显示面板的制作方法
专利名称：显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示面板，尤其涉及在基板上集成有感测电路的显示面板。
背景技术：
液晶显示器(liquid crystal display, LCD)具有低辐射、体积小及低耗能等优点，已逐渐取代传统的阴极射线管显示器(cathode ray tube display, CRT)，因而被广泛地应用在笔记本电脑、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、平面电视，或移动电话等信息产品上。传统显示器的驱动方式是利用外部源极驱动电路(source driver) 和栅极驱动电路(gate driver)来驱动面板上的像素以显示图像，近年来逐渐发展成将驱动电路结构直接制作于显示面板的阵列基板上，例如将栅极驱动电路(gate driver)整合于显示面板的阵列基板中，即阵列基板行驱动(gate driver on array,G0A)技术。但是采用GOA架构，对于驱动电路，如栅极驱动电路，其驱动能力一般受操作环境的温度影响，当操作环境的温度较低时，可能使得栅极驱动电路驱动能力不足，从而导致不能正常驱动栅极。在现有的GOA架构中，一般采用在电源电路上增加一组温控补偿电路，以解决低温下GOA架构中的驱动电路的驱动能力不足。具体地说，一般是在电源电路上增加一组温控补偿电路，该温控补偿电路通常由一些焊接在组装印刷电路板上的一般电阻及热敏电阻所组成。此温控补偿电路虽然可以补偿在低温操作环境下驱动电路的驱动能力不足的问题，但面临因制程变异所造成的GOA架构中电路驱动能力的差异却束手无策。一般而言，在合理制程的不同批次下，将出现薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)的导通电流I。N 大小具有一定的差异，即有些导通电流I 较高，而有些导通电流Iw较低，而导通电流I 的大小与驱动电路的驱动能力是成对应关系，即，当I 较高，则所对应的驱动电路的驱动力较佳，当Iw较低，则所对应的驱动电路的驱动能力较差。因此，现有温度补偿电路无法改善制程中不同批次所导致的驱动电路的驱动能力的差异。此外，现有的GOA构架中，电源所提供的电压会经过电压位准转换器进行电压位准转换后，并必须经过一段布线(layout trace)之后才会输入至驱动电路，因此，这个过程中会造成电压衰减(decay)，这将可能会影响信号的品质(例如栅极驱动信号的输出波形失真)。
发明内容
为了解决上述现有问题，本发明提出了一种显示面板，包含一时序控制器，用以输出一时脉信号；一电压产生器，用以输出一第一电压信号；一电压位准转换器，耦接于所述时序控制器及所述电压产生器，用以将所述第一电压信号转换为一第二电压信号；以及一薄膜晶体管阵列基板。其中，薄膜晶体管阵列基板包含一基板；一主动显示区，设置在所述基板上，具有至少一薄膜晶体管；一栅极驱动电路，设置在所述基板上，耦接于所述电压位准转换器及所述薄膜晶体管，用以根据所述第二电压信号产生一栅极驱动电压信号； 以及一感测电路，设置在所述基板上，耦接于所述电压位准转换器，用以感测所述第二电压信号以产生一第三电压信号并传输至所述电压产生器；其中，所述电压产生器根据所述第三电压信号调整其所输出的所述第一电压信号，并据此产生所述栅极驱动电压信号以驱动所述薄膜晶体管的栅极。优选地，所述感测电路包含一第一晶体管，其栅极与源极用以输入一写入请求信号—第二晶体管，其栅极与所述第一晶体管的漏极耦接于一第一节点，其漏极输入所述时脉信号，所述第一节点处用以输入所述第二电压信号；一第三晶体管，其栅极与漏极输入所述时脉信号；一第四晶体管，其栅极耦接于所述第一晶体管的漏极，其源极耦接于所述第三晶体管的源极，其漏极耦接一接地信号；一第五晶体管，其栅极耦接于所述第三晶体管的源极，其漏极耦接于所述第三晶体管的漏极；一第六晶体管，其栅极耦接于所述第一晶体管的漏极，其漏极耦接于所述第五晶体管的源极；一第七晶体管，其栅极耦接于所述第五晶体管的源极，其漏极耦接于所述第一晶体管的漏极，其源极耦接所述接地信号；以及一第八晶体管，其栅极耦接于所述第五晶体管的源极，其源极耦接所述接地信号， 其漏极与所述第二晶体管的源极耦接于一第二接点，所述第二接点处用以输出所述第三电压信号。