双界面智能卡的生产方法和双界面智能卡的制作方法
双界面智能卡的生产方法和双界面智能卡的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及双界面智能卡技术领域，特别涉及一种双界面智能卡的生产方法和双 界面智能卡。
【背景技术】
[0002] 双界面智能卡与普通1C卡的区别在于，双界面智能卡是由卡基、天线和芯片结合 而成，基于单芯片的，集接触式与非接触式接口为一体的智能卡。它有两个操作界面，可以 通过接触触点的方式，也可以通过相隔一定距离，以射频的方式来访问芯片。在生产该双界 面智能卡的过程中，需要先将天线的线头和线尾从卡基内挑出，而与芯片进行电连接，再将 芯片固定在卡基上。目前的常规做法有两种:一种是在卡基上铣槽，至裸露出线头和线尾， 再由人工将线头和线尾挑出，如此，挑线合格率率虽高，但人工挑线效率低下；另一种是在 卡基上铣槽，至裸露出线头和线尾，再由机械设备将线头和线尾挑出，如此，易于将线头和 线尾扯断，使得卡基报废率较高。
【发明内容】
[0003] 本发明的主要目的是提供一种双界面智能卡的生产方法，旨在提高制造双界面智 能卡的效率和合格率。
[0004] 为实现上述目的，本发明提出一种双界面智能卡的生产方法，包括：
[0005] 提供一天线层以及一天线，将所述天线埋置于所述天线层的结合面，且使所述天 线的线头和线尾埋置于所述天线层的预设区域；
[0006] 提供一第一保护层，于所述第一保护层的贴合面嵌设隔离块；
[0007] 将第一保护层的贴合面贴合至所述天线层的结合面后，通过层压工艺将两者结 合;其中，所述隔离块覆盖所述预设区域设置，所述隔离块的熔点高于所述层压工艺的加热 温度；
[0008] 将所述预设区域与所述天线层的其他区域分离；
[0009] 提升所述预设区域，并将所述天线的线头和线尾与所述预设区域分离；
[0010]提供一芯片，将所述芯片与所述线头和线尾电连接后固定至所述天线层。
[0011]优选地，所述于第一保护层的贴合面嵌设隔离块的步骤具体包括：
[0012] 对所述第一保护层进行冲压，以冲出隔离通孔；
[0013] 于所述隔离通孔内嵌设所述隔离块。
[0014] 优选地，所述于第一保护层的贴合面嵌设隔离块的步骤具体包括：
[0015] 在所述第一保护层的表面向内进行铣槽，以铣出隔离盲孔；
[0016] 于所述隔离盲孔内嵌设所述隔离块。
[0017]优选地，所述将预设区域与所述天线层的其他区域分离具体为：
[0018]沿所述预设区域的边沿进行激光蚀刻，以分离所述预设区域和所述天线层的其他 区域。
[0019] 优选地，所述天线的线头和线尾的末端延伸至所述预设区域之外，所述将预设区 域与所述天线层的其他区域分离的步骤之前，所述双界面智能卡的生产方法还包括：
[0020] 于所述天线的线头和线尾的末端与所述预设区域的边沿的相交位置，通过铣刀将 所述天线的线头和线尾的末端铣断。
[0021] 优选地，所述将预设区域与所述天线层的其他区域分离的步骤之前，所述双界面 智能卡的生产方法还包括：
[0022] 提供一第二保护层，并将所述第二保护层通过层压工艺结合于所述天线层的背离 所述第一保护层的一面，以形成卡基；
[0023]于所述第二保护层对应所述预设区域的位置，铣出贯穿所述第二保护层设置的第 一凹槽，所述第一凹槽与所述芯片的电极膜片相适配。
[0024]优选地，所述第一凹槽的深度等于所述第二保护层的厚度;或者
[0025]所述第一凹槽的深度大于所述第二保护层的厚度且小于所述第二保护层的厚度 与所述天线层的厚度之和。
[0026]优选地，所述预设区域被提升后的空间用于适配且收容所述芯片的半导体芯片。 [0027]优选地，所述提升预设区域后，将所述天线的线头和线尾与所述预设区域分离的 步骤之后，所述双界面智能卡的生产方法还包括：
[0028] 于所述预设区域被提升后的空间内，在所述隔离块上铣出第二凹槽，以通过所述 预设区域被提升后的空间和所述第二凹槽收容所述芯片的半导体芯片。
[0029] 本发明还提出一种双界面智能卡，包括卡基、天线、及固定于所述卡基并与所述天 线的线头和线尾连接的芯片，所述卡基包括层叠设置的天线层和第一保护层，所述天线埋 置于所述天线层的面向所述第一保护层的一面，所述第一保护层嵌设有隔离块，所述隔离 块覆盖所述天线层的用于埋置所述天线的线头和线尾的位置，且所述隔离块的熔点高于所 述层压工艺的加热温度。
[0030] 本发明的技术方案通过在第一保护层的贴合面嵌设隔离块，该隔离块覆盖预设区 域设置，且该隔离块的熔点高于层压工艺的加热温度，如此，在层压工艺之下，覆盖预设区 域的隔离块不与天线层结合，天线也不嵌入隔离块，可使得在将预设区域与天线层的其他 区域进行分离后，通过机械装置提升预设区域，并在提升预设区域的过程中，将天线的线头 和线尾与预设区域逐渐剥离的同时，将天线的线头和线尾牵引出来，如此，在避免人工挑线 的低效率之下，能减少将天线的线头和线尾挑出时发生断线的可能性，从而提高制造双界 面智能卡的效率和合格率。
【附图说明】
[0031] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0032] 图1为本发明一实施例的双界面智能卡的生产方法中提升预设区域步骤的示意 图；
[0033] 图2为图1所示实施例中将芯片安装固定在卡基上步骤的一实施例示意图；
[0034] 图3为图1所示实施例中将芯片安装固定在卡基上步骤的另一实施例示意图；
[0035] 图4为图1所示实施例的双界面智能卡的生产方法的流程示意图。
[0036] 附图标号说明：
[0037]
