El显示面板、其驱动方法和el显示装置的制作方法

专利名称：El显示面板、其驱动方法和el显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种使用有机或无机电致发光(EL)元件的EL显示装置，尤其是涉及可向EL元件提供期望电流的EL显示装置、其驱动方法和具备该EL显示装置的电子设备。
背景技术：
通常，在有源矩阵型显示装置中，通过将多个像素排列成矩阵状，对应于所提供的图像信号控制每个像素的光强度，显示图像。例如，在将液晶用作光电物质的情况下，像素的透过率对应于写入各像素的电压变化。即使在将有机电致发光(EL)材料用作光电变换物质的有源矩阵型图像显示装置中，基本动作也与使用液晶的情况一样。
在液晶显示面板中，各像素作为光闸动作，并通过由作为像素的光闸使来自背景灯的光通过或断开，显示图像。有机EL显示面板是在各像素中具有发光元件的自发光型显示面板。这种自发光型显示面板与液晶显示面板相比，具有图像的识别性高、不需要背景灯、响应速度快等优点。
有机EL显示面板通过电流量来控制各发光元件(像素)的亮度。这样，在发光元件是电流驱动型或电流控制型上，与液晶显示面板相差较大。
在有机EL显示面板中，也与液晶显示面板一样，可构成为简单矩阵方式和有源矩阵方式。前者结构简单，难以实现大型且高精密的显示面板。但是，价格低。后者可实现大型、高精密显示面板。但是，存在控制方法在技术上难、价格较高等问题。现在，盛行开发有源矩阵方式。有源矩阵方式通过设置在像素内部的薄膜晶体管(TFT)来控制设置在各像素中的发光元件中流过的电流。
该有源矩阵方式的有机EL显示面板例如公开于特开平8-234683号公报中。图62中示出该显示面板的一像素大小的等效电路。像素216由作为发光元件的EL元件215、第一晶体管211a、第二晶体管211b和累积电容器219构成。这里，EL元件215是有机电致发光(EL)元件。
在本说明书中，将向EL元件提供(控制)电流的晶体管称为驱动用晶体管。另外，将如图62中的晶体管211b等作为开关动作的晶体管称为开关用晶体管。
在EL元件215多的情况下，因为具有整流性，所以被称为OLED(有机发光二极管)。因此，图62中，将EL元件215作为OLED，使用二极管的记号。
在图62的实例中，将P沟道型晶体管211a的源极端子(S)设为Vdd(电源电位)，将EL元件215的阴极连接于接地电位(Vk)。另一方面，将阳极连接于晶体管211b的漏极端子(D)上。此外，将P沟道型晶体管211b的栅极端子连接于栅极信号线217a上，将源极端子连接于源极信号线218上，将漏极端子连接于累积电容219和晶体管211a的栅极端子(G)上。
为了使像素216动作，首先，将栅极信号线217a设为选择状态，向源极信号线218施加表示亮度信息的图像信号。此时，晶体管211b导通，累积电容219充电或放电，晶体管211a的栅极电位与图像信号的电位一致。若将栅极信号线217a设为非选择状态，则晶体管211a截止，晶体管211a从源极信号线218上电切断。但是，晶体管211a的栅极电位由累积电容219保持稳定。经晶体管211a流入EL元件215的电流变为对应于晶体管211a的栅极/源极端子间电压Vgs的值，EL元件215以对应于通过晶体管211a提供的电流量的亮度继续发光。
如上所述，如图62所示的现有例中，1个像素由1个选择晶体管(开关元件)与1个驱动用晶体管构成。其它现有例例如公开在特愿平11-327637号公报中。该公报中示出像素由电流镜电路构成的实施例。
但是，有机EL显示面板通常使用低温多晶硅晶体管阵列来构成面板。可是，由于有机EL元件基于电流发光，所以若晶体管特性中有偏差时，则存在产生显示斑点的问题。
另外，虽然源极信号线18中存在寄生电容，但在现有的EL显示面板中，不能充分充放电该寄生电容。因此，有时不能向像素提供期望的电流。

发明内容
本发明鉴于上述问题作出，其目的在于提供一种EL显示装置，通过充分充放电存在于源极信号线中的寄生电容，实现良好的图像显示。
另外，为了实现上述目的，根据本发明的EL显示装置具备彼此交叉排列的多个栅极信号线和多个源极信号线；排列成矩阵状、以对应于所提供的电流的亮度发光的EL元件；向上述栅极信号线输出栅极信号的栅极驱动器；向上述源极信号线输出比对应于从外部输入的图像信号的电流大的电流的源极驱动器；对应于上述各EL元件设置、向上述EL元件输出从上述源极驱动器输出的电流的晶体管；和第一开关元件，通过对应于经上述栅极信号线提供的栅极信号，切换上述EL元件与上述晶体管之间的导通/截止，向上述EL元件提供从上述源极驱动器输出的电流，上述栅极驱动器向上述栅极信号线输出栅极信号，使上述EL元件与上述晶体管之间在1帧期间至少1次应变得导通和截止。
根据该结构，因为从源极驱动器向源极信号线输出比对应于图像信号的电流大的电流，所以即使在源极信号线中存在寄生电容的情况下，也可充放电该寄生电容。另外，在向EL元件提供这样大的电流的情况下，虽使EL元件以比对应于图像信号的亮度高的亮度发光，但通过将向EL元件提供电流的期间设为比1帧期间短的期间，可缩短EL元件的发光时间，结果，可实现亮度相当于对应于图像信号的亮度的图像显示。
另外，在根据上述发明的EL显示装置中，上述栅极驱动器也可构成为向上述栅极信号线输出栅极信号，使上述EL元件与上述晶体管之间在1帧期间周期性地多次变为导通和截止。
根据该结构，因为可实现所谓的交互驱动，所以可进行更好的图像显示。
另外，在根据上述发明的EL显示装置中，还具备第二开关元件，通过对应于经上述栅极信号线提供的栅极信号，切换上述源极驱动器与上述晶体管之间的导通/截止，向上述晶体管提供从上述源极驱动器输出的电流，上述栅极驱动器在上述EL元件与上述晶体管之间为截止的状态下，在上述源极驱动器与上述晶体管之间导通并在上述晶体管中编程从上述源极驱动器输出的电流后，向上述栅极信号线输出栅极信号，使上述EL元件与上述晶体管之间在1帧期间中至少1次变得导通和截止。
根据该结构，可防止晶体管的特性偏差引起的显示斑点，可实现更好的图像显示。
另外，在根据上述发明的EL显示装置中，上述栅极驱动器与上述晶体管由同一加工形成。即，例如使用低温多晶硅技术来形成栅极驱动器与驱动器。通过如此形成，可实现窄框缘化。
另外，在根据上述发明的EL显示装置中，上述源极驱动器由半导体芯片形成。
另外，根据本发明的EL显示装置具备彼此交叉排列的多个栅极信号线和多个源极信号线；排列成矩阵状、以对应于所提供的电流的亮度发光的EL元件；向上述栅极信号线输出栅极信号的栅极驱动器；向上述源极信号线输出比对应于从外部输入的图像信号的电流大的电流的源极驱动器；开关元件，对应于上述各EL元件设置，通过对应于经上述栅极信号线提供的栅极信号，切换上述EL元件与上述源极信号线之间的导通/截止，向上述EL元件提供经上述源极信号线提供的电流；设置在与形成上述EL元件的区域不同的区域中、实质上未被用于图像显示的多个伪元件；和第二开关元件，对应于上述各伪元件设置，通过对应于经上述栅极信号线提供的栅极信号，切换上述伪元件与上述源极信号线之间的导通/截止，向上述伪元件提供经上述源极信号线提供的电流，上述栅极驱动器构成为通过在大致相同的定时向连接于上述EL元件的栅极信号线和连接于上述伪元件的栅极信号线输出栅极信号，向各上述EL元件和上述伪元件分割提供经上述源极信号线提供的电流。
根据该结构，因为从源极驱动器向源极信号线输出比对应于图像信号的电流大的电流，所以即使在源极信号线中存在寄生电容的情况下，也可充放电该寄生电容。另外，即使在从源极驱动器输出比对应于图像信号的电流大的电流的情况下，也由于向EL元件和伪元件分割提供该电流，所以可防止EL元件以必要以上的亮度发光。
另外，在根据上述发明的EL显示装置中，连接于上述伪元件的栅极信号线与连接于第一行或最后行的上述EL元件的栅极信号线邻接地形成，上述栅极驱动器通过在大致相同的定时依次向邻接的多行栅极信号线输出栅极信号，向多个上述EL元件的各个或各上述EL元件和上述伪元件分割提供经上述源极信号线提供的电流。
另外，本发明的EL显示装置的驱动方法是具备以对应于提供的电流的亮度发光的EL元件、和经源极信号线向上述EL元件输出电流的源极驱动器的EL显示装置的驱动方法，其中，包含如下步骤上述源极驱动器向上述源极信号线输出比对应于从外部输入的图像信号的电流大的电流；和通过在1帧期间的部分期间中向上述EL元件提供输出到上述源极信号线的电流，在上述部分期间中以对应于输出到上述源极信号线的电流的亮度使上述EL元件发光。
另外，在根据上述发明的EL显示装置的驱动方法中，将上述部分期间分割成多个期间。
并且，本发明的电子设备具有权利要求1上述的EL显示装置，向上述EL显示输出图像信号。
另外，根据本发明的EL显示装置的特征在于具备配置成矩阵状的EL元件、提供流入上述EL元件中的电流的驱动用晶体管、配置在上述EL元件与上述驱动用晶体管之间的第一开关元件、和通断控制上述第一开关元件的栅极驱动器，上述栅极驱动器在1帧期间中至少1次以上将上述第一开关元件控制为断开状态。
另外，在根据上述发明的EL显示装置中，上述第一开关元件在1帧期间中可被周期性地并多次控制成断开状态。
另外，根据本发明的EL显示装置的特征在于具备输出编程电流的源极驱动器、配置成矩阵状的EL元件、提供流入上述EL元件的电流的驱动用晶体管、配置在上述EL元件与上述驱动用晶体管之间的第一开关元件、构成将上述编程电流传递到上述驱动用晶体管的路径的第二开关元件、和通断控制上述第一和第二开关元件的栅极驱动器电路，上述栅极驱动器电路在1帧期间至少1次以上将上述第一开关元件控制为导通状态，并且1次以上控制成断开状态。
另外，在根据上述发明的EL显示装置中，上述栅极驱动器由与上述驱动用晶体管相同的加工形成，上述源极驱动器由半导体芯片形成。
另外，根据本发明的EL显示装置的特征在于具备栅极信号线、源极信号线、输出编程电流的源极驱动器、栅极驱动器、配置成矩阵状的EL元件、提供流入上述EL元件的电流的驱动用晶体管、配置在上述EL元件与上述驱动用晶体管之间的第一晶体管、和构成将上述编程电流传递到上述驱动用晶体管的路径的第二晶体管，上述源极驱动器向上述源极信号线输出编程电流，上述栅极驱动器连接于栅极信号线，上述第二晶体管的栅极端子连接于上述栅极信号线，上述第二晶体管的源极端子连接于上述源极信号线，上述第二晶体管的漏极端子与上述驱动用晶体管的漏极端子连接，上述栅极驱动器选择多个栅极信号线，向多个像素的上述驱动用晶体管提供上述编程电流，上述栅极驱动器在1帧期间至少1次以上将上述第一晶体管控制为导通状态，并且1次以上控制成断开状态。
另外，在根据上述发明的EL显示装置中，上述栅极驱动器由与上述驱动用晶体管相同的加工形成，上述源极驱动器由半导体芯片形成。
另外，根据本发明的EL显示装置的特征在于具有由I(I为2以上的整数)个像素行、J(J为2以上的整数)个像素列构成的显示区域，并具备向上述显示区域的源极信号线施加映像信号的源极驱动器、向上述显示区域的栅极信号线施加导通电压或断开电压的栅极驱动器、和形成于上述显示区域以外部位的伪像素行，EL元件在上述显示区域中形成为矩阵状，根据来自上述源极驱动器的映像信号发光，上述伪像素行不发光，或者视觉上看不见发光状态。
另外，在根据上述发明的EL显示装置中，可构成为，上述栅极驱动器同时选择多个像素行，向上述多个像素行施加来自上述源极驱动器的映像信号，并在选择第一行像素行或I像素行时，选择伪像素行。
另外，根据本发明的EL显示装置的驱动方法的特征在于向上述EL元件提供以比规定亮度高的亮度使EL元件发光的电流，在1帧的1/N(N比1小)的期间使上述EL元件发光。
另外，在根据上述发明的EL显示装置的驱动方法中，将1帧的1/N期间分割成多个期间。
另外，根据本发明的EL显示装置的驱动方法是通过电流来编码流入EL元件的电流的EL显示装置的驱动方法，其特征在于以比规定亮度高的亮度使EL元件发光，显示1/N(N＞1)显示区域，依次移动上述1/N的显示区域，显示整个画面。
并且，本发明的电子设备的特征在于具备权利要求11上述的EL显示装置、接听器、和扬声器。
通过参照附图，本发明的上述目的、其它目的、特征及优点可从以下的最佳实施方式的详细说明中变得清楚。


图1是本发明的EL显示面板的像素构成图。
图2是本发明的EL显示面板的像素构成图。
图3是本发明的EL显示面板的动作说明图。
图4是本发明的EL显示面板的动作说明图。
图5是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图6是本发明的EL显示装置的构成图。
图7是本发明的EL显示面板的制造方法说明图。
图8是本发明的EL显示装置的构成图。
图9是本发明的EL显示装置的构成图。
图10是本发明的EL显示面板的截面图。
图11是本发明的EL显示面板的截面图。
图12是本发明的EL显示面板的说明图。
图13是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图14是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图15是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图16是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图17是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图18是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图19是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图20是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图21是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图22是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图23是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图24是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图25是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图26是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图27是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图28是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图29是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图30是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图31是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图32是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图33是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图34是本发明的EL显示装置的结构图。
图35是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图36是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图37是本发明的EL显示装置的结构图。
图38是本发明的EL显示装置的结构图。
图39是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图40是本发明的EL显示装置的结构图。
图41是本发明的EL显示装置的结构图。
图42是本发明的EL显示面板的像素构成图。
图43是本发明的EL显示面板的像素构成图。
图44是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图45是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图46是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图47是本发明的EL显示面板的像素构成图。
图48是本发明的EL显示装置的结构图。
图49是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图50是本发明的EL显示面板的像素构成图。
图51是本发明的EL显示面板的像素图。
图52是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图53是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图54是本发明的EL显示面板的像素构成图。
图55是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图56是本发明的EL显示装置的驱动方法说明图。
图57是本发明的便携型电话机的说明图。
图58是本发明的取景器的说明图。
图59是本发明的数码摄像机的说明图。
图60是本发明的数码照相机的说明图。
图61是本发明的电视(监视器)的说明图。
图62是现有的EL显示面板的像素结构图。
具体实施例方式
下面，参照附图来说明本发明的实施方式。
在本说明书中，各附图为了容易理解和/或容易制图，存在省略和/或放大缩小的部位。例如，图11中所示的显示面板的截面图中，显示密封膜111等足够厚。另一方面，在图10中，显示密封盖85薄。另外，还有省略的部位。例如，在本发明的显示面板等中，为了防止反射，必需圆偏振光板等相位滤波器。但是，在本说明书的各图中省略。以上对以下附图都一样。另外，附加相同序号或记号等的部位表示相同或类似的形态、材料、功能或动作。
另外，各附图中说明的内容不特别区分，可与其它实施例等组合。例如，可向图8的显示面板附加触摸面板等，设为图19、图59-图61中所示的信息显示装置。另外，也可装配放大透镜582，构成用于摄像机(参照图59等)等的取景器(参照图58)。另外，图4、图15、图18、图21、图23等中说明的本发明的驱动方法可适用于任一本发明的显示装置或显示面板中。
另外，在本说明书中，虽然驱动用晶体管11、开关用晶体管11作为薄膜晶体管来说明，但不限于此。也可由薄膜二极管(TFD)、环形二极管等构成。另外，不限于薄膜元件，也可形成于硅晶片中。不用说，也可以是FET、MOS-FET、MOS晶体管、双极晶体管。这些也基本上是薄膜晶体管。此外，当然也可以是可变电阻、晶闸管、环形二极管、光电二极管、光电晶体管、PLZT元件等。即，开关元件11、驱动用元件11可由其中任一构成。
如图10所示，有机EL显示面板在形成有作为像素电极的透明电极105的玻璃板71(阵列基板)上，层叠由电子传输层、发光层、空穴传输层等构成的至少1层有机功能层(EL层)15(15R、15G、15B)、及金属电极(反射膜)(阴极)106。分别向作为透明电极(像素电极)105的阳极施加正电压，向金属电极(反射膜)106的阴极施加负电压，即向透明电极105及金属电极106之间施加直流，由此有机功能层(EL层)15发光。
向阳极或阴极提供电流的布线(图8的阴极布线86、阳极布线87)中流过大电流。例如，若EL显示装置的画面尺寸变为40英寸，则流过100(A)左右的电流。因此，必需将这些布线的阻抗值制作得足够低。针对该问题，在本发明中，首先用薄膜形成阳极等布线(向EL元件提供发光电流的布线)。之后，通过电解电镀技术或无电解电镀技术，在该薄膜布线上将布线厚度形成得厚。
作为电镀金属，例如铬、镍、金、铜、铝或其合金、汞齐或层叠结构等。另外，必要时，附加布线本身，或向布线附加由铜箔构成的金属布线。另外，在布线上丝网印刷铜胶等，使胶等层叠，由此使布线厚度变厚，使布线阻抗降低。另外，也可通过焊接技术来重复形成布线，从而增强布线。另外，必要时，也可在布线上层叠形成接地图案，在与布线之间形成电容器(电容器)。
另外，为了向阳极或阴极布线提供大电流，以高电压、小电流的功率布线，从电流提供部件开始，布线到上述阳极布线等附近，并使用DCDC转换器等，功率变换为低电压、高电流后提供。即，用高电压、小电流布线，从电源布线到功耗对象，并在功耗对象附近，变换为大电流、低电压。作为这种部件，示例DCDC转换器、变压器等。
在金属电极106中，优选使用锂、银、铝、镁、铟、铜或各自的合金等功函数小的材料。尤其是优选使用例如Al-Li合金。另外，可在透明电极105中使用ITO等功函数大的导电性材料或金等。另外，在将金用作电极材料的情况下，电极为半透明状态。另外，ITO也可以是IZO等其它材料。该情况对其它像素电极105也一样。
另外，当在像素电极105等上蒸镀薄膜时，优选在氩气氛气中成膜有机EL膜15。另外，通过在作为像素电极105的ITO上成膜20以上50nm以下的碳膜，可提高界面的稳定性，使发光亮度和发光效率好。另外，EL膜15不限于通过蒸镀形成，也可由喷墨(inkjet)形成。
另外，在密封盖85与阵列基板71的空间中配置干燥剂。这是因为有机EL膜51不耐湿。通过干燥剂107来吸收浸透密封剂的水分，防止有机EL膜51恶化。
图10是使用玻璃盖85来密封的结构，但也可以如图11所示，使用膜(也可以是薄膜。即薄膜密封膜)111来密封。例如，作为密封膜(薄膜密封膜)111，示例使用在电解电容器的膜上蒸镀DLC(类金钢石碳diamond like carbon)的膜。该膜的水分浸透性极差(防湿性能高)。因此，将该膜用作密封膜111。另外，也可在电极106的表面直接蒸镀DLC膜等。此外，也可层叠多层树脂薄膜与金属薄膜，构成薄膜密封膜。
薄膜的膜厚为n·d(n为薄膜的折射率，在层叠多个薄膜的情况下，综合其折射率(计算各薄膜的n·d)后计算。d为薄膜的膜厚，在层叠多个薄膜的情况下，综合其折射率后计算)，但优选小于等于EL元件15的发光主波长λ。通过满足该条件，与由玻璃基板密封的情况相比，从EL元件15取出光的效率为2倍以上。另外，也可形成铝与银的合金或混合物或层叠物。
将如上所述不使用盖85、用密封膜111密封的结构称为薄膜密封。从基板71侧取出[下取出(参照图10，光取出方向为图10的箭头方向)]光的情况下的薄膜密封在形成EL膜后，在EL膜上形成构成阴极的铝电极。接着，在该铝膜上形成作为缓冲层的树脂层。作为缓冲层，示例丙烯酸酯、环氧树脂等有机材料。另外，优选是膜厚在1微米以上10微米以下的厚度。并且，优选是膜厚在2微米以上10微米以下的厚度。形成该缓冲膜上的密封膜74。若没有缓冲膜，则EL膜的结构由于应力而被破坏，产生条纹状缺陷。密封膜111如上所述，示例DLC(类金钢石碳)或电场电容器的层结构(交互蒸镀多层电介质薄膜与铝薄膜的结构)。
从EL层15侧取出[上取出(参照图11，光取出方向为图11的箭头方向)]光的情况下的薄膜密封在形成EL膜15后，在EL膜上形成20埃以上300埃以下的膜厚的作为阴极(阳极)的Ag-Mg膜。在其上形成ITO等透明电极，进行低阻抗化。接着，在该电极膜上形成作为缓冲层的树脂层。在该缓冲层上形成密封膜111。
从有机EL层15发生的光的一半由反射膜106反射，透过阵列基板71后射出。但是，由于外来光反射到反射膜106，产生写入，显示对比度降低。作为对策，在阵列基板71中配置λ/4板108和偏振光板(偏振光膜)109。这通常被称为圆偏振光板(圆偏振光片)。