优选地，所述感测电路还包含一第九晶体管，其栅极用以输入一复位信号，其漏极耦接所述第一晶体管的漏极，其源极耦接所述接地信号。优选地，所述感测电路还包含一第一电容，其一端耦接所述第二节点，其另一端耦接所述接地信号，用以滤除所述第三电压信号的干扰信号。优选地，所述电压产生器包含一电压比较单元，其输入端耦接于所述感测电路， 具有一参考电压，用以将所述第三电压与所述参考电压进行比较以产生一比较信号；以及一电压产生单元，其输入端耦接于所述电压比较单元，用以根据所述比较信号产生所述第一电压信号。优选地，所述第一电压信号包含一第一高位准电压信号及一第一低位准电压信号，所述参考电压包含一高位准参考电压及一低位准参考电压，所述高位准参考电压与所述第一高位准电压信号相对应，所述低位准参考电压与所述第一低位准电压信号相对应。优选地，所述第一高位准电压信号用以提供正栅极电压，所述第一低位准电压信号用以提供负栅极电压。优选地，所述基板的材料为玻璃。由上可知，本发明所提出的显示面板，在其基板上集成感测电路，以感测输入至栅极驱动电路的电压信号并产生一输出信号传输至电压产生器，而电压产生器根据感测电路的输出信号调整其输出以提高栅极驱动电路的驱动能力。本发明所提出的技术方案，兼顾了现有技术中的温度补偿，也可改善制程中不同批次所导致的驱动能力不足问题，还可对布线所造成的电压衰减进行补偿。
图1绘示了本发明一实施方式的显示面板的结构示意图；图2绘示了图1中的感测电路与电压产生器的电路结构示意图；以及图3绘示了图2中的温度感测器与电压产生器运作时的时序图。
具体实施例方式以下将以附图及详细说明来清楚阐释本发明的实施方式，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与组件在附图中将以简单示意的方式绘示。参照图1，图1绘示了本发明一实施方式的显示面板的结构示意图。如图1所示，显示面板1，包含一时序控制器(timingcontroller)ll、一电压产生器12、一电压位准转换器(level shifter) 13及一薄膜晶体管阵列基板14。其中，时序控制器11，用以输出一时脉信号CLK ；电压产生器12，用以输出一第一电压信号V1 ；电压位准转换器13，耦接于时序控制器11及电压产生器12用以将第一电压信号V1转换为一第二电压信号V2，在本实施方式中，第二电压信号V2的电压位准不同于的第一电压信号V1电压位准。如图1所示，薄膜晶体管阵列基板14包含一基板141、一主动显示区142、一栅极驱动电路143及一感测电路144。其中，对于基板141，在本实施方式中，为玻璃材料，但不以此为限；主动显示区142，设置在基板141上，其具有至少一薄膜晶体管(未绘示)；栅极驱动电路143，设置在基板141上，耦接于电压位准转换器13及主动显示区142中的薄膜晶体管，用以根据第二电压信号V2产生一栅极驱动电压信号Vg ；感测电路144，设置在基板 141上，耦接于电压位准转换器13，用以感测第二电压信号V2以产生一第三电压信号V3并传输至电压产生器12。需说明的是，在本实施方式中，感测电路144所感测的是电压位准转换器13所输出的第二电压信号V2并经过布线后的信号(输入至栅极驱动电路143的信号)，换言之，第二电压信号V2是经过一段布线后才输入至感测电路144中。在本实施方式中，电压产生器12可以根据第三电压信号V3调整其所输出的第一电压信号V1,然后电压位准转换器13将根据此第一电压信号V1对应产生第二电压信号V2, 之后，栅极驱动电路143对应输出栅极驱动电压信号Vg以驱动薄膜晶体管的栅极。下面参照图2，图2绘示了图1中的感测电路与电压产生器的电路结构示意图。