'[0038]本发明目k的实现、功能特点及优i将结合实施例，参'附图做进一步说明。 '
【具体实施方式】
[0039]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基 于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其 他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0040] 需要说明，在本发明中涉及"第一"、"第二"等的描述仅用于描述目的，而不能理解 为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有"第一"、 "第二"的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方 案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合 出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保 护范围之内。
[0041] 本发明提出一种双界面智能卡的生产方法、以及一种由该双界面智能卡的生产方 法所生产得到的双界面智能卡。
[0042] 参照图1、图2和图4,图1为本发明一实施例的双界面智能卡的生产方法中提升预 设区域步骤的示意图；图2为图1所示实施例中将芯 片安装固定在卡基上步骤的示意图；图4 为图1所示实施例的双界面智能卡的生产方法的流程示意图。
[0043] 在本发明一实施例中，该双界面智能卡的生产方法包括：
[0044] 步骤S10,提供一天线层11以及一天线2,将天线2埋置于天线层11的结合面，且使 天线2的线头和线尾21埋置于天线层11的预设区域111。
[0045] 本实施例中，在生产该双界面智能卡时，先通过埋线工艺将天线2埋置在天线层11 的结合面，并在埋线的过程中，将天线2的线头和线尾21埋置在天线层11的预设区域111。本 实施例中，该预设区域111为天线层11的对应且小于芯片3的区域;换言之，该预设区域111 为天线层11上预设的与芯片3的安装位置所对应的区域，且该预设区域111的大小小于芯片 3的整体大小。
[0046]步骤S20,提供一第一保护层12,于第一保护层12的贴合面嵌设隔离块121。
[0047]步骤S30,将第一保护层12的贴合面贴合至天线层11的结合面后，通过层压工艺将 两者结合。
[0048] 本实施例中，天线层11和第一保护层12均优选由PVC(Polyvinyl chloride，聚氯 乙烯）材料所制成；当然，于其他实施例中，天线层11或第一保护层12还可但不限于由PC (Poly carbonate，聚碳酸酯）等材料所制成。
[0049]第一保护层12的隔离块121正对天线层11的预设区域111设置，且隔离块121大于 预设区域111，以使得天线层11与第一保护层12在层压结合之后，隔离块121能覆盖天线层 11的整个预设区域111。该隔离块121由高温非金属介质所制成，具体地，该隔离块121的熔 点高于层压工艺的加热温度，以使得在层压工艺下，隔离块121不会熔化，从而使得隔离块 121不与天线层11结合;当然，天线2也不会嵌入隔离块121。通常地，层压工艺所使用的高温 不超过170°C，故要求用于制成隔离块121的高温非金属介质的熔点大于170°C，例如隔离块 121可由PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯）材料所制成。
[0050] 本实施例中，该于第一保护层12的贴合面嵌设隔离块121的步骤具体包括:对第一 保护层12进行冲压，以冲出隔离通孔;再于该隔离通孔内嵌设隔离块121。然本设计不限于 此，于其他实施例中，该于第一保护层12的贴合面嵌设隔离块121的步骤还可具体包括:在 第一保护层12的表面向内进行铣槽，以铣出隔离盲孔;再于该隔离盲孔内嵌设隔离块121。
[0051] 步骤S40,将预设区域111与天线层11的其他区域进行分离；
[0052]步骤S50,提升预设区域111，并将天线2的线头和线尾21与预设区域111分离；
[0053]步骤S60,提供一芯片3,将芯片3与线头和线尾21电连接后固定至天线层11。
[0054]本实施例中，由于覆盖预设区域111的隔离块121不与天线层11结合，且天线2也不 会嵌入隔离块121，故在将预设区域111与天线层11的其他区域进行分离后，可通过机械装 置(如吸头或者机械手等)将分离的预设区域111朝向背离第一保护层12的方向进行缓慢提 升，以使预设区域111脱离天线层11;并在缓慢提升预设区域111的过程中，天线2的线头和 线尾21会逐渐从预设区域111的面向第一保护层12的一面剥离，且随着预设区域111的牵 弓丨，天线2的线头和线尾21会从预设区域111被提升后的空间中牵引出来，以便于与芯片3进 行电连接。最后，将芯片3固定至天线层11而完成该双界面智能卡的制作。
[0055]本发明的技术方案通过在第一保护层12的贴合面嵌设隔离块121，该隔离块121覆 盖预设区域111设置，且该隔离块121的熔点高于层压工艺的加热温度，如此，在层压工艺之 下，覆盖预设区域111的隔离块121不与天线层11结合，天线2也不嵌入隔离块121，可使得在 将预设区域111与天线层11的其他区域进行分离后，通过机械装置提升预设区域111，并在 提升预设区域111的过程中，将天线2的线头和线尾21与预设区域111逐渐剥离的同时，将天 线2的线头和线尾21牵引出来，如此，在避免人工挑线的低效率之下，能减少将天线2的线头 和线尾21挑出时发生断线的可能性，从而提高制造双界面智能卡的效率和合格率。
