像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置的制作方法
专利名称：像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机发光显示领域，尤其涉及一种AMOLED (有源矩阵有机发光二极管)的像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置。
背景技术：
现有的像素单元驱动电路如图I所示，该驱动 电路包括两个薄膜晶体管和一个电容，其中一个薄膜晶体管为开关管Tl，由扫描线输出的扫描信号Vscan所控制，目的是为了控制数据线上的数据信号Vdata的输入，另一个薄膜晶体管为驱动管T2，控制OLED发光；Cs为存储电容，用于在非扫描期间维持对驱动管T2所施加的电压，上述电路被称为2T1C像素单元驱动电路。AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管)能够发光是由驱动薄膜晶体管在饱和状态时产生的电流所驱动，因为输入相同的灰阶电压时，所述驱动薄膜晶体管的不同的阈值电压会导致产生不同的驱动电流，造成电流的不一致性。而LTPS(低温多晶硅技术)制程上阈值电压Vth的均匀性非常差，同时Vth也有漂移，因此传统的2T1C像素单元驱动电路的亮度均匀性一直很差。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，以提高OLED面板亮度均匀度。为了达到上述目的，本发明提供了一种像素单元驱动电路，用于驱动0LED，所述像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容和驱动控制单元；所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述存储电容的第一端连接，所述存储电容的第二端与驱动电源的高电平输出端连接，所述驱动薄膜晶体管的源极通过所述第一开关元件与所述OLED的阴极连接；所述驱动薄膜晶体管的源极还通过所述驱动控制单元与数据线连接；所述驱动薄膜晶体管的栅极还通过所述驱动控制单元分别与所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述驱动电源的低电平输出端连接；所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述驱动控制单元与所述驱动电源的低电平输出端连接；所述驱动控制单元，用于通过控制所述存储电容充放电，以控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区而所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿Vth，其中，Vth为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。实施时，所述驱动薄膜晶体管是P型薄膜晶体管。实施时，所述第一开关元件是p型薄膜晶体管，所述第一开关元件，栅极与第一控制线连接，源极与所述OLED的阴极连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接。实施时，所述驱动控制单元包括第二开关元件、第三开关元件和第四开关元件；
所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述驱动电源的低电平输出端之间连接有所述第二开关元件；所述驱动薄膜晶体管的源极和数据线之间连接有所述第三开关元件；所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述驱动薄膜晶体管的漏极之间连接有所述第四开关元件。实施时，所述第二开关元件、所述第三开关元件和所述第四开关元件为p型TFT ;所述第二开关元件，栅极与第二控制线连接，源极与所述薄膜晶体管的漏极连接，漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接；所述第三开关元件，栅极与用于输出控制信号的扫描线连接，源极与数据线连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接；所述第四开关元件，栅极与所述扫描线连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接。 本发明还提供了一种像素单元驱动方法，其应用于上述的像素单元驱动电路，所述像素单元驱动方法包括像素充电步骤驱动控制单元控制存储电容被充电；像素放电步骤所述驱动控制单元控制所述存储电容通过驱动薄膜晶体管放电，直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth ；驱动OLED发光显示步骤所述驱动控制单元控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区，并控制所述存储电容两端的电压差值不变，以使得所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。实施时，所述像素充电步骤包括第一开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与驱动电源的低电平输出端的连接，导通所述驱动薄膜晶体管的源极与数据线的连接，导通所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，控制所述存储电容被充电；所述像素放电步骤包括所述第一开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元断开所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，控制所述存储电容通过所述驱动薄膜晶体管放电，直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth ；所述驱动OLED发光显示步骤包括所述第一开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述数据线的连接，断开所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区，并所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。本发明还提供了一种像素单元，包括OLED和上述的像素单元驱动电路，该像素单元驱动电路与所述OLED的阴极连接，所述OLED的阳极与驱动电源的高电平输出端连接。本发明还提供了一种显示装置，包括多个上述的像素单元。与现有技术相比，本发明所述的像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，通过控制驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，解决OLED面板亮度不均匀和亮度衰减的问题。