如图2所示，感测电路144包含一第一晶体管T1，其栅极与源极用以输入一写入请求信号feite ；—第二晶体管T2,其栅极与第一晶体管T1的漏极耦接于一第一节点N1，此第一节点N1处作为此感测电路144的输入点(Q)，即用以输入前述之第二电压信号V2,其漏极输入时脉信号CLK ；一第三晶体管T3,其栅极与漏极输入时脉信号CLK ；一第四晶体管T4, 其栅极耦接于第一晶体管T1的漏极，其源极耦接于第三晶体管T3的源极，其漏极耦接一接地信号Vss ；—第五晶体管T5，其栅极耦接于第三晶体管T3的源极，其漏极耦接于第三晶体管T3的漏极；一第六晶体管T6，其栅极耦接于第一晶体管T1的漏极，其漏极耦接于第五晶体管T5的源极；一第七晶体管T7,其栅极耦接于第五晶体管T5的源极，其漏极耦接于第一晶体管T1的漏极，其源极耦接接地信号Vss ；以及，一第八晶体管，其栅极耦接于第五晶体管T5 的源极，其源极耦接所述接地信号Vss，其漏极与第二晶体管T2的源极耦接于一第二接点N2, 此第二节点N2处作为此感测电路144的输出点(0)，即用以输出前述之第三电压信号V3。
在本实施方式中，感测电路144还可以包含一第九晶体管T9，其栅极用以输入一复位信号Rst，其漏极耦接第一晶体管T1的漏极，其源极耦接接地信号Vss。在本实施方式中，感测电路144还可以包含一第一电容C1,其一端耦接第二节点 N2，其另一端耦接接地信号Vss，此电容C1用以滤除第三电压信号V3的干扰信号。如图2所示，电压产生器12包含一电压比较单元121及一电压产生单元122。其中，电压比较单元121耦接于感测电路144，具体地说，其输入端耦接于感测电路144中的第二节点队。此电压比较单元144，用以将第三电压V3与一参考电压V,ef进行比较，并产生一比较信号，在本实施方式中，此参考电压Vref可以是通过内部给定。电压产生单元122，其输入端耦接于电压比较单元121，用以根据此比较信号产生前述之第一电压信号V1。在本实施方式中，第一电压信号V1可以是一第一高位准电压信号Vlh及一第一低位准电压信号V11,其中，第一高位准电压信号用以给薄膜晶体管提供正栅极电压Vgh，第一低位准电压信号用以给薄膜晶体管提供负栅极电压vgl。相对应地，参考电压Vref包含一高位准参考电压VMfh及一低位准参考电压Vrefl，高位准参考电压VMfh与第一高位准电压信号 Vlh相对应，低位准参考电压VMfl与第一低位准电压信号V11相对应。参照图3，图3绘示了图2中的温度感测器与电压产生器运作时的时序图。如图3所示，在本实施方式中，当电压产生器12中的电压比较单元121中的read 信号为逻辑1 (true)时，比如、及t2时间段，则电压比较单元121将读出感测单元144所输出的信号，即第三电压信号V3，并将其与设定的参考电压Vref做比较，当两者不相等时，电压产生单元122将调整其输出，即改变第一电压信号V1，直到V3与相等为止。由上可知，本发明所提出的显示面板，在其基板上集成感测电路，以感测输入至栅极驱动电路的电压信号并产生一输出信号传输至电压产生器，而电压产生器根据感测电路的输出信号调整其输出以提高栅极驱动电路的驱动能力。本发明所提出的技术方案，兼顾了现有技术中的温度补偿，也可改善制程中不同批次所导致的驱动能力不足问题，还可对布线所造成的电压衰减进行补偿。上文中，参照附图描述了本发明的具体实施方式
。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，还可以对本发明的具体实施方式
作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围内。
权利要求
