元件搭载用基板及其制造方法、以及半导体模块的制作方法
专利名称：元件搭载用基板及其制造方法、以及半导体模块的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种元件搭载用基^1^其制造方法、以及半导^^莫块。
技术背景在手机、PDA、 DVC以及DSC这样的便携式电子设备的高功能化的加速过 程中，为了J吏这样的产品被市场所4妄受，必须进行小型化、轻便化，为了实现该 目的，需要高集成的系统LSI。另一方面，对于这些电子设备，要求更加便于^^1, 对于设备所^^LSI，要求高功能化以及高性能化。因此，卩4^"LSI芯片的高集成 度，其I/0数量增力口，而封装自身的小型^^求^^曾强，为了同时使二者实现，强烈要求开发出适合于向14反安装高密度半导体零件的半导体封装。近年来，为了 应对这样的高密度^[嫂求，即使在搭载LSI芯片的电路J^反,Wlit行多^匕、微 细化的设计。例如，提出有将形成微细布线的薄膜布线板(树脂薄膜)经由粘接 层(粘接剂层)粘附到核心基板(挠性电路基板)以制造多层布线基板的方法。 根据该方法，可以利用其它适用于形成微细布线的工序来形成薄膜布线板，此外，通过^i44奪合格件进行粘附，可以实现高成品率。图7是概略表示^W的元件搭载用^i^反的构造的剖面图。^W的元件搭载用 (多层布线J41)包括形絲电路图案103的挠性电路^^反101;在一面或 两面上形成有电3各图案104并且在其中的一面上形成有可电连接的突起部分106 的树脂薄膜102;在挠性电路^^反101和树脂薄膜102之间将非导电性粘接膏固化 而形成的津M妄剂层110。 ^￡部分106由津M妄剂层110固定，将挠性电路1^反101 上的电路图案103和树脂薄膜102上的电路图案104电连接。但是，在上述i贿的元件搭载用l^反中，津M妾剂层110和挠性电路141 101 是由不同的材料形成，由于各材料的热膨胀系数不同，故对应于温度变化，在二 者的界面容易产生热应力。因此，在对元件搭载用14反加热时，在粘接剂层110 与挠性电蹈^4反101的^^处会发生剥离，由此，挠性电路基j反101上的电路图 案103与树脂薄膜102上的电路图案104的连接可靠性下降。而且，树脂薄膜102和挠性电路J^反101经由粘接剂层110贴合时，由于粘接剂层110的流动性低，在树脂薄膜102上的^部分106与挠性电路^^反101 上的电路图案103的界面上存在有frl矣剂层110的歹劲莫，这也^f吏得挠性电路基 板101上的电路图案103与树脂薄膜102上的电路图案104的连接可靠性下降。发明内容本发明鉴于上述情况而作出的，其目的在于提供一种电路1^反与其上搭载的 电3R间的连接可靠性优良的多层元件搭栽用^^1^其制造技术。本发明第一方面提供一种元件搭载用J^反。该元件搭载用J^反包拾具有埋 设于绝缘层中的第一导电部的第一电路基板；设置在绝缘层之上并且具有第二导 电部的第二电路J^反，第二导电部在被埋设于绝缘层中的状态下与第 一导电部电 连接。根据该方面，由于第二导电部与第一导电部一同初埋设在绝缘层中，二者利 用该绝缘层固定，因此元件搭载用基板受到热应力时其连接可靠性(第一导电部 与第二导电部之间的连接可靠性)提高。在上述构成中，第一导电部和第二导电部优选由同一金属构成。根据该构成， 第一导电部和第二导电部的热膨胀系数相同，因jH^目对于元件搭载用差4反的热应 力的连接可靠性进一步提高。在上述构成中，还可^^搭载有第一电路基〖反的金属勤反。本发明的第二方面提供一种元件搭载用J41的制造方法。该元件4荅载用差3反 的制造方法包括第一工序，在第一电路勤反的绝缘层之上形成第一导电部；准 备具有第二导电部的第二电路;^反，在使该第二导电部与第一导电部接触的状态 下对第二电路Jil施加压力，将第二导电部与第一导电部一同压入绝缘层中，将 第二电路U反固定在第一电路^^Ji。才艮据该方面，由于第二导电部与第一导电部一同被埋设在绝缘层中，二者通 过该绝缘层固定，在使第二导电部与第一导电部接触的状态下对第二电路^^反施 加压力而压入到第一电路勤反的绝缘层中，由此，形成固定有第二导电部和第一导电部的电路基〖反，因此，制造所iiit件搭载用差^反(将第二电路;i^反固定在第一电路^^反之上的电路基〖反)的工序变得简单。因此，能够以j线本制造相对热 应力的连接可靠性(第一导电部与第二导电部之间的连接可靠性)高的元件搭载用差3反。另外，在将第二电路;U反固定在第一电路J^反上时，第二导电部与第一导电部一同埋设在绝缘层中，由此，抑制在第二导电部与第一导电部的连接界面 上产生的绝缘层残留膜，并且能够将第二导电部和第一导电部连接。结果，能够 制造对应于热应力的连接可靠性(第一导电部与第二导电部之间的连接可靠性) 更高的元件一荅载用差d反。在上述构成中，第二工序包括在绝缘层半固化的状态下将第一电路J^反和第 二电路J4l压接的步骤、和将绝缘层加热并固化的步骤为好。由此，能够将第二 导电部和第一导电部自#^且容易地埋设到绝缘层中。因此，能够制造出更低成 本的元件搭载用^^反。在上述构成中，在压接步骤中，优选在第二导电部覆盖第一导电部而配置的 状态下进行压接。由此，来自第二导电部的压力均匀地作用在整个第一导电部上， 第二导电部能够将整个第一导电部均匀地埋设在绝缘层中，能够稳定地制造第二导电部和第一导电部之间的连接部。因此，能够提高元件搭载用基板的成品率， 能够以^f^本制it^件搭载用l^反。在上述构成中，在第一工序中，理想的是，将第一导电部的截面形^R^工成 朝向第一电鴻^S^反的外侧、上部变细的梯形，在压接步骤中，在第一导电部与第 二导电部的连接面上的、第二导电部的尺寸比连接面上的第一导电部尺寸小时进 行压接。由此，在压接步骤中，绝缘层容易从加工为梯形的第一导电部的侧面向 其上面流动，能够制造出可抑制在第 一导电部与第二导电部的连接部分附近产生 空隙(void)的元件搭载用1^反。因此，能够提高元件搭载用1^反的连接可靠性，提高制itit件搭载用差^反的成品率，降^7t件搭载用基板的制it^本。本发明第三方面提[种半导^^莫块。该半导^w狭上述的元件搭载用基板、 和在元件搭载用J^反之上搭载的半导体元件。在上述构成中，还具有第三导电部，其设置在绝缘层上，施加有比对第二导 电部施加的电压更高的电压，半导体元件安装设有第三导电部的区域中。本发明第四方面提供一种元件搭载用勤反。该元件搭载用1^反具有核心勤反、在核心J4反的一主面上设置的第一布线结构、以4核心差41的另一主面设置的第二布线结构，在第一布线结构或第二布线结构中的至少一个结构中包括具有埋 设在绝缘层中的第一导电部的第一电路14反、和在绝缘层之上设置的具有第二导 电部的第二电路1^反，第二导电部在埋设于绝缘层中的状态下与第一导电部电连接。在上述构成中，第一导电部和第二导电部可以由同一金属形成。此外，核心J^反可以由金属形成。此外，核心基板可以由绝缘层形成。本发明第五方面提供一种元件搭载用扁反的制造方法。该元件搭载用勤反的制造方法包括第一工序，在基板上形成绝缘层；第二工序，在绝缘层的表面上 形成第 一导电部以及与第 一导电部相邻的第二导电部，至少将第 一导电部及第二 导电部的侧面上部加工为正锥形；第三工序，将第一导电部和第二导电部压入绝 》彖层中，第三工序中，在第一导电部和第二导电部的侧面与绝^彖层之间产生间隙。在上述构成中，第二工序中，可以将第一导电部和第二导电部的截面形状都 加工成梯形。此外，在第三工序中可以包括在绝缘层半固化的状态下将第一导电 部和第二导电部压入的步骤、和将绝缘层力。热并固化的步骤。需要说明的是，上述结构的任意组合或更改等都与上述方面同样有效，而且 包括在本发明的发明内容中。另夕卜，本发明的发明内容没有描i^斤有的结构特征，因》b^发明也可以是上 述结构特征的次级结合。
下面仅用举例的方法描述实施例，参考示例性的附图并不仅限于此，其中同 样的部件在多个附图中标注同一附图标记。图1是本发明第一实施方式的第一实施例的元件搭载用勤反的示意剖面图。 图2 (A) ~ (D)是用于说明图1所示的第一实施方式的第一实施例的元件4荅载用勤反的制造it禾呈的示意剖面图。图3是本发明第一实施方式的第二实施例的元件搭载用勤反的示意剖面图。 图4是表示本发明第一实施方式的第三实施例的半导^^莫块的构成的示意剖面图。图5是表示本发明第一实施方式的第四实施例的半导^f莫块的构成的示意剖面图。图6是表示本发明第一实施方式的第五实施例的半导#^莫块的构成的示意剖面图。图7^^W的元fH荅载用勤反的示意剖面图。 图8是本发明的第二实施方式的元件搭载用;Sd反的示意剖面图。 图9 (A) ~ (D)是用于说明图8所示的第二实施方式的元件搭载用基板的 制造过程的示意剖面图。图10是现有的元件搭载用基4l的示意剖面图。
具体实施方式
以下参考优选实施例描述本发明，并不旨在P艮制本发明的范围，而是举例说 明本发明。以下，基于
本发明的实施方式。所有的附图中，相同的构成要素标 注相同的附图标记并省略相关说明。 (第一实施形态) (第一实施例)图1是本发明第一实施方式的第一实施例的元件搭载用勤反的示意剖面图。第一实施形态的第一实施例的元件搭载用^^反具有电路勤反6，其由基板1、 在基板1上设置的保护层2、在保护层2上设置的绝缘层3以4绝缘层3形成的 导电层5 (导电部5a ~ 5c)构成；电路1^反10，其搭载在电路1^反6的绝缘层3 上，由基材7、在基材7下面设置的导电层8 (导电部8a， 8b)、在_|^才7上面设 置的导电层9 (导电部9a)构成。在此，通过将电路J4反10压接在电路;S^反6上， 电路基f反10的导电层8(导电部8a, 8b)埋设并固定在电路;i^反6的绝缘层3中。 特别是，导电部8a在与导电部5a接触的状态下被埋设在绝缘层3中，在绝缘层3 中形成导电部8a与导电部5a的连接部分11 ，将电路基板10与电路1^反6电连接。具体地，基板l，例如采用由铜(Cu)构成的金属板，作为电鴻^^反6的核 心1^反而起作用。通过该1^反1能够提高电路^^反6的散热性(耐热可靠性)。另 夕卜，J^反1优i^用环氧类的绝^N"^^成的树脂l^反或导电层与树脂层交替形 成的电踪^41。保护层2，例如由主要成分为环lli对脂的绝缘性树脂构成，在J^反1上设有大 约10pm的厚度。该保护层2作为用于确保在导电层5 (特别^_导电部5a) _L 。 高电压时的导电层5与J^反1之间的绝缘耐压的保护膜而起作用。另夕卜，采用树 脂^^反或电路1^反作为1^反1时，采用具有作为保护层2保护1^反1不被水份等 4￡^的功能的耐湿'f全床护月莫。绝缘层3，例如由主要成分为环氧树脂的热固化性树脂形成，在保护层2上设 有大约150Mm的厚度。此外，考虑到提高元件搭载用基板的散热性，绝缘层3具 有高导热性为好。因此，纟色缘层3含有银、铋、铜、铝、镁、锡、锌及其*等、 以及二氧H氧化铝、氮必5圭、氮化铝等高导热性填充剂。导电层5 (导电部5a-5c),例如釆用铜、铝等金属，其厚度例如约30Mm。 导电部5a 5c的截面形状都加工成矩形。导电部5a、 5b是设置在电路基板10下 方区域的布线图案或电极(外部电极)等，其中的导电部5a以与电路基板10的导 电部8a—同层积埋设在绝缘层3中的状态形成连接部11。导电部5b不直接与电 路J^反10的导电层8连接，而^i里i殳在绝缘层3内的表面。此外，导电部5c是在 设有电路基板10的区域"卜的布线图案或电极(外部电极)等，不埋设在电路基 板6的纟色缘层3中，而是形成在绝缘层3的表面上。电路基板6由所述1^反1 、在该基板1上设置的保护层2、在该保护层2上设 置的绝缘层3以4该绝^彖层3形成的导电层5 (导电部5a ~ 5c)构成。^# 7采用环氧类的绝纟4#料构成的树脂1^反，作为电路基〖反10的核心_|4反 而起作用。另夕卜，7可以在内部设有多个导电层賴于将其连接的连接孔等 等。导电层8(导电部8a, 8b),例如采用铜、铝等^r属，其厚度例如大约30,。 