基板测试设备及方法
专利名称：基板测试设备及方法
基板测试设备及方法技术领域示范性实施例涉及基板测试设备及方法。
技术背景一般而言，在单个基板上形成多个有机发光二极管(OLED)显示器的 面板后，这些面板可能被划分到各个有机发光显示器中。为了缩短测试时间， 例如缩短用于确定形成于基板上的有机发光显示器是否可能有瑕疯的测试 的时间，需要对基板进行刻划(scribe)。图7示出常规有机发光显示器的基板的视图。参见图7，常规基板100可以被提供有多个有机发光显示面板110 (下 文中称为"显示面板")。基板100可以被供以第一电源电压ELVDD和第 二电源电压ELVSS。基板100还可以被提供有发光控制信号Em和数据信号 DataR，G，B (未示出)。数据信号DataR,G，B和发光控制信号EM可以被提 供给形成于各个显示面板110上的驱动器(未示出)。被提供有数据信号 DataR,G,B的数据驱动器可以依次将数据信号DataR,G,B提供给显示面板 110。被提供有发光控制信号Em的发光控制驱动器可以依次将发光控制信 号Em提供给显示面板110。然后，形成在各个显示面板IIO上的OLED可 以显示与数据信号DataR,G,B对应的预定图像。可以执行用于确定每个显示面板110在亮度、颜色坐标和色温上是否有 瑕疯的测试。也就是说，可以针对在对基板100上的每个显示面板IIO施加 相同的数据信号DataR,G,B后，其亮度、颜色坐标和色温特性是否相同，来 测试每个显示面板110，例如，可以由用于各个显示面板110的测试i殳备来 测量各个显示面板110的亮度、颜色坐标和色温。然而，这可能会导致出现一个问题，即，可能需要相当长的时间来测量各个显示面板110的亮度、颜 色坐标和色温，并将各个显示面板110的亮度、颜色坐标和色温补偿到一致。 另一问题可能是如果构成显示面板110的电路配线发生变化或者显示面板 110的尺寸发生变化，那么测试设备也应该变化(或者应该执行新的测试)。 此外，因为每个显示面板110可能被独立测试，所以测试时间增加，这可能 导致制造成本增加和测试效率降低。发明内容因此，示范性实施例针对一种基板测试设备，其基本上克服了由于相关 技术的局限和缺点所带来的 一个或多个问题。因此，示范性实施例的一个特征在于提供一种基板测试设备及方法，其 可以不用测量每个显示面板的亮度就可以由检测补偿设备来测量和补偿亮 度。因此，示范性实施例的另一特征在于提供一种基板测试设备及方法，即 使在构成有机发光显示面板的电路配线发生变化或者有机发光显示面板的 尺寸发生变化时，其仍可以不用测量亮度就可以由检测补偿设备测量和补偿 亮度。因此，示范性实施例的又一特征在于提供一种基板测试设备及方法，其 可以允许由集成到基板的检测补偿设备，而不是由诸如用于测试有机发光显 示面板的设备之类的独立设备来测试基板。示范性实施例的上述和其它特征和优点的至少之一 可以通过提供基板测试设备来实现，其中，该基板测试设备具有比较器，其适于将由电源电 压线提供的电源电压与由电源电压检测线检测到的下降的电源电压进行比 较，并适于输出电压差；和电平转移电路，其适于用一高至与从所述比较器输 出的电压差相等量的电压来补偿数据电压，并适于将该数据电压提供给一显示 面板。所述的基板测试设备可包括初始化电平转移电路，其适于用一高至与从所述比较器输出的电压差相等量的电压来补偿初始化电压，并适于将该初始化电 压提供给该显示面板。所述初始化电压可以是被传递给所述显示面板的〗象素电 路的电压。所述数据电压可以是被传递给所述显示面板的像素电路的电压。所述显示面板可与所述电源电压、初始化电压和数据电压电连接。所述电 源电压检测线可与所述显示面板的电源电压线电连接。所述基板测试设备可包括一基板，上以矩阵形式排列有多个显示面板。所 述比较器、所述电平转移电路和所述初始化电平转移电路可集成到所述基板中。所述数据电压可以是红数据电压、绿数据电压和蓝数据电压。所述基板测试设备可包括用于对所述比较器进行切换的比较器开关。所述基板测试设备可包括用于对所述初始化电平转移电路进行切换的初始 化开关。器。示范性实施例的上述和其它特征和优点的至少之一可以通过提供基板测试方法来实现，该方法包括检测基板的电源电压；检测所述基板的下降的 电源电压；将所述电源电压与所述下降的电源电压进行比较并输出；以及用一 高至与所述输出电压相等量的电压来补偿数据电压。所述方法可包括将所述电源电压与所述下降的电源电压进行比较，并输出 电压差。所述方法可包括用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿初始化电 压。所述补偿数据电压的步骤可包括补偿所有的红数据电压、绿数据电压和蓝 数据电压。所述用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿数据电压的步骤， 包括输出经补偿的数据电压，该经补偿的数据电压通过在电平转移电路中向下 转移所述电源电压与所述下降的电源电压之间的电压差来产生。所述方法可包括在用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿数据电压 之后，切换所述比较器。所述方法可包括在用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿数据电压 之后，切换所述电平转移电路。所述方法可包括在用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿数据电压 之后，切换所述初始化电平转移电路。所述方法可包括输出经补偿的初始化电压，该经补偿的初始化电压通过在 初始化电平转移电路中向下转移所述电源电压与所述下降的电源电压之间的电 压差来产生。所述方法可包括比较所述电源电压与所述下降的电源电压，并保持电压差， 以在用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿所述数据电压之后，输出恒 定的电压。所述方法可包括在用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿所述数据 电压之后，向面板施加经补偿的数据电压。
通过参考附图详细描述示范性实施例，本领域普通技术人员将更加清楚示范性实施例的以上和其它特征和优点，其中图1是根据示范性实施例的基板测试设备的框图；图2是根据示范性实施例的有机发光显示器的框图；图3是有机发光显示器的像素电路的电路图；图4是根据示范性实施例的基板测试设备的检测补偿设备的框图；图5是根据示范性实施例的基板测试方法的流程图；图6是有机发光元件的概念视图；并且图7是用于常规有机发光显示器的基板的视图。
具体实施方式
2007年1月15日递交到韩国知识产权局、标题为"基板测试设备及方 法"的韩国专利申请No.l0-2007-0004432，通过引用被整体合并于此。现在，参考附图在下文更加充分地描述示范性实施例。不过，本发明可 以以不同的形式实现，并不应该被解释为局限于这里所提出的实施例。相反， 提供这些示范性实施例是为了公开得更加全面和充分，并完整地将本发明的 范围传达给本领域的技术人员。贯穿全文，相似的附图标记始终表示相似的 元件。图1是根据示范性实施例的基板测试设备1000的框图。如图1所示，基板测试设备1000可以包括检测补偿(DC )设备500和 有机发光显示器400,有机发光显示器400包括有机发光显示面板440 (以 下称为"面板")。面板440可以以矩阵形式布置在基板上。检测补偿(DC )设备500可以设置成左边一列DC1_1至DCn—1和右边 一列DC1_2至DCn—2。第一左检测补偿设备DC1_1可以接收第一左电源电 压ELVDD[1J]、初始化电压Vinit和数据电压DataR,G,B。第一左检测补偿 设备DC 1—1可以进一步产生第 一左初始化电压Vinit[ 1J]和第 一左数据电压 DataR,G,B[1—1 ]。如以下参考图4所描述的那样，第 一左4企测补偿设备DC 1_1 至第n左检测补偿设备DCn—1以及第一右检测补偿设备DC1—2至第n右检 测补偿设备DCn_2可以具有相同的结构。如果电源电压ELVDD下降一电压差(AV)，那么检测补偿设备500 可以通过用一等于电压差(AV)的电压来补偿数据电压DataR，G,B，以避 免和/或减少由于电压降(IR—Drop)造成的亮度降低。进一步地，如果一施 加初始化电压Vinit,电源电压ELVDD就下降该电压差AV，那么检测补偿 设备500可以通过用一等于该电压差(AV)的电压来补偿初始化电压Vinit， 以同等地初始化电容元件(CI)的电压。换句话说，才企测补偿设备500可以 减少测量每个面板440亮度所需的大量时间，并可以分别控制和补偿数据电 压DataR,G,B和初始化电压Vinit,以补偿每个面板440的亮度。此外，检 测补偿设备500可以安装在基板测试设备1000内，也可以通过利用单独的 设备来测试基板。或者，检测补偿设备500可与面板440 —样集成到相同的 基板上，并可以不使用单独的设备来测试基板。