1.一种显示面板，其特征在于，包含 一时序控制器，用以输出一时脉信号； 一电压产生器，用以输出一第一电压信号；一电压位准转换器，耦接于所述时序控制器及所述电压产生器，用以将所述第一电压信号转换为一第二电压信号；以及一薄膜晶体管阵列基板，包含 一基板；一主动显示区，设置在所述基板上，具有至少一薄膜晶体管；一栅极驱动电路，设置在所述基板上，耦接于所述电压位准转换器及所述薄膜晶体管， 用以根据所述第二电压信号产生一栅极驱动电压信号；以及一感测电路，设置在所述基板上，耦接于所述电压位准转换器，用以感测所述第二电压信号以产生一第三电压信号并传输至所述电压产生器；其中，所述电压产生器根据所述第三电压信号调整其所输出的所述第一电压信号，并据此产生所述栅极驱动电压信号以驱动所述薄膜晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述感测电路包含 一第一晶体管，其栅极与源极用以输入一写入请求信号一第二晶体管，其栅极与所述第一晶体管的漏极耦接于一第一节点，其漏极输入所述时脉信号，所述第一节点处用以输入所述第二电压信号； 一第三晶体管，其栅极与漏极输入所述时脉信号；一第四晶体管，其栅极耦接于所述第一晶体管的漏极，其源极耦接于所述第三晶体管的源极，其漏极耦接一接地信号；一第五晶体管，其栅极耦接于所述第三晶体管的源极，其漏极耦接于所述第三晶体管的漏极；一第六晶体管，其栅极耦接于所述第一晶体管的漏极，其漏极耦接于所述第五晶体管的源极；一第七晶体管，其栅极耦接于所述第五晶体管的源极，其漏极耦接于所述第一晶体管的漏极，其源极耦接所述接地信号；以及一第八晶体管，其栅极耦接于所述第五晶体管的源极，其源极耦接所述接地信号，其漏极与所述第二晶体管的源极耦接于一第二接点，所述第二接点处用以输出所述第三电压信号。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述感测电路还包含一第九晶体管，其栅极用以输入一复位信号，其漏极耦接所述第一晶体管的漏极，其源极耦接所述接地信号。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述感测电路还包含一第一电容，其一端耦接所述第二节点，其另一端耦接所述接地信号，用以滤除所述第三电压信号的干扰信号。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电压产生器包含一电压比较单元，其输入端耦接于所述感测电路，具有一参考电压，用以将所述第三电压与所述参考电压进行比较以产生一比较信号；以及一电压产生单元，其输入端耦接于所述电压比较单元，用以根据所述比较信号产生所述第一电压信号。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一电压信号包含一第一高位准电压信号及一第一低位准电压信号，所述参考电压包含一高位准参考电压及一低位准参考电压，所述高位准参考电压与所述第一高位准电压信号相对应，所述低位准参考电压与所述第一低位准电压信号相对应。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一高位准电压信号用以提供正栅极电压，所述第一低位准电压信号用以提供负栅极电压。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述基板的材料为玻璃。
全文摘要
本发明提出了一种显示面板，包含一时序控制器，用以输出一时脉信号；一电压产生器，用以输出一第一电压信号；一电压位准转换器，耦接于时序控制器及电压产生器，用以将第一电压信号转换为一第二电压信号；及一薄膜晶体管阵列基板。薄膜晶体管阵列基板包含一基板；一主动显示区，具有至少一薄膜晶体管；一栅极驱动电路，耦接于电压位准转换器及薄膜晶体管，用以根据第二电压信号产生一栅极驱动电压信号；以及一感测电路，设置在基板上，耦接于电压位准转换器，用以感测第二电压信号以产生一第三电压信号并传输至电压产生器；其中，电压产生器根据第三电压信号调整其所输出的第一电压信号，并据此产生栅极驱动电压信号以驱动薄膜晶体管的栅极。
文档编号G09G3/36GK102324223SQ20111029005
公开日2012年1月18日 申请日期2011年9月21日 优先权日2011年9月21日
发明者廖一遂, 陈柄霖 申请人:友达光电股份有限公司