导电部8a、 8b的截面形状都加工成矩形。导电层8(导电部8a, 8b)是设置在基 材7下方区域的布线图案或电极(外部电极)等。这时，导电部8a的外缘在外侧 越过电路1^反6的导电部5a的外缘、即导电部8a的尺寸(面积)大于导电部5a 的尺寸(面积)。另夕卜，导电部8a的尺寸(面积)可以与导电部5a的尺寸(面积) 相同。通过将电路1^反10压接在电路J^反6上，其中的导电部8a与电路14反6 的导电部5a一同净^叠埋设在绝缘层3中，分别形成连接部ll。另外，导电部8b 被埋设在绝缘层3中的表面。导电层9(导电部9a),例如采用与导电层8相同的材料、厚度以及形状。导 电层9是设置在导电层8相反侧的基材7上面的布线图案、电极等(外部电极)等。电路J^反10由所ii^材7、在该基材7下面设置的导电层8(导电部8a， 8b) 以4基材7上面设置的导电层9 (导电部9a)构成，搭载在所述电路1^反6的绝 缘层3上。两^f反的连接如下进行，即，电路J^反10的导电部8a与电路l^反6 的导电部5a—同层叠埋设在绝缘层3中，分别形成连接部ll。 (制造方法)图2是用于说明图1所示的第一实施方式的第一实施例的元件搭载用基4反的 制造过禾呈的示意剖面图。首先，如图2 (A)所示，作为^￡1,准备例如由铜(Cu)构成的金属板。然后，通过旋涂法在J^反1上形成以环氧树脂为主要成分的绝缘性树脂构成的保护层2。在此，保护层2的厚度例如约为10pm。该保护层2起到如下作用，即对 导电层5 (特别是导电部5a) 口高电压的时，用于确保导电层5与基fe 1之间的 绝缘耐压。此外，采用树脂^I^反或电路J^反作为J^反1时，采用具有保护J^反1 不被水份等侵入的功能的耐湿性保护膜作为保护层2。如图2 (B )所示，通过在真空中或减压下将绝缘层3和铜箔(未图示)构成 的层叠膜热压附在保护层2上，形成大约150fjm厚且由以环l^t脂为主要成分的 热固^f对脂构成的绝缘层3、和约3iom厚的铜箔(未图示)。然后，利用无电解镀 敷法以及电解MI丈法在铜箔的表面上镀铜。由此，在绝缘层3上形成厚度约30(jm 的由铜构成的导电层4。另夕卜，在这一工序中，热固化树脂即绝缘层3没有完全热 固化，而是维持半固化的状态(容易流动的状态)。如图2(C)所示，利用光刻技术和蚀刻技;^于导电层4构图，形成具有导电 部5a 5c的导电层5。此时，通过调整烛刻条件，将导电部5a 5c的截面形^^口 工成矩形。由此，在绝缘层3上形成构成布线图案或电极的一部分的矩形导电部 5a 5c。其结果，在1^反1的绝乡彖层3上形成具有导电层5 (导电部5a 5c)的电 路絲6。如图2 (D)所示，准备在基材7的上面和下面分别形成有导电层8 (矩形导 电部8a、 8b)以及导电层9 (矩形导电部9a)的电路^^反10。将该电蹈^^反10 配置在所述电路J^反6的上面侧的规定位置(特别是，导电部8a;t^整个导电部 5a而配置)，其被平板(未图示)从上下夹住而对电路勤反10 口均匀的压力(约 10Mpa)，将电路勤反10的导电层8 (导电部8a、 8b)压入绝缘层3中(压接的步 骤)。由于绝缘层3是半固化的状态(容易流动的状态)，故导电层8(导电部8a、 8b)容易埋设到绝缘层3中。另夕卜，通过将导电部8a4餘整个导电部5a而设置， 来自导电部8a的压力均匀地作用在整个导电部5a上，导电部8a能够将导电部5a 整休均匀地iE设在绝缘层3中。由此，导电部8a在与导电部5a接触的状态下层叠 埋设在绝缘层3中，如图1中所示，导电部8a与导电部5a在分别对应的位置形成 连接部ll,将电路1^反10和电路;S4反6电连接。此外，将在绝缘层3上形成的导 电部5b被电路J^反10的^jf才7压入绝缘层3中而配置。接着，通it^"绝缘层3 进行热处理(150。C、 30^4中)，使绝缘层3完全固化(固化步骤)。通过所述工序，制造出第一实施方式的第一实施例的元件搭载用基板。 根据以上说明的第 一 实施方式的第 一 实施例的元件搭载用基板及其制造方法，能够得到以下的效果。(1) 由于导电部8a与导电部5a —同被埋设在绝缘层3中，二者通过该绝缘 层3被固定，相对于元件搭载用J^反受到的热应力的连接可靠性(导电部5a和导 电部8a之间的连接可靠性)提高。(2) 由于将导电层5 (特别^导电部5a)和导电层8 (特别是导电层8a)由 同一金属(铜)构成，因此导电层5及导电层8的热膨胀系数相同，在二者之间 产生的热应力被緩和，能够进一步提高元件搭载用差41的连接可靠性。(3 )元件搭载用差d反将导电部8a和导电部5a —同被埋设在绝缘层3中并且 将二者由该绝缘层3固定,通过将导电部8a在与导电部5a接触的状态下对电路基 板10 ^i/口压力而将其压入到电路基板6的绝缘层3中，形成所iiiL件搭载用基板， 因此，制造这样的元件搭载用基板的工序变得简单。因此，能够以低成本制造出 相对于热应力的连接可靠性(导电部5a与导电部8a间的连接可靠性)提高的元件 搭载用絲。(4 )将电路^^反10压接(固定)在电路J^反6上时，通过将导电部8a在与 导电部5a接触的状态下层叠埋设在绝缘层3中，抑制在导电部8a与导电部5a的 连接界面上产生绝^l莫3的歹划莫，并且能够连接导电部8a和导电部5a。结果，能 够制造出相对热应力的连接可靠性(导电部5a与导电部8a间的连接可靠性)进一 步4是高的元件4荅载用J^反。(5) 电路^S^反6 (导电部5a)与电路14反10 (导电部8a)的连4妄通#半 固化的状态下压接绝缘层3的步骤、和对绝缘层3加热并固化的步骤而进行，由 此，导电部8a和导电部5a双方能够自我^且容易埋设在绝缘层3中。因此，能够以更低的成本制it^t件搭载用基淑。(6) 在压接步骤中，导电部Sa在覆盖导电部5a的状态下压接(固定)，由 此，来自导电部8a的压力均匀地作用在整个导电部5a上，导电部8a可将整个导 电部5a均匀地埋设在绝缘层3中，故而能够稳定制造导电部8a与导电部5a间的 连接部11。因此，能够提高元件搭载用l^反的制it^品率，可以〗线本制it^/f牛 搭载用紘(7) 由于用别的制造工艺对电路基板10进行加工，故在将电路基板10 4'給 前可以进行质量4全查，在粘合工序中不流出次品的电路勤反10，能够提高元件搭 载用勤反的制it^品率，可以^^本制iiit件搭载用差4反。(8) 由于仅^Utit^色缘层3固定连才妄部ll (导电部8a及导电部5a)，故能够抑制采用现有的粘接层(粘接剂)时在此界面产生的热应力(各材料的热膨胀 系数之差引起的热应力)，提高元件搭载用J^反的连接可靠性。(9)在电路1^反6上搭载电路J4！ 10时，不采用J贿的4對妄层(沣財妄剂)就能够将两基板津給，故与以4封目比，元件搭载用基板的制造成本可以更加便宜。 (第二实施例).在如第一实施方式的第一实施例的导电部5a那样、截面形状为矩形且在其上 部设置的导电部8a的尺寸较小的情况下，层叠埋设在绝缘层3中时，在连接部ll 的侧面旁#易产生空隙(void)。为了不产生空隙，在压接时，需要用低压力施 加较长时间，会使生产率降低(制itA本增加)。图3是本发明第一实施方式的第二实施例的元件搭载用差^反的示意剖面图。与 第一实施方式的第一实施例不同之处在于(A)在电路基板6上设置的导电部 5al 5cl的截面形状被加工&悌形，朝向基tl的外侧其上部变细；(B)电路J41 10的导电部8al、 8bl以及导电部9al被加工成梯形，朝向J4反的外侧各自的上部 变细；(C)连接部11的导电部8al的尺寸(特别是连接面的尺寸)比导电部5al 的尺寸(特别是连接面的尺寸)小。除此"卜，与第一实施方式的第一实施例相 同。这样的梯形连接结构如下形成，即，准备具有加工成梯形的导电部5al-5cl 的电路l^反6和具有加工成梯形的导电部8a、 8b (导电部9a)的电路1^反10,如 图2(D)所示的工序，将二者压接在""^。另外，梯形导电部5al-5cl，如所述 第一实施方式的第一实施例的图2 (C)所示的工序，通过调整加工导电层5时的 蚀刻条件而容易形成。根据该第一实施方式的第一实施例的元件搭载用基3^^其制造方法，除了第一 实施方式中的第一实施例中的所述(6) O卜的效果，还能够得到以下的效果(10 )将导电部5al的截面形^^。工成朝向电路基f反6外侧、上部变细的梯形， 在压接步骤中，通过在导电部5al与导电部8al的连接面上的导电部8al的尺寸小 于连接面上的导电部5al的尺寸状态下进行压接，绝缘层3容易从加工成梯形的导 电部5al的侧面朝向其上面流动，能够制it抑制在导电部5al与导电部8al的连接 部11附近产生空隙(void)的元件搭载用J^反。因此，能够提高元件搭载用J^反 的连接可靠性，提高元件搭载用I^反的制造成品率，降^^L件搭载用J^反的制造 成本。(第三实施例)图4是表示第一实施方式的第三实施例的半导^#块的构成的示意剖面图。该半导^^莫块包括第一实施方式的第二实施例的元件搭载用基板20和在元件搭载用 ^i^反20上安装的半导体元件30。本实施例的半导^f莫块，例如适用于';t曰^动力汽 车的电机驱动用的变换器才莫块、汽车的动力马达用(Z7 —々一乂K夕乇一夕) 的变换器模块。向电路14110的导电部8al、 8bl、 9al传送逻辑电平(例如，5V)的4氐电压 信号。另一方面，向电赠^J^反6的导电部5cl传送比逻辑电平高的电压、即高电压 信号。半"f^元件30安^设有导电部5cl的区域中。半导体元件30是变换器模 块用的动力元件，^J )金属线32与导电部5cl引线#^。由此，本实施例的半导 #^狭通过电路勤反10而实现局部多层化，在没有构造电^各勤反10的绝缘层3 上安装有半导体元件30。根据以上说明的第一实施方式的第三实施例的半导#^莫块，可以得到以下的效果(11)由于导电部5cl设在绝缘层3上，可最大限度地利用绝缘层3的力辨， 能够确保对于^i。高电压时导电部5cl的耐压能力来i^X够的绝缘层3的Ig。的半导体元件30，基板l与半导体元件30的距离可缩短。由此，能够提高半导体 元件30的散热'性。(13) ;^M氐电压的电路^^反10的导电部8al、 8W、 9al由于不需要高耐压 性，所以能够将绝缘层的厚度减薄。因此，要求高集成化的电路J^反10可实现低 高度化。(第四实施例)图5是表示第一实施方式的第四实施例的半导^^狭的构成的示意剖面图。本 实施方式的半导^M狭具有元件搭载用基板，其具有在核心基淑40的一面上_没置 的第一布线结构、和在核心14140的另一面上设置的第二布线结构。M地，在 100-200,的由铜构成的核心141 40的一面设有电路^^反6。即，在核心^i^反 40的一面设有绝缘层3，在绝缘层3上设有导电部5cl。与第三实施方式同样i^于 导电部5cl^口高电压。另外，在绝缘层3上局部地层叠有电路基&10。向电路 基板10的导电部8al、 8bl、 9al传送逻辑电平(例如，5V)的低电压信号。半导 体元件30安^设有导电部5cl的区域中。在本实施方式中，半导体元件30用焊 料凸块34与导电部5cl倒装片连接。而且，半导体元件30可以与第一实施方式的第三实施例同样^ii行？ 1线才給连接。此外，核心^^反40的另一面上设有电路J^反6'。即，核心14反40的另一面上 设有绝缘层3',在绝缘层3，下设有导电部5cl'。与第三实施方式同样地，对导电 部5cl，^i口高电压。另夕卜，在绝缘层3，下局部地层叠有包含基材7，、导电层8，、 9， 的电路^^反10'。对电路^^反10，的导电部8al'、 8bl'、 9al，传送逻辑电平(例如， 5V)的低电压信号。半导体元件30，安^设有导电部5cl，的区域。半导体元件 30，是变换器模块用的动力元件，^i ]焊料凸块34，与导电部5cl，倒装片连接。根据以上说明的第一实施方式的第四实施例的半导^4莫块，可以得到以下的效果(14) 在具有核心基板40的元件搭载用基板的未多层化的部分搭载有作为发 热元件的半导体元件30、 30，，故核心J^反40与半导体元件30、 30，之间的距离能 够缩短。