 例如，变量i的值为1且变量j的值为1的场合，选择像素P11。接着，控制器2判断在选择的像素Pij所对应的存储区域Cij存储的第1写入数据和在存储区域Dij存储的第2写入数据的两方是否为0(步骤SB!3)。控制器2在与选择的像素Pij对应的存储区域Cij的第 1写入数据和存储区域Dij的第2写入数据的两方为0的场合(步骤SB3中为“是”)，向步骤SB5转变，在第1写入数据和第2写入数据的一方不是0的场合(步骤SB3中为“否”)， 向步骤SB4转变。向步骤SB4转变后，控制器2将存储区域Cij中存储的第1写入数据或存储区域Dij中存储的第2写入数据中的值为0以外的数据减1。另外，值成为0的第1写入数据或第2写入数据不减1。另一方面，控制器2向步骤SB5转变后，读入存储区域Aij中存储的数据(数据读入部20 ，与存储区域Bij中存储的数据比较。这里，控制器2在两者不同的场合(步骤 SB5中为“否”)，将像素Pij特定为新变更显示状态的像素(像素特定部20 ，更新所特定的像素Pij相关的数据。具体地说，控制器2 (更新部206)向写入数据存储区域6写入将像素Pij的灰度变更为存储区域Aij的灰度为止所必要的对像素的电压施加次数(步骤 SB6)。另外，控制器2用存储区域Aij中存储的内容覆写存储区域Bij的内容(步骤SB7)。接着，控制器2判断变量j的值是否与数据线的条数η相同(步骤SB8)。这里变量j的值若不与η相同(步骤SB8中为“否”)，则将变量j的值加1 (步骤SB9)，向步骤SB2 转变。另一方面，控制器2在变量j的值为η的场合(步骤SB8中为“是”)，对于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i-ι行的电压的像素，将特定的像素和第i-ι行的像素的边界的数的合计在存储区域Gi存储。另外，对于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i+Ι行的电压的像素，将特定的像素和第i+Ι行的像素的边界的数的合计在存储区域 Gi+Ι存储(步骤SBlO (边界特定部204))。接着，控制器2合计在边界数存储区域8B存储的值，判断合计值是否在预定阈值以上(步骤SBll (判断部20 )。控制器2在合计值不足阈值的场合(步骤SBll中为 “否”)，向步骤SA4转变。另一方面，控制器2 (更新部206)在合计值为阈值以上的场合(步骤SBll中为“是”)，改写存储区域的第i行的内容(步骤SBU)。具体地说，对于预定图像数据存储区域7，用在暂时存储区域8A存储的内容覆写。另外，对于白写入数据存储区域
136A和黑写入数据存储区域6B，关于存储有7的存储区域将内容改写为0。控制器2向步骤SA4转变后，判断变量i的值是否与扫描线的条数m相同。这里变量i的值若不是m(步骤SA4中为“否”)，则将变量i的值加1 (步骤SA5)，向步骤SA2转变。变量i的值为m的场合(步骤SA4中为“是”)，控制器2控制扫描线驱动电路53和数据线驱动电路讨，驱动像素驱动电路(步骤SA6 (驱动部207))。接着，参照图面，说明向VRAM4写入图像数据后到图像数据的图像在显示部1显示为止的显示部1中的显示的变化、VRAM4的内容的变化、RAM5的内容的变化。显示部1的显示和VRAM4、写入数据存储区域6、预定图像数据存储区域7及边界数存储区域8B的状态成为图8的状态时，若控制部3向VRAM4写入图像数据，则相应于图像数据使VRAM4的状态成为图9所示的状态。在图9的状态下，当在步骤SB2中选择像素 Pll时，在步骤SB3判断为“是”，在步骤SB5判断为“否”。存储区域Bll的内容表示黑，存储区域Al 1的内容表示白，因此像素Pll从黑变更到白，在步骤SB6中向存储区域Cl 1写入 7，在步骤SB7中将存储区域All的内容写入存储区域B11。接着，选择像素P12后，在步骤 SB3判断为“是”，在步骤SB5判断为“否”。从而，在步骤SB6向存储区域C12写入7，在步骤SB7中将存储区域A12的内容写入存储区域B12，成为图10所示的状态。然后，继续进行处理，在步骤SB8判断为“是”后，控制器2进行步骤SBlO的处理。 具体地说，首先，控制器2特定在白写入数据存储区域6A的第i行存储有0以外的值的各存储区域中的、在相邻的第i-Ι行的存储区域存储有0的存储区域，和在白写入数据存储区域6A的第i行存储有0的各存储区域中的、在相邻的第i_l行的存储区域存储有0以外的值的存储区域。然后，在所特定的存储区域对应的像素中，特定与第i_l行的边界。另外， 控制器2特定在白写入数据存储区域6A的第i行存储有0以外的值的各存储区域中的、 在相邻的第i+Ι行的存储区域存储有0的存储区域，和在白写入数据存储区域6A的第i行存储有0的各存储区域中的、在相邻的第i+Ι行的存储区域存储有0以外的值的存储区域。 然后，在所特定的存储区域对应的像素中特定与第i+Ι行的边界。另外，控制器2特定在黑写入数据存储区域6B的第i行存储有0以外的值的各存储区域中的、在相邻的第i-Ι行的存储区域存储有0的存储区域，和在黑写入数据存储区域6B的第i行存储有0的各存储区域中的、在相邻的第i-Ι行的存储区域存储有0以外的值的存储区域。然后，在所特定的存储区域对应的像素中特定与第i_l行的边界。另外，控制器2特定在黑写入数据存储区域6B的第i行存储有0以外的值的各存储区域中的、在相邻的第i+Ι行的存储区域存储有0的存储区域，和在黑写入数据存储区域6B的第i行存储有0的各存储区域中的、在相邻的第i+Ι行的存储区域存储有0以外的值的存储区域。然后，在所特定的存储区域对应的像素中特定与第i+Ι行的边界。如后述，在白写入数据存储区域6A中存储有0以外的值的存储区域所对应的像素中，以相对于透明电极层32的电位Vcom成为-15V的方式对像素电极13a施加电压。这里， 在相邻的第i_l行和/或第i+Ι行的存储区域存储有0的场合，该相邻的存储区域所对应的像素的像素电极13a中，被施加相对于透明电极层32的电位Vcom为-15V以外的电压。 另外，在白写入数据存储区域6A中存储有0的存储区域所对应的像素中，以相对于透明电极层32的电位Vcom使电位差成为-15V以外的方式对像素电极13a施加电压。这里，相邻的第i_l行和/或第i+Ι行的存储区域存储有O以外的值的场合，在该相邻的存储区域所对应的像素中，以相对于透明电极层32的电位Vcom使像素电极13a的电位差成为-15V的电压的方式施加电压。另外，在黑写入数据存储区域6B中存储有O以外的值的存储区域所对应的像素中，以相对于透明电极层32的电位Vcom成为+15V的方式对像素电极13a施加电压。这里，相邻的第i_l行和/或第i+Ι行的存储区域存储有O的场合，在该相邻的存储区域所对应的像素中，施加相对于透明电极层32的电位Vcom为+15V以外的电压。另外，在黑写入数据存储区域6B中存储有O的存储区域所对应的像素中，以相对于透明电极层32的电位 Vcom使电位差成为+15V以外的方式对像素电极13a施加电压。这里，相邻的第i_l行和/ 或第i+Ι行的存储区域存储有O以外的值的场合，在该相邻的存储区域所对应的像素中，以相对于透明电极层32的电位Vcom使像素电极13a的电位差成为+15V的电压的方式施加电压。S卩，在相对于在第i行存储有O以外的值的存储区域而在第i_l行和/或第i+1 行中在相邻的存储区域存储有O的场合，和/或在相对于在第i行存储有O的存储区域而在第i-ι行和/或第i+ι行中在相邻的存储区域存储有O以外的值的场合，在第i行的存储区域所对应的像素中，被施加不同于对第i-Ι行和/或第i+Ι行施加电压时的电压。艮口， 第i行的像素中，与这些相邻的像素的边界可以称作是消耗功率的部分。因此，若特定该消耗功率的边界部分、对所特定的部分的数目进行计数，则可估计图像的显示中消耗的功率。例如，i = 1的场合，对于第1行，在各存储区域的内容更新结束的时刻，各存储区域的内容成为图10所示的状态。图10中，存储区域Cll、C12存储了 7，因此，控制器2特定该存储区域Cll、C12。这里，图10的图像A中，第1行的上侧的阴影部分可以认为是消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域Gl存储。另外，若比较第 i行(第1行)和第i+Ι行(第2行)，则在图10中在存储区域Cll存储了 7，在与存储区域Cll相邻的存储区域C21存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域C11。另外，在存储区域C12存储了 7，在与存储区域C12相邻的存储区域C22存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域C12。这里，图10的图像A的第1行和第2行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域G2存储。这里，边界数存储区域8B 的内容如图10所示，变更为在存储区域Gl存储2、在存储区域G2存储2的状态。接着，控制器2判断边界数存储区域8B存储的值的合计是否在预定阈值以上(步骤SB11)。例如，边界数存储区域8B存储的数的合计若在10以上，则消耗功率超出显示装置100的电源电路可供给的功率的供给量，在无法施加使像素的显示状态变化所需的电压的场合，将阈值的数设定成10。这里，边界数存储区域8B存储的值的合计值为4，因此，在步骤SBll判断为“否”，向步骤SA4转变。接着，进行步骤SA5的处理，i = 2，进行处理直到在步骤SB8判断为“是”为止后， 存储区域的内容成为图11所示的状态。这里，进行步骤SBlO的处理后，在存储区域C21、 C22存储了 7，在存储区域C31、C32存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域C21、C22。这里，图11的图像A的第2行和第3行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域G3存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图11所示，变更为在存储区域G 3存储2的状态。另外，第1行和第2行之间，没有被特定的部分， 因此在存储区域G2存储O。
接着，控制器2进行步骤SBl 1的处理，但是，在此时刻，边界数存储区域8B存储的值的合计值为4，因此在步骤SBll判断为“否”，向步骤SA4转变。接着，进行步骤SA5的处理，i = 3，进行处理直到在步骤SB8判断为“是”为止后， 存储区域的内容成为图12所示的状态。这里，步骤SBlO的处理进行后，存储区域的第2行和第3行之间，在存储区域C21、C22存储了 7，在存储区域C31、C32存储了 0，因此，控制器 2特定该存储区域C31、C32。另外，存储区域D33、D34存储了 7，存储区域D23、DM存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域D33、D34。这里，图12的图像A的第2行和第3行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“4”在存储区域G3 存储。另外，存储区域的第3行和第4行之间，在存储区域D33、D34存储了 7，在存储区域 D43、D44存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域D33、D34。这里，图12的图像A的第3 行和第4行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2” 在存储区域G4存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图12所示，变更了存储区域G3和存储区域G4的内容。接着，控制器2进行步骤SBl 1的处理，但是，在此时刻，边界数存储区域8B存储的值的合计值为8，因此在步骤SBll判断为“否”，向步骤SA4转变。接着，进行步骤SA5的处理，i = 4，进行处理直到在步骤SB8判断为“是”为止后， 存储区域的内容成为图13所示的状态。这里，步骤SBlO的处理进行后，存储区域D43、D44 存储了 7，因此，控制器2特定该存储区域D43、D44。这里，图13的图像A中第4行的下侧的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域G5 存储。另外，第3行和第4行之间，没有被特定的部分，因此，在存储区域G4存储0。这里， 边界数存储区域8B的内容如图13所示，变更了存储区域G4和存储区域G5的内容。 接着，控制器2进行步骤SBl 1的处理，但是，在此时刻，边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SBll判断为“否”，向步骤SA4转变。然后，步骤SA6的处理进行后，在像素Pll对应的像素驱动电路(与第1行的扫描线64和第1列的数据线65的交叉处对应的像素驱动电路)中，存储区域Cll的内容为0 以外的值，因此，扫描线64被选择时以使得像素电极13a的电位相对于透明电极层32的电位Vcom成为-15V的方式对数据线65施加电压。另外，在像素P12、P21、P22对应的像素驱动电路中，存储区域C12、C21、C22的内容也为0以外的值，因此，扫描线64被选择时以使得像素电极13a的电位相对于透明电极层32的电位Vcom成为-15V的方式对数据线65施加电压。另外，与像素P33对应的像素驱动电路(与第3行的扫描线64和第3列的数据线 65的交叉处对应的像素驱动电路)中，存储区域D33的内容为0以外的值，因此，扫描线64 被选择时以使得像素电极13a的电位相对于透明电极层32的电位Vcom成为+15V的方式对数据线65施加电压。另外，与像素P34、P43、P44对应的像素驱动电路中，存储区域D34、 D43、D44的内容也为O以外的值，因此扫描线64被选择时以使得像素电极13a的电位相对于透明电极层32的电位Vcom成为+15V的方式对数据线65施加电压。另外，对于其他像素，白写入数据存储区域6A中对应的存储区域的内容为0，且黑写入数据存储区域6B中对应的存储区域的内容为0，因此，扫描线64被选择时以使得像素电极13a的电位和透明电极层32的电位Vcom的差成为OV的方式对数据线65施加电压。这样，对数据线65施加电压后，像素中白微粒和黑微粒移动，显示部1的显示成为图14所示的状态。步骤SA6的处理结束后，控制器2将处理的流程返回步骤SAl。然后，继续处理，图 14的状态下，在步骤SB2中选择像素Pll后，在步骤SB3判断为“否”，从写入存储区域Cll 的值减1，存储区域Cll的内容成为6。接着，选择像素P12后，在步骤SB3判断为“否”，从写入存储区域C12的值减1，存储区域C12的内容成为6。然后，选择直到像素P44为止后， 如图15所示，存储区域C11、C12、C21、C22的内容成为6，存储区域D33、D34、D43、D44的内容成为6。图16是刚从图15所示的状态进行了第2次的步骤SA6的处理后的状态的示图。 这里，如图17所示，考虑改写了 VRAM4的内容的情况。从图17的状态进行处理直到i = 1 时在步骤SB8判断为“是”后，各存储区域的内容成为图18所示的状态。这里，步骤SBlO的处理进行后，图18的图像A中阴影部分被特定为消耗功率的部分，存储区域Gl、G2的内容成为图18所示的状态不变。这里，边界数存储区域8B存储的值的合计值为8，因此在步骤SBll中判断为“否”， 向步骤SA4转变。接着，i = 2，继续处理，在步骤SB2中选择像素P21后，在步骤SB3判断为“否”，在步骤SB4，从写入存储区域C21的值减1，存储区域C21的内容成为4。另一方面， 步骤SB2中，选择像素P23后，在步骤SB3判断为“是”，在步骤SB5判断为“否”。从而，在步骤SB6，向存储区域D23写入7，在步骤SB7，将存储区域A23的内容写入存储区域B23。这样，VRAM4的内容即使从白改写为黑，对于向白的改写进行中的像素，继续进行向白的改写， 对于改写不在进行中的像素，在黑写入数据存储区域6B存储第2写入数据。