图I是现有的2T1C像素单元驱动电路的电路图；图2是本发明第一实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；图3是本发明第二实施 例所述的像素单元驱动电路的电路图；图4是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；图4A是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路处于第一时间段时的等效电路的电路图；图4B是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路处于第二时间段时的等效电路的电路图；图4C是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路处于第三时间段时的等效电路的电路图；图5是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路中的各信号的时序图。
具体实施例方式本发明提供了一种像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，利用二极管接法(Diode Connection)并通过控制存储电容放电以使得驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，从而解决OLED面板亮度不均匀和亮度衰减的问题。如图2所示，本发明第一实施例所述的像素单元驱动电路，用于驱动0LED，所述像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管DTFT、第一开关元件21、存储电容Cs和驱动控制单元22 ；所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极与所述存储电容Cs的第一端连接，所述存储电容Cs的第二端与驱动电源的输出电压为VDD的高电平输出端连接，所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极通过所述第一开关元件21与所述OLED的阴极连接；所述驱动薄膜晶体管的源极DTFT还通过所述驱动控制单元22与数据线Data连接；所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极还通过所述驱动控制单元22分别与所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极和所述驱动电源的输出电压为VSS的低电平输出端连接；所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极通过所述驱动控制单元22与所述驱动电源的低电平输出端连接；所述驱动控制单元22，用于通过控制所述存储电容Cs充放电，以控制所述驱动薄膜晶体管DTFT工作于饱和区而所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅源电压补偿Vth，其中，Vth为所述驱动薄膜晶体管DTFT的阈值电压；所述驱动控制单元22，还分别与用于输入控制信号的扫描线SCAN和控制线CR连接；所述OLED的阳极与所述驱动电源的高电平输出端连接。根据一种具体实施方式
，在该实施例中，所述驱动薄膜晶体管DTFT是p型薄膜晶体管。
实施时，在该实施例中，所述第一开关元件21在第一时间段和第二时间段断开所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极与所述OLED的连接，在第三时间段导通所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极与所述OLED的连接；所述驱动控制单元22在所述第一时间段控制所述存储电容Cs被充电；所述驱动控制单元22在所述第二时间段控制所述存储电容Cs通过所述驱动薄膜晶体管DTFT放电，直至所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管DTFT的阈值电压Vth ；所述驱动控制单元22在所述第三时间段控制所述驱动薄膜晶体管DTFT工作于饱 和区，并控制所述存储电容Cs两端的电压差值不变，以使得所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管DTFT的阈值电压Vth。实施时，所述驱动控制单元包括第二开关元件、第三开关元件和第四开关元件；所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述驱动电源的低电平输出端之间连接有所述第二开关元件；所述驱动薄膜晶体管的源极和数据线之间连接有所述第三开关元件；所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述驱动薄膜晶体管的漏极之间连接有所述第四开关元件；在第一时间段，所述第二开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，所述第三开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的源极与所述数据线的连接，所述第四开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接；在第二时间段，所述第二开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接；在第三时间段，所述第二开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，所述第三开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述数据线的连接，所述第四开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接。如图3所示，本发明第二实施例所述的像素单元驱动电路的电路图。本发明第二实施例所述的像素单元驱动电路是基于本发明第一实施例所述的像素单元驱动电路。在本发明第二实施例所述的像素单元驱动电路中，所述第一开关元件21是标号为Tl的第一开关TFT，Tl是p型薄膜晶体管；Tl的栅极与第一控制线CRl连接，Tl的源极与所述OLED的阴极连接，Tl的漏极与所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极连接。如图4所示，本发明所述的像素单元驱动电路的第三实施例的电路图，该实施例所述的像素单元驱动电路采用5T1C电路，通过补偿Vth，以使得流过所述OLED的电流与所述驱动TFT的阈值电压Vth无关，达到电流一致，改善均匀性和可靠性。在该实施例中，所述第一开关元件为标号为Tl的第一开关TFT，所述第二开关元件为标号为T2的第二开关TFT，所述第三开关元件为标号为T3的第三开关TFT，所述第四开关元件为标号为T4的第四开关TFT，所述驱动薄膜晶体管是标号为DTFT的驱动TFT，所述驱动电源的低电平输出端为接地端，其中，