技术领域：
本发明涉及显示面板，尤其涉及在基板上集成有感测电路的显示面板。
背景技术：
液晶显示器(liquid crystal display, LCD)具有低辐射、体积小及低耗能等优点，已逐渐取代传统的阴极射线管显示器(cathode ray tube display, CRT)，因而被广泛地应用在笔记本电脑、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、平面电视，或移动电话等信息产品上。传统显示器的驱动方式是利用外部源极驱动电路(source driver) 和栅极驱动电路(gate driver)来驱动面板上的像素以显示图像，近年来逐渐发展成将驱动电路结构直接制作于显示面板的阵列基板上，例如将栅极驱动电路(gate driver)整合于显示面板的阵列基板中，即阵列基板行驱动(gate driver on array,G0A)技术。但是采用GOA架构，对于驱动电路，如栅极驱动电路，其驱动能力一般受操作环境的温度影响，当操作环境的温度较低时，可能使得栅极驱动电路驱动能力不足，从而导致不能正常驱动栅极。在现有的GOA架构中，一般采用在电源电路上增加一组温控补偿电路，以解决低温下GOA架构中的驱动电路的驱动能力不足。具体地说，一般是在电源电路上增加一组温控补偿电路，该温控补偿电路通常由一些焊接在组装印刷电路板上的一般电阻及热敏电阻所组成。此温控补偿电路虽然可以补偿在低温操作环境下驱动电路的驱动能力不足的问题，但面临因制程变异所造成的GOA架构中电路驱动能力的差异却束手无策。一般而言，在合理制程的不同批次下，将出现薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)的导通电流I。N 大小具有一定的差异，即有些导通电流I 较高，而有些导通电流Iw较低，而导通电流I 的大小与驱动电路的驱动能力是成对应关系，即，当I 较高，则所对应的驱动电路的驱动力较佳，当Iw较低，则所对应的驱动电路的驱动能力较差。因此，现有温度补偿电路无法改善制程中不同批次所导致的驱动电路的驱动能力的差异。此外，现有的GOA构架中，电源所提供的电压会经过电压位准转换器进行电压位准转换后，并必须经过一段布线(layout trace)之后才会输入至驱动电路，因此，这个过程中会造成电压衰减(decay)，这将可能会影响信号的品质(例如栅极驱动信号的输出波形失真)。
发明内容
为了解决上述现有问题，本发明提出了一种显示面板，包含一时序控制器，用以输出一时脉信号；一电压产生器，用以输出一第一电压信号；一电压位准转换器，耦接于所述时序控制器及所述电压产生器，用以将所述第一电压信号转换为一第二电压信号；以及一薄膜晶体管阵列基板。其中，薄膜晶体管阵列基板包含一基板；一主动显示区，设置在所述基板上，具有至少一薄膜晶体管；一栅极驱动电路，设置在所述基板上，耦接于所述电压位准转换器及所述薄膜晶体管，用以根据所述第二电压信号产生一栅极驱动电压信号； 以及一感测电路，设置在所述基板上，耦接于所述电压位准转换器，用以感测所述第二电压信号以产生一第三电压信号并传输至所述电压产生器；其中，所述电压产生器根据所述第三电压信号调整其所输出的所述第一电压信号，并据此产生所述栅极驱动电压信号以驱动所述薄膜晶体管的栅极。优选地，所述感测电路包含一第一晶体管，其栅极与源极用以输入一写入请求信号—第二晶体管，其栅极与所述第一晶体管的漏极耦接于一第一节点，其漏极输入所述时脉信号，所述第一节点处用以输入所述第二电压信号；一第三晶体管，其栅极与漏极输入所述时脉信号；一第四晶体管，其栅极耦接于所述第一晶体管的漏极，其源极耦接于所述第三晶体管的源极，其漏极耦接一接地信号；一第五晶体管，其栅极耦接于所述第三晶体管的源极，其漏极耦接于所述第三晶体管的漏极；一第六晶体管，其栅极耦接于所述第一晶体管的漏极，其漏极耦接于所述第五晶体管的源极；一第七晶体管，其栅极耦接于所述第五晶体管的源极，其漏极耦接于所述第一晶体管的漏极，其源极耦接所述接地信号；以及一第八晶体管，其栅极耦接于所述第五晶体管的源极，其源极耦接所述接地信号， 其漏极与所述第二晶体管的源极耦接于一第二接点，所述第二接点处用以输出所述第三电压信号。