进一步地，检测补偿设备500不能单独地测量和补偿由每个面板440的电压降IR Drop产生的亮度差， 但是可以测量和补偿由检测补偿设备500产生的亮度差。有机发光显示器400可以接收检测补偿的输出信号，例如，左初始化电 压Vinit[1—1]， Vinit[2—1],…，Vinit[n_l],右初始化电压Vinit[1—2]， Vinit[2_2],…，Vinit[n—2],左数据电压DataR，G,B[l_l], DataR，G，B[2—1],…， DataR,G,B[n—1〗，以及右数据电压DataR,G，B[1—2], DataR，G，B[2—2], DataR,G，B[n—2]，以便可以补偿亮度。结果，面板440可以发出具有相同亮 度的光。进一步地，电源电压ELVDD可以在两端(例如上端和下端)同时 施加。这可以降低因常规电源电压ELVDD仅在上端施加而使最上端面板和 最下端面板之间出现的亮度差(电压差IRDrop所致)。图2是根据示范性实施例的有机发光显示器400的框图。参见图2，有机发光显示器400可以包括扫描驱动器410、数据驱动器 420、发光控制驱动器430和面板440。扫描驱动器410可以通过多条扫描线Scan[l], Scan[2],…，Scan[n]依 次向面板440提供扫描信号。数据驱动器420可以通过多条数据线DataR，G,B[1], DataR,G,B[2]，...， DataR,G，B[m]依次向面板440提供数据信号。发光控制驱动器430可以通过多条发光控制线Em[l], Em[2], ...， Em[n] 依次向面板440提供发光控制信号。进一步地，发光控制驱动器430可以控 制发光控制信号的脉冲宽度，并可以控制在一个区域发生的发光控制信号的 脉冲数量。与发光控制线Em[l], Em[2]， ...， Em[n]相连的像素电路441 (如 图3所示)可以接收发光控制信号，并可以确定允许像素电路441产生的电 流流向发光元件的时间。于是，面板440可以包括NxM个^f象素电路441。进一步，面板440可以包括扫描线Scan[l]， Scan[2], Scan[n]和发 光控制线Em[l]， Em[2]，…,Em[n],它们可以沿列的方向排列。扫描线 Scan[l]， Scan[2]，…，Scan[n]和发光控制线Em[l]， Em[2],…，Em[n]可 以进一步包括沿行方向排列的数据线DataR,G,B[l]， DataR,G,B[2],...，DataR,G，B[m],和由扫描线Scan[l] ， Scan[2],…，Scan[n],数据线 DataR,G，B[l], DataR,G,B[2],DataR,G,B[m]以及发光控制线Em[l], Em[2]， ...， Em[n]限定的像素电路441。在示范性实施例中，像素可以形成在像素区域上，其可以由相邻两条扫 描线Scan (或发光控制线Em)以及相邻两条数据线DataR,G,B限定。进一 步地，扫描线Scan[l]， Scan[2],…，Scan[n]可以被提供有来自扫描驱动器 410的扫描信号，而凄史据线DataR,G,B[l], DataR,G,B[2]，…，DataR，G，B[m] 可以被提供有来自数据驱动器420的数据信号，而发光控制线Em[l]， Em[2]， ...， Em[n]可以被提供有来自发光控制驱动器430的发光控制信号。返回参见图1,在生产出产品之前，可以就有机发光显示器400的老化 和图像质量评估进行测试。老化处理可以避免和/或减少用户所作的用以抬r 测缺陷的初始检验，并可以在此后立即测试产品的可靠性。进一步，老化处 理可以包括用于老化晶体管的晶体管(TR)老化、用于老化OLED的正向 老化和反相老化。正向老化可以向OLED施加正向电流，而反相老化可以通 过向OLED施加反相电流改善服务寿命和效率。图像质量的评估可以通过向基板施加同一数据电压来测试面板440中 是否存在缺陷。图像质量的评估可以包括用于测试亮度、颜色坐标和色温方 面是否存在缺陷的方法。进一步，例如，该方法可以通过在向基板的每个面 板440施加相同的凄t据电压之后，控制施加到每个面板440上的数据电压然 后用测量设备测量亮度，来使每个面板440具有相同的亮度。进一步，例如， 该方法可以通过在向基板的每个面板440施加相同的数据电压之后，用照相 设备来测量颜色坐标和色温，来用补偿设备使颜色坐标和色温达到相同的颜 色坐标和色温。可以在完成老化程序之后执行图像质量的评估。进一步，在可以向 OLED施加正向电流以充足时间的正向老化中，可以提高每个面板440的电 压降IR Drop。图3示出用于驱动有机发光显示器400的N x M个像素电路中的像素电路441。参见图3，驱动晶体管Ml可以与第二开关元件S2相连，并可以向 OLED提供用于发光的驱动电流。通过第一开关元件Sl施加的数据电压可 以控制驱动晶体管M1的电流量。用于将所施加的数据电流维持一特定时间 段的电容元件Cl可以连接在驱动晶体管Ml的源极和槺极之间。第一开关 元件Sl的第一电极可以与数据线Data[m]相连，而控制电极可以与扫描线 Scan[n]相连。第二开关元件S2可以通过发光控制信号将驱动晶体管Ml提 供的电流传递到OLED。第三开关元件S3可以与前一扫描线Scan[n-l]相连， 并可以将电容元件Cl的存储电压初始化为初始化电压Vinit。在操作具有上述结构的像素电路441时，如果第一开关元件Sl由施加 到第一开关元件S1的控制电极的扫描信号导通时，那么数据电压可以从数 据线Data[m]施加到驱动晶体管Ml的控制电极。然后，相应于由电容元件 C1在栅极和源极之间充入的电压VGS,驱动电流IOLED可以流过驱动晶体管 Ml的漏极。此外，如果第二开关元件S2由发光控制信号导通，那么OLED 可以被提供有驱动电流I0LED,并可以发光。图4是根据示范性实施例的基板测试设备1000的检测补偿设备500的 框图。参见图4，检测补偿设备500可以包括比较器510、电平转移电路520、 初始化电平转移电路530、比较器开关511、电压开关521、初始化开关531 和电压差保持器540。比较器510可以产生电源电压ELVDD与电源电压ELVDD[n]之间的电 压差△ V，电源电压ELVDD[n]可以由电压降IR Drop来降低，并从面板440 提供。电平转移电路520可以接收数据电压DataR,G,B和电压差AV。电平转 移电路520可以进一步用一等于电压差AV的电压来补偿数据电压 DataR,G,B,以输出数据电压DataR,G,B[out](下文中称为"经补偿的数据电 压，，)，其可以施加到面4反440。初始化电平转移电路530可以接收初始化电压Vinit和电压差AV。初始化电平转移电路530可以用 一等于电压差的电压来补偿初始化电压Vinit， 以输出初始化电压Vinit[out](下文中称为"经补偿的初始化电压")，其 可以施加到面板440。比较器开关511可以打开或关闭比较器510，以便有选择地输出电压差 △ V或电源电压ELVDD[n],电源电压ELVDD[n]可以由电压降IR Drop降 低。电源电压ELVDD[n]可以来自于面板440。电压开关521可以打开或关闭电平转移电路520，以便有选择地输出经 补偿的数据电压DataR，G,B[out]或所施加的数据电压DataR,G，B,经补偿的 数据电压DataR,G,B[out]可以通过用一等于电压差AV的电压来补偿数据电 压DataR,G,B来产生。经补偿的数据电压DataR，G,B[out]可以施加到面板 440。初始化开关531可以打开或关闭初始化电平转移电-各530，以1更有选择 地输出经补偿的初始化电压Vinit[out]或所施加的初始化电压Vinit，经补偿 的初始化电压Vinit[out]可以通过用一等于电压差AV的电压来补偿初始化 电压Vinit以产生。经补偿的初始化电压Vinit[out]可以施加到面板440。当有噪声出现在电源电压ELVDD中时，电压差保持器540可以通过保 持电压差AV的平均值来输出恒定的电压。此外，在各个面板亮度差异不大 的情况下，电压差保持器540可以在初始检测到电压差AV值之后，保持电 压差AV值。结果，电压差保持器540可以向所有面板440施加电压差AV 值。检测补偿设备500可以安装在基板测试设备中，以通过采用单独的设备 来测试基板。或者，检测补偿设备500可以与面板440 —样集成到相同的基 板上，而且也可以不使用单独的设备来测试基板。此外，检测补偿设备500补偿设备500产生的亮度差。例如，如果像素电路441中没有电压降IRDrop (如图3所示)，那么有机发光显示器可以被提供有电流IOLED,该电流可以对应于电容元件Cl中充入的电压，例如驱动晶体管Ml的栅-源极电压VGS。电流I^ed可以如下二 7 (^GS - 「T7f ) = j (^GS - I I) = j (^DZ) - ^D扁—| ^7/ |) 其中，VTH可以是第一驱动晶体管的阈值电压，VoATA可以是数据电压，VDD可以是由电源电压线路ELVDD提供的电源电压，而P可以是常数。