然后，处理进行直到在步骤SB8判断为“是”为止后，各存储区域的内容成为图19所示的状态。接着，控制器2进行步骤SBlO的处理。这里，存储区域C21、C22中存储了 4，存储区域C31、C32中存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域C21、C22。另外，存储区域D23、 D24中存储了 7，存储区域C13、C14中存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域C23、C24。 这里，图19的图像A中第1行和第2行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2 将该特定的部分的数目“2”在存储区域G2存储。另外，图19的图像A的第2行和第3行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域 G3存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图19所示，变更了存储区域G2和存储区域G3 的内容。这里，在此时刻，边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SBll判断为“否”，向步骤SA4转变。然后，从图19的状态进行处理直到i = 3时在步骤SB8判断为“是”为止后，各存储区域的内容成为图20所示的状态。这里，步骤SBlO的处理进行后，图20的图像A中第2行和第3行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域G3存储。另外， 图20的图像A中第3行和第4行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域G4存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图20所示， 变更了存储区域G3和存储区域G4的内容。这里，边界数存储区域8B中存储的值的合计成为10，因此，在步骤SBll判断为 “是”。在步骤SBll判断为“是”后，控制器2在存储区域C31 C34及存储区域D31 D34中存储7的存储区域存储0。另外，将存储区域B31 B34用暂时存储区域中所存储的内容覆写(步骤SB12)。从而，存储区域的内容成为图21所示的状态。即，第3行的像素中， 对于改写进行中的像素(像素P33、P34)，继续进行改写。另外，对于要新改写的像素P31、 P32，由于如果改写开始则消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量，因此使改写推迟。从图21的状态进行处理直到i = 4时在步骤SB8判断为“是”为止后，存储区域的内容成为图22所示的状态。这里，步骤SBlO的处理进行后，存储区域G4的内容成为0。 然后，在步骤SBll判断为“否”，向步骤SA4转变。然后，步骤SA6的处理进行后，显示部1的状态成为图23所示的状态，对于改写进行中的像素，继续执行进行中的改写，对于未进行改写的像素，新开始像素的改写。另外，对于如果改写开始则消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量的像素，推迟像素的改写。进一步进行处理，对于先开始改写的像素(像素P11、P12、P21、P22、P33、P34、P43、 P44)，使第1写入数据和第2写入数据的值成为1，步骤SA6的处理进行后，各存储区域和显示部1的显示成为图M所示的状态。从图M的状态进行处理直到i = 1时在步骤SB8判断为“是”后，存储区域C11、 C12的内容如图25所示成为0。这里，步骤SBlO的处理进行后，图25中图像A的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“4”在存储区域G2存储。这里，边界数存储区域8B的内容成为图25所示。此时刻的边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SBll判断为 “否”，向步骤SA4转变。从图25的状态进行处理直到i = 2时在步骤SB8判断为“是”为止后，如图26所示，存储区域C21、C22的内容成为0。这里，步骤SBlO的处理进行后，图沈的图像A中阴影部分被特定为消耗功率的部分。这里，边界数存储区域8B的内容成为图沈所示。此时刻的边界数存储区域8B中存储的值的合计值为4，因此在步骤SBll判断为 “否”，向步骤SA4转变。从图沈的状态进行处理直到i = 3时在步骤SB8判断为“是”为止后，如图27所示，存储区域D31、D32的内容成为7，存储区域D33、D34的内容成为0。这里，步骤SBlO的处理进行后，图27中图像A的阴影部分被特定为消耗功率的部分，存储区域G3、G4的内容成为图27所示的状态。这里，边界数存储区域8B中存储的值的合计值为10以上，因此在步骤SBll判断为“是”，进行步骤SB12的处理，使存储区域的内容成为图观所示的状态。然后，向步骤SA4转变，i = 4，继续进行处理，进行处理直到在步骤SB8判断为 “是”为止后，存储区域D43、D44的内容成为0。这里，步骤SBlO的处理进行后，存储区域 C41 C44及存储区域D41 D44的内容为0，因此，与相邻行之间，不特定被施加的电压不同的部分，存储区域G4、G5的内容都成为0，各存储区域的内容成为图四所示的状态。然后，步骤SA6的处理进行后，显示部1的状态成为图30所示的状态。然后，向步骤SA4转变，再次成为i = 2，进行处理直到在步骤SB8判断为“是”为止后，存储区域的内容成为图31所示的状态。这里，步骤SBlO的处理进行后，图31的图像 A中阴影部分被特定为消耗功率的部分，存储区域G2、G3的内容成为图31所示的状态。
另外，从图31的状态进行处理直到i = 3时在步骤SB8判断为“是”为止后，如图 32所示，存储区域D31、D32的内容成为7。这里，步骤SBlO的处理进行后，图32的图像A中阴影部分被特定为消耗功率的部分，存储区域G3、G4的内容成为图32所示的状态。然后， 步骤SA6的处理进行后，成为图33所示的状态。这里，开始改写被推迟了的像素的改写。根据本实施例，先开始改写的区域和新进行改写的区域即使重叠，对于新开始改写时改写不在进行中的部分，由于改写立即开始，因此使用户感觉到显示速度快。另外，在如果进行像素的改写则消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量的场合，使像素的改写推迟，改写推迟了的像素在消耗功率的峰值不会超出电源电路可供给的功率的供给量后开始改写，因此，可抑制像素的改写时消耗功率的峰值。第2实施例接着，说明本发明的第2实施例的显示装置100A。图34是显示装置100A的硬件构成的示图。另外，以下的说明中，对与第1实施例的显示装置100构成相同的部分附上相同符号，将其说明省略。显示装置100A在变更像素的灰度时的工作不同于第1实施例。控制器2具有驱动表TB。另外，在RAM5设置有表ID存储区域6C和索引存储区域6D。图35是驱动表TB的内容的示图。驱动表TB由通过表ID标识的12个表TBl TB12构成。本实施例中，像素取从黑到白的4级的灰度，各灰度用从0 (黑)按顺序到3 (白) 为止的数字表示。表TBl TB12，在将像素从某灰度向其他灰度变更时被选择，被选择的表根据像素的变更前的灰度和变更后的灰度确定。另外，像素的灰度变更时，多次对像素电极 13a施加电压，而各表存储了表示将像素的灰度从某灰度向某灰度变更时各次中对像素电极13a施加的电压的数据。表中存储的1 8的数字是索引。另外，与各索引对应的“b”、 “w”、“n”这样的数据表示各次中对像素电极13a施加的电压。这里“b”表示施加使与透明电极层32的电位差成为+15V的正的电压的情况，“W”表示施加使与透明电极层32的电位差成为-15V的负的电压的情况。此外，“η”表示将像素电极13a和透明电极层32之间的电位差设为0的情况。接着，说明显示装置100A进行的处理的流程和显示装置100A的工作。另外，由与第2实施例的说明相关的图面图示了存储区域的内容的图，除了 VRAM4和预定图像数据存储区域 的内容外，还图示了表ID存储区域6C中像素Pll P44对应的存储区域Eij的内容及索引存储区域6D中像素Pll P44对应的存储区域Fij的内容。存储区域Ell E44存储了像素的灰度变更时使用的表的表ID。例如，存储1作为表ID的场合，表ID为1 的表TBl在像素的灰度变更时使用。另外，存储区域Fll F44存储了表示参照表中哪一索引的数字。本实施例的控制器2的步骤SA3的处理内容不同于第1实施例。图36是表示本实施例中的步骤SA3的处理内容的流程图。首先，步骤SCl 步骤SC2的处理是与第1实施例的步骤SBl 步骤SB2的处理相同的处理。接着，控制器2判断与所选择的像素Pij对应的存储区域Fij中存储的索引的值是否为0(步骤SC3)。控制器2在这里存储区域Fij 的内容为0的场合(步骤SC3中为“是”)，向步骤SC5转变，在为0以外的值的场合(步骤 SC3中为“否”)，向步骤SC4转变。向步骤SC4转变后，控制器2从存储区域Fij的值减1。向步骤SC5转变后，控制器2比较存储区域Aij中存储的数据和存储区域Bi j中存储的数据。这里，控制器2在两者不同的场合(步骤SC5中为“否”)，从表TBl TB12中
19确定用于将像素的灰度从存储区域Bij中存储的灰度向存储区域Aij中存储的灰度变化的表(步骤SC6)。接着，控制器2向存储区域Eij写入在步骤SC6中所确定的表的表ID，在存储区域Fij写入8 (步骤SC7)。另外，控制器2用存储区域Aij中存储的内容覆写存储区域Bij的内容(步骤SC8)。接下来的步骤SC9、步骤SClO的处理是与第1实施例的步骤SB8、步骤SB9的处理相同的处理。控制器2在步骤SCll中，对于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第 i-1行的电压的像素，将所特定的像素和第i_l行的像素的边界的数的合计在存储区域Gi 存储。另外，对于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i+Ι行的电压的像素，将所特定的像素和第i+Ι行的像素的边界的数的合计在存储区域Gi+Ι存储。接着，控制器2合计在边界数存储区域8B存储的值，判断合计值是否在预定阈值以上(步骤SCU)。控制器2在合计值未满阈值的场合(步骤SC12中为“否”)，向步骤SA4 转变。另一方面，控制器2在合计值为阈值以上的场合(步骤SC12中为“是”)，改写存储区域的第i行的内容(步骤SC13)。接着，参照图面，说明驱动像素时的工作的一例。另外，以下的说明中，如图37所示，假定向VRAM4写入了图像数据的状态来进行说明。在图37所示的状态，进行步骤SA3的处理，当在步骤SC2中选择像素Pll后，在步骤SC3判断为“是”，在步骤SC5判断为“否”。接着，步骤SC6中，存储区域Bll的内容为0 且存储区域All的内容为3，因此，作为变更像素Pll的灰度所使用的表，确定为将灰度从 0变更到3的表TB10。接着，将在步骤S6中确定的表的表ID写入存储区域E11，向存储区域Fll写入8(步骤SC7)，将存储区域Bll的内容用存储区域All的内容覆写(步骤SC8)。 接着，当选择像素P12后，在步骤SC3判断为“是”，在步骤SC5判断为“否”。然后，确定表 TB10,将表ID写入存储区域E12，向存储区域F12写入8 (步骤SC7)，将存储区域B12的内容用存储区域A12的内容覆写(步骤SC8)。这里，存储区域的内容成为图38所示的状态。然后，继续进行处理，在步骤SC9判断为“是”后，控制器2进行步骤SCll的处理。 这里，控制器2对于第i行的像素，参照存储区域Eij和存储区域Fi j，特定对各像素施加的电压。接着，控制器2对于第i-Ι行的像素，参照表ID存储区域6C和索引存储区域6D， 特定对各像素施加的电压。另外，控制器2对于第i+Ι行的像素，参照表ID存储区域6C和索引存储区域6D，特定对各像素施加的电压。接着，控制器2在第i行的像素中，特定被施加不同于第i-i行的电压的像素，并在所特定的像素中特定与第i-i行的边界。该特定的边界部分如第1实施例所说明的那样，是消耗功率的部分。此外，控制器2在第i行的像素中，特定被施加不同于第i+Ι行的电压的像素，在所特定的像素中特定与第i+Ι行的边界。 该特定的边界部分，如第1实施例所说明的那样，是消耗功率的部分。例如，图38所示的状态的场合，像素P11、P12中，对像素电极13a施加使其与透明电极层32的电位差为-15V的负的电压，像素P21、P22中，对像素电极13a施加使其与透明电极层32的电位差为OV的电压。像素Pll和像素P21中，对像素电极13a施加的电压不同，像素P12和像素P22中，对像素电极13a施加的电压不同，因此，控制器2特定该像素 Pll与P21的边界部分及像素P12与像素P22的边界部分(图38的图像Pij的第1行和第2行之间的阴影部分)为消耗功率的部分。另外，将图38的显示部的第1行之上的阴影部分特定为消耗功率的部分。控制器2将特定的边界部分的数在存储区域Gi和存储区域Gi+Ι存储后，边界数存储区域8B的内容成为图38所示的状态。接着，控制器2判断边界数存储区域8B中存储的值的合计是否在预定阈值以上 (步骤SC12)。这里，与第1实施例同样，阈值为10的场合，此时刻的边界数存储区域8B中存储的值的合计值为4，因此在步骤SC12判断为“否”，向步骤SA4转变。接着，进行步骤SA5的处理，i = 2，进行处理直到在步骤SC9判断为“是”为止后， 各存储区域的内容成为图39所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图39的显示部的阴影部分为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域G3 存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图39所示，变更为在存储区域G3存储有2的状态。另外，第1行和第2行之间，没有被特定的部分，因此在存储区域G2存储0。接着，进行步骤SA5的处理，i = 3，进行处理直到在步骤SC9判断为“是”为止后， 各存储区域的内容成为图40所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图40的显示部中阴影部分为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数在存储区域G3、G4存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图40所示，成为在存储区域G3存储4、在存储区域 G4存储2的状态。接着，控制器2进行步骤SC12的处理，而此时刻边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SC12判断为“否”，向步骤SA4转变。接着，进行步骤SA5的处理，i = 4，进行处理直到在步骤SC9判断为“是”为止后， 各存储区域的内容成为图41所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图41的显示部中阴影部分为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数在存储区域G4、G5存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图41所示，成为在存储区域G4存储0、在存储区域 G5存储2的状态。进一步进行处理后，进行步骤SA6的处理。这里，对于像素Pl 1，在存储区域El 1存储的表ID是10，在存储区域Fl 1存储的索引是8。