由此，可提高半导体元件30、 30，的散热性。(第五实施例)图6是表示第一实施方式的第五实施例的半导#^莫块的构成的示意剖面图。本 实施例的半导^^^:使用的元件搭载用^^反，除了构成核心差d反40的材料O卜， 具有与第四实施方式的半导体模块同样的构成。在本实施方式中，作为核心基板40,使用绝缘层。作为绝^彖层，可以由例如聚酰亚胺树脂、环氧树脂、苯朌树脂、 BT树脂等热固^4对脂形成。绝缘层可以是在编织好的玻璃纤维中含浸所述树脂的 类型的膜。此外，可以向绝缘层中添加具有2pm-10pm左右的直径的填充剂。作 为填充剂，氧化铝(A1203)、氧化硅(Si02)、氮化铝(A1N)、 t/H^圭(SiN)以 及氮化硼(BN)等是适用的。此外，作为填充剂的重量填充率优选30% ~80%左 右。此外，在本实施例中，用于控制半导体元件30的动作的低发热性半导体元件 31安#基材7上。半导体元件31和导电部9al经由焊料凸块35电连接。才艮据以上说明的第一实施方式的第五实施例的半导^f莫块，可以得到以下的效果(15) 由于核心J4140与绝缘层3、 3，的热膨胀系数接近，可以提高核心J^反 40与绝缘层3、 3'的紧密贴合性。(16) 通#基材7上设置低发热性的半导体元件31 ，能够不损失散热性而 实现半导^^狭的进一步M化。此外，在上述实施例中，以在电路勤反6上压4斜荅载电路基板10并将各自的15导电部5a (导电部5al)及导电部8a (导电部8al)连接的元件搭载用差^反为例， ^^发明并不局限于此,也可以代替电3各14反10,在例如WLCSP( Wafer Level Chip Size Package:晶片级芯片尺寸封装)等半导体基板的表面上压4勤荅载设有电极(外 部电极)的电路元件，将该电极上与所述导电部5a (导电部5al)连接。这种情况 下也能够得到上述效果。在上述实施例中，以在电路基板6 Ji^l妇荅载一个电路^^反10为例，4S^发 明不局限于此，例如，可以将多个电路J4反分别、或者同时压^4荅载。这种情况 下也能够得到上述岁丈果。在所述实施例中，以电路勤反10的导电层8部分埋设在绝缘层3中为例，但 本发明并不局限于此，例如，可以将J^才7的"p分或者4r^埋设在绝缘层3中。 此时，由于^# 7的侧面(周围)被绝缘层3 ^复A，即使对元件搭载用Jd反^/口 热量时，绝缘层3也会从四周压入电路1^反10 (基材7),故在电路勤反6与电路 J^反10的界面不易产生剥离，进一步提高其连接可靠性。在上述实施例中，以在电路;l^反6上压4勤荅载电路勤反10时、在电路基板6 侧(电路勤反6的绝缘层3)埋设各自的导电部的元件搭载用差d反为例，但本发明 并不局限于此，例如，也可以通过调整电路基板10的构造，在电路基板10侧埋 设各自的导电部。在上述第一实施方式的第二实施例中，以电^各勤反10的导电部8al^^^工成 梯形为例，^^发明并不局限于此，例如，电路^fe 10的导电部8al也可以是第 一实施例中的矩形。此时，只要连接部ll处的导电部8al的尺寸(特别是连接面 的尺寸)比导电部5al的尺寸(特别是连接面的尺寸)小，则可以得到上述(10) 的效果。在上述第一实施方式的第四实施例和第五实施例中，在核心基板40的一面上 设置电路J^反6和电路J^反10，在核心^^反40的另一面上设置电路^^反6，和电路 ^^反10，，但只要在核心基F反40的一面上i殳置电路J4反6和电路;i^反10即可，也可以在核心1^反40的另一面上设置/;^、口的布线构造。在上述实施例中，可以将电路J^反10和电路J^反10，堆积多个。由此，可以通图1.0是示意地表示现有的电路1^反的构造的剖面图。现有的电路1^反(印刷 电路板)包括至少外面由金属形成的14反(基体)1101、在1411101的上面形 成的粘接层(表面处理金属材料)1108、在粘接层1108上形成的绝缘层(树脂层)1104以4绝缘层1104上局部蚀刻而形成的具有电路布图的布线层(金属箔) 1106。为了实现电鴻^l^反的高密^^化，将具有电路布图的布线层1106的加工尺寸 细微化是有效的。但是，在将布线层1106的加工尺寸细樣i化的情况下，对应于此，相邻的布线 间的间隔(空间)也缩短，具有在施加高电压时难以充分确j斜目邻布线间的绝缘 耐压的问题。这是因为，在位于相邻布线间的绝缘层的4^存在有由蚀刻引起的 损伤层(或绝缘层的未结合的末端等)等，^i口高电压时容易产生经由该表层部 分的绝纟#皮坏。该部分的绝缘耐压不良则会导致元件搭载用基板的可靠性显著下 降。因此，以往的元件4吝载用基板中，这种细微化、即布线层的加工尺寸的纟田微 化M在一定的限度。本实施方式是鉴于这种状况而研发的，其目的在于提供一种能够实现布线加工 尺寸的细微化且可降j財目邻布线间的绝缘耐压不良的制造技术。 (第二实施方式)图8是表示第二实施方式的元件搭载用基板的构成的示意剖面图。基于图8说 明第二实施方式的电路_|4反。本实施方式的元件搭载用基板包括！^反1001、在 !^反1001上i殳置的保护层1002、在保护层1002上设置的绝缘层1003、在该绝缘 层1003内埋设的多个具有正锥形(順亍一八。形状)的导电部1004a~ 1004c以A^篁 盖绝缘层1003以及导电部1004a ~ 1004c而设置的绝缘层1006。在此,绝缘层1003 在导电部1004a和与其相邻的导电部1004b之间具有凸状部分1003a。所谓凸状部 分1003a是指，在比绝缘层1003的凹部内的底部(导电部1004a- 1004c的下面) 高的位置上的部分绝缘层。此外，所谓正锥形是指，例如梯形那样，尺寸宽度从 下边向上边i^斩变细，此时，表示从导电部1004a~1004c的下面侧向上面部，其 尺寸t变变细的状态。另夕卜，在该绝缘层1003a的凸状部分1003a与导电部1004a 的侧面(导电部1004b的侧面)之间产生间隔(空间)，在这部分存在绝缘层1006, 在导电部1004a的侧面(导电部1004b侧面)i殳有不与绝缘层1003接触的区域1005。 另夕卜，li反1001 ^__^发明的"1^反，，，绝缘层1003是本发明的"绝《彖层"、导电部 1004a是本发明的"第一导电部"，以及导电部1004b是本发明的"第二导电部"的一 例。^地，在本实施方式的元件搭载用基板中，基板IOOI,例如采用由铜(Cu) 构成的金属板。另夕卜，基长1001可以是环氧类的绝纟4#料构成的树脂基板或布线 层和树脂层交替形成的电路14反。17保护层1002,例如由以环氧树脂为主要成分的绝缘性树脂构成，在;i^反丄001上设有大约lOprn的厚度。该保护层1002起到保护膜的作用，确保对M电部(导 电部1004a~ 1004c)^/口高电压时、备竽电部与勤反1001之间的绝缘耐压。另夕卜， 在作为绝缘1^反1001而采用树脂J^反或电路J^反时，采用具有保护^fe 1001不 被水份^的耐湿性保护膜作为保护层1002。绝纟彖层1003，例如，由以环氧树脂作为主要成分的热固^N"脂构成，在保护 层1002上设有约lOO(jm的厚度。在此，绝缘层1003在与导电部1004a~ 1004c中 应位置形成有凹部，并且在该凹部中分别配置有导电部1004a~1004c。即，绝缘 层1003形成在导电部1004a和与其相邻的导电部1004b之间具有构成与导电部 1004a、 1004b的上面大致共面的高度(约30Mm)的凸状部分1003a。另夕卜，在导 电部1004b和与^目邻的导电部1004c之间也具有同样的构造。此外，考虑到提高 元件搭载用^^反的散热性，绝缘层1003具有高热传导性为好。因此，绝缘层1003 最好含有银、铋、铜、铝、镁、锡、锌及其合金等、以及二氧化硅、氧化铝、氮 化硅、氮化铝等高导热性材料。导电部1004a ~1004c,例如采用铜、铝等金属，厚度例如约30pm。导电部 1004a~ 1004c的截面形状^i弟形，导电部1004a ~ 1004c的侧面都是正锥形。导电 部1004a~ 1004c构成线^R/空间状(L/S)排列的布线图案的一部分，其上面与绝 缘层1003的上面(凸状部分1003a的上部)大致共面地被埋设在绝缘层1003中。 另夕卜，在导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)与绝全彖层1003的凸状部分 1003a之间设有导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)与绝缘层1003不接 触的区域1005。另夕卜，作为正锥形的角度，同时考虑到导电部1004a、 1004b的细 微化和形成区域1005的形成难易度，例如优选约为45度。在此，导电部1004a和导电部1004b相互相邻设置。在本实施方式中，特别 是设定导电部1004a与导电部1004b的间隔(空间)细微化到制造极限(制造时能 够允许的最小空间值)的状态。绝缘层1006,例如采用以环MW旨为主要成分的绝缘性树脂构成的光刻抗蚀 剂膜，覆羞绝缘层1003及导电部1004a~ 1004c而设置成约50pm的厚度。此时， 在导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)与绝缘层1003不接触的区域1005 内^iE^形^"绝纟彖层1006。绝缘层1006具有保护各导电部(导电部1004a~ 1004c)不受外部环境影响的功能。此外，可以在绝缘层1006中添加用于提高热传 导性的填充剂。(制造方法)图9是用于说明图8所示的第二实施方式的元件搭载用差^反的制造过程的示 意剖面图。首先，如图9 (A)中所示，作为基板1001，例如准备由铜(Cu)构成的^^属 板。然后，通过旋涂法在4丐基板1001上形成由以环fii^脂为主要成分的绝缘性树 脂构成的保护层1002。在此，保护层1002的厚度，例如约10pm。保护层1002 起到保护膜的作用，即，对M电部(导电部1004a~1004c) 口高电压时，确 保M电部与J^反1001之间的绝缘耐压。另夕卜，在^^]树脂1^反或电路1^反作为 !^反1001的情况下，采用具有保护基板1001不被水份浸入的耐湿性保护膜作为 保护层1002。如图9 (B)中所示，通it^真空下或减压下将由绝缘层1003和铜箔(未图 未)构成的层叠膜热压附在保护层1002上，形成厚度约100拜的、以环fi对脂为 主要成分的热固4U对脂构成的绝缘层1003和约3jom厚的铜箔(未图示)。然后， 利用无电解镀敷法以及电解Mlt法在铜箔的表面上镀铜。由此，在绝缘层1003上 形M约30|om的铜构成的布线层1004。另夕卜，在该工序中，作为热固^4对脂的 绝缘层1003并未完全热固化，而是维持半固化的状态(容易流动的状态)。如图9(C)所示，利用光刻技^^口蚀刻技^于布线层1004构图。由此，在 绝缘层1003上形成构成布线图案一部分的导电部1004a-1004c。这时，通过调整 蚀刻条件，导电部1004a~ 1004c的截面形状成为梯形(导电部1004a~ 1004c的侧 面约45度的正锥形)。如图9 (D)所示，用平板(未图示)从上下夹住形成有导电部1004a 10(Mc 的141 1001而对导电部1004a ~1004c均匀地施加压力(约10Mpa),将导电部 1004a~ 1004c压入绝缘层1003中(压入步骤)。由于绝i彖层1003是半固化的状态 (容易流动的状态)，故导电部1004a ~ 1004c容易埋设到绝^彖层1003中，在绝缘 层1003中、在与导电部1004a~ 1004c对应的位置形成凹部，同时在导电部1004a 和与其相邻的导电部1004b之间的绝缘层1003 —体地形成凸状部分1003a。这时， 导电部1004a、 1004b的上面被埋设到与绝缘层1003的上面(凸状部分1003a的上 部)大致共面。