如果有电压降IR Drop,那么由经检测补偿设备500补偿的电压来驱动 的像素电路441的Ioled可以如下=i (^dd _ ^a4" - I^W I)其中，Vddw可以是由电压降IR Drop降低的电源电压ELVDD[n], VDATA[。ut] 可以是经补偿的数据电压DataR，G,B[out],数据电压DataR,G,B[out]可以通 过用 一等于由电压降IR Drop降低的电压差△ V的电压来补偿数据电压以产 生。换句话说，如果数据电压用一等于电压差AV的电压来补偿(当电源电 压ELVDD下降了电压差AV时)，那么有可能获得与没有电压降IR Drop 时相同的电流I0LED。经补偿的数据电压DataR,G,B[out]可以是补偿所有的红 数据电压、绿数据电压和蓝数据电压的数据电压。此外，如果初始化电压 Vinit用一等于电压差AV的电压来补偿(当一向面板440施加初始化电压 Vinit(如图3所示)，电源电压ELVDD就下降了电压差AV时)，那么有 可能向电容元件CI施加与没有电压降IR Drop时相同的电流。结果，有可 能同等地初始化每个面板440的电容元件Cl。换句话说，检测补偿设备500 可以减少测量每个面板440的亮度所需要的大量时间，从而分别控制和补偿 数据电压DataR,G,B和初始化电压Vinit ，以补偿每个面板440的亮度。图5是根据示范性实施例的基板测试方法的流程图。参见图5，基板测 试方法可以包括检测电源电压S710,检测下降的电源电压S720,比4交电源 电压与下降的电源电压并输出S730，补偿电压S740,以及向面板施加经补 偿的电压S750。检测电源电压S710,可以是在检测补偿设备500的比较器510中检测 没有电压降IR Drop情况下的电源电压(如图4所示)。检测下降的电源电压S720，可以是在检测补偿设备500的比较器510 中检测下降的电源电压，该下降的电源电压即施加到任何面板440并由电压 降IR Drop降低的电源电压。比较电源电压与下降的电源电压并输出S730,可以是在检测补偿设备 500的比4交器510中比较电源电压和下降的电源电压，并输出这两个电压之 间的电压差AV。该电压差AV可以等于由电压降IR Drop降低的电压。此 外，比较电源电压与下降的电源电压并输出S730,可以选择性地输出这两 个电压之间的电压差或下降的电源电压，下降的电源电压可以由电压降IR Drop降低并可以通过开、关比较器501从面板提供。此外，当电源电压出 现噪声时，通过保持电压差AV的平均值有可能输出恒定的电压。进一步地， 在各个面板440亮度差异不大的情况下，有可能在初始检测到电压差值AV 之后保持电压差值△ V ，并将电压差值△ V施加到所有的面板440 。补偿电压S740，可以包括补偿数据电压S741和/或补偿初始化电压 S742。补偿数据电压S741可以包括输出经补偿的数据电压，该经补偿的数 据电压可以通过用一等于从比较器510输出的电压差的电压来补偿施加到 面板440上的数据电压来产生，该电压差即S730中比较电源电源和下降的 电源电压的输出(或施加到面板400上的所施加的数据电压)。经补偿的数 据电压可以施加到面板400。此外，补偿初始化电压S742，可以输出经补偿 的初始化电压，其可以通过用一等于从比较器510输出的电压差AV的电压 补偿施加到面板400上的初始化电压Vinit，并用在S730中下降的电源电压 补偿电源电压输出来产生。进一步地，有可能向所施加的初始化电压Vinit 输出经补偿的初始化电压，并因此向面板400施加该电压。在向面板施加经补偿的电压S750时，经补偿的数据电压和经补偿的初 始化电压(其可以在S740中被补偿)可以施加到各个面板440。结果，各 个面板440可以用相同的亮度发光。如上所述，根据示范性实施例的基板测试设备及其方法具有有益效果， 例如，不用测量面板的亮度就可以由检测补偿设备执行亮度的测量和补偿。另一有益效果是，当构成面板的电路布线变化时(或面板尺寸改变时)， 可以不用重复地测量亮度就可以由检测补偿设备执行亮度的测量和补偿。另一有益效果是，有可能由集成到基板的检测补偿设备而不是诸如基板 测试设备之类的用于测试面板的单独设备来测试基板。有机发光元件的示例图6是有机发光元件200的概念视图。参见图6，有机发光元件200可 以包括阳极210、阴极230和有机层220。阳极210可以是透明电极，例如 氧化铟锡(ITO )。阴极230可以是不透明电极，例如金属电极。有机层220 可以包括可以通过电子和空穴的复合来发光的发光层(EML) 221，可以传 输电子的电子传输层(ETL) 222，以及可以传输空穴的空穴传输层(HTL) 223。进一步，可以注入电子的电子注入层(EIL) 224可以形成在电子传输 层ETL 222的一侧上，而可以注入空穴的空穴注入层(HIL) 225可以形成 在空穴传输层HTL 223的一侧上。在另一示范性实施例中，即，在磷光有机发光元件的情况下，空穴阻挡 层(HBL)(未示出)可以有选择地形成在发光层EML 221与电子传输层 ETL222之间，而电子阻挡层(EBL)(未示出)可以有选择地形成在发光 层EML 221与空穴传输层HTL 223之间。进一步地，有机层可以通过将两种层合并成单个层来形成为超薄有机发 光显示器，从而减小厚度。例如，有可能通过同时形成空穴注入层HIL225 和空穴传输层HTL 223,来选择性地形成空穴注入传输层(HITL)(未示 出)，或者通过同时形成电子注入层EIL224和电子传输层ETL222来选裤， 性形成电子注入传输层(EITL)(未示出)。超薄有机发光显示器可以用于 提高发光效率。緩冲层(未示出)可以任意地形成在阳极210、发光层EML221和阴极 230之间。緩沖层可以分为用于缓沖电子的电子緩冲层(EBL)和用于緩沖空穴的空穴緩冲层(HBL) 。 EBL可以选择性地形成在阴极230和电子注入 层(EIL) 224之间，并可以替代电子注入层EIL224。结果，有机层的层叠 结构可以是EML/ETL/EBL/阴极。此外，HBL可以选择性地形成在阳极210 与空穴注入层HIL 225之间，并可以替代HIL 225。结果，有机层的层叠结 构可以是阳极/HBL/HTL/EML.应该理解可以采用其它可能的层叠结构。例如，层叠的结构可以是正常 的层叠结构、正常的超薄结构、倒转的层叠结构和倒转的超薄结构。在正常的层叠结构中，结构可以是(a)阳极/空穴注入层/空穴传输层 /发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；(b)阳极/空穴緩沖层/空穴注入层/ 空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；(c)阳极/空穴注入层/ 空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/电子緩冲层/阴极；(d)阳极/ 空穴緩冲层/空穴注入层Z空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/电子 緩冲层/阴极；(e)阳极/空穴注入层/空穴緩冲层/空穴传输层/发光层/电子传 输层/电子注入层/阴*1;和/或(f)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电 子传输层/电子緩冲层/电子注入层/阴极。在正常的超薄结构中，结构可以是(a)阳极/空穴注入传输层/发光层 /电子传输层/电子注入层/阴极；(b)阳极/空穴緩冲层/空穴注入传输层/发 光层/电子传输层/电子注入层/阴极；(c)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光 层/电子注入传输层/电子緩冲层/阴极；(d)阳极/空穴緩冲层/空穴传输层/ 发光层/电子注入传输层/电子緩冲层/阴极；(e)阳极/空穴注入传输层/空穴 緩冲层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；和/或(f)阳极/空穴注入层/ 空穴传输层/发光层/电子緩沖层/电子注入传输层/阴极。在倒转的层叠结构中，结构可以是(a)阴极/电子注入层/电子传输层 /发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极；(b)阴极/电子注入层/电子传输层/ 发光层/空穴传输层/空穴注入层/空穴緩冲层/阳极；(c)阴极/电子緩冲层/ 电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极；(d)阴极/ 电子緩沖层/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴緩冲层/阳极；(e)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴緩沖层/空穴注入 层/阳极；和/或(f)阴极/电子注入层/电子緩冲层/电子传输层/发光层/空穴 传输层/空穴注入层/阳极。