对于像素P11，表TB10中索引的8对应的数据是 ”，因此，以使得像素电极13a的电位相对于透明电极层32成为-15V的方式驱动像素驱动电路。另外，对于像素P33，在存储区域E33存储的表ID是3，在存储区域Fll 存储的索引是8。对于像素P33，表TB3中索引的8对应的数据是“b”，因此，以使得像素电极13a的电位相对于透明电极层32成为+15V的方式驱动像素驱动电路。另外，对于索引成为0的存储区域所对应的像素，使透明电极层32和像素电极13a的电位差为0V。图42是刚从图41所示的状态进行了第2次的步骤SA6的处理后的状态的示图。 这里，如图43所示，考虑改写了 VRAM4的内容的情况。从图43的状态进行处理直到i = 1时在步骤SC9判断为“是”为止后，各存储区域的内容成为图44所示的状态。这里，步骤 SCll的处理进行后，特定图44的显示部中阴影部分为消耗功率的部分，存储区域G1、G2的内容成为图44所示的状态。这里，边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SC12判断为“否”， 向步骤SA4转变。接着，i = 2，继续进行处理，在步骤SC2中选择像素P21后，在步骤SC3 判断为“否”，在步骤SC4从写入存储区域F21的值减1，存储区域F21的内容成为5。另一方面，步骤SC2中，选择像素P23后，在步骤SC3判断为“是”，在步骤SC5判断为“否”。从而，在步骤SC7，向存储区域F23写入8，向存储区域E23写入3。另外，在步骤SC8，将存储区域A23的内容写入存储区域B23。这样，VRAM4的内容即使从白改写到黑，对于向白的改写正在进行中的像素，继续进行向白的改写，对于改写不在进行中的像素，向对应的存储区域Eij及存储区域Fij新写入数据。然后，进行处理直到在步骤SC9判断为“是”为止后，使得各存储区域的内容成为图45所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图45的显示部中阴影部分为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数在存储区域G2、G3存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图45所示，变更了存储区域G2和存储区域G3的内容。这里，在此时刻，边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SC12判断为“否”，向步骤SA4转变。然后，进行处理直到i = 3时在步骤SC9判断为“是”为止后， 各存储区域的内容成为图46所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图46的显示部中阴影部分为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数在存储区域G3、G4存储。 这里，边界数存储区域8B的内容如图46所示，变更了存储区域G3和存储区域G4的内容。这里，边界数存储区域8B中存储的值的合计为10，因此，在步骤SC12判断为“是”。 在步骤SC12判断为“是”后，控制器2在存储区域F31 F34中，在存储8的存储区域存储 0。另外，将存储区域B31 B34用暂时存储区域中存储的内容覆写(步骤SC13)。从而， 存储区域的内容成为图47所示的状态。即，第3行的像素中，对于改写正在进行中的像素 (像素P33、P34)，继续进行改写。另外，对于要新改写的像素P31、P32，由于如果开始改写则消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量，因此推迟改写。从图47的状态进行处理直到i = 4时在步骤SC9判断为“是”为止后，各存储区域的内容成为图48所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，存储区域G4的内容成为 0。然后，在步骤SC12判断为“否”，向步骤SA4转变。然后，步骤SA6的处理进行后，对于在VRAM4中改写了内容的部分所对应的像素， 对于改写正在进行中的像素继续执行进行中的改写，对于未进行改写的像素，新开始像素的改写。另外，对于如果开始改写则消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量的像素，不开始像素的改写。进一步进行处理后，对于先开始改写的像素(像素P11、P12、P21、P22、P33、P34、 P43、P44)，如图49所示，存储区域Fij的值成为1。从图49的状态进行处理直到i = 1时在步骤SC9判断为“是”为止后，存储区域F11、F12的内容成为0。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图50中图像A的阴影部分为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“4”在存储区域G2存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图50所示，变更了存储区域Gl和存储区域G2的内容。此时刻的边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SC12判断为 “否”，向步骤SA4转变。从图50的状态进行处理直到i = 2时在步骤SC9判断为“是”为止后，如图51所示，存储区域F21、F22的内容成为0。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图51的显示部中阴影部分为消耗功率的部分。这里，边界数存储区域8B的内容如图51所示，变更了存储区域G2和存储区域G3的内容。此时刻的边界数存储区域8B中存储的值的合计值为4，因此在步骤SC12判断为 “否”，向步骤SA4转变。从图51的状态进行处理直到i = 3时在步骤SC9判断为“是”为止后，如图52所示，存储区域F31、F32的内容成为8，存储区域F33、F34的内容成为0。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图52中显示部的阴影部分为消耗功率的部分，使存储区域G3、G4的内容成为图52所示的状态。这里边界数存储区域8B中存储的值的合计值为10以上，因此在步骤SC12判断为 “是”，进行步骤SC13的处理后，存储区域的内容成为图53所示的状态。然后，向步骤SA4转变，接着i = 4，继续进行处理。从图53的状态进行处理直到在步骤SC9判断为“是”为止后，存储区域F43、F44的内容成为0。这里，步骤SCll的处理进行后，存储区域C41 C44及存储区域D41 D44的内容为0，因此与相邻行之间，不特定被施加的电压不同的部分，存储区域G4、G5的内容都成为0，各存储区域的内容成为图M 所示的状态。然后，向步骤SA4转变，再次使i = 2，进行处理直到在步骤SC9判断为“是”为止后，存储区域的内容成为图55所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图55中显示部的阴影部分为消耗功率的部分，存储区域G2、G3的内容成为图55所示的状态。这里， 边界数存储区域8B中存储的值的合计值不足10，因此在步骤SC12判断为“否”。从图55的状态进行处理直到i = 3时在步骤SC9判断为“是”为止后，如图56所示，存储区域F31、F32的内容成为8。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图56的显示部中阴影部分为消耗功率的部分，使存储区域G3、G4的内容成为图56所示的状态。这里，对于写入推迟了的像素，在对应的存储区域写入表ID和索引，因此在步骤SA6中，对于写入推迟了的像素，开始进行显示状态的变更。本实施例中，先开始改写的区域和新进行改写的区域即使重叠，对于新开始改写时改写不在进行中的部分，由于改写立即开始，因此使用户感觉到显示速度快。另外，本实施例中，在如果进行像素的改写则消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量的场合，使像素的改写推迟，改写被推迟了的像素在消耗功率的峰值不会超出电源电路可供给的功率的供给量后开始改写，因此，可抑制像素的改写时消耗功率的峰值。电子设备接着，说明采用上述实施例的显示装置的电子设备。图57(a)是采用上述实施例的显示装置的电子书阅读器的立体图。该电子书阅读器1000具备书本形状的框1001 ；对该框1001可自由开闭地设置的盖1002 ；操作部1003 ； 以及本发明的实施例的显示装置100。该电子书阅读器1000中，电子书的内容在显示装置 100显示，通过操作操作部1003，对电子书进行翻页。另外，图57(b)是采用上述实施例的显示装置的手表1100的立体图。该手表1100 具备本发明的实施例的显示装置100。该手表1100中，时刻、年月日在显示装置100显示。另外，除此以外，作为可应用上述实施例的显示装置100的电子设备，还可举出电子纸、电子记事本、电子计算器、便携电话机等。变形例以上，说明了本发明的实施例，但是本发明不限于上述实施例，也能以其他各种形态实施。例如，也可以将上述的实施例变形如下地来实施本发明。另外，上述的实施例及以下的变形例也可以各自组合。变形例1上述实施例中，新开始像素的改写后，按像素的每行判断消耗功率的峰值是否超出电源电路可供给的功率的供给量，但是，在对某行进行判断的时刻判断为消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量的场合，也可以推迟该行以后的新像素的改写。变形例2上述实施例中，以显示部1的像素的配置为4行4列的场合为例进行了工作的说明，但是，像素的配置不限于该配置，例如，可设为400行640列等的配置，也可以将步骤 SBll和/或步骤SC12中的阈值设为10以外的值。另外，像素的配置为几十行 几百行的场合，也可以按预定的几行 几十行将显示部1的像素分割为多个区域。另外，也可以对每个该分割的区域确定阈值，对各区域的每个进行上述第1实施例的图6、7的处理或第2实施例的图36的处理。显示部1的像素不分割为多个区域的场合，对于行编号大的像素，使像素的改写推迟的可能性高，存在开始改写的定时推迟的可能性。另一方面，根据将显示部1的像素分割为多个区域的构成，对于各区域中行编号小的像素开始改写的可能性高，因此，可以使用户看到画面整体开始了改写。变形例3上述第2实施例中，对于第i行中显示状态正在更新中的像素和相对于该像素而言在第i_l行中相邻的像素中显示状态正在更新中的像素，基于表ID及索引，特定对像素电极13a施加的电压，在第i行的像素和相对于该像素在第i_l行中相邻的像素中对像素电极13a施加的电压的电位差成为30V的场合，也可以直到施加的电压与第i_l行的像素成为相同为止，对第i行的像素停止像素的显示状态的更新。另外，第2实施例中，逐帧计算消耗功率的边界部分，但是也可以取而代之，基于表ID和索引，对全部的帧预先进行消耗功率的边界的计算。该计算的结果为对于全部的帧而言若边界数存储区域8B中存储的值的合计小于预定阈值，则全部的帧中，任一行的改写都不推迟地执行显示工作即可。另外，上述计算的结果为任一帧中边界数存储区域8B中存储的值的合计为预定阈值以上的场合，不开始显示工作，将预定的行以下的改写推迟到第2 帧以后，重新对全部的帧实施计算。反复进行该工作，在通过以预定的帧数推迟预定的行而使得对于全部的帧而言边界数存储区域8B中存储的值的合计小于预定阈值的场合，开始显示工作。这样，不管表ID和索引如何分布，都可以避免在改写工作的途中发生功率超过界限值的不佳状况。另外，第2实施例中，对于相邻行的相邻像素，基于表ID存储区域6C和索引存储区域6D特定对各像素施加的电压，根据该电压的信息，特定消耗功率的边界部分，但是也可以取而代之，对于相邻行的相邻像素，在表ID及索引的至少一方不同的场合，将这些相邻像素的边界看作消耗功率的边界部分，进行处理。变形例4上述实施例中，设为黑的电泳微粒带正电、白的电泳微粒带负电的形态，但是，也可以设为黑的电泳微粒带负电、白的电泳微粒带正电的形态。另外，作为电泳微粒，采用白和黑的2种进行白黑的显示，但是电泳微粒的色不限于白和黑，也可以是红、蓝和/或绿等其他色。另外，上述实施例中，显示装置100是电泳方式，但是不限于电泳方式。显示装置 100的显示方式只要是在多个帧中通过对像素施加电压而显示图像的方式，则也可以是采
24用例如胆留型液晶、电致变色体、电子粉粒体等的方式。另外，电泳层20不限于具有微囊21的构成，只要是在由分隔壁划分的空间收置有分散介质和电泳微粒的构成即可。另外，上述实施例中，控制器2和控制部3分别独立，但是，控制器2实现的功能的一部分也可以由控制部3实现，另外，也可以将控制器2和控制部3在一个半导体芯片上汇总形成为控制部。
权利要求
1.一种控制装置，其特征在于，该控制装置是显示装置的控制装置，该显示装置中，由与多行多列的像素的各个对应而设置有第1电极的第1基板和设置有第2电极的第2基板夹持显示元件，上述像素包括上述第1电极、上述显示元件及上述第2电极，通过向上述显示元件多次施加电压的写入工作将上述像素的显示状态从第1显示状态向第2显示状态变更， 上述控制装置具备 依次选择上述行的选择部；从存储器读入在上述显示装置显示的图像的图像数据的数据读入部； 特定部，其基于表示在通过上述数据读入部读入图像数据前在上述显示装置显示的预定的图像的预定图像数据和通过上述数据读入部所读入的图像数据，特定通过上述选择部所选择的行的像素中新变更显示状态的变更像素；边界特定部，其在通过上述选择部所选择的行的像素中特定被施加不同于相邻的行的像素的电压的像素，对该特定的像素和在与该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界进行特定；边界数存储部，其按上述行逐行存储通过上述边界特定部所特定的边界的边界数； 判断部，其判断在上述边界数存储部中所存储的边界数的合计是否在预定的阈值以上；以及更新部，其在上述判断部中判断为不足上述阈值时，当通过上述选择部所选择的行的上述变更像素不在上述写入工作中时，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作，当上述变更像素在上述写入工作中时，在进行中的写入工作结束后，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作；在上述判断部中判断为是上述阈值以上时，直到在上述判断部中判断为不足上述阈值为止，对上述变更像素不开始上述写入工作。
2.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于， 上述多行多列的像素按预定的行数分为多个区域，上述判断部判断在上述边界数存储部中所存储的边界数中的、与包括通过上述选择部所选择的行的上述区域相关的边界数的合计，是否在预定的阈值以上。
3.如权利要求1或2所述的控制装置，其特征在于，关于上述多次的电压的施加，按照确定各次施加的电压的表，向上述像素施加电压。
4.如权利要求3所述的控制装置，其特征在于，对于通过上述选择部所选择的行的像素且上述写入工作进行中的像素，以使得施加与在相邻的行中对上述写入工作进行中的像素所施加的电压相同的电压的方式，控制电压的施加时期。