同时，导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)与绝缘层1003 的凸状部分1003a之间产生间隔(空间)，设置与导电部1004a的侧面(导电部1004b 的侧面)和绝缘层1003不接触的区域1005。接着，通i^t绝缘层1003 ;^/。热处 理(150°C、 30 ^4中)，使绝缘层1003完全固化(固化步骤)。最后，如图8中所示，作为绝缘层1006, ^U色缘层1003以及导电部1004a~ 1004c而形成例如以环flM脂为主要成分的绝缘性树脂构成的厚约50pm的光致抗 焊料剂膜。此时，在导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)和绝缘层1003 不接触的区域1005中也J^/v形成绝缘层1006。绝缘层1006具有保护各导电部(导 电部1004a~ 1004c)不受外部环境影响的功能。另夕卜，也可以在绝》彖层1006中添 加用于提高热传导性的填充剂。通it;斤述工序，制造出本实施方式的元件搭载用J4反。根据以上说明的本实施方式的元件搭载用基^復其制造方法，能够得到以下 的效果(1) 由于通过将侧面加工成正锥形的导电部1004a, 1004b压入绝缘层1003 中而形成在^电部(导电部1004a, 1004b )的侧面与绝缘层1003(凸状部分1003a) 之间设置有空隙(导电部1004a, 1004b的侧面上不与绝缘层1003接触的区域1005 )的元件搭载用14反，制造这样的元件搭载用;S4反工序变得简单。能够进一步减少(2) 通过将导电部1004a、 1004b的截面形状制it^侧面为正锥形的梯形， 能够容易地制造导电部1004a、 1004b的侧面与绝缘层1003的接触部分为梯形的下 底部分的元件搭载用1^反。因此，从导电部1004a的端部A到导电部1004b的端 部B的绝^彖层1003 (绝缘层1003的凸状部分1003a)的M部分的赠4圣长度最大 限度地增长，能够以^A;^是供更加难以产生绝纟^皮坏的元件搭载用差d反。(3 )通过将侧面上部加工成正锥形的导电部1004a、 1004b压M色纟彖层1003 中，在绝缘层1003分别形成凹部，在该凹部内配置导电部10(Ma、 10(Hb，由此， 在导电部1004a和与^Nl邻的导电部1004b之间设有绝缘层1003,能够在各导电 部(导电部1004a、 1004b)的侧面与绝缘层1003之间产生间隔(导电部1004a, 1004b的侧面上不与绝缘层1003接触的区域1005 )。因此，位于导电部1004a与导 电部1004b之间的位置的纟色缘层1003的M部分的聘农长度(实际间隔)比以往 更大，难以产生经由绝缘层1003的表面部分的绝纟^皮坏，提供可靠性提高的元件 搭载用絲。(4)通过将导电部1004a、 1004b的截面形状形成为其侧面为正锥形的梯形， 导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)与绝缘层1003的接触部分^l^为梯 形的下底部分，从导电部1004a的端部A到导电部1004b的端部B的绝缘层1003 (绝缘层1003的凸状部分1003a)的絲部分的^^圣长度最大P艮度地增长。由此，在导电部1004a和与^目邻的导电部1004b之间，经由绝缘层1003的^ir部^(绝 缘层1003和绝缘层1006之间的界面)引起的绝^s皮坏更加不易产生，进一步提 高元件搭载用基板的可靠性。另夕卜，在导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面) 的表面(上面侧)的局部设置不与绝缘层1003接触的区域1005时，仅该部分有 助于4^圣长度的增加，因此能够相应地抑制绝缘破坏。(5 )尽管导电部1004a和与^目邻的导电部1004b之间的间隔(空间)是与 以往相同的尺寸，^E^艮据本结构，增大了相对于该部分的绝缘破坏的实际间隔， 能够抑制元件搭载用差^反的可靠性下降。因此，可以进一步缩小导电部1004a和与 ^目邻的导电部1004b之间的间隔(空间)，能够实观兄件搭载用基〖反的进一步微 细化。(6)通过将加工成梯形的导电部1004a、 1004b (侧面加工成正锥形的导电部 1004a、 1004b )加压而压入到绝缘层1003中，在绝缘层1003内可以自我*埋设， 能够在导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)容易设置不与绝缘层1003接 触的区域1005。因此，能够实现元件搭载用1^反的4线本化。此外，在上述实施方式中，以覆盖绝缘层1003和各导电部(导电部10(Ma-1004c)而设有绝缘层1006的元件搭载用1^1^其制造方法为例，4^^发明并不局 限于此，例如，也可以是不设有绝缘层1006的元件搭载用^41。这种情况下也能 够得到上述效果。在上述实施方式中，以采用具有保护各导电部(导电部1004a~ 10(Hc)的功能 的 ']抗焊料剂膜作为绝缘层1006为例，但本发明并不局限于此，例如，作为绝 缘层1006,可以采用与绝缘层1003相同的材料，在其上还设置其它导电部。此时， 除了能够得到上述效果^卜，还可以将绝缘耐压性提高的元件搭载用基板多层化。在所述实施方式中，以导电部1004a、 1004b的上面与绝缘层1003的上面(凸 状部分1003a的上部)^!丈共面为例，^24^发明并不局限于此，例如，若在导电部 1004a、 1004b的侧面设置不与绝缘层1003接触的区域1005，则导电部1004a、 1004b 的上面相对于绝缘层1003的上面(凸状部分1003a的上面)可以突出也可以凹陷。 这种情况下，相应于鴻径长度的增大量，可以得到不易产生绝^^皮坏的效果。在上述实施方式中，以作为具有正锥形的导电部1004a (导电部1004b)其截 面形状为梯形为例，但^^发明并不局限于此，例如，也可以对于矩形的导电部的 上端部进行倒角，仅使上边部为正锥形。此外，同样地也可以为仅上端部带有圓 弧的状态。此时，在导电部1004a (导电部1004b)上设置的正锥形的部分，设置与绝缘层1003不接触的区域1005,该部分有助于鴻^圣长度的增加。本发明基于2006年7月31日提交的日本专利申请NO.2006 - 208456、 2006 年8月2日提交的日本专利申请No.2006-210558、 2007年7月18日提交的曰本 专利申请No.2007-187360，在j^爰引其内容。
权利要求
1、一种元件搭载用基板，其特征在于，包括具有埋设在绝缘层的第一导电部的第一电路基板；设置在所述绝缘层之上、具有第二导电部的第二电路基板，所述第二导电部在被埋设于所述绝缘层中的状态下、与所述第一导电部电连接。
2、 如权利要求1所述的元件搭载用差^反，其中，所述第一导电部和第二导电 部由同一^属构成。
3、 如权利要求1或2所述的元件搭载用基板，其中，还具有搭载有所述第一 电路J^反的金属^il。
4、 一种元件搭载用J4反的制造方法，其特^E^于，包括 第一工序，在第一电路J^反的绝缘层之上形成第一导电部；第二工序，准备具有第二导电部的第二电路J^反，在该第二导电部与所述第 一导电部接触的状态下对所述第二电路14反施加压力，将所述第二导电部与所述 第一导电部一同压入到所述绝缘层中，以将所述第二电3各基f反固定在所述第一电 路勤仏
5、 如权利要求4所述的元件搭载用基板的制造方法，其中，所述第二工序具 有在所述绝缘层半固化的状态下将所述第一电路1^反和所述第二电路1^^接的 步骤、和将所必色缘层力口热并固化的步骤。
6、 如权利要求4或5所述的元件搭载用基板的制造方法，其中，在所^^接 步骤中，在所述第二导电部覆盖所述第一导电部而配置的状态下进行压接。
7、 如权利要求4或5所述的元件搭载用基板的制造方法，其中，在所述第一 工序中，将所述第一导电部的截面形^R^工成朝向所述第一电路^^反的外侧、上部变细的梯形，在所述压接步骤中，在所述第一导电部与所述第二导电部的连4妄面上的、所 述第二导电部的尺寸比该连接面上的所述第一导电部的尺寸小的情况下进行压接。
8、 一种半导^^莫块，其特征在于，包括 权利要求1 ~3中任一项所述的元件搭载用基板； 在所iiiL件搭载用基板之上搭载的半导体元件。
9、 如权利要求8所述的半导^^莫块，其中，还具有第三导电部，其设置在所 必色缘层之上，被^>比对所述第二导电部^>的电压更高的电压，所述半导体元件安^设有所述第三导电部的区域。
10、 一种元件^^载用1^反，其特44于，具有 核心勤反；在所述核心基板的 一个主面设置的第 一布线结构； 在所述核心I^反的另 一主面设置的第二布线结构，所述第一布线结构或所述第二布线结构中的至少一个结构包含第一电路;&^反和第二电路J41,所述第一电路1^反具有埋设在绝缘层中的第一导电部，所述第二电路;^反设于所必色缘层之上，具有第二导电部，所述第二导电部在被埋设于所述绝缘层中的状态下、与所述第一导电部电连接。
11、 如权利要求10所述的元件搭载用基板，其中，所述第一导电部和所述第二导电部由同 一金属构成。
12、 如权利要求10或11所述的元件搭载用基板，其中，所迷核心基板由金 属形成。
13、 如权利要求10或11所述的元件搭载用基板，其中，所述核心基板由绝 缘层形成。
14、 一种半导^4狭，其特^碌于，包括 权利要求10-13中任一项所述的元件搭载用勤反；在所iiit件搭载用J^反的第一布线结构及第二布线结构中搭载着的半导体元件。
15、 如权利要求14所述的半导^#块，其特征在于，还具有第三导电部，其 设置在第一电路基t反的绝缘层之上，被 。比对第二导电部^>的电压更高的电 压，所述半^^元件安^设有所迷第三导电部的区域中。
16、 一种电路1^反的制造方法，其特4球于，包括 第一工序，在l^AJi形成绝缘层；第二工序，在所述绝缘层的表面上形成第一导电部及与第一导电部相邻的第 二导电部，至少将所述第一导电部和所述第二导电部的至少侧面上部加工成正锥形；第三工序，将所述第 一导电部和所述第二导电部压7^斤必色缘层中， 在所述第三工序中，在所述第一导电部及所述第二导电部的侧面与所必色缘 层之间设置间隙。
17、 如权利要求16所述的电路基板的制造方法，其中，在所述第二工序中， 将所述第一导电部和所述第二导电部的截面形状都加工威/f弟形。
18、 如权利要求16所述的电路基f反的制造方法，其中，在所述第三工序中，包括在所述绝缘层半固化的状态下将所述第 一导电部及所述第二导电部压入的步 骤、和将所必色缘层加热并固化的步骤。
19、 如权利要求17所述的电路基板的制造方法，其中，在所述第三工序中， 包括在所述绝缘层半固化的状态下将所述第 一导电部及所述第二导电部压入的步 骤、和将所必色缘层加热并固化的步骤。
全文摘要
本发明提供一种元件搭载用基板、元件搭载用基板的制造方法以及半导体模块，能够减少核心基板上设置的电路基板与其上搭载的电路之间的接触不良，提高作为多层元件搭载用基板的可靠性。元件搭载用基板具有电路基板(6)，其由基板(1)、在基板(1)上设置的保护(层)2、在保护层(2)上设置的绝缘层(3)以及在绝缘层(3)形成的导电层(5)(导电部5a～5c)构成；电路基板(10)，其搭载在电路基板(6)上，由基材(7)、在基材(7)的下面设置的导电层(8)(导电部8a，8b)、在基材(7)的上面设置的导电层(9)(导电部9a)构成。在此，通过将电路基板(10)压附在电路基板(6)上，导电部(8a)与导电部(5a)一同被埋设在绝缘层(3)中，在绝缘层(3)中形成导电部(8a)和导电部(5a)的连接部(11)，将电路基板(10)与电路基板(6)电连接。
文档编号H05K3/40GK101262739SQ200710307780
公开日2008年9月10日 申请日期2007年7月31日 优先权日2006年7月31日