[0056]在本实施例中，进一步地，步骤S40具体为:沿预设区域111的边沿进行激光蚀刻， 以分离预设区域111和天线层11的其他区域。
[0057]本实施例中，通过激光蚀刻设备对其蚀刻头的行走路径进行预先设定，可实现蚀 刻头沿预设区域111的边沿进行激光蚀刻。激光蚀刻对隔离块121和天线2均无效，相较于通 过铣槽方式割离预设区域111和天线层11的其他区域的技术方案，本设计可避免在割离预 设区域111和天线层11的其他区域的过程中出现误割断天线2的现象。本实施例中，天线2的 线头和线尾21于预设区域111内的埋置轨迹优选呈蛇形，如此，一方面有序的埋置路径有利 于后续的线头和线尾21与预设区域111之间的剥离，另一方面可使得在较小的预设区域111 内得到足够长的线头和线尾21，以便于与芯片3进行电连接。可以理解，预设区域111越小， 输出激光的蚀刻头所要走过的距离就越短，激光蚀刻所耗费的时间就越短，生产效率也就 越高。一般地，预设区域111的大小(也就是激光蚀刻的范围)通常为一 9毫米*9毫米的方形。 [0058]在本实施例中，进一步地，天线2的线头和线尾21的末端延伸至预设区域111之外， 如此，在步骤S30之后，步骤S40之前，还包括：
[0059] 步骤S70,于天线2的线头和线尾21的末端与预设区域111的边沿的相交位置，通过 铣刀将天线2的线头和线尾21的末端铣断。
[0060] 本实施例中，由于激光蚀刻对天线2无效，为使在提升预设区域111的过程中，能通 过预设区域111将天线2的线头和线尾21牵引出卡基1，故需要在预设区域111的边沿将天线 2的线头和线尾21的末端进行割断，本实施例通过铣刀铣线槽的方式将天线2线头和线尾21 的末端进行铣断。
[0061 ]在本实施例中，进一步地，在步骤30之后，步骤S70之前，还包括：
[0062]步骤S810,提供一第二保护层13,并将第二保护层13通过层压工艺结合于天线层 11的背离第一保护层12的一面，以形成卡基1。
[0063]步骤S82,于第二保护层13对应预设区域111的位置，铣出贯穿第二保护层13设置 的第一凹槽131。
[0064] 本实施例中，制造所得的双界面智能卡的卡基1包括层叠设置的第一保护层12、天 线层11和第二保护层13。铣出第一凹槽131的意义在于可减薄激光蚀刻时所需的蚀刻深度， 从而可降低激光蚀刻所采用的激光功率，降低该双界面智能卡的生产功耗。该第一凹槽131 的深度优选为第二保护层13的厚度，以使得所铣出的第一凹槽131的槽底为第二保护层13 与天线层11之间的分界，可以理解，铣槽至第二保护层13与天线层11的分界处，有利于第二 保护层13的铣出废料与天线层11之间的分离。另外，该第一凹槽131对应预设区域111设置， 具体地，天线层11的预设区域111位于第一凹槽131的槽底内，以使得可在第一凹槽131内通 过激光蚀刻工艺将天线层11的预设区域111与天线层11的其他区域割离，并可通过机械装 置将天线层11的预设 区域111经第一凹槽131进行提升而脱离卡基1;优选地，天线层11的预 设区域111位于第一凹槽131的槽底中央。需要强调的是，于其他实施例中，该第一凹槽131 的深度也可大于第二保护层13的厚度，此时该第一凹槽131深及天线层11中，但需要注意第 一凹槽131的深度不能深及天线层11的埋置有天线2的一面，以避免铣伤或铣断天线2。
[0065] 本实施例中，所铣出的第一凹槽131用于供芯片3的电极膜片31适配安装，换言之， 所选择的第二保护层13的厚度与芯片3的电极膜片31的厚度一致。另外，天线层11的预设区 域111被提升后的空间用于适配收容芯片3的半导体芯片32,换言之，所选择的天线层11的 厚度等于或略大于芯片3的半导体芯片32的厚度，且在步骤S40中，是根据芯片3的半导体芯 片32的大小和在电极膜片31上的相对位置对蚀刻头的行走路径进行预先设定，以使得在将 芯片3与天线2的线头和线尾21电连接后，芯片3可适配安装固定在第一凹槽131和预设区域 111被提升后的空间中，如此，可简化该双界面智能卡的生产流程。
[0066] 需要强调的是，在本发明的其他实施例中，天线层11的厚度也可小于芯片3的半导 体芯片32的厚度，此时，在步骤50之后，步骤S60之前，还包括:步骤S90，于预设区域111被提 升后的空间内，在隔离块121上铣出第二凹槽1211，以通过预设区域111被提升后的空间和 第二凹槽1211收容芯片3的半导体芯片32(参见图3)。
[0067] 在本实施例中，进一步地，为提高该双界面智能卡的生产效率，在步骤S10中是通 过埋线设备在既定大小的PVC板料上进行呈阵列排列的多组天线2进行埋设，以制成埋设有 天线2的天线层11;相应地，在步骤S20中，于同样大小的PVC板料上进行对应每一组天线2安 装一隔离块121，以制成第一保护层12,从而在层压工艺之后，得到具有呈阵列排列的多个 卡基1的板料。如此，在步骤S81之后，步骤S82之前，还包括:步骤S83，将具有呈阵列排列的 多个卡基1的板料进行冲裁，以分离获得标准大小的多个卡基1。可以理解，在单个卡基1上 进行铣槽、激光蚀刻切割、预设区域111的提升、以及芯片3的安装等，可实现更精确的定位 和更方便的操作。