另外，在像素为反射电极的情况下，从EL层15产生的光沿上方向射出。因此，也可将相位板108和偏振光板109配置在光射出侧。另外，反射型像素通过由铝、铬、银等构成像素电极105来得到。此外，通过在像素电极105的表面设置凸部(或凹凸部)，扩大与有机EL层15的界面，发光面积变大，另外，发光效率提高。在透明电极上形成构成阴极106(阳极105)的反射膜，或将反射率降低到30％以下的情况下，不需要圆偏振光板。这是因为写入大宽度减少。另外，光的干扰也降低。
晶体管11优选采用LDD(低掺杂漏极)结构。另外，在本说明书中，作为EL元件，以有机EL元件(用OEL、PEL、PLED、OLED等各种简称来描述)15为例进行说明，但不限于此，也可适用于无机EL元件。
首先，用于有机EL显示面板的有源矩阵方式必需满足以下两个条件(1)选择特定像素，提供必要的显示信息；(2)在1帧期间中，可在EL元件中流过电流。
为了满足以上两个条件，在图62所示的现有有机EL像素结构中，将第一晶体管211b设为用于选择像素的开关用晶体管，将第二晶体管211a设为用于向EL元件(EL膜)215提供电流的驱动用晶体管、。
在使用该结构显示灰度的情况下，必需施加对应于灰度的电压，作为驱动用晶体管211a的栅极电压。因此，驱动用晶体管211a的导通电流偏差原样呈现于显示中。
若是由单晶形成的晶体管，则晶体管的导通电流非常均匀，但在由可形成于廉价的玻璃基板中的形成温度为450度以下的低温多晶硅技术所形成的低温多晶晶体管中，其阈值存在±0.2V-0.5V范围内的偏差。因此，驱动用晶体管211a中流过的导通电流与之对应地产生偏差，在显示中产生斑点。这些斑点不仅因阈值电压的偏差、也会因晶体管的移动率、栅极绝缘膜的厚度等产生。另外，特性也会因晶体管211的恶化而变化。
该现象不限于低温多晶硅技术，即使在加工温度为450度(摄氏)以上的高温多晶硅技术中，也会在使用固相(CGS)生长的半导体膜来形成晶体管等中产生。此外，有机晶体管中也产生。非晶硅晶体管中也产生。因此，以下说明的本发明是对应于这些技术并可实现的结构或方式。另外，在本说明书中，主要说明以低温多晶硅技术形成的晶体管。
如图62所示，在通过写入电压使灰度显示的方式中，为了得到均匀的显示，必需严格控制器件的特性。但是，在现状的低温多晶多晶硅晶体管等中，无法满足将该偏差抑制在规定范围以内的要求。
本发明的EL显示装置的像素结构具体如图1所示，单位像素由4个晶体管11及EL元件形成。像素电极与源极信号线重合地构成。即，在源极信号线18上形成由绝缘膜或丙烯酸酯材料构成的平坦化膜后进行绝缘，并在该绝缘膜上形成像素电极105。将这样在源极信号线18上的至少一部分中重叠像素电极的结构称为高孔径(HA)结构。无用的干扰光等降低，可期待良好的发光状态。
通过向栅极信号线(第一扫描线)17a输出栅极信号并激活(施加接通(ON)电压)，通过EL元件15的驱动用晶体管11a和开关用晶体管11c，从源极驱动器14流出应流入上述EL元件15的电流值。另外，为了短路晶体管11a的栅极与漏极之间，通过使栅极信号线17a激活(施加接通(ON)电压)，导通晶体管11b，同时，在连接在晶体管11a的栅极与源极之间的电容器(电容器、累积电容、附加电容器)19中存储晶体管11a的栅极电压(或漏极电压)(参照图3(a))。
另外，晶体管11a的源极(S)-栅极(G)间电容(电容器)19优选为0.2pF以上的电容器。作为其它结构，另外还示例了形成电容器19的结构。即，由电容器电极层与栅极绝缘膜和栅极金属来形成累积电容的结构。从防止晶体管11c的泄漏引起亮度降低的观点、从使显示动作稳定化的观点看，优选如上所述另外构成电容器。
另外，电容器(累积电容)19的大小优选在0.2pF以上2pF以下，其中，电容器(累积电容)19的大小优选在0.4pF以上、1.2pF以下。考虑像素尺寸来决定电容器19的容量。若将1像素必需的容量设为Cs(pF)，将1像素所占面积(不是孔径比)设为Sp(平方微米)，则500/S≤Cs≤20000/S，优选是1000/Sp≤Cs≤10000/Sp。另外，因为晶体管的栅极电容小，所以这里所谓的Q是累积电容19独自的容量。
优选电容器19大致形成于相邻像素间的非显示区域中。通常，在形成全色有机EL元件15的情况下，因为由基于金属掩膜的掩膜蒸镀来形成有机EL层15，所以产生基于掩膜错位的EL层的形成位置。若产生错位，则有各色有机EL层15(15R、15G、15B)重合的危险。因此，各色相邻像素间的非显示区域必需间隔10μ以上。该部分为无助于发光的部分。因此，在该区域中形成累积电容19由于提高了孔径比，所以为有效方式。
接着，不激活栅极信号线17a(施加截止(OFF)电压)、激活栅极信号线17b，将电流流过的路径切换为包含与上述第一晶体管11a和EL元件15连接的晶体管11d及EL元件15的路径，上述存储的电流流入上述EL元件15(参照图3(b))。
该电路在1个像素内具有4个晶体管11，晶体管11a的栅极连接于晶体管11b的源极。另外，晶体管11b和晶体管11c的栅极连接于栅极信号线17a上。晶体管11b的漏极连接于晶体管11c的漏极及晶体管11d的源极上。晶体管11c的源极连接于源极信号线18上。晶体管11d的栅极连接于栅极信号线17b上，晶体管11d的漏极连接于EL元件15的阳极电极上。
图1中，所有晶体管都由P沟道构成。P沟道与N沟道晶体管相比，虽然流动性稍低，但好在耐压大，难以产生恶化，因而优选。但是，本发明不限于由P沟道构成EL元件结构。也可仅由N沟道构成。另外，也可使用N沟道与P沟道两者。
另外，图1中，优选晶体管11c、11b以相同极性构成，且由N沟道构成，晶体管11a、11d由P沟道构成。通常，P沟道晶体管与N沟道晶体管相比，具有可靠性高、弯折电流小等特点，对于通过控制电流来得到目的的发光强度的EL元件15而言，将晶体管11a形成P沟道的效果大。
优选是全部由P沟道来形成构成像素的晶体管11，内置栅极驱动器12也由P沟道形成。这样，通过仅由P沟道晶体管形成阵列，掩膜数量变为5个，可实现低成本、高生产率。
下面，为了进一步容易理解本发明，用图3来说明本发明的EL元件结构。本发明的EL元件结构由两个定时来控制。第一定时是存储必要的电流值的定时。在该定时下，通过使晶体管11b和晶体管11c接通(ON)，等效电路变为图3(a)。其中，从信号线写入规定的电流Iw。由此，晶体管11a变为栅极与漏极连接的状态，通过该晶体管11a和晶体管11c，流过电流Iw。因此，晶体管11a的栅极-源极间的电压为流过电流Iw的电压。
第二定时是晶体管11b与晶体管11c导通、晶体管11d截止的定时，此时的等效电路如图3(b)所示。晶体管11a的源极-栅极间的电压保持不变。此时，因为晶体管11a总是在饱和区域下动作，所以Iw的电流恒定。
如此动作时如图5所示。图5(a)的51a表示显示画面50中、在某个时刻进行电流编程的像素(行)(写入像素(行))。该像素(行)51a如图5(b)所示，变为非点亮(非显示像素(行))。其它的像素(行)变为显示像素(行)53(在显示像素(行))53的EL元件15中流过电流，EL元件15发光)。
图1的像素结构的情况如图3(a)所示，当电流编程时，编程电流Iw流入源极信号线18。该电流Iw流过晶体管11a，在电容器19中进行电压设定(编程)，以保持流过电流Iw的电压。此时，晶体管11d为断开状态(截止状态)。
接着，电流流入EL元件15的期间如图3(b)所示，晶体管11c、11b截止，晶体管11d导通。即，向栅极信号线17a施加截止电压(Vgh)，晶体管11b、11c截止。另一方面，向栅极信号线17d施加导通电压(Vgl)，晶体管11d导通。
图4中示出该时间图。另外，图4等中，括号内的添加文字(例如(1)等)表示像素行的行序号。即，所谓栅极信号线17a(1)表示像素行(1)的栅极信号线17a。另外，图4中上段的所谓*H([*]相当于任意的记号、数值，表示水平扫描线的序号)表示水平扫描期间。即，所谓1H是第一水平扫描期间。另外，以上事项是为了容易说明，不限定1H的序号、1H周期、像素行的行序号的顺序等。
从图4中可知，对于各选择的像素行(选择期间设为1H)，当向栅极信号线17a施加导通电压时，向栅极信号线17b施加截止电压。该期间中，EL元件15中不流过电流(非点亮状态)。另一方面，对于未被选择的像素行，向栅极信号线17a施加截止电压，向栅极信号线17b施加导通电压。该期间中，在EL元件15中流过电流(点亮状态)。
另外，晶体管11b的栅极与晶体管11c的栅极连接于相同的栅极信号线17a上。但是，晶体管11b的栅极与晶体管11c的栅极也可分别连接于不同的栅极信号线(图32中的栅极信号线17a、17c)上。此时，将1个像素的栅极信号线设为3条(图1的结构为2条)。通过单独控制晶体管11b的栅极接通(ON)/截止(OFF)定时与晶体管11c的栅极接通(ON)/截止(OFF)定时，可进一步降低晶体管11a的偏差引起的EL元件15的电流值偏差。
若设为栅极信号线17a与栅极信号线17b共用、晶体管11c与11d为不同的导电型(N沟道与P沟道)，则可简化驱动电路，提高像素的孔径比。
根据如此构成，作为本发明的动作定时，来自信号线的写入路径变为断路。即，当存储规定电流时，若电流的流经路径有分支，则不能在晶体管11a的源极(S)-栅极(G)之间的电容器中存储正确的电流值。在设为晶体管11c与晶体管11d不同的导电型的情况下，通过控制各自的阈值，可进行在扫描线切换的定时下必要的晶体管11c截止后、晶体管11d导通的动作。
但是，因为此时必需正确控制各阈值，所以在加工中必需足够注意。另外，虽然上述电路可由最低4个晶体管来实现，但为了实现更正确的定时控制，或者如后上述，为了降低镜面效应，即使作为如图2所示级联晶体管11e的结构，晶体管的总数为4个以上，动作原理也相同。通过如此添加晶体管11e的结构，可更高精度地经晶体管11c向EL元件15流过编程后的电流。
晶体管11a的特性偏与晶体管尺寸相关。为了减小特性偏差，优选将第一晶体管11a的沟道长度设为5微米以上100微米以下。优选是将第一晶体管11a的沟道长度设为10微米以上50微米以下。这是考虑了在增长沟道长度L的情况下，通过增加沟道中包含的粒界，缓和电场，将弯折效应抑制得低。
另外，优选构成像素的晶体管11由通过激光再结晶方法(激光退火)形成的多晶硅晶体管形成，所有晶体管的沟道方向与激光的照射方向相同。另外，优选激光扫描相同部位2次以上，形成半导体膜。
本发明的目的在于提议晶体管特性的偏差不对显示造成影响的电路结构，为此，必需4个以上的晶体管。在按这些晶体管的特性决定电路常数的情况下，若4个晶体管的特性不一致，则难以求出适当的电路常数。在沟道方向相对激光照射的长轴方向水平的情况和垂直的情况下，晶体管特性的阈值与移动率不同形成。在任一情况下，偏差的程度都相同。在水平方向与垂直方向下，移动率、阈值的平均值不同。因此，期望构成像素的所有晶体管的沟道方向相同。
另外，在设累积电容19的容量值为Cs、第二晶体管11b的截止电流值为Ioff的情况下，优选满足下式。
3＜Cs/Ioff＜24并且，优选满足下式。
6＜Cs/Ioff＜18通过将晶体管11b的截止电流设为5pA以下，可将流过EL的电流值变化抑制到2％以下。这是因为若泄漏电流增加，则在电压非写入状态下，在1个场间无法保持存储在栅极-源极间(电容器的两端)的电荷。因此，若电容器19的累积用电容大，则截止电流的允许量也变大。通过满足上式，可将相邻像素间电流值变动抑制到2％以下。
另外，优选构成有源矩阵的晶体管由p-ch多晶硅薄膜晶体管构成，将晶体管11b设为双栅极以上的多栅极结构。晶体管11b由于用作晶体管11a的源极-漏极间的开关，所以要求尽可能高的接通(ON)/截止(OFF)比的特性。通过将晶体管11b的栅极结构设为双栅极结构以上的多栅极结构，可实现高的接通(ON)/截止(OFF)比的特性。
构成像素16的晶体管11的半导体膜在低温多晶硅技术中，通常通过激光退火形成。该激光退火的条件偏差变为晶体管11的特性偏差。但是，若1个像素16内的晶体管11的特性一致，则在进行图1等的电流编程的方式下，可驱动成在EL元件15中流过规定电流。这点是电压编程中没有的优点。这里，优选将受激准分之激光器用作激光器。
另外，在本发明中，半导体膜的形成不限于激光退火方法，也可以是热退火方法、基于固相(CGS)生长的方法。另外，不限于低温多晶硅技术，也可使用高温多晶硅技术。
针对该问题，在本发明中，如图7所示，平行地向源极信号线18照射退火时的激光照射斑点(激光照射范围)72。另外，在1个像素列中一致地使激光照射斑点72移动。当然不限于1个像素列，例如，也可以在将RGB称为1个像素16的单位来照射激光(此时，变为3个像素列)。另外，也可同时照射多个像素。另外，不用说，激光器照射范围的移动可交迭(通常，移动的激光器光的照射范围交迭是普遍的)。
像素制作成在RGB的3个像素下为正方形状。因此，R、G、B的各像素变为纵长的像素形状。因此，通过使激光照射斑点72变为纵长并退火，可在1像素内不产生晶体管11的特性偏差。另外，可使连接于1个源极信号线18上的晶体管11的特性(流动性、Vt、S值等)变均匀(即，虽然有时特性与相邻源极信号线18上的晶体管11不同，但连接于1个源极信号线18上的晶体管11的特性基本相等)。
通常，激光照射斑点72的长度为10英寸等固定值。由于使激光照射斑点72移动，所以必需将面板配置成将1个激光照射斑点72纳入可移动的范围内(即，在面板的显示区域50的中央部，激光照射斑点72不重叠)。
在图7所示结构中，在激光照射斑点72的长度范围内纵向配置3个面板。照射激光照射斑点72的退火装置识别玻璃基板74的定位标志73a、73b(基于图案识别的自动定位)，使激光照射斑点72移动。定位标志73的识别由图案识别装置进行。退火装置(未图示)识别定位标志73，并算出像素列的位置(激光照射范围72与源极信号线18平行)。与像素列位置重合地照射激光照射斑点72，依次进行退火。
图7中说明的激光退火方法(平行地向源极信号线18照射线状激光斑点的方式)在有机EL显示面板的电流编程方式时采用优选。这是因为在平行于源极信号线的方向上晶体管11的特性一致(纵向相邻的像素晶体管的特性近似)。因此，电流驱动时，源极信号线的电压电平变化小，难以产生电流写入不足。
例如，若是白色光栅显示，则由于相邻各像素的晶体管11a中流过的电流基本相同，所以从源极驱动器14输出的电流振幅的变化小。并且，若图1的晶体管11a的特性相同，各像素中进行电流编程的电流值在像素列中相等，则电流编程时的源极信号线18的电位恒定。因此，不产生源极信号线18的电位变动。若连接于1个源极信号线18上的晶体管11a的特性基本相同，则源极信号线18的电位变动小。这即使在图38等其它电流编程方式的像素结构中也一样(即优选适用图7的制造方法)。
另外，以图27、图30等说明的同时写入多个像素行的方式可实现均匀的图像显示。这是因为难以产生主要由晶体管特性偏差引起的显示斑点。图27等中，因为同时选择多个像素行，所以若相邻像素行的晶体管均匀，则驱动器电路14可吸收纵向的晶体管特性斑点。
另外，如图7所示，源极驱动器14承载IC芯片后形成，但不限于此，也可通过与像素16相同的加工来形成源极驱动器14。
在本发明中，特别设定晶体管11b的阈值电压Vth2不比像素内对应的晶体管11a的阈值电压Vth1低的状态。例如，晶体管11b的栅极长度L2比晶体管11a的栅极长度L1长，即使这些薄膜晶体管的加工参数变动，Vth2也不比Vth1低。由此，可抑制微小的电流泄漏。
另外，以上事项也可适用于图38所示的电流镜的像素结构。图38中，除流过信号电流的驱动用晶体管11a、控制流入由EL元件15等构成的发光元件的驱动电流的驱动用晶体管11b外，由通过栅极信号线17a1的控制来连接或截断像素电路与数据线data的取入用晶体管11c、通过栅极信号线17a2的控制来在写入期间中短路晶体管11a的栅极、漏极的开关用晶体管11d、在晶体管11a的栅极-源极间的电压写入结束后进行保持的累积电容19和作为发光元件的EL元件15等构成。
图38中，晶体管11c、11d由N沟道晶体管构成，其它晶体管由P沟道晶体管构成，但这只是一例，未必都是这样。累积电容19的一个端子连接于晶体管11a的栅极上，另一端子连接于Vdd(电源电位)上，但不限于Vdd，也可以是任意的恒定电位。EL元件15的阴极连接于接地电位上。
下面，说明本发明的EL显示面板和EL显示装置。图6是以EL显示装置的电路为中心的说明图。像素16配置或形成为矩阵状。在各像素16上连接输出进行各像素的电流编程的电流的源极驱动器14。形成源极驱动器14的输出级对应于作为灰度数据的图像信号的比特数的电流镜电路(在后说明)。例如，若为64灰度，则在各源极信号线中形成63个电流镜电路，选择这些电流镜电路的个数，由此可向源极信号线18施加期望的电流。
另外，设1个电流镜电路的最小输出电流为10nA以上50nA以下。优选是电流镜电路的最小输出电流为15nA以上35nA以下。这是为了确保构成源极驱动器14内的电流镜电路的晶体管的精度。
另外，源极驱动器14内置强制放充电源极信号线18的电荷的预充电或放电电路。强制放充电源极信号线18的电荷的预充电或放电电路的电压(电流)输出值优选对R、G、B独立设定。这是因为EL元件15的阈值在RGB下不同。
已知有机EL元件有大的温度依赖性特性。为了调整基于该温度特性的发光亮度变化，在电流镜电路中附加使输出电流变化的热敏电阻或正温度系数热敏电阻等非线性元件，并由上述热敏电阻等调整温度依赖性特性引起的变化，由此模拟地形成基准电流。
在本发明中，源极驱动器14由半导体芯片形成，在玻璃上芯片(COGchip on glass)技术中，与基板71的源极信号线18的端子连接。源极信号线18等的信号线的布线使用铬、铜、铝、银等金属布线。这是因为细的布线宽度可得到低阻抗的布线。布线在像素为反射型的情况下优选由构成像素的反射膜的材料、与反射膜同时形成。这是因为可简化工序。
源极驱动器14的安装不限于COG技术，也可在芯片上膜(COFchip on film)技术中承载上述源极驱动器14等，与显示面板的信号线连接来构成。另外，驱动器IC也可单独制作电源IC82，作为3芯片结构。
另外，栅极驱动器12由低温多晶硅技术形成。即，由与像素的晶体管相同的加工形成。这是因为与源极驱动器14相比，内部结构容易，动作频率也低。因此，即使使用低温多晶硅技术也可容易形成栅极驱动器12，由此可实现窄框缘化。不用说，也可由硅芯片来形成栅极驱动器12，并使用COG技术等安装在基板71上。另外，像素晶体管等的开关元件、栅极驱动器等也可由高温多晶硅技术形成，或由有机材料形成(有机晶体管)。
栅极驱动器12内置栅极信号线17a用的移位寄存器电路61a、栅极信号线17b用的移位寄存器电路61b。各移位寄存器电路61由正相和负相的时钟信号(CLKxP、CLKxN)、启动脉冲(STx)控制。此外，优选附加控制栅极信号线的输出、非输出的起动(ENABLE)信号、上下逆转移位方向的上下(UPDWM)信号。另外，优选设置确认将启动脉冲移动到移位寄存器、之后输出的输出端子等。另外，移位寄存器的移位定时由来自控制器IC81的控制信号控制。另外，内置进行外部数据的电平移位的电平移位电路。另外，内置检查电路。
因为移位寄存器电路61的缓冲器容量小，所以不能直接驱动栅极信号线17。因此，在移位寄存器电路61的输出与驱动栅极信号线17的输出栅极63之间形成至少2个以上的逆变器电路62。
以低温多晶硅技术等多晶硅技术在基板71上直接形成源极驱动器14的情况也一样，在驱动源极信号线18的传输电栅等的模拟开关的栅极与源极驱动器14的移位寄存器之间形成多个逆变器电路。以下事项(关于配置在移位寄存器的输出与驱动信号线的输出级(输出栅极或传输电栅等输出级)之间的逆变器电路的事项)在源极驱动器和栅极驱动器中是共同的事项。
例如，图6中示出源极驱动器14的输出直接连接于源极信号线18上，但实际上，源极驱动器的移位寄存器的输出连接于多级逆变器电路上，逆变器的输出连接于传输电栅等模拟开关的栅极上。
逆变器电路62由P沟道的MOS晶体管与N沟道的MOS晶体管构成，如在先所述，在栅极驱动器12的移位寄存器电路61的输出端上多级连接逆变器电路62，其最终输出连接于输出栅极电路63上。另外，逆变器电路62也可仅由P沟道构成。但是，此时构成为不是逆变器，而是简单的栅极电路。
图8是本发明的显示装置的信号、电压供给的结构图或显示装置的结构图。从控制器IC81经柔性基板84提供向源极驱动器14a提供的信号(电源布线、数据布线等)。
图8中，控制器IC81使栅极驱动器12的控制信号产生后，由源极驱动器14进行电平移位，之后，施加到栅极驱动器12。因为源极驱动器14的驱动电压为4-8(V)，所以可将从控制器IC81输出的3.3(V)振幅的控制信号变换为栅极驱动器12可接收的5(V)振幅。
优选在源极驱动器14内设置图像存储器。可存储对图像存储器的图像数据进行误差扩散处理或抖动处理后的数据。通过进行误差扩散处理、抖动处理等，可将26万色显示数据变换为4096色等，可减小图像存储器的容量。误差扩散处理等可由误差扩散控制器81进行。另外，在进行抖动处理后，优选还进行误差扩散处理。以上事项也适用于逆误差扩散处理。
在图8等中，将14记载为源极驱动器，但不仅是驱动器，也可内置电源电路、缓冲器电路(包含移位寄存器等的电路)、数据变换电路、锁存电路、指令解码器、移位电路、地址变换电路、图像存储器等。即使在图8等说明的结构中，也可适用图9等中说明的3边空闲结构(构造)、驱动方式等。
在将显示面板用于便携型电话机等的信息显示装置的情况下，如图9所示，优选将源极驱动器(电路)14、栅极驱动器(电路)12安装(形成)在显示面板的一边(另外，将这样一边安装(形成)驱动器IC(电路)的形态称为3边空闲结构(构造)。以前，在显示区域的X边安装栅极驱动器12，在Y边安装源极驱动器14)。这是因为容易设计成画面50的中心线为显示装置的中心，另外，驱动器IC的安装也变容易。另外，也可通过高温多晶硅或低温多晶硅技术等以3边空闲的结构制作栅极驱动器(即，图9的源极驱动器14和栅极驱动器12中，至少一方通过多晶硅技术直接形成于基板71上)。
另外，所谓3边空闲结构不仅是在基板71上直接承载或形成IC的结构，也包含在基板71的一边(或大致一边)上粘贴装配了源极驱动器(电路)14、栅极驱动器(电路)12等的膜(TCP、TAB技术等)的结构。即，意味着不在两个边上安装或装配IC的结构、配置或与之类似的所有情况。
如图9所示，若在源极驱动器14的横向上配置栅极驱动器12，则必需沿边C形成栅极信号线17。
另外，在图9等中用粗实线表示的部位表示并列形成栅极信号线17的部位。因此，b部分(画面下部)中，并列形成栅极信号线条数个的栅极信号线17，a部分(画面上部)中，形成1条栅极信号线17。
设形成于C边上的栅极信号线17的间距为5微米以上12微米以下。若不到5微米，则在相邻栅极信号线中，由于寄生电容的影响而产生噪声。根据实验，在7微米以下，寄生电容的影响显著发生。并且，当不到5微米时，在显示画面中明显产生节拍状等的图像噪声。尤其是噪声的产生在画面的左右不同，难以降低该节拍状等的图像噪声。另外，若超过12微米，则显示面板的框缘宽度D过大，不实用。
为了降低上述图像噪声，通过在形成栅极信号线17的部分的下层或上层中配置接地图案(电压固定在一定电压或整体设定在稳定电位的导电图案)，可降低。另外，也可在栅极信号线17上配置另外设置的屏蔽板(屏蔽箔(电压固定在一定电压或整体设定在稳定电位的导电图案))。
图9的C边的栅极信号线17也可由ITO电极形成，但为了低阻抗化，优选层叠ITO与金属薄膜来形成。另外，优选由金属膜形成。在与ITO层叠的情况下，在ITO上形成钛膜，并在其上形成铝或铝与钼的合金薄膜。另外，在ITO上形成铬膜。在金属膜的情况下，形成铝薄膜、铬薄膜。以上事项在本发明的其它实施例中也一样。