优选地，所述感测电路还包含一第九晶体管，其栅极用以输入一复位信号，其漏极耦接所述第一晶体管的漏极，其源极耦接所述接地信号。优选地，所述感测电路还包含一第一电容，其一端耦接所述第二节点，其另一端耦接所述接地信号，用以滤除所述第三电压信号的干扰信号。优选地，所述电压产生器包含一电压比较单元，其输入端耦接于所述感测电路， 具有一参考电压，用以将所述第三电压与所述参考电压进行比较以产生一比较信号；以及一电压产生单元，其输入端耦接于所述电压比较单元，用以根据所述比较信号产生所述第一电压信号。优选地，所述第一电压信号包含一第一高位准电压信号及一第一低位准电压信号，所述参考电压包含一高位准参考电压及一低位准参考电压，所述高位准参考电压与所述第一高位准电压信号相对应，所述低位准参考电压与所述第一低位准电压信号相对应。优选地，所述第一高位准电压信号用以提供正栅极电压，所述第一低位准电压信号用以提供负栅极电压。优选地，所述基板的材料为玻璃。由上可知，本发明所提出的显示面板，在其基板上集成感测电路，以感测输入至栅极驱动电路的电压信号并产生一输出信号传输至电压产生器，而电压产生器根据感测电路的输出信号调整其输出以提高栅极驱动电路的驱动能力。本发明所提出的技术方案，兼顾了现有技术中的温度补偿，也可改善制程中不同批次所导致的驱动能力不足问题，还可对布线所造成的电压衰减进行补偿。
图1绘示了本发明一实施方式的显示面板的结构示意图；图2绘示了图1中的感测电路与电压产生器的电路结构示意图；以及图3绘示了图2中的温度感测器与电压产生器运作时的时序图。
具体实施例方式以下将以附图及详细说明来清楚阐释本发明的实施方式，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与组件在附图中将以简单示意的方式绘示。参照图1，图1绘示了本发明一实施方式的显示面板的结构示意图。如图1所示，显示面板1，包含一时序控制器(timingcontroller)ll、一电压产生器12、一电压位准转换器(level shifter) 13及一薄膜晶体管阵列基板14。其中，时序控制器11，用以输出一时脉信号CLK ；电压产生器12，用以输出一第一电压信号V1 ；电压位准转换器13，耦接于时序控制器11及电压产生器12用以将第一电压信号V1转换为一第二电压信号V2，在本实施方式中，第二电压信号V2的电压位准不同于的第一电压信号V1电压位准。如图1所示，薄膜晶体管阵列基板14包含一基板141、一主动显示区142、一栅极驱动电路143及一感测电路144。其中，对于基板141，在本实施方式中，为玻璃材料，但不以此为限；主动显示区142，设置在基板141上，其具有至少一薄膜晶体管(未绘示)；栅极驱动电路143，设置在基板141上，耦接于电压位准转换器13及主动显示区142中的薄膜晶体管，用以根据第二电压信号V2产生一栅极驱动电压信号Vg ；感测电路144，设置在基板 141上，耦接于电压位准转换器13，用以感测第二电压信号V2以产生一第三电压信号V3并传输至电压产生器12。需说明的是，在本实施方式中，感测电路144所感测的是电压位准转换器13所输出的第二电压信号V2并经过布线后的信号(输入至栅极驱动电路143的信号)，换言之，第二电压信号V2是经过一段布线后才输入至感测电路144中。在本实施方式中，电压产生器12可以根据第三电压信号V3调整其所输出的第一电压信号V1,然后电压位准转换器13将根据此第一电压信号V1对应产生第二电压信号V2, 之后，栅极驱动电路143对应输出栅极驱动电压信号Vg以驱动薄膜晶体管的栅极。下面参照图2，图2绘示了图1中的感测电路与电压产生器的电路结构示意图。