[0068] 需要说明的是，在本发明的其他实施例中，该双界面智能卡的卡基1还可包括通过 层压工艺结合于第二保护层13的背离天线层11的一面的第二防护膜、以及通过层压工艺结 合于第一保护层12的背离天线层11的一面的第一防护膜，此时，该双界面智能卡的卡基1是 由五层层压形成。需要注意的是，此情况下，在步骤S82中，是在卡基1的第二防护膜的表面 向内进行铣槽，以铣出第一凹槽131的，相应地，此情况下，第一凹槽131的深度优选为第二 防护膜的厚度与第二保护层13的厚度之和。
[0069] 以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本 发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用 在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1. 一种双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述双界面智能卡的生产方法包括： 提供一天线层以及一天线，将所述天线埋置于所述天线层的结合面，且使所述天线的 线头和线尾埋置于所述天线层的预设区域； 提供一第一保护层，于所述第一保护层的贴合面嵌设隔离块； 将第一保护层的贴合面贴合至所述天线层的结合面后，通过层压工艺将两者结合；其 中，所述隔离块覆盖所述预设区域设置，所述隔离块的熔点高于所述层压工艺的加热温度； 将所述预设区域与所述天线层的其他区域分离； 提升所述预设区域，并将所述天线的线头和线尾与所述预设区域分离； 提供一芯片，将所述芯片与所述线头和线尾电连接后固定至所述天线层。2. 如权利要求1所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述于第一保护层的贴 合面嵌设隔离块的步骤具体包括： 对所述第一保护层进行冲压，以冲出隔离通孔； 于所述隔离通孔内嵌设所述隔离块。3. 如权利要求1所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述于第一保护层的贴 合面嵌设隔离块的步骤具体包括： 在所述第一保护层的表面向内进行铣槽，以铣出隔离盲孔； 于所述隔离盲孔内嵌设所述隔离块。4. 如权利要求1所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述将预设区域与所述 天线层的其他区域分离具体为： 沿所述预设区域的边沿进行激光蚀刻，以分离所述预设区域和所述天线层的其他区 域。5. 如权利要求4所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述天线的线头和线尾 的末端延伸至所述预设区域之外，所述将预设区域与所述天线层的其他区域分离的步骤之 前，还包括： 于所述天线的线头和线尾的末端与所述预设区域的边沿的相交位置，通过铣刀将所述 天线的线头和线尾的末端铣断。6. 如权利要求1所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述将预设区域与所述 天线层的其他区域分离的步骤之前，还包括： 提供一第二保护层，并将所述第二保护层通过层压工艺结合于所述天线层的背离所述 第一保护层的一面，以形成卡基； 于所述第二保护层对应所述预设区域的位置，铣出贯穿所述第二保护层设置的第一凹 槽，所述第一凹槽与所述芯片的电极膜片相适配。7. 如权利要求6所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度等 于所述第二保护层的厚度;或者 所述第一凹槽的深度大于所述第二保护层的厚度且小于所述第二保护层的厚度与所 述天线层的厚度之和。8. 如权利要求6或7所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述预设区域被提 升后的空间用于适配且收容所述芯片的半导体芯片。9. 如权利要求6或7所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述提升预设区域 后，将所述天线的线头和线尾与所述预设区域分离的步骤之后，还包括： 于所述预设区域被提升后的空间内，在所述隔离块上铣出第二凹槽，以通过所述预设 区域被提升后的空间和所述第二凹槽收容所述芯片的半导体芯片。10.-种双界面智能卡，其特征在于，包括卡基、天线、及固定于所述卡基并与所述天线 的线头和线尾连接的芯片，所述卡基包括层叠设置的天线层和第一保护层，所述天线埋置 于所述天线层的面向所述第一保护层的一面，所述第一保护层嵌设有隔离块，所述隔离块 覆盖所述天线层的用于埋置所述天线的线头和线尾的位置，且所述隔离块的熔点高于所述 层压工艺的加热温度。
【专利摘要】本发明公开一种双界面智能卡的生产方法和双界面智能卡，其中双界面智能卡的生产方法包括：提供一天线层以及一天线，将天线埋置于天线层的结合面，且使天线的线头和线尾埋置于天线层的预设区域；提供一第一保护层，于第一保护层的贴合面嵌设隔离块；将第一保护层的贴合面贴合至天线层的结合面后，通过层压工艺将两者结合，其中，隔离块覆盖预设区域设置，隔离块的熔点高于层压工艺的加热温度；将预设区域与天线层的其他区域分离；提升预设区域，并将天线的线头和线尾与预设区域分离；提供一芯片，将芯片与线头和线尾电连接后固定至天线层。本发明的技术方案能提高制造双界面智能卡的效率和合格率。
【IPC分类】G06K19/077
【公开号】CN105488558
【申请号】CN201510844405
【发明人】黎理明, 黎理杰, 陆安锋, 陈文志
【申请人】深圳市源明杰科技有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年11月26日