另外，在图9等中，栅极信号线17等配置在显示区域的单侧，但不限于此，也可配置在两侧。例如，将栅极信号线17a配置(形成)在显示区域50的右侧，将栅极信号线17b配置(形成)在显示区域50的左侧。以上事项在其它实施例中也一样。
另外，也可单芯片化源极驱动器14与栅极驱动器12。若单芯片化，则IC芯片向显示面板的安装通过1个来完成。因此，也可降低安装成本。另外，也可同时产生单芯片驱动器IC内使用的各种电压。
另外，源极驱动器14、栅极驱动器12由硅等半导体晶片来制作，并安装在显示面板上，但不限于此，不用说，也可通过低温多晶硅技术、高温多晶硅技术来直接形成于显示面板82上。
图1等中示出的结构中，EL元件15经晶体管11a连接于Vdd电位上。但是，存在构成各色的有机EL的驱动电压不同的问题。例如，在每单位平方厘米流过0.01(A)的电流的情况下，蓝色(B)下EL元件的端子电压为5(V)，而绿色(G)及红色(R)下为9(V)。即，B与G、R下端子电压不同。因此，B与G和R所保持的晶体管11a的源极-漏极电压(SD电压)不同。因此，各色下晶体管的源极-漏极电压(SD电压)之间的截止泄漏(offleak)电流不同。若产生截止泄漏电流、且截止泄漏特性在各色下不同，则在偏离色平衡的状态下，形成产生闪光、灰度系数特性与发光色相关而偏离等复杂的显示状态。
为了对应该问题，构成为至少使R、G、B色中的一个阴极电极的电位与其它色的阴极电位的电位不同。或至少使R、G、B色中的一个Vdd的电位与其它色的Vdd的电位不同。
优选尽量使R、G、B的EL元件15的端子电压一致。至少显示白峰值亮度，在色温度在7000K以上12000K以下的范围内，必需选定材料或结构，使R、G、B的EL元件的端子电压为10(V)以下。另外，必需使R、G、B中EL元件的最大端子电压与最小端子电压之差在2.5(V)以内。并且优选使该差在1.5(V)以下。在以上实施例中，不限于色为RGB。这在后面说明。
另外，不限于像素为R、G、B的3原色，也可以是蓝绿色、黄色、品红色等3色。另外，也可以是B与黄色等两色。不用说，也可以是单色。另外，还可以是R、G、B、蓝绿色、黄色、品红色等6色。或R、G、B、蓝绿色、品红色等5色。这可作为自然色，扩大色再现范围，实现良好的显示。此外，也可以是R、G、B、白等4色。或R、G、B、蓝绿色、黄色、品红色、黑、白等7色。另外，也可在显示区域50整体中形成(制作)白色发光像素，并以RGB等滤色器来作为3原色显示。此时，优选在EL层中层叠各色的发光材料来形成。另外，也可将1像素分涂成B和黄色那样。如上所述，本发明的EL显示装置不限于以RGB3原色来进行彩色显示。
有机EL显示面板的彩色化中主要有3种方式，色变换方式是其中之一。可仅形成蓝色的单层来作为发光层，彩色化必需的其余的绿色和红色可通过从蓝色光进行色变换来形成。因此，不必分涂RGB各层。具有不必使RGB各色的有机EL材料一致的优点。色变换方式不会象分涂方式那样降低生产率。本发明的EL显示面板等也可适用任一方式。
另外，除3原色外，也可形成白色发光的像素。白色发光的像素可通过层叠R、G、B发光结构来制作(形成或构成)实现。1组像素由RGB3原色与白色发光的像素16W构成。通过形成白色发光的像素，容易表现白色的峰值亮度。因此，可实现具有亮度感的图像显示。
即使在由RGB等3原色来形成1组像素的情况下，优选也使各色的像素电极的面积不同。当然，只要各色的发光效率平衡、色纯度也平衡，那么即使相同面积也无妨。但是，若1个或多个色的平衡差，则优选调整像素电极的发光面积。优选各色的电极面积以电流密度为基准来决定。即，在色温度在7000K(开)以上12000K以下的范围内，当调整白平衡时，各色的电流密度差在±30％以内。并且优选在±15％以内。例如，若设电流密度为100A/平方米，则3原色任一都在70A/平方米以上130A/平方米以下。优选是3原色任一都在85A/平方米以上115A/平方米以下。
有机EL15自身是发光元件。若基于该发光的光入射到作为开关元件的晶体管，则产生热导体现象。所谓热导体是指由于光激励而在晶体管等开关元件截止时的泄漏(截止泄漏)增加的现象。
为了解决该问题，在本发明中，在栅极驱动器12(或不同情况下为源极驱动器14)的下层、像素晶体管11的下层形成遮光膜。遮光膜由铬等金属薄膜形成，且其膜厚为50nm以上150nm以下。若膜厚薄，则缺乏遮光效应，若厚，则产生凹凸，上层晶体管11a的布图变困难。
在遮光膜上形成由20nm以上100nm以下的无机材料构成的平滑化膜。也可使用该遮光膜的层来形成累积电容19的一个电极。此时，优选平滑膜尽量形成得薄，增大累积电容的容量值。另外，也可由铝来形成遮光膜，并使用阳极氧化技术在遮光膜的表面上形成氧化硅膜，并将该氧化硅膜用作累积电容19的电介质膜。在平滑化膜上形成高孔径(HA)结构的像素电极。
驱动器电路12等不仅抑制光从背面、而且抑制光从表面进入。这是因为由于热导体现象的影响而进行误动作。因此，在本发明中，在阴极电极为金属膜的情况下，在驱动器12等的表面中形成阴极电极，并将该电极用作遮光膜。
但是，若在驱动器12上形成阴极电极，则有可能由于来自该阴极电极的电场造成驱动器误动作或阴极电极与驱动器电路电接触。为了解决该问题，在本发明中，在驱动器电路12等上至少形成1层有机EL膜，优选与像素电极上的有机EL膜的形成同时形成多层有机EL膜。
由于有机EL膜基本上为绝缘物，所以通过在驱动器上形成有机EL膜，可分离阴极与驱动器之间。因此，可消除上述问题。
若像素的1个以上晶体管11的端子之间或晶体管11与信号线短路，则EL元件15总是点亮，某个像素成为亮点。因为该亮点在视觉上显眼，所以必需进行黑点化(非点亮)。针对亮点，检测该像素16，向电容器19照射激光，使电容器的端子间短路。因此，因为在电容器19中不能保持电荷，所以晶体管11a中不流过电流。
另外，期望去除位于照射激光位置上的阴极膜。这是因为防止由于照射激光而使电容器19的端子电极与阴极膜短路。
像素16的晶体管11的缺陷还对驱动器电路14等造成影响。例如，在图56中，若在驱动用晶体管11a中产生源极-漏极(SD)短路562，则向源极驱动器14施加面板的Vdd电压。因此，源极驱动器14的电源电压优选与面板的电源电压Vdd相同或比其高。另外，优选源极驱动器14使用的基准电流可由电子电位器561进行调整。
若晶体管11a中产生SD短路562，则在EL元件15中流过过大电流。即，EL元件15始终为点亮状态(亮点)。亮点作为缺陷容易显眼。例如，在图56中，若产生晶体管11a的源极-漏极(SD)短路，则无论晶体管11a的栅极(G)端子电位大小如何，都始终从Vdd电压向EL元件15流过电流(晶体管11d导通时)。因此，EL元件15变为亮点。
另外，若晶体管11a中产生SD短路，则在晶体管11c导通状态时，向源极信号线18施加Vdd电压，向源极驱动器14施加Vdd电压。并且，若源极驱动器14的电源电压为Vdd以下，则可能会超过耐压，破坏源极驱动器14。因此，源极驱动器14的电源电压优选为Vdd电压(面板的高电压)以上。
晶体管11a的SD短路等不限于点缺陷，而且与面板的源极驱动器的破坏有关，另外，由于亮点显眼，所以作为面板而言不好。因此，有必要切断连接晶体管11a与EL元件15之间的布线，将亮点变为黑点缺陷。在该切断中也可使用激光等光学方式来进行切断。
另外，以上实施例使布线切断，但因为进行黑显示，所以不限于此。例如从图1可知，也可修正为始终向晶体管11a的栅极(G)端子施加晶体管11a的电源Vdd。例如，若使电容器19的两个电极间短路，则向晶体管11a的栅极(G)端子施加Vdd电压。因此，晶体管11a变为完全截止状态，在EL元件15中不流过电流。这是因为通过向电容器19照射激光，可短路电容器电极，所以可容易实现。
另外，实际中由于在像素电极的下层配置Vdd布线，所以通过向Vdd布线与像素电极照射激光，可控制(修正)像素的显示状态。
此外，也可通过断开晶体管11a的SD间(沟道)来实现。简单地向晶体管11a照射激光，并断开晶体管11a的沟道。同时，也可断开晶体管11d的沟道。当然，在断开晶体管11b的沟道的情况下，因为不选择该像素16，所以变为黑显示。
为了使像素16进行黑显示，也可使EL元件15恶化。例如，向EL层15照射激光，使EL层15物理或化学地恶化，不发光(始终是黑显示)。通过照射激光来加热EL层15，可容易使之恶化。另外，若使用受激准分之激光器，则可容易进行EL膜15的化学变化。
另外，以上实施例示例了图1所示的像素结构，但本发明不限于此。不用说，使用激光使布线或电极断开或短路也可适用于电流镜等以外的电流驱动的像素结构或图62、图51等中示出的电压驱动的像素结构。
下面，说明图1所示像素结构的驱动方法。如图1所示，栅极信号线17a在行选择期间变为导通状态(这里由于图1的晶体管11为p沟道晶体管，所以在低电平下为导通)，栅极信号线17b在非选择期间为导通状态。
源极信号线18中存在寄生电容(未图示)。寄生电容由源极信号线18与栅极信号线17的交叉部的电容、晶体管11b、11c的沟道电容等产生。
当设寄生电容的大小为C、源极信号线18的电压为V、流过源极信号线18的电流为I时，源极信号线18的电流值变化所需时间t为t＝C·V/I。因此，通过使电流值增大10倍，可使电流值变化所需时间缩短到近10分之1。另外，示出即使源极信号线18的寄生电容变为10倍，也可变化为规定的电流值。因此，为了在短的水平扫描期间内写入规定的电流值，使电流值增加是有效的。
另外，为了进行源极信号线18的寄生电容的充放电，优选使满足I＞(C·V)/t关系的电流值I流过源极信号线18。
但是，若使输入电流变为10倍，则输出电流也变为10倍。可是，此时由于EL的亮度也变为10倍，所以不能得到规定的亮度。因此，在本发明中，将图1的晶体管17d的导通期间设为以前的10分之1，将EL元件15的发光期间设为10分之1，可实现规定的亮度。
即，为了充分进行源极信号线18的寄生电容的充放电，对像素16的晶体管11a编程规定的电流值，必需从源极驱动器14输出较大的电流。但是，若在源极信号线18中流过这样大的电流，则要对像素编程该电流值，在EL元件15中流过大于规定电流的电流。例如，若以10倍电流编程，则当然EL元件15中流过10倍电流，EL元件15以10倍的亮度发光。为了变为规定的发光亮度，优选将流过EL元件15的时间设为1/10。通过这样驱动，可充分充放电源极信号线18的寄生电容，得到规定的发光亮度。
另外，在像素的晶体管11a写入10倍电流值(正确设定电容器19的端子电压)，将EL元件15的导通时间设为1/10，但这只是一例。也可根据情况向像素的晶体管11a写入10倍的电流值，将EL元件15的导通时间设为1/5。另外，有时也向像素的晶体管11a写入10倍的电流值，将EL元件15的导通时间设为1/2。
本发明的特征在于将对像素的写入电流设为规定值以外的值，使流过EL元件15的电流为间歇状态来进行驱动。在本说明书中，为了容易说明，说明成向像素的晶体管11写入规定电流的N倍电流，将EL元件15的导通时间设为1/N倍。但是，不限于此，也可向像素的晶体管11写入N1倍的电流，将EL元件15的导通时间设为1/(N2)倍(N1与N2不同)。
这里，所谓上述规定电流是为了实现图像信号表示的灰度显示所必需的电流。该规定电流的电流值因EL显示装置的规格等而不同，但例如在实现亮度150nt的情况下，为0.25-0.75μA左右。因此，在N＝4的情况下，写入晶体管11的电流值为1-3μA左右。同样，在N＝8的情况下，上述电流值为2-6μA，在N＝2的情况下，上述电流值为0.5-1.5μA。
另外，间歇的间隔不限于等间隔。例如，也可随机(作为整体，显示期间或非显示期间设为规定值(一定比例)即可)。另外，RGB下也可不同。即，优选调整(设定)得R、G、B显示期间或非显示期间为规定值(一定比例)，使白平衡最佳。
另外，为了容易说明，所谓1/N说明为以1F(1场或1帧期间)为基准，将该1F设为1/N。但是，需要选择1像素行、编程电流值的时间(通常为1水平扫描期间(1H))，另外，还会因扫描状态不同产生误差。因此，以上说明始终仅是为了容易说明的方便性的问题，不限于此。
例如，以N＝10倍电流对像素16编程电流，在1/5期间中，使EL元件15点亮。EL元件15以10/5＝2倍的亮度点亮。相反，以N＝2倍电流对像素16编程电流，在1/4期间中，使EL元件15点亮。EL元件15以2/4＝0.5倍的亮度点亮。即，本发明以非N＝1倍的电流编程，且实现始终点亮(1/1、即非间歇驱动)状态以外的显示。另外，广义上是在1帧(或1场)期间中至少1次截断提供给EL元件15的电流的驱动方式。另外，是对像素16编程比规定值大的电流、且至少实现间歇显示的驱动方式。
有机(无机)EL显示装置与用CRT等电子枪作为线显示集合来显示图像的显示器在显示方法上基本上不同，这方面也有问题。即，EL显示装置中，在1F(1场或1帧)期间中，保持写入像素的电流(电压)。因此，产生若进行动态图像显示则产生显示图像的轮廓模糊等问题。
在本发明中，仅在1F/N期间中，在EL元件15中流过电流，在其它期间中(1F(N-1)/N)中不流过电流。考虑实施该驱动方式并观测画面的一点的情况。在该显示状态下，对每个1F反复显示图像数据显示、黑显示(非点亮)。即，图像数据的显示状态在时间上变为分散显示(间歇显示)。若以该间歇显示状态看动态数据显示，则没有图像的轮廓模糊，可实现良好的显示状态。即，可实现接近CRT的动态图像显示。另外，虽实现间歇显示，但电路的主时钟与以前相比没变。因此，未增加电路的功耗。
液晶显示面板的情况下，在液晶层保持进行光调制的图像数据(电压)。因此，若要实施黑插入显示，则必需改换施加到液晶层的数据。因此，必需提高源极驱动器14的动作时钟，向源极信号线18交互施加图像数据与黑显示数据。因此，若要实现黑插入(黑显示等间歇显示)，则必需取得电路的主时钟。另外，还必需实施时间轴扩展用的图像存储器。
在图1、图2、和图38所示的本发明的EL显示面板的像素结构中，在电容器19中保持图像数据。在EL元件15中流过对应于该电容器19的端子电压的电流。因此，不能如液晶显示面板那样在光调制层中保持图像数据。
本发明仅通过使开关的晶体管11d或晶体管11e等导通截止来控制EL元件15中流过的电流。即，即使截断流过EL元件15中的电流Iw，图像数据也原样保持在电容器19中。因此，在下一定时使开关元件11d等导通，使EL元件15中流过电流，则该流过的电流与之前流过的电流值相同。在本发明中，即使在实现黑插入(黑显示等间歇显示)时，也不必获得电路的主时钟。另外，由于不必实施时间轴扩展，所以也不必图像存储器。另外，有机EL元件15从提供电流到发光的时间短，高速响应。因此，适于动态图像显示，并可通过实施间歇显示，解决作为现有数据保持型显示面板(液晶显示面板、EL显示面板等)的问题的动态图像显示的问题。
并且，在大型显示装置中源极电容大的情况下，可将源极电流设为10倍以上。通常在将源极电流值设为N倍的情况下，可将栅极信号线17b(晶体管11d)的导通期间设为1F/N。由此也可适用于电视、监视器用的显示装置等中。
下面，参照附图来进一步详细说明本发明的驱动方法。源极信号线18的寄生电容由与相邻的源极信号线18之间的耦合电容、源极驱动器IC(电路)14的缓冲器输出电容、栅极信号线17与源极信号线18的交叉电容等产生。通常设该寄生电容为10pF以上。在电压驱动的情况下，由于从驱动器IC14以低的阻抗向源极信号线18施加电压，所以无论寄生电容大小如何，都不对驱动构成问题。
可是，在电流驱动下，尤其是黑电平的图像显示中，必需以20nA以下的微小电流来编程像素的电容器19。因此，若产生规定值以上大小的寄生电容时，不能在对1像素行编程的时间(通常为1H以内，但是，由于也有同时写入两个像素行的情况，所以不能限定为1H以内)内充放电寄生电容。但是，若在1H期间内不能充放电，则对像素的写入变得不充分，不能实现期望清晰度下的显示。
图1的像素结构的情况如图3(a)所示，在电流编程时，在源极信号线18中流过编程电流Iw。该电流Iw流过晶体管11a，在电容器19中进行电压设定(编程)，以保持流过电流Iw的电压。此时，晶体管11d为断开状态(截止状态)。
接着，EL元件15中流过电流的期间如图3(b)所示，晶体管11c、11b截止，晶体管11d动作。即，向栅极信号线17a施加截止电压(Vgh)，晶体管11b、11c截止。另一方面，向栅极信号线17b施加导通电压(Vgl)，晶体管11d导通。
现在，若设电流Iw为本应流过的电流(规定值)的10倍，则图3(b)的EL元件15中流过的电流也变为规定值的10倍。因此，EL元件15以规定值的10倍亮度发光。即，如图12所示，倍率N越高，则显示面板的显示亮度B也越高。因此，亮度与倍率成正比关系。另外，通过以1/N驱动，亮度与倍率成反比关系。
因此，仅在原来导通的时间(约1F)的1/N的期间内使晶体管11d导通，在其它期间(N-1)/N中使之截止，则1F整体的平均亮度变为规定亮度。该显示状态近似于CRT以电子枪来扫描画面。不同之处在于显示图像的范围为画面整体的1/N(设整个画面为1)点亮(在CRT中，点亮的范围为1像素行(严格讲是1像素)。
在本发明中，该1F/N的图像显示区域53如图13(b)所示从画面50的上面向下面移动。在本发明中，仅在1F/N期间中，在EL元件15中流过电流，在其它期间(1F·(N-1)/N)中不流过电流。因此，各像素为间歇显示。但是，因为人眼中由于剩余图像而变为保持图像的状态，所以看见全部画面均匀显示。
另外，如图13所示，设写入像素行51a为非点亮显示52a。但是，这是图1、图2等的像素结构的情况。在由图38等图示的电流镜的像素结构中，写入像素行51a也可以是点亮状态。但在本说明书中，为了容易说明，主要以图1的像素结构为例来说明。另外，将以图13、图16等比规定驱动电流Iw大的电流进行编程并进行间歇驱动的驱动方法称为N倍脉冲驱动。
在该显示状态下，对每个1F反复显示图像数据显示、黑显示(非点亮)。即，图像数据的显示状态在时间上变为分散显示(间歇显示)状态。在液晶显示面板(和本发明以外的EL显示面板)中，因为在1F期间中对像素保持数据，所以在动态图像显示的情况下，即使图像数据变化也不能跟随该变化，形成动态图像模糊(图像的轮廓模糊)。但是，在本发明中，由于间歇显示图像，所以没有图像的轮廓模糊，可实现良好的显示状态。即，可实现接近CRT的动态图像显示。
图14中示出其时间图。另外，在本发明等中，未特别区分时的像素结构如图1所示。从图14可知，在各选择的像素行(设选择期间为1H)中，当向栅极信号线17a施加导通电压(Vgl)时(参照图14(a))，向栅极信号线17b施加截止电压(Vgh)(参照图14(b))。在该期间中，在EL元件15中不流过电流(非点亮状态)。另一方面，在未被选择的像素行中，向栅极信号线17a施加截止电压(Vgh)，向栅极信号线17b施加导通电压(Vgl)。该期间中，EL元件15中流过电流(点亮状态)。另外，在点亮状态下，EL元件15以规定的N倍亮度(N·B)点亮，并在该点亮期间中为1F/N。因此，平均1F的显示面板的显示亮度变为(N·B)×(1/N)＝B(规定亮度)。
图15是将图14的动作适用于各像素行的实施例。表示向栅极信号线17施加的电压波形。电压波形中将截止电压设为Vgh(H电平)，将导通电压设为Vgl(L电平)。(1)、(2)等添加文字表示选择的像素行的行序号。
图15中，选择栅极信号线17a(1)(Vgl电压)，从选择的像素行的晶体管11a向源极驱动器14，在源极信号线18中流过编程电流。该编程电流为规定值的N倍(为了容易说明，说明为N＝10，当然，因为所谓规定值是显示图像的数据电流，所以只要不是白光栅(白ラスタ一)显示等就不是固定值。)。因此，对电容器19编程，使晶体管11a中流过10倍的电流。当选择像素行(1)时，在图1的像素结构中，栅极信号线17b(1)施加截止电压(Vgh)，在EL元件15中不流过电流。
在1H后，选择栅极信号线17a(2)(Vgl电压)，从选择的像素行的晶体管11a向源极驱动器14，在源极信号线18中流过编程电流。该编程电流为规定值的N倍(为了容易说明，说明为N＝10)。因此，对电容器19编程，使晶体管11a中流过10倍的电流。当选择像素行(2)时，在图1的像素结构中，栅极信号线17b(2)施加截止电压(Vgh)，在EL元件15中不流过电流。但是，向在先的像素行(1)的栅极信号线17a(1)施加截止电压(Vgh)，向栅极信号线17(b)施加导通电压(Vgl)，所以变为点亮状态。
在下一1H后，选择栅极信号线17a(3)，向栅极信号线17b(3)施加截止电压(Vgh)，在像素行(3)的EL元件15中不流过电流。但是，向在先的像素行(1)(2)的栅极信号线17a(1)(2)施加截止电压(Vgh)，向栅极信号线17(b)(1)(2)施加导通电压(Vgl)，所以变为点亮状态。
以上动作同步于1H的同步信号，显示图像。但是，在图15的驱动方式下，在EL元件15中流过10倍电流。因此，显示画面50以约10倍的亮度显示。当然，为了以该状态进行规定的亮度显示，将编程电流变为1/10。可是，若为1/10的电流，则由于寄生电容等产生写入不充分，所以以高的电流进行编程，通过插入黑画面52来得到规定的亮度，这是本发明的基本主旨。
因此，在本发明的驱动方法中，要点在于充分充放电源极信号线18的寄生电容，使比规定电流高的电流流过EL元件15。因此，在EL元件15中不流过规定电流的N倍电流。例如，并联于EL元件15形成电流路径(实施形成伪EL元件、该EL元件形成遮光膜后使其不发光等处理)，区分为伪EL元件与EL元件15来流过电流。例如，当信号电流为0.2μA时，编程电流为2.2μA，在晶体管11a中流过2.2μA。示例在该电流中，信号电流0.2μA流过EL元件15、2μA流过伪EL元件等方式。即，图27的伪像素行281总是选择状态。另外，构成为不使伪像素行发光，或形成遮光膜等，即使发光，视觉上也看不见。
通过如上构成，使流过源极信号线18的电流增加N倍，由此可编程为在驱动用晶体管11a中流过规定电流的N倍电流，并且，在EL元件15中流过与上述N倍电流相比足够小的电流。在以上方法中，如图5所示，不设置非点亮区域52，将全部显示区域50设为图像显示区域53。
图13(a)图示向显示画面50的写入状态。图13(a)中，51a是写入像素行。从源极驱动器14向各源极信号线18提供编程电流。另外，在图13等中，在1H期间中写入的像素行为1行。可是，不限于1H，也可以是0.5H期间或2H期间。另外，设在源极信号线18中流过编程电流，但本发明不限于电流编程方式，也可以是写入源极信号线18中的是电压的电压编程方式(图62等)。
在图13(a)中，若选择栅极信号线17a，则在晶体管11a中编程源极信号线18中流过的电流。此时，向栅极信号线17b施加截止电压，结果，EL元件15中不流过电流。这是由于若晶体管11d为导通状态时，从源极信号线18中发现EL元件15的电容分量，受该电容的影响，在电容器19中不能充分进行正确的电流编程。因此，以图1所示结构为例，如图13(b)所示，写入电流的像素行变为非点亮区域52。
现在，若设以N倍(这里如上所述设为N＝10)电流进行编程，则画面的亮度变为10倍。因此，可设显示区域50的90％的范围为非点亮区域52。因此，若设图像显示区域的水平扫描线为QCIF(QuaterCommon Intermediate Format)的220条(S＝220)，则设22条为显示区域53，220-22＝198条为非显示区域52。根据一般描述，若设水平扫描线的条线(像素行数)为S，则设S/N的区域为显示区域53，以N倍亮度使该显示区域53发光。另外，沿画面的上下方向扫描该显示区域53。因此，设S(N-1)/N的区域为非点亮区域52。该非点亮区域为黑显示(非发光)。另外，该非发光区域52通过使晶体管11d截止来实现。另外，虽以N倍亮度点亮，但不用说，当然可通过亮度调整、灰度系数调整来调整为N倍值。