1'1、12、13、14、01卩1'均为口型1卩1'4型丁卩丁的阈值电压Vth小于0 ；T4的漏极与DTFT的源极和T2的源极连接，T4的源极分别与存储电容Cs的第一端和DTFT的栅极连接；T2的漏极接地；T3的漏极与所述数据线Data连接，T3的源极与所述驱动TFT的源极和DTFT的漏极连接；Tl的源极与所述OLED的阴极连接；T4的栅极和所述T3的栅极与用于传输控制信号的扫描线SCAN连接；Tl的栅极与第一控制线CRl连接，T2的栅极与第二控制线CR2连接；
如图4A所示，本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路工作时，在第一时间段，即预充电阶段，所述扫描线SCAN和所述控制线CRl输出低电位，所述控制线CR2输出高电位，以控制T4、T2、T3打开，并控制Tl关闭(在图4A中，由于T4、T2、T3开启，则未示出T2、T3、T4，而以导线替代；并且，由于Tl关闭，因此DTFT的源极未与OLED的阴极导通，则图4A中未示Tl和0LED)，所述数据线Data上的电压Vdata输入，所述存储电容Cs被充电，A点(即DTFT的栅极)电压VA为0，B点(即DTFT的源极)电压VB为Vdata，DTFT的栅源极电压Vgs = VA-VB = -Vdata，其小于DTFT的阈值电压Vth，此时DTFT实为一个二极管进入饱和状态；如图4B所示，本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路工作时，在第二时间段，所述控制线CR2输出高电位，以控制T2关闭，A点断开与地线的连接(图4B与图4A的区别在于，A点断开了与地线的连接)，所述存储电容Cs经过T4、DTFT和T3开始放电，直到DTFT的栅源电压Vgs达到DTFT的阈值电压Vth，B点电压维持在Vdata，因此DTFT的栅极电压(即A点电压)为Vth+VB = Vth+Vdata，此时所述驱动薄膜晶体管进入亚阈导通状态；所述扫描线SCAN输出的电压提前变为高电位做缓冲，以使得A点电压稳定；如图4C所示，本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路工作时，在第三时间段，所述扫描线SCAN输出高电位，以控制T4、T3关闭，所述控制线CRl和所述控制线CR2均输出低电位，以控制T2、Tl打开(图4C与图4B的区别在于，由于T4断开而使得A点断开与DTFT的漏极的连接，由于T3断开而使得DTFT的源极断开与数据线Data的连接，由于Tl导通则增加了 DTFT的源极与OLED的阴极的连接，并且由于T2导通增加了 DTFT的漏极与地线的连接)，DTFT工作于饱和区，以驱动电流流过所述0LED，所述OLED开始发光，此时VB=VDD-Vth_oled,此时流过所述OLED的电流I的计算公式为由公式(I)所示I = KX (Vgs-Vth)2 = KX (VA-VB-Vth)2= KX {Vth+Vdata-(VDD-Vth_oled)-Vth}2= KX (Vdata+Vth_oled-VDD)2 ;公式(I)其中，K为DTFT的电流系数；
WK = Cox^-;u、Cox, X、W、L分别为DTFT的场效应迁移率，栅绝缘层单位面积电容、沟道宽度、长度；第三时间段为OLED发光阶段，所述OLED将持续发光到下一帧数据写入。
如此便使得流过所述OLED的电流不受所述驱动TFT的阈值电压Vth的影响，以改善流过所述OLED的电流的均匀性，达到OLED面板的亮度的均匀。图5是该第三实施例所述的像素单元驱动电路中的扫描线SCAN输出的扫描信号VSCAN、数据线Data输出的数据信号Vdata、第一控制线CRl输出的控制信号VCRl和第二控制线CR2输出的控制信号VCR2的时序图；在图4中，C、D、E分别标示的是第一时间段、第二时间段、第三时间段。本发明还提供了一种像素单元驱动方法，其应用于上述的像素单元驱动电路，所述像素单元驱动方法包括 像素充电步骤驱动控制单元控制存储电容被充电；像素放电步骤所述驱动控制单元控制所述存储电容通过驱动薄膜晶体管放电，直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth ；驱动OLED发光显示步骤所述驱动控制单元控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区，并控制所述存储电容两端的电压差值不变，以使得所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。实施时，所述像素充电步骤包括第一开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与驱动电源的低电平输出端的连接，导通所述驱动薄膜晶体管的源极与数据线的连接，导通所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，控制所述存储电容被充电；所述像素放电步骤包括所述第一开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元断开所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，控制所述存储电容通过所述驱动薄膜晶体管放电，直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth ；所述驱动OLED发光显示步骤包括所述第一开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述数据线的连接，断开所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区，并控制所述存储电容两端的电压差值不变以及所述存储电容的第二端的电压稳定，以使得所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。本发明还公开了一种像素单元，包括OLED和上述的像素单元驱动电路，该像素单元驱动电路与所述OLED的阴极连接，所述OLED的阳极与驱动电源的高电平输出端连接。本发明所述的像素单元采用OLED上发光的方式，相比OLED下发光方式具有更高的开口率。本发明还提供了一种显示装置，包括多个上述的像素单元。以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围内。
权利要求