5.一种显示装置，其特征在于，由与多行多列的像素的各个对应而设置有第1电极的第1基板和设置有第2电极的第 2基板夹持显示元件，上述像素包括上述第1电极、上述显示元件及上述第2电极，通过向上述显示元件多次施加电压的写入工作将上述像素的显示状态从第1显示状态向第2显示状态变更，上述显示装置具备依次选择上述行的选择部；从存储器读入在上述显示装置显示的图像的图像数据的数据读入部； 特定部，其基于表示在通过上述数据读入部读入图像数据前在上述显示装置显示的预定的图像的预定图像数据和通过上述数据读入部所读入的图像数据，特定通过上述选择部所选择的行的像素中新变更显示状态的变更像素；边界特定部，其在通过上述选择部所选择的行的像素中特定被施加不同于相邻的行的像素的电压的像素，对该特定的像素和在与该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界进行特定；边界数存储部，其按上述行逐行存储通过上述边界特定部所特定的边界的边界数； 判断部，其判断在上述边界数存储部中所存储的边界数的合计是否在预定的阈值以上；以及更新部，其在上述判断部中判断为不足上述阈值时，当通过上述选择部所选择的行的上述变更像素不在上述写入工作中时，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作，当上述变更像素在上述写入工作中时，在进行中的写入工作结束后，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作；在上述判断部中判断为是上述阈值以上时，直到在上述判断部中判断为不足上述阈值为止，对上述变更像素不开始上述写入工作。
6. 一种显示装置的控制方法，其特征在于，该显示装置中，由与多行多列的像素的各个对应而设置有第1电极的第1基板和设置有第2电极的第2基板夹持显示元件，上述像素包括上述第1电极、上述显示元件及上述第 2电极，通过向上述显示元件多次施加电压的写入工作将上述像素的显示状态从第1显示状态向第2显示状态变更， 上述控制方法包括 依次选择上述行的选择步骤；从存储器读入在上述显示装置显示的图像的图像数据的数据读入步骤； 特定步骤，其中，基于表示在通过上述数据读入步骤读入图像数据前在上述显示装置显示的预定的图像的预定图像数据和通过上述数据读入步骤所读入的图像数据，特定通过上述选择步骤所选择的行的像素中新变更显示状态的变更像素；边界特定步骤，其中，在通过上述选择步骤所选择的行的像素中特定被施加不同于相邻的行的像素的电压的像素，对该特定的像素和在与该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界进行特定；边界数存储步骤，其中，按上述行逐行存储通过上述边界特定步骤所特定的边界的边界数；判断步骤，其中，判断在上述边界数存储步骤中所存储的边界数的合计是否在预定的阈值以上；以及更新步骤，其中，在上述判断步骤中判断为不足上述阈值时，当通过上述选择步骤所选择的行的上述变更像素不在上述写入工作中时，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作，当上述变更像素在上述写入工作中时，在进行中的写入工作结束后，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作；在上述判断步骤中判断为是上述阈值以上时，直到在上述判断步骤中判断为不足上述阈值为止，对上述变更像素不开始上述写入工作。
全文摘要
本发明涉及控制装置、显示装置及其控制方法，显示装置通过对像素多次施加电压的写入工作来变更像素的灰度，显示装置在新变更像素的显示状态的场合，判断变更显示状态的像素是否在写入工作中，显示装置对不在写入工作中的像素开始写入工作，对写入工作中的像素，在进行中的写入工作结束后，对像素开始新的写入工作，另外，显示装置在通过更新写入工作中的像素及新开始写入的像素所消耗的功率变大的场合，对要新开始写入的像素，推迟写入工作的开始。
文档编号G09G3/20GK102402932SQ20111026538
公开日2012年4月4日 申请日期2011年9月8日 优先权日2010年9月10日
发明者山田裕介 申请人:精工爱普生株式会社
技术领域：
本发明涉及控制装置、显示装置及显示装置的控制方法。
背景技术：
作为显示图像的显示装置，有采用微囊的电泳方式的显示装置。该显示装置为有源矩阵方式，在向行方向延伸的多条扫描线与向列方向延伸的多条数据线的各个交点设置有驱动微囊的驱动电路。对扫描线和数据线施加电压后，在设置于驱动电路的电极与相对于该电极夹着微囊而对置的电极之间产生电位差。在夹着微囊而对置的电极间产生电位差后，相应于由于该电位差所产生的电场，微囊内的白微粒和黑微粒移动。各微囊内的白微粒和黑微粒的分布改变，导致光学的反射特性变化，从而进行图像显示。该电泳方式的显示装置中，以有源矩阵方式变更显示时，有时图像的改写在多个帧进行。但是，图像的改写在多个帧进行时若整面开始了改写，则到写入结束为止的期间不能进行新写入，因此，进行图像的追记和/或删除时，要在图像的写入暂时结束后，开始下一次的写入，因此从操作性的观点看存在花时间的问题。因而，为了解决这样的问题，考虑以部分区域为单位进行管线处理来进行写入的方式(参照专利文献1)。根据专利文献1公开的方式，使画面上的相互不重叠的2个部分区域错开定时而写入图像的场合，先开始写入的部分区域的写入即使未结束，也可以开始进行后开始写入的部分区域的写入，与不采用该方式的场合比较，显示速度提高。专利文献1特开2009-251615号公报但是，有源矩阵方式中，数据线由于寄生电容而起到电容器的功能，因此，每次选择扫描线时，在使数据线的电压变化的显示的场合，消耗功率变大。从而，图像改写时，这样的功率消耗大的扫描若持续，则有时消耗功率瞬间地超过电源电路的供给极限。另外，有源矩阵方式中，若分辨率提高，则流过电流的驱动电路增加，消耗功率变大。
发明内容
本发明鉴于上述问题而提出，其目的之一是同时实现显示装置的显著的显示速度提高和消耗功率的峰值的降低。为了达成上述目的，本发明的显示装置的控制装置的特征在于，上述显示装置中， 由与多行多列的像素的各个对应地设置有第ι电极的第1基板和设置有第2电极的第2基板夹持显示元件，上述像素包括上述第1电极、上述显示元件及上述第2电极，通过对上述显示元件多次施加电压的写入工作将上述像素的显示状态从第1显示状态变更到第2显示状态，上述控制装置具备依次选择上述行的选择部；从存储器读入在上述显示装置显示的图像的图像数据的数据读入部；特定部，基于表示上述数据读入部读入图像数据前在上述显示装置显示的预定的图像的预定图像数据和上述数据读入部读入了的图像数据，特定上述选择部选择的行的像素中新变更显示状态的变更像素；边界特定部，在上述选择部选择的行的像素中特定被施加不同于相邻行的像素的电压的像素，对该特定的像素和在与该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界进行特定；边界数存储部，按上述行逐行地存储由上述边界特定部所特定的边界的边界数；判断部，判断上述边界数存储部所存储的边界数的合计是否在预定的阈值以上；以及更新部，在上述判断部判断为不足上述阈值的场合，当上述选择部选择的行的上述变更像素不在上述写入工作中时，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式，对上述变更像素开始上述写入工作，当上述变更像素在上述写入工作中时，在进行中的写入工作结束后，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式，对上述变更像素开始上述写入工作，在上述判断部判断为是上述阈值以上的场合，直到上述判断部判断为不足上述阈值为止，对上述变更像素不开始上述写入工作。根据该控制装置，可同时实现显示装置的显著的显示速度提高和消耗功率的峰值的降低。另外，上述控制装置中，也可以构成为上述多行多列的像素按预定的行数分为多个区域，上述判断部判断上述边界数存储部存储的边界数中的、与包括上述选择部选择的行的上述区域相关的边界数的合计，是否在预定的阈值以上。根据该构成，按每个显示区域控制像素的写入工作的开始，因此即使是后选择的行中，也可以开始像素的写入工作。另外，上述控制装置中，也可以构成为对于上述多次的电压的施加，按照确定各次施加的电压的表，对上述像素施加电压。根据该构成，可以逐个像素地变更像素的灰度。另外，上述控制装置中，可以构成为对于上述选择部选择的行的像素且为上述写入工作进行中的像素，以施加与在相邻行中对上述写入工作进行中的像素施加的电压相同的电压的方式，控制电压的施加时期。根据该构成，对于要施加电压的像素，施加与对相邻像素施加的电压相同的电压， 可抑制功率的消耗。另外，本发明的显示装置，由与多行多列的像素的各个对应地设置有第1电极的第1基板和设置有第2电极的第2基板夹持显示元件，上述像素包括上述第1电极、上述显示元件及上述第2电极，通过对上述显示元件多次施加电压的写入工作将上述像素的显示状态从第1显示状态变更到第2显示状态，具备依次选择上述行的选择部；从存储器读入在上述显示装置显示的图像的图像数据的数据读入部；特定部，基于表示上述数据读入部读入图像数据前在上述显示装置显示的预定的图像的预定图像数据和上述数据读入部读入的图像数据，特定上述选择部选择的行的像素中新变更显示状态的变更像素；边界特定部，在上述选择部选择的行的像素中特定被施加不同于相邻行的像素的电压的像素，特定该特定的像素和在与该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界；边界数存储部，按上述行逐行地存储上述边界特定部所特定的边界的边界数；判断部，判断上述边界数存储部所存储的边界数的合计是否在预定的阈值以上；以及更新部， 在上述判断部判断为不足上述阈值的场合，当上述选择部选择的行的上述变更像素不在上述写入工作中时，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作，当上述变更像素在上述写入工作中时，在进行中的写入工作结束后，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作，在上述判断部判断为是上述阈值以上的场合，直到上述判断部判断为不足上述阈值为止，对上述变 更像素不开始上述写入工作。根据该显示装置，可同时实现显示装置的显著的显示速度提高和消耗功率的峰值 的降低。另外，本发明的显示装置的控制方法中，上述显示装置中，由与多行多列的像素的 各个对应地设置有第1电极的第1基板和设置有第2电极的第2基板夹持显示元件，上述 像素包括上述第1电极、上述显示元件及上述第2电极，通过对上述显示元件多次施加电 压的写入工作将上述像素的显示状态从第1显示状态变更到第2显示状态，上述控制方法 包括依次选择上述行的选择步骤；从存储器读入在上述显示装置显示的图像的图像数据 的数据读入步骤；特定步骤，基于表示上述数据读入步骤读入图像数据前在上述显示装置 显示的预定的图像的预定图像数据和上述数据读入步骤读入的图像数据，特定上述选择步 骤所选择的行的像素中新变更显示状态的变更像素；边界特定步骤，在上述选择步骤所选 择的行的像素中特定被施加不同于相邻行的像素的电压的像素，特定该特定的像素和在与 该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界；边界数存储步 骤，按上述行逐行地存储上述边界特定步骤所特定的边界的边界数；判断步骤，判断上述边 界数存储步骤所存储的边界数的合计是否在预定的阈值以上；以及更新步骤，在上述判断 步骤中判断为不足上述阈值的场合，当上述选择步骤所选择的行的上述变更像素不在上述 写入工作中时，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上 述写入工作，当上述变更像素在上述写入工作中吋，在进行中的写入工作结束后，以使得成 为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作，在上述判断 步骤中判断为是上述阈值以上的场合，直到在上述判断步骤中判断为不足上述阈值为止， 对上述变更像素不开始上述写入工作。根据该方法，可同时实现显示装置的显著的显示速度提高和消耗功率的峰值的降 低。
图1是显示装置100的硬件构成的框图。
图2是表示显示部1的截面的图。图3是显示部1的电路的构成的说明图。图4是显示部1具备的像素驱动电路的构成的说明图。图5是控制器2实现的功能的构成的框图。图6是控制器2进行的处理的流程的流程图。图7是控制器2进行的处理的流程的流程图。图8是显示装置100的工作的说明图。图9是显示装置100的工作的说明图。图10是显示装置100的工作的说明图。图11是显示装置100的工作的说明图。图12是显示装置100的工作的说明图。图13是显示装置100的工作的说明图。
图14是显示装置100的工作的说明图。图15是显示装置100的工作的说明图。图16是显示装置100的工作的说明图。图17是显示装置100的工作的说明图。图18是显示装置100的工作的说明图。图19是显示装置100的工作的说明图。图20是显示装置100的工作的说明图。图21是显示装置100的工作的说明图。图22是显示装置100的工作的说明图。图23是显示装置100的工作的说明图。图M是显示装置100的工作的说明图。图25是显示装置100的工作的说明图。图沈是显示装置100的工作的说明图。图27是显示装置100的工作的说明图。图观是显示装置100的工作的说明图。图四是显示装置100的工作的说明图。图30是显示装置100的工作的说明图。图31是显示装置100的工作的说明图。图32是显示装置100的工作的说明图。图33是显示装置100的工作的说明图。图34是显示装置100A的硬件构成的框图。图35是第2实施例的表TBl TB12的内容的示图。图36是第2实施例的控制器2进行的处理的流程的流程图。图37是显示装置100A的工作的说明图。图38是显示装置100A的工作的说明图。图39是显示装置100A的工作的说明图。图40是显示装置100A的工作的说明图。图41是显示装置100A的工作的说明图。图42是显示装置100A的工作的说明图。图43是显示装置100A的工作的说明图。图44是显示装置100A的工作的说明图。图45是显示装置100A的工作的说明图。图46是显示装置100A的工作的说明图。图47是显示装置100A的工作的说明图。图48是显示装置100A的工作的说明图。图49是显示装置100A的工作的说明图。图50是显示装置100A的工作的说明图。图51是显示装置100A的工作的说明图。图52是显示装置100A的工作的说明图。
图53是显示装置100A的工作的说明图。图M是显示装置100A的工作的说明图。图55是显示装置100A的工作的说明图。图56是显示装置100A的工作的说明图。图57是本发明的显示装置的应用例的示图。符号的说明1...显示部，2...控制器，3...控制部，4. ..VRAM，5. ..RAM，6...写入数据存
储区域，6A...白写入数据存储区域，6B...黑写入数据存储区域，6C...表ID存储区域， 6D...索引存储区域，7...预定图像数据存储区域，8A...暂时存储区域，8B...边界数存储区域，9...总线，10...第1基板，11...基板，Ila...粘接层，12...电路层，13a...像素电极，20...电泳层，21...微囊，22...粘结剂，30...第2基板，31...膜，32...透明电极层， 53...扫描线驱动电路，54...数据线驱动电路，55...显示区域，61...晶体管，63...保持电容，64...扫描线，65...数据线，100...显示装置，201...选择部，202...数据读入部， 203...像素特定部，204...边界特定部，205...判断部，206...更新部，207...驱动部， 1000...电子书阅读器，1001...框，1002···盖，1003···操作部，1100...手表，TB...驱动表，TBl TB12...表，Xl )(m...数据信号，Yl Ym...扫描信号，Pij...像素，Aij...存储区域，Bij...存储区域，Cij...存储区域，Dij...存储区域，Eij...存储区域，Fij...存储区域，Gij...存储区域
具体实施例方式第1实施例显示装置100的构成图1是本发明的一实施例的显示装置100的硬件构成的框图。显示装置100是电泳方式的显示装置，具备显示部1、控制器2、控制部3、VRAM (Video RAM) 4及RAM (Random Access Memory) 5。显示装置100的各部分通过总线9连接。控制器2与显示装置100的控制装置相当。另外，也可以将控制器2、控制部3合并的部分定义为显示装置100的控制装置。或者，也可以将控制器2、控制部3、VRAM4、RAM5的整体定义为显示装置100的控制