另外，在先前的实施例中，若以10倍电流进行编程，则由于画面的亮度为10倍，所以只要设显示区域50的90％的范围为非点亮区域52即可。但是，不限于将RGB像素共同设为非点亮区域52。例如，R像素的1/8设为非点亮区域52，G像素的1/6设为非点亮区域52，B像素的1/10设为非点亮区域52，通过各自的颜色使之变化。另外，也可在RGB色下单独调整非点亮区域52(或点亮区域53)。为了实现这些特征，R、G、B必需单独的栅极信号线17b。但是，通过能进行以上RGB的单独调整，可调整白平衡，在各灰度下颜色的平衡调整变容易(参照图41)。
如图13(b)所示，将包含写入像素行51a的像素行设为非点亮区域52，将在写入像素行51a之上画面的S/N(时间上为1F/N)的范围设为显示区域53(在从下向上扫描画面的情况下相反)。图像显示状态中，显示区域53变为带状，从画面的上面向下移动。
在图13的显示中，1个显示区域53从画面的上面向下移动。若帧速率低，则显示区域53的移动可在视觉上察觉。尤其是在闭眼时、或使脸上下移动时等容易察觉。
针对该问题，如图16所示，优选将显示区域53分成多个。若设分割后的总和为S(N-1)/N的面积，则与图13的亮度相等。另外，分割后的显示区域53不必相等(等分)。另外，同样分割后的非显示区域52也不必相等。
如上所述，通过将显示区域53分成多个，可减少画面的闪烁。因此，不产生闪光，可实现良好的图像显示。另外，也可更细致地分割。但是，越分割，动态图像显示性能越低。
图17图示栅极信号线17的电压波形和EL的发光亮度。从图17可知，将栅极信号线17b为Vgl的期间(1F/N)分割成多个(分割数为K)。即，为Vgl的期间是对1F/(K/N)的期间实施K次。根据如此控制，可抑制闪光的产生，可实现低帧速率的图像显示。另外，优选构成为该图像的分割数也可变。例如，用户通过按下亮度调整开关，或通过旋转亮度调整量，检测该变化后，变更K值。另外，也可构成为用户调整亮度。按照数据，由手动或自动使显示的图像内容变化。
在图17等中，将栅极信号线17b为Vgl的期间(1F/N)分割成多个(分割数为K)，实施K次1F/(K/N)的期间，但不限于此。也可实施L(L≠K)次1F/(K/N)的期间。即，本发明通过控制流过EL元件15的期间(时间)来显示图像。因此，实施L(L≠K)次1F/(K/N)的期间包含在本发明的技术思想中。另外，通过使L值变化，可数字变更图像50的亮度。例如，在L＝2与L＝3下，变为50％的亮度(对比度)。另外，当分割图像的显示区域53时，栅极信号线17b变为Vgl的期间不限于同一期间。
以上实施例通过截断流过EL元件15的电流，或连接流过EL元件15的电流，通断(点亮、非点亮)显示画面50。即，通过保持在电容器19中的电荷，在晶体管11a中流过多次大致相同的电流。但是，本发明不限于此，例如也可是通过使保持在电容器19中的电荷充放电来通断(点亮、非点亮)显示画面50的方式。
图18表示用于实现图16的图像显示状态的施加于栅极信号线17上的电压波形。图18与图15的不同之处在于栅极信号线17b的动作。栅极信号线17b对应于分割画面的个数，仅进行该个数次的通断(Vgl与Vgh)动作。其它与图15相同，所以省略说明。
因为在EL显示装置中，黑显示是完全非点亮，所以如间歇显示液晶显示面板的情况那样，没有对比度降低。另外，在图1所示结构中，仅通过通断操作晶体管11d即可实现间歇显示。另外，在图38、图51的结构中，仅通过通断操作晶体管11e即可实现间歇显示。这是因为在电容器19中存储图像数据(由于是模拟值，所以灰度数无限大)。即，在各像素16中，在1F期间中保持图像数据。通过晶体管11d、11e的控制来实现相当于该保持的图像数据的电流是否流过EL元件15。因此，以上驱动方法不限于电流驱动方式，也可适用于电压驱动方式。即，在流过EL元件15的电流保存在各像素内的结构下，通过在EL元件15间的电流路径中通断驱动用晶体管11，实现间歇驱动。
重要的是维持电容器19的端子电压。这是因为若在1场(帧)期间中电容器19的端子电压变化(充放电)，则画面亮度变化，帧速率降低时，产生闪烁(闪光等)。晶体管11a在1帧(1场)期间中流过EL元件15的电流必需至少不低于65％以下。所谓65％是在设写入像素16、流过EL元件15的电流最初为100％时，在下一帧(场)中写入上述像素16之前的流过EL元件15的电流为65％以上。
在图1的像素结构中，在实现间歇显示的情况与未实现间歇显示的情况下，构成1像素的晶体管11的个数不变。即，像素结构不变，去除源极信号线18的寄生电容的影响，实现良好的电流编程。由此实现接近CRT的动态图像显示。
另外，栅极驱动器12的动作时钟与源极驱动器14的驱动时钟相比，非常慢，所以电路的主时钟不会变高。另外，N值的变更也容易。
另外，图像显示方向(图像写入方向)在第一场(1帧)中从画面的上方向下，在接下来的第二场(帧)中从画面的下方向上。即，可交互反复从上向下与从下向上。
并且，在第一场(1帧)中从画面的上方向下并姑且将整个画面设为黑显示(非显示)后，在接下来的第二场(帧)中从画面的下方向上。另外，也可姑且将整个画面设为黑显示(非显示)。
另外，在以上驱动方法的说明中，设画面的写入方法为从画面的上方向下或从下向上，但不限于此。画面的写入方向不绝对固定为从画面的上方向下或从下向上，也可将非显示区域52的动作方向在第一场中设为从画面的上方向下，在接下来的第二场中设为从画面的下方向上。另外，将1帧分割成3个场，第一场为R，第二场为G，第三场为B，由3个场来形成1帧。另外，也可在每个水平扫描期间(1H)下切换显示R、G、B。以上事项在其它本发明的实施例中也一样。
非显示区域52不必完全为非点亮状态。即使有微弱的发光或淡淡的图像显示，实际上也没有问题。即，应解释了显示亮度比图像显示区域53还低的区域。另外，所谓非显示区域52还包含R、G、B图像显示中仅1色或2色为非显示状态的情况。
基本上在显示区域53的亮度(亮度)维持在规定值的情况下，显示区域53的面积越宽，则画面50的亮度越高。例如，在显示区域53的亮度为100(nt)的情况下，显示区域53占整个画面50的比例为从10％到20％，则画面的亮度为2倍。因此，通过使显示区域53占整个画面50的面积变化，可变化画面的显示亮度。
通过控制对移位寄存器61的数据脉冲(ST2)，可任意设定显示区域53的面积。另外，通过使数据脉冲的输入定时、周期变化，可切换图16的显示状态与图13的显示状态。若1F周期中的数据脉冲数增多，则画面50变亮，若减少，则画面50变暗。另外，若连续施加数据脉冲，则变为图13的显示状态，若间歇输入数据脉冲，则变为图16的显示状态。
图19(a)说明显示区域53如图13那样连续的情况下的亮度调整方式。图19(a1)的画面50的显示亮度最亮。图19(a2)的画面50的显示亮度次亮，图19(a3)的画面50的显示亮度最暗。从图19(a1)到图19(a3)的变化(或相反)可如在先记载的那样通过栅极驱动器12的移位寄存器61等的控制来容易实现。此时，不必使图1的Vdd电压变化。即，可不使电源电压变化地实施显示画面50的亮度变化。另外，当从图19(a1)向图19(a3)变化时，画面的灰度系数特性全都不变。因此，不由画面50的亮度来维持显示图像的对比度、灰度特性。这是本发明的效果特征。在现有的画面亮度调整中，当画面50的亮度低时，灰度性能降低。即，绝大多数情况下即使当高亮度显示时可实现64灰度显示，但在低亮度显示时，也不能显示一半以下的灰度数。相比而言，在本发明的驱动方法中，可不依赖于画面的显示亮度来实现最高的64灰度显示。
图19(b)说明显示区域53如图16那样分散的情况下的亮度调整方式。图19(b1)的画面50的显示亮度最亮。图19(b2)的画面50的显示亮度次亮，图19(b3)的画面50的显示亮度最暗。从图19(b1)到图19(b3)的变化(或相反)可如在先记载的那样通过栅极驱动器12的移位寄存器61等的控制来容易实现。若如图19(b)所示使显示区域53分散，则即使低帧速率也不产生闪光。
为了即使在更低帧速率下也不产生闪光，可如图19(c)所示那样更细地分散显示区域53。但是，动态图像的显示性能降低。因此，为了显示动态图像，适用图19(a)的驱动方法。在显示静止图像并期望低功耗时，适用图19(c)的驱动方法。图19(a)到图19(c)的驱动方法的切换也可通过移位寄存器61的控制来容易实现。
图20是使源极信号线18中流过的电流增大的其它实施例的说明图。是基本上同时选择多个像素行，并以配合多个像素行的电流充放电源极信号线18的寄生电容等，大幅度改善电流写入不充分的方式。但是，由于同时选择多个像素行，所以可使每个像素的驱动电流减少。因此，可使流过EL元件15的电流减少。这里，为了容易说明，作为一例，说明N＝10(流过源极信号线18的电流为10倍)。
如图20所示，在本发明中，同时选择K行像素行。从源极驱动器14向源极信号线18施加规定电流的N倍电流。对各像素编程流过EL元件15的电流的N/K倍的电流。为了将EL元件15设为规定的发光亮度，将流过EL元件15的时间设为1帧(1场)的K/N时间。通过如此驱动，可充分充放电源极信号线18的寄生电容，可以良好的清晰度得到规定的发光亮度。
即，仅在1帧(1场)的K/N期间，在EL元件15中流过电流，在其它期间(1F(N-1)K/N)中，不流过电流。在该显示状态下，对每1F重复显示图像数据显示、黑显示(非点亮)。即，图像数据的显示状态时间上变为分散显示(间歇显示)状态。因此，可没有图像的轮廓模糊地实现良好的动态图像显示。另外，因为以N倍的电流对源极信号线18进行驱动，所以可不受寄生电容的影响，对应于高精密显示面板。
图21是实现图20的驱动方法的驱动波形的说明图。信号波形将截止电压设为Vgh(H电平)，将导通电压设为Vgl(L电平)。各信号线的添加文字记载像素行的行序号((1)、(2)、(3)等)。另外，行数在QCIF显示面板的情况下为220条，在VGA面板下为480条。
在图21中，选择栅极信号线17a(1)(Vgl电压)，从选择的像素行的晶体管11a向源极驱动器14，在源极信号线18中流过编程电流。这里为了容易说明，首先对写入像素行51a为第一行像素行进行说明。
另外，源极信号线18中流过的编程电流是规定值的N倍(为了容易说明，说明为N＝10。当然，因为所谓规定值是显示图像的数据电流，所以只要不是白光栅显示等就不是固定值。)。另外，设同时选择5个像素行(K＝5)来进行说明。因此，理想地对1个像素的电容器19进行编程，使晶体管11a中流过2倍(N/K＝10/5＝2)电流。
当写入像素行为第(1)像素行时，如图21所示，栅极信号线17a选择(1)、(2)、(3)、(4)、(5)。即，像素行(1)、(2)、(3)、(4)、(5)的开关晶体管11b、晶体管11c为导通状态。另外，栅极信号线17b变为栅极信号线17a的相反相位。因此，像素行(1)、(2)、(3)、(4)、(5)的开关晶体管11d为截止状态，在对应像素行的EL元件15中不流过电流。即，为非点亮状态52。
理想地，5像素的晶体管11a分别在源极信号线18中流过Iw×2的电流(即，在源极信号线18中为Iw×2×N＝Iw×2×5＝Iw×10。因此，若将未实施本发明的N倍脉冲驱动的情况设为规定电流Iw，则在源极信号线18中流过Iw的10倍电流)。
通过以上动作(驱动方法)，对各像素16的电容器19编程2倍电流。这里，为了容易理解，说明为各晶体管11a的特性(Vt、S值)一致。
因为同时选择的像素行为5像素行(K＝5)，所以5个驱动用晶体管11a动作。即，每个像素中，在晶体管11a中流过10/5＝2倍的电流。在源极信号线18中流过将5个晶体管11a的编程电流相加后的电流。例如，在写入像素行51a中本来设为写入电流Iw，在源极信号线18中流过Iw×10的电流。在写入像素行(1)之后写入图像数据的写入像素行51b是为了使对源极信号线18的电流量增加而辅助使用的像素行。但是，由于写入像素行51b是在后写入正式的图像数据，所以没有问题。
因此，在4像素行51b中，1H期间是与51a相同的显示。因此，至少将写入像素行51a与为了增加电流而选择的像素51b设为非显示状态52。但是，在图38的电流镜的像素结构、其它电压编程方式的像素结构下也可以是显示状态。
1H后，栅极信号线17a(1)变为非选择，向栅极信号线17b施加导通电压(Vgl)。另外，同时选择栅极信号线17a(6)(Vgl电压)，从选择的像素行(6)的晶体管11a向源极驱动器14而在源极信号线18中流过编程电流。通过如此动作，在像素行(1)中保持正式的图像数据。
在接下来的1H后，栅极信号线17a(2)变为非选择，向栅极信号线17b施加导通电压(Vgl)。或者，同时选择栅极信号线17a(7)(Vgl电压)，从选择的像素行(7)的晶体管11a向着源极驱动器14而在源极信号线18中流过编程电流。通过如此动作，在像素行(2)中保持正式的图像数据。通过每隔1像素行边移位边扫描而进行以上动作，改换1画面。
在图20的驱动方法中，因于在各像素中编程2倍的电流(电压)，所以各像素的EL元件15的发光亮度理想地成为2倍。因此，显示画面的亮度也为规定值的2倍。为了将其设为规定亮度，如图16所示，只要包含写入像素行51并将显示区域50的1/2的范围设为非显示区域52即可。
与图13一样，如图20所示在1个显示区域53从画面的上方向下移动的情况下，若帧速率低，则视觉上察觉显示区域53移动的状态。尤其是在闭眼时、或使脸上下移动时等容易察觉。
针对该问题，如图22所示，优选将显示区域53分成多个。若将分割后的非显示区域52相加后的部分为S(N-1)/N的面积，则与未分割的情况相同。
图23是施加于栅极信号线17的电压波形。图21与图23的不同之处基本上是栅极信号线17b的动作。栅极信号线17b对应于分割画面的个数，仅进行该个数次的通断(Vgl与Vgh)动作。其它与图21大致相同，可类推，所以省略说明。
如上所述，通过将显示区域53分成多个，可减少画面的闪烁。因此，不产生闪光，可实现良好的图像显示。另外，优选进一步细致分割。分割得越细，则闪光减轻。尤其是因为EL元件15的响应性快，所以即使以小于5μsec的时间通断，显示亮度也不降低。
在本发明的驱动方法中，通过施加于栅极信号线17b的信号通断来控制EL元件15的通断。因此，可以时钟频率为KHz级的低频率来进行控制。另外，在实现黑画面插入(插入非显示区域52)中，不必需图像存储器等。因此，可以低成本实现本发明的驱动电路或方法。
图24是同时选择的像素行为2像素行的情况。根据本发明人等研究的结果，在以低温多晶硅技术形成的显示面板中，同时选择2像素行的方法的显示均匀性是实用的。这被推定为由于相邻的像素的驱动用晶体管11a的特性非常一致。另外，在激光退火时，通过带状激光的照射方向与源极信号线18平行地照射，得到良好的结果。
这是因为在相同时间内退火的范围的半导体膜的特性均匀。即，在带状激光照射范围内，均匀制作半导体膜，利用该半导体膜的晶体管的Vt、流动性大致相等。因此，通过平行于源极信号线18的形成方向照射带状激光束，使该照射位置移动，基本相等地制作沿源极信号线18的像素(像素列、画面的上下方向的像素)的特性。因此，在同时使多个像素行导通后进行电流编程的情况下，在同时选择的多个像素行，大致相同地编程以选择了编程电流的像素行数分割的电流。因此，可实现接近目标值的电流编程，可实现均匀显示。因此，激光发射方向与图24等说明的驱动方式具有相乘效应。
如上所述，通过使激光束的方向与源极信号线18的形成方向大致一致，像素的上下方向的晶体管11a的特性大致相同，可实施良好的电流编程(尽管的左右方向的晶体管11a的特性不一致)。以上动作同步于1H(1水平扫描期间)，每个像素行或每多个像素行错开选择像素行的位置来实施。另外，本发明中虽设激光束的方向与源极信号线18平行，但也不一定平行。这是因为即使沿相对源极信号线18倾斜的方向照射激光束，沿1个源极信号线18的像素的上下方向的晶体管11a的特性也大致一致形成。因此，所谓平行于源极信号线照射激光束是形成在源极信号线18的布线方向(上下方向)相邻的任意像素，以进入一个激光照射范围内。另外，所谓源极信号线18通常是传递构成图像信号的编程电流或电压的布线。
另外，在本发明的实施例中，在每1H，使写入像素行位置移位，但不限于此，也可每2H移位，或每个在此之上的像素行移位。另外，也可以任意时间单位移位。并且，也可对应于画面位置使移位时间变化。例如，缩短画面中央部的移位时间，在画面的上下部延长移位时间。另外，也可在每帧使移位时间变化。另外，不限于选择连续的多个像素行。例如，也可选择间隔1像素行的像素行。即为如下驱动方法，在第一水平扫描期间选择第一像素行与第三像素行，在第二水平扫描期间选择第二像素行与第四像素行，在第三水平扫描期间选择第三像素行与第五像素行，在第四水平扫描期间选择第四像素行与第六像素行。当然，在第一水平扫描期间选择第一像素行与第三像素行和第五像素行的驱动方法也在技术范畴之内。当然也可选择间隔多个像素行的像素行位置。
另外，以上激光束方向与同时选择多条像素行的组合不限于图1、图2、图32的像素结构，也可适用于作为电流镜像素结构的图38、图42、图50等其它电流驱动方式的像素结构中。另外，也可适用于图43、图51、图54、图62等电压驱动的像素结构中。这是因为若上下方向上相邻的像素的晶体管特性一致，则可通过施加于相同源极信号线18上的电压值来实施良好的电压编程。
图24中，在写入像素行为第一行的情况下，栅极信号线17a选择(1)、(2)(参照图25)。即，像素行(1)、(2)的开关晶体管11b、晶体管11c为导通状态。另外，栅极信号线17b为栅极信号线17a的反相位。因此，至少像素行(1)、(2)的开关晶体管11d为截止状态，在对应的像素行的EL元件15中未流过电流。因此，该像素行变为非点亮状态52。另外，图24中，为了降低闪光的产生，将显示区域53分割成5份。
理想地，2像素(行)的晶体管11a分别在源极信号线18中流过Iw×5(N＝10的情况。即，因为K＝2，所以流过源极信号线18的电流变为Iw×K×5＝Iw×10)的电流。另外，对各像素16的电容器19编程5倍的电流。
因为同时选择的像素行为2像素行(K＝2)，所以两个驱动用晶体管11a动作。即，每1个像素，在晶体管11a中流过10/2＝5倍的电流。在源极信号线18中流过相加两个晶体管11a的编程电流的电流。
例如，在写入像素行51a中本来流过写入电流Id，在源极信号线18中流过Iw×10的电流。由于写入像素行51b之后写入正式的图像数据，所以没有问题。像素行51b在1H期间是与51a相同的显示。因此，至少设写入像素行51a与为了使电流增加而选择的像素行51b为非显示状态52。
在下一1H后，栅极信号线17a(1)变为非选择，向栅极信号线17b施加导通电压(Vgl)。另外，同时选择栅极信号线17a(3)(Vgl电压)，从选择的像素行(3)的晶体管11a向着源极驱动器14而在源极信号线18中流过编程电流。通过如此动作，在像素行(1)中保持正式的图像数据。
在下一1H后，栅极信号线17a(2)变为非选择，向栅极信号线17b施加导通电压(Vgl)。另外，同时选择栅极信号线17a(4)(Vgl电压)，从选择的像素行(4)的晶体管11a向着源极驱动器14而在源极信号线18中流过编程电流。通过如此动作，在像素行(2)中保持正式的图像数据。通过边每隔1像素行移位(当然也可每隔多个像素行移位。例如，若是模拟交织驱动，则每隔2行移位。另外，从图像显示的观点来看，有时在多个像素行中写入相同图像)边扫描，进行以上动作，改换1画面。
虽与图16一样，但在图24的驱动方法中，因为以5倍的电流(电压)对各像素进行编程，所以各像素的EL元件15的发光亮度理想地为5倍。因此，显示区域53的亮度为规定值的5倍。为了将其设为规定亮度，可如图16等所示，包含写入像素行51，且将显示画面50的1/5的范围设为非显示区域52。
如图27所示，选择2条写入像素行51(51a、51b)，从画面50的上边向下边依次选择(参照图26。图26中，选择像素行16a与16b)。但如图27(b)所示，若到达画面下边，则存在写入像素行51a，但没有51b。即，选择的像素行仅为1条。因此，施加于源极信号线18的电流全部写入像素行51a。因此，与像素行51a相比，对像素编程2倍的电流。
针对该问题，本发明如图27(b)所示，在画面50的下边形成(配置)伪像素行281。因此，在对选择像素行进行选择直到画面50的下边的情况下，选择画面50的最终像素行与伪像素行281。因此，在图27(b)的写入像素行中写入规定的电流。另外，伪像素行281图示为邻接于显示区域50的上端或下端形成，但不限于此。也可形成于偏离显示区域50的位置上。另外，伪像素行281是图1的开关晶体管11d、EL元件15等未必形成。通过不形成，可减小伪像素行281的尺寸。
图28示出图27(b)的状态。从图28可知，在对选择像素行进行选择直到画面50的下边像素16c行的情况下，选择画面50的最终像素行281。伪像素行281配置在显示区域50之外。即，构成为伪像素行281不点亮或不使之点亮，或即使点亮也无法作为显示而看见。例如，没有像素电极与晶体管11的接触孔，或不在伪像素行中形成EL膜。
图27中，在画面50的下边设置(形成、配置)伪像素(行)281，但不限于此。例如图29(a)所示，在从画面的下边扫描到上边的(上下逆转扫描)情况下，如图29(b)所示，在画面50的上边也应形成伪像素行281。即，在画面50的上边和下边分别形成(配置)伪像素行281。通过如此构成，也可对应于画面的上下反转扫描。
以上实施例是同时选择2像素行的情况。但本发明不限于此，例如也可以是同时选择5像素行的方式(参照图23)。即，在5像素行同时驱动的情况下，优选分4行形成伪像素行281。本发明的伪像素行结构或伪像素行驱动是至少使用1个以上伪像素行的方式。当然，优选组合伪像素行驱动方法与N倍脉冲驱动来使用。
在同时选择多条像素行的驱动方法中，同时选择的像素行越增加，则越难以吸收晶体管11a的特性偏差。但是，若降低选择条数，则对1像素编程的电流变大，在EL元件15中流过大电流。若流过EL元件15的电流大，则EL元件15容易恶化。
图30可解决该问题。图30所示的本发明的基本原理是1/2H(水平扫描期间的1/2)如图22、图29中说明的那样同时选择多个像素行的方法。之后的1/2H(水平扫描期间的1/2)如图5、图13等说明的那样，组合选择1像素行的方法。在如此组合的情况下，因为吸收晶体管11a的特性偏差，所以可高速地使面内均匀性变好。
图30中，为了容易说明，说明为在第一期间中同时选择5像素行，在第二期间中选择1像素行。首先，在第一期间(前半1/2H)中，如图30(a1)所示，同时选择5像素行。该动作已用图22进行说明，所以省略。作为一例，设流过源极信号线18的电流为规定值的25倍。因此，对各像素16的晶体管11a(图1的像素结构的情况下)编程5倍的电流(25/5像素行＝5)。因为是25倍的电流，所以在源极信号线18等中产生的寄生电容在极短时间内充放电。因此，源极信号线18的电位在短时间内变为目标电位，还编程各像素16的电容器19的端子电压，以流过5倍电流。该25倍电流的施加时间设为前半1/2H(水平扫描期间的1/2)。
当然，由于写入像素行的5像素行写入相同图像数据，所以设5像素行的晶体管11d为截止状态，以不进行显示。因此，显示状态如图30(a2)所示。
在接下来的后半1/2H期间选择1像素行，并进行电流(电压)编程。图30(b1)中示出该状态。与在先一样电流(电压)编程写入像素行51a，以流过5倍电流。图30(a1)与图30(b1)中流过各像素的电流相同，这是因为减小编程的电容器19的端子电压的变化，使目标电流更高速地流过。