在倒转的超薄结构中，结构可以是(a)阴极/电子注入层/电子传输层 /发光层/空穴注入传输层/阳极；(b)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/ 空穴注入传输层/空穴緩冲层/阳极；(c)阴极/电子緩冲层/电子注入传输层/ 发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极；(d)阴极/电子缓冲层/电子注入传输 层/发光层/空穴传输层/空穴緩冲层/阳极；(e)阴极/电子注入层/电子传输层 /发光层/空穴緩沖层/空穴注入传输层/阳极；和/或(f)阴极/电子注入传输层 /电子緩沖层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极。方法具有的有益效果，例如是，由于阳极与阴极相交来选择和驱动线路，所 以制造方法筒单并且投资成本更少。不过，无源矩阵方法当具体实现在宽屏 幕格式中时，电流消耗多。有源矩阵方法具有的有益效果，例如是，低电流 消耗、卓越的图像质量、长的使用寿命以及通过每个像素都使用诸如薄膜晶 体管(TFT)和电容元件之类的有源元件在大中型产品中的应用。在有源矩阵方法，有机发光显示器的像素电路的结构和TFT是操作中 的重要因素。在有源矩阵方法，TFT可以被晶化。 一种用于晶化TFT的方 法可以包括下列方法中的至少之一(a)使用受激准分子激光器的激光结 晶方法，其例如可以结晶多晶硅；(b)使用金属活性材料的金属诱导结晶 方法(MIC)法；(c)固态结晶方法。此外，还可以有高压退火(HPA) 方法，其可以在高温和潮湿的环境下进行结晶。进一步地，可以使用顺序侧 向凝固(SLS)法，其除了现有的激光结晶方法之外还可以使用掩模。另一方法可以是晶粒方法，其可以结晶成具有非晶硅(a-Si)和多晶硅 之间的晶粒尺寸的微硅，还可以包括热结晶法和激光结晶法。微硅通常指的 是晶粒尺寸小于多晶硅的硅，例如大约1纳米-100纳米。进一步地，微硅可 以具有大约1-50的电子迁移率和大约0.01-0.2的空穴迁移率。此外，微硅的晶粒之间的突起区域小于多晶硅的晶粒之间的突起区域，因此，晶粒之间 的电子移动不会受阻，从而展现了均一的特性。热结晶法可以结晶成微硅，可以利用非晶硅(a-Si)沉积和再热法的同时获得结晶结构。激光结晶法可以结晶成微硅，可以在例如通过化学汽相沉积法沉积非晶硅(a-Si)之后使用激光，例如二极管激光器。激光可以使用大约800纳米 范围的红波长，借此，红波长可以使得微硅均匀结晶。激光结晶法可以结晶成多晶硅，是结晶方法中最有效的方法，从而将 TFT结晶成多晶硅。应该理解，使用多晶硅液晶显示器的现有结晶法可以提 供简单且完整的过程。MIC方法可以结晶成多晶硅，可以不使用激光结晶法就在低温下结晶。 MIC方法具有的有益效果是，例如但不限于Ni、 Co、 Pd和/或Ti的金属活 性材料可以首先沉积或旋涂在非晶硅(a-Si)的表面上，然后金属活性材料 可以直接渗透到非晶硅(a-Si)的表面。这使得可以在低温下结晶非晶硅 (a-Si)同时改变它的相。当将金属层应用到非晶硅(a-Si)的表面上时，MIC方法可以使用掩模， 从而可以进一步避免例如硅化镍这样的杂质沉积在TFT的特定区域上。这 种结晶方法可以称为金属诱导侧向结晶(MILC)方法。用于MILC方法的 掩模可以是荫罩板，其中荫罩板可以例如是线状掩模或点状掩模。另一方法可以是具有保护层的金属诱导结晶(MICC)法，其可以在沉 积或旋涂金属活性材料层之前在非晶硅(a-Si)表面上施加保护层。MICC 法可以控制诱导入非晶硅(a-Si)的金属活性材料的量。应该理解，保护层 可以是氮化硅层。从金属活性材料层进入非晶硅(a-Si)的金属活性材料的 量，可以根据氮化硅层的厚度来变化。也就是说，进入氮化硅层的金属活性 材料可以形成在整个氮化硅层上，或者可以选择性地通过荫罩板形成。在金 属活性材料层将非晶硅(a-Si)结晶成多晶硅之后，可以选择性地移除保护 层。用于移除保护层的方法可以包括湿蚀刻法或干蚀刻法。此外，在形成多晶硅之后，可以形成片册极绝》彖层，并且在栅极绝缘层形成栅电极。绝缘中间 层可以形成在栅电极上。在绝缘中间层上形成通孔之后，可以通过通孔向晶 化的多晶硅上注入杂质，另外移除内部的金属活性材料杂质(这可以称为吸 杂过程)。在吸杂过程中，可以有注入杂质的过程以及在低温下加热TFT的加热过程。吸杂过程可以具体实现优质的TFT。这里已经公开了本发明的示范性实施例，尽管采用了具体概念，但是它 们仅是以通用的和描述性的意义来使用和解释，并且不用于限制目的。因此， 本领域的普通技术人员应该理解，可以在不偏离以下权利要求所提出的本发 明的精神和范围的情况下做出各种形式上和细节上的修改。
权利要求
1、一种基板测试设备，包括比较器，其适于将由电源电压线提供的电源电压与由电源电压检测线检测到的下降的电源电压进行比较，并适于输出电压差；和电平转移电路，其适于用一高至与从所述比较器输出的电压差相等量的电压来补偿数据电压，并适于将该数据电压提供给显示面板。
2. 如权利要求1所述的基板测试设备，进一步包括初始化电平转移电路， 其适于用一高至与从所述比较器输出的电压差相等量的电压来补偿初始化电 压，并适于将该初始化电压提供给该显示面板。
3. 如权利要求2所述的基板测试设备，其中，所述初始化电压是被传递给 所述显示面板的像素电路的电压。
4. 如权利要求2所述的基板测试设备，其中，所述显示面板与所述电源电 压、所述初始化电压和所述凄t据电压电连接。
5. 如权利要求1所述的基板测试设备，其中，所述电源电压检测线与所述 显示面板的电源电压线电连接。
6. 如权利要求1所述的基板测试设备，其中，所述数据电压是被传递给所 述显示面板的像素电路的电压。
7. 如权利要求1所述的基板测试设备，进一步包括一基板，其上以矩阵形 式排列有多个显示面板。
8. 如权利要求7所述的基板测试设备，其中，所述比较器、所述电平转移 电路和所述初始化电平转移电路集成到所述基板中。
9. 如权利要求4所述的基板测试设备，其中，所述数据电压是红数据电压、 绿数据电压和蓝数据电压。
10. 如权利要求1所述的基板测试设备，进一步包括用于对所述比较器进 行切换的比较器开关。
11. 如权利要求1所述的基板测试设备，进一步包括用于对所述电平转移电路进行切换的电压开关。
12、 如权利要求2所述的基板测试设备，进一步包括用于对所述初始化电 平转移电路进行切换的初始化开关。
13、 如权利要求1所述的基板测试设备，包括用于保持从所述比较器输出的电压的电压差保持器。
14、 一种基板测试方法，包括 检测基板的电源电压；检测所述基板的下降的电源电压；将所述电源电压与所述下降的电源电压进行比较并输出；以及 用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿数据电压。
15、 如权利要求14所述的方法，其中，所述将所述电源电压与所述下降的 电源电压进行比较并输出的步骤，包括将所述电源电压与所述下降的电源电压 进行比4交，并输出电压差。
16、 如权利要求14所述的方法，进一步包括用一高至与所述输出电压相等 量的电压来补偿初始化电压。
17、 如权利要求14所述的方法，其中，所述补偿数据电压的步骤，包括补 偿所有的红数据电压、绿数据电压和蓝数据电压。
18、 如权利要求14所述的方法，其中，所述用一高至与所述输出电压相等 量的电压来补偿数据电压的步骤，包括输出经补偿的凄t据电压，该经补偿的数 据电压通过在电平转移电路中向下转移所述电源电压与所述下降的电源电压之 间的电压差来产生。
19、 如权利要求14所述的方法，进一步包括在用一高至与所述输出电压 相等量的电压来补偿数据电压之后，切换所述比较器。
20、 如权利要求14所述的方法，进一步包括在用一高至与所述输出电压 相等量的电压来补偿数据电压之后，切换所述电平转移电路。
21、 如权利要求16所述的方法，进一步包括在用一高至与所述输出电压 相等量的电压来补偿ll据电压之后，切换所述初始化电平转移电if各。
22、 如权利要求16所述的方法，其中，所述用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿初始化电压的步骤，包括输出经补偿的初始化电压，该经补偿 的初始化电压通过在初始化电平转移电路中向下转移所述电源电压与所述下降 的电源电压之间的电压差来产生。
23、 如权利要求14所述的方法，进一步包括比较所述电源电压与所述下 降的电源电压，并保持电压差，以在用一高至与所述输出电压相等量的电压来 补偿所述数据电压之后，输出恒定的电压。
24、 如权利要求14所述的方法，进一步包括在用一高至与所述输出电压 相等量的电压来补偿所述数据电压之后，向面板施加经补偿的数据电压。
全文摘要
示范性实施例涉及基板测试设备，该设备具有比较器和电平转移电路，比较器适于将由电源电压线提供的电源电压与由电源电压检测线检测到的下降的电源电压进行比较，并适于输出电压差；电平转移电路适于用一高至与从所述比较器输出的电压差相等量的电压来补偿数据电压，并适于将数据电压提供给显示面板。
文档编号G09G3/00GK101226712SQ20071019477
公开日2008年7月23日 申请日期2007年12月6日 优先权日2007年1月15日