【技术领域】
[0001] 本发明涉及双界面智能卡技术领域，特别涉及一种双界面智能卡的生产方法和双 界面智能卡。
【背景技术】
[0002] 双界面智能卡与普通1C卡的区别在于，双界面智能卡是由卡基、天线和芯片结合 而成，基于单芯片的，集接触式与非接触式接口为一体的智能卡。它有两个操作界面，可以 通过接触触点的方式，也可以通过相隔一定距离，以射频的方式来访问芯片。在生产该双界 面智能卡的过程中，需要先将天线的线头和线尾从卡基内挑出，而与芯片进行电连接，再将 芯片固定在卡基上。目前的常规做法有两种:一种是在卡基上铣槽，至裸露出线头和线尾， 再由人工将线头和线尾挑出，如此，挑线合格率率虽高，但人工挑线效率低下；另一种是在 卡基上铣槽，至裸露出线头和线尾，再由机械设备将线头和线尾挑出，如此，易于将线头和 线尾扯断，使得卡基报废率较高。
【发明内容】
[0003] 本发明的主要目的是提供一种双界面智能卡的生产方法，旨在提高制造双界面智 能卡的效率和合格率。
[0004] 为实现上述目的，本发明提出一种双界面智能卡的生产方法，包括：
[0005] 提供一天线层以及一天线，将所述天线埋置于所述天线层的结合面，且使所述天 线的线头和线尾埋置于所述天线层的预设区域；
[0006] 提供一第一保护层，于所述第一保护层的贴合面嵌设隔离块；
[0007] 将第一保护层的贴合面贴合至所述天线层的结合面后，通过层压工艺将两者结 合;其中，所述隔离块覆盖所述预设区域设置，所述隔离块的熔点高于所述层压工艺的加热 温度；
[0008] 将所述预设区域与所述天线层的其他区域分离；
[0009] 提升所述预设区域，并将所述天线的线头和线尾与所述预设区域分离；
[0010]提供一芯片，将所述芯片与所述线头和线尾电连接后固定至所述天线层。
[0011]优选地，所述于第一保护层的贴合面嵌设隔离块的步骤具体包括：
[0012] 对所述第一保护层进行冲压，以冲出隔离通孔；
[0013] 于所述隔离通孔内嵌设所述隔离块。
[0014] 优选地，所述于第一保护层的贴合面嵌设隔离块的步骤具体包括：
[0015] 在所述第一保护层的表面向内进行铣槽，以铣出隔离盲孔；
[0016] 于所述隔离盲孔内嵌设所述隔离块。
[0017]优选地，所述将预设区域与所述天线层的其他区域分离具体为：
[0018]沿所述预设区域的边沿进行激光蚀刻，以分离所述预设区域和所述天线层的其他 区域。
[0019] 优选地，所述天线的线头和线尾的末端延伸至所述预设区域之外，所述将预设区 域与所述天线层的其他区域分离的步骤之前，所述双界面智能卡的生产方法还包括：
[0020] 于所述天线的线头和线尾的末端与所述预设区域的边沿的相交位置，通过铣刀将 所述天线的线头和线尾的末端铣断。
[0021] 优选地，所述将预设区域与所述天线层的其他区域分离的步骤之前，所述双界面 智能卡的生产方法还包括：
[0022] 提供一第二保护层，并将所述第二保护层通过层压工艺结合于所述天线层的背离 所述第一保护层的一面，以形成卡基；
[0023]于所述第二保护层对应所述预设区域的位置，铣出贯穿所述第二保护层设置的第 一凹槽，所述第一凹槽与所述芯片的电极膜片相适配。
[0024]优选地，所述第一凹槽的深度等于所述第二保护层的厚度;或者
[0025]所述第一凹槽的深度大于所述第二保护层的厚度且小于所述第二保护层的厚度 与所述天线层的厚度之和。
[0026]优选地，所述预设区域被提升后的空间用于适配且收容所述芯片的半导体芯片。 [0027]优选地，所述提升预设区域后，将所述天线的线头和线尾与所述预设区域分离的 步骤之后，所述双界面智能卡的生产方法还包括：
[0028] 于所述预设区域被提升后的空间内，在所述隔离块上铣出第二凹槽，以通过所述 预设区域被提升后的空间和所述第二凹槽收容所述芯片的半导体芯片。
[0029] 本发明还提出一种双界面智能卡，包括卡基、天线、及固定于所述卡基并与所述天 线的线头和线尾连接的芯片，所述卡基包括层叠设置的天线层和第一保护层，所述天线埋 置于所述天线层的面向所述第一保护层的一面，所述第一保护层嵌设有隔离块，所述隔离 块覆盖所述天线层的用于埋置所述天线的线头和线尾的位置，且所述隔离块的熔点高于所 述层压工艺的加热温度。
[0030] 本发明的技术方案通过在第一保护层的贴合面嵌设隔离块，该隔离块覆盖预设区 域设置，且该隔离块的熔点高于层压工艺的加热温度，如此，在层压工艺之下，覆盖预设区 域的隔离块不与天线层结合，天线也不嵌入隔离块，可使得在将预设区域与天线层的其他 区域进行分离后，通过机械装置提升预设区域，并在提升预设区域的过程中，将天线的线头 和线尾与预设区域逐渐剥离的同时，将天线的线头和线尾牵引出来，如此，在避免人工挑线 的低效率之下，能减少将天线的线头和线尾挑出时发生断线的可能性，从而提高制造双界 面智能卡的效率和合格率。
【附图说明】
[0031] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0032] 图1为本发明一实施例的双界面智能卡的生产方法中提升预设区域步骤的示意 图；
[0033] 图2为图1所示实施例中将芯片安装固定在卡基上步骤的一实施例示意图；
[0034] 图3为图1所示实施例中将芯片安装固定在卡基上步骤的另一实施例示意图；
[0035] 图4为图1所示实施例的双界面智能卡的生产方法的流程示意图。
[0036] 附图标号说明：
[0037]
'[0038]本发明目k的实现、功能特点及优i将结合实施例，参'附图做进一步说明。 '