即，图30(a1)中，在多个像素中流过电流，高速接近至流过大概电流的值。在该第一阶段，由于在多个晶体管11a中进行编程，所以相对目标值，产生晶体管的偏差引起的误差。在接下来的第二阶段中，仅选择写入数据且保持的像素行，进行从大概的目标值到规定的目标值的完全的编程。
另外，因为从画面的上面向下扫描非点亮区域52，另外，写入像素行51也从画面的上面向下扫描，这与图13等的实施例一样，所以省略说明。
图31是实现图30的驱动方法的驱动波形。从图31可知，1H(1水平扫描期间)由两部分构成。这两个部分由ISEL信号切换。ISEL信号如图31所示。
首先说明ISEL信号。实施图30的驱动器电路14具备第一电流输出电路与第二电流输出电路。这些第一和第二电流输出电路由DA变换8比特灰度数据的DA电路和运算放大器等构成。在图30的实施例中，构成为第一电流输出电路输出25倍的电流。另一方面，构成为第二电流输出电路输出5倍的电流。第一电流输出电路和第二电流输出电路的输出通过ISEL信号控制形成(配置)于电流输出部的开关电路，施加于源极信号线18上。这些第一和第二电流输出电路配置于各源极信号线上。
ISEL信号在L电平时，选择输出25倍电流的第一电流输出电路，源极驱动器14吸收(更适当的是形成于源极驱动器14内的第一电流输出电路吸收)来自源极信号线18的电流。25倍、5倍等第一和第二电流输出电路电流的大小调整容易。这是因为可由多个阻抗与模拟开关容易构成。
如图30所示，在写入像素行为第一行时(参照图30的1H栏)，栅极信号线17a选择(1)、(2)、(3)、(4)、(5)(图1的像素结构的情况)。即，像素行(1)、(2)、(3)、(4)、(5)的开关晶体管11b、晶体管11c为导通状态。另外，因为ISEL为L电平，所以选择输出25倍电流的第一电流输出电路，与源极信号线18连接。另外，向栅极信号线17b施加截止电压(Vgh)。因此，像素行(1)、(2)、(3)、(4)、(5)的开关晶体管11d为截止状态，在对应的像素行的EL元件15中未流过电流。即，为非点亮状态52。
理想地，5像素的晶体管11a分别在源极信号线18中流过Iw×2的电流。另外，对各像素16的电容器19编程5倍的电流。这里，为了容易理解，说明为各晶体管11a的特性(Vt、S值)一致。
因为同时选择的像素行为5像素行(K＝5)，所以5个驱动用晶体管11a动作。即，每个像素中，25/5＝5倍的电流流过晶体管11a。在源极信号线18中流过相加5个11a的编程电流后的电流。例如，在写入像素行51a中，当以现有的驱动方法写入像素的电流设为Iw时，在源极信号线18中流过Iw×25的电流。对于在写入像素行(1)之后写入图像数据的写入像素行51b，因为使向源极信号线18的电流量增加，所以是辅助使用的像素行。但是，由于写入像素行5 1b之后写入正式的图像数据，所以没有问题。
因此，像素行51b在1H期间是与写入像素行51a相同的显示。因此，至少设写入像素行51a与为了使电流增加而选择的像素行51b为非显示状态52。
在下一1/2H(水平扫描期间的1/2)，仅选择写入像素行51a。即仅选择第一行。从图31可知，仅栅极信号线17a(1)施加导通电压(Vgl)，栅极信号线17a(2)、(3)、(4)、(5)施加截止(Vgh)。因此，像素行(1)的晶体管1 1a为动作状态(向源极信号线18提供电流的状态)，而像素行(2)、(3)、(4)、(5)的开关晶体管11b、晶体管11c为截止状态。即，为非选择状态。另外，因为ISEL为H电平，所以选择输出5倍电流的电流输出电路B，连接该电流输出电路B与源极信号线18。另外，栅极信号线17b的状态与先前的1/2H的状态无变化，施加截止电压(Vgh)。因此，像素行(1)、(2)、(3)、(4)、(5)的开关晶体管11d为截止状态，在对应的像素行的EL元件15中未流过电流。由此，该像素行变为非点亮状态52。
从上面可知，像素行(1)的晶体管11a分别在源极信号线18中流过Iw×5的电流。另外，对各像素行(1)的电容器19编程5倍电流。
在下一水平扫描期间中，写入像素行移位。即，这次写入像素行为(2)。在最初的1/2H期间中，如图31所示，在写入像素行为第二行的情况下，栅极信号线17a选择(2)、(3)、(4)、(5)、(6)。即，像素行(2)、(3)、(4)、(5)、(6)的开关晶体管11b、晶体管11c为导通状态。另外，因为ISEL为L电平，所以选择输出25倍电流的第一电流输出电路，与源极信号线18连接。另外，向栅极信号线17b施加截止电压(Vgh)。因此，像素行(2)、(3)、(4)、(5)、(6)的开关晶体管11d变为截止状态，在对应的像素行的EL元件15中未流过电流。从而，该像素行变为非点亮状态52。另一方面，因为向像素行(1)的栅极信号线17b施加Vgl电压，所以晶体管11d为导通状态，像素行(1)的EL元件15点亮。
因为同时选择的像素行为5像素行(K＝5)，所以5个驱动用晶体管11a动作。即，每个像素中，在晶体管11a中流过25/5＝5倍的电流。在源极信号线18中流过相加5个晶体管11a的编程电流后的电流。
在下一1/2H(水平扫描期间的1/2)，仅选择写入像素行51a。即仅选择第二行。从图31可知，仅栅极信号线17a(2)施加导通电压(Vgl)，栅极信号线17a(3)、(4)、(5)、(6)施加截止(Vgh)。因此，像素行(1)(2)的晶体管11a为动作状态(像素行(1)是在EL元件15中流过电流，像素行(2)是向源极信号线18提供电流的状态)，而像素行(3)、(4)、(5)、(6)的开关晶体管11b、晶体管11c为截止状态。即，为非选择状态。另外，因为ISEL为H电平，所以选择输出5倍电流的第二电流输出电路。另外，栅极信号线17b的状态与先前的1/2H的状态无变化，施加截止电压(Vgh)。因此，像素行(2)、(3)、(4)、(5)、(6)的开关晶体管11d为截止状态，在对应的像素行的EL元件15中未流过电流。由此，该像素行变为非点亮状态52。
从上面可知，像素行(2)的晶体管11a分别在源极信号线18中流过Iw×5的电流。另外，对各像素行(2)的电容器19编程5倍电流。通过依次实施以上动作，可显示1画面。
图30中说明的驱动方法进行编程，以在第一期间中选择G像素行(G为2以上)，并在各像素行中流过N倍电流。是如下编程方式，在第一期间后的第二期间，选择B像素行(B比G小，1以上)，并在像素中流过N倍电流。
但是，也有其它方法。如下编程，在第一期间中选择G像素行(G为2以上)，设各像素行的总和电流为N倍电流。是如下编程方式，在第一期间后的第二期间，选择B像素行(B比G小，1以上)，并将选择到的像素行的总和电流(其中，选择像素行为1时，为1像素行的电流)设为N倍。例如，图30(a1)中，同时选择5像素行，在各像素的晶体管11a中流过2倍电流。由此，在源极信号线18中流过5×2倍＝10倍的电流。在下面第二期间中，如图30(b1)所示，选择1像素行。在该1像素的晶体管11a中流过10倍电流。
另外，在图31中，设同时选择多个像素行的期间为1/2H，将选择1像素行的期间为1/2H，但不限于此。也可设同时选择多个像素行的期间为1/4H，将选择1像素行的期间为3/4H。另外，虽然将设同时选择多个像素行的期间与选择1像素行的期间相加的期间为1H，但不限于此。例如，也可是2H或1.5H期间。
另外，图30中，设同时选择5像素行的期间为1/2H，在下面第二期间中同时选择2像素行。在该情况下可实现实用上无障碍的图像显示。
另外，图30中，设为将同时选择5像素行的第一期间设为1/2H、将选择1像素行的第二期间为1/2H的2阶段，但不限于此。例如，也可是在第一阶段同时选择5像素行，在第二期间选择上述5像素行中的2像素行，最后，选择1像素行的3个阶段。即，可在多个阶段对像素行写入图像数据。
在以上本发明的N倍脉冲驱动方法中，各像素行中，栅极信号线17b的波形相同，以1H的间隔使之移位后施加。通过如此扫描，边将EL元件15点亮的期间规定为1F/N，边依次使点亮的像素行移位。这样，在各像素行中容易实现栅极信号线17b的波形相同并使之移位。这是为了控制施加于图6中移位寄存器61a、61b的作为数据的ST1、ST2。例如，若设在输入ST2为L电平时，向栅极信号线17b输出Vgl，在输入ST2为H电平时，向栅极信号线17b输出Vgh，则仅在1F/N期间中以L电平输入施加于移位寄存器17b的ST2，其它期间为H电平。仅以与1H同步的时钟CLK2移位该输入的ST2。
另外，必需设通断EL元件15的周期为0.5msec以上。若该周期短，则由于人眼的剩余图像特性而未变为完全的黑显示状态，图像变得模糊，清晰度下降。另外，变为数据保持型的显示面板的显示状态。但是，若设通断周期为100msec以上，则看到闪烁状态。因此，EL元件的通断周期应在0.5μsec以上100msec以下。更优选通断周期应在2msec以上30msec以下。进一步优选通断周期应在3msec以上20msec以下。
如前上述，若黑画面152的分割数为1虽然可实现良好的动态图像显示，但容易看到画面的闪烁。因此，优选将黑插入部分割成多个。但是，分割数过多，则产生动态图像模糊。分割数应在1以上8以下。优选是1以上5以下。
另外，优选构成为黑画面的分割数可由静止图像与动态图像变更。所谓分割数，在N＝4时，75％为黑画面，25％为图象显示。此时，以75％的黑带状态沿画面的上下方向扫描75％的黑显示部为分割数1。以25/3％的显示画面的3块扫描25％的黑画面为分割数3。静止图像分割数多。动态图像分割数少。对应于输入图像自动(动态图像检测等)地进行切换，也可用户手动进行切换。另外，显示装置的映像等优选对应于输入内容来切换。
例如，在便携型电话机等中，在壁纸显示、输入画面中，将分割数设为10以上(优选极端地在每个1H通断)。当显示NTSC动态图像时，将分割数设为1以上5以下。另外，优选构成为可切换到分割数为3以上的多阶段。例如，为无分割数、2、4、8等。
另外，黑画面对整个显示画面的比例优选在设整个画面的面积为1的情况下为0.2以上0.9以下(若由N表示，则为1.2以上9以下)。另外，尤其是优选设为0.25以上0.6以下(若由N表示，则为1.25以上6以下)。若为0.2以下，则动态图像显示的改善效果低。若为0.9以上，则显示部分的亮度变高，显示部分上下移动，视觉上易察觉。
另外，每秒的帧数优选为10以上100以下(10Hz以上100Hz以下)。优选为12以上65以下(12Hz以上65Hz以下)。若帧数少，则画面的闪烁显眼，但若帧数太多，则难以从驱动器电路14等写入，清晰度恶化。
由此，在本发明中，可通过栅极信号线17的控制使图像的亮度变化。但是，图像的亮度也可使施加于源极信号线18上的电流(电压)变化来进行。另外，也可组合在先说明(用图33、图35等)的栅极信号线17的控制与使施加于源极信号线18上的电流(电压)变化来进行。
另外，以上事项也可适用于图38等的电流编程的像素结构、图43、图51、图54等的电压编程的像素结构中。图38中，可通断控制晶体管11d，图43中，通断控制晶体管11d，图51中通断控制晶体管11e。这样，通过通断在EL元件15中流过电流的布线，可容易实现本发明的N倍脉冲驱动。
另外，仅在栅极信号线17b的1F/N期间变为Vgl的时刻优选为1F(不限于1F，也可以是单位时间。)期间中的某个时刻。这是因为通过在单位时间中规定期间使EL元件15导通，得到规定的平均亮度。但是，优选在电流编程期间(1H)后，马上将栅极信号线17b变为Vgl，使EL元件15发光。这是因为难以受到图1的电容器19的保持率特性的影响。
另外，优选构成为该图像的分割数也可变。例如，用户通过按下亮度调整开关，或通过旋转亮度调整量，检测该变化并变更K值。也可构成为通过显示的图像的内容、数据以手动或自动变化。
这样使K值(图像显示部53的分割数)变化也可容易实现。图6中构成为调整或可变施加于ST的数据定时(在一个1F中是否为L电平)。
图16等中，将把栅极信号线17b变为Vgl的期间(1F/N)分割成多个(分割数K)，并在变为Vgl的期间实施K次1F/(K/N)的期间，但不限于此。也可实施L(L≠K)次1F/(K/N)的期间。即，本发明通过控制流过EL元件15的期间(时间)来显示图像50。因此，实施L(L≠K)次1F/(K/N)的期间包含在本发明的技术思想中。另外，通过使L值变化，可数字变更图像50的亮度。例如，在L＝2与L＝3下，变为50％的亮度(对比度)。这些控制也可适用于本发明的其它实施例(当然也可适用于以后说明的本发明中)。这些也是本发明的N倍脉冲驱动。
以上实施例通过在EL元件15与驱动用晶体管11a之间配置(形成)作为开关元件的晶体管11d，并控制该晶体管11d，通断显示画面50。通过该驱动方法，削除电流编程方式的黑显示状态下的电流写入不充分，并实现良好的清晰度或黑显示。即，电流编程方式的一大优点在于实现良好的黑显示。以下说明的驱动方法是复位驱动用晶体管11a，实现良好的黑显示。下面，用图32来说明该实施例。
图32基本上与图1所示像素结构一样。在图32的像素结构中，在EL元件15中流过编程后的Iw电流，EL元件15发光。即，通过编程驱动用晶体管11a，保持流过电流的能力。利用该流过电流的能力来复位晶体管11a(截止状态)的方式为图32所示的驱动方式。后面将该驱动方式称为复位驱动。
在图1的像素结构中，为了实现复位驱动，必需构成为可独立通断控制晶体管11b与晶体管11c。即，如图32所示，可独立控制通断控制晶体管11b的栅极信号线17a(栅极信号线WR)、通断控制晶体管11c的栅极信号线17c(栅极信号线EL)。栅极信号线17a和栅极信号线17c的控制如图6所示由独立的两个移位寄存器61进行。
优选使栅极信号线WR与栅极信号线EL的驱动电压变化。栅极信号线WR的振幅值(导通电压与截止电压之差)比栅极信号线EL的振幅值小。基本上若栅极信号线的振幅值大，则栅极信号线与像素的穿透电压变大，产生黑色减轻(黑浮き)。栅极信号线WR的振幅可控制向像素16不施加(施加(选择时))源极信号线18的电位。因为源极信号线18的电位变动小，所以栅极信号线WR的振幅值小。另一方面，栅极信号线EL必需实施EL的通断控制。因此，振幅值变大。为了与之对应，使移位寄存器61a与61b的输出电压变化。在像素由P沟道晶体管形成的情况下，移位寄存器61a和61b的Vgh(截止电压)大致相同，移位寄存器61a的Vgl(导通电压)比移位寄存器61b的Vgl(截止电压)低。
下面，参照图33来说明复位驱动方式。图33是复位驱动的原理说明图。首先如图33(a)所示，使晶体管11c、晶体管11d为截止状态，晶体管11b为导通状态。此时，驱动用晶体管11a的漏极(D)端子与栅极(G)端子为短路状态，流过Ib电流。一般，晶体管11a在之前一个的场(帧)中被电流编程，具有流过电流的能力。在该状态下，晶体管11d变为截止状态，若晶体管11b为导通状态，则驱动电路Ib流入晶体管11a的栅极(G)端子。因此，晶体管11a的栅极(G)端子与漏极(D)端子变为相同电位，晶体管11a变为复位(未流过电流的状态)。
该晶体管11a的复位状态(未流过电流的状态)与参照图51等说明的电压偏移补偿器方式的保持偏移电压的状态等价。即，在图33(a)的状态下，在电容器19的端子间保持偏移电压。该偏移电压是对应于晶体管11a的特性而不同的电压值。因此，通过实施图33(a)的动作，在各像素的电容器19中晶体管11a不流过电流(即，保持黑显示电流(基于等于0))。
另外，在图33(a)的动作之前，优选实施如下动作，使晶体管11b、晶体管11c为截止状态，晶体管11d为导通状态，在驱动用晶体管11a中流过电流。该动作优选时间非常短。这是因为在EL元件15中流过电流，EL元件15点亮，有可能使显示对比度降低。该动作时间优选在1H(1水平扫描期间)的0.1％以上10％以下。并且优选在0.2％以上2％以下。或者优选为0.2μsec以下5μsec以下。另外，也可对全部画面的像素16统一实施上述动作(在图33(a)之前进行的动作)。通过实施以上动作，驱动用晶体管11a的漏极(D)端子电压降低，在图33(a)的状态下可流过平滑的电流Ib。另外，以上事项也可适用于本发明的其它复位驱动方式。
图33(a)所示状态的实施时间越长，则倾向于流过电流Ib，电容器19的端子电压变小。因此，必需使图33(a)所示状态的实施时间为固定值。根据发明人等的实验和研究，图33(a)所示状态的实施时间优选为1H以上5H以下。另外，优选使该期间在R、G、B像素中不同。这是因为在各色像素中，EL材料不同，该EL材料的上升沿电压等存在差异。在RGB的各像素中，适应于EL材料来设定最佳期间。另外，在实施例中，将该期间设为1H以上5H以下，但在以黑插入(写入黑画面)为主的驱动方式下，也可以是5H以上。另外，该期间越长，则像素的黑显示状态越好。
在实施图33(a)的状态后，在1H以上5H以下的期间中，变为图33(b)所示状态。图33(b)是使晶体管11c、晶体管11b导通、使晶体管11d截止的状态。图33(b)所示状态如上所述，是进行电流编程的状态。即，从源极驱动器14输出(或吸收)编程电流Iw，在驱动用晶体管11a中流过该编程电流Iw。设定驱动用晶体管11a的栅极(G)端子的电位(设定电位被保持在电容器19中)，使流过该编程电流Iw。
若编程电流Iw为0(A)，则晶体管11a保持图33(a)所示未流过电流的状态不变，所以可进行良好的黑显示。另外，在图33(b)所示状态下，作为进行白显示的电流编程的情况，即使当产生各像素的驱动用晶体管的特性偏差时，也可根据黑显示状态的偏移电压来完全进行电流编程。因此，编程为目标电流值的时间对应于灰度变得相等。因此，没有晶体管11a的特性差异引起的灰度误差，可实现良好的图像显示。
在图33(b)所示状态的电流编程后，如图33(c)所示，晶体管11b与晶体管11c截止，晶体管11d导通，在EL元件15中流过来自驱动用晶体管11a的编程电流Iw(＝Ie)，使EL元件15发光。就图33(c)而言，因为在图1等中以前进行了说明，所以省略细节。
即，图33说明的驱动方式(复位驱动)切断驱动用晶体管11a与EL元件15之间(未流过电流的状态)，并且，实施短路驱动用晶体管的漏极(D)端子与栅极(G)端子(或源极(S)端子与栅极(G)端子，并且一般表现时，为包含驱动用晶体管的栅极(G)端子的两个端子)之间的第一动作；和在上述动作后，在驱动用晶体管中进行电流(电压)编程的第二动作。另外，至少第二动作在第一动作之后进行。另外，为了实施复位驱动，如图32的结构那样，也可独立控制晶体管11b与晶体管11c。
图像显示状态(且瞬时的变化可观察)下，首先进行电流编程的像素行变为复位状态(黑显示状态)，在1H后进行电流编程(此时也为黑显示状态。这是因为晶体管11d截止。)。接着，向EL元件15提供电流，像素行以规定亮度(编程后的电流)发光。即，发现黑显示的像素行从画面的上方向下移动，在该像素行应通过的位置上，图像改换。另外，复位后，在1H后进行电流编程，但该期间可在5H左右以内。这是因为图33(a)所示复位要完全进行必需较长的时间。并且，若设该期间为5H，则5像素行全为黑显示(若还包含电流编程的像素行，则为6像素行)。
另外，不限于复位状态每1像素行进行，也可每多个像素行来同时变为复位状态。另外，也可每多个像素行同时变为复位状态，并且边交迭边扫描。例如，示例如下驱动状态，若同时复位4像素行，则在第一水平扫描期间(1单位)内，像素行(1)、(2)、(3)、(4)变为复位状态，在下面第二水平扫描期间内，像素行(3)、(4)、(5)、(6)变为复位状态，在再下面第三水平扫描期间内，像素行(5)、(6)、(7)、(8)变为复位状态。另外，在接下来的第四水平扫描期间内，像素行(7)、(8)、(9)、(10)变为复位状态。另外，当然图33(b)、图33(c)所示驱动状态也与图33(a)所示驱动状态同步实施。
另外，因为1画面的像素全部同时为扫描状态或复位状态，所以也可实施图33(b)、(c)所示驱动。另外，在交织驱动状态(1像素行或多个像素行的隔行扫描)下，当然也可变为复位状态(隔开1像素行或多个像素行)。另外，也可实施随机的复位状态。另外，本发明的复位驱动的说明是操作像素行的方式(即，画面的上下方向的控制)。但是，复位驱动的原理不是将控制方向限定在像素行。例如，也可沿像素列方向实施复位驱动。
图33所示复位驱动可通过与本发明的N倍脉冲驱动等组合、与交互驱动组合来实施更好的图像显示。尤其是图22所示结构可容易实现间歇N/K倍脉冲驱动(是在1画面中设置多个点亮区域的驱动方式。该驱动方法可通过控制栅极信号线17b并使晶体管11d通断动作来容易实现。这在以前进行了说明。)，所以不会产生闪光，可实现良好的图像显示。这是图22所示结构或其变形结构的突出特征。另外，不用说，通过与其它驱动方法、例如以后说明的逆偏压驱动方式、预充电驱动方式、穿透电压驱动方式等组合，可实现更好的图像显示。如上所述，与本发明一样，也可使复位驱动与本说明书的其它实施例组合来实施。
图34是实现复位驱动的显示装置的结构图。栅极驱动器12a控制图32中的栅极信号线17a和栅极信号线17b。通过向栅极信号线17a施加通断电压，通断控制晶体管11b。另外，通过向栅极信号线17b施加通断电压，通断控制晶体管11d。栅极驱动器12b控制图32中的栅极信号线17c。通过向栅极信号线17c施加通断电压，通断控制晶体管11c。
因此，栅极信号线17a由栅极驱动器12a操作，栅极信号线17c由栅极驱动器12b操作。因此，可自由设定使晶体管11b导通后复位驱动用晶体管11a的定时、和使晶体管11c导通后在驱动用晶体管11a中进行电流编程的定时。另外，图34中，341a示出输出段电路。其它结构等与以前说明的相同或类似，所以省略说明。
图35是复位驱动的时间图。在向栅极信号线17a施加导通电压，使晶体管11b导通，复位驱动用晶体管11a时，向栅极信号线17b施加截止电压，晶体管11d变为截止状态。因此，变为图32(a)的状态。在该期间中流过电流Ib。
图35所示时间图中，复位时间为2H(向栅极信号线17a施加导通电压，晶体管11b导通)，但不限于此。也可为2H以上。另外，在极高速地进行复位的情况下，复位时间也可不足1H。另外，由输入栅极驱动器12的DATA(ST)脉冲期间可容易将复位期间变更为多少H期间。例如，若设输入ST端子的DATA为2H期间时间的H电平，则从各栅极信号线17a输出的复位期间变为2H期间。同样，若设输入ST端子的DATA为5H期间时间的H电平，则从各栅极信号线1 7a输出的复位期间变为5H期间。
在1H期间的复位后，向像素行(1)的栅极信号线17c(1)施加导通电压。通过晶体管11c导通，经晶体管11c向驱动用晶体管11a中写入施加于源极信号线18的编程电流Iw。
电流编程后，向像素行(1)的栅极信号线17c施加截止电压，晶体管11c截止，像素与源极信号线18切离。同时，向栅极信号线17a也施加截止电压，解除驱动用晶体管11a的复位状态(另外，该期间中表现为电流编程状态比表现为复位状态更适当)。另外，向栅极信号线17b施加导通电压，晶体管11d导通，在EL元件15中流过对驱动用晶体管11a进行编程的电流。另外，像素行(2)以后也与像素行(1)一样，另外，因为从图35可知其动作，所以省略说明。
图35中，复位期间为1H期间。图36是将复位期间设为5H的实施例。复位期间为多少H期间可由输入栅极驱动器12的DATA(ST)脉冲期间来容易变更。图36中是将输入栅极驱动器12a的ST1端子的DATA设为5H期间时间的H电平、将从各栅极信号线17a输出的复位期间设为5H期间的实施例。复位期间越长，则完全进行复位，可实现良好的黑显示。但是，显示亮度仅以复位期间的比例部分降低。
图36是将复位期间设为5H的实施例。另外，该复位状态为连续状态。但是，不限于复位状态连续进行。例如，也可在每个H使从各栅极信号线17a输出的信号进行通断动作。如此通断动作可通过操作形成于移位寄存器输出段的起动电路(未图示)来容易实现。另外，可通过控制输入到栅极驱动器12的DATA(ST)脉冲来容易实现。