直ο显示部1具有具备存储性的显示元件，是即使不向显示元件施加电压也可维持已显示的图像的显示器件。本实施例中，显示部1具备具有电泳微粒的显示元件，显示黑白的图像。控制器2驱动显示部1，向显示部1输出用于图像显示的各种信号。控制部3是具备 CPU (Central Processing Unit)、ROM (Read Only Memory)、RAM 等的微计算机，控制显示装置100的各部分。另外，控制部3访问VRAM4，将各种数据写入VRAM4。VRAM4是存储表示在显示部1显示的图像的图像数据的存储器。RAM5是存储在用于显示部1显示图像时所采用的数据的存储器，设置有写入数据存储区域6、预定图像数据存储区域7、暂时存储区域8A 及边界数存储区域8B。另外，在写入数据存储区域6，设有对于显示部1的各像素存储表示从黑到白变更显示状态的工作是否在进行中的数据(第1写入数据)的白写入数据存储区域6A和对于各像素存储表示从白到黑变更显示状态的工作是否在进行中的数据(第2 写入数据)的黑写入数据存储区域6B。
显示部1的构成图2是显示部1的截面的示图。另外，图3是显示部1的电路的构成的说明图，图 4是显示部1具备的像素驱动电路的构成的说明图。显示部1如图2所示，大致由第1基板 10、电泳层20、第2基板30构成。第1基板10是在具有绝缘性及柔性的基板11上形成了电路层的基板。基板11在本实施例中由聚碳酸酯形成。另外，作为基板11，不限于聚碳酸酯，可以采用具有轻质量性、柔性、弹性及绝缘性的树脂材料。另外，基板11也可以由不具有柔性的玻璃形成。在基板11的表面设置有粘接层11a，在粘接层Ila的表面层叠有电路层12。电路层12具有在横方向排列的多条扫描线64和与各扫描线保持电绝缘地设置的在纵方向排列的多条数据线65。另外，电路层12对应于扫描线64与数据线65的交叉处的各个，具有像素电极13a(第1电极)和包括TFT (ThinFilm Transistor)的像素驱动电路。电泳层20由粘结剂22和通过粘结剂22固定的多个微囊21构成，在像素电极13a 上形成。另外，在微囊21和像素电极13a之间，也可以设置由粘接剂形成的粘接层。作为粘结剂22，只要与微囊21的亲和性良好且与电极的紧密附着性优良，且具有绝缘性，则没有特别限制。微囊21内收置了分散介质和电泳微粒。作为构成微囊21的材料，优选采用阿拉伯树胶·明胶系的化合物、尿烷系的化合物等具有柔软性的材料。作为分散介质21，能够使用水、醇类溶剂(甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、辛醇、甲基溶纤剂等)、酯类(醋酸乙酯、醋酸丁酯等)、酮类(丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮等)、脂肪族烃(戊烷、己烷、辛烷等)、脂环式烃(环己烷、甲基环己烷等)、芳香族烃(苯、甲苯、具有长链烷基的苯类(二甲苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯等))、卤代烃(二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、1，2- 二氯乙烷等)、 羧酸盐等的任一种，也可以使得分散介质为其他的油类。这些物质能够单独使用或混合使用来用作分散介质，进而也可以配合表面活性剂等。电泳微粒是具有在分散介质中通过电场而移动的性质的微粒(高分子或者胶体)。本实施例中，在微囊21内收置有白的电泳微粒和黑的电泳微粒。黑的电泳微粒例如是包括苯胺黑和/或炭黑等的黑色颜料的微粒，本实施例中带正电。白的电泳微粒例如是包括二氧化钛和/或氧化铝等的白色颜料的微粒，本实施例中带负电。第2基板30由膜31和在膜31的底面形成的透明电极层32 (第2电极)构成。膜 31起到电泳层20的密封及保护的作用，例如是聚对苯二甲酸乙二醇酯的膜。膜31透明且具有绝缘性。透明电极层32例如由氧化铟膜(ΙΤ0膜)等的透明导电膜构成。接着，说明显示部1具备的电路。控制器2输出用于在显示区域55显示图像的信号和/或用于驱动显示部1的各种信号。在图3所示的显示区域55，设置有沿纵方向平行排列的多条数据线65和沿横方向平行排列的多条扫描线64。另外，在显示区域55，与数据线65和扫描线64的交叉处对应设置有像素驱动电路。图4是像素驱动电路的构成的说明图。另外，本实施例中，为了区别各扫描线64， 有时将图3所示的扫描线从上到下按顺序称为第1、2、3、…、(m-l)、m行。同样，为了区别各数据线65，有时将图3所示的数据线从左到右按顺序称为第1、2、3、…、(n-l)、n列。图4中，表示了与第1行的扫描线64和第1列的数据线65的交叉处对应的像素驱动电路。对于其他数据线65和扫描线64的交叉处也设置有相同的像素驱动电路，但是
10由于各像素驱动电路的构成相同，这里，代表性地说明与第1行的数据线和第1列的扫描线的交叉处对应的像素驱动电路，将其他像素驱动电路的说明省略。像素驱动电路中，晶体管61的栅与扫描线64连接，晶体管61的源与数据线连接。 另外，晶体管61的漏与像素电极13a连接。像素电极13a与透明电极层32对置，在像素电极13a和透明电极层32之间夹着电泳层20。位于该一个像素电极13a和透明电极层32之间的微囊21成为显示部1中的一个像素。另外，像素驱动电路中，保持电容63与电泳层20 并联。另外，透明电极层32的电位设为预定的电位Vcom。扫描线驱动电路53与显示区域55的各扫描线64连接，向第1、2、…、m行的扫描线64供给扫描信号Y1、Y2、…、Ym。具体地说，扫描线驱动电路53按第1、2、…、m行的顺序选择扫描线64，将选择的扫描线64的扫描信号的电压设为选择电压VH (H电平)，将未选择的扫描线的扫描信号的电压设为非选择电压VL(L电平)。数据线驱动电路M与显示区域的各数据线连接，向第1、2、…、η列的数据线65 供给数据信号XI、Χ2、···、&。对与电位成为选择电压VH的扫描线64连接的像素驱动电路，从数据线65供给数据信号。具体地说，扫描线64成为H电平后，栅与该扫描线64连接的晶体管61成为导通状态，像素电极13a与数据线65连接。因而，扫描线64为H电平时， 向数据线65供给数据信号后，该数据信号经由成为导通状态的晶体管61向像素电极13a 施加。扫描线64成为L电平后，晶体管61成为截止状态，但是，通过数据信号对像素电极 13a施加的电压在保持电容63蓄积，相应于像素电极13a的电位及透明电极层32的电位的电位差(电压)，电泳微粒移动。例如，相对于透明电极层32的电位Vcom，像素电极13a的电位为+15V的场合，带负电的白的电泳微粒向像素电极13a侧移动，带正电的黑的电泳微粒向透明电极层32侧移动，像素成为黑的显示。另外，相对于透明电极层32的电位Vcom，像素电极13a的电位为-15V的场合，带正电的黑的电泳微粒向像素电极13a侧移动，带负电的白的电泳微粒向透明电极层32侧移动，像素成为白的显示。另外，以下的说明中，将扫描线驱动电路53选择第1行的扫描线后到第Y行的扫描线的选择结束为止的期间称为“帧期间”或简称为“帧”。各扫描线64在一帧中各被选择一次，在一帧中向各像素驱动电路各供给一次数据信号。另外，本实施例中，各像素的显示状态从白(低浓度)向黑(高浓度)或从黑向白变化时，不是仅仅在1帧中驱动像素驱动电路而使显示状态变化，而是在多个帧中通过对像素施加电压的写入工作使显示状态变化。这是因为，显示状态从白向黑变化时，即使仅仅在1帧中向电泳微粒提供电位差，黑的电泳微粒不会完全移动到显示侧，显示状态不会成为完全黑。该情况对于显示状态从黑向白变化时的白的电泳微粒也同样。因此，例如，像素的显示状态从白向黑变化的场合，用于使像素进行黑显示的数据信号在多个帧中供给到像素驱动电路，像素的显示状态从黑向白变化的场合，用于使像素显示白的数据信号在多个帧中被供给。本实施例中，可将1帧内的某像素的像素电极13a设为相对于透明电极层32电位较高的正极，将相同帧内的其他像素的像素电极13a设为相对于透明电极层32电位较低的负极。即，成为在1帧内可选择相对于透明电极层32为正极和负极的两方的极的驱动(以下，称为两极驱动)。
控制器2的构成接着，说明控制器2的构成。图5是控制器2中实现的功能的框图。控制器2中， 实现了选择部201、数据读入部202、像素特定部203、边界特定部204、判断部205、更新部 206及驱动部207。另外，这些各部分既可以由硬件实现，也可以在控制器2设置CPU、通过由该CPU执行程序而实现各部分。选择部201是按行为单位依次选择多行多列配置的像素的模块。数据读入部202 是读入VRAM中存储的图像数据的模块。像素特定部203是比较数据读入部202读入的数据和在预定图像数据存储区域7存储的数据，特定新变更显示状态的像素的模块。边界特定部204，是在选择部201所选择的行的像素中特定被施加不同于相邻行的像素的电压的像素，特定该特定的像素和与该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界的模块。判断部205是判断由边界特定部204特定的边界的数(边界数)是否在预定阈值以上的模块。更新部206是控制像素的写入工作的开始的模块。驱动部207 是控制扫描线驱动电路53和数据线驱动电路M以对像素电极13a供给数据信号的模块。实施例的工作接着，说明显示装置100的工作。另外，图8以下，图像A表示显示部1中正在显示的图像。另外，像素Pij表示一个像素。这里，标记i表示矩阵状配置的像素的行编号，j表示列编号，以下，特定像素进行说明的场合，例如将第1行1列的像素称为像素P11。另外， 图像A中，对于各像素，为了能容易理解灰度，将从黑到白的8级灰度用0到7的数字表示， 但是实际上不显示该数字。另外，显示部1中，像素存在于m条扫描线64和η条数据线65 的每个交叉处，但为了防止图面繁杂，以下的说明中，以显示部1由4行4列的像素Pll Ρ44构成的场合为例进行工作说明。另外，在图示了图像A的内容的图面中，也图示了 VRAM4中与像素Pll Ρ44对应的存储区域Aij的内容、预定图像数据存储区域7中与像素Pll Ρ44对应的存储区域 Bij的内容、白写入数据存储区域6Α中与像素Pll Ρ44对应的存储区域Cij的内容及黑写入数据存储区域6Β中与像素Pll Ρ44对应的存储区域Dij的内容。另外，各存储区域的标记i表示矩阵状配置的存储区域的行编号，j表示列编号。例如，特定像素和存储区域进行说明的场合，例如第1行1列的存储区域Aij称为存储区域All、第1行1列的像素称为 P11。另外，图示了图像A的内容的图面中，也图示了边界数存储区域8B的内容。边界数存储区域8B中，与多行的像素的行间对应地设置存储区域。另外，存储区域Gi的标记i 表示存储区域的行编号。本实施例中，对于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i_l行的电压的像素，将特定的像素和第i-Ι行的像素的边界的数的合计在存储区域G i存储。另外，对于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i+Ι行的电压的像素，将特定的像素和第i+Ι行的像素的边界的数的合计在存储区域Gi+Ι存储。另外，对于多行像素的最初的行(第1行)， 由于第i_l行不存在，因此将最初的行中对像素电极13a施加电压的像素的数在Gl存储。 另外，对于多行像素的最后的行(第4行)，由于第i+Ι行不存在，因此将最后的行中对像素电极13a施加电压的像素的数在G5存储。在VRAM4的存储区域All A44存储在显示部1显示的图像的各像素的灰度，在预定图像数据存储区域7的存储区域Bll B44，关于在显示部1显示的预定的图像存储各像素的灰度。在白写入数据存储区域6A的存储区域Cll C44，将使像素Pll P44为白为止所必要的电压的施加次数作为第1写入数据存储，在黑写入数据存储区域6B的存储区域Dl 1 D44，将使像素Pl 1 P44为黑为止所必要的电压的施加次数作为第2写入数据存储。另外，第1写入数据及第2写入数据若不为0则表示对像素的改写工作在进行中，为0 则表示对像素的改写工作结束。控制器2在进行像素的驱动时进行图6、7所示的处理。首先，控制器2将变量i、 j的值初始化为1 (步骤SA1、SA2)。接着控制器2选择多行多列配置的像素中的第i行，进行更新与所选择的第i行的像素相关的存储区域的内容的处理(步骤SA3)。S卩，这里控制器2的选择部201起作用。步骤SA3中，控制器2首先将预定图像数据存储区域7的第i行的数据复制到暂时存储区域8A (步骤SBl)。接着，控制器2选择由变量i、j特定的像素Pij (步骤SB2)。 例如，变量i的值为1且变量j的值为1的场合，选择像素P11。接着，控制器2判断在选择的像素Pij所对应的存储区域Cij存储的第1写入数据和在存储区域Dij存储的第2写入数据的两方是否为0(步骤SB!3)。控制器2在与选择的像素Pij对应的存储区域Cij的第 1写入数据和存储区域Dij的第2写入数据的两方为0的场合(步骤SB3中为“是”)，向步骤SB5转变，在第1写入数据和第2写入数据的一方不是0的场合(步骤SB3中为“否”)， 向步骤SB4转变。向步骤SB4转变后，控制器2将存储区域Cij中存储的第1写入数据或存储区域Dij中存储的第2写入数据中的值为0以外的数据减1。另外，值成为0的第1写入数据或第2写入数据不减1。另一方面，控制器2向步骤SB5转变后，读入存储区域Aij中存储的数据(数据读入部20 ，与存储区域Bij中存储的数据比较。这里，控制器2在两者不同的场合(步骤 SB5中为“否”)，将像素Pij特定为新变更显示状态的像素(像素特定部20 ，更新所特定的像素Pij相关的数据。具体地说，控制器2 (更新部206)向写入数据存储区域6写入将像素Pij的灰度变更为存储区域Aij的灰度为止所必要的对像素的电压施加次数(步骤 SB6)。另外，控制器2用存储区域Aij中存储的内容覆写存储区域Bij的内容(步骤SB7)。接着，控制器2判断变量j的值是否与数据线的条数η相同(步骤SB8)。这里变量j的值若不与η相同(步骤SB8中为“否”)，则将变量j的值加1 (步骤SB9)，向步骤SB2 转变。另一方面，控制器2在变量j的值为η的场合(步骤SB8中为“是”)，对于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i-ι行的电压的像素，将特定的像素和第i-ι行的像素的边界的数的合计在存储区域Gi存储。另外，对于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i+Ι行的电压的像素，将特定的像素和第i+Ι行的像素的边界的数的合计在存储区域 Gi+Ι存储(步骤SBlO (边界特定部204))。接着，控制器2合计在边界数存储区域8B存储的值，判断合计值是否在预定阈值以上(步骤SBll (判断部20 )。控制器2在合计值不足阈值的场合(步骤SBll中为 “否”)，向步骤SA4转变。另一方面，控制器2 (更新部206)在合计值为阈值以上的场合(步骤SBll中为“是”)，改写存储区域的第i行的内容(步骤SBU)。具体地说，对于预定图像数据存储区域7，用在暂时存储区域8A存储的内容覆写。另外，对于白写入数据存储区域