发明者郭源奎 申请人:三星Sdi株式会社
基板测试设备及方法技术领域示范性实施例涉及基板测试设备及方法。
技术背景一般而言，在单个基板上形成多个有机发光二极管(OLED)显示器的 面板后，这些面板可能被划分到各个有机发光显示器中。为了缩短测试时间， 例如缩短用于确定形成于基板上的有机发光显示器是否可能有瑕疯的测试 的时间，需要对基板进行刻划(scribe)。图7示出常规有机发光显示器的基板的视图。参见图7，常规基板100可以被提供有多个有机发光显示面板110 (下 文中称为"显示面板")。基板100可以被供以第一电源电压ELVDD和第 二电源电压ELVSS。基板100还可以被提供有发光控制信号Em和数据信号 DataR，G，B (未示出)。数据信号DataR,G，B和发光控制信号EM可以被提 供给形成于各个显示面板110上的驱动器(未示出)。被提供有数据信号 DataR,G,B的数据驱动器可以依次将数据信号DataR,G,B提供给显示面板 110。被提供有发光控制信号Em的发光控制驱动器可以依次将发光控制信 号Em提供给显示面板110。然后，形成在各个显示面板IIO上的OLED可 以显示与数据信号DataR,G,B对应的预定图像。可以执行用于确定每个显示面板110在亮度、颜色坐标和色温上是否有 瑕疯的测试。也就是说，可以针对在对基板100上的每个显示面板IIO施加 相同的数据信号DataR,G,B后，其亮度、颜色坐标和色温特性是否相同，来 测试每个显示面板110，例如，可以由用于各个显示面板110的测试i殳备来 测量各个显示面板110的亮度、颜色坐标和色温。然而，这可能会导致出现一个问题，即，可能需要相当长的时间来测量各个显示面板110的亮度、颜 色坐标和色温，并将各个显示面板110的亮度、颜色坐标和色温补偿到一致。 另一问题可能是如果构成显示面板110的电路配线发生变化或者显示面板 110的尺寸发生变化，那么测试设备也应该变化(或者应该执行新的测试)。 此外，因为每个显示面板110可能被独立测试，所以测试时间增加，这可能 导致制造成本增加和测试效率降低。发明内容因此，示范性实施例针对一种基板测试设备，其基本上克服了由于相关 技术的局限和缺点所带来的 一个或多个问题。因此，示范性实施例的一个特征在于提供一种基板测试设备及方法，其 可以不用测量每个显示面板的亮度就可以由检测补偿设备来测量和补偿亮 度。因此，示范性实施例的另一特征在于提供一种基板测试设备及方法，即 使在构成有机发光显示面板的电路配线发生变化或者有机发光显示面板的 尺寸发生变化时，其仍可以不用测量亮度就可以由检测补偿设备测量和补偿 亮度。因此，示范性实施例的又一特征在于提供一种基板测试设备及方法，其 可以允许由集成到基板的检测补偿设备，而不是由诸如用于测试有机发光显 示面板的设备之类的独立设备来测试基板。示范性实施例的上述和其它特征和优点的至少之一 可以通过提供基板测试设备来实现，其中，该基板测试设备具有比较器，其适于将由电源电 压线提供的电源电压与由电源电压检测线检测到的下降的电源电压进行比 较，并适于输出电压差；和电平转移电路，其适于用一高至与从所述比较器输 出的电压差相等量的电压来补偿数据电压，并适于将该数据电压提供给一显示 面板。所述的基板测试设备可包括初始化电平转移电路，其适于用一高至与从所述比较器输出的电压差相等量的电压来补偿初始化电压，并适于将该初始化电 压提供给该显示面板。所述初始化电压可以是被传递给所述显示面板的〗象素电 路的电压。所述数据电压可以是被传递给所述显示面板的像素电路的电压。所述显示面板可与所述电源电压、初始化电压和数据电压电连接。所述电 源电压检测线可与所述显示面板的电源电压线电连接。所述基板测试设备可包括一基板，上以矩阵形式排列有多个显示面板。所 述比较器、所述电平转移电路和所述初始化电平转移电路可集成到所述基板中。所述数据电压可以是红数据电压、绿数据电压和蓝数据电压。所述基板测试设备可包括用于对所述比较器进行切换的比较器开关。所述基板测试设备可包括用于对所述初始化电平转移电路进行切换的初始 化开关。器。示范性实施例的上述和其它特征和优点的至少之一可以通过提供基板测试方法来实现，该方法包括检测基板的电源电压；检测所述基板的下降的 电源电压；将所述电源电压与所述下降的电源电压进行比较并输出；以及用一 高至与所述输出电压相等量的电压来补偿数据电压。所述方法可包括将所述电源电压与所述下降的电源电压进行比较，并输出 电压差。所述方法可包括用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿初始化电 压。所述补偿数据电压的步骤可包括补偿所有的红数据电压、绿数据电压和蓝 数据电压。所述用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿数据电压的步骤， 包括输出经补偿的数据电压，该经补偿的数据电压通过在电平转移电路中向下 转移所述电源电压与所述下降的电源电压之间的电压差来产生。所述方法可包括在用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿数据电压 之后，切换所述比较器。所述方法可包括在用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿数据电压 之后，切换所述电平转移电路。所述方法可包括在用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿数据电压 之后，切换所述初始化电平转移电路。所述方法可包括输出经补偿的初始化电压，该经补偿的初始化电压通过在 初始化电平转移电路中向下转移所述电源电压与所述下降的电源电压之间的电 压差来产生。所述方法可包括比较所述电源电压与所述下降的电源电压，并保持电压差， 以在用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿所述数据电压之后，输出恒 定的电压。所述方法可包括在用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿所述数据 电压之后，向面板施加经补偿的数据电压。
通过参考附图详细描述示范性实施例，本领域普通技术人员将更加清楚示范性实施例的以上和其它特征和优点，其中图1是根据示范性实施例的基板测试设备的框图；图2是根据示范性实施例的有机发光显示器的框图；图3是有机发光显示器的像素电路的电路图；图4是根据示范性实施例的基板测试设备的检测补偿设备的框图；图5是根据示范性实施例的基板测试方法的流程图；图6是有机发光元件的概念视图；并且图7是用于常规有机发光显示器的基板的视图。
具体实施方式
2007年1月15日递交到韩国知识产权局、标题为"基板测试设备及方 法"的韩国专利申请No.l0-2007-0004432，通过引用被整体合并于此。现在，参考附图在下文更加充分地描述示范性实施例。不过，本发明可 以以不同的形式实现，并不应该被解释为局限于这里所提出的实施例。相反， 提供这些示范性实施例是为了公开得更加全面和充分，并完整地将本发明的 范围传达给本领域的技术人员。贯穿全文，相似的附图标记始终表示相似的 元件。图1是根据示范性实施例的基板测试设备1000的框图。如图1所示，基板测试设备1000可以包括检测补偿(DC )设备500和 有机发光显示器400,有机发光显示器400包括有机发光显示面板440 (以 下称为"面板")。面板440可以以矩阵形式布置在基板上。检测补偿(DC )设备500可以设置成左边一列DC1_1至DCn—1和右边 一列DC1_2至DCn—2。第一左检测补偿设备DC1_1可以接收第一左电源电 压ELVDD[1J]、初始化电压Vinit和数据电压DataR,G,B。第一左检测补偿 设备DC 1—1可以进一步产生第 一左初始化电压Vinit[ 1J]和第 一左数据电压 DataR,G,B[1—1 ]。如以下参考图4所描述的那样，第 一左4企测补偿设备DC 1_1 至第n左检测补偿设备DCn—1以及第一右检测补偿设备DC1—2至第n右检 测补偿设备DCn_2可以具有相同的结构。如果电源电压ELVDD下降一电压差(AV)，那么检测补偿设备500 可以通过用一等于电压差(AV)的电压来补偿数据电压DataR，G,B，以避 免和/或减少由于电压降(IR—Drop)造成的亮度降低。进一步地，如果一施 加初始化电压Vinit,电源电压ELVDD就下降该电压差AV，那么检测补偿 设备500可以通过用一等于该电压差(AV)的电压来补偿初始化电压Vinit， 以同等地初始化电容元件(CI)的电压。换句话说，才企测补偿设备500可以 减少测量每个面板440亮度所需的大量时间，并可以分别控制和补偿数据电 压DataR,G,B和初始化电压Vinit,以补偿每个面板440的亮度。此外，检 测补偿设备500可以安装在基板测试设备1000内，也可以通过利用单独的 设备来测试基板。或者，检测补偿设备500可与面板440 —样集成到相同的 基板上，并可以不使用单独的设备来测试基板。