在图34所示电路结构中，栅极驱动器12至少必需两个移位寄存器电路(1个是栅极信号线17a控制用，另一个是栅极信号线17b控制用)。因此，存在栅极驱动器12的电路规模变大的问题。图37是将栅极驱动器12a的移位寄存器设为1个的实施例。使图37所示电路动作的输出信号的时间图如图35所示。另外，图35与图37中从栅极驱动器12a、12b输出的栅极信号线17的记号不同，所以必需注意。
在图37所示结构中，附加“或”(OR)电路371，但各栅极信号线17a的输出取移位寄存器电路61a的前级输出的“或”(OR)后输出。即，2H期间中，从栅极信号线17a输出导通电压。另一方面，栅极信号线17c原样输出移位寄存器电路61a的输出。因此，在1H期间中施加导通电压。
例如，当向第二移位寄存器电路61a输出H电平信号时，向像素16(1)的栅极信号线17c输出导通电压，像素16(1)变为电流(电压)编程状态。同时，还向像素16(2)的栅极信号线17a输出导通电压，像素16(2)的晶体管11b变为导通状态，复位像素16(2)的驱动用晶体管11a。
同样，当向第三移位寄存器电路61a输出H电平信号时，向像素16(2)的栅极信号线17c输出导通电压，像素16(2)变为电流(电压)编程状态。同时，还向像素16(3)的栅极信号线17a输出导通电压，像素16(3)的晶体管11b变为导通状态，复位像素16(3)的驱动用晶体管11a。即，在2H期间，从栅极信号线17a输出导通电压，在1H期间向栅极信号线17c输出导通电压。
当编程状态时，晶体管11b与晶体管11c同时变为导通状态(图33(b))，所以当移动到非编程状态(图33(c))时，若晶体管11c先于晶体管11b变为截止状态，则变为图33(b)的复位状态。为了防止该情况的发生，必需使晶体管11c经晶体管11b之后变为截止状态。为此，必需控制成栅极信号线17a先于栅极信号线17c被施加导通电压。
以上实施例是涉及图32(基本上是图1)的像素结构的实施例。但本发明不限于此。例如，即使是图38所示电流镜的像素结构也可实现。图38中通过通断控制晶体管11e，可实现图13、图15等中图示的N倍脉冲驱动。图39是图38的电流镜的像素结构的实施例说明图。下面，参照图39来说明电流镜的像素结构的复位驱动方式。
如图39(a)所示，晶体管11c、晶体管11e为截止状态，晶体管11d为导通状态。此时，电流编程用晶体管11b的漏极(D)端子与栅极(G)端子变为短路状态，如图所示，流过电流Ib。通常，晶体管11b在前1个的场(帧)进行电流编程，具有流过电流的能力(由于栅极电位在电容器19中保持1F期间，进行图像显示，所以当然具有该能力。但是，在进行完全的黑显示的情况下，不流过电流)。在该状态下，若晶体管11e为截止状态，晶体管11d为导通状态，则驱动电流Ib流向晶体管11a的栅极(G)端子的方向(栅极(G)端子与漏极(D)端子短路)。因此，晶体管11a的栅极(G)端子与漏极(D)端子为相同电位，晶体管11a复位(未流过电流的状态)。另外，驱动用晶体管11b的栅极(G)端子与电流编程用晶体管11a的栅极(G)端子相同，所以驱动用晶体管11b也变为复位状态。
该晶体管11a、晶体管11b的复位状态(未流过电流的状态)与图51等中说明的电压偏移补偿器方式的保持偏移电压的状态等价。即，在图39(a)的状态下，在电容器19的端子间保持偏移电压(开始流过电流的开始电压。通过施加该电压的绝对值以上的电压，在晶体管11中流过电流)。该偏移电压是对应于晶体管11a、晶体管11b的特性而不同的电压值。因此，通过实施图39(a)的动作，在各像素的电容器19中保持晶体管11a、晶体管11b不流过电流(即，黑显示电流(基于等于0))的状态(复位到开始流过电流的开始电压)。
另外，图39(a)也与图33(a)一样，复位的实施时间越长，则倾向于流过Ib电流，电容器19的端子电压变小。因此，图39(a)的实施时间必需为固定值。根据发明者等的实验和研究，图39(a)的实施时间优选在1H以上10H(10水平扫描期间)以下。更优选在1H以上5H以下。或者优选是20μsec以上2msec以下。这与图33所示驱动方式一样。
图33(a)也一样，但在图39(a)所示复位状态与图39(b)所示电流编程状态同步进行的情况下，从图39(a)所示的复位状态到图39(b)所示的电流编程状态的时间为固定值(恒定值)，所以不成问题(变为固定值)。即，从图33(a)或图39(a)所示复位状态到图33(b)或图39(b)所示的电流编程状态的时间优选在1H以上10H(10水平扫描期间)以下。更优选在1H以上5H以下。或者优选是20μsec以上2msec以下。若该期间短，则驱动用晶体管1 1不能完全复位。另外，若太长，则驱动用晶体管11完全变为截止状态，这次编程电流需要长时间。另外，画面50的亮度也降低。
在实施图39(a)之后，变为图39(b)所示状态。图39(b)表示使晶体管11c、晶体管11d导通、使晶体管11e截止的状态。图39(b)的状态是进行电流编程的状态。即，从源极驱动器14输出(或吸收)编程电流Iw，该编程电流Iw流过电流编程用晶体管11a。在电容器19设定驱动用晶体管11b的栅极(G)端子的电位，以流过该编程电流Iw。
若编程电流Iw为0(A)(黑显示)，则晶体管11b保持图33(a)的未流过电流的状态不变，所以可进行良好的黑显示。另外，在图39(b)中进行白显示的电流编程的情况下，即使产生各像素的驱动用晶体管的特性偏差，也可根据黑显示状态的偏移电压(流过对应于各驱动用晶体管的特性来设定的电流的开始电压)来完全进行电流编程。因此，编程为目标电流值的时间对应于灰度变得相等。因此，没有晶体管11a或晶体管11b的特性差异引起的灰度误差，可实现良好的图像显示。
在图39(b)的电流编程后，如图39(c)所示，晶体管11c与晶体管11d截止，使晶体管11e导通，在EL元件15中流过来自驱动用晶体管11b的编程电流Iw(＝Ie)，使EL元件15发光。就图39(c)而言，因为在以前进行了说明，所以省略细节。
图33、图39中说明的驱动方式(复位驱动)实施切断驱动用晶体管11a或晶体管11b与EL元件15之间(不流过电流的状态。由晶体管11e或晶体管11d进行)，并且，短路驱动用晶体管的漏极(D)端子与栅极(G)端子(或源极(S)端子与栅极(G)端子，并且一般表现时，为包含驱动用晶体管的栅极(G)端子的两个端子)之间的第一动作；和在上述动作后，在驱动用晶体管中进行电流(电压)编程的第二动作。另外，至少第二动作在第一动作之后进行。另外，第一动作中切断驱动用晶体管11a或晶体管11b与EL元件15之间的动作未必是必需条件。并且，有时即使第一动作中不切断驱动用晶体管11a或晶体管11b与EL元件15之间地进行短路驱动用晶体管的漏极(D)端子与栅极(G)端子之间的第一动作，多少也可产生复位状态的差异。这在研究制作的阵列的晶体管特性后决定。
图39所示的电流镜的像素结构是通过复位电流编程晶体管11a、作为结果来复位驱动用晶体管11b的驱动方法。
在图39所示的电流镜的像素结构中，在复位状态下，未必切断驱动用晶体管11b与EL元件15之间。因此，实施短路电流编程用晶体管a的漏极(D)端子与栅极(G)端子(或源极(S)端子与栅极(G)端子，并且一般表现时，为包含电流编程用晶体管的栅极(G)端子的两个端子、或包含驱动用晶体管的栅极(G)端子的两个端子)之间的第一动作；和在上述动作后，在电流编程用晶体管中进行电流(电压)编程的第二动作。另外，至少第二动作在第一动作之后进行。
图像显示状态(并且若可观察瞬时变化)时，首先，进行电流编程的像素行变为复位状态(黑显示状态)，在规定H后进行电流编程。黑显示的像素行从画面的上面向下移动，在该像素行通过的位置上改换图像。
以上实施例以电流编程的像素结构为主进行说明，但本发明的复位驱动也可适用于电压编程的像素结构中。图43是电压编程的像素结构中实施复位驱动用的本发明的像素结构(面板结构)的说明图。
在图43的像素结构中，形成使驱动用晶体管11a进行复位动作的晶体管11e。通过向栅极信号线17e施加导通电压，晶体管11e导通，使驱动用晶体管11a的栅极(G)端子与漏极(D)端子之间短路。另外，形成切断EL元件15与驱动用晶体管11a的电流路径的晶体管11d。下面，参照图44来说明电压编程的像素结构中的本发明的复位驱动方式。
如图44(a)所示，晶体管11b与晶体管11d为截止状态，晶体管11e为导通状态。驱动用晶体管11a的漏极(D)端子与栅极(G)端子变为短路状态，如图所示，流过电流Ib。因此，晶体管11a的栅极(G)端子与漏极(D)端子变为相同电位，驱动用晶体管11a复位(不流过电流的状态)。另外，在复位晶体管11a之前，如图33或图39上述，同步于HD同步信号，最初使晶体管11d导通，使晶体管11e截止，之后在晶体管11a中流过电流。之后，实施图44(a)所示的动作。
该晶体管11a、晶体管11b的复位状态(未流过电流的状态)与图41等中说明的电压偏移补偿器方式的保持偏移电压的状态等价。即，在图44(a)的状态下，在电容器19的端子间保持偏移电压(复位电压)。该复位电压是对应于驱动用晶体管11a的特性而不同的电压值。即，通过实施图44(a)的动作，在各像素的电容器19中保持驱动用晶体管11a不流过电流(即，黑显示电流(基于等于0))的状态(复位到开始流过电流的开始电压)。
另外，电压编程的像素结构也与电流编程的像素结构一样，图44(a)的复位的实施时间越长，则倾向于流过Ib电流，电容器19的端子电压变小。因此，图44(a)的实施时间必需为固定值。实施时间优选在0.2H以上5H(5水平扫描期间)以下。优选在0.5H以上4H以下。或者优选是2μsec以上400μsec以下。
另外，优选栅极信号线17e与前级像素行的栅极信号线17a共用。即，以短路状态形成栅极信号线17e与前级像素行的栅极信号线17a。将该结构称为前级栅极控制方式。另外，所谓前级栅极控制方式使用在显眼像素行之前至少1H以上选择的像素行的栅极信号线波形。因此，不限于1像素行前。例如，也可使用2像素行前的栅极信号线的信号波形来实施显眼像素行的驱动用晶体管11a的复位。
更具体记载，则前级栅极控制方式如下所示。将显眼的像素行设为(N)像素行，将其栅极信号线设为栅极信号线17e(N)、栅极信号线17a(N)。将1H前选择的前级像素行设为(N-1)像素行，将其栅极信号线设为栅极信号线17e(N-1)、栅极信号线17a(N-1)。另外，将显眼像素行的下一1H后选择的像素行设为(N+1)像素行，将其栅极信号线设为栅极信号线17e(N+1)、栅极信号线17a(N+1)。
在第(N-1)H期间中，若向第(N-1)像素行的栅极信号线17a(N-1)施加导通电压，则也向第(N)像素行的栅极信号线17e(N)施加导通电压。这是因为栅极信号线17e(N)与前级的像素行的栅极信号线17a(N-1)以短路状态形成。因此，第(N-1)像素行的像素的晶体管11b(N-1)导通，向驱动用晶体管11a(N-1)的栅极(G)端子写入源极信号线18的电压。同时，第(N)像素行的像素的晶体管11e(N)导通，驱动用晶体管11a(N)的栅极(G)端子与漏极(D)端子之间短路，复位驱动用晶体管11a(N)。
在第(N-1)H期间的下一第(N)期间中，若向第(N)像素行的栅极信号线17a(N)施加导通电压，则也向第(N+1)像素行的栅极信号线17e(N+1)施加导通电压。因此，第(N)像素行的像素的晶体管11b(N)导通，向驱动用晶体管11a(N)的栅极(G)端子写入施加于源极信号线18的电压。同时，第(N+1)像素行的像素的晶体管11e(N+1)导通，驱动用晶体管11a(N+1)的栅极(G)端子与漏极(D)端子之间短路，复位驱动用晶体管11a(N+1)。
以下同样，在第(N)H期间的下面第(N+1)期间中，若向第(N+1)像素行的栅极信号线17a(N+1)施加导通电压，则也向第(N+2)像素行的栅极信号线17e(N+2)施加导通电压。因此，第(N+1)像素行的像素的晶体管11b(N+1)导通，向驱动用晶体管11a(N+1)的栅极(G)端子写入施加于源极信号线18的电压。同时，第(N+2)像素行的像素的晶体管11e(N+2)导通，驱动用晶体管11a(N+2)的栅极(G)端子与漏极(D)端子之间短路，复位驱动用晶体管11a(N+2)。
以上本发明的前级栅极控制方式下，在1H期间复位驱动用晶体管11a，之后，实施电压(电流)编程。
图33(a)也一样，但在图44(a)的复位状态与图44(b)的电压编程状态同步进行的情况下，从图44(a)的复位状态到图44(b)的电流编程状态的时间为固定值(恒定值)，所以不成问题(变为固定值)。若该期间短，则驱动用晶体管11不能完全复位。另外，若太长，则驱动用晶体管11完全变为截止状态，这次编程电流需要长时间。另外，画面12的亮度也降低。
在实施图44(a)所示状态后，变为图44(b)所示状态。图44(b)是使晶体管11b导通、使晶体管11e与晶体管11d截止的状态。图44(b)所示状态是进行电压编程的状态。即，从源极驱动器14输出编程电压，并将该编程电压写入驱动用晶体管11a的栅极(G)端子(在电容器19中设定驱动用晶体管11a的栅极(G)端子的电位)。另外，电压编程方式的情况下不必在电压编程时使11d截止。另外，若不必实施与图13、图15等N倍脉冲驱动等组合、或上述间歇N/K脉冲驱动(在1画面中设置多个点亮区域的驱动方法。该驱动方法可通过使晶体管11e通断动作来容易实现)，则不必需晶体管11e。这在以前已作说明，所以省略说明。
在图43所示结构或图44的驱动方法下进行白显示的电压编程的情况下，即使产生各像素的驱动用晶体管的特性差异，也可根据黑显示状态的偏移电压(流过对应于各驱动用晶体管的特性设定的电流的开始电压)完全进行电压编程。因此，编程到目标电流值的时间对应于灰度变得相等。因此，没有晶体管11a的特性差异引起的灰度误差，可实现良好的图像显示。
在图44(b)所示的电流编程后，如图44(c)所示，截止晶体管11b，使晶体管11d导通，在EL元件15中流过来自驱动用晶体管11a的编程电流，使EL元件15发光。
如上所述，图43的电压编程下的本发明的复位驱动实施首先同步于HD同步信号，最初使晶体管11d导通，使晶体管11e截止，在晶体管11a中流过电流的第一动作；切断晶体管11a与EL元件15之间，并且，短路驱动用晶体管11a的漏极(D)端子与栅极(G)端子(或源极(S)端子与栅极(G)端子，并且一般表现时，为包含驱动用晶体管的栅极(G)端子的两个端子)之间的第二动作；和在上述动作后，在驱动用晶体管11a中进行电压编程的第三动作。
在以上实施例中，为了控制从驱动用晶体管元件11a(图1的像素结构的情况)流到EL元件15的电流，使晶体管11d通断来进行。为了使晶体管11d通断，必需扫描栅极信号线17b，为了扫描，必需移位寄存器61(栅极电路12)。但是，移位寄存器61的规模大，在栅极信号线17b的控制中使用移位寄存器61，所以不能进行窄框缘化。参照图40说明的方式解决该问题。
另外，本发明主要示例说明图1等中示出的电流编程的像素结构，但不限于此，也可适用图38等说明的其它电流编程结构(电流镜的像素结构)。另外，用块来通断的技术概念也可作为图41等的电压编程的像素结构来适用。另外，因为本发明是间歇流过流入EL元件15中的电流的方式，所以也可与参照图50等说明的施加逆偏置电压的方式组合。如上所述，本发明可与其它实施例组合实施。
图40示出块驱动方式的实施例。首先，为了容易说明，说明了栅极驱动器12直接形成于基板71上，或在基板71上层叠硅芯片的栅极驱动器12。另外，因为源极驱动器14和源极信号线18的图面复杂，所以省略。
图40中，栅极信号线17a与栅极驱动器12连接。另一方面，各像素的栅极信号线17b与点亮控制线401连接。图40中，4条栅极信号线17b与1个点亮控制线401连接。
另外，这里将4条栅极信号线17b统称为1个块，但不限于此，不用说，也可在其之上。通常显示区域50优选至少分割成5个以上。并且优选分割成10个以上。更好是分割成20个以上。若分割数少，则易看到闪烁。另一方面，若分割数太多，则点亮控制线401的条数变多，控制线401的布置变难。
因此，在QCIF显示面板的情况下，因为垂直扫描线的条数为220条，所以必需至少以220/5＝44条以上来模块化，优选必需以220/10＝11以上来进行模块化。其中，在奇数行与偶数行中进行两个模块化的情况下，由于低帧速度，较少产生闪烁，所以以两个模块化较充分。
在图40的实施例中，依次向点亮控制线401a、401b、401c、401d、…、401n施加导通电压(Vgl)或施加截止电压(Vgh)，并在每个块使流过EL元件15的电流通断。
在图40的实施例中，栅极信号线17b与点亮控制线401不交叉。因此，不产生栅极信号线17b与点亮控制线401短路等缺陷。另外，因为栅极信号线17b与点亮控制线401不电容耦合，所以从点亮控制线401看栅极信号线17b侧时的电容附加极小。因此，容易驱动点亮控制线401。
栅极信号线17a连接于栅极驱动器12。通过向栅极信号线17施加导通电压，选择像素行，选择到的各像素的晶体管11b、11c导通，在各像素的电容器19编程施加于源极信号线18上的电流(电压)。另一方面，栅极信号线17b与各像素的晶体管11d的栅极(G)端子连接。因此，当向点亮控制线401施加导通电压(Vgl)时，形成驱动用晶体管11a与EL元件15的电流路径，相反，当施加截止电压(Vgh)时，断开EL元件15的阳极端子。
施加于点亮控制线401的通断电压的控制定时与栅极驱动器12输出到栅极信号线17a的像素行选择电压(Vgl)的定时优选同步于1水平扫描时钟(1H)。但是，不限于此。
施加于点亮控制线401的信号仅使到EL元件15的电流通断。另外，也不必与源极驱动器14输出的图像数据取得同步。这是因为施加于点亮控制线401的信号控制在各像素16的电容器19编程后的电流。因此，未必与像素行的选择信号取得同步。另外，即使在同步的情况下，时钟也不限于1H信号，也可以是1/2H或1/4H。
即使在图38所示电流镜的像素结构的情况下，也可通过将栅极信号线17b连接于点亮控制线401，通断控制晶体管11e。因此，可实现块驱动。
另外，图32中，若将栅极信号线17a连接于点亮控制线401并实施复位，则可实现块驱动。此时，本发明的块驱动变为以1条控制线来同时使多个像素行非点亮(或黑显示)的驱动方法。
以上实施例是对每个像素行配置(形成)1条选择像素行的结构。本发明不限于此，也可对多个像素行配置(形成)1条选择栅极信号线。
图41是其实施例。为了容易说明，主要示例说明像素结构为图1的情况。图41中，栅极信号线17a同时选择3个像素(16R、16G、16b)。所谓R记号意味着关联红色的像素，所谓G记号意味着关联绿色的像素，所谓B记号意味着关联蓝色的像素。
因此，通过选择栅极信号线17a，同时选择像素16R、像素16G和像素16B，变为数据写入状态。像素16R从源极信号线18R向电容器19R写入数据，像素16G从源极信号线18G向电容器19G写入数据。像素16B从源极信号线18B向电容器19B写入数据。
像素16R的晶体管11d连接于栅极信号线17bR。像素16G的晶体管11d连接于栅极信号线17bG。像素16B的晶体管11d连接于栅极信号线17bB。因此，像素16R的EL元件15R、像素16G的EL元件15G、像素16B的EL元件15B可分别通断控制。即，EL元件15R、EL元件15G、EL元件15B通过分别控制栅极信号线17bR、17bG、17bB，可分别控制点亮时间、点亮周期。
为了实现该动作，在图6所示结构中，适当形成(配置)扫描栅极信号线17a的移位寄存器电路61、扫描栅极信号线17bR的移位寄存器电路61、扫描栅极信号线17bG的移位寄存器电路61、和扫描栅极信号线17bB的移位寄存器电路61等4个是适当的。
另外，通过在源极信号线18中流过规定电流的N倍电流，在EL元件15中流过1/N期间的规定电流的N倍电流，但实用上不能实现。这是因为实际上施加于栅极信号线17的信号脉冲穿透电容器19，不能在电容器19中设定期望的电压值(电流值)。一般在电容器19中设定比期望的电压值(电流值)低的电压值(电流值)。例如，即使设定10倍的电流值来驱动，也仅在电容器19中设定5倍左右的电流。例如，即使N＝10，但实际上流过EL元件15的电流与N＝5的情况一样。因此，本发明是设定N倍电流值，并在EL元件15中流过与N倍成比例或对应的电流来驱动的方法。或者脉冲状地向EL元件15施加比期望值大的电流的驱动方法。
另外，相比于期望值的电流(不变，若在EL元件15中连续流过电流，则变为比期望亮度高的电流)在驱动用晶体管11a(示例图1的情况下)进行电流(电压)编程，使流过EL元件15的电流间歇，得到期望的EL元件的发光亮度。
依赖于对电容器19的穿透的补偿电路导入源极驱动器14内。该事项在后面说明。
另外，图1等的开关晶体管11b、11c等优选由N沟道形成。这是因为向电容器19穿透的电压降低。另外，因为电容器19的截止泄漏也减少，所以也可适用于10Hz以下的低帧速率。
另外，穿透电压通过像素结构作用于使流过EL元件15的电流增加的方向的情况下，白峰值电流增加，图像显示的对比度增加。因此，可实现良好的图像显示。
相反，通过将图1的开关晶体管11b、11c变为P沟道来使穿透产生，使黑显示更好的方法也是有效的。此时，当P沟道晶体管11b截止时，变为Vgh电压。因此，电容器19的端子电压稍向Vdd侧移位。由此，晶体管11a的栅极(G)端子电压上升，变为更好的黑显示。另外，因为可增大变为第一灰度显示的电流值(可流过一定基极电流，直到灰度1)，所以可以电流编程方式来减轻写入电流不充分。
此外，在栅极信号线17a与晶体管11a的栅极(G)端子之间积极地形成电容器19b，使穿透电压增加的结构也是有效的(参照图42(a))。该电容器19b的电容优选是正式电容器19a的容量的1/50以上1/10以下。优选设该值为1/40以上1/15以下。或者设为寄存器11b的源极-栅极(源极-漏极(SG)或栅极-漏极(GD))容量的1倍以上10倍以下。并且优选为SG容量的2倍以上6倍以下。另外，电容器19b可形成或配置在电容器19a的一个端子(晶体管11a的栅极(G)端子)与晶体管11d的源极(S)端子之间。该情况下容量等也与在先说明的值一样。
穿透电压产生用的电容器19b的容量(设容量为Cb(pF))与电荷保持用电容器19a的容量(设容量为Ca(pF))、晶体管11a的白峰值电流时(图像显示中显示最大亮度的白光栅时)的栅极(G)端子电压Vw、和流过黑显示下的电流(基本上电流为0。即，图像显示中黑显示的情况)时的栅极(G)端子电压Vb相关。它们的关系优选满足以下条件Ca/(200Cb)≤|Vw-Vb|≤Ca/(8Cb)。
另外，所谓|Vw-Vb|是驱动用晶体管的白显示时的端子电压与黑显示时的端子电压之差的绝对值(即变化的电压宽度)。
并且优选满足以下条件Ca/(100Cb)≤|Vw-Vb|≤Ca/(10Cb)晶体管11b为P沟道，该P沟道至少为双栅极以上。另外，优选为3栅极以上。优选是4栅极以上。另外，优选并联形成或配置晶体管11b的源极-栅极(SG或栅极-漏极(GD))容量(晶体管导通时的容量)的1倍以上10倍以下的电容器。
另外，以上事项不仅对图1所示像素结构、而且对其它像素结构也有效。例如，在图42(b)所示电流镜的像素结构中，在栅极信号线17a或17b与晶体管11a的栅极(G)端子之间配置或形成使穿透产生的电容器。将开关晶体管11c的N沟道设为双栅极以上。或将开关晶体管11c、11d设为P沟道，设为3栅极以上。