136A和黑写入数据存储区域6B，关于存储有7的存储区域将内容改写为0。控制器2向步骤SA4转变后，判断变量i的值是否与扫描线的条数m相同。这里变量i的值若不是m(步骤SA4中为“否”)，则将变量i的值加1 (步骤SA5)，向步骤SA2转变。变量i的值为m的场合(步骤SA4中为“是”)，控制器2控制扫描线驱动电路53和数据线驱动电路讨，驱动像素驱动电路(步骤SA6 (驱动部207))。接着，参照图面，说明向VRAM4写入图像数据后到图像数据的图像在显示部1显示为止的显示部1中的显示的变化、VRAM4的内容的变化、RAM5的内容的变化。显示部1的显示和VRAM4、写入数据存储区域6、预定图像数据存储区域7及边界数存储区域8B的状态成为图8的状态时，若控制部3向VRAM4写入图像数据，则相应于图像数据使VRAM4的状态成为图9所示的状态。在图9的状态下，当在步骤SB2中选择像素 Pll时，在步骤SB3判断为“是”，在步骤SB5判断为“否”。存储区域Bll的内容表示黑，存储区域Al 1的内容表示白，因此像素Pll从黑变更到白，在步骤SB6中向存储区域Cl 1写入 7，在步骤SB7中将存储区域All的内容写入存储区域B11。接着，选择像素P12后，在步骤 SB3判断为“是”，在步骤SB5判断为“否”。从而，在步骤SB6向存储区域C12写入7，在步骤SB7中将存储区域A12的内容写入存储区域B12，成为图10所示的状态。然后，继续进行处理，在步骤SB8判断为“是”后，控制器2进行步骤SBlO的处理。 具体地说，首先，控制器2特定在白写入数据存储区域6A的第i行存储有0以外的值的各存储区域中的、在相邻的第i-Ι行的存储区域存储有0的存储区域，和在白写入数据存储区域6A的第i行存储有0的各存储区域中的、在相邻的第i_l行的存储区域存储有0以外的值的存储区域。然后，在所特定的存储区域对应的像素中，特定与第i_l行的边界。另外， 控制器2特定在白写入数据存储区域6A的第i行存储有0以外的值的各存储区域中的、 在相邻的第i+Ι行的存储区域存储有0的存储区域，和在白写入数据存储区域6A的第i行存储有0的各存储区域中的、在相邻的第i+Ι行的存储区域存储有0以外的值的存储区域。 然后，在所特定的存储区域对应的像素中特定与第i+Ι行的边界。另外，控制器2特定在黑写入数据存储区域6B的第i行存储有0以外的值的各存储区域中的、在相邻的第i-Ι行的存储区域存储有0的存储区域，和在黑写入数据存储区域6B的第i行存储有0的各存储区域中的、在相邻的第i-Ι行的存储区域存储有0以外的值的存储区域。然后，在所特定的存储区域对应的像素中特定与第i_l行的边界。另外，控制器2特定在黑写入数据存储区域6B的第i行存储有0以外的值的各存储区域中的、在相邻的第i+Ι行的存储区域存储有0的存储区域，和在黑写入数据存储区域6B的第i行存储有0的各存储区域中的、在相邻的第i+Ι行的存储区域存储有0以外的值的存储区域。然后，在所特定的存储区域对应的像素中特定与第i+Ι行的边界。如后述，在白写入数据存储区域6A中存储有0以外的值的存储区域所对应的像素中，以相对于透明电极层32的电位Vcom成为-15V的方式对像素电极13a施加电压。这里， 在相邻的第i_l行和/或第i+Ι行的存储区域存储有0的场合，该相邻的存储区域所对应的像素的像素电极13a中，被施加相对于透明电极层32的电位Vcom为-15V以外的电压。 另外，在白写入数据存储区域6A中存储有0的存储区域所对应的像素中，以相对于透明电极层32的电位Vcom使电位差成为-15V以外的方式对像素电极13a施加电压。这里，相邻的第i_l行和/或第i+Ι行的存储区域存储有O以外的值的场合，在该相邻的存储区域所对应的像素中，以相对于透明电极层32的电位Vcom使像素电极13a的电位差成为-15V的电压的方式施加电压。另外，在黑写入数据存储区域6B中存储有O以外的值的存储区域所对应的像素中，以相对于透明电极层32的电位Vcom成为+15V的方式对像素电极13a施加电压。这里，相邻的第i_l行和/或第i+Ι行的存储区域存储有O的场合，在该相邻的存储区域所对应的像素中，施加相对于透明电极层32的电位Vcom为+15V以外的电压。另外，在黑写入数据存储区域6B中存储有O的存储区域所对应的像素中，以相对于透明电极层32的电位 Vcom使电位差成为+15V以外的方式对像素电极13a施加电压。这里，相邻的第i_l行和/ 或第i+Ι行的存储区域存储有O以外的值的场合，在该相邻的存储区域所对应的像素中，以相对于透明电极层32的电位Vcom使像素电极13a的电位差成为+15V的电压的方式施加电压。S卩，在相对于在第i行存储有O以外的值的存储区域而在第i_l行和/或第i+1 行中在相邻的存储区域存储有O的场合，和/或在相对于在第i行存储有O的存储区域而在第i-ι行和/或第i+ι行中在相邻的存储区域存储有O以外的值的场合，在第i行的存储区域所对应的像素中，被施加不同于对第i-Ι行和/或第i+Ι行施加电压时的电压。艮口， 第i行的像素中，与这些相邻的像素的边界可以称作是消耗功率的部分。因此，若特定该消耗功率的边界部分、对所特定的部分的数目进行计数，则可估计图像的显示中消耗的功率。例如，i = 1的场合，对于第1行，在各存储区域的内容更新结束的时刻，各存储区域的内容成为图10所示的状态。图10中，存储区域Cll、C12存储了 7，因此，控制器2特定该存储区域Cll、C12。这里，图10的图像A中，第1行的上侧的阴影部分可以认为是消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域Gl存储。另外，若比较第 i行(第1行)和第i+Ι行(第2行)，则在图10中在存储区域Cll存储了 7，在与存储区域Cll相邻的存储区域C21存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域C11。另外，在存储区域C12存储了 7，在与存储区域C12相邻的存储区域C22存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域C12。这里，图10的图像A的第1行和第2行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域G2存储。这里，边界数存储区域8B 的内容如图10所示，变更为在存储区域Gl存储2、在存储区域G2存储2的状态。接着，控制器2判断边界数存储区域8B存储的值的合计是否在预定阈值以上(步骤SB11)。例如，边界数存储区域8B存储的数的合计若在10以上，则消耗功率超出显示装置100的电源电路可供给的功率的供给量，在无法施加使像素的显示状态变化所需的电压的场合，将阈值的数设定成10。这里，边界数存储区域8B存储的值的合计值为4，因此，在步骤SBll判断为“否”，向步骤SA4转变。接着，进行步骤SA5的处理，i = 2，进行处理直到在步骤SB8判断为“是”为止后， 存储区域的内容成为图11所示的状态。这里，进行步骤SBlO的处理后，在存储区域C21、 C22存储了 7，在存储区域C31、C32存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域C21、C22。这里，图11的图像A的第2行和第3行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域G3存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图11所示，变更为在存储区域G 3存储2的状态。另外，第1行和第2行之间，没有被特定的部分， 因此在存储区域G2存储O。
接着，控制器2进行步骤SBl 1的处理，但是，在此时刻，边界数存储区域8B存储的值的合计值为4，因此在步骤SBll判断为“否”，向步骤SA4转变。接着，进行步骤SA5的处理，i = 3，进行处理直到在步骤SB8判断为“是”为止后， 存储区域的内容成为图12所示的状态。这里，步骤SBlO的处理进行后，存储区域的第2行和第3行之间，在存储区域C21、C22存储了 7，在存储区域C31、C32存储了 0，因此，控制器 2特定该存储区域C31、C32。另外，存储区域D33、D34存储了 7，存储区域D23、DM存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域D33、D34。这里，图12的图像A的第2行和第3行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“4”在存储区域G3 存储。另外，存储区域的第3行和第4行之间，在存储区域D33、D34存储了 7，在存储区域 D43、D44存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域D33、D34。这里，图12的图像A的第3 行和第4行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2” 在存储区域G4存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图12所示，变更了存储区域G3和存储区域G4的内容。接着，控制器2进行步骤SBl 1的处理，但是，在此时刻，边界数存储区域8B存储的值的合计值为8，因此在步骤SBll判断为“否”，向步骤SA4转变。接着，进行步骤SA5的处理，i = 4，进行处理直到在步骤SB8判断为“是”为止后， 存储区域的内容成为图13所示的状态。这里，步骤SBlO的处理进行后，存储区域D43、D44 存储了 7，因此，控制器2特定该存储区域D43、D44。这里，图13的图像A中第4行的下侧的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域G5 存储。另外，第3行和第4行之间，没有被特定的部分，因此，在存储区域G4存储0。这里， 边界数存储区域8B的内容如图13所示，变更了存储区域G4和存储区域G5的内容。 接着，控制器2进行步骤SBl 1的处理，但是，在此时刻，边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SBll判断为“否”，向步骤SA4转变。然后，步骤SA6的处理进行后，在像素Pll对应的像素驱动电路(与第1行的扫描线64和第1列的数据线65的交叉处对应的像素驱动电路)中，存储区域Cll的内容为0 以外的值，因此，扫描线64被选择时以使得像素电极13a的电位相对于透明电极层32的电位Vcom成为-15V的方式对数据线65施加电压。另外，在像素P12、P21、P22对应的像素驱动电路中，存储区域C12、C21、C22的内容也为0以外的值，因此，扫描线64被选择时以使得像素电极13a的电位相对于透明电极层32的电位Vcom成为-15V的方式对数据线65施加电压。另外，与像素P33对应的像素驱动电路(与第3行的扫描线64和第3列的数据线 65的交叉处对应的像素驱动电路)中，存储区域D33的内容为0以外的值，因此，扫描线64 被选择时以使得像素电极13a的电位相对于透明电极层32的电位Vcom成为+15V的方式对数据线65施加电压。另外，与像素P34、P43、P44对应的像素驱动电路中，存储区域D34、 D43、D44的内容也为O以外的值，因此扫描线64被选择时以使得像素电极13a的电位相对于透明电极层32的电位Vcom成为+15V的方式对数据线65施加电压。另外，对于其他像素，白写入数据存储区域6A中对应的存储区域的内容为0，且黑写入数据存储区域6B中对应的存储区域的内容为0，因此，扫描线64被选择时以使得像素电极13a的电位和透明电极层32的电位Vcom的差成为OV的方式对数据线65施加电压。这样，对数据线65施加电压后，像素中白微粒和黑微粒移动，显示部1的显示成为图14所示的状态。步骤SA6的处理结束后，控制器2将处理的流程返回步骤SAl。然后，继续处理，图 14的状态下，在步骤SB2中选择像素Pll后，在步骤SB3判断为“否”，从写入存储区域Cll 的值减1，存储区域Cll的内容成为6。接着，选择像素P12后，在步骤SB3判断为“否”，从写入存储区域C12的值减1，存储区域C12的内容成为6。然后，选择直到像素P44为止后， 如图15所示，存储区域C11、C12、C21、C22的内容成为6，存储区域D33、D34、D43、D44的内容成为6。图16是刚从图15所示的状态进行了第2次的步骤SA6的处理后的状态的示图。 这里，如图17所示，考虑改写了 VRAM4的内容的情况。从图17的状态进行处理直到i = 1 时在步骤SB8判断为“是”后，各存储区域的内容成为图18所示的状态。这里，步骤SBlO的处理进行后，图18的图像A中阴影部分被特定为消耗功率的部分，存储区域Gl、G2的内容成为图18所示的状态不变。这里，边界数存储区域8B存储的值的合计值为8，因此在步骤SBll中判断为“否”， 向步骤SA4转变。接着，i = 2，继续处理，在步骤SB2中选择像素P21后，在步骤SB3判断为“否”，在步骤SB4，从写入存储区域C21的值减1，存储区域C21的内容成为4。另一方面， 步骤SB2中，选择像素P23后，在步骤SB3判断为“是”，在步骤SB5判断为“否”。从而，在步骤SB6，向存储区域D23写入7，在步骤SB7，将存储区域A23的内容写入存储区域B23。这样，VRAM4的内容即使从白改写为黑，对于向白的改写进行中的像素，继续进行向白的改写， 对于改写不在进行中的像素，在黑写入数据存储区域6B存储第2写入数据。然后，处理进行直到在步骤SB8判断为“是”为止后，各存储区域的内容成为图19所示的状态。接着，控制器2进行步骤SBlO的处理。这里，存储区域C21、C22中存储了 4，存储区域C31、C32中存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域C21、C22。另外，存储区域D23、 D24中存储了 7，存储区域C13、C14中存储了 0，因此，控制器2特定该存储区域C23、C24。 这里，图19的图像A中第1行和第2行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2 将该特定的部分的数目“2”在存储区域G2存储。另外，图19的图像A的第2行和第3行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域 G3存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图19所示，变更了存储区域G2和存储区域G3 的内容。这里，在此时刻，边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SBll判断为“否”，向步骤SA4转变。然后，从图19的状态进行处理直到i = 3时在步骤SB8判断为“是”为止后，各存储区域的内容成为图20所示的状态。这里，步骤SBlO的处理进行后，图20的图像A中第2行和第3行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域G3存储。另外， 图20的图像A中第3行和第4行间的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域G4存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图20所示， 变更了存储区域G3和存储区域G4的内容。这里，边界数存储区域8B中存储的值的合计成为10，因此，在步骤SBll判断为 “是”。在步骤SBll判断为“是”后，控制器2在存储区域C31 C34及存储区域D31 D34中存储7的存储区域存储0。另外，将存储区域B31 B34用暂时存储区域中所存储的内容覆写(步骤SB12)。从而，存储区域的内容成为图21所示的状态。即，第3行的像素中， 对于改写进行中的像素(像素P33、P34)，继续进行改写。另外，对于要新改写的像素P31、 P32，由于如果改写开始则消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量，因此使改写推迟。从图21的状态进行处理直到i = 4时在步骤SB8判断为“是”为止后，存储区域的内容成为图22所示的状态。这里，步骤SBlO的处理进行后，存储区域G4的内容成为0。 然后，在步骤SBll判断为“否”，向步骤SA4转变。然后，步骤SA6的处理进行后，显示部1的状态成为图23所示的状态，对于改写进行中的像素，继续执行进行中的改写，对于未进行改写的像素，新开始像素的改写。