【具体实施方式】
[0039]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基 于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其 他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0040] 需要说明，在本发明中涉及"第一"、"第二"等的描述仅用于描述目的，而不能理解 为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有"第一"、 "第二"的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方 案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合 出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保 护范围之内。
[0041] 本发明提出一种双界面智能卡的生产方法、以及一种由该双界面智能卡的生产方 法所生产得到的双界面智能卡。
[0042] 参照图1、图2和图4,图1为本发明一实施例的双界面智能卡的生产方法中提升预 设区域步骤的示意图；图2为图1所示实施例中将芯 片安装固定在卡基上步骤的示意图；图4 为图1所示实施例的双界面智能卡的生产方法的流程示意图。
[0043] 在本发明一实施例中，该双界面智能卡的生产方法包括：
[0044] 步骤S10,提供一天线层11以及一天线2,将天线2埋置于天线层11的结合面，且使 天线2的线头和线尾21埋置于天线层11的预设区域111。
[0045] 本实施例中，在生产该双界面智能卡时，先通过埋线工艺将天线2埋置在天线层11 的结合面，并在埋线的过程中，将天线2的线头和线尾21埋置在天线层11的预设区域111。本 实施例中，该预设区域111为天线层11的对应且小于芯片3的区域;换言之，该预设区域111 为天线层11上预设的与芯片3的安装位置所对应的区域，且该预设区域111的大小小于芯片 3的整体大小。
[0046]步骤S20,提供一第一保护层12,于第一保护层12的贴合面嵌设隔离块121。
[0047]步骤S30,将第一保护层12的贴合面贴合至天线层11的结合面后，通过层压工艺将 两者结合。
[0048] 本实施例中，天线层11和第一保护层12均优选由PVC(Polyvinyl chloride，聚氯 乙烯）材料所制成；当然，于其他实施例中，天线层11或第一保护层12还可但不限于由PC (Poly carbonate，聚碳酸酯）等材料所制成。
[0049]第一保护层12的隔离块121正对天线层11的预设区域111设置，且隔离块121大于 预设区域111，以使得天线层11与第一保护层12在层压结合之后，隔离块121能覆盖天线层 11的整个预设区域111。该隔离块121由高温非金属介质所制成，具体地，该隔离块121的熔 点高于层压工艺的加热温度，以使得在层压工艺下，隔离块121不会熔化，从而使得隔离块 121不与天线层11结合;当然，天线2也不会嵌入隔离块121。通常地，层压工艺所使用的高温 不超过170°C，故要求用于制成隔离块121的高温非金属介质的熔点大于170°C，例如隔离块 121可由PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯）材料所制成。
[0050] 本实施例中，该于第一保护层12的贴合面嵌设隔离块121的步骤具体包括:对第一 保护层12进行冲压，以冲出隔离通孔;再于该隔离通孔内嵌设隔离块121。然本设计不限于 此，于其他实施例中，该于第一保护层12的贴合面嵌设隔离块121的步骤还可具体包括:在 第一保护层12的表面向内进行铣槽，以铣出隔离盲孔;再于该隔离盲孔内嵌设隔离块121。
[0051] 步骤S40,将预设区域111与天线层11的其他区域进行分离；
[0052]步骤S50,提升预设区域111，并将天线2的线头和线尾21与预设区域111分离；
[0053]步骤S60,提供一芯片3,将芯片3与线头和线尾21电连接后固定至天线层11。
[0054]本实施例中，由于覆盖预设区域111的隔离块121不与天线层11结合，且天线2也不 会嵌入隔离块121，故在将预设区域111与天线层11的其他区域进行分离后，可通过机械装 置(如吸头或者机械手等)将分离的预设区域111朝向背离第一保护层12的方向进行缓慢提 升，以使预设区域111脱离天线层11;并在缓慢提升预设区域111的过程中，天线2的线头和 线尾21会逐渐从预设区域111的面向第一保护层12的一面剥离，且随着预设区域111的牵 弓丨，天线2的线头和线尾21会从预设区域111被提升后的空间中牵引出来，以便于与芯片3进 行电连接。最后，将芯片3固定至天线层11而完成该双界面智能卡的制作。
[0055]本发明的技术方案通过在第一保护层12的贴合面嵌设隔离块121，该隔离块121覆 盖预设区域111设置，且该隔离块121的熔点高于层压工艺的加热温度，如此，在层压工艺之 下，覆盖预设区域111的隔离块121不与天线层11结合，天线2也不嵌入隔离块121，可使得在 将预设区域111与天线层11的其他区域进行分离后，通过机械装置提升预设区域111，并在 提升预设区域111的过程中，将天线2的线头和线尾21与预设区域111逐渐剥离的同时，将天 线2的线头和线尾21牵引出来，如此，在避免人工挑线的低效率之下，能减少将天线2的线头 和线尾21挑出时发生断线的可能性，从而提高制造双界面智能卡的效率和合格率。