1.一种像素单元驱动电路，用于驱动OLED，其特征在于，所述像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容和驱动控制单元； 所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述存储电容的第一端连接，所述存储电容的第二端与驱动电源的高电平输出端连接，所述驱动薄膜晶体管的源极通过所述第一开关元件与所述OLED的阴极连接； 所述驱动薄膜晶体管的源极还通过所述驱动控制单元与数据线连接； 所述驱动薄膜晶体管的栅极还通过所述驱动控制单元分别与所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述驱动电源的低电平输出端连接； 所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述驱动控制单元与所述驱动电源的低电平输出端连接； 所述驱动控制单元，用于通过控制所述存储电容充放电，以控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区而所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿Vth，其中，Vth为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。
2.如权利要求I所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管是P型薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述第一开关元件是p型薄膜晶体管，所述第一开关元件，栅极与第一控制线连接，源极与所述OLED的阴极连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接。
4.如权利要求3所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述驱动控制单元包括第二开关元件、第三开关元件和第四开关元件； 所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述驱动电源的低电平输出端之间连接有所述第二开关元件； 所述驱动薄膜晶体管的源极和数据线之间连接有所述第三开关元件；所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述驱动薄膜晶体管的漏极之间连接有所述第四开关元件。
5.如权利要求4所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述第二开关元件、所述第三开关元件和所述第四开关元件为p型TFT ; 所述第二开关元件，栅极与第二控制线连接，源极与所述薄膜晶体管的漏极连接，漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接； 所述第三开关元件，栅极与用于输出控制信号的扫描线连接，源极与数据线连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接； 所述第四开关元件，栅极与所述扫描线连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接。
6.一种像素单元驱动方法，其应用于如权利要求I所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述像素单元驱动方法包括 像素充电步骤驱动控制单元控制存储电容被充电； 像素放电步骤所述驱动控制单元控制所述存储电容通过驱动薄膜晶体管放电，直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth ； 驱动OLED发光显示步骤所述驱动控制单元控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区，并控制所述存储电容两端的电压差值不变，以使得所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。
7.如权利要求6所述的像素单元驱动方法，其特征在于， 所述像素充电步骤包括第一开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与驱动电源的低电平输出端的连接，导通所述驱动薄膜晶体管的源极与数据线的连接，导通所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，控制所述存储电容被充电； 所述像素放电步骤包括所述第一开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元断开所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，控制所述存储电容通过所述驱动薄膜晶体管放电，直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth ； 所述驱动OLED发光显示步骤包括所述第一开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述数据线的连接，断开所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区，并所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。
8.一种像素单元，其特征在于，包括OLED和如权利要求I至5中任一权利要求所述的像素单元驱动电路，该像素单元驱动电路与所述OLED的阴极连接，所述OLED的阳极与驱动电源的高电平输出端连接。
9.一种显示装置，其特征在于，包括多个如权利要求8所述的像素单元。
全文摘要
本发明提供了一种像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，该像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容和驱动控制单元；驱动薄膜晶体管的栅极，与存储电容的第一端连接，通过驱动控制单元分别与驱动薄膜晶体管的漏极和驱动电源的低电平输出端连接；存储电容的第二端与驱动电源的高电平输出端连接；驱动薄膜晶体管的源极，通过第一开关元件与OLED的阴极连接，通过驱动控制单元与数据线连接；驱动薄膜晶体管的漏极通过驱动控制单元与驱动电源的低电平输出端连接。本发明通过控制存储电容充放电，控制驱动薄膜晶体管工作于饱和区而驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿阈值电压，使得OLED面板亮度均匀和解决亮度衰减的问题。
文档编号G09G3/32GK102708790SQ20111039398
公开日2012年10月3日 申请日期2011年12月1日 优先权日2011年12月1日
发明者吴博, 祁小敬, 谭文, 高永益 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司
技术领域：