发明者中里真弓, 水原秀树, 草部隆也, 高草木贞道 申请人:三洋电机株式会社
技术领域：
本发明涉及一种元件搭载用基^1^其制造方法、以及半导^^莫块。
技术背景在手机、PDA、 DVC以及DSC这样的便携式电子设备的高功能化的加速过 程中，为了J吏这样的产品被市场所4妄受，必须进行小型化、轻便化，为了实现该 目的，需要高集成的系统LSI。另一方面，对于这些电子设备，要求更加便于^^1, 对于设备所^^LSI，要求高功能化以及高性能化。因此，卩4^"LSI芯片的高集成 度，其I/0数量增力口，而封装自身的小型^^求^^曾强，为了同时使二者实现，强烈要求开发出适合于向14反安装高密度半导体零件的半导体封装。近年来，为了 应对这样的高密度^[嫂求，即使在搭载LSI芯片的电路J^反,Wlit行多^匕、微 细化的设计。例如，提出有将形成微细布线的薄膜布线板(树脂薄膜)经由粘接 层(粘接剂层)粘附到核心基板(挠性电路基板)以制造多层布线基板的方法。 根据该方法，可以利用其它适用于形成微细布线的工序来形成薄膜布线板，此外，通过^i44奪合格件进行粘附，可以实现高成品率。图7是概略表示^W的元件搭载用^i^反的构造的剖面图。^W的元件搭载用 (多层布线J41)包括形絲电路图案103的挠性电路^^反101;在一面或 两面上形成有电3各图案104并且在其中的一面上形成有可电连接的突起部分106 的树脂薄膜102;在挠性电路^^反101和树脂薄膜102之间将非导电性粘接膏固化 而形成的津M妄剂层110。 ^￡部分106由津M妄剂层110固定，将挠性电路1^反101 上的电路图案103和树脂薄膜102上的电路图案104电连接。但是，在上述i贿的元件搭载用l^反中，津M妾剂层110和挠性电路141 101 是由不同的材料形成，由于各材料的热膨胀系数不同，故对应于温度变化，在二 者的界面容易产生热应力。因此，在对元件搭载用14反加热时，在粘接剂层110 与挠性电蹈^4反101的^^处会发生剥离，由此，挠性电路基j反101上的电路图 案103与树脂薄膜102上的电路图案104的连接可靠性下降。而且，树脂薄膜102和挠性电路J^反101经由粘接剂层110贴合时，由于粘接剂层110的流动性低，在树脂薄膜102上的^部分106与挠性电路^^反101 上的电路图案103的界面上存在有frl矣剂层110的歹劲莫，这也^f吏得挠性电路基 板101上的电路图案103与树脂薄膜102上的电路图案104的连接可靠性下降。发明内容本发明鉴于上述情况而作出的，其目的在于提供一种电路1^反与其上搭载的 电3R间的连接可靠性优良的多层元件搭栽用^^1^其制造技术。本发明第一方面提供一种元件搭载用J^反。该元件搭载用J^反包拾具有埋 设于绝缘层中的第一导电部的第一电路基板；设置在绝缘层之上并且具有第二导 电部的第二电路J^反，第二导电部在被埋设于绝缘层中的状态下与第 一导电部电 连接。根据该方面，由于第二导电部与第一导电部一同初埋设在绝缘层中，二者利 用该绝缘层固定，因此元件搭载用基板受到热应力时其连接可靠性(第一导电部 与第二导电部之间的连接可靠性)提高。在上述构成中，第一导电部和第二导电部优选由同一金属构成。根据该构成， 第一导电部和第二导电部的热膨胀系数相同，因jH^目对于元件搭载用差4反的热应 力的连接可靠性进一步提高。在上述构成中，还可^^搭载有第一电路基〖反的金属勤反。本发明的第二方面提供一种元件搭载用J41的制造方法。该元件4荅载用差3反 的制造方法包括第一工序，在第一电路勤反的绝缘层之上形成第一导电部；准 备具有第二导电部的第二电路;^反，在使该第二导电部与第一导电部接触的状态 下对第二电路Jil施加压力，将第二导电部与第一导电部一同压入绝缘层中，将 第二电路U反固定在第一电路^^Ji。才艮据该方面，由于第二导电部与第一导电部一同被埋设在绝缘层中，二者通 过该绝缘层固定，在使第二导电部与第一导电部接触的状态下对第二电路^^反施 加压力而压入到第一电路勤反的绝缘层中，由此，形成固定有第二导电部和第一导电部的电路基〖反，因此，制造所iiit件搭载用差^反(将第二电路;i^反固定在第一电路^^反之上的电路基〖反)的工序变得简单。因此，能够以j线本制造相对热 应力的连接可靠性(第一导电部与第二导电部之间的连接可靠性)高的元件搭载用差3反。另外，在将第二电路;U反固定在第一电路J^反上时，第二导电部与第一导电部一同埋设在绝缘层中，由此，抑制在第二导电部与第一导电部的连接界面 上产生的绝缘层残留膜，并且能够将第二导电部和第一导电部连接。结果，能够 制造对应于热应力的连接可靠性(第一导电部与第二导电部之间的连接可靠性) 更高的元件一荅载用差d反。在上述构成中，第二工序包括在绝缘层半固化的状态下将第一电路J^反和第 二电路J4l压接的步骤、和将绝缘层加热并固化的步骤为好。由此，能够将第二 导电部和第一导电部自#^且容易地埋设到绝缘层中。因此，能够制造出更低成 本的元件搭载用^^反。在上述构成中，在压接步骤中，优选在第二导电部覆盖第一导电部而配置的 状态下进行压接。由此，来自第二导电部的压力均匀地作用在整个第一导电部上， 第二导电部能够将整个第一导电部均匀地埋设在绝缘层中，能够稳定地制造第二导电部和第一导电部之间的连接部。因此，能够提高元件搭载用基板的成品率， 能够以^f^本制it^件搭载用l^反。在上述构成中，在第一工序中，理想的是，将第一导电部的截面形^R^工成 朝向第一电鴻^S^反的外侧、上部变细的梯形，在压接步骤中，在第一导电部与第 二导电部的连接面上的、第二导电部的尺寸比连接面上的第一导电部尺寸小时进 行压接。由此，在压接步骤中，绝缘层容易从加工为梯形的第一导电部的侧面向 其上面流动，能够制造出可抑制在第 一导电部与第二导电部的连接部分附近产生 空隙(void)的元件搭载用1^反。因此，能够提高元件搭载用1^反的连接可靠性，提高制itit件搭载用差^反的成品率，降^7t件搭载用基板的制it^本。本发明第三方面提[种半导^^莫块。该半导^w狭上述的元件搭载用基板、 和在元件搭载用J^反之上搭载的半导体元件。在上述构成中，还具有第三导电部，其设置在绝缘层上，施加有比对第二导 电部施加的电压更高的电压，半导体元件安装设有第三导电部的区域中。本发明第四方面提供一种元件搭载用勤反。该元件搭载用1^反具有核心勤反、在核心J4反的一主面上设置的第一布线结构、以4核心差41的另一主面设置的第二布线结构，在第一布线结构或第二布线结构中的至少一个结构中包括具有埋 设在绝缘层中的第一导电部的第一电路14反、和在绝缘层之上设置的具有第二导 电部的第二电路1^反，第二导电部在埋设于绝缘层中的状态下与第一导电部电连接。在上述构成中，第一导电部和第二导电部可以由同一金属形成。此外，核心J^反可以由金属形成。此外，核心基板可以由绝缘层形成。本发明第五方面提供一种元件搭载用扁反的制造方法。该元件搭载用勤反的制造方法包括第一工序，在基板上形成绝缘层；第二工序，在绝缘层的表面上 形成第 一导电部以及与第 一导电部相邻的第二导电部，至少将第 一导电部及第二 导电部的侧面上部加工为正锥形；第三工序，将第一导电部和第二导电部压入绝 》彖层中，第三工序中，在第一导电部和第二导电部的侧面与绝^彖层之间产生间隙。在上述构成中，第二工序中，可以将第一导电部和第二导电部的截面形状都 加工成梯形。此外，在第三工序中可以包括在绝缘层半固化的状态下将第一导电 部和第二导电部压入的步骤、和将绝缘层力。热并固化的步骤。需要说明的是，上述结构的任意组合或更改等都与上述方面同样有效，而且 包括在本发明的发明内容中。另夕卜，本发明的发明内容没有描i^斤有的结构特征，因》b^发明也可以是上 述结构特征的次级结合。
下面仅用举例的方法描述实施例，参考示例性的附图并不仅限于此，其中同 样的部件在多个附图中标注同一附图标记。图1是本发明第一实施方式的第一实施例的元件搭载用勤反的示意剖面图。 图2 (A) ~ (D)是用于说明图1所示的第一实施方式的第一实施例的元件4荅载用勤反的制造it禾呈的示意剖面图。图3是本发明第一实施方式的第二实施例的元件搭载用勤反的示意剖面图。 图4是表示本发明第一实施方式的第三实施例的半导^^莫块的构成的示意剖面图。图5是表示本发明第一实施方式的第四实施例的半导^f莫块的构成的示意剖面图。图6是表示本发明第一实施方式的第五实施例的半导#^莫块的构成的示意剖面图。图7^^W的元fH荅载用勤反的示意剖面图。 图8是本发明的第二实施方式的元件搭载用;Sd反的示意剖面图。 图9 (A) ~ (D)是用于说明图8所示的第二实施方式的元件搭载用基板的 制造过程的示意剖面图。图10是现有的元件搭载用基4l的示意剖面图。
具体实施方式
以下参考优选实施例描述本发明，并不旨在P艮制本发明的范围，而是举例说 明本发明。以下，基于
本发明的实施方式。所有的附图中，相同的构成要素标 注相同的附图标记并省略相关说明。 (第一实施形态) (第一实施例)图1是本发明第一实施方式的第一实施例的元件搭载用勤反的示意剖面图。第一实施形态的第一实施例的元件搭载用^^反具有电路勤反6，其由基板1、 在基板1上设置的保护层2、在保护层2上设置的绝缘层3以4绝缘层3形成的 导电层5 (导电部5a ~ 5c)构成；电路1^反10，其搭载在电路1^反6的绝缘层3 上，由基材7、在基材7下面设置的导电层8 (导电部8a， 8b)、在_|^才7上面设 置的导电层9 (导电部9a)构成。在此，通过将电路J4反10压接在电路;S^反6上， 电路基f反10的导电层8(导电部8a, 8b)埋设并固定在电路;i^反6的绝缘层3中。 特别是，导电部8a在与导电部5a接触的状态下被埋设在绝缘层3中，在绝缘层3 中形成导电部8a与导电部5a的连接部分11 ，将电路基板10与电路1^反6电连接。具体地，基板l，例如采用由铜(Cu)构成的金属板，作为电鴻^^反6的核 心1^反而起作用。通过该1^反1能够提高电路^^反6的散热性(耐热可靠性)。另 夕卜，J^反1优i^用环氧类的绝^N"^^成的树脂l^反或导电层与树脂层交替形 成的电踪^41。保护层2，例如由主要成分为环lli对脂的绝缘性树脂构成，在J^反1上设有大 约10pm的厚度。该保护层2作为用于确保在导电层5 (特别^_导电部5a) _L 。 高电压时的导电层5与J^反1之间的绝缘耐压的保护膜而起作用。另夕卜，采用树 脂^^反或电路1^反作为1^反1时，采用具有作为保护层2保护1^反1不被水份等 4￡^的功能的耐湿'f全床护月莫。绝缘层3，例如由主要成分为环氧树脂的热固化性树脂形成，在保护层2上设 有大约150Mm的厚度。此外，考虑到提高元件搭载用基板的散热性，绝缘层3具 有高导热性为好。因此，纟色缘层3含有银、铋、铜、铝、镁、锡、锌及其*等、 以及二氧H氧化铝、氮必5圭、氮化铝等高导热性填充剂。导电层5 (导电部5a-5c),例如釆用铜、铝等金属，其厚度例如约30Mm。 导电部5a 5c的截面形状都加工成矩形。导电部5a、 5b是设置在电路基板10下 方区域的布线图案或电极(外部电极)等，其中的导电部5a以与电路基板10的导 电部8a—同层积埋设在绝缘层3中的状态形成连接部11。导电部5b不直接与电 路J^反10的导电层8连接，而^i里i殳在绝缘层3内的表面。此外，导电部5c是在 设有电路基板10的区域"卜的布线图案或电极(外部电极)等，不埋设在电路基 板6的纟色缘层3中，而是形成在绝缘层3的表面上。电路基板6由所述1^反1 、在该基板1上设置的保护层2、在该保护层2上设 置的绝缘层3以4该绝^彖层3形成的导电层5 (导电部5a ~ 5c)构成。^# 7采用环氧类的绝纟4#料构成的树脂1^反，作为电路基〖反10的核心_|4反 而起作用。另夕卜，7可以在内部设有多个导电层賴于将其连接的连接孔等 等。导电层8(导电部8a, 8b),例如采用铜、铝等^r属，其厚度例如大约30,。 导电部8a、 8b的截面形状都加工成矩形。导电层8(导电部8a, 8b)是设置在基 材7下方区域的布线图案或电极(外部电极)等。