如图2所示，感测电路144包含一第一晶体管T1，其栅极与源极用以输入一写入请求信号feite ；—第二晶体管T2,其栅极与第一晶体管T1的漏极耦接于一第一节点N1，此第一节点N1处作为此感测电路144的输入点(Q)，即用以输入前述之第二电压信号V2,其漏极输入时脉信号CLK ；一第三晶体管T3,其栅极与漏极输入时脉信号CLK ；一第四晶体管T4, 其栅极耦接于第一晶体管T1的漏极，其源极耦接于第三晶体管T3的源极，其漏极耦接一接地信号Vss ；—第五晶体管T5，其栅极耦接于第三晶体管T3的源极，其漏极耦接于第三晶体管T3的漏极；一第六晶体管T6，其栅极耦接于第一晶体管T1的漏极，其漏极耦接于第五晶体管T5的源极；一第七晶体管T7,其栅极耦接于第五晶体管T5的源极，其漏极耦接于第一晶体管T1的漏极，其源极耦接接地信号Vss ；以及，一第八晶体管，其栅极耦接于第五晶体管T5 的源极，其源极耦接所述接地信号Vss，其漏极与第二晶体管T2的源极耦接于一第二接点N2, 此第二节点N2处作为此感测电路144的输出点(0)，即用以输出前述之第三电压信号V3。
在本实施方式中，感测电路144还可以包含一第九晶体管T9，其栅极用以输入一复位信号Rst，其漏极耦接第一晶体管T1的漏极，其源极耦接接地信号Vss。在本实施方式中，感测电路144还可以包含一第一电容C1,其一端耦接第二节点 N2，其另一端耦接接地信号Vss，此电容C1用以滤除第三电压信号V3的干扰信号。如图2所示，电压产生器12包含一电压比较单元121及一电压产生单元122。其中，电压比较单元121耦接于感测电路144，具体地说，其输入端耦接于感测电路144中的第二节点队。此电压比较单元144，用以将第三电压V3与一参考电压V,ef进行比较，并产生一比较信号，在本实施方式中，此参考电压Vref可以是通过内部给定。电压产生单元122，其输入端耦接于电压比较单元121，用以根据此比较信号产生前述之第一电压信号V1。在本实施方式中，第一电压信号V1可以是一第一高位准电压信号Vlh及一第一低位准电压信号V11,其中，第一高位准电压信号用以给薄膜晶体管提供正栅极电压Vgh，第一低位准电压信号用以给薄膜晶体管提供负栅极电压vgl。相对应地，参考电压Vref包含一高位准参考电压VMfh及一低位准参考电压Vrefl，高位准参考电压VMfh与第一高位准电压信号 Vlh相对应，低位准参考电压VMfl与第一低位准电压信号V11相对应。参照图3，图3绘示了图2中的温度感测器与电压产生器运作时的时序图。如图3所示，在本实施方式中，当电压产生器12中的电压比较单元121中的read 信号为逻辑1 (true)时，比如、及t2时间段，则电压比较单元121将读出感测单元144所输出的信号，即第三电压信号V3，并将其与设定的参考电压Vref做比较，当两者不相等时，电压产生单元122将调整其输出，即改变第一电压信号V1，直到V3与相等为止。由上可知，本发明所提出的显示面板，在其基板上集成感测电路，以感测输入至栅极驱动电路的电压信号并产生一输出信号传输至电压产生器，而电压产生器根据感测电路的输出信号调整其输出以提高栅极驱动电路的驱动能力。本发明所提出的技术方案，兼顾了现有技术中的温度补偿，也可改善制程中不同批次所导致的驱动能力不足问题，还可对布线所造成的电压衰减进行补偿。上文中，参照附图描述了本发明的具体实施方式
。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，还可以对本发明的具体实施方式
作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围内。
权利要求