在图41所示电压编程的结构中，在栅极信号线17c与驱动用晶体管11a的栅极(G)端子之间形成或配置穿透电压产生用电容器19c。另外，将开关晶体管11c设为3栅极以上。也可将穿透电压产生用电容器19c配置在晶体管11c的漏极(D)端子(电容器19b侧)与栅极信号线17a之间。另外，也可将穿透电压产生用电容器19c配置在晶体管11a的栅极(G)端子与栅极信号线17a之间。另外，也可将穿透电压产生用电容器19c配置在晶体管11c的漏极(D)端子(电容器19b侧)与栅极信号线17c之间。
另外，将电荷保持用电容器19a的容量设为Ca，将开关用晶体管11c或11d的源极-栅极容量设为Cc(在有穿透用电容器的情况下，加上该容量后的值)，将施加于栅极信号线上的高电压信号设为Vgh，将施加于栅极信号线上的低电压信号设为Vgl，此时，通过满足以下条件来构成，可实现良好的黑显示。
0.05(V)≤(Vgh-Vgl)×(Cc/Ca)≤0.8(V)另外，优选满足以下条件。
0.1(V)≤(Vgh-Vgl)×(Cc/Ca)≤0.5(V)以上事项对图43等所示的像素结构也有效。在图43所示电压编程的像素结构中，在晶体管11a的栅极(G)端子与栅极信号线17a之间形成或配置穿透电压产生用电容器19b。
另外，使穿透电压产生的电容器19b由晶体管的源极布线和栅极布线形成。其中，有时因为是拓宽晶体管11的源极宽度后与栅极信号线17重叠形成的结构，所以形成实用上不能与晶体管明确分离的结构。
另外，通过将开关晶体管11b、11c(图1的结构的情况)形成得必要的大，外观上构成穿透电压用电容器19b的方式也是本发明的范畴。开关晶体管11b、11c多以沟道宽度W/沟道长度L＝6/6μm形成。这里，增大W与L之比也构成穿透电压用电容器19b。例如，示例W∶L之比为2∶1以上20∶1以下的结构。优选是W∶L之比为3∶1以上10∶1以下。
另外，穿透电压用电容器19b优选以像素调制的R、G、B来使大小(容量)变化。这是因为R、G、B的各EL元件15的驱动电流不同。另外，还因为EL元件15的截止电压不同。因此，使在EL元件15的驱动用晶体管11a的栅极(G)端子编程的电压(电流)不同。例如，在设R的像素电容器11bR为0.02pF的情况下，设其它颜色(G、B像素)的电容器11bG、11bB为0.025pF。另外，在设R的像素电容器11bR为0.02pF的情况下，设G像素的电容器11bG为0.03pF，设B像素的电容器11bB为0.025pF。这样，通过使每个R、G、B像素电容器11b的容量变化，可对每个RGB调整截止的驱动电流。因此，可将RGB各自的黑显示电平设为最佳值。
上面虽使穿透电压产生用电容器19b的容量变化，但穿透电压是保持用电容器19a与穿透电压产生用电容器19b的容量的相对值。因此，不限于以R、G、B像素变化电容器19b。因此，也可使保持用电容器19a的容量变化。例如，在设R的像素电容器11aR为1.0pF的情况下，设G像素的电容器11aG为1.2pF，设B像素的电容器11aB为0.9pF。此时，穿透用电容器19b的容量在R、G、B下为相同值。因此，本发明就保持用电容器19a与穿透电压产生用电容器19b的容量比较而言，使R、G、B像素中至少一个与其它不同。另外，也可以R、G、B像素使保持用电容器19a的容量与穿透电压产生用电容器19b的容量双方变化。
另外，也可在画面50的左右使穿透电压用电容器19b的容量变化。由于位于接近栅极驱动器12的像素16配置在信号提供侧，所以栅极信号上升沿快(这是由于穿过速率(through rate)高)，故穿透电压变大。配置(形成)在栅极信号线17端部的像素的信号波形平缓(这是由于栅极信号线17中有电容)。因为栅极信号的上升沿慢(穿过速率慢)，所以穿透电压变小。因此，减小与栅极驱动器12连接侧接近的像素16的穿透电压用电容器19b。另外，栅极信号线17端部是电容器19b变大。例如，在画面左右电容器的容量变化10％左右。
产生的穿透电压由保持用电容器19a与穿透电压产生用电容器19b的容量比决定。因此，虽在画面左右使穿透电压产生用电容器19的大小变化，但不限于此。穿透电压产生用电容器19b在画面左右恒定，使电荷保持用电容器19a的容量在画面左右变化。另外，不用说，也可使穿透电压产生用电容器19b的容量与电荷保持用电容器19a的容量两者在画面左右变化。
在本发明的N倍脉冲驱动中，施加于EL元件15上的电流为瞬态的，与以前相比，存在所谓大N倍的问题。有时若电流大，则使EL元件15的寿命降低。为了解决该问题，向EL元件15施加逆偏置电压Vm是有效的。
在EL元件15中，在电子从阴极(阴极)注入电子传输层的同时，空穴也从阳极注入空穴传输层。注入的电子、空穴通过施加电场向对极移动。此时，向有机层中掺杂，或由于发光层界面的能量势位差来积累载流子。
若在有机层中积累空间电荷，则分子被氧化或还原，生成的原子团阴离子分子或原子团阳离子分子不稳定，由此由于膜质的降低而导致亮度降低和恒定电流驱动时的驱动电压的上升。为了防止这种情况，作为一例，使器件结构变化，施加逆向电压。
若施加逆偏置电压，则变为施加逆向电流，已经注入的电子及空分别被拉向阴极及阳极。由此，可消除有机层中的空间电荷形成，抑制分子的电化学恶化，延长寿命。
图45示出逆偏置电压Vm和EL元件15的端子电压的变化。这里所谓端子电压是向EL元件15提供额定电流时的电压。图45示出在EL元件15中流过的电流为电流密度100A/平方米的情况，但图45所示的斜率与电流密度50-100A/平方米的情况基本无差别。因此，可推定为可在宽范围的电流密度下适用。
纵轴表示初期的EL元件15的端子电压与2500小时的端子电压的比。例如，在经过时间0小时时，设施加电流密度100A/平方米电流时的端子电压为8(V)，在经过时间2500小时时，施加电流密度100A/平方米电流时的端子电压为10(V)，则端子电压比为10/8＝1.25。
横轴表示额定端子电压V0与逆偏置电压Vm和在1周期施加逆偏置电压的时间t1的积的比。例如，在60Hz(虽然尤其在60Hz没有含义)，若施加逆偏置电压Vm的时间为1/2(一半)，则t1＝0.5。另外，在经过时间0小时，设提供电流密度100A/平方米电流时的端子电压(额定端子电压)为8(V)，设逆偏置电压Vm为8(V)，则|逆偏置电压×t1|/(额定端子电压×t2)＝|-8(V)×0.5|/(8(V)×0.5)＝1.0。
根据图45，|逆偏置电压×t1|/(额定端子电压×t2)为1.0以上，端子电压比无变化(不从初始额定端子电压变化)。更好发挥施加逆偏置电压Vm产生的效果。但是，|逆偏置电压×t1|/(额定端子电压×t2)为1.75以上，则有端子电压比增加的倾向。因此，可决定逆偏置电压Vm的大小和施加时间比t1(或t2，或t1与t2的比率)，使|逆偏置电压×t1|/(额定端子电压×t2)为1.0以上。另外，优选决定逆偏置电压Vm的大小和施加时间比t1等，使|逆偏置电压×t1|/(额定端子电压×t2)为1.75以下。
其中，在进行偏压驱动的情况下，必需交互施加逆偏压Vm与额定电流。在图46所示情况下，若采样A与B的每单位时间的平均亮度相等，则当施加逆偏置电压时，与未施加时相比，必需瞬时流过高电流。因此，施加逆偏置电压Vm的情况(图46的采样A)的EL元件15的端子电压也变高。
但是，图45中，在施加逆偏置电压的驱动方法中，所谓额定端子电压V0也设为满足平均亮度的端子电压(即点亮EL元件15的端子电压)(根据本说明书的具体例，为施加电流密度200A/平方米电流时的端子电压。其中，因为是1/2占空比，所以1周期的平均亮度为电流密度200A/平方米下的亮度。
以上事项假定使EL元件15进行白光栅显示的情况(向画面整体的EL元件提供最大电流的情况)。但是，在EL显示装置进行映像显示的情况下，为自然图像，进行灰度显示。因此，并非不断地流过EL元件15的白峰值电流(最大白显示下流过的电流。在本说明书的具体例中，为平均电流密度100A/平方米的电流)。
一般在进行映像显示的情况下，施加于各EL元件15的电流(流过的电流)约为白峰值电流(额定端子电压时流过的电流。根据本说明书的具体例，为电流密度100A/平方米的电流)的0.2倍。
因此，在图45所示实施例中，在进行映像显示的情况下，必需向横轴的值乘以0.2。因此，优选决定逆偏置电压Vm的大小和施加时间比t1(或t2，或t1与t2的比率等)，使|逆偏置电压×t1|/(额定端子电压×t2)为0.2以上。另外，优选决定逆偏置电压Vm的大小和施加时间比t1等，使|逆偏置电压×t1|/(额定端子电压×t2)为1.75×0.2＝0.35以下。
即，图45的横轴(逆偏置电压×t1|/(额定端子电压×t2))中，必需将1.0的值设为0.2。因此，当在显示面板中显示映像(该使用状态为通常状态。而不是始终显示白光栅)时，施加规定时间t1的逆偏置电压Vm，使|逆偏置电压×t1|/(额定端子电压×t2)大于0.2。另外，即使|逆偏置电压×t1|/(额定端子电压×t2)的值变大，也如图45所示，端子电压比的增加不大。因此，上限值也考虑白光栅显示，使|逆偏置电压×t1|/(额定端子电压×t2)的值满足1.75以下。
下面，参照附图来说明本发明的逆偏压方式。另外，本发明基本上在EL元件15中未流过电流的期间中施加逆偏置电压Vm(电流)。但是，不限于此。例如也可在EL元件15中流过电流的状态下强制施加逆偏置电压Vm。另外，该情况下，作为结果，EL元件15中不流过电流，变为非点亮状态(黑显示状态)。另外，本发明主要说明主要在电流编程的像素结构下施加逆偏置电压Vm，但不限于此。
在逆偏压驱动的像素结构下，如图47所示，设晶体管11g为N沟道。不用说，也可以是P沟道。
图47中，施加于栅极电位控制线473的电压比施加于逆偏压线471的电压高，由此晶体管11g(N)导通，向EL元件15的阳极电极施加逆偏置电压Vm。
另外，在图47的像素结构等中，也可使栅极电位控制线473始终电位固定而动作。例如，图47中，当Vk电压为0(V)时，栅极电位控制线473的电位为0(V)以上(优选为2(V)以上)。另外，设该电位为Vsg。在该状态下，若逆偏压线471的电位为逆偏置电压Vm(0(V)以下，优选是比Vk小-5(V)以上的电压)，则晶体管11g(N)导通，向EL元件15的阳极施加逆偏置电压Vm。若逆偏压线471的电压比栅极电位控制线473的电压(即晶体管11g的栅极(G)端子电压)高，则因为晶体管11g为截止状态，所以不向EL元件15施加逆偏置电压Vm。不用说，该状态时，也可将逆偏压线471设为高阻抗状态(断开状态等)。
另外，如图48所示，也可另外形成或配置控制逆偏压线471的栅极驱动器12c。栅极驱动器12c与栅极驱动器12a一样依次移位动作，并与移位动作同步，移位施加逆偏置电压的位置。
以上驱动方法中，晶体管11g的栅极(G)端子电位固定，仅使逆偏压线471的电位变化，可向EL元件15施加逆偏置电压Vm。因此，容易进行逆偏置电压Vm的施加控制。另外，可降低施加于晶体管11g的栅极(G)端子与源极(S)端子之间的电压。这在晶体管11g为P沟道的情况下也一样。
另外，当EL元件15不流过电流时进行逆偏置电压Vm的施加。因此，当晶体管11d未导通时，优选通过使晶体管11g导通来进行。即，只要向栅极电位控制线473施加晶体管11d的通断逻辑的倒数即可。例如，图47中，只要在栅极信号线17b上连接晶体管11d和晶体管11g的栅极(G)端子即可。晶体管11d为P沟道，晶体管11g为N沟道，所以通断动作相反。
图49是逆偏压驱动的时间图。另外，图中(1)、(2)等添加文字表示像素行。为了容易说明，所谓(1)表示第一像素行，所谓(2)表示第二像素行，如此说明，但不限于此。也可考虑(1)表示第N像素行，(2)表示第(N+1)像素行。以上在其它实施例中，除特例外都一样。另外，在图49等的实施例中，示例说明图1等的像素结构，但不限于此。例如，也可适用于图41、图38等的像素结构中。
当向第一像素行的栅极信号线17a(1)施加导通电压(Vgl)时，向第一像素行的栅极信号线17b(1)施加截止电压(Vgh)。即，晶体管11d截止，在EL元件15中不流过电流。
向逆偏压线471(1)施加Vsl电压(晶体管11g导通的电压)。因此，晶体管11g导通，向EL元件15施加逆偏置电压。逆偏置电压在向栅极信号线17b施加截止电压(Vgh)后，在规定期间(1H的1/200以上的期间或0.5μsec)后，施加逆偏置电压。另外，在向栅极信号线17b施加导通电压(Vgl)的规定期间(1H的1/200以上的期间或0.5μsec)前，逆偏置电压截止。这是为了避免晶体管11d与晶体管11g同时导通。
在下一水平扫描期间(H)中，向栅极信号线17a施加截止电压(Vgh)，选择第二像素行。即，向栅极信号线17b(2)施加导通电压。另外，向栅极信号线17b施加导通电压(Vgl)，晶体管11d导通，电流从晶体管11a流向EL元件15，EL元件15发光。另外，向逆偏压线471(1)施加截止电压(Vsh)，不向第一像素行(1)的EL元件15施加逆偏置电压。向第二像素行的逆偏压线471(2)施加Vsl电压(逆偏置电压)。
通过依次进行以上动作，改换1画面的图像。以上实施例中，在对各像素编程的期间中，施加逆偏置电压来构成。但是，本发明不限于图48所示电路结构。可知也可向多个像素行连续施加逆偏置电压。另外，也可与块驱动(参照图40)、N倍脉冲驱动、复位驱动、伪像素驱动等组合。
另外，逆偏置电压的施加不限于在图像显示的途中实施。也可构成为在EL显示装置的电源截止后，在一定期间施加逆偏置电压。
以上实施例是图1所示的像素结构的情况，但其它结构也可适用于图38、图41等施加逆偏置电压的结构。例如，也可适用于图50所示电流编程方式的像素结构。
图50是电流镜的像素结构。晶体管11c是像素选择元件。通过向栅极信号线17a1施加导通电压，晶体管11c导通。晶体管11d是具有复位功能、短路(GD短路)驱动用晶体管11a的漏极(D)-栅极(G)端子间的功能的开关元件。晶体管11d通过向栅极信号线17a2施加导通电压导通。
晶体管11d在该像素选择的1H(1水平扫描期间、即1像素行)以上之前导通。优选在3H之前导通。若为3H之前，则在3H之前晶体管11d导通，晶体管11a的栅极(G)端子与漏极(D)端子短路。因此，晶体管11a截止。因此，晶体管11b中不流过电流，EL元件15变为非点亮。
在EL元件15为非点亮状态的情况下，晶体管11g导通，向EL元件15施加逆偏置电压。因此，逆偏置电压在晶体管11d导通期间被施加。因此，逻辑上晶体管11d与晶体管11g同时导通。
晶体管11g的栅极(G)端子施加Vsg电压后被固定。逆偏压线471通过向逆偏压线471施加比Vsg电压充分小的逆偏置电压，晶体管11g导通。
之后，若变为向上述像素施加(写入)图像信号的水平扫描期间，则向栅极信号线17a1施加导通电压，晶体管11c导通。因此，从源极驱动器14输出到源极信号线18的图像信号电压被施加于电容器19(晶体管11d维持导通状态)。
若使晶体管11d导通，则变为黑显示。晶体管11d的导通期间占1场(1帧)期间越长，则黑显示期间的比例变长。因此，即使存在黑显示期间，但为了使1场(1帧)的平均亮度为期望值，必需提高显示期间的亮度。即，必需在显示期间增大流过EL元件15的电流。该动作是本发明的N倍脉冲驱动。因此，将N倍脉冲驱动与使晶体管11d导通后变为黑显示的驱动组合是本发明的一个特征动作。另外，EL元件15为非点亮状态、向EL元件15施加逆偏置电压是本发明的特征结构(方式)。
在以上实施例中，进行图像显示的情况是当像素为非点亮状态时，施加逆偏置电压的方式，但施加逆偏置电压的结构不限于此。只要图像非显示地施加逆偏置电压，则不必在各像素中形成逆偏压用的晶体管11g。这里，所谓非点亮状态是显示面板使用结束后，或在使用前施加逆偏置电压的状态。
例如，在图1的像素结构中，选择像素16(使晶体管11b、晶体管11c导通)，从源极驱动器(电路)14输出源极驱动器可输出的低的电压V0(例如GND电压)，施加于驱动用晶体管11a的漏极端子(D)。该状态下，若晶体管11d也导通，则向EL阳极端子施加V0电压。同时，若向EL元件15的阴极Vk施加比V0电压低-5～-15(V)的电压Vm电压，则向EL元件15施加逆偏置电压。另外，Vdd电压也通过施加比V0电压低0～-5(V)的电压，晶体管11a也变为截止状态。如上所述，通过从源极驱动器14输出电压，控制栅极信号线17，可向EL元件15施加逆偏置电压。
N倍脉冲驱动是在1场(1帧)期间中，即使一旦进行黑显示，也在EL元件15中再次流过规定电流(编程后的电流(基于电容器19中保持的电压))。但是，在图50所示的结构中，若晶体管11d一旦导通，则放电(包含减少)电容器19的电荷，所以在EL元件15中不能流过规定电流(编程后的电流)。但是，具有电路动作容易的特征。
以上实施例是电流编程方式情况下的像素结构，但本发明不限于此，也可适用于图38、图50等其它电流方式的像素结构中。另外，也可适用于图51、图54、图62所示电压编程的像素结构中。
图51表示一般最简单的电压编程的像素结构。晶体管11b是选择开关元件，晶体管11a是向EL元件15提供电流的驱动用晶体管。在该结构下，在EL元件15的阳极配置(形成)逆偏置电压施加用的晶体管(开关元件)11g。
在图51所示像素结构中，将流过EL元件15的电流提供给源极信号线18，选择晶体管11b，由此提供给晶体管11a的栅极(G)端子。
首先，为了说明图51所示结构，用图52来说明基本动作。图51所示像素是被称为电压偏移补偿器的结构，以初始化动作、复位动作、编程动作、发光动作等4个阶段进行动作。
在水平同步信号(HD)后，实施初始化动作。向栅极信号线17b施加导通电压，晶体管11g导通。另外，也向栅极信号线17a施加导通电压，晶体管11c导通。此时，向源极信号线18施加Vdd电压。因此，向电容器19b的端子a施加Vdd电压。在该状态下，驱动用晶体管11a导通，EL元件15中流过些许电流。由于该电流，驱动用晶体管11a的漏极(D)端子为至少比晶体管11a的动作点大的绝对值的电压值。
接着实施复位动作。向栅极信号线17b施加截止电压，晶体管11e截止。另一方面，在T1期间向栅极信号线17c施加导通电压，晶体管11b导通。该T1期间是复位期间。另外，在1H期间中连续向栅极信号线17a施加导通电压。优选T1为1H期间的20％以上90％以下的期间。或者优选为20μsec以上160μsec以下的时间。另外，电容器19b(Cb)与电容器19a(Ca)的容量比率优选设为Cb∶Ca＝6∶1以上1∶2以下。
在复位期间，由于晶体管11b导通，驱动用晶体管11a的栅极(G)端子与漏极(D)端子之间短路。因此，晶体管11a的栅极(G)端子电压与漏极(D)端子电压相等，晶体管11a变为复位状态(复位状态不流过电流的状态)。所谓复位状态是晶体管11a的栅极(G)端子在开始流过电流的开始电压附近的状态。维持该复位状态的栅极电压保持于电容器19b的端子b。因此，在电容器19中保持偏移电压(复位电压)。
在接下来的编程状态下，向栅极信号线17c施加截止电压，晶体管11b截止。另一方面，在Td期间向源极信号线18施加DATA电压。因此，向驱动用晶体管11a的栅极(G)端子施加将DATA电压与偏移电压(复位电压)相加后的电压。因此，驱动用晶体管11a使编程后的电流流过。
编程期间后，向栅极信号线17a施加截止电压，晶体管11c变为截止状态，驱动用晶体管11a从源极信号线18切离。另外，也向栅极信号线17c施加截止电压，晶体管11b变为截止状态，该截止状态保持1F期间。另一方面，必要时周期地向栅极信号线17b施加导通电压与截止电压。即，通过与图13、图15等所示的N倍脉冲驱动等组合、与交互驱动组合，可实现更好的图像显示。
在图52所示驱动方式下，在复位状态下，在电容器19中保持晶体管11a的开始电流电压(偏移电压、复位电压)。因此，向晶体管11a的栅极(G)端子施加该复位电压时是最暗的黑显示状态。但是，由于源极信号线18与像素16的耦合、向电容器19的穿透电压或晶体管的穿透，产生黑色减轻(对比度降低)。因此，图52所示的驱动方式不能提高显示对比度。
为了向EL元件15施加逆偏置电压Vm，必需使晶体管11a截止。为了使晶体管11a截止，只要短路晶体管11a的Vdd端子与栅极(G)端子之间即可。下面用图53来说明该结构。
另外，也可向源极信号线18施加Vdd电压或使晶体管11a截止的电压，并使晶体管11b截止后施加于晶体管11a的栅极(G)端子。晶体管11a由于该电压截止(或基本上为不流过电流的状态(大致截止状态晶体管11a为高阻抗状态))。之后，使晶体管11g截止，向EL元件15施加逆偏置电压。也可同时向所有像素进行该逆偏置电压Vm的施加。即，向源极信号线18施加大致截止晶体管11a的电压，使所有(多个)像素行的晶体管11b导通。因此，晶体管11a截止。之后，使晶体管11g导通，向EL元件15施加逆偏置电压。之后，依次向各像素行施加图像信号，在显示装置中进行显示。
下面，说明图51所示像素结构的复位驱动。图53表示其实施例。如图53所示，连接于像素16a的晶体管11c的栅极(G)端子上的栅极信号线17a还连接于次级像素16b的复位用晶体管11b的栅极(G)端子上。同样，连接于像素16b的晶体管11c的栅极(G)端子上的栅极信号线17a连接于次级像素16c的复位用晶体管11b的栅极(G)端子上。
因此，若向连接于像素16a的晶体管11c的栅极(G)端子上的栅极信号线17a施加导通电压，则像素16a变为电压编程状态，同时，次级像素16b的复位用晶体管11b导通，像素16b的驱动用晶体管11a变为复位状态。同样，若向连接于像素16b的晶体管11c的栅极(G)端子上的栅极信号线17a施加导通电压，则像素16b变为电流编程状态，同时，次级像素16c的复位用晶体管11b导通，像素16c的驱动用晶体管11a变为复位状态。因此，可容易实现基于前级栅极控制方式的复位驱动。另外，可使每个像素的栅极信号线引出条数减少。
进一步详细说明。如图53(a)所示，向栅极信号线17施加电压。即，向像素16a的栅极信号线17a施加导通电压，向其它像素16的栅极信号线17a施加截止电压。另外，向像素16a、16b的栅极信号线17b施加截止电压，向像素16c、16d的栅极信号线17b施加导通电压。
该状态下，像素16a在电压编程状态下为非点亮，像素16b在复位状态下为非点亮，像素16c在编程电流保持状态下为点亮，像素16d在编程电流的保持状态下为点亮状态。
1H后，控制用栅极驱动器12的移位寄存器电路61内的数据移位1比特，变为图53(b)所示状态。在图53(b)所示状态下，像素16a在编程电流保持状态下为点亮，像素16b在编程电流保持状态下为非点亮，像素16c在复位状态下为非点亮，像素16d在编程保持状态下为点亮状态。
从上述可知，各像素通过施加于前级的栅极信号线17a的电压，复位次级像素的驱动用晶体管11a，在下一水平扫描期间中依次进行电压编程。
即使图43所示的电压编程的像素结构也可实现前级栅极控制。图54表示设图43的像素结构为前级栅极控制方式的连续的实施例。
如图54所示，连接于像素16a的晶体管11b的栅极(G)端子上的栅极信号线17a连接于次级像素16b的复位用晶体管11e的栅极(G)端子上。同时，连接于像素16b的晶体管11b的栅极(G)端子上的栅极信号线17a连接于次级像素16c的复位用晶体管11e的栅极(G)端子上。
因此，若向连接于像素16a的晶体管11b的栅极(G)端子上的栅极信号线17a施加导通电压，则像素16a变为电压编程状态，同时，次级像素16b的复位用晶体管11e导通，像素16b的驱动用晶体管11a变为复位状态。同样，若向连接于像素16b的晶体管11b的栅极(G)端子上的栅极信号线17a施加导通电压，则像素16b变为电流编程状态，同时，次级像素16c的复位用晶体管11e导通，像素16c的驱动用晶体管11a变为复位状态。因此，可容易实现基于前级栅极控制方式的复位驱动。
进一步详细说明。如图55(a)所示，向栅极信号线17施加电压。即，向像素16a的栅极信号线17a施加导通电压，向其它像素16的栅极信号线17a施加截止电压。另外，所有逆偏压用晶体管11g为截止状态。