这时，导电部8a的外缘在外侧 越过电路1^反6的导电部5a的外缘、即导电部8a的尺寸(面积)大于导电部5a 的尺寸(面积)。另夕卜，导电部8a的尺寸(面积)可以与导电部5a的尺寸(面积) 相同。通过将电路1^反10压接在电路J^反6上，其中的导电部8a与电路14反6 的导电部5a一同净^叠埋设在绝缘层3中，分别形成连接部ll。另外，导电部8b 被埋设在绝缘层3中的表面。导电层9(导电部9a),例如采用与导电层8相同的材料、厚度以及形状。导 电层9是设置在导电层8相反侧的基材7上面的布线图案、电极等(外部电极)等。电路J^反10由所ii^材7、在该基材7下面设置的导电层8(导电部8a， 8b) 以4基材7上面设置的导电层9 (导电部9a)构成，搭载在所述电路1^反6的绝 缘层3上。两^f反的连接如下进行，即，电路J^反10的导电部8a与电路l^反6 的导电部5a—同层叠埋设在绝缘层3中，分别形成连接部ll。 (制造方法)图2是用于说明图1所示的第一实施方式的第一实施例的元件搭载用基4反的 制造过禾呈的示意剖面图。首先，如图2 (A)所示，作为^￡1,准备例如由铜(Cu)构成的金属板。然后，通过旋涂法在J^反1上形成以环氧树脂为主要成分的绝缘性树脂构成的保护层2。在此，保护层2的厚度例如约为10pm。该保护层2起到如下作用，即对 导电层5 (特别是导电部5a) 口高电压的时，用于确保导电层5与基fe 1之间的 绝缘耐压。此外，采用树脂^I^反或电路J^反作为J^反1时，采用具有保护J^反1 不被水份等侵入的功能的耐湿性保护膜作为保护层2。如图2 (B )所示，通过在真空中或减压下将绝缘层3和铜箔(未图示)构成 的层叠膜热压附在保护层2上，形成大约150fjm厚且由以环l^t脂为主要成分的 热固^f对脂构成的绝缘层3、和约3iom厚的铜箔(未图示)。然后，利用无电解镀 敷法以及电解MI丈法在铜箔的表面上镀铜。由此，在绝缘层3上形成厚度约30(jm 的由铜构成的导电层4。另夕卜，在这一工序中，热固化树脂即绝缘层3没有完全热 固化，而是维持半固化的状态(容易流动的状态)。如图2(C)所示，利用光刻技术和蚀刻技;^于导电层4构图，形成具有导电 部5a 5c的导电层5。此时，通过调整烛刻条件，将导电部5a 5c的截面形^^口 工成矩形。由此，在绝缘层3上形成构成布线图案或电极的一部分的矩形导电部 5a 5c。其结果，在1^反1的绝乡彖层3上形成具有导电层5 (导电部5a 5c)的电 路絲6。如图2 (D)所示，准备在基材7的上面和下面分别形成有导电层8 (矩形导 电部8a、 8b)以及导电层9 (矩形导电部9a)的电路^^反10。将该电蹈^^反10 配置在所述电路J^反6的上面侧的规定位置(特别是，导电部8a;t^整个导电部 5a而配置)，其被平板(未图示)从上下夹住而对电路勤反10 口均匀的压力(约 10Mpa)，将电路勤反10的导电层8 (导电部8a、 8b)压入绝缘层3中(压接的步 骤)。由于绝缘层3是半固化的状态(容易流动的状态)，故导电层8(导电部8a、 8b)容易埋设到绝缘层3中。另夕卜，通过将导电部8a4餘整个导电部5a而设置， 来自导电部8a的压力均匀地作用在整个导电部5a上，导电部8a能够将导电部5a 整休均匀地iE设在绝缘层3中。由此，导电部8a在与导电部5a接触的状态下层叠 埋设在绝缘层3中，如图1中所示，导电部8a与导电部5a在分别对应的位置形成 连接部ll,将电路1^反10和电路;S4反6电连接。此外，将在绝缘层3上形成的导 电部5b被电路J^反10的^jf才7压入绝缘层3中而配置。接着，通it^"绝缘层3 进行热处理(150。C、 30^4中)，使绝缘层3完全固化(固化步骤)。通过所述工序，制造出第一实施方式的第一实施例的元件搭载用基板。 根据以上说明的第 一 实施方式的第 一 实施例的元件搭载用基板及其制造方法，能够得到以下的效果。(1) 由于导电部8a与导电部5a —同被埋设在绝缘层3中，二者通过该绝缘 层3被固定，相对于元件搭载用J^反受到的热应力的连接可靠性(导电部5a和导 电部8a之间的连接可靠性)提高。(2) 由于将导电层5 (特别^导电部5a)和导电层8 (特别是导电层8a)由 同一金属(铜)构成，因此导电层5及导电层8的热膨胀系数相同，在二者之间 产生的热应力被緩和，能够进一步提高元件搭载用差41的连接可靠性。(3 )元件搭载用差d反将导电部8a和导电部5a —同被埋设在绝缘层3中并且 将二者由该绝缘层3固定,通过将导电部8a在与导电部5a接触的状态下对电路基 板10 ^i/口压力而将其压入到电路基板6的绝缘层3中，形成所iiiL件搭载用基板， 因此，制造这样的元件搭载用基板的工序变得简单。因此，能够以低成本制造出 相对于热应力的连接可靠性(导电部5a与导电部8a间的连接可靠性)提高的元件 搭载用絲。(4 )将电路^^反10压接(固定)在电路J^反6上时，通过将导电部8a在与 导电部5a接触的状态下层叠埋设在绝缘层3中，抑制在导电部8a与导电部5a的 连接界面上产生绝^l莫3的歹划莫，并且能够连接导电部8a和导电部5a。结果，能 够制造出相对热应力的连接可靠性(导电部5a与导电部8a间的连接可靠性)进一 步4是高的元件4荅载用J^反。(5) 电路^S^反6 (导电部5a)与电路14反10 (导电部8a)的连4妄通#半 固化的状态下压接绝缘层3的步骤、和对绝缘层3加热并固化的步骤而进行，由 此，导电部8a和导电部5a双方能够自我^且容易埋设在绝缘层3中。因此，能够以更低的成本制it^t件搭载用基淑。(6) 在压接步骤中，导电部Sa在覆盖导电部5a的状态下压接(固定)，由 此，来自导电部8a的压力均匀地作用在整个导电部5a上，导电部8a可将整个导 电部5a均匀地埋设在绝缘层3中，故而能够稳定制造导电部8a与导电部5a间的 连接部11。因此，能够提高元件搭载用l^反的制it^品率，可以〗线本制it^/f牛 搭载用紘(7) 由于用别的制造工艺对电路基板10进行加工，故在将电路基板10 4'給 前可以进行质量4全查，在粘合工序中不流出次品的电路勤反10，能够提高元件搭 载用勤反的制it^品率，可以^^本制iiit件搭载用差4反。(8) 由于仅^Utit^色缘层3固定连才妄部ll (导电部8a及导电部5a)，故能够抑制采用现有的粘接层(粘接剂)时在此界面产生的热应力(各材料的热膨胀 系数之差引起的热应力)，提高元件搭载用J^反的连接可靠性。(9)在电路1^反6上搭载电路J4！ 10时，不采用J贿的4對妄层(沣財妄剂)就能够将两基板津給，故与以4封目比，元件搭载用基板的制造成本可以更加便宜。 (第二实施例).在如第一实施方式的第一实施例的导电部5a那样、截面形状为矩形且在其上 部设置的导电部8a的尺寸较小的情况下，层叠埋设在绝缘层3中时，在连接部ll 的侧面旁#易产生空隙(void)。为了不产生空隙，在压接时，需要用低压力施 加较长时间，会使生产率降低(制itA本增加)。图3是本发明第一实施方式的第二实施例的元件搭载用差^反的示意剖面图。与 第一实施方式的第一实施例不同之处在于(A)在电路基板6上设置的导电部 5al 5cl的截面形状被加工&悌形，朝向基tl的外侧其上部变细；(B)电路J41 10的导电部8al、 8bl以及导电部9al被加工成梯形，朝向J4反的外侧各自的上部 变细；(C)连接部11的导电部8al的尺寸(特别是连接面的尺寸)比导电部5al 的尺寸(特别是连接面的尺寸)小。除此"卜，与第一实施方式的第一实施例相 同。这样的梯形连接结构如下形成，即，准备具有加工成梯形的导电部5al-5cl 的电路l^反6和具有加工成梯形的导电部8a、 8b (导电部9a)的电路1^反10,如 图2(D)所示的工序，将二者压接在""^。另外，梯形导电部5al-5cl，如所述 第一实施方式的第一实施例的图2 (C)所示的工序，通过调整加工导电层5时的 蚀刻条件而容易形成。根据该第一实施方式的第一实施例的元件搭载用基3^^其制造方法，除了第一 实施方式中的第一实施例中的所述(6) O卜的效果，还能够得到以下的效果(10 )将导电部5al的截面形^^。工成朝向电路基f反6外侧、上部变细的梯形， 在压接步骤中，通过在导电部5al与导电部8al的连接面上的导电部8al的尺寸小 于连接面上的导电部5al的尺寸状态下进行压接，绝缘层3容易从加工成梯形的导 电部5al的侧面朝向其上面流动，能够制it抑制在导电部5al与导电部8al的连接 部11附近产生空隙(void)的元件搭载用J^反。因此，能够提高元件搭载用J^反 的连接可靠性，提高元件搭载用I^反的制造成品率，降^^L件搭载用J^反的制造 成本。(第三实施例)图4是表示第一实施方式的第三实施例的半导^#块的构成的示意剖面图。该半导^^莫块包括第一实施方式的第二实施例的元件搭载用基板20和在元件搭载用 ^i^反20上安装的半导体元件30。本实施例的半导^f莫块，例如适用于';t曰^动力汽 车的电机驱动用的变换器才莫块、汽车的动力马达用(Z7 —々一乂K夕乇一夕) 的变换器模块。向电路14110的导电部8al、 8bl、 9al传送逻辑电平(例如，5V)的4氐电压 信号。另一方面，向电赠^J^反6的导电部5cl传送比逻辑电平高的电压、即高电压 信号。半"f^元件30安^设有导电部5cl的区域中。半导体元件30是变换器模 块用的动力元件，^J )金属线32与导电部5cl引线#^。由此，本实施例的半导 #^狭通过电路勤反10而实现局部多层化，在没有构造电^各勤反10的绝缘层3 上安装有半导体元件30。根据以上说明的第一实施方式的第三实施例的半导#^莫块，可以得到以下的效果(11)由于导电部5cl设在绝缘层3上，可最大限度地利用绝缘层3的力辨， 能够确保对于^i。高电压时导电部5cl的耐压能力来i^X够的绝缘层3的Ig。的半导体元件30，基板l与半导体元件30的距离可缩短。由此，能够提高半导体 元件30的散热'性。(13) ;^M氐电压的电路^^反10的导电部8al、 8W、 9al由于不需要高耐压 性，所以能够将绝缘层的厚度减薄。因此，要求高集成化的电路J^反10可实现低 高度化。(第四实施例)图5是表示第一实施方式的第四实施例的半导^^狭的构成的示意剖面图。本 实施方式的半导^M狭具有元件搭载用基板，其具有在核心基淑40的一面上_没置 的第一布线结构、和在核心14140的另一面上设置的第二布线结构。M地，在 100-200,的由铜构成的核心141 40的一面设有电路^^反6。即，在核心^i^反 40的一面设有绝缘层3，在绝缘层3上设有导电部5cl。与第三实施方式同样i^于 导电部5cl^口高电压。另外，在绝缘层3上局部地层叠有电路基&10。向电路 基板10的导电部8al、 8bl、 9al传送逻辑电平(例如，5V)的低电压信号。半导 体元件30安^设有导电部5cl的区域中。在本实施方式中，半导体元件30用焊 料凸块34与导电部5cl倒装片连接。而且，半导体元件30可以与第一实施方式的第三实施例同样^ii行？ 1线才給连接。此外，核心^^反40的另一面上设有电路J^反6'。即，核心14反40的另一面上 设有绝缘层3',在绝缘层3，下设有导电部5cl'。与第三实施方式同样地，对导电 部5cl，^i口高电压。另夕卜，在绝缘层3，下局部地层叠有包含基材7，、导电层8，、 9， 的电路^^反10'。对电路^^反10，的导电部8al'、 8bl'、 9al，传送逻辑电平(例如， 5V)的低电压信号。半导体元件30，安^设有导电部5cl，的区域。半导体元件 30，是变换器模块用的动力元件，^i ]焊料凸块34，与导电部5cl，倒装片连接。根据以上说明的第一实施方式的第四实施例的半导^4莫块，可以得到以下的效果(14) 在具有核心基板40的元件搭载用基板的未多层化的部分搭载有作为发 热元件的半导体元件30、 30，，故核心J^反40与半导体元件30、 30，之间的距离能 够缩短。