1.一种显示面板，其特征在于，包含 一时序控制器，用以输出一时脉信号； 一电压产生器，用以输出一第一电压信号；一电压位准转换器，耦接于所述时序控制器及所述电压产生器，用以将所述第一电压信号转换为一第二电压信号；以及一薄膜晶体管阵列基板，包含 一基板；一主动显示区，设置在所述基板上，具有至少一薄膜晶体管；一栅极驱动电路，设置在所述基板上，耦接于所述电压位准转换器及所述薄膜晶体管， 用以根据所述第二电压信号产生一栅极驱动电压信号；以及一感测电路，设置在所述基板上，耦接于所述电压位准转换器，用以感测所述第二电压信号以产生一第三电压信号并传输至所述电压产生器；其中，所述电压产生器根据所述第三电压信号调整其所输出的所述第一电压信号，并据此产生所述栅极驱动电压信号以驱动所述薄膜晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述感测电路包含 一第一晶体管，其栅极与源极用以输入一写入请求信号一第二晶体管，其栅极与所述第一晶体管的漏极耦接于一第一节点，其漏极输入所述时脉信号，所述第一节点处用以输入所述第二电压信号； 一第三晶体管，其栅极与漏极输入所述时脉信号；一第四晶体管，其栅极耦接于所述第一晶体管的漏极，其源极耦接于所述第三晶体管的源极，其漏极耦接一接地信号；一第五晶体管，其栅极耦接于所述第三晶体管的源极，其漏极耦接于所述第三晶体管的漏极；一第六晶体管，其栅极耦接于所述第一晶体管的漏极，其漏极耦接于所述第五晶体管的源极；一第七晶体管，其栅极耦接于所述第五晶体管的源极，其漏极耦接于所述第一晶体管的漏极，其源极耦接所述接地信号；以及一第八晶体管，其栅极耦接于所述第五晶体管的源极，其源极耦接所述接地信号，其漏极与所述第二晶体管的源极耦接于一第二接点，所述第二接点处用以输出所述第三电压信号。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述感测电路还包含一第九晶体管，其栅极用以输入一复位信号，其漏极耦接所述第一晶体管的漏极，其源极耦接所述接地信号。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述感测电路还包含一第一电容，其一端耦接所述第二节点，其另一端耦接所述接地信号，用以滤除所述第三电压信号的干扰信号。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电压产生器包含一电压比较单元，其输入端耦接于所述感测电路，具有一参考电压，用以将所述第三电压与所述参考电压进行比较以产生一比较信号；以及一电压产生单元，其输入端耦接于所述电压比较单元，用以根据所述比较信号产生所述第一电压信号。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一电压信号包含一第一高位准电压信号及一第一低位准电压信号，所述参考电压包含一高位准参考电压及一低位准参考电压，所述高位准参考电压与所述第一高位准电压信号相对应，所述低位准参考电压与所述第一低位准电压信号相对应。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一高位准电压信号用以提供正栅极电压，所述第一低位准电压信号用以提供负栅极电压。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述基板的材料为玻璃。
全文摘要
本发明提出了一种显示面板，包含一时序控制器，用以输出一时脉信号；一电压产生器，用以输出一第一电压信号；一电压位准转换器，耦接于时序控制器及电压产生器，用以将第一电压信号转换为一第二电压信号；及一薄膜晶体管阵列基板。薄膜晶体管阵列基板包含一基板；一主动显示区，具有至少一薄膜晶体管；一栅极驱动电路，耦接于电压位准转换器及薄膜晶体管，用以根据第二电压信号产生一栅极驱动电压信号；以及一感测电路，设置在基板上，耦接于电压位准转换器，用以感测第二电压信号以产生一第三电压信号并传输至电压产生器；其中，电压产生器根据第三电压信号调整其所输出的第一电压信号，并据此产生栅极驱动电压信号以驱动薄膜晶体管的栅极。
文档编号G09G3/36GK102324223SQ20111029005
公开日2012年1月18日 申请日期2011年9月21日 优先权日2011年9月21日
发明者廖一遂, 陈柄霖 申请人:友达光电股份有限公司
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