另外，对于如果改写开始则消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量的像素，推迟像素的改写。进一步进行处理，对于先开始改写的像素(像素P11、P12、P21、P22、P33、P34、P43、 P44)，使第1写入数据和第2写入数据的值成为1，步骤SA6的处理进行后，各存储区域和显示部1的显示成为图M所示的状态。从图M的状态进行处理直到i = 1时在步骤SB8判断为“是”后，存储区域C11、 C12的内容如图25所示成为0。这里，步骤SBlO的处理进行后，图25中图像A的阴影部分被特定为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“4”在存储区域G2存储。这里，边界数存储区域8B的内容成为图25所示。此时刻的边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SBll判断为 “否”，向步骤SA4转变。从图25的状态进行处理直到i = 2时在步骤SB8判断为“是”为止后，如图26所示，存储区域C21、C22的内容成为0。这里，步骤SBlO的处理进行后，图沈的图像A中阴影部分被特定为消耗功率的部分。这里，边界数存储区域8B的内容成为图沈所示。此时刻的边界数存储区域8B中存储的值的合计值为4，因此在步骤SBll判断为 “否”，向步骤SA4转变。从图沈的状态进行处理直到i = 3时在步骤SB8判断为“是”为止后，如图27所示，存储区域D31、D32的内容成为7，存储区域D33、D34的内容成为0。这里，步骤SBlO的处理进行后，图27中图像A的阴影部分被特定为消耗功率的部分，存储区域G3、G4的内容成为图27所示的状态。这里，边界数存储区域8B中存储的值的合计值为10以上，因此在步骤SBll判断为“是”，进行步骤SB12的处理，使存储区域的内容成为图观所示的状态。然后，向步骤SA4转变，i = 4，继续进行处理，进行处理直到在步骤SB8判断为 “是”为止后，存储区域D43、D44的内容成为0。这里，步骤SBlO的处理进行后，存储区域 C41 C44及存储区域D41 D44的内容为0，因此，与相邻行之间，不特定被施加的电压不同的部分，存储区域G4、G5的内容都成为0，各存储区域的内容成为图四所示的状态。然后，步骤SA6的处理进行后，显示部1的状态成为图30所示的状态。然后，向步骤SA4转变，再次成为i = 2，进行处理直到在步骤SB8判断为“是”为止后，存储区域的内容成为图31所示的状态。这里，步骤SBlO的处理进行后，图31的图像 A中阴影部分被特定为消耗功率的部分，存储区域G2、G3的内容成为图31所示的状态。
另外，从图31的状态进行处理直到i = 3时在步骤SB8判断为“是”为止后，如图 32所示，存储区域D31、D32的内容成为7。这里，步骤SBlO的处理进行后，图32的图像A中阴影部分被特定为消耗功率的部分，存储区域G3、G4的内容成为图32所示的状态。然后， 步骤SA6的处理进行后，成为图33所示的状态。这里，开始改写被推迟了的像素的改写。根据本实施例，先开始改写的区域和新进行改写的区域即使重叠，对于新开始改写时改写不在进行中的部分，由于改写立即开始，因此使用户感觉到显示速度快。另外，在如果进行像素的改写则消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量的场合，使像素的改写推迟，改写推迟了的像素在消耗功率的峰值不会超出电源电路可供给的功率的供给量后开始改写，因此，可抑制像素的改写时消耗功率的峰值。第2实施例接着，说明本发明的第2实施例的显示装置100A。图34是显示装置100A的硬件构成的示图。另外，以下的说明中，对与第1实施例的显示装置100构成相同的部分附上相同符号，将其说明省略。显示装置100A在变更像素的灰度时的工作不同于第1实施例。控制器2具有驱动表TB。另外，在RAM5设置有表ID存储区域6C和索引存储区域6D。图35是驱动表TB的内容的示图。驱动表TB由通过表ID标识的12个表TBl TB12构成。本实施例中，像素取从黑到白的4级的灰度，各灰度用从0 (黑)按顺序到3 (白) 为止的数字表示。表TBl TB12，在将像素从某灰度向其他灰度变更时被选择，被选择的表根据像素的变更前的灰度和变更后的灰度确定。另外，像素的灰度变更时，多次对像素电极 13a施加电压，而各表存储了表示将像素的灰度从某灰度向某灰度变更时各次中对像素电极13a施加的电压的数据。表中存储的1 8的数字是索引。另外，与各索引对应的“b”、 “w”、“n”这样的数据表示各次中对像素电极13a施加的电压。这里“b”表示施加使与透明电极层32的电位差成为+15V的正的电压的情况，“W”表示施加使与透明电极层32的电位差成为-15V的负的电压的情况。此外，“η”表示将像素电极13a和透明电极层32之间的电位差设为0的情况。接着，说明显示装置100A进行的处理的流程和显示装置100A的工作。另外，由与第2实施例的说明相关的图面图示了存储区域的内容的图，除了 VRAM4和预定图像数据存储区域 的内容外，还图示了表ID存储区域6C中像素Pll P44对应的存储区域Eij的内容及索引存储区域6D中像素Pll P44对应的存储区域Fij的内容。存储区域Ell E44存储了像素的灰度变更时使用的表的表ID。例如，存储1作为表ID的场合，表ID为1 的表TBl在像素的灰度变更时使用。另外，存储区域Fll F44存储了表示参照表中哪一索引的数字。本实施例的控制器2的步骤SA3的处理内容不同于第1实施例。图36是表示本实施例中的步骤SA3的处理内容的流程图。首先，步骤SCl 步骤SC2的处理是与第1实施例的步骤SBl 步骤SB2的处理相同的处理。接着，控制器2判断与所选择的像素Pij对应的存储区域Fij中存储的索引的值是否为0(步骤SC3)。控制器2在这里存储区域Fij 的内容为0的场合(步骤SC3中为“是”)，向步骤SC5转变，在为0以外的值的场合(步骤 SC3中为“否”)，向步骤SC4转变。向步骤SC4转变后，控制器2从存储区域Fij的值减1。向步骤SC5转变后，控制器2比较存储区域Aij中存储的数据和存储区域Bi j中存储的数据。这里，控制器2在两者不同的场合(步骤SC5中为“否”)，从表TBl TB12中
19确定用于将像素的灰度从存储区域Bij中存储的灰度向存储区域Aij中存储的灰度变化的表(步骤SC6)。接着，控制器2向存储区域Eij写入在步骤SC6中所确定的表的表ID，在存储区域Fij写入8 (步骤SC7)。另外，控制器2用存储区域Aij中存储的内容覆写存储区域Bij的内容(步骤SC8)。接下来的步骤SC9、步骤SClO的处理是与第1实施例的步骤SB8、步骤SB9的处理相同的处理。控制器2在步骤SCll中，对于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第 i-1行的电压的像素，将所特定的像素和第i_l行的像素的边界的数的合计在存储区域Gi 存储。另外，对于像素的第i行的各列，特定被施加不同于第i+Ι行的电压的像素，将所特定的像素和第i+Ι行的像素的边界的数的合计在存储区域Gi+Ι存储。接着，控制器2合计在边界数存储区域8B存储的值，判断合计值是否在预定阈值以上(步骤SCU)。控制器2在合计值未满阈值的场合(步骤SC12中为“否”)，向步骤SA4 转变。另一方面，控制器2在合计值为阈值以上的场合(步骤SC12中为“是”)，改写存储区域的第i行的内容(步骤SC13)。接着，参照图面，说明驱动像素时的工作的一例。另外，以下的说明中，如图37所示，假定向VRAM4写入了图像数据的状态来进行说明。在图37所示的状态，进行步骤SA3的处理，当在步骤SC2中选择像素Pll后，在步骤SC3判断为“是”，在步骤SC5判断为“否”。接着，步骤SC6中，存储区域Bll的内容为0 且存储区域All的内容为3，因此，作为变更像素Pll的灰度所使用的表，确定为将灰度从 0变更到3的表TB10。接着，将在步骤S6中确定的表的表ID写入存储区域E11，向存储区域Fll写入8(步骤SC7)，将存储区域Bll的内容用存储区域All的内容覆写(步骤SC8)。 接着，当选择像素P12后，在步骤SC3判断为“是”，在步骤SC5判断为“否”。然后，确定表 TB10,将表ID写入存储区域E12，向存储区域F12写入8 (步骤SC7)，将存储区域B12的内容用存储区域A12的内容覆写(步骤SC8)。这里，存储区域的内容成为图38所示的状态。然后，继续进行处理，在步骤SC9判断为“是”后，控制器2进行步骤SCll的处理。 这里，控制器2对于第i行的像素，参照存储区域Eij和存储区域Fi j，特定对各像素施加的电压。接着，控制器2对于第i-Ι行的像素，参照表ID存储区域6C和索引存储区域6D， 特定对各像素施加的电压。另外，控制器2对于第i+Ι行的像素，参照表ID存储区域6C和索引存储区域6D，特定对各像素施加的电压。接着，控制器2在第i行的像素中，特定被施加不同于第i-i行的电压的像素，并在所特定的像素中特定与第i-i行的边界。该特定的边界部分如第1实施例所说明的那样，是消耗功率的部分。此外，控制器2在第i行的像素中，特定被施加不同于第i+Ι行的电压的像素，在所特定的像素中特定与第i+Ι行的边界。 该特定的边界部分，如第1实施例所说明的那样，是消耗功率的部分。例如，图38所示的状态的场合，像素P11、P12中，对像素电极13a施加使其与透明电极层32的电位差为-15V的负的电压，像素P21、P22中，对像素电极13a施加使其与透明电极层32的电位差为OV的电压。像素Pll和像素P21中，对像素电极13a施加的电压不同，像素P12和像素P22中，对像素电极13a施加的电压不同，因此，控制器2特定该像素 Pll与P21的边界部分及像素P12与像素P22的边界部分(图38的图像Pij的第1行和第2行之间的阴影部分)为消耗功率的部分。另外，将图38的显示部的第1行之上的阴影部分特定为消耗功率的部分。控制器2将特定的边界部分的数在存储区域Gi和存储区域Gi+Ι存储后，边界数存储区域8B的内容成为图38所示的状态。接着，控制器2判断边界数存储区域8B中存储的值的合计是否在预定阈值以上 (步骤SC12)。这里，与第1实施例同样，阈值为10的场合，此时刻的边界数存储区域8B中存储的值的合计值为4，因此在步骤SC12判断为“否”，向步骤SA4转变。接着，进行步骤SA5的处理，i = 2，进行处理直到在步骤SC9判断为“是”为止后， 各存储区域的内容成为图39所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图39的显示部的阴影部分为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“2”在存储区域G3 存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图39所示，变更为在存储区域G3存储有2的状态。另外，第1行和第2行之间，没有被特定的部分，因此在存储区域G2存储0。接着，进行步骤SA5的处理，i = 3，进行处理直到在步骤SC9判断为“是”为止后， 各存储区域的内容成为图40所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图40的显示部中阴影部分为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数在存储区域G3、G4存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图40所示，成为在存储区域G3存储4、在存储区域 G4存储2的状态。接着，控制器2进行步骤SC12的处理，而此时刻边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SC12判断为“否”，向步骤SA4转变。接着，进行步骤SA5的处理，i = 4，进行处理直到在步骤SC9判断为“是”为止后， 各存储区域的内容成为图41所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图41的显示部中阴影部分为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数在存储区域G4、G5存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图41所示，成为在存储区域G4存储0、在存储区域 G5存储2的状态。进一步进行处理后，进行步骤SA6的处理。这里，对于像素Pl 1，在存储区域El 1存储的表ID是10，在存储区域Fl 1存储的索引是8。对于像素P11，表TB10中索引的8对应的数据是 ”，因此，以使得像素电极13a的电位相对于透明电极层32成为-15V的方式驱动像素驱动电路。另外，对于像素P33，在存储区域E33存储的表ID是3，在存储区域Fll 存储的索引是8。对于像素P33，表TB3中索引的8对应的数据是“b”，因此，以使得像素电极13a的电位相对于透明电极层32成为+15V的方式驱动像素驱动电路。另外，对于索引成为0的存储区域所对应的像素，使透明电极层32和像素电极13a的电位差为0V。图42是刚从图41所示的状态进行了第2次的步骤SA6的处理后的状态的示图。 这里，如图43所示，考虑改写了 VRAM4的内容的情况。从图43的状态进行处理直到i = 1时在步骤SC9判断为“是”为止后，各存储区域的内容成为图44所示的状态。这里，步骤 SCll的处理进行后，特定图44的显示部中阴影部分为消耗功率的部分，存储区域G1、G2的内容成为图44所示的状态。这里，边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SC12判断为“否”， 向步骤SA4转变。接着，i = 2，继续进行处理，在步骤SC2中选择像素P21后，在步骤SC3 判断为“否”，在步骤SC4从写入存储区域F21的值减1，存储区域F21的内容成为5。另一方面，步骤SC2中，选择像素P23后，在步骤SC3判断为“是”，在步骤SC5判断为“否”。从而，在步骤SC7，向存储区域F23写入8，向存储区域E23写入3。另外，在步骤SC8，将存储区域A23的内容写入存储区域B23。这样，VRAM4的内容即使从白改写到黑，对于向白的改写正在进行中的像素，继续进行向白的改写，对于改写不在进行中的像素，向对应的存储区域Eij及存储区域Fij新写入数据。然后，进行处理直到在步骤SC9判断为“是”为止后，使得各存储区域的内容成为图45所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图45的显示部中阴影部分为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数在存储区域G2、G3存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图45所示，变更了存储区域G2和存储区域G3的内容。这里，在此时刻，边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SC12判断为“否”，向步骤SA4转变。然后，进行处理直到i = 3时在步骤SC9判断为“是”为止后， 各存储区域的内容成为图46所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图46的显示部中阴影部分为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数在存储区域G3、G4存储。 这里，边界数存储区域8B的内容如图46所示，变更了存储区域G3和存储区域G4的内容。这里，边界数存储区域8B中存储的值的合计为10，因此，在步骤SC12判断为“是”。 在步骤SC12判断为“是”后，控制器2在存储区域F31 F34中，在存储8的存储区域存储 0。