本发明涉及有机发光显示领域，尤其涉及一种AMOLED (有源矩阵有机发光二极管)的像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置。
背景技术：
现有的像素单元驱动电路如图I所示，该驱动 电路包括两个薄膜晶体管和一个电容，其中一个薄膜晶体管为开关管Tl，由扫描线输出的扫描信号Vscan所控制，目的是为了控制数据线上的数据信号Vdata的输入，另一个薄膜晶体管为驱动管T2，控制OLED发光；Cs为存储电容，用于在非扫描期间维持对驱动管T2所施加的电压，上述电路被称为2T1C像素单元驱动电路。AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管)能够发光是由驱动薄膜晶体管在饱和状态时产生的电流所驱动，因为输入相同的灰阶电压时，所述驱动薄膜晶体管的不同的阈值电压会导致产生不同的驱动电流，造成电流的不一致性。而LTPS(低温多晶硅技术)制程上阈值电压Vth的均匀性非常差，同时Vth也有漂移，因此传统的2T1C像素单元驱动电路的亮度均匀性一直很差。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，以提高OLED面板亮度均匀度。为了达到上述目的，本发明提供了一种像素单元驱动电路，用于驱动0LED，所述像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容和驱动控制单元；所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述存储电容的第一端连接，所述存储电容的第二端与驱动电源的高电平输出端连接，所述驱动薄膜晶体管的源极通过所述第一开关元件与所述OLED的阴极连接；所述驱动薄膜晶体管的源极还通过所述驱动控制单元与数据线连接；所述驱动薄膜晶体管的栅极还通过所述驱动控制单元分别与所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述驱动电源的低电平输出端连接；所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述驱动控制单元与所述驱动电源的低电平输出端连接；所述驱动控制单元，用于通过控制所述存储电容充放电，以控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区而所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿Vth，其中，Vth为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。实施时，所述驱动薄膜晶体管是P型薄膜晶体管。实施时，所述第一开关元件是p型薄膜晶体管，所述第一开关元件，栅极与第一控制线连接，源极与所述OLED的阴极连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接。实施时，所述驱动控制单元包括第二开关元件、第三开关元件和第四开关元件；
所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述驱动电源的低电平输出端之间连接有所述第二开关元件；所述驱动薄膜晶体管的源极和数据线之间连接有所述第三开关元件；所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述驱动薄膜晶体管的漏极之间连接有所述第四开关元件。实施时，所述第二开关元件、所述第三开关元件和所述第四开关元件为p型TFT ;所述第二开关元件，栅极与第二控制线连接，源极与所述薄膜晶体管的漏极连接，漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接；所述第三开关元件，栅极与用于输出控制信号的扫描线连接，源极与数据线连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接；所述第四开关元件，栅极与所述扫描线连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接。 本发明还提供了一种像素单元驱动方法，其应用于上述的像素单元驱动电路，所述像素单元驱动方法包括像素充电步骤驱动控制单元控制存储电容被充电；像素放电步骤所述驱动控制单元控制所述存储电容通过驱动薄膜晶体管放电，直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth ；驱动OLED发光显示步骤所述驱动控制单元控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区，并控制所述存储电容两端的电压差值不变，以使得所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。实施时，所述像素充电步骤包括第一开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与驱动电源的低电平输出端的连接，导通所述驱动薄膜晶体管的源极与数据线的连接，导通所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，控制所述存储电容被充电；所述像素放电步骤包括所述第一开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元断开所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，控制所述存储电容通过所述驱动薄膜晶体管放电，直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth ；所述驱动OLED发光显示步骤包括所述第一开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述数据线的连接，断开所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区，并所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。本发明还提供了一种像素单元，包括OLED和上述的像素单元驱动电路，该像素单元驱动电路与所述OLED的阴极连接，所述OLED的阳极与驱动电源的高电平输出端连接。本发明还提供了一种显示装置，包括多个上述的像素单元。与现有技术相比，本发明所述的像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，通过控制驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，解决OLED面板亮度不均匀和亮度衰减的问题。