[0056]在本实施例中，进一步地，步骤S40具体为:沿预设区域111的边沿进行激光蚀刻， 以分离预设区域111和天线层11的其他区域。
[0057]本实施例中，通过激光蚀刻设备对其蚀刻头的行走路径进行预先设定，可实现蚀 刻头沿预设区域111的边沿进行激光蚀刻。激光蚀刻对隔离块121和天线2均无效，相较于通 过铣槽方式割离预设区域111和天线层11的其他区域的技术方案，本设计可避免在割离预 设区域111和天线层11的其他区域的过程中出现误割断天线2的现象。本实施例中，天线2的 线头和线尾21于预设区域111内的埋置轨迹优选呈蛇形，如此，一方面有序的埋置路径有利 于后续的线头和线尾21与预设区域111之间的剥离，另一方面可使得在较小的预设区域111 内得到足够长的线头和线尾21，以便于与芯片3进行电连接。可以理解，预设区域111越小， 输出激光的蚀刻头所要走过的距离就越短，激光蚀刻所耗费的时间就越短，生产效率也就 越高。一般地，预设区域111的大小(也就是激光蚀刻的范围)通常为一 9毫米*9毫米的方形。 [0058]在本实施例中，进一步地，天线2的线头和线尾21的末端延伸至预设区域111之外， 如此，在步骤S30之后，步骤S40之前，还包括：
[0059] 步骤S70,于天线2的线头和线尾21的末端与预设区域111的边沿的相交位置，通过 铣刀将天线2的线头和线尾21的末端铣断。
[0060] 本实施例中，由于激光蚀刻对天线2无效，为使在提升预设区域111的过程中，能通 过预设区域111将天线2的线头和线尾21牵引出卡基1，故需要在预设区域111的边沿将天线 2的线头和线尾21的末端进行割断，本实施例通过铣刀铣线槽的方式将天线2线头和线尾21 的末端进行铣断。
[0061 ]在本实施例中，进一步地，在步骤30之后，步骤S70之前，还包括：
[0062]步骤S810,提供一第二保护层13,并将第二保护层13通过层压工艺结合于天线层 11的背离第一保护层12的一面，以形成卡基1。
[0063]步骤S82,于第二保护层13对应预设区域111的位置，铣出贯穿第二保护层13设置 的第一凹槽131。
[0064] 本实施例中，制造所得的双界面智能卡的卡基1包括层叠设置的第一保护层12、天 线层11和第二保护层13。铣出第一凹槽131的意义在于可减薄激光蚀刻时所需的蚀刻深度， 从而可降低激光蚀刻所采用的激光功率，降低该双界面智能卡的生产功耗。该第一凹槽131 的深度优选为第二保护层13的厚度，以使得所铣出的第一凹槽131的槽底为第二保护层13 与天线层11之间的分界，可以理解，铣槽至第二保护层13与天线层11的分界处，有利于第二 保护层13的铣出废料与天线层11之间的分离。另外，该第一凹槽131对应预设区域111设置， 具体地，天线层11的预设区域111位于第一凹槽131的槽底内，以使得可在第一凹槽131内通 过激光蚀刻工艺将天线层11的预设区域111与天线层11的其他区域割离，并可通过机械装 置将天线层11的预设 区域111经第一凹槽131进行提升而脱离卡基1;优选地，天线层11的预 设区域111位于第一凹槽131的槽底中央。需要强调的是，于其他实施例中，该第一凹槽131 的深度也可大于第二保护层13的厚度，此时该第一凹槽131深及天线层11中，但需要注意第 一凹槽131的深度不能深及天线层11的埋置有天线2的一面，以避免铣伤或铣断天线2。
[0065] 本实施例中，所铣出的第一凹槽131用于供芯片3的电极膜片31适配安装，换言之， 所选择的第二保护层13的厚度与芯片3的电极膜片31的厚度一致。另外，天线层11的预设区 域111被提升后的空间用于适配收容芯片3的半导体芯片32,换言之，所选择的天线层11的 厚度等于或略大于芯片3的半导体芯片32的厚度，且在步骤S40中，是根据芯片3的半导体芯 片32的大小和在电极膜片31上的相对位置对蚀刻头的行走路径进行预先设定，以使得在将 芯片3与天线2的线头和线尾21电连接后，芯片3可适配安装固定在第一凹槽131和预设区域 111被提升后的空间中，如此，可简化该双界面智能卡的生产流程。
[0066] 需要强调的是，在本发明的其他实施例中，天线层11的厚度也可小于芯片3的半导 体芯片32的厚度，此时，在步骤50之后，步骤S60之前，还包括:步骤S90，于预设区域111被提 升后的空间内，在隔离块121上铣出第二凹槽1211，以通过预设区域111被提升后的空间和 第二凹槽1211收容芯片3的半导体芯片32(参见图3)。
[0067] 在本实施例中，进一步地，为提高该双界面智能卡的生产效率，在步骤S10中是通 过埋线设备在既定大小的PVC板料上进行呈阵列排列的多组天线2进行埋设，以制成埋设有 天线2的天线层11;相应地，在步骤S20中，于同样大小的PVC板料上进行对应每一组天线2安 装一隔离块121，以制成第一保护层12,从而在层压工艺之后，得到具有呈阵列排列的多个 卡基1的板料。如此，在步骤S81之后，步骤S82之前，还包括:步骤S83，将具有呈阵列排列的 多个卡基1的板料进行冲裁，以分离获得标准大小的多个卡基1。可以理解，在单个卡基1上 进行铣槽、激光蚀刻切割、预设区域111的提升、以及芯片3的安装等，可实现更精确的定位 和更方便的操作。
[0068] 需要说明的是，在本发明的其他实施例中，该双界面智能卡的卡基1还可包括通过 层压工艺结合于第二保护层13的背离天线层11的一面的第二防护膜、以及通过层压工艺结 合于第一保护层12的背离天线层11的一面的第一防护膜，此时，该双界面智能卡的卡基1是 由五层层压形成。需要注意的是，此情况下，在步骤S82中，是在卡基1的第二防护膜的表面 向内进行铣槽，以铣出第一凹槽131的，相应地，此情况下，第一凹槽131的深度优选为第二 防护膜的厚度与第二保护层13的厚度之和。