该状态下，像素16a为电压编程状态，像素16b为复位状态，像素16c为编程电流保持状态，像素16d为编程电流保持状态。
1H后，控制用栅极驱动器12的移位寄存器电路61内的数据移位1比特，变为图55(b)所示状态。在图55(b)所示状态下，像素16a为编程电流保持状态，像素16b为编程电流状态，像素16c为复位状态，像素16d为编程保持状态。
从上述可知，各像素通过施加于前级的栅极信号线17a的电压，复位次级像素的驱动用晶体管11a，在下一水平扫描期间中依次进行电压编程。
在电流驱动方式下，在进行完全黑显示的情况下，对像素驱动用晶体管11编程的电流为0。即，不从源极驱动器14中流出电流。若不流出电流，则不能充放电源极信号线18中产生的寄生电容，不能使源极信号线18的电位变化。因此，驱动用晶体管的栅极电位也不变化，电容器19中原样累积1帧(场)(1F)前的电位。例如，1帧前为白显示，即使下一帧为完全黑显示，仍维持白显示。为了解决该问题，在本发明中，由于在1水平扫描期间(1H)的最初向源极信号线18写入黑电平的电压，所以向源极信号线18输出编程的电流。例如，在映像数据为接近黑电平的第0灰度-第7灰度的的情况下，仅在1水平期间的开始的一定期间内写入相当于黑电平的电压，可减轻电流驱动的负担，弥补写入不充分。这里，例如若为64灰度显示的情况，则将完全的黑显示设为第0灰度，将完全的白显示设为第63灰度。
另外，进行预充电的灰度应限定在黑显示区域。即，判断写入图像数据，并选择黑区域灰度(低亮度、即电流驱动方式下，写入电流小(微小))，进行预充电(选择预充电)。若对全部灰度数据进行预充电，则这次在白显示区域中，产生亮度降低(未达到目标亮度)。另外，图像中显示纵条纹。
优选在从灰度数据的灰度0到1/8区域的灰度下，进行选择预充电(例如64灰度时，从第0灰度到第7灰度的图像数据时，从进行预充电开始，写入图像数据)。并且，优选在从灰度数据的灰度0到1/16区域的灰度下，进行选择预充电(例如64灰度时，从第0灰度到第3灰度的图像数据时，从进行预充电开始，写入图像数据)。
尤其是在黑显示中，为了提高对比度，仅检测灰度0后进行预充电的方式也是有效的。由此，黑显示变得优选。问题是画面整体在灰度1、2的情况下，画面黑色减轻后被观察到。因此，在从灰度数据的灰度0到1/8的区域的灰度的一定范围内进行选择预充电。
另外，使预充电的电压、灰度范围在R、G、B中不同也是有效的。这是因为EL显示元件15在R、G、B下的发光开始电压、发光亮度不同。例如，进行如下控制，R在灰度数据的灰度0到1/8的区域的灰度下进行选择预充电(例如64灰度时，从第0灰度到第7灰度的图像数据时，从进行预充电开始，写入图像数据)。其它颜色(G、B)在灰度数据的灰度0到1/16的区域的灰度下进行选择预充电(例如64灰度时，从第0灰度到第3灰度的图像数据时，从进行预充电开始，写入图像数据)。另外，预充电电压优选设为在R为7(V)时，其它颜色(G、B)向源极信号线18中写入7.5(V)的电压。最佳预充电电压多因EL显示面板的制造批次而不同。因此，预充电电压优选可通过外部量等来调整。该调整电路也可通过使用电子电位器电路来容易实现。
下面，说明具备本发明的EL显示面板的电子设备的实施例。图57是作为信息终端装置一例的便携型电话机的平面图。该便携型电话机具备接听器与扬声器。另外，如图57所示，在壳体573中装配天线571、数字键572等。572a-572e是显示颜色切换键或电源开关、帧速率切换键等。
组合序列，当按下一次显示颜色切换键时，显示颜色变为8色模式，当再次按下相同键时，显示颜色变为256色模式，当又一次按下相同键时，显示颜色变为4096色模式。形成每次按下键则显示颜色模式变化的触发器开关。另外，优选另外设置对应于显示颜色的变更键。此时，显示颜色切换键为3个(以上)。
显示颜色切换键除推动开关外，也可以是滑动开关等其它机械开关，另外，也可通过语音识别等来切换。例如，向接听器语音输入4096色，例如通过向接听器语音输入[高品质显示]、[256色模式]或[低显示色模式]，显示于显示面板的显示画面50中的显示颜色变化。这可通过采用现有的语音识别技术来容易实现。
另外，显示颜色的切换不仅是电切换的开关，也可是通过触摸显示于显示面板显示部21中的菜单来选择的触摸板。另外，也可构成为由按压开关的次数来切换、或象点击球那样通过旋转或按方向进行切换。
另外，也可以是切换帧速率的键等，代替上述显示颜色切换键。另外，也可以是切换动态图像与静止图像的键等。或者是同时切换动态图像与静止图像的帧速率等多个要件。或者构成为当持续按下时帧速率缓慢(连续)变化。此时，可通过构成振荡器的电容器C、阻抗R中阻抗R为可变阻抗或变为电子电位器来实现。另外，还可通过电容器C为微调电容器来实现。另外，也可通过在半导体芯片中形成多个电容器，选择1个以上电容器，并将它们电路上并联连接来实现。
另外，通过显示颜色等切换帧速率的技术思想不限于便携型电话机，也可广范适用于掌上计算机、或笔记本计算机、桌上型计算机、便携型时钟等具有显示画面的设备。另外，不限于有机EL显示面板，也可适用于液晶显示面板、晶体管面板、PLZT面板、CRT等。
虽然图57中未示出，但本发明的便携型电话机在壳体573的背侧具备CCD摄像机。该CCD摄像机拍摄的图像可即时显示于显示面板的显示画面50中。CCD摄像机拍摄的数据可显示于显示画面50中。CCD摄像机的图像数据可通过键572输入来切换24比特(1670万色)、18比特(26万色)、16比特(6.5万色)、12比特(4096色)、8比特(256色)。
当显示数据为12比特以上时，进行误差扩散处理后进行显示。即，当来自CCD摄像机的图像数据在内置存储器的容量以上时，实施误差扩散处理等，并进行图像处理，使显示颜色数在内置图像存储器的容量以下。
现在说明为在源极驱动器14中以4096色(RGB各4比特)具备1画面的内置RAM。在从模块外部送来的图像数据为4096色的情况下，直接存储在源极驱动器14的内置图像RAM中，从该内置图像RAM中读出图像数据，在显示画面50中显示图像。
在图像数据为26万色(G6比特、R、B5比特共计16比特)的情况下，暂时存储在误差扩散控制器的运算存储器中，并且同时由进行误差扩散或抖动处理的运算电路进行误差扩散或抖动处理。通过该误差扩散处理等，将16比特的图像数据变换为作为内置图像RAM的比特数的12比特，传送到源极驱动器14。源极驱动器14输出RGB各4比特(4096色)的图像数据，在显示画面50中显示图像。
并且，参照附图来说明采用本发明的EL显示面板或EL显示装置或驱动方法的实施方式。
图58是本发明实施方式中的取景器的截面图。其中，为了容易说明，模式地绘出。另外，存在局部放大或缩小的部位，并且还存在省略的部位。例如，图58中，省略接眼盖。以上在其它图中相应。
主体573的背面为暗色或黑色。这是为了防止从EL显示面板(显示装置)574射出的散光在主体573的内表面散射而降低显示对比度。另外，在显示面板的光射出侧配置相位板(λ/4板等)108、偏振光板109等。这在图10、图11中也进行了说明。
在接眼环581中装配放大透镜582。观察者调整接眼环581，使主体573内的插入位置可变，聚焦在显示面板574的显示图像50上。
另外，若必要时在显示面板574的光射出侧配置凸透镜583，则可使入射到放大透镜582的主光线收敛。因此，可缩小放大透镜582的透镜直径，小型化取景器。
图59是数码摄像机的斜视图。摄像机具备摄影(摄像)透镜部592与数码摄像机主体573，使摄影透镜部592与取景器部573背面贴合。另外，在取景器部(还参照图58)573装配接眼盖。观察者(用户)从该接眼盖部观察显示面板574的显示部50。
另外，作为本发明的EL显示面板的显示部50也被用作显示监视器。显示部50可在支点591自由调整角度。在不使用显示部50时，存储在存储部593中。
开关594是实施以下功能的切换或控制开关。开关594是显示模式切换开关。开关594优选也装配在便携型电话机等中。对该显示模式切换开关594进行说明。
本发明的驱动方法之一是在EL元件15中流过N倍电流并仅在1F的1/M期间中点亮的方法。通过使该点亮的期间变化，可数字地变更亮度。例如，作为N＝4，在EL元件15中流过4倍电流。若设点亮期间为1/M，切换为M＝1、2、3、4，则可进行从1倍到4倍的亮度切换。另外，也可变更为M＝1、1.5、2、3、4、5、6等。
以上切换动作用于当接通便携型电话机的电源时，非常亮地显示显示画面50，在经过一定时间后，为了节省功率，使显示亮度降低。另外，也可使用设定成用户期望的亮度的功能。例如，在室外等，画面非常亮。这是因为室外，周围亮，根本看不见画面。但是，若以高亮度继续显示，则EL元件15急剧恶化。因此，在非常亮的情况下，在短时间内恢复到通常亮度。并且，在以高亮度显示的情况下，用户通过按下按钮，可提高显示亮度。
因此，优选用户可以按钮594进行切换，或以设定模式自动变更，或检测外来光的亮度后，自动切换。另外，优选用户等将显示亮度设定为50％、60％、80％等。
优选显示画面50成高斯分布显示。所谓高斯分布显示是中央部的亮度亮、周围部较暗的方式。视觉上，若中央部亮，则尽管周围部暗也感到亮。根据主观评价，若周围部与中央部相比，保持70％的亮度，则视觉上不逊色。并且即使降低到50％，也不成问题。在本发明的自发光型显示面板中，使用以前说明的N倍脉冲驱动(在EL元件15中流过N倍电流并仅在1F的1/M期间点亮的方法)，从画面的上面向下产生高斯分布。
具体而言，在画面的上部与下部，增大M值，在中央部减小M值。这可通过调制栅极驱动器12的移位寄存器的动作速度来实现。画面左右的亮度调制通过将表格数据与映像数据相乘来产生。通过以上动作，当周围亮度(画角0.9)变为50％时，与亮度为100％的情况相比，可有约20％的功耗降低。当周围亮度(画角0.9)变为70％时，与亮度为100％的情况相比，可有约15％的功耗降低。
另外，优选设置切换开关等，可通断高斯分布显示。例如，在室外等，进行高斯显示时，画面周围部完全看不见。因此，优选构成为用户用按钮切换，或以设定模式自动变更，或检测外来光的亮度后自动切换。另外，优选用户等将显示亮度设定为50％、60％、80％等。
在液晶显示面板中，以背景灯来产生固定的高斯分布。因此，不能进行高斯分布的通断。可通断高斯分布是自发光型显示设备特有的效果。
另外，在帧速率一定的情况下，与室内的荧光灯等点亮状态干扰，会产生闪光。例如，在荧光灯以60Hz的交流点亮的情况下，若EL显示元件15以帧速率60Hz动作，则产生微秒的干扰，感到画面慢慢闪烁。为了避免该情况的产生，优选变更帧速率。本发明添加帧速率的变更功能。另外，构成为在N倍脉冲驱动(在EL元件15中流过N倍电流，仅在1F的1/M期间点亮的方法)中变更N或M值。
以上功能可由开关594实现。通过根据显示画面50的菜单，多次按下开关594，切换实现以上说明的功能。
另外，以上事项不仅限于便携型电话机，也可用于电视、监视器等。另外，优选在显示画面中进行图符显示，使用户能马上识别处于哪种显示状态。以上事项对以下事项也一样。
本实施方式的EL显示装置等不仅是数码摄像机，也可适用于图60所示的数码相机。显示装置用作附属于相机主体601的监视器50。在相机主体601上，除快门603外，还装配开关594。
以上是显示面板的显示区域较小型的情况，但若为30英寸以上的大型，则显示画面50易弯曲。为了解决该问题，在本发明中，如图61所示，在显示面板中加上外框611，配备固定部件614，以便吊挂外框611。使用该固定部件614，装配在壁上。
但是，若显示面板的画面尺寸大，则重量也大。所以，在显示面板的下侧配置脚装配部613，用多个脚612来保持显示面板的重量。
脚612构成为如箭头A所示向左右移动，另外，脚612构成为如箭头B所示可伸缩。因此，即使在窄场所下也可容易设置显示装置。
在图61所示电视中，用保护膜(也可以是保护板)来覆盖画面的表面。其一个目的在于防止物体碰到显示面板的表面而破损。在保护膜的表面形成AIR涂层，另外，通过压纹加工表面，抑制外面的状况(外来光)映入显示面板。
另外，通过在保护膜与显示面板之间散布垫片(ビ-ズ)等，配置一定空间。进而，在保护膜的背面形成细微的凸部，由该凸部在显示面板与保护膜之间保持空间。通过如此保持空间，抑制来自保护膜的冲击传递到显示面板。
另外，在保护膜与显示面板之间配置或注入乙醇、乙二醇等液体或凝胶状丙烯酸酯树脂或环氧树脂等的固体树脂等光结合剂也有效。上述光结合剂可在防止界面反射的同时，用作缓冲材料。
作为保护膜，示例聚碳酸酯膜(板)、聚丙烯膜(板)、丙烯酸酯膜(板)、聚酯膜(板)、PVA膜(板)等。不用说，也可使用其它工程树脂膜(ABS等)。另外，也可由强化玻璃等无机材料构成。也可代替配置保护膜，对显示面板的表面涂布0.5mm以上2.0mm以下厚度的环氧树脂、酚树脂、丙烯酸酯树脂等，可得到一样效果。另外，在这些树脂表面进行压纹加工等也有效。
另外，氟素涂布保护膜或涂布材料的表面也是有效的。这是因为可通过清洗剂等容易去除落在表面的污渍。另外，也可将保护膜形成得厚，兼用作前灯。
本发明实施例的显示面板与3边空闲的结构组合也是有效的。尤其是3边空闲结构在像素使用非晶硅技术制作时有效。另外，在由非晶硅技术形成的面板中，由于不可能进行晶体管元件的特性偏差的加工控制，所以优选实施本发明的N倍脉冲驱动、复位驱动、伪像素驱动等。因此，本发明中的晶体管等不限于由多晶硅技术制造，也可由非晶硅技术制造。
另外，本发明的N倍脉冲驱动(参照图13、图16、图19、图20、图22、图24、图30等)等与用低温多晶硅技术形成晶体管11得到的显示面板一样，对由非晶硅技术形成晶体管11得到的显示面板有效。这是因为非晶硅的晶体管11中，相邻的晶体管的特性大致一致。因此，即使用相加后的电流驱动，各晶体管的驱动电流也基本上是目标值(尤其是图22、图24、图30的N倍脉冲驱动对以非晶硅形成的晶体管的像素结构有效)。
本发明实施例中说明的技术思想可适用于数码摄像机、投影仪、立体电视、投影电视等。另外，也可适用于取景器、便携型电话机的监视器、PHS、便携信息终端和其监视器、数码相机和其监视器中。
另外，也可适用于电子照片系统、安装头显示器、直视监视显示器、笔记本型或桌上型计算机等。另外，也可适用于自动取款机的监视器、公用电话、可视电话、手表和其显示装置中。
并且，也可适用或应用展开于家庭电器设备的显示监视器、袋装游戏设备和其监视器、显示面板用背景灯或家庭用或业务用照明装置等中。照明装置优选构成可改变颜色温度。这通过将RGB像素形成为带状或点矩阵状，调整其中流过的电流，变更颜色温度。另外，也可应用于广告或邮箱等的显示装置、RGB信号器、警报显示灯等。
另外，有机EL显示面板作为扫描仪的光源也有效。将RGB的点矩阵作为光源，向对象物照射光，读取图像。当然也可是单色。另外，不限于有源矩阵，也可是简单矩阵。若可调整颜色温度，则图像读取精度也提高。
另外，有机EL显示装置对液晶显示装置的背景灯也是有效的。将EL显示装置(背景灯)的RGB像素形成为带状或点矩阵状，通过调整其中流过的电流，可变更颜色温度，另外，亮度调整也容易。其中，因为是面光源，所以容易构成画面的中央部亮、周围部暗的高斯分布。另外，作为交互扫描R、G、B光的场序列方式的液晶显示面板的背景灯也是有效的。另外，通过即使闪烁背景灯也进行黑插入，也可用作动态图像显示用等的液晶显示面板的背景灯。
在图1等的附图中，将本发明的EL元件15作为OLED，用二极管记号来表示。但是，本发明的EL元件15不限于OLED，也可是由流过元件15的电流量来控制亮度。作为这种元件，示例无机EL元件。另外，示例由半导体构成的白色发光二极管。另外，示例一般的发光二极管。另外，也可是发光晶体管。另外，元件15未必要求整流性，所以也可以是双向二极管。
本领域的技术人员从上述说明可知本发明的许多改良或其它实施方式。因此，上述说明应是仅作为示例来解释，以提示的目的向本领域技术人员提供执行本发明的最佳方式。在不脱离本发明的精神下，可实质变更其结构和/或功能的细节。
产业上的可利用性根据本发明的EL显示装置可用作薄型电视、数码摄像机、数码相机、便携型电话机等的显示部。
权利要求
1.一种EL显示装置，其特征为，具备彼此交叉排列的多个栅极信号线和多个源极信号线；排列成矩阵状、以对应于所提供的电流的亮度发光的EL元件；向所述栅极信号线输出栅极信号的栅极驱动器；向所述源极信号线输出比对应于从外部输入的图像信号的电流大的电流的源极驱动器；对应于所述各EL元件而设置、向所述EL元件输出从所述源极驱动器输出的电流的晶体管；和第一开关元件，通过对应于经所述栅极信号线提供的栅极信号，切换所述EL元件与所述晶体管之间的导通/截止，向所述EL元件提供从所述源极驱动器输出的电流，所述栅极驱动器向所述栅极信号线输出栅极信号，使所述EL元件与所述晶体管之间在1帧期间至少1次变为导通和截止。
2.根据权利要求1所述的EL显示装置，其特征在于所述栅极驱动器向所述栅极信号线输出栅极信号，使所述EL元件与所述晶体管之间在1帧期间周期性地多次变为导通和截止。
3.根据权利要求1所述的EL显示装置，其特征在于还具备第二开关元件，通过对应于经所述栅极信号线提供的栅极信号，切换所述源极驱动器与所述晶体管之间的导通/截止，向所述晶体管提供从所述源极驱动器输出的电流，所述栅极驱动器在所述EL元件与所述晶体管之间为截止的状态下，在所述源极驱动器与所述晶体管之间导通并在所述晶体管中编程从所述源极驱动器输出的电流后，向所述栅极信号线输出栅极信号，使所述EL元件与所述晶体管之间在1帧期间中至少1次变为导通和截止。
4.根据权利要求1所述的EL显示装置，其特征在于所述栅极驱动器与所述晶体管利用同一加工形成。
5.根据权利要求1所述的EL显示装置，其特征在于所述源极驱动器由半导体芯片形成。
6.一种EL显示装置，其特征在于，具备彼此交叉排列的多个栅极信号线和多个源极信号线；排列成矩阵状、以对应于所提供的电流的亮度发光的EL元件；向所述栅极信号线输出栅极信号的栅极驱动器；向所述源极信号线输出比对应于从外部输入的图像信号的电流大的电流的源极驱动器；第一开关元件，对应于所述各EL元件设置，通过对应于经所述栅极信号线提供的栅极信号，切换所述EL元件与所述源极信号线之间的导通/截止，向所述EL元件提供经所述源极信号线提供的电流；设置在与形成所述EL元件的区域不同的区域中、实质上未被用于图像显示的多个伪元件；和第二开关元件，对应于所述各伪元件设置，通过对应于经所述栅极信号线提供的栅极信号，切换所述伪元件与所述源极信号线之间的导通/截止，向所述伪元件提供经所述源极信号线提供的电流，所述栅极驱动器构成为通过在大致相同的定时向连接于所述EL元件的栅极信号线和连接于所述伪元件的栅极信号线输出栅极信号，向各所述EL元件和所述伪元件分割提供经所述源极信号线提供的电流。
7.根据权利要求6所述的EL显示装置，其特征在于连接于所述伪元件的栅极信号线与连接于第一行或最后行的所述EL元件的栅极信号线邻接地形成，所述栅极驱动器通过在大致相同的定时依次向邻接的多行栅极信号线输出栅极信号，向多个所述EL元件的各个或各所述EL元件和所述伪元件分割提供经所述源极信号线提供的电流。
8.一种EL显示装置的驱动方法，该EL显示装置具备以对应于提供的电流的亮度发光的EL元件、和经源极信号线向所述EL元件输出电流的源极驱动器，其中，包含如下步骤所述源极驱动器向所述源极信号线输出比对应于从外部输入的图像信号的电流大的电流；和通过在1帧期间的部分期间中向所述EL元件提供输出到所述源极信号线的电流，在所述部分期间中以对应于输出到所述源极信号线的电流的亮度使所述EL元件发光。
9.根据权利要求8所述的EL显示装置的驱动方法，其特征在于将所述部分期间分割成多个期间。
10.一种电子设备，其特征在于，具有权利要求1所述的EL显示装置，向所述EL显示输出图像信号。
11.一种EL显示装置，其特征在于具备配置成矩阵状的EL元件；提供流入所述EL元件中的电流的驱动用晶体管；配置在所述EL元件与所述驱动用晶体管之间的第一开关元件；和通断控制所述第一开关元件的栅极驱动器，所述栅极驱动器在1帧期间中至少1次以上将所述第一开关元件控制为截止状态。
12.根据权利要求11所述的EL显示装置，其特征在于所述第一开关元件在1帧期间中被周期性地并多次控制成断开状态。
13.一种EL显示装置，其特征在于具备输出编程电流的源极驱动器；配置成矩阵状的EL元件；提供流入所述EL元件的电流的驱动用晶体管；配置在所述EL元件与所述驱动用晶体管之间的第一开关元件；构成将所述编程电流传递到所述驱动用晶体管的路径的第二开关元件；和通断控制所述第一和第二开关元件的栅极驱动器电路，所述栅极驱动器电路在1帧期间至少1次以上将所述第一开关元件控制为导通状态，并且1次以上控制成断开状态。
14.根据权利要求13所述的EL显示装置，其特征在于所述栅极驱动器由与所述驱动用晶体管相同的加工形成，所述源极驱动器由半导体芯片形成。
15.一种EL显示装置，其特征在于具备栅极信号线；源极信号线；输出编程电流的源极驱动器；栅极驱动器；配置成矩阵状的EL元件；提供流入所述EL元件的电流的驱动用晶体管；配置在所述EL元件与所述驱动用晶体管之间的第一晶体管；和构成将所述编程电流传递到所述驱动用晶体管的路径的第二晶体管，所述源极驱动器向所述源极信号线输出编程电流，所述栅极驱动器连接于栅极信号线，所述第二晶体管的栅极端子连接于所述栅极信号线，所述第二晶体管的源极端子连接于所述源极信号线，所述第二晶体管的漏极端子与所述驱动用晶体管的漏极端子连接，所述栅极驱动器选择多个栅极信号线，向多个像素的所述驱动用晶体管提供所述编程电流，所述栅极驱动器在1帧期间至少1次以上将所述第一晶体管控制为导通状态，并且1次以上控制成断开状态。
16.根据权利要求15所述的EL显示装置，其特征在于所述栅极驱动器由与所述驱动用晶体管相同的加工形成，所述源极驱动器由半导体芯片形成。
17.一种EL显示装置，其特征在于具有由I(I为2以上的整数)个像素行、J(J为2以上的整数)个像素列构成的显示区域，并具备向所述显示区域的源极信号线施加映像信号的源极驱动器；向所述显示区域的栅极信号线施加导通电压或断开电压的栅极驱动器；和形成于所述显示区域以外部位的伪像素行，EL元件在所述显示区域中形成为矩阵状，根据来自所述源极驱动器的映像信号发光，所述伪像素行构成为不发光，或者视觉上看不见发光状态。
18.根据权利要求17所述的EL显示装置，其特征在于所述栅极驱动器同时选择多个像素行，向所述多个像素行施加来自所述源极驱动器的映像信号，在选择第一行像素行或I像素行时，选择伪像素行。
19.一种EL显示装置的驱动方法，其特征在于向所述EL元件提供使EL元件以比规定亮度高的亮度发光的电流，在1帧的1/N(N比1小)的期间使所述EL元件发光。
20.根据权利要求19所述的EL显示装置的驱动方法，其特征在于将1帧的1/N期间分割成多个期间。
21.一种EL显示装置的驱动方法，通过电流来编程流入EL元件的电流，其特征在于以比规定亮度高的亮度使EL元件发光，显示1/N(N＞1)的显示区域，依次移动所述1/N的显示区域，显示整个画面。
22.一种电子设备，其特征在于具备权利要求11所述的EL显示装置；接听器；和扬声器。
全文摘要
本发明的EL显示装置具备以对应于提供的电流的亮度发光的EL元件(15)，经源极信号线(18)从源极驱动器(14)向该EL元件(15)输出比对应于图象信号的电流大的电流，由此，进行存在于源极信号线(18)中的寄生电容的充放电，另外，通过驱动形成于EL元件(15)与源极驱动器(14)之间的晶体管(11d)，仅在1帧期间中的部分期间向EL元件(15)提供所述电流。结果，EL元件(15)仅在所述部分期间发光。
文档编号G09G5/02GK1552050SQ02817510
公开日2004年12月1日 申请日期2002年9月6日 优先权日2001年9月7日
发明者高原博司, 柘植仁志, 志 申请人:松下电器产业株式会社