图I是现有的2T1C像素单元驱动电路的电路图；图2是本发明第一实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；图3是本发明第二实施 例所述的像素单元驱动电路的电路图；图4是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；图4A是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路处于第一时间段时的等效电路的电路图；图4B是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路处于第二时间段时的等效电路的电路图；图4C是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路处于第三时间段时的等效电路的电路图；图5是本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路中的各信号的时序图。
具体实施例方式本发明提供了一种像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，利用二极管接法(Diode Connection)并通过控制存储电容放电以使得驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，从而解决OLED面板亮度不均匀和亮度衰减的问题。如图2所示，本发明第一实施例所述的像素单元驱动电路，用于驱动0LED，所述像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管DTFT、第一开关元件21、存储电容Cs和驱动控制单元22 ；所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极与所述存储电容Cs的第一端连接，所述存储电容Cs的第二端与驱动电源的输出电压为VDD的高电平输出端连接，所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极通过所述第一开关元件21与所述OLED的阴极连接；所述驱动薄膜晶体管的源极DTFT还通过所述驱动控制单元22与数据线Data连接；所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅极还通过所述驱动控制单元22分别与所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极和所述驱动电源的输出电压为VSS的低电平输出端连接；所述驱动薄膜晶体管DTFT的漏极通过所述驱动控制单元22与所述驱动电源的低电平输出端连接；所述驱动控制单元22，用于通过控制所述存储电容Cs充放电，以控制所述驱动薄膜晶体管DTFT工作于饱和区而所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅源电压补偿Vth，其中，Vth为所述驱动薄膜晶体管DTFT的阈值电压；所述驱动控制单元22，还分别与用于输入控制信号的扫描线SCAN和控制线CR连接；所述OLED的阳极与所述驱动电源的高电平输出端连接。根据一种具体实施方式
，在该实施例中，所述驱动薄膜晶体管DTFT是p型薄膜晶体管。
实施时，在该实施例中，所述第一开关元件21在第一时间段和第二时间段断开所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极与所述OLED的连接，在第三时间段导通所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极与所述OLED的连接；所述驱动控制单元22在所述第一时间段控制所述存储电容Cs被充电；所述驱动控制单元22在所述第二时间段控制所述存储电容Cs通过所述驱动薄膜晶体管DTFT放电，直至所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管DTFT的阈值电压Vth ；所述驱动控制单元22在所述第三时间段控制所述驱动薄膜晶体管DTFT工作于饱 和区，并控制所述存储电容Cs两端的电压差值不变，以使得所述驱动薄膜晶体管DTFT的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管DTFT的阈值电压Vth。实施时，所述驱动控制单元包括第二开关元件、第三开关元件和第四开关元件；所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述驱动电源的低电平输出端之间连接有所述第二开关元件；所述驱动薄膜晶体管的源极和数据线之间连接有所述第三开关元件；所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述驱动薄膜晶体管的漏极之间连接有所述第四开关元件；在第一时间段，所述第二开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，所述第三开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的源极与所述数据线的连接，所述第四开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接；在第二时间段，所述第二开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接；在第三时间段，所述第二开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，所述第三开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述数据线的连接，所述第四开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接。如图3所示，本发明第二实施例所述的像素单元驱动电路的电路图。本发明第二实施例所述的像素单元驱动电路是基于本发明第一实施例所述的像素单元驱动电路。在本发明第二实施例所述的像素单元驱动电路中，所述第一开关元件21是标号为Tl的第一开关TFT，Tl是p型薄膜晶体管；Tl的栅极与第一控制线CRl连接，Tl的源极与所述OLED的阴极连接，Tl的漏极与所述驱动薄膜晶体管DTFT的源极连接。如图4所示，本发明所述的像素单元驱动电路的第三实施例的电路图，该实施例所述的像素单元驱动电路采用5T1C电路，通过补偿Vth，以使得流过所述OLED的电流与所述驱动TFT的阈值电压Vth无关，达到电流一致，改善均匀性和可靠性。在该实施例中，所述第一开关元件为标号为Tl的第一开关TFT，所述第二开关元件为标号为T2的第二开关TFT，所述第三开关元件为标号为T3的第三开关TFT，所述第四开关元件为标号为T4的第四开关TFT，所述驱动薄膜晶体管是标号为DTFT的驱动TFT，所述驱动电源的低电平输出端为接地端，其中，