进一步地，检测补偿设备500不能单独地测量和补偿由每个面板440的电压降IR Drop产生的亮度差， 但是可以测量和补偿由检测补偿设备500产生的亮度差。有机发光显示器400可以接收检测补偿的输出信号，例如，左初始化电 压Vinit[1—1]， Vinit[2—1],…，Vinit[n_l],右初始化电压Vinit[1—2]， Vinit[2_2],…，Vinit[n—2],左数据电压DataR，G,B[l_l], DataR，G，B[2—1],…， DataR,G,B[n—1〗，以及右数据电压DataR,G，B[1—2], DataR，G，B[2—2], DataR,G，B[n—2]，以便可以补偿亮度。结果，面板440可以发出具有相同亮 度的光。进一步地，电源电压ELVDD可以在两端(例如上端和下端)同时 施加。这可以降低因常规电源电压ELVDD仅在上端施加而使最上端面板和 最下端面板之间出现的亮度差(电压差IRDrop所致)。图2是根据示范性实施例的有机发光显示器400的框图。参见图2，有机发光显示器400可以包括扫描驱动器410、数据驱动器 420、发光控制驱动器430和面板440。扫描驱动器410可以通过多条扫描线Scan[l], Scan[2],…，Scan[n]依 次向面板440提供扫描信号。数据驱动器420可以通过多条数据线DataR，G,B[1], DataR,G,B[2]，...， DataR,G，B[m]依次向面板440提供数据信号。发光控制驱动器430可以通过多条发光控制线Em[l], Em[2], ...， Em[n] 依次向面板440提供发光控制信号。进一步地，发光控制驱动器430可以控 制发光控制信号的脉冲宽度，并可以控制在一个区域发生的发光控制信号的 脉冲数量。与发光控制线Em[l], Em[2]， ...， Em[n]相连的像素电路441 (如 图3所示)可以接收发光控制信号，并可以确定允许像素电路441产生的电 流流向发光元件的时间。于是，面板440可以包括NxM个^f象素电路441。进一步，面板440可以包括扫描线Scan[l]， Scan[2], Scan[n]和发 光控制线Em[l]， Em[2]，…,Em[n],它们可以沿列的方向排列。扫描线 Scan[l]， Scan[2]，…，Scan[n]和发光控制线Em[l]， Em[2],…，Em[n]可 以进一步包括沿行方向排列的数据线DataR,G,B[l]， DataR,G,B[2],...，DataR,G，B[m],和由扫描线Scan[l] ， Scan[2],…，Scan[n],数据线 DataR,G，B[l], DataR,G,B[2],DataR,G,B[m]以及发光控制线Em[l], Em[2]， ...， Em[n]限定的像素电路441。在示范性实施例中，像素可以形成在像素区域上，其可以由相邻两条扫 描线Scan (或发光控制线Em)以及相邻两条数据线DataR,G,B限定。进一 步地，扫描线Scan[l]， Scan[2],…，Scan[n]可以被提供有来自扫描驱动器 410的扫描信号，而凄史据线DataR,G,B[l], DataR,G,B[2]，…，DataR，G，B[m] 可以被提供有来自数据驱动器420的数据信号，而发光控制线Em[l]， Em[2]， ...， Em[n]可以被提供有来自发光控制驱动器430的发光控制信号。返回参见图1,在生产出产品之前，可以就有机发光显示器400的老化 和图像质量评估进行测试。老化处理可以避免和/或减少用户所作的用以抬r 测缺陷的初始检验，并可以在此后立即测试产品的可靠性。进一步，老化处 理可以包括用于老化晶体管的晶体管(TR)老化、用于老化OLED的正向 老化和反相老化。正向老化可以向OLED施加正向电流，而反相老化可以通 过向OLED施加反相电流改善服务寿命和效率。图像质量的评估可以通过向基板施加同一数据电压来测试面板440中 是否存在缺陷。图像质量的评估可以包括用于测试亮度、颜色坐标和色温方 面是否存在缺陷的方法。进一步，例如，该方法可以通过在向基板的每个面 板440施加相同的凄t据电压之后，控制施加到每个面板440上的数据电压然 后用测量设备测量亮度，来使每个面板440具有相同的亮度。进一步，例如， 该方法可以通过在向基板的每个面板440施加相同的数据电压之后，用照相 设备来测量颜色坐标和色温，来用补偿设备使颜色坐标和色温达到相同的颜 色坐标和色温。可以在完成老化程序之后执行图像质量的评估。进一步，在可以向 OLED施加正向电流以充足时间的正向老化中，可以提高每个面板440的电 压降IR Drop。图3示出用于驱动有机发光显示器400的N x M个像素电路中的像素电路441。参见图3，驱动晶体管Ml可以与第二开关元件S2相连，并可以向 OLED提供用于发光的驱动电流。通过第一开关元件Sl施加的数据电压可 以控制驱动晶体管M1的电流量。用于将所施加的数据电流维持一特定时间 段的电容元件Cl可以连接在驱动晶体管Ml的源极和槺极之间。第一开关 元件Sl的第一电极可以与数据线Data[m]相连，而控制电极可以与扫描线 Scan[n]相连。第二开关元件S2可以通过发光控制信号将驱动晶体管Ml提 供的电流传递到OLED。第三开关元件S3可以与前一扫描线Scan[n-l]相连， 并可以将电容元件Cl的存储电压初始化为初始化电压Vinit。在操作具有上述结构的像素电路441时，如果第一开关元件Sl由施加 到第一开关元件S1的控制电极的扫描信号导通时，那么数据电压可以从数 据线Data[m]施加到驱动晶体管Ml的控制电极。然后，相应于由电容元件 C1在栅极和源极之间充入的电压VGS,驱动电流IOLED可以流过驱动晶体管 Ml的漏极。此外，如果第二开关元件S2由发光控制信号导通，那么OLED 可以被提供有驱动电流I0LED,并可以发光。图4是根据示范性实施例的基板测试设备1000的检测补偿设备500的 框图。参见图4，检测补偿设备500可以包括比较器510、电平转移电路520、 初始化电平转移电路530、比较器开关511、电压开关521、初始化开关531 和电压差保持器540。比较器510可以产生电源电压ELVDD与电源电压ELVDD[n]之间的电 压差△ V，电源电压ELVDD[n]可以由电压降IR Drop来降低，并从面板440 提供。电平转移电路520可以接收数据电压DataR,G,B和电压差AV。电平转 移电路520可以进一步用一等于电压差AV的电压来补偿数据电压 DataR,G,B,以输出数据电压DataR,G,B[out](下文中称为"经补偿的数据电 压，，)，其可以施加到面4反440。初始化电平转移电路530可以接收初始化电压Vinit和电压差AV。初始化电平转移电路530可以用 一等于电压差的电压来补偿初始化电压Vinit， 以输出初始化电压Vinit[out](下文中称为"经补偿的初始化电压")，其 可以施加到面板440。比较器开关511可以打开或关闭比较器510，以便有选择地输出电压差 △ V或电源电压ELVDD[n],电源电压ELVDD[n]可以由电压降IR Drop降 低。电源电压ELVDD[n]可以来自于面板440。电压开关521可以打开或关闭电平转移电路520，以便有选择地输出经 补偿的数据电压DataR，G,B[out]或所施加的数据电压DataR,G，B,经补偿的 数据电压DataR,G,B[out]可以通过用一等于电压差AV的电压来补偿数据电 压DataR,G,B来产生。经补偿的数据电压DataR，G,B[out]可以施加到面板 440。初始化开关531可以打开或关闭初始化电平转移电-各530，以1更有选择 地输出经补偿的初始化电压Vinit[out]或所施加的初始化电压Vinit，经补偿 的初始化电压Vinit[out]可以通过用一等于电压差AV的电压来补偿初始化 电压Vinit以产生。经补偿的初始化电压Vinit[out]可以施加到面板440。当有噪声出现在电源电压ELVDD中时，电压差保持器540可以通过保 持电压差AV的平均值来输出恒定的电压。此外，在各个面板亮度差异不大 的情况下，电压差保持器540可以在初始检测到电压差AV值之后，保持电 压差AV值。结果，电压差保持器540可以向所有面板440施加电压差AV 值。检测补偿设备500可以安装在基板测试设备中，以通过采用单独的设备 来测试基板。或者，检测补偿设备500可以与面板440 —样集成到相同的基 板上，而且也可以不使用单独的设备来测试基板。此外，检测补偿设备500补偿设备500产生的亮度差。例如，如果像素电路441中没有电压降IRDrop (如图3所示)，那么有机发光显示器可以被提供有电流IOLED,该电流可以对应于电容元件Cl中充入的电压，例如驱动晶体管Ml的栅-源极电压VGS。电流I^ed可以如下二 7 (^GS - 「T7f ) = j (^GS - I I) = j (^DZ) - ^D扁—| ^7/ |) 其中，VTH可以是第一驱动晶体管的阈值电压，VoATA可以是数据电压，VDD可以是由电源电压线路ELVDD提供的电源电压，而P可以是常数。