由此，可提高半导体元件30、 30，的散热性。(第五实施例)图6是表示第一实施方式的第五实施例的半导#^莫块的构成的示意剖面图。本 实施例的半导^^^:使用的元件搭载用^^反，除了构成核心差d反40的材料O卜， 具有与第四实施方式的半导体模块同样的构成。在本实施方式中，作为核心基板40,使用绝缘层。作为绝^彖层，可以由例如聚酰亚胺树脂、环氧树脂、苯朌树脂、 BT树脂等热固^4对脂形成。绝缘层可以是在编织好的玻璃纤维中含浸所述树脂的 类型的膜。此外，可以向绝缘层中添加具有2pm-10pm左右的直径的填充剂。作 为填充剂，氧化铝(A1203)、氧化硅(Si02)、氮化铝(A1N)、 t/H^圭(SiN)以 及氮化硼(BN)等是适用的。此外，作为填充剂的重量填充率优选30% ~80%左 右。此外，在本实施例中，用于控制半导体元件30的动作的低发热性半导体元件 31安#基材7上。半导体元件31和导电部9al经由焊料凸块35电连接。才艮据以上说明的第一实施方式的第五实施例的半导^f莫块，可以得到以下的效果(15) 由于核心J4140与绝缘层3、 3，的热膨胀系数接近，可以提高核心J^反 40与绝缘层3、 3'的紧密贴合性。(16) 通#基材7上设置低发热性的半导体元件31 ，能够不损失散热性而 实现半导^^狭的进一步M化。此外，在上述实施例中，以在电路勤反6上压4斜荅载电路基板10并将各自的15导电部5a (导电部5al)及导电部8a (导电部8al)连接的元件搭载用差^反为例， ^^发明并不局限于此,也可以代替电3各14反10,在例如WLCSP( Wafer Level Chip Size Package:晶片级芯片尺寸封装)等半导体基板的表面上压4勤荅载设有电极(外 部电极)的电路元件，将该电极上与所述导电部5a (导电部5al)连接。这种情况 下也能够得到上述效果。在上述实施例中，以在电路基板6 Ji^l妇荅载一个电路^^反10为例，4S^发 明不局限于此，例如，可以将多个电路J4反分别、或者同时压^4荅载。这种情况 下也能够得到上述岁丈果。在所述实施例中，以电路勤反10的导电层8部分埋设在绝缘层3中为例，但 本发明并不局限于此，例如，可以将J^才7的"p分或者4r^埋设在绝缘层3中。 此时，由于^# 7的侧面(周围)被绝缘层3 ^复A，即使对元件搭载用Jd反^/口 热量时，绝缘层3也会从四周压入电路1^反10 (基材7),故在电路勤反6与电路 J^反10的界面不易产生剥离，进一步提高其连接可靠性。在上述实施例中，以在电路;l^反6上压4勤荅载电路勤反10时、在电路基板6 侧(电路勤反6的绝缘层3)埋设各自的导电部的元件搭载用差d反为例，但本发明 并不局限于此，例如，也可以通过调整电路基板10的构造，在电路基板10侧埋 设各自的导电部。在上述第一实施方式的第二实施例中，以电^各勤反10的导电部8al^^^工成 梯形为例，^^发明并不局限于此，例如，电路^fe 10的导电部8al也可以是第 一实施例中的矩形。此时，只要连接部ll处的导电部8al的尺寸(特别是连接面 的尺寸)比导电部5al的尺寸(特别是连接面的尺寸)小，则可以得到上述(10) 的效果。在上述第一实施方式的第四实施例和第五实施例中，在核心基板40的一面上 设置电路J^反6和电路J^反10，在核心^^反40的另一面上设置电路^^反6，和电路 ^^反10，，但只要在核心基F反40的一面上i殳置电路J4反6和电路;i^反10即可，也可以在核心1^反40的另一面上设置/;^、口的布线构造。在上述实施例中，可以将电路J^反10和电路J^反10，堆积多个。由此，可以通图1.0是示意地表示现有的电路1^反的构造的剖面图。现有的电路1^反(印刷 电路板)包括至少外面由金属形成的14反(基体)1101、在1411101的上面形 成的粘接层(表面处理金属材料)1108、在粘接层1108上形成的绝缘层(树脂层)1104以4绝缘层1104上局部蚀刻而形成的具有电路布图的布线层(金属箔) 1106。为了实现电鴻^l^反的高密^^化，将具有电路布图的布线层1106的加工尺寸 细微化是有效的。但是，在将布线层1106的加工尺寸细樣i化的情况下，对应于此，相邻的布线 间的间隔(空间)也缩短，具有在施加高电压时难以充分确j斜目邻布线间的绝缘 耐压的问题。这是因为，在位于相邻布线间的绝缘层的4^存在有由蚀刻引起的 损伤层(或绝缘层的未结合的末端等)等，^i口高电压时容易产生经由该表层部 分的绝纟#皮坏。该部分的绝缘耐压不良则会导致元件搭载用基板的可靠性显著下 降。因此，以往的元件4吝载用基板中，这种细微化、即布线层的加工尺寸的纟田微 化M在一定的限度。本实施方式是鉴于这种状况而研发的，其目的在于提供一种能够实现布线加工 尺寸的细微化且可降j財目邻布线间的绝缘耐压不良的制造技术。 (第二实施方式)图8是表示第二实施方式的元件搭载用基板的构成的示意剖面图。基于图8说 明第二实施方式的电路_|4反。本实施方式的元件搭载用基板包括！^反1001、在 !^反1001上i殳置的保护层1002、在保护层1002上设置的绝缘层1003、在该绝缘 层1003内埋设的多个具有正锥形(順亍一八。形状)的导电部1004a~ 1004c以A^篁 盖绝缘层1003以及导电部1004a ~ 1004c而设置的绝缘层1006。在此,绝缘层1003 在导电部1004a和与其相邻的导电部1004b之间具有凸状部分1003a。所谓凸状部 分1003a是指，在比绝缘层1003的凹部内的底部(导电部1004a- 1004c的下面) 高的位置上的部分绝缘层。此外，所谓正锥形是指，例如梯形那样，尺寸宽度从 下边向上边i^斩变细，此时，表示从导电部1004a~1004c的下面侧向上面部，其 尺寸t变变细的状态。另夕卜，在该绝缘层1003a的凸状部分1003a与导电部1004a 的侧面(导电部1004b的侧面)之间产生间隔(空间)，在这部分存在绝缘层1006, 在导电部1004a的侧面(导电部1004b侧面)i殳有不与绝缘层1003接触的区域1005。 另夕卜，li反1001 ^__^发明的"1^反，，，绝缘层1003是本发明的"绝《彖层"、导电部 1004a是本发明的"第一导电部"，以及导电部1004b是本发明的"第二导电部"的一 例。^地，在本实施方式的元件搭载用基板中，基板IOOI,例如采用由铜(Cu) 构成的金属板。另夕卜，基长1001可以是环氧类的绝纟4#料构成的树脂基板或布线 层和树脂层交替形成的电路14反。17保护层1002,例如由以环氧树脂为主要成分的绝缘性树脂构成，在;i^反丄001上设有大约lOprn的厚度。该保护层1002起到保护膜的作用，确保对M电部(导 电部1004a~ 1004c)^/口高电压时、备竽电部与勤反1001之间的绝缘耐压。另夕卜， 在作为绝缘1^反1001而采用树脂J^反或电路J^反时，采用具有保护^fe 1001不 被水份^的耐湿性保护膜作为保护层1002。绝纟彖层1003，例如，由以环氧树脂作为主要成分的热固^N"脂构成，在保护 层1002上设有约lOO(jm的厚度。在此，绝缘层1003在与导电部1004a~ 1004c中 应位置形成有凹部，并且在该凹部中分别配置有导电部1004a~1004c。即，绝缘 层1003形成在导电部1004a和与其相邻的导电部1004b之间具有构成与导电部 1004a、 1004b的上面大致共面的高度(约30Mm)的凸状部分1003a。另夕卜，在导 电部1004b和与^目邻的导电部1004c之间也具有同样的构造。此外，考虑到提高 元件搭载用^^反的散热性，绝缘层1003具有高热传导性为好。因此，绝缘层1003 最好含有银、铋、铜、铝、镁、锡、锌及其合金等、以及二氧化硅、氧化铝、氮 化硅、氮化铝等高导热性材料。导电部1004a ~1004c,例如采用铜、铝等金属，厚度例如约30pm。导电部 1004a~ 1004c的截面形状^i弟形，导电部1004a ~ 1004c的侧面都是正锥形。导电 部1004a~ 1004c构成线^R/空间状(L/S)排列的布线图案的一部分，其上面与绝 缘层1003的上面(凸状部分1003a的上部)大致共面地被埋设在绝缘层1003中。 另夕卜，在导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)与绝全彖层1003的凸状部分 1003a之间设有导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)与绝缘层1003不接 触的区域1005。另夕卜，作为正锥形的角度，同时考虑到导电部1004a、 1004b的细 微化和形成区域1005的形成难易度，例如优选约为45度。在此，导电部1004a和导电部1004b相互相邻设置。在本实施方式中，特别 是设定导电部1004a与导电部1004b的间隔(空间)细微化到制造极限(制造时能 够允许的最小空间值)的状态。绝缘层1006,例如采用以环MW旨为主要成分的绝缘性树脂构成的光刻抗蚀 剂膜，覆羞绝缘层1003及导电部1004a~ 1004c而设置成约50pm的厚度。此时， 在导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)与绝缘层1003不接触的区域1005 内^iE^形^"绝纟彖层1006。绝缘层1006具有保护各导电部(导电部1004a~ 1004c)不受外部环境影响的功能。此外，可以在绝缘层1006中添加用于提高热传 导性的填充剂。(制造方法)图9是用于说明图8所示的第二实施方式的元件搭载用差^反的制造过程的示 意剖面图。首先，如图9 (A)中所示，作为基板1001，例如准备由铜(Cu)构成的^^属 板。然后，通过旋涂法在4丐基板1001上形成由以环fii^脂为主要成分的绝缘性树 脂构成的保护层1002。在此，保护层1002的厚度，例如约10pm。保护层1002 起到保护膜的作用，即，对M电部(导电部1004a~1004c) 口高电压时，确 保M电部与J^反1001之间的绝缘耐压。另夕卜，在^^]树脂1^反或电路1^反作为 !^反1001的情况下，采用具有保护基板1001不被水份浸入的耐湿性保护膜作为 保护层1002。如图9 (B)中所示，通it^真空下或减压下将由绝缘层1003和铜箔(未图 未)构成的层叠膜热压附在保护层1002上，形成厚度约100拜的、以环fi对脂为 主要成分的热固4U对脂构成的绝缘层1003和约3jom厚的铜箔(未图示)。然后， 利用无电解镀敷法以及电解Mlt法在铜箔的表面上镀铜。由此，在绝缘层1003上 形M约30|om的铜构成的布线层1004。另夕卜，在该工序中，作为热固^4对脂的 绝缘层1003并未完全热固化，而是维持半固化的状态(容易流动的状态)。如图9(C)所示，利用光刻技^^口蚀刻技^于布线层1004构图。由此，在 绝缘层1003上形成构成布线图案一部分的导电部1004a-1004c。这时，通过调整 蚀刻条件，导电部1004a~ 1004c的截面形状成为梯形(导电部1004a~ 1004c的侧 面约45度的正锥形)。如图9 (D)所示，用平板(未图示)从上下夹住形成有导电部1004a 10(Mc 的141 1001而对导电部1004a ~1004c均匀地施加压力(约10Mpa),将导电部 1004a~ 1004c压入绝缘层1003中(压入步骤)。由于绝i彖层1003是半固化的状态 (容易流动的状态)，故导电部1004a ~ 1004c容易埋设到绝^彖层1003中，在绝缘 层1003中、在与导电部1004a~ 1004c对应的位置形成凹部，同时在导电部1004a 和与其相邻的导电部1004b之间的绝缘层1003 —体地形成凸状部分1003a。这时， 导电部1004a、 1004b的上面被埋设到与绝缘层1003的上面(凸状部分1003a的上 部)大致共面。