1'1、12、13、14、01卩1'均为口型1卩1'4型丁卩丁的阈值电压Vth小于0 ；T4的漏极与DTFT的源极和T2的源极连接，T4的源极分别与存储电容Cs的第一端和DTFT的栅极连接；T2的漏极接地；T3的漏极与所述数据线Data连接，T3的源极与所述驱动TFT的源极和DTFT的漏极连接；Tl的源极与所述OLED的阴极连接；T4的栅极和所述T3的栅极与用于传输控制信号的扫描线SCAN连接；Tl的栅极与第一控制线CRl连接，T2的栅极与第二控制线CR2连接；
如图4A所示，本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路工作时，在第一时间段，即预充电阶段，所述扫描线SCAN和所述控制线CRl输出低电位，所述控制线CR2输出高电位，以控制T4、T2、T3打开，并控制Tl关闭(在图4A中，由于T4、T2、T3开启，则未示出T2、T3、T4，而以导线替代；并且，由于Tl关闭，因此DTFT的源极未与OLED的阴极导通，则图4A中未示Tl和0LED)，所述数据线Data上的电压Vdata输入，所述存储电容Cs被充电，A点(即DTFT的栅极)电压VA为0，B点(即DTFT的源极)电压VB为Vdata，DTFT的栅源极电压Vgs = VA-VB = -Vdata，其小于DTFT的阈值电压Vth，此时DTFT实为一个二极管进入饱和状态；如图4B所示，本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路工作时，在第二时间段，所述控制线CR2输出高电位，以控制T2关闭，A点断开与地线的连接(图4B与图4A的区别在于，A点断开了与地线的连接)，所述存储电容Cs经过T4、DTFT和T3开始放电，直到DTFT的栅源电压Vgs达到DTFT的阈值电压Vth，B点电压维持在Vdata，因此DTFT的栅极电压(即A点电压)为Vth+VB = Vth+Vdata，此时所述驱动薄膜晶体管进入亚阈导通状态；所述扫描线SCAN输出的电压提前变为高电位做缓冲，以使得A点电压稳定；如图4C所示，本发明第三实施例所述的像素单元驱动电路工作时，在第三时间段，所述扫描线SCAN输出高电位，以控制T4、T3关闭，所述控制线CRl和所述控制线CR2均输出低电位，以控制T2、Tl打开(图4C与图4B的区别在于，由于T4断开而使得A点断开与DTFT的漏极的连接，由于T3断开而使得DTFT的源极断开与数据线Data的连接，由于Tl导通则增加了 DTFT的源极与OLED的阴极的连接，并且由于T2导通增加了 DTFT的漏极与地线的连接)，DTFT工作于饱和区，以驱动电流流过所述0LED，所述OLED开始发光，此时VB=VDD-Vth_oled,此时流过所述OLED的电流I的计算公式为由公式(I)所示I = KX (Vgs-Vth)2 = KX (VA-VB-Vth)2= KX {Vth+Vdata-(VDD-Vth_oled)-Vth}2= KX (Vdata+Vth_oled-VDD)2 ;公式(I)其中，K为DTFT的电流系数；
WK = Cox^-;u、Cox, X、W、L分别为DTFT的场效应迁移率，栅绝缘层单位面积电容、沟道宽度、长度；第三时间段为OLED发光阶段，所述OLED将持续发光到下一帧数据写入。
如此便使得流过所述OLED的电流不受所述驱动TFT的阈值电压Vth的影响，以改善流过所述OLED的电流的均匀性，达到OLED面板的亮度的均匀。图5是该第三实施例所述的像素单元驱动电路中的扫描线SCAN输出的扫描信号VSCAN、数据线Data输出的数据信号Vdata、第一控制线CRl输出的控制信号VCRl和第二控制线CR2输出的控制信号VCR2的时序图；在图4中，C、D、E分别标示的是第一时间段、第二时间段、第三时间段。本发明还提供了一种像素单元驱动方法，其应用于上述的像素单元驱动电路，所述像素单元驱动方法包括 像素充电步骤驱动控制单元控制存储电容被充电；像素放电步骤所述驱动控制单元控制所述存储电容通过驱动薄膜晶体管放电，直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth ；驱动OLED发光显示步骤所述驱动控制单元控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区，并控制所述存储电容两端的电压差值不变，以使得所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。实施时，所述像素充电步骤包括第一开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与驱动电源的低电平输出端的连接，导通所述驱动薄膜晶体管的源极与数据线的连接，导通所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，控制所述存储电容被充电；所述像素放电步骤包括所述第一开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元断开所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，控制所述存储电容通过所述驱动薄膜晶体管放电，直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth ；所述驱动OLED发光显示步骤包括所述第一开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述数据线的连接，断开所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区，并控制所述存储电容两端的电压差值不变以及所述存储电容的第二端的电压稳定，以使得所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。本发明还公开了一种像素单元，包括OLED和上述的像素单元驱动电路，该像素单元驱动电路与所述OLED的阴极连接，所述OLED的阳极与驱动电源的高电平输出端连接。本发明所述的像素单元采用OLED上发光的方式，相比OLED下发光方式具有更高的开口率。本发明还提供了一种显示装置，包括多个上述的像素单元。以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围内。
权利要求
1.一种像素单元驱动电路，用于驱动OLED，其特征在于，所述像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容和驱动控制单元； 所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述存储电容的第一端连接，所述存储电容的第二端与驱动电源的高电平输出端连接，所述驱动薄膜晶体管的源极通过所述第一开关元件与所述OLED的阴极连接； 所述驱动薄膜晶体管的源极还通过所述驱动控制单元与数据线连接； 所述驱动薄膜晶体管的栅极还通过所述驱动控制单元分别与所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述驱动电源的低电平输出端连接； 所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述驱动控制单元与所述驱动电源的低电平输出端连接； 所述驱动控制单元，用于通过控制所述存储电容充放电，以控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区而所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿Vth，其中，Vth为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。
