一种发光器件表面胶体的粗化方法

专利名称：一种发光器件表面胶体的粗化方法
技术领域：
本发明涉及一种发光器件表面胶体的粗化方法，具体涉及对表面贴装发光器件 (SMD)的表面胶体的等离子气体刻蚀。
背景技术：
应用于户内外的LED显示屏中，其封装形式有LAMP封装和SMD封装这两种封装形式，在实际的试用过程中有一个共同的要求就是当显示屏在点亮时候图像显示要有良好清晰度，这就需要在点亮时候SMD和LAMP胶体具有较弱的反光性以增强图像的对比度；然而在实际的应用过程中，由于胶体表面比较光滑，往往反光较强，使得显示屏的对比度较差。

发明内容
本发明的目的是提出一种发光器件表面胶体的粗化方法，以解决显示屏在点亮状态下图像对比度不足的问题。本发明的发光器件表面胶体的粗化方法，其特征是该发光器件为表面贴装发光器件，在发光器件点胶固化后的表面胶体进行等离子气体条件下的干法刻蚀，使胶体表面粗糙度为 0. lum_5um。本发明中，采用的等离子气体包括物理轰击性气体(例如Ar，N2)和化学腐蚀性气体(例如 Cl2，BCl3)。本发明中，等离子气体产生办法包括单射频产生等离子气体，DC产生等离子气体，双射频产生等离子气体。本发明有益效果是通过采用干法刻蚀的方法增强表面贴装发光器件(SMD)胶体表面的粗糙度，从而使得在显示屏点亮过程中减少胶体表面的反光性，增强显示屏在点亮状态图像的对比度。


图1为刻蚀前SMD支架胶体表面形貌，1为胶体表面，2为胶体； 图2为刻蚀后SMD支架胶体表面形貌，1为胶体表面，2为胶体。
具体实施例方式
实施例SMD产品在生产过程中点胶烘烤后，在感应耦合等离子刻蚀(ICP)或反应离子刻蚀(RIE)刻蚀机中用氩气对产品表面的胶体进行干法刻蚀。刻蚀前后SMD的表面胶体形貌见图1，图2。本例采用的设备为ICP刻蚀机，Ar流量为30sCCm，腔体压强为30mtorr，下射频为 200w,上射频为250w，时间为180s。刻蚀后粗糙度达0. 5um ；上述实例只是对本发明的说明，而不是对本发明的限制，在本发明的精神和权利要求的保护范围内，对本发明作出的任何修改和改变，都落入本发明的保护范围。
权利要求
1.一种发光器件表面胶体的粗化方法，其特征是该发光器件为表面贴装发光器件，在发光器件点胶固化后的表面胶体进行等离子气体条件下的干法刻蚀，使胶体表面粗糙度为 0.lum-5um。
2.根据权利要求1所述的发光器件表面胶体的粗化方法，其特征是采用的等离子气体包括物理轰击性气体和化学腐蚀性气体。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件表面胶体的粗化方法，其特征是等离子气体产生办法包括单射频产生等离子气体，DC产生等离子气体，双射频产生等离子气体。
全文摘要
本发明涉及发光器件表面胶体的粗化方法，该发光器件为表面贴装发光器件，在发光器件点胶固化后的表面胶体进行等离子气体条件下的干法刻蚀，使胶体表面粗糙度为0.1um-5um。本发明通过采用干法刻蚀的方法增强表面贴装发光器件胶体表面的粗糙度，从而使得在显示屏点亮过程中减少胶体表面的反光性，增强显示屏在点亮状态图像的对比度。
文档编号H01L33/00GK102157637SQ20111003384
公开日2011年8月17日 申请日期2011年1月31日 优先权日2011年1月31日
发明者傅文越, 江忠永, 邵铁风 申请人:杭州美卡乐光电有限公司