同时，导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)与绝缘层1003 的凸状部分1003a之间产生间隔(空间)，设置与导电部1004a的侧面(导电部1004b 的侧面)和绝缘层1003不接触的区域1005。接着，通i^t绝缘层1003 ;^/。热处 理(150°C、 30 ^4中)，使绝缘层1003完全固化(固化步骤)。最后，如图8中所示，作为绝缘层1006, ^U色缘层1003以及导电部1004a~ 1004c而形成例如以环flM脂为主要成分的绝缘性树脂构成的厚约50pm的光致抗 焊料剂膜。此时，在导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)和绝缘层1003 不接触的区域1005中也J^/v形成绝缘层1006。绝缘层1006具有保护各导电部(导 电部1004a~ 1004c)不受外部环境影响的功能。另夕卜，也可以在绝》彖层1006中添 加用于提高热传导性的填充剂。通it;斤述工序，制造出本实施方式的元件搭载用J4反。根据以上说明的本实施方式的元件搭载用基^復其制造方法，能够得到以下 的效果(1) 由于通过将侧面加工成正锥形的导电部1004a, 1004b压入绝缘层1003 中而形成在^电部(导电部1004a, 1004b )的侧面与绝缘层1003(凸状部分1003a) 之间设置有空隙(导电部1004a, 1004b的侧面上不与绝缘层1003接触的区域1005 )的元件搭载用14反，制造这样的元件搭载用;S4反工序变得简单。能够进一步减少(2) 通过将导电部1004a、 1004b的截面形状制it^侧面为正锥形的梯形， 能够容易地制造导电部1004a、 1004b的侧面与绝缘层1003的接触部分为梯形的下 底部分的元件搭载用1^反。因此，从导电部1004a的端部A到导电部1004b的端 部B的绝^彖层1003 (绝缘层1003的凸状部分1003a)的M部分的赠4圣长度最大 限度地增长，能够以^A;^是供更加难以产生绝纟^皮坏的元件搭载用差d反。(3 )通过将侧面上部加工成正锥形的导电部1004a、 1004b压M色纟彖层1003 中，在绝缘层1003分别形成凹部，在该凹部内配置导电部10(Ma、 10(Hb，由此， 在导电部1004a和与^Nl邻的导电部1004b之间设有绝缘层1003,能够在各导电 部(导电部1004a、 1004b)的侧面与绝缘层1003之间产生间隔(导电部1004a, 1004b的侧面上不与绝缘层1003接触的区域1005 )。因此，位于导电部1004a与导 电部1004b之间的位置的纟色缘层1003的M部分的聘农长度(实际间隔)比以往 更大，难以产生经由绝缘层1003的表面部分的绝纟^皮坏，提供可靠性提高的元件 搭载用絲。(4)通过将导电部1004a、 1004b的截面形状形成为其侧面为正锥形的梯形， 导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)与绝缘层1003的接触部分^l^为梯 形的下底部分，从导电部1004a的端部A到导电部1004b的端部B的绝缘层1003 (绝缘层1003的凸状部分1003a)的絲部分的^^圣长度最大P艮度地增长。由此，在导电部1004a和与^目邻的导电部1004b之间，经由绝缘层1003的^ir部^(绝 缘层1003和绝缘层1006之间的界面)引起的绝^s皮坏更加不易产生，进一步提 高元件搭载用基板的可靠性。另夕卜，在导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面) 的表面(上面侧)的局部设置不与绝缘层1003接触的区域1005时，仅该部分有 助于4^圣长度的增加，因此能够相应地抑制绝缘破坏。(5 )尽管导电部1004a和与^目邻的导电部1004b之间的间隔(空间)是与 以往相同的尺寸，^E^艮据本结构，增大了相对于该部分的绝缘破坏的实际间隔， 能够抑制元件搭载用差^反的可靠性下降。因此，可以进一步缩小导电部1004a和与 ^目邻的导电部1004b之间的间隔(空间)，能够实观兄件搭载用基〖反的进一步微 细化。(6)通过将加工成梯形的导电部1004a、 1004b (侧面加工成正锥形的导电部 1004a、 1004b )加压而压入到绝缘层1003中，在绝缘层1003内可以自我*埋设， 能够在导电部1004a的侧面(导电部1004b的侧面)容易设置不与绝缘层1003接 触的区域1005。因此，能够实现元件搭载用1^反的4线本化。此外，在上述实施方式中，以覆盖绝缘层1003和各导电部(导电部10(Ma-1004c)而设有绝缘层1006的元件搭载用1^1^其制造方法为例，4^^发明并不局 限于此，例如，也可以是不设有绝缘层1006的元件搭载用^41。这种情况下也能 够得到上述效果。在上述实施方式中，以采用具有保护各导电部(导电部1004a~ 10(Hc)的功能 的 ']抗焊料剂膜作为绝缘层1006为例，但本发明并不局限于此，例如，作为绝 缘层1006,可以采用与绝缘层1003相同的材料，在其上还设置其它导电部。此时， 除了能够得到上述效果^卜，还可以将绝缘耐压性提高的元件搭载用基板多层化。在所述实施方式中，以导电部1004a、 1004b的上面与绝缘层1003的上面(凸 状部分1003a的上部)^!丈共面为例，^24^发明并不局限于此，例如，若在导电部 1004a、 1004b的侧面设置不与绝缘层1003接触的区域1005，则导电部1004a、 1004b 的上面相对于绝缘层1003的上面(凸状部分1003a的上面)可以突出也可以凹陷。 这种情况下，相应于鴻径长度的增大量，可以得到不易产生绝^^皮坏的效果。在上述实施方式中，以作为具有正锥形的导电部1004a (导电部1004b)其截 面形状为梯形为例，但^^发明并不局限于此，例如，也可以对于矩形的导电部的 上端部进行倒角，仅使上边部为正锥形。此外，同样地也可以为仅上端部带有圓 弧的状态。此时，在导电部1004a (导电部1004b)上设置的正锥形的部分，设置与绝缘层1003不接触的区域1005,该部分有助于鴻^圣长度的增加。本发明基于2006年7月31日提交的日本专利申请NO.2006 - 208456、 2006 年8月2日提交的日本专利申请No.2006-210558、 2007年7月18日提交的曰本 专利申请No.2007-187360，在j^爰引其内容。
权利要求
1、一种元件搭载用基板，其特征在于，包括具有埋设在绝缘层的第一导电部的第一电路基板；设置在所述绝缘层之上、具有第二导电部的第二电路基板，所述第二导电部在被埋设于所述绝缘层中的状态下、与所述第一导电部电连接。
2、 如权利要求1所述的元件搭载用差^反，其中，所述第一导电部和第二导电 部由同一^属构成。
3、 如权利要求1或2所述的元件搭载用基板，其中，还具有搭载有所述第一 电路J^反的金属^il。
4、 一种元件搭载用J4反的制造方法，其特^E^于，包括 第一工序，在第一电路J^反的绝缘层之上形成第一导电部；第二工序，准备具有第二导电部的第二电路J^反，在该第二导电部与所述第 一导电部接触的状态下对所述第二电路14反施加压力，将所述第二导电部与所述 第一导电部一同压入到所述绝缘层中，以将所述第二电3各基f反固定在所述第一电 路勤仏
5、 如权利要求4所述的元件搭载用基板的制造方法，其中，所述第二工序具 有在所述绝缘层半固化的状态下将所述第一电路1^反和所述第二电路1^^接的 步骤、和将所必色缘层力口热并固化的步骤。
6、 如权利要求4或5所述的元件搭载用基板的制造方法，其中，在所^^接 步骤中，在所述第二导电部覆盖所述第一导电部而配置的状态下进行压接。
7、 如权利要求4或5所述的元件搭载用基板的制造方法，其中，在所述第一 工序中，将所述第一导电部的截面形^R^工成朝向所述第一电路^^反的外侧、上部变细的梯形，在所述压接步骤中，在所述第一导电部与所述第二导电部的连4妄面上的、所 述第二导电部的尺寸比该连接面上的所述第一导电部的尺寸小的情况下进行压接。
8、 一种半导^^莫块，其特征在于，包括 权利要求1 ~3中任一项所述的元件搭载用基板； 在所iiiL件搭载用基板之上搭载的半导体元件。
9、 如权利要求8所述的半导^^莫块，其中，还具有第三导电部，其设置在所 必色缘层之上，被^>比对所述第二导电部^>的电压更高的电压，所述半导体元件安^设有所述第三导电部的区域。
10、 一种元件^^载用1^反，其特44于，具有 核心勤反；在所述核心基板的 一个主面设置的第 一布线结构； 在所述核心I^反的另 一主面设置的第二布线结构，所述第一布线结构或所述第二布线结构中的至少一个结构包含第一电路;&^反和第二电路J41,所述第一电路1^反具有埋设在绝缘层中的第一导电部，所述第二电路;^反设于所必色缘层之上，具有第二导电部，所述第二导电部在被埋设于所述绝缘层中的状态下、与所述第一导电部电连接。
11、 如权利要求10所述的元件搭载用基板，其中，所述第一导电部和所述第二导电部由同 一金属构成。
12、 如权利要求10或11所述的元件搭载用基板，其中，所迷核心基板由金 属形成。
13、 如权利要求10或11所述的元件搭载用基板，其中，所述核心基板由绝 缘层形成。
14、 一种半导^4狭，其特^碌于，包括 权利要求10-13中任一项所述的元件搭载用勤反；在所iiit件搭载用J^反的第一布线结构及第二布线结构中搭载着的半导体元件。
15、 如权利要求14所述的半导^#块，其特征在于，还具有第三导电部，其 设置在第一电路基t反的绝缘层之上，被 。比对第二导电部^>的电压更高的电 压，所述半^^元件安^设有所迷第三导电部的区域中。
16、 一种电路1^反的制造方法，其特4球于，包括 第一工序，在l^AJi形成绝缘层；第二工序，在所述绝缘层的表面上形成第一导电部及与第一导电部相邻的第 二导电部，至少将所述第一导电部和所述第二导电部的至少侧面上部加工成正锥形；第三工序，将所述第 一导电部和所述第二导电部压7^斤必色缘层中， 在所述第三工序中，在所述第一导电部及所述第二导电部的侧面与所必色缘 层之间设置间隙。
17、 如权利要求16所述的电路基板的制造方法，其中，在所述第二工序中， 将所述第一导电部和所述第二导电部的截面形状都加工威/f弟形。
18、 如权利要求16所述的电路基f反的制造方法，其中，在所述第三工序中，包括在所述绝缘层半固化的状态下将所述第 一导电部及所述第二导电部压入的步 骤、和将所必色缘层加热并固化的步骤。
19、 如权利要求17所述的电路基板的制造方法，其中，在所述第三工序中， 包括在所述绝缘层半固化的状态下将所述第 一导电部及所述第二导电部压入的步 骤、和将所必色缘层加热并固化的步骤。
全文摘要
本发明提供一种元件搭载用基板、元件搭载用基板的制造方法以及半导体模块，能够减少核心基板上设置的电路基板与其上搭载的电路之间的接触不良，提高作为多层元件搭载用基板的可靠性。元件搭载用基板具有电路基板(6)，其由基板(1)、在基板(1)上设置的保护(层)2、在保护层(2)上设置的绝缘层(3)以及在绝缘层(3)形成的导电层(5)(导电部5a～5c)构成；电路基板(10)，其搭载在电路基板(6)上，由基材(7)、在基材(7)的下面设置的导电层(8)(导电部8a，8b)、在基材(7)的上面设置的导电层(9)(导电部9a)构成。在此，通过将电路基板(10)压附在电路基板(6)上，导电部(8a)与导电部(5a)一同被埋设在绝缘层(3)中，在绝缘层(3)中形成导电部(8a)和导电部(5a)的连接部(11)，将电路基板(10)与电路基板(6)电连接。
文档编号H05K3/40GK101262739SQ200710307780
公开日2008年9月10日 申请日期2007年7月31日 优先权日2006年7月31日
发明者中里真弓, 水原秀树, 草部隆也, 高草木贞道 申请人:三洋电机株式会社
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