一组可控硅投切多路电容补偿装置的制作方法

xiaoxiao2020-08-01  1

专利名称:一组可控硅投切多路电容补偿装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及无功补偿设备,尤其是涉及一种一组可控硅投切多路电容补偿装置。
在自动无功补偿柜中,通常投切电容有两种方法,一种采用交流接触器投切,另一种采用可控硅作开关元件过零投切,但这两种方法都有其不足之处。交流接触器投切电容会产生很大涌流,故障率高;可控硅过零投切,虽然无涌流,但成本高,功耗大,并产生谐波。
本实用新型的目的在于提供一种投切电容无涌流、运行时无谐波、故障率低、功耗小、成本低的一组可控硅投切多路电容补偿装置。
本实用新型的目的是这样实现的本实用新型包括控制器、电容和交流接触器,特征是在电容和三相电源之间接有一组由双向可控硅模块、交流接触器组成的可控硅控制电路。
该可控硅控制电路可投切两路或两路以上的电容。
本实用新型采用一组可控硅在控制器的控制下可转换投切多路电容,可控硅投上电容后即转接到交流接触器闭合下运行,可控硅仅在投切时接入主回路中,转接后即退出主回路,为下次投另一组电容做准备。因此本实用新型具有投切电容无涌流、运行时无谐波、故障率低、功耗小、成本低的优点,广泛适用于各种全自动无功补偿柜中。


图1为本实用新型的结构示意图。
下面结合实施例并对照附图对本实用新型作进一步详细说明。
本实用新型包括控制器、电容C1、C2、交流接触器KM1、KM2、QM1、QM2,在三相电源a、b、c相线和电容C1、C2之间接有一组由两个可控硅模块KQ1、KQ2、交流接触器KM1、KM2、QM1、QM2组成的可控硅控制电路,其中双向可控硅模块KQ1的一端接三相电源a相线的接点A1,另一端与交流接触器KM1的常开开关KM1-1和交流接触器KM2的常开开关KM2-1的公共接点A2相接,常开开关KM1-1串接在接点A2和电容C1的接点A3之间,常开开关KM2-1串接在接点A2和电容C2的接点A4之间,交流接触器QM1的常开开关QM1-1并联在接点A1和A3之间,双向可控硅模块KQ2的一端接三相电源c相线的接点B1,另一端与常开开关KM1-2和常开开关KM2-2的公共接点B2相接,常开开关KM1-2串接在接点B2和B3之间,常开开关KM2-2串接在接点B2和B4之间,常开开关QM1-2并联在接点B1和B3之间,交流接触器QM2的常开开关QM2-1并联在接点A1和A4之间,常开开关QM2-2并联在接点B1和B4之间,电容C1的接点D2、电容C2的接点D3均接三相电源c相线的接点D1。
依次类推,交流接触器KMn的常开开关KMn-1(n≥2)串接在接点A2和电容Cn的接点An+2之间,常开开关KMn-2串接在接点B2和电容Cn的接点Bn+2之间,交流接触器QMn的常开开关QMn-1并联在接点A1和An+2之间,常开开关QMn-2并联在接点B1和Bn+2之间,电容Cn的接点Dn+1接三相电源c相线的接点D1。
双向可控硅模块KQ1、KQ2、交流接触器KM1、KM2……KMn、QM1、QM2……QMn均受控制器控制。
本实用新型的转换投切的过程如下1、投切电容C1过程先将交流接触器KM1闭合,常开开关KM1-1、KM1-2闭合,双向可控硅模块KQ1、KQ2电压过零导通,电容C1通过交流接触器KM1、双向可控硅模块KQ1、KQ2与三相电源接通,电容C1投入补偿无功,然后将交流接触器QM1闭合,常开开关QM1-1、QM1-2闭合,之后双向可控硅模块KQ1、KQ2断开,随后交流接触器KM1断开,电容C1转接在经交流接触器QM1与三相电源接通状态下运行,可控硅模块KQ1、KQ2退出。
2、投切电容C2过程先将交流接触器KM2闭合,常开开关KM2-1、KM2-2闭合,双向可控硅模块KQ1、KQ2电压过零导通,电容C2通过交流接触器KM2、双向可控硅模块KQ1、KQ2与三相电源接通,电容C2投入补偿无功,然后将交流接触器QM2闭合,常开开关QM2-1、QM2-2闭合,之后双向可控硅模块KQ1、KQ2断开,随后交流接触器KM2断开,电容C2转接在经交流接触器QM2与三相电源接通状态下运行,可控硅模块KQ1、KQ2退出。
重复以上过程,可根据需要投切n路电容。
3、切除电容C1过程只需将交流接触器QM1断开,常开开关QM1-1、QM1-2断开,电容C1就从电源中切除。
重复以上过程,可根据需要切除n路电容。
说明1、投切过程中,每个动作间隔时间>20ms。
2、所有的交流接触器也可用其它自动开关代替或将两个交流接触器的功能集中做成一个交流接触器。
权利要求1.一种一组可控硅投切多路电容补偿装置,包括控制器、电容(C1、C2)、交流接触器(KM1、KM2、QM1、QM2),其特征在于在三相电源(a、b、c)相线和电容(C1、C2)之间接有一组由两个可控硅模块(KQ1、KQ2)、交流接触器(KM1、KM2、QM1、QM2)组成的可控硅控制电路,其中双向可控硅模块(KQ1)的一端接三相电源(a)相线的接点(A1),另一端与交流接触器(KM1)的常开开关(KM1-1)和交流接触器(KM2)的常开开关(KM2-1)的公共接点(A2相接,常开开关(KM1-1)串接在接点(A2)和电容(C1)的接点(A3)之间,常开开关KM2-1)串接在接点(A2)和电容(C2)的接点(A4)之间,交流接触器(QM1)的常开开关(QM1-1)并联在接点(A1)和(A3)之间,双向可控硅模块(KQ2)的一端接三相电源(c)相线的接点(B1),另一端与常开开关(KM1-2)和常开开关(KM2-2)的公共接点(B2)相接,常开开关(KM1-2)串接在接点(B2)和(B3)之间,常开开关(KM2-2)串接在接点(B2)和(B4)之间,常开开关(QM1-2)并联在接点(B1)和(B3)之间,交流接触器(QM2)的常开开关(QM2-1)并联在接点(A1)和(A4)之间,常开开关(QM2-2)并联在接点(B1)和(B4)之间,电容(C1)的接点(D2)、电容(C2)的接点(D3)均接三相电源(c)相线的接点(D1)。
2.如权利要求1所述的一组可控硅投切多路电容补偿装置,其特征在于可控硅控制电路可投切两路或两路以上电容。
专利摘要本实用新型公开了一组可控硅投切多路电容补偿装置,它包括控制器、电容和交流接触器,特征是在电容和三相电源之间接有一组由双向可控硅模块、交流接触器组成的可控硅控制电路。该可控硅控制电路在控制器的控制下可转换投切多路电容,可控硅仅在投切时接入主回路中,转接后即退出主回路,为下次投另一组电容做准备。因此本实用新型具有投切电容无涌流、运行时无谐波、故障率低、功耗小、成本低的优点,广泛适用于各种自动无功补偿柜中。
文档编号H02J3/18GK2454972SQ0025931
公开日2001年10月17日 申请日期2000年11月23日 优先权日2000年11月23日
发明者刘建新 申请人:刘建新

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