[0069] 以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本 发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用 在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1. 一种双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述双界面智能卡的生产方法包括： 提供一天线层以及一天线，将所述天线埋置于所述天线层的结合面，且使所述天线的 线头和线尾埋置于所述天线层的预设区域； 提供一第一保护层，于所述第一保护层的贴合面嵌设隔离块； 将第一保护层的贴合面贴合至所述天线层的结合面后，通过层压工艺将两者结合；其 中，所述隔离块覆盖所述预设区域设置，所述隔离块的熔点高于所述层压工艺的加热温度； 将所述预设区域与所述天线层的其他区域分离； 提升所述预设区域，并将所述天线的线头和线尾与所述预设区域分离； 提供一芯片，将所述芯片与所述线头和线尾电连接后固定至所述天线层。2. 如权利要求1所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述于第一保护层的贴 合面嵌设隔离块的步骤具体包括： 对所述第一保护层进行冲压，以冲出隔离通孔； 于所述隔离通孔内嵌设所述隔离块。3. 如权利要求1所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述于第一保护层的贴 合面嵌设隔离块的步骤具体包括： 在所述第一保护层的表面向内进行铣槽，以铣出隔离盲孔； 于所述隔离盲孔内嵌设所述隔离块。4. 如权利要求1所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述将预设区域与所述 天线层的其他区域分离具体为： 沿所述预设区域的边沿进行激光蚀刻，以分离所述预设区域和所述天线层的其他区 域。5. 如权利要求4所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述天线的线头和线尾 的末端延伸至所述预设区域之外，所述将预设区域与所述天线层的其他区域分离的步骤之 前，还包括： 于所述天线的线头和线尾的末端与所述预设区域的边沿的相交位置，通过铣刀将所述 天线的线头和线尾的末端铣断。6. 如权利要求1所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述将预设区域与所述 天线层的其他区域分离的步骤之前，还包括： 提供一第二保护层，并将所述第二保护层通过层压工艺结合于所述天线层的背离所述 第一保护层的一面，以形成卡基； 于所述第二保护层对应所述预设区域的位置，铣出贯穿所述第二保护层设置的第一凹 槽，所述第一凹槽与所述芯片的电极膜片相适配。7. 如权利要求6所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度等 于所述第二保护层的厚度;或者 所述第一凹槽的深度大于所述第二保护层的厚度且小于所述第二保护层的厚度与所 述天线层的厚度之和。8. 如权利要求6或7所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述预设区域被提 升后的空间用于适配且收容所述芯片的半导体芯片。9. 如权利要求6或7所述的双界面智能卡的生产方法，其特征在于，所述提升预设区域 后，将所述天线的线头和线尾与所述预设区域分离的步骤之后，还包括： 于所述预设区域被提升后的空间内，在所述隔离块上铣出第二凹槽，以通过所述预设 区域被提升后的空间和所述第二凹槽收容所述芯片的半导体芯片。10.-种双界面智能卡，其特征在于，包括卡基、天线、及固定于所述卡基并与所述天线 的线头和线尾连接的芯片，所述卡基包括层叠设置的天线层和第一保护层，所述天线埋置 于所述天线层的面向所述第一保护层的一面，所述第一保护层嵌设有隔离块，所述隔离块 覆盖所述天线层的用于埋置所述天线的线头和线尾的位置，且所述隔离块的熔点高于所述 层压工艺的加热温度。
【专利摘要】本发明公开一种双界面智能卡的生产方法和双界面智能卡，其中双界面智能卡的生产方法包括：提供一天线层以及一天线，将天线埋置于天线层的结合面，且使天线的线头和线尾埋置于天线层的预设区域；提供一第一保护层，于第一保护层的贴合面嵌设隔离块；将第一保护层的贴合面贴合至天线层的结合面后，通过层压工艺将两者结合，其中，隔离块覆盖预设区域设置，隔离块的熔点高于层压工艺的加热温度；将预设区域与天线层的其他区域分离；提升预设区域，并将天线的线头和线尾与预设区域分离；提供一芯片，将芯片与线头和线尾电连接后固定至天线层。本发明的技术方案能提高制造双界面智能卡的效率和合格率。
【IPC分类】G06K19/077
【公开号】CN105488558
【申请号】CN201510844405
【发明人】黎理明, 黎理杰, 陆安锋, 陈文志
【申请人】深圳市源明杰科技有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年11月26日
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