2.如权利要求I所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管是P型薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述第一开关元件是p型薄膜晶体管，所述第一开关元件，栅极与第一控制线连接，源极与所述OLED的阴极连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接。
4.如权利要求3所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述驱动控制单元包括第二开关元件、第三开关元件和第四开关元件； 所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述驱动电源的低电平输出端之间连接有所述第二开关元件； 所述驱动薄膜晶体管的源极和数据线之间连接有所述第三开关元件；所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述驱动薄膜晶体管的漏极之间连接有所述第四开关元件。
5.如权利要求4所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述第二开关元件、所述第三开关元件和所述第四开关元件为p型TFT ; 所述第二开关元件，栅极与第二控制线连接，源极与所述薄膜晶体管的漏极连接，漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接； 所述第三开关元件，栅极与用于输出控制信号的扫描线连接，源极与数据线连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接； 所述第四开关元件，栅极与所述扫描线连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接。
6.一种像素单元驱动方法，其应用于如权利要求I所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述像素单元驱动方法包括 像素充电步骤驱动控制单元控制存储电容被充电； 像素放电步骤所述驱动控制单元控制所述存储电容通过驱动薄膜晶体管放电，直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth ； 驱动OLED发光显示步骤所述驱动控制单元控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区，并控制所述存储电容两端的电压差值不变，以使得所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。
7.如权利要求6所述的像素单元驱动方法，其特征在于， 所述像素充电步骤包括第一开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与驱动电源的低电平输出端的连接，导通所述驱动薄膜晶体管的源极与数据线的连接，导通所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，控制所述存储电容被充电； 所述像素放电步骤包括所述第一开关元件断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元断开所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，控制所述存储电容通过所述驱动薄膜晶体管放电，直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth ； 所述驱动OLED发光显示步骤包括所述第一开关元件导通所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极的连接；所述驱动控制单元导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述驱动电源的低电平输出端的连接，断开所述驱动薄膜晶体管的源极与所述数据线的连接，断开所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区，并所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth，通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。
8.一种像素单元，其特征在于，包括OLED和如权利要求I至5中任一权利要求所述的像素单元驱动电路，该像素单元驱动电路与所述OLED的阴极连接，所述OLED的阳极与驱动电源的高电平输出端连接。
9.一种显示装置，其特征在于，包括多个如权利要求8所述的像素单元。
全文摘要
本发明提供了一种像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，该像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容和驱动控制单元；驱动薄膜晶体管的栅极，与存储电容的第一端连接，通过驱动控制单元分别与驱动薄膜晶体管的漏极和驱动电源的低电平输出端连接；存储电容的第二端与驱动电源的高电平输出端连接；驱动薄膜晶体管的源极，通过第一开关元件与OLED的阴极连接，通过驱动控制单元与数据线连接；驱动薄膜晶体管的漏极通过驱动控制单元与驱动电源的低电平输出端连接。本发明通过控制存储电容充放电，控制驱动薄膜晶体管工作于饱和区而驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿阈值电压，使得OLED面板亮度均匀和解决亮度衰减的问题。
文档编号G09G3/32GK102708790SQ20111039398
公开日2012年10月3日 申请日期2011年12月1日 优先权日2011年12月1日
发明者吴博, 祁小敬, 谭文, 高永益 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司
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