另外，将存储区域B31 B34用暂时存储区域中存储的内容覆写(步骤SC13)。从而， 存储区域的内容成为图47所示的状态。即，第3行的像素中，对于改写正在进行中的像素 (像素P33、P34)，继续进行改写。另外，对于要新改写的像素P31、P32，由于如果开始改写则消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量，因此推迟改写。从图47的状态进行处理直到i = 4时在步骤SC9判断为“是”为止后，各存储区域的内容成为图48所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，存储区域G4的内容成为 0。然后，在步骤SC12判断为“否”，向步骤SA4转变。然后，步骤SA6的处理进行后，对于在VRAM4中改写了内容的部分所对应的像素， 对于改写正在进行中的像素继续执行进行中的改写，对于未进行改写的像素，新开始像素的改写。另外，对于如果开始改写则消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量的像素，不开始像素的改写。进一步进行处理后，对于先开始改写的像素(像素P11、P12、P21、P22、P33、P34、 P43、P44)，如图49所示，存储区域Fij的值成为1。从图49的状态进行处理直到i = 1时在步骤SC9判断为“是”为止后，存储区域F11、F12的内容成为0。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图50中图像A的阴影部分为消耗功率的部分。控制器2将该特定的部分的数目“4”在存储区域G2存储。这里，边界数存储区域8B的内容如图50所示，变更了存储区域Gl和存储区域G2的内容。此时刻的边界数存储区域8B中存储的值的合计值为8，因此在步骤SC12判断为 “否”，向步骤SA4转变。从图50的状态进行处理直到i = 2时在步骤SC9判断为“是”为止后，如图51所示，存储区域F21、F22的内容成为0。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图51的显示部中阴影部分为消耗功率的部分。这里，边界数存储区域8B的内容如图51所示，变更了存储区域G2和存储区域G3的内容。此时刻的边界数存储区域8B中存储的值的合计值为4，因此在步骤SC12判断为 “否”，向步骤SA4转变。从图51的状态进行处理直到i = 3时在步骤SC9判断为“是”为止后，如图52所示，存储区域F31、F32的内容成为8，存储区域F33、F34的内容成为0。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图52中显示部的阴影部分为消耗功率的部分，使存储区域G3、G4的内容成为图52所示的状态。这里边界数存储区域8B中存储的值的合计值为10以上，因此在步骤SC12判断为 “是”，进行步骤SC13的处理后，存储区域的内容成为图53所示的状态。然后，向步骤SA4转变，接着i = 4，继续进行处理。从图53的状态进行处理直到在步骤SC9判断为“是”为止后，存储区域F43、F44的内容成为0。这里，步骤SCll的处理进行后，存储区域C41 C44及存储区域D41 D44的内容为0，因此与相邻行之间，不特定被施加的电压不同的部分，存储区域G4、G5的内容都成为0，各存储区域的内容成为图M 所示的状态。然后，向步骤SA4转变，再次使i = 2，进行处理直到在步骤SC9判断为“是”为止后，存储区域的内容成为图55所示的状态。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图55中显示部的阴影部分为消耗功率的部分，存储区域G2、G3的内容成为图55所示的状态。这里， 边界数存储区域8B中存储的值的合计值不足10，因此在步骤SC12判断为“否”。从图55的状态进行处理直到i = 3时在步骤SC9判断为“是”为止后，如图56所示，存储区域F31、F32的内容成为8。这里，步骤SCll的处理进行后，特定图56的显示部中阴影部分为消耗功率的部分，使存储区域G3、G4的内容成为图56所示的状态。这里，对于写入推迟了的像素，在对应的存储区域写入表ID和索引，因此在步骤SA6中，对于写入推迟了的像素，开始进行显示状态的变更。本实施例中，先开始改写的区域和新进行改写的区域即使重叠，对于新开始改写时改写不在进行中的部分，由于改写立即开始，因此使用户感觉到显示速度快。另外，本实施例中，在如果进行像素的改写则消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量的场合，使像素的改写推迟，改写被推迟了的像素在消耗功率的峰值不会超出电源电路可供给的功率的供给量后开始改写，因此，可抑制像素的改写时消耗功率的峰值。电子设备接着，说明采用上述实施例的显示装置的电子设备。图57(a)是采用上述实施例的显示装置的电子书阅读器的立体图。该电子书阅读器1000具备书本形状的框1001 ；对该框1001可自由开闭地设置的盖1002 ；操作部1003 ； 以及本发明的实施例的显示装置100。该电子书阅读器1000中，电子书的内容在显示装置 100显示，通过操作操作部1003，对电子书进行翻页。另外，图57(b)是采用上述实施例的显示装置的手表1100的立体图。该手表1100 具备本发明的实施例的显示装置100。该手表1100中，时刻、年月日在显示装置100显示。另外，除此以外，作为可应用上述实施例的显示装置100的电子设备，还可举出电子纸、电子记事本、电子计算器、便携电话机等。变形例以上，说明了本发明的实施例，但是本发明不限于上述实施例，也能以其他各种形态实施。例如，也可以将上述的实施例变形如下地来实施本发明。另外，上述的实施例及以下的变形例也可以各自组合。变形例1上述实施例中，新开始像素的改写后，按像素的每行判断消耗功率的峰值是否超出电源电路可供给的功率的供给量，但是，在对某行进行判断的时刻判断为消耗功率的峰值超出电源电路可供给的功率的供给量的场合，也可以推迟该行以后的新像素的改写。变形例2上述实施例中，以显示部1的像素的配置为4行4列的场合为例进行了工作的说明，但是，像素的配置不限于该配置，例如，可设为400行640列等的配置，也可以将步骤 SBll和/或步骤SC12中的阈值设为10以外的值。另外，像素的配置为几十行 几百行的场合，也可以按预定的几行 几十行将显示部1的像素分割为多个区域。另外，也可以对每个该分割的区域确定阈值，对各区域的每个进行上述第1实施例的图6、7的处理或第2实施例的图36的处理。显示部1的像素不分割为多个区域的场合，对于行编号大的像素，使像素的改写推迟的可能性高，存在开始改写的定时推迟的可能性。另一方面，根据将显示部1的像素分割为多个区域的构成，对于各区域中行编号小的像素开始改写的可能性高，因此，可以使用户看到画面整体开始了改写。变形例3上述第2实施例中，对于第i行中显示状态正在更新中的像素和相对于该像素而言在第i_l行中相邻的像素中显示状态正在更新中的像素，基于表ID及索引，特定对像素电极13a施加的电压，在第i行的像素和相对于该像素在第i_l行中相邻的像素中对像素电极13a施加的电压的电位差成为30V的场合，也可以直到施加的电压与第i_l行的像素成为相同为止，对第i行的像素停止像素的显示状态的更新。另外，第2实施例中，逐帧计算消耗功率的边界部分，但是也可以取而代之，基于表ID和索引，对全部的帧预先进行消耗功率的边界的计算。该计算的结果为对于全部的帧而言若边界数存储区域8B中存储的值的合计小于预定阈值，则全部的帧中，任一行的改写都不推迟地执行显示工作即可。另外，上述计算的结果为任一帧中边界数存储区域8B中存储的值的合计为预定阈值以上的场合，不开始显示工作，将预定的行以下的改写推迟到第2 帧以后，重新对全部的帧实施计算。反复进行该工作，在通过以预定的帧数推迟预定的行而使得对于全部的帧而言边界数存储区域8B中存储的值的合计小于预定阈值的场合，开始显示工作。这样，不管表ID和索引如何分布，都可以避免在改写工作的途中发生功率超过界限值的不佳状况。另外，第2实施例中，对于相邻行的相邻像素，基于表ID存储区域6C和索引存储区域6D特定对各像素施加的电压，根据该电压的信息，特定消耗功率的边界部分，但是也可以取而代之，对于相邻行的相邻像素，在表ID及索引的至少一方不同的场合，将这些相邻像素的边界看作消耗功率的边界部分，进行处理。变形例4上述实施例中，设为黑的电泳微粒带正电、白的电泳微粒带负电的形态，但是，也可以设为黑的电泳微粒带负电、白的电泳微粒带正电的形态。另外，作为电泳微粒，采用白和黑的2种进行白黑的显示，但是电泳微粒的色不限于白和黑，也可以是红、蓝和/或绿等其他色。另外，上述实施例中，显示装置100是电泳方式，但是不限于电泳方式。显示装置 100的显示方式只要是在多个帧中通过对像素施加电压而显示图像的方式，则也可以是采
24用例如胆留型液晶、电致变色体、电子粉粒体等的方式。另外，电泳层20不限于具有微囊21的构成，只要是在由分隔壁划分的空间收置有分散介质和电泳微粒的构成即可。另外，上述实施例中，控制器2和控制部3分别独立，但是，控制器2实现的功能的一部分也可以由控制部3实现，另外，也可以将控制器2和控制部3在一个半导体芯片上汇总形成为控制部。
权利要求
1.一种控制装置，其特征在于，该控制装置是显示装置的控制装置，该显示装置中，由与多行多列的像素的各个对应而设置有第1电极的第1基板和设置有第2电极的第2基板夹持显示元件，上述像素包括上述第1电极、上述显示元件及上述第2电极，通过向上述显示元件多次施加电压的写入工作将上述像素的显示状态从第1显示状态向第2显示状态变更， 上述控制装置具备 依次选择上述行的选择部；从存储器读入在上述显示装置显示的图像的图像数据的数据读入部； 特定部，其基于表示在通过上述数据读入部读入图像数据前在上述显示装置显示的预定的图像的预定图像数据和通过上述数据读入部所读入的图像数据，特定通过上述选择部所选择的行的像素中新变更显示状态的变更像素；边界特定部，其在通过上述选择部所选择的行的像素中特定被施加不同于相邻的行的像素的电压的像素，对该特定的像素和在与该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界进行特定；边界数存储部，其按上述行逐行存储通过上述边界特定部所特定的边界的边界数； 判断部，其判断在上述边界数存储部中所存储的边界数的合计是否在预定的阈值以上；以及更新部，其在上述判断部中判断为不足上述阈值时，当通过上述选择部所选择的行的上述变更像素不在上述写入工作中时，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作，当上述变更像素在上述写入工作中时，在进行中的写入工作结束后，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作；在上述判断部中判断为是上述阈值以上时，直到在上述判断部中判断为不足上述阈值为止，对上述变更像素不开始上述写入工作。
2.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于， 上述多行多列的像素按预定的行数分为多个区域，上述判断部判断在上述边界数存储部中所存储的边界数中的、与包括通过上述选择部所选择的行的上述区域相关的边界数的合计，是否在预定的阈值以上。
3.如权利要求1或2所述的控制装置，其特征在于，关于上述多次的电压的施加，按照确定各次施加的电压的表，向上述像素施加电压。
4.如权利要求3所述的控制装置，其特征在于，对于通过上述选择部所选择的行的像素且上述写入工作进行中的像素，以使得施加与在相邻的行中对上述写入工作进行中的像素所施加的电压相同的电压的方式，控制电压的施加时期。
5.一种显示装置，其特征在于，由与多行多列的像素的各个对应而设置有第1电极的第1基板和设置有第2电极的第 2基板夹持显示元件，上述像素包括上述第1电极、上述显示元件及上述第2电极，通过向上述显示元件多次施加电压的写入工作将上述像素的显示状态从第1显示状态向第2显示状态变更，上述显示装置具备依次选择上述行的选择部；从存储器读入在上述显示装置显示的图像的图像数据的数据读入部； 特定部，其基于表示在通过上述数据读入部读入图像数据前在上述显示装置显示的预定的图像的预定图像数据和通过上述数据读入部所读入的图像数据，特定通过上述选择部所选择的行的像素中新变更显示状态的变更像素；边界特定部，其在通过上述选择部所选择的行的像素中特定被施加不同于相邻的行的像素的电压的像素，对该特定的像素和在与该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界进行特定；边界数存储部，其按上述行逐行存储通过上述边界特定部所特定的边界的边界数； 判断部，其判断在上述边界数存储部中所存储的边界数的合计是否在预定的阈值以上；以及更新部，其在上述判断部中判断为不足上述阈值时，当通过上述选择部所选择的行的上述变更像素不在上述写入工作中时，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作，当上述变更像素在上述写入工作中时，在进行中的写入工作结束后，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作；在上述判断部中判断为是上述阈值以上时，直到在上述判断部中判断为不足上述阈值为止，对上述变更像素不开始上述写入工作。
6. 一种显示装置的控制方法，其特征在于，该显示装置中，由与多行多列的像素的各个对应而设置有第1电极的第1基板和设置有第2电极的第2基板夹持显示元件，上述像素包括上述第1电极、上述显示元件及上述第 2电极，通过向上述显示元件多次施加电压的写入工作将上述像素的显示状态从第1显示状态向第2显示状态变更， 上述控制方法包括 依次选择上述行的选择步骤；从存储器读入在上述显示装置显示的图像的图像数据的数据读入步骤； 特定步骤，其中，基于表示在通过上述数据读入步骤读入图像数据前在上述显示装置显示的预定的图像的预定图像数据和通过上述数据读入步骤所读入的图像数据，特定通过上述选择步骤所选择的行的像素中新变更显示状态的变更像素；边界特定步骤，其中，在通过上述选择步骤所选择的行的像素中特定被施加不同于相邻的行的像素的电压的像素，对该特定的像素和在与该特定的像素相邻的行中被施加不同于该特定的像素的电压的像素的边界进行特定；边界数存储步骤，其中，按上述行逐行存储通过上述边界特定步骤所特定的边界的边界数；判断步骤，其中，判断在上述边界数存储步骤中所存储的边界数的合计是否在预定的阈值以上；以及更新步骤，其中，在上述判断步骤中判断为不足上述阈值时，当通过上述选择步骤所选择的行的上述变更像素不在上述写入工作中时，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作，当上述变更像素在上述写入工作中时，在进行中的写入工作结束后，以使得成为上述图像数据所确定的显示状态的方式对上述变更像素开始上述写入工作；在上述判断步骤中判断为是上述阈值以上时，直到在上述判断步骤中判断为不足上述阈值为止，对上述变更像素不开始上述写入工作。
全文摘要
本发明涉及控制装置、显示装置及其控制方法，显示装置通过对像素多次施加电压的写入工作来变更像素的灰度，显示装置在新变更像素的显示状态的场合，判断变更显示状态的像素是否在写入工作中，显示装置对不在写入工作中的像素开始写入工作，对写入工作中的像素，在进行中的写入工作结束后，对像素开始新的写入工作，另外，显示装置在通过更新写入工作中的像素及新开始写入的像素所消耗的功率变大的场合，对要新开始写入的像素，推迟写入工作的开始。
文档编号G09G3/20GK102402932SQ20111026538
公开日2012年4月4日 申请日期2011年9月8日 优先权日2010年9月10日
发明者山田裕介 申请人:精工爱普生株式会社
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