如果有电压降IR Drop,那么由经检测补偿设备500补偿的电压来驱动 的像素电路441的Ioled可以如下=i (^dd _ ^a4" - I^W I)其中，Vddw可以是由电压降IR Drop降低的电源电压ELVDD[n], VDATA[。ut] 可以是经补偿的数据电压DataR，G,B[out],数据电压DataR,G,B[out]可以通 过用 一等于由电压降IR Drop降低的电压差△ V的电压来补偿数据电压以产 生。换句话说，如果数据电压用一等于电压差AV的电压来补偿(当电源电 压ELVDD下降了电压差AV时)，那么有可能获得与没有电压降IR Drop 时相同的电流I0LED。经补偿的数据电压DataR,G,B[out]可以是补偿所有的红 数据电压、绿数据电压和蓝数据电压的数据电压。此外，如果初始化电压 Vinit用一等于电压差AV的电压来补偿(当一向面板440施加初始化电压 Vinit(如图3所示)，电源电压ELVDD就下降了电压差AV时)，那么有 可能向电容元件CI施加与没有电压降IR Drop时相同的电流。结果，有可 能同等地初始化每个面板440的电容元件Cl。换句话说，检测补偿设备500 可以减少测量每个面板440的亮度所需要的大量时间，从而分别控制和补偿 数据电压DataR,G,B和初始化电压Vinit ，以补偿每个面板440的亮度。图5是根据示范性实施例的基板测试方法的流程图。参见图5，基板测 试方法可以包括检测电源电压S710,检测下降的电源电压S720,比4交电源 电压与下降的电源电压并输出S730，补偿电压S740,以及向面板施加经补 偿的电压S750。检测电源电压S710,可以是在检测补偿设备500的比较器510中检测 没有电压降IR Drop情况下的电源电压(如图4所示)。检测下降的电源电压S720，可以是在检测补偿设备500的比较器510 中检测下降的电源电压，该下降的电源电压即施加到任何面板440并由电压 降IR Drop降低的电源电压。比较电源电压与下降的电源电压并输出S730,可以是在检测补偿设备 500的比4交器510中比较电源电压和下降的电源电压，并输出这两个电压之 间的电压差AV。该电压差AV可以等于由电压降IR Drop降低的电压。此 外，比较电源电压与下降的电源电压并输出S730,可以选择性地输出这两 个电压之间的电压差或下降的电源电压，下降的电源电压可以由电压降IR Drop降低并可以通过开、关比较器501从面板提供。此外，当电源电压出 现噪声时，通过保持电压差AV的平均值有可能输出恒定的电压。进一步地， 在各个面板440亮度差异不大的情况下，有可能在初始检测到电压差值AV 之后保持电压差值△ V ，并将电压差值△ V施加到所有的面板440 。补偿电压S740，可以包括补偿数据电压S741和/或补偿初始化电压 S742。补偿数据电压S741可以包括输出经补偿的数据电压，该经补偿的数 据电压可以通过用一等于从比较器510输出的电压差的电压来补偿施加到 面板440上的数据电压来产生，该电压差即S730中比较电源电源和下降的 电源电压的输出(或施加到面板400上的所施加的数据电压)。经补偿的数 据电压可以施加到面板400。此外，补偿初始化电压S742，可以输出经补偿 的初始化电压，其可以通过用一等于从比较器510输出的电压差AV的电压 补偿施加到面板400上的初始化电压Vinit，并用在S730中下降的电源电压 补偿电源电压输出来产生。进一步地，有可能向所施加的初始化电压Vinit 输出经补偿的初始化电压，并因此向面板400施加该电压。在向面板施加经补偿的电压S750时，经补偿的数据电压和经补偿的初 始化电压(其可以在S740中被补偿)可以施加到各个面板440。结果，各 个面板440可以用相同的亮度发光。如上所述，根据示范性实施例的基板测试设备及其方法具有有益效果， 例如，不用测量面板的亮度就可以由检测补偿设备执行亮度的测量和补偿。另一有益效果是，当构成面板的电路布线变化时(或面板尺寸改变时)， 可以不用重复地测量亮度就可以由检测补偿设备执行亮度的测量和补偿。另一有益效果是，有可能由集成到基板的检测补偿设备而不是诸如基板 测试设备之类的用于测试面板的单独设备来测试基板。有机发光元件的示例图6是有机发光元件200的概念视图。参见图6，有机发光元件200可 以包括阳极210、阴极230和有机层220。阳极210可以是透明电极，例如 氧化铟锡(ITO )。阴极230可以是不透明电极，例如金属电极。有机层220 可以包括可以通过电子和空穴的复合来发光的发光层(EML) 221，可以传 输电子的电子传输层(ETL) 222，以及可以传输空穴的空穴传输层(HTL) 223。进一步，可以注入电子的电子注入层(EIL) 224可以形成在电子传输 层ETL 222的一侧上，而可以注入空穴的空穴注入层(HIL) 225可以形成 在空穴传输层HTL 223的一侧上。在另一示范性实施例中，即，在磷光有机发光元件的情况下，空穴阻挡 层(HBL)(未示出)可以有选择地形成在发光层EML 221与电子传输层 ETL222之间，而电子阻挡层(EBL)(未示出)可以有选择地形成在发光 层EML 221与空穴传输层HTL 223之间。进一步地，有机层可以通过将两种层合并成单个层来形成为超薄有机发 光显示器，从而减小厚度。例如，有可能通过同时形成空穴注入层HIL225 和空穴传输层HTL 223,来选择性地形成空穴注入传输层(HITL)(未示 出)，或者通过同时形成电子注入层EIL224和电子传输层ETL222来选裤， 性形成电子注入传输层(EITL)(未示出)。超薄有机发光显示器可以用于 提高发光效率。緩冲层(未示出)可以任意地形成在阳极210、发光层EML221和阴极 230之间。緩沖层可以分为用于缓沖电子的电子緩冲层(EBL)和用于緩沖空穴的空穴緩冲层(HBL) 。 EBL可以选择性地形成在阴极230和电子注入 层(EIL) 224之间，并可以替代电子注入层EIL224。结果，有机层的层叠 结构可以是EML/ETL/EBL/阴极。此外，HBL可以选择性地形成在阳极210 与空穴注入层HIL 225之间，并可以替代HIL 225。结果，有机层的层叠结 构可以是阳极/HBL/HTL/EML.应该理解可以采用其它可能的层叠结构。例如，层叠的结构可以是正常 的层叠结构、正常的超薄结构、倒转的层叠结构和倒转的超薄结构。在正常的层叠结构中，结构可以是(a)阳极/空穴注入层/空穴传输层 /发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；(b)阳极/空穴緩沖层/空穴注入层/ 空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；(c)阳极/空穴注入层/ 空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/电子緩冲层/阴极；(d)阳极/ 空穴緩冲层/空穴注入层Z空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/电子 緩冲层/阴极；(e)阳极/空穴注入层/空穴緩冲层/空穴传输层/发光层/电子传 输层/电子注入层/阴*1;和/或(f)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电 子传输层/电子緩冲层/电子注入层/阴极。在正常的超薄结构中，结构可以是(a)阳极/空穴注入传输层/发光层 /电子传输层/电子注入层/阴极；(b)阳极/空穴緩冲层/空穴注入传输层/发 光层/电子传输层/电子注入层/阴极；(c)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光 层/电子注入传输层/电子緩冲层/阴极；(d)阳极/空穴緩冲层/空穴传输层/ 发光层/电子注入传输层/电子緩冲层/阴极；(e)阳极/空穴注入传输层/空穴 緩冲层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；和/或(f)阳极/空穴注入层/ 空穴传输层/发光层/电子緩沖层/电子注入传输层/阴极。在倒转的层叠结构中，结构可以是(a)阴极/电子注入层/电子传输层 /发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极；(b)阴极/电子注入层/电子传输层/ 发光层/空穴传输层/空穴注入层/空穴緩冲层/阳极；(c)阴极/电子緩冲层/ 电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极；(d)阴极/ 电子緩沖层/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴緩冲层/阳极；(e)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/空穴緩沖层/空穴注入 层/阳极；和/或(f)阴极/电子注入层/电子緩冲层/电子传输层/发光层/空穴 传输层/空穴注入层/阳极。在倒转的超薄结构中，结构可以是(a)阴极/电子注入层/电子传输层 /发光层/空穴注入传输层/阳极；(b)阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/ 空穴注入传输层/空穴緩冲层/阳极；(c)阴极/电子緩冲层/电子注入传输层/ 发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极；(d)阴极/电子缓冲层/电子注入传输 层/发光层/空穴传输层/空穴緩冲层/阳极；(e)阴极/电子注入层/电子传输层 /发光层/空穴緩沖层/空穴注入传输层/阳极；和/或(f)阴极/电子注入传输层 /电子緩沖层/发光层/空穴传输层/空穴注入层/阳极。方法具有的有益效果，例如是，由于阳极与阴极相交来选择和驱动线路，所 以制造方法筒单并且投资成本更少。不过，无源矩阵方法当具体实现在宽屏 幕格式中时，电流消耗多。有源矩阵方法具有的有益效果，例如是，低电流 消耗、卓越的图像质量、长的使用寿命以及通过每个像素都使用诸如薄膜晶 体管(TFT)和电容元件之类的有源元件在大中型产品中的应用。在有源矩阵方法，有机发光显示器的像素电路的结构和TFT是操作中 的重要因素。在有源矩阵方法，TFT可以被晶化。 一种用于晶化TFT的方 法可以包括下列方法中的至少之一(a)使用受激准分子激光器的激光结 晶方法，其例如可以结晶多晶硅；(b)使用金属活性材料的金属诱导结晶 方法(MIC)法；(c)固态结晶方法。此外，还可以有高压退火(HPA) 方法，其可以在高温和潮湿的环境下进行结晶。进一步地，可以使用顺序侧 向凝固(SLS)法，其除了现有的激光结晶方法之外还可以使用掩模。另一方法可以是晶粒方法，其可以结晶成具有非晶硅(a-Si)和多晶硅 之间的晶粒尺寸的微硅，还可以包括热结晶法和激光结晶法。微硅通常指的 是晶粒尺寸小于多晶硅的硅，例如大约1纳米-100纳米。进一步地，微硅可 以具有大约1-50的电子迁移率和大约0.01-0.2的空穴迁移率。此外，微硅的晶粒之间的突起区域小于多晶硅的晶粒之间的突起区域，因此，晶粒之间 的电子移动不会受阻，从而展现了均一的特性。热结晶法可以结晶成微硅，可以利用非晶硅(a-Si)沉积和再热法的同时获得结晶结构。激光结晶法可以结晶成微硅，可以在例如通过化学汽相沉积法沉积非晶硅(a-Si)之后使用激光，例如二极管激光器。激光可以使用大约800纳米 范围的红波长，借此，红波长可以使得微硅均匀结晶。激光结晶法可以结晶成多晶硅，是结晶方法中最有效的方法，从而将 TFT结晶成多晶硅。应该理解，使用多晶硅液晶显示器的现有结晶法可以提 供简单且完整的过程。MIC方法可以结晶成多晶硅，可以不使用激光结晶法就在低温下结晶。 MIC方法具有的有益效果是，例如但不限于Ni、 Co、 Pd和/或Ti的金属活 性材料可以首先沉积或旋涂在非晶硅(a-Si)的表面上，然后金属活性材料 可以直接渗透到非晶硅(a-Si)的表面。这使得可以在低温下结晶非晶硅 (a-Si)同时改变它的相。当将金属层应用到非晶硅(a-Si)的表面上时，MIC方法可以使用掩模， 从而可以进一步避免例如硅化镍这样的杂质沉积在TFT的特定区域上。这 种结晶方法可以称为金属诱导侧向结晶(MILC)方法。用于MILC方法的 掩模可以是荫罩板，其中荫罩板可以例如是线状掩模或点状掩模。另一方法可以是具有保护层的金属诱导结晶(MICC)法，其可以在沉 积或旋涂金属活性材料层之前在非晶硅(a-Si)表面上施加保护层。MICC 法可以控制诱导入非晶硅(a-Si)的金属活性材料的量。应该理解，保护层 可以是氮化硅层。从金属活性材料层进入非晶硅(a-Si)的金属活性材料的 量，可以根据氮化硅层的厚度来变化。也就是说，进入氮化硅层的金属活性 材料可以形成在整个氮化硅层上，或者可以选择性地通过荫罩板形成。在金 属活性材料层将非晶硅(a-Si)结晶成多晶硅之后，可以选择性地移除保护 层。用于移除保护层的方法可以包括湿蚀刻法或干蚀刻法。此外，在形成多晶硅之后，可以形成片册极绝》彖层，并且在栅极绝缘层形成栅电极。绝缘中间 层可以形成在栅电极上。在绝缘中间层上形成通孔之后，可以通过通孔向晶 化的多晶硅上注入杂质，另外移除内部的金属活性材料杂质(这可以称为吸 杂过程)。在吸杂过程中，可以有注入杂质的过程以及在低温下加热TFT的加热过程。吸杂过程可以具体实现优质的TFT。这里已经公开了本发明的示范性实施例，尽管采用了具体概念，但是它 们仅是以通用的和描述性的意义来使用和解释，并且不用于限制目的。因此， 本领域的普通技术人员应该理解，可以在不偏离以下权利要求所提出的本发 明的精神和范围的情况下做出各种形式上和细节上的修改。
权利要求
1、一种基板测试设备，包括比较器，其适于将由电源电压线提供的电源电压与由电源电压检测线检测到的下降的电源电压进行比较，并适于输出电压差；和电平转移电路，其适于用一高至与从所述比较器输出的电压差相等量的电压来补偿数据电压，并适于将该数据电压提供给显示面板。
2. 如权利要求1所述的基板测试设备，进一步包括初始化电平转移电路， 其适于用一高至与从所述比较器输出的电压差相等量的电压来补偿初始化电 压，并适于将该初始化电压提供给该显示面板。
3. 如权利要求2所述的基板测试设备，其中，所述初始化电压是被传递给 所述显示面板的像素电路的电压。
4. 如权利要求2所述的基板测试设备，其中，所述显示面板与所述电源电 压、所述初始化电压和所述凄t据电压电连接。
5. 如权利要求1所述的基板测试设备，其中，所述电源电压检测线与所述 显示面板的电源电压线电连接。
6. 如权利要求1所述的基板测试设备，其中，所述数据电压是被传递给所 述显示面板的像素电路的电压。
7. 如权利要求1所述的基板测试设备，进一步包括一基板，其上以矩阵形 式排列有多个显示面板。
8. 如权利要求7所述的基板测试设备，其中，所述比较器、所述电平转移 电路和所述初始化电平转移电路集成到所述基板中。
9. 如权利要求4所述的基板测试设备，其中，所述数据电压是红数据电压、 绿数据电压和蓝数据电压。
10. 如权利要求1所述的基板测试设备，进一步包括用于对所述比较器进 行切换的比较器开关。
11. 如权利要求1所述的基板测试设备，进一步包括用于对所述电平转移电路进行切换的电压开关。
12、 如权利要求2所述的基板测试设备，进一步包括用于对所述初始化电 平转移电路进行切换的初始化开关。
13、 如权利要求1所述的基板测试设备，包括用于保持从所述比较器输出的电压的电压差保持器。
14、 一种基板测试方法，包括 检测基板的电源电压；检测所述基板的下降的电源电压；将所述电源电压与所述下降的电源电压进行比较并输出；以及 用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿数据电压。
15、 如权利要求14所述的方法，其中，所述将所述电源电压与所述下降的 电源电压进行比较并输出的步骤，包括将所述电源电压与所述下降的电源电压 进行比4交，并输出电压差。
16、 如权利要求14所述的方法，进一步包括用一高至与所述输出电压相等 量的电压来补偿初始化电压。
17、 如权利要求14所述的方法，其中，所述补偿数据电压的步骤，包括补 偿所有的红数据电压、绿数据电压和蓝数据电压。
18、 如权利要求14所述的方法，其中，所述用一高至与所述输出电压相等 量的电压来补偿数据电压的步骤，包括输出经补偿的凄t据电压，该经补偿的数 据电压通过在电平转移电路中向下转移所述电源电压与所述下降的电源电压之 间的电压差来产生。
19、 如权利要求14所述的方法，进一步包括在用一高至与所述输出电压 相等量的电压来补偿数据电压之后，切换所述比较器。
20、 如权利要求14所述的方法，进一步包括在用一高至与所述输出电压 相等量的电压来补偿数据电压之后，切换所述电平转移电路。
21、 如权利要求16所述的方法，进一步包括在用一高至与所述输出电压 相等量的电压来补偿ll据电压之后，切换所述初始化电平转移电if各。
22、 如权利要求16所述的方法，其中，所述用一高至与所述输出电压相等量的电压来补偿初始化电压的步骤，包括输出经补偿的初始化电压，该经补偿 的初始化电压通过在初始化电平转移电路中向下转移所述电源电压与所述下降 的电源电压之间的电压差来产生。
23、 如权利要求14所述的方法，进一步包括比较所述电源电压与所述下 降的电源电压，并保持电压差，以在用一高至与所述输出电压相等量的电压来 补偿所述数据电压之后，输出恒定的电压。
24、 如权利要求14所述的方法，进一步包括在用一高至与所述输出电压 相等量的电压来补偿所述数据电压之后，向面板施加经补偿的数据电压。
全文摘要
示范性实施例涉及基板测试设备，该设备具有比较器和电平转移电路，比较器适于将由电源电压线提供的电源电压与由电源电压检测线检测到的下降的电源电压进行比较，并适于输出电压差；电平转移电路适于用一高至与从所述比较器输出的电压差相等量的电压来补偿数据电压，并适于将数据电压提供给显示面板。
文档编号G09G3/00GK101226712SQ20071019477
公开日2008年7月23日 申请日期2007年12月6日 优先权日2007年1月15日
发明者郭源奎